專利名稱：測試接口結(jié)構(gòu)、測試電路以及測試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及閃存設(shè)計領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種用于對閃存記憶體模塊進行測試的測試接口結(jié)構(gòu)、采用該測試接口結(jié)構(gòu)的測試電路、以及相應(yīng)的測試方法。
背景技術(shù)：
在閃存存儲器的設(shè)計和制造過程中，需要利用測試接口來對閃存記憶體模塊進行測試，以確保閃存存儲器的可靠性。具體地說，閃存記憶體模塊具體包括閃存記憶體矩陣、 譯碼電路和電荷泵等模塊電路等。測試接口可用于測試閃存記憶體模塊的內(nèi)部高壓、內(nèi)部電流和輸入輸出邏輯功能，還可用于外加高壓、外加電流。在現(xiàn)有技術(shù)中，已有的測試接口一般是單一的，例如只能測試低電壓，或者只能測試電流，或者只具備邏輯功能。即使有復(fù)用的，但也沒有將高電壓，小電流和數(shù)字邏輯混合集成的。隨著制造成本控制的越來越嚴格，現(xiàn)有技術(shù)的測試接口顯出的弊端，利用兩個或者三個接口來實現(xiàn)高電壓，小電流和數(shù)字邏輯的輸入輸出。這樣不僅浪費芯片面積，而且影響芯片的測試效率，提高測試成本。本發(fā)明將高電壓，小電流和數(shù)字邏輯混合集成到一個測試接口，這樣可以極大縮小芯片面積，從而在一片晶圓上可以生產(chǎn)更多的芯片。另外，在測試機硬件條件固定的情況下，這樣的結(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)更大規(guī)模的同時測試，從而提高測試效率，降低測試成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為減少芯片接口面積，在測試機硬件條件固定的情況下，實現(xiàn)更大規(guī)模同時測試和降低生產(chǎn)成本。從而發(fā)明的用于對閃存記憶體模塊進行測試的全新測試接口結(jié)構(gòu)、測試電路以及測試方法。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種用于對閃存記憶體模塊進行測試的測試接口結(jié)構(gòu)，其包括測試焊盤、控制信號模塊、數(shù)字信號模塊、高壓模塊(大于12V)、以及小電流信號模塊(精確到納安)，其中在控制信號模塊所輸出的控制信號的控制下，即可實現(xiàn)數(shù)字信號模塊、高壓模塊以及電流信號模塊之間的任意切換，以實現(xiàn)多路復(fù)用的功能。優(yōu)選地，在上述用于對閃存記憶體模塊進行測試的測試接口結(jié)構(gòu)中，閃存記憶體模塊包括閃存記憶體矩陣、譯碼電路和電荷泵等模塊電路。優(yōu)選地，在上述用于對閃存記憶體模塊進行測試的測試接口結(jié)構(gòu)中，數(shù)字信號模塊與測試焊盤之間傳遞數(shù)字信號；并且當需要輸入數(shù)字信號時，高壓模塊和小電流模塊將為高阻狀態(tài)，控制信號模塊啟用以輸出控制信號，并且測試焊盤連接至數(shù)字信號模塊，數(shù)字信號在控制信號的控制下輸入到芯片內(nèi)部；當需要輸出數(shù)字信號，高壓模塊和電流模塊將為高阻狀態(tài)，控制信號模塊啟用以輸出控制信號，測試焊盤連接至數(shù)字信號模塊，從而使數(shù)字信號輸出到測試焊盤。優(yōu)選地，在上述用于對閃存記憶體模塊進行測試的測試接口結(jié)構(gòu)中，高壓模塊與測試焊盤之間傳遞高電壓信號；并且當需要輸入高電壓信號時，控制信號模塊斷開數(shù)字信號模塊，高壓模塊使能，以使高電壓信號可以直接從測試焊盤輸入到高壓模塊，這個高電壓不會影響或者損傷數(shù)字模塊和小信號模塊(柵端加VDD電壓的NMOS管起到自動隔絕高壓的作用)；當需要輸出高電壓，控制信號模塊斷開數(shù)字信號模塊，高壓模塊使能，內(nèi)部高電壓可以直接從高壓模塊輸出到測試焊盤。優(yōu)選地，在上述用于對閃存記憶體模塊進行測試的測試接口結(jié)構(gòu)中，小電流信號模塊與測試焊盤之間傳遞小電流信號；當需要輸入電流信號，控制信號模塊斷開數(shù)字信號模塊，高壓模塊出于高阻狀態(tài)，小電流可以直接從測試焊盤輸入到芯片內(nèi)部；當需要輸出電流信號，控制信號模塊斷開數(shù)字信號模塊，高壓模塊出于高阻狀態(tài)，小電流直接從小電流模塊輸出到測試焊盤。