專利名稱：用于相變存儲器的冗余替換方法和相變存儲器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及存儲器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種用于相變存儲器的冗余替換方法和相變存儲器。
背景技術(shù)：
由于相變存儲器件(PRAM)與目前其他動態(tài)存儲器(DRAM)，閃存(Flash)相比具有體積小、驅(qū)動電壓低、功耗小和讀寫速度快等明顯優(yōu)勢。因此，PRAM在很短的時間取得了快速的進展，并被國際半導體聯(lián)合會預(yù)測為可以最先實現(xiàn)商業(yè)化的存儲器之一。此外，PRAM 可適用于極端溫度環(huán)境，抗輻射，和抗震動。因此PRAM在航空航天與國防等領(lǐng)域有許多不可替代的應(yīng)用和重大的意義。PRAM是一種基于相變材料的存儲器，通過在相變材料上施加一個較長時間并且強度中等的電脈沖，可使相變材料由非晶態(tài)轉(zhuǎn)換為晶態(tài)，這個過程稱之為置位過程，由于晶態(tài)具有低電阻值，我們可將其定義為數(shù)據(jù)“ 1” ；通過在相變材料上施加一個強度高但作用時間短促的電脈沖，可使相變材料由晶態(tài)轉(zhuǎn)換為非晶態(tài)，這個過程稱之為重置過程，非晶態(tài)具有高電阻值，我們可將其定義為數(shù)據(jù)“0”?？紤]到相變存儲器的數(shù)據(jù)保持特性，即由于非晶態(tài)可以通過長時間熱活化結(jié)晶的這個自發(fā)結(jié)晶的過程轉(zhuǎn)換為晶態(tài)，因此相變材料的常態(tài)為晶態(tài)(即數(shù)據(jù)“1”)，也就是存儲的數(shù)據(jù)“0”在較長的時間后可能會自發(fā)的轉(zhuǎn)換為數(shù)據(jù)“1”。 因此在設(shè)計中需要注意數(shù)據(jù)“1”的真實性?，F(xiàn)有的相變存儲器是將存儲陣列中部分的行/列用作冗余行/列，而冗余行/列是用來取代存儲陣列中有缺陷的行/列。其中，用來存儲具體行列替換信息的冗余行/列被稱為信息行/列，一般設(shè)計中會將替換信息存儲于信息行/列中的某一個確定位置，但由于這個信息行/列本身也有可能出現(xiàn)錯誤，導致輸出錯誤的替換信息和錯誤的替換操作， 從而使存儲器失效。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，特別是解決由于信息行/ 列出現(xiàn)錯誤導致存儲器失效的問題。為達到上述目的，本發(fā)明第一方面提出了一種用于相變存儲器的冗余替換方法， 包括以下步驟對相變存儲器進行測試以確定信息行/列，并獲得所述相變存儲器中出錯誤的行/列的信息；為所述有錯誤的行/列選擇替換的冗余行/列，并記錄替換信息；將所述替換信息保存至所述信息行/列，其中，所述替換信息在所述信息行/列中至少重復存儲 N次，所述N為大于1的整數(shù)；在進行讀/寫操作時，如果相應(yīng)的讀地址/寫地址為所述出錯誤的行/列地址，則讀取所述信息行/列中重復存儲N次的替換信息；根據(jù)所述重復存儲N 次的替換信息進行多數(shù)表決以對所述替換信息進行糾錯；和根據(jù)所述糾錯后的替換信息選擇與所述讀地址/寫地址相對應(yīng)的冗余行/列進行讀操作/寫操作。在本發(fā)明的一個實施例中，所述N為4。
在本發(fā)明的一個實施例中，所述根據(jù)重復存儲4次的替換信息進行多數(shù)表決進一步包括判斷所述存儲4次的替換信息中0和1的數(shù)量是否相同；如果判斷所述存儲4次的替換信息中0和1的數(shù)量不相同，則選擇所述0和1之中數(shù)量多的一個作為糾錯后的替換信息；和如果判斷所述存儲4次的替換信息中0和1的數(shù)量相同，則選擇非晶態(tài)代表的數(shù)值作為糾錯后的替換信息。在本發(fā)明的一個實施例中，所述N次替換信息為在所述信息行/列中按比特連續(xù)