根據(jù)本發(fā)明第一方面的測試接口結(jié)構(gòu)，由于一個測試接口可以復(fù)用三種功能，因此，相當于節(jié)省了兩個硬件資源。所以，芯片的面積將更小，在測試機硬件固定的條件下，實現(xiàn)更多的并行測試。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種包括根據(jù)本發(fā)明第一方面所述的測試接口結(jié)構(gòu)的測試電路。由于采用了根據(jù)本發(fā)明第一方面所述的測試接口結(jié)構(gòu)，因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，根據(jù)本發(fā)明第二方面的測試電路同樣能夠?qū)崿F(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的第一方面的測試接口結(jié)構(gòu)所能實現(xiàn)的有益技術(shù)效果。即，由于一個測試接口可以復(fù)用三種功能，因此， 相當于節(jié)省了兩個硬件資源。所以，芯片的面積將更小，在測試機硬件固定的條件下，實現(xiàn)更多的并行測試根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供了一種利用測試接口結(jié)構(gòu)對閃存記憶體模塊進行測試的測試方法，所述測試接口結(jié)構(gòu)包括測試焊盤、控制信號模塊、數(shù)字信號模塊、高壓模塊、 以及小電流信號模塊，所述測試方法包括在控制信號模塊所輸出的控制信號的控制下，即可實現(xiàn)數(shù)字信號模塊、高壓模塊以及電流信號模塊之間的任意切換，以實現(xiàn)多路復(fù)用的功能。同樣地，在根據(jù)本發(fā)明第三方面的利用測試接口結(jié)構(gòu)對閃存記憶體模塊進行測試的測試方法中，由于一個測試接口可以復(fù)用三種功能，因此，相當于節(jié)省了兩個硬件資源。 所以，芯片的面積將更小，在測試機硬件固定的條件下，實現(xiàn)更多的并行測試


結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點和特征，其中圖1示意性地示出根據(jù)本發(fā)明實施例的用于對閃存記憶體模塊進行測試的測試接口結(jié)構(gòu)的框圖。需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。參考標號說明Pad 焊盤CS (Control Signal)控制信號DS (Digital Signal)數(shù)字信號
AS (Analog Signal)模擬信號CO (Current output)電流輸出
具體實施例方式為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實施例和附圖對本發(fā)明的內(nèi)容進行詳細描述。圖1示意性地示出根據(jù)本發(fā)明實施例的用于對閃存記憶體模塊進行測試的測試接口結(jié)構(gòu)的框圖。具體地說，閃存記憶體模塊具體可包括閃存記憶體矩陣、譯碼電路和電荷泵等模塊電路等。測試接口結(jié)構(gòu)包括測試焊盤pad、控制信號模塊CS、數(shù)字信號模塊DS、高壓模塊 AS、以及小電流信號模塊CO。其中，在控制信號模塊CS所輸出的控制信號的控制下，數(shù)字信號模塊DS、高壓模塊AS、以及小電流信號模塊CO之間可以任意切換，以實現(xiàn)多路復(fù)用的功能。如圖1所述，測試接口結(jié)構(gòu)還包括一個柵端加VDD的NMOS管。數(shù)字信號模塊DS、高壓模塊AS、以及小電流信號模塊CO中的一個與測試焊盤pad 傳遞信號時的信號傳遞方向是雙向的，可以從數(shù)字信號模塊DS、高壓模塊AS、以及小電流信號模塊CO中的一個向測試焊盤pad傳遞信號，或者可選地，也可以從測試焊盤pad向數(shù)字信號模塊DS、高壓模塊AS、以及小電流信號模塊CO中的一個傳遞信號。數(shù)字信號模塊DS與測試焊盤Pad之間傳遞數(shù)字信號；并且當需要輸入數(shù)字信號時，高壓模塊AS和小電流模塊CO將為高阻狀態(tài)，控制信號模塊CS啟用以輸出控制信號，并且測試焊盤Pad連接至數(shù)字信號模塊DS，數(shù)字信號在控制信號的控制下輸入到芯片內(nèi)部； 當需要輸出數(shù)字信號，高壓模塊AS和小電流模塊CO將為高阻狀態(tài)，控制信號模塊CS啟用以輸出控制信號，測試焊盤Pad連接至數(shù)字信號模塊DS，從而使數(shù)字信號輸出到測試焊盤 Pad。