重復存儲。本發(fā)明實施例第二方面還提出了一種相變存儲器，包括存儲單元陣列；多個冗余行/列，所述多個冗余行/列作為所述存儲單元陣列之中出錯誤的行/列的備份；信息行 /列，所述信息行/列之中保存有記錄所述有錯誤的行/列與所述冗余行/列之間關(guān)系的替換信息，其中，所述替換信息在所述信息行/列中至少重復存儲N次，所述N為大于1的整數(shù)；和讀寫控制器，所述讀寫控制器在進行讀/寫操作，且相應(yīng)的讀地址/寫地址為所述出錯誤的行/列地址時，則讀取所述信息行/列中重復存儲N次的替換信息，并根據(jù)所述重復存儲N次的替換信息進行多數(shù)表決以對所述替換信息進行糾錯，以及根據(jù)所述糾錯后的替換信息選擇與所述讀地址/寫地址相對應(yīng)的冗余行/列進行讀操作/寫操作。在本發(fā)明的一個實施例中，所述N為4。在本發(fā)明的一個實施例中，所述讀寫控制器根據(jù)以下規(guī)則進行糾錯判斷所述存儲4次的替換信息中0和1的數(shù)量是否相同；如果判斷所述存儲4次的替換信息中0和1 的數(shù)量不相同，則選擇所述0和1之中數(shù)量多的一個作為糾錯后的替換信息；和如果判斷所述存儲4次的替換信息中0和1的數(shù)量相同，則選擇非晶態(tài)代表的數(shù)值作為糾錯后的替換 fn息ο在本發(fā)明的一個實施例中，所述讀寫控制器包括多個多數(shù)表決模塊，每個所述多數(shù)表決模塊具有4個輸入，所述多數(shù)表決模塊選擇所述4個輸入中0和1中數(shù)量多的一個作為糾錯后的替換信息，并在所述4個輸入中0和1的數(shù)量相同時，選擇非晶態(tài)代表的數(shù)值作為糾錯后的替換信息。在本發(fā)明的一個實施例中，所述多數(shù)表決模塊進一步包括第一或處理單元，所述第一或處理單元的輸入端分別與所述4個輸入中的第一輸入和第二輸入相連；第一和處理單元，所述第一和處理單元的輸入端分別與所述4個輸入中的第一輸入和第二輸入相連; 第二或處理單元，所述第二或處理單元的輸入端分別與所述4個輸入中的第三輸入和第四輸入相連；第二和處理單元，所述第二和處理單元的輸入端分別與所述4個輸入中的第三輸入和第四輸入相連；第三和處理單元，所述第三和處理單元的輸入分別與所述第一或處理單元和所述第二和處理單元的輸出相連；第四和處理單元，所述第四和處理單元的輸入分別與所述第一和處理單元和所述第二或處理單元的輸出相連；和第三或處理單元，所述第三或處理單元的輸入分別與所述第三和處理單元和所述第四和處理單元的輸出相連。在本發(fā)明的一個實施例中，所述N次替換信息為在所述信息行/列中按比特連續(xù)重復存儲。本發(fā)明實施例通過將替換信息在信息行/列中多次存儲，并在讀取信息行/列的同時進行多數(shù)表決，從而即使信息行/列中的某個信息出現(xiàn)了錯誤，通過多數(shù)表決也可將該錯誤排除。此外，在本發(fā)明實施例的優(yōu)選方式中，如果信息行/列中該位置上對應(yīng)的信息一半出現(xiàn)了錯誤，則根據(jù)數(shù)據(jù)的保持特性，即數(shù)據(jù)“1”的真實性問題，將選擇“0”作為該位置對應(yīng)的糾錯后的替換信息。因此本發(fā)明實施例能夠極大地提高相變存儲器的成品率。此外，本發(fā)明實施例的多數(shù)表決模塊結(jié)構(gòu)簡單，基本不會增加相變存儲器的制造成本和讀寫延遲。本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實踐了解到。


本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點從結(jié)合下面附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中圖1為本發(fā)明實施例的用于相變存儲器的冗余替換方法流程圖；圖2為本發(fā)明實施例的相變存儲器結(jié)構(gòu)圖；圖3為本發(fā)明實施例的多數(shù)表決模塊結(jié)構(gòu)圖。
具體實施例方式下面詳細描述本發(fā)明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對本發(fā)明的限制。在本發(fā)明的描述中，術(shù)語“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明而不是要求本發(fā)明必須以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。如圖1所示，為本發(fā)明實施例的用于相變存儲器的冗余替換方法流程圖。需要說明的是，雖然在本發(fā)明實施例中以信息行、冗余行為例進行描述，但是在本發(fā)明的其他實施例中也可以為信息列或冗余列以替換出錯誤的列。該方法包括以下步驟步驟S101，對相變存儲器進行測試以確定信息行，并獲得所述相變存儲器中出錯誤的行或列的信息。在本發(fā)明的實施例中，該測試通常為出廠測試，當然在本發(fā)明的實施例中，該測試也可在產(chǎn)品銷售之后進行。在該測試過程中，不僅需要對相變存儲器中的存儲單元進行測試以確定出錯誤的行或列，而且還需要對冗余行進行測試以在這些冗余行之中選擇錯誤率低的冗余行作為信息行。