高壓模塊AS與測試焊盤Pad之間傳遞高電壓信號；并且當需要輸入高電壓信號時，控制信號模塊CS斷開數(shù)字信號模塊DS，高壓模塊AS使能，以使高電壓信號可以直接從測試焊盤I^d輸入到高壓模塊AS，這個高電壓不會影響或者損傷數(shù)字模塊DS和小信號模塊 C0(柵端加VDD電壓的NMOS管起到自動隔絕高壓的作用)；當需要輸出高電壓，控制信號模塊CS斷開數(shù)字信號模塊，高壓模塊AS使能，內(nèi)部高電壓可以直接從高壓模塊AS輸出到測試焊盤I^ad。小電流信號模塊CO與測試焊盤Pad之間傳遞小電流信號；當需要輸入電流信號， 控制信號模塊CS斷開數(shù)字信號模塊DS，高壓模塊AS出于高阻狀態(tài)，小電流可以直接從測試焊盤Pad輸入到芯片內(nèi)部；當需要輸出電流信號，控制信號模塊CS斷開數(shù)字信號模塊DS， 高壓模塊AS出于高阻狀態(tài)，小電流直接從小電流模塊CO輸出到測試焊盤I^d。可以看出，控制信號模塊CS輸出的控制信號控制數(shù)字信號模塊DS，高壓模塊AS和小電流模塊CO之間的選通，高壓模塊AS和小電流模塊CO是自動實現(xiàn)隔絕和選通。在本發(fā)明的一個具體實施例中，小電流信號模塊CO與測試焊盤pad之間傳遞的小電流信號是模擬信號。此外，在本發(fā)明的一個具體實施例中，高壓模塊AS與測試焊盤pad之間傳遞的高電壓信號是模擬高電壓信號，并且例如為12V的高電壓信號。
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因為測試機的硬件資源是有限的，在一定的硬件資源條件下，必須節(jié)省硬件資源， 這樣才能在成本固定的情況下，不斷降低測試費用。如上面所說，因為一個測試接口可以復(fù)用三種功能，因此，相當于節(jié)省了兩個硬件資源。所以，就可以實現(xiàn)更多的并行測試。在本發(fā)明的一個實施例中，本發(fā)明涉及一種包括上述測試接口結(jié)構(gòu)的測試電路。并且，在本發(fā)明的一個實施例中，本發(fā)明涉及一種如上所述的測試方法。優(yōu)選地，上述測試接口結(jié)構(gòu)、測試電路和測試方法可有利地用于SIM卡(用戶識別卡)的大數(shù)量并行測試?？梢岳斫獾氖?，雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然而上述實施例并非用以限定本發(fā)明。對于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下， 都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于對閃存記憶體模塊進行測試的測試接口結(jié)構(gòu)，其特征在于包括測試焊盤、控制信號模塊、數(shù)字信號模塊、高壓模塊、以及小電流信號模塊，其中在控制信號模塊所輸出的控制信號的控制下，即可實現(xiàn)數(shù)字信號模塊、高壓模塊以及小電流信號模塊之間的任意切換，以實現(xiàn)多路復(fù)用的功能，其中高壓模塊的電壓大于12V，并且小電流信號模塊的電流能夠精確到納安。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于對閃存記憶體模塊進行測試的測試接口結(jié)構(gòu)，其特征在于，閃存記憶體模塊包括閃存記憶體矩陣、譯碼電路和電荷泵等模塊電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于對閃存記憶體模塊進行測試的測試接口結(jié)構(gòu)，其特征在于，數(shù)字信號模塊與測試焊盤之間傳遞數(shù)字信號；并且當需要輸入數(shù)字信號時，高壓模塊和小電流模塊將為高阻狀態(tài)，控制信號模塊啟用以輸出控制信號，并且測試焊盤連接至數(shù)字信號模塊，數(shù)字信號在控制信號的控制下輸入到芯片內(nèi)部；當需要輸出數(shù)字信號，高壓模塊和電流模塊將為高阻狀態(tài)，控制信號模塊啟用以輸出控制信號，測試焊盤連接至數(shù)字信號模塊，從而使數(shù)字信號輸出到測試焊盤。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于對閃存記憶體模塊進行測試的測試接口結(jié)構(gòu)，其特征在于，高壓模塊與測試焊盤之間傳遞高電壓信號；并且當需要輸入高電壓信號時，控制信號模塊斷開數(shù)字信號模塊，高壓模塊使能，以使高電壓信號可以直接從測試焊盤輸入到高壓模塊，這個高電壓不會影響或者損傷數(shù)字模塊和小信號模塊；當需要輸出高電壓，控制信號模塊斷開數(shù)字信號模塊，高壓模塊使能，內(nèi)部高電壓可以直接從高壓模塊輸出到測試焊ο