這樣，將錯誤率低的冗余行作為信息行，即從冗余行中選擇最穩(wěn)定的作為信息行，可提高信息行的質(zhì)量，從一定程度上降低信息行的出錯幾率。對于冗余行及存儲單元的測試過程已為現(xiàn)有技術(shù)所熟知，因此在該實施例中不再對其進行詳述。通用還需要說明的是，雖然在本發(fā)明實施例中是以冗余行替換出錯誤的行為例進行描述的，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員也可以明白，行與列僅是相對的概念，本發(fā)明實施例也可以采用冗余行替換出錯誤的列，為了清楚起見，在此不再贅述。步驟S102，為有錯誤的行選擇替換的冗余行，并記錄替換信息，即用某一個或多個具體的冗余行去替換出錯誤的行。替換的冗余行與被替換的行之間的關(guān)系被作為替換信息進行保存，通常替換信息為比特流。這樣在對出錯誤的行進行讀或?qū)懖僮鲿r，讀寫控制器就可以根據(jù)出錯誤的行的地址查找替換信息，從而獲得與出錯誤的行所對應(yīng)的冗余行。步驟S103，將該替換信息保存至信息行，其中，替換信息在信息行中需要至少重復存儲N次，N為大于1的整數(shù)。在本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例中，替換信息在信息行中重復存儲4次。當然上述存儲4次僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，其能夠在不大幅增加相變存儲器成本的基礎(chǔ)上，還能夠保證足夠的精度。本領(lǐng)域技術(shù)人員還可增加或減少存儲次數(shù)，這些均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。下面結(jié)合圖2對本發(fā)明該實施例進行詳細介紹。如圖2所示，為本發(fā)明實施例的相變存儲器結(jié)構(gòu)圖。該相變存儲器(mXn)有m個存儲行21、4個冗余行22和1個信息行23。其中，替換信息為比特流，在信息行23之上按比特連續(xù)重復存儲4次。假設(shè)實際需要的替換信息為4位比特流“1010”，即Set = “1010”，經(jīng)過4次連續(xù)存儲后，正確情況下，信息行應(yīng)顯示的數(shù)據(jù)應(yīng)為“1111,0000，1111,0000”，從中可按位間插提取到重復信息 Setl =“1010”，Set2 =“1010”，Set3 =“1010”，Set4 =“1010”。然而由于工藝限制或數(shù)據(jù)“ 1 ”的準確性等因素，在信息行上存儲的數(shù)據(jù)會出現(xiàn)錯誤，例如當信息行上這部分數(shù)據(jù)改為 “0111，1100，1111，1000”，即重復信息 ktl =“1010”，Set2 =“1010”，Set3 =“1110”， Set4 =“0111”。重復信息Setl和Set2正確，重復信息Set3和Set4有誤。如果替換信息僅在信息行中存儲一次，輸出將有50%的概率出錯。步驟S104，在進行讀/寫操作時，如果相應(yīng)的讀地址/寫地址為出錯誤的行地址， 則讀取所述信息行中重復存儲N次的替換信息。如果相應(yīng)的讀地址/寫地址不為出錯誤的行地址，則按照現(xiàn)有正常步驟進行處理，在此不再贅述。如上例所述，從信息行中獲取重復存儲N次的替換信息“1111，0000,1111，0000”。步驟S105，根據(jù)重復存儲N次的替換信息進行多數(shù)表決以對所述替換信息進行糾錯。具體地，判斷所述存儲4次的替換信息中0和1的數(shù)量是否相同；如果判斷所述存儲4 次的替換信息中0和1的數(shù)量不相同，則選擇所述0和1之中數(shù)量多的一個作為糾錯后的替換信息；和如果判斷所述存儲4次的替換信息中0和1的數(shù)量相同，則選擇非晶態(tài)代表的數(shù)值作為糾錯后的替換信息。由于非晶態(tài)可以通過長時間自發(fā)結(jié)晶轉(zhuǎn)換為晶態(tài)，因此將非晶態(tài)代表的數(shù)值作為糾錯后的替換信息可以有效提高判斷的準確率。在本發(fā)明的實施例中， 非晶態(tài)代表的數(shù)值可為0。在本發(fā)明的其他實施例中，根據(jù)相變存儲器設(shè)置的不同，將非晶態(tài)代表的數(shù)值也可為1。再次參照圖2，顯示的重復比特M重復存儲第四位數(shù)據(jù)，S卩{Set4[3]，Set4[3], Set2[3],Setl[3]} = “0111 ”，經(jīng)過多數(shù)表決器觀，得到kto [3] =“1”。