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于對閃存記憶體模塊進行測試的測試接口結(jié)構(gòu)，其特征在于，小電流信號模塊與測試焊盤之間傳遞小電流信號；當需要輸入電流信號，控制信號模塊斷開數(shù)字信號模塊，高壓模塊出于高阻狀態(tài)，小電流可以直接從測試焊盤輸入到芯片內(nèi)部；當需要輸出電流信號，控制信號模塊斷開數(shù)字信號模塊，高壓模塊出于高阻狀態(tài)，小電流直接從小電流模塊輸出到測試焊盤。
6.一種測試電路，其特征在于包括根據(jù)權(quán)利要求1至5之一所述的用于對閃存記憶體模塊進行測試的測試接口結(jié)構(gòu)。
7.一種利用測試接口結(jié)構(gòu)對閃存記憶體模塊進行測試的測試方法，所述測試接口結(jié)構(gòu)包括測試焊盤、控制信號模塊、數(shù)字信號模塊、高壓模塊、以及電流信號模塊，其特征在于所述測試方法包括在控制信號模塊所輸出的控制信號的控制下，實現(xiàn)數(shù)字信號模塊、高壓模塊以及小電流信號模塊的多路復(fù)用。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的利用測試接口結(jié)構(gòu)對閃存記憶體模塊進行測試的測試方法， 其特征在于，數(shù)字信號模塊與測試焊盤之間傳遞數(shù)字信號；并且當需要輸入數(shù)字信號時，高壓模塊和小電流模塊將為高阻狀態(tài)，控制信號模塊啟用以輸出控制信號，并且測試焊盤連接至數(shù)字信號模塊，數(shù)字信號在控制信號的控制下輸入到芯片內(nèi)部；當需要輸出數(shù)字信號， 高壓模塊和電流模塊將為高阻狀態(tài)，控制信號模塊啟用以輸出控制信號，測試焊盤連接至數(shù)字信號模塊，從而使數(shù)字信號輸出到測試焊盤。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的利用測試接口結(jié)構(gòu)對閃存記憶體模塊進行測試的測試方法，其特征在于，高壓模塊與測試焊盤之間傳遞高電壓信號；并且當需要輸入高電壓信號時，控制信號模塊斷開數(shù)字信號模塊，高壓模塊使能，以使高電壓信號可以直接從測試焊盤輸入到高壓模塊，這個高電壓不會影響或者損傷數(shù)字模塊和小信號模塊；當需要輸出高電壓，控制信號模塊斷開數(shù)字信號模塊，高壓模塊使能，內(nèi)部高電壓可以直接從高壓模塊輸出到測試焊盤。
10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的利用測試接口結(jié)構(gòu)對閃存記憶體模塊進行測試的測試方法，其特征在于，小電流信號模塊與測試焊盤之間傳遞小電流信號；當需要輸入電流信號，控制信號模塊斷開數(shù)字信號模塊，高壓模塊出于高阻狀態(tài)，小電流可以直接從測試焊盤輸入到芯片內(nèi)部；當需要輸出電流信號，控制信號模塊斷開數(shù)字信號模塊，高壓模塊出于高阻狀態(tài)，小電流直接從小電流模塊輸出到測試焊盤。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種測試接口結(jié)構(gòu)、測試電路以及測試方法。根據(jù)本發(fā)明的用于對閃存記憶體模塊進行測試的測試接口結(jié)構(gòu)包括測試焊盤、控制信號模塊、數(shù)字信號模塊、高壓模塊、以及小電流信號模塊，其中在控制信號模塊所輸出的控制信號的控制下，即可實現(xiàn)數(shù)字信號模塊、高壓模塊以及電流信號模塊之間的任意切換，以實現(xiàn)多路復(fù)用的功能。
文檔編號G11C29/08GK102354536SQ20111018739
公開日2012年2月15日 申請日期2011年7月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月5日
發(fā)明者何軍, 索鑫, 錢亮 申請人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司