重復比特25重復存儲第三位數(shù)據(jù)，即{Set4[2], Set3[2], Set2[2], Setl[2]} = “1100”，此數(shù)據(jù)中 “0”、“1” 比率相同，經(jīng)過多數(shù)表決器選擇后輸出Seto [2]為“0”。重復比特沈重復存儲第二位數(shù)據(jù)， 即{Set4[1]，Set3[l]，Set2[l]，Setl [1]} = “ 1111”，經(jīng)過多數(shù)表決器選擇后輸出 Seto[1] 為 “1”。重復比特 27 重復存儲第一位數(shù)據(jù)，S卩{Set4
，Set3
, Set2
, Setl
}= “1000”，經(jīng)過多數(shù)表決器輸出Seto
為“0”。由此可以得到Seto =“1010”，因此即使在信息行重復替換信息出錯的情況下，輸出信息Seto仍與需要的替換信息Set保持一致，從而大大地提高了存儲器的成品率。步驟S106，根據(jù)糾錯后的替換信息選擇與讀地址/寫地址相對應(yīng)的冗余行進行讀操作/寫操作。
再次參照圖2，本發(fā)明實施例的相變存儲器包括存儲單元陣列21、多個冗余行22、 信息行23和讀寫控制器(圖中未示出)。其中，多個冗余行22作為存儲單元陣列之中出錯誤的行的備份，信息行23之中保存有記錄有錯誤的行與冗余行之間關(guān)系的替換信息，其中，該替換信息在信息行23中至少重復存儲N次，N為大于1的整數(shù)，優(yōu)選地，在信息行23 中按比特連續(xù)重復存儲4次。讀寫控制器在進行讀/寫操作，且相應(yīng)的讀地址/寫地址為出錯誤的行地址時，讀取所述信息行中重復存儲N次的替換信息，并根據(jù)重復存儲N次的替換信息進行多數(shù)表決以對替換信息進行糾錯，以及根據(jù)糾錯后的替換信息選擇與讀地址/ 寫地址相對應(yīng)的冗余行進行讀操作/寫操作。在本發(fā)明的一個實施例中，所述讀寫控制器根據(jù)以下規(guī)則進行糾錯判斷所述存儲4次的替換信息中0和1的數(shù)量是否相同；如果判斷所述存儲4次的替換信息中0和1 的數(shù)量不相同，則選擇所述0和1之中數(shù)量多的一個作為糾錯后的替換信息；和如果判斷所述存儲4次的替換信息中0和1的數(shù)量相同，則選擇非晶態(tài)代表的數(shù)值作為糾錯后的替換 fn息ο在本發(fā)明的一個實施例中，讀寫控制器包括多個多數(shù)表決模塊觀，每個多數(shù)表決模塊觀具有4個輸入，當然本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，多數(shù)表決模塊觀的輸入數(shù)量與存儲的替換信息的次數(shù)相關(guān)。多數(shù)表決模塊觀選擇4個輸入中0和1中數(shù)量多的一個作為糾錯后的替換信息，并在4個輸入中0和1的數(shù)量相同時，選擇非晶態(tài)代表的數(shù)值作為糾錯后的替換信息。具體地，如圖3所示，為本發(fā)明實施例的多數(shù)表決模塊結(jié)構(gòu)圖。該多數(shù)表決模塊觀進一步包括第一或處理單元觀1、第一和處理單元觀2、第二或處理單元觀4、第二和處理單元觀3、第三和處理單元觀5、第四和處理單元觀6、第三或處理單元觀7。其中，第一或處理單元的輸入端分別與4個輸入中的第一輸入ktl[n]和第二輸入kt2[n]相連；第一和處理單元282的輸入端分別與4個輸入中的第一輸入Setl [η]和第二輸入Set2 [η]相連； 第二或處理單元觀4的輸入端分別與4個輸入中的第三輸入kt3[n]和第四輸入kt4[n] 相連；第二和處理單元觀3的輸入端分別與4個輸入中的第三輸入kt3[n]和第四輸入 Set4[n]相連；第三和處理單元洲5的輸入分別與第一或處理單元281和第二和處理單元 283的輸出相連；第四和處理單元觀6的輸入分別與第一和處理單元282和第二或處理單元觀4的輸出相連；第三或處理單元觀7的輸入分別與第三和處理單元285和第四和處理單元觀6的輸出相連。本發(fā)明實施例的多數(shù)表決模塊結(jié)構(gòu)簡單，基本不會增加相變存儲器的制造成本和讀寫延遲。本發(fā)明實施例通過將替換信息在信息行/列中多次存儲，并在讀取信息行/列的同時進行多數(shù)表決，從而即使信息行/列中的某個信息出現(xiàn)了錯誤，通過多數(shù)表決也可將該錯誤排除。此外，在本發(fā)明實施例的優(yōu)選方式中，如果信息行/列中該位置上對應(yīng)的信息一半出現(xiàn)了錯誤，則根據(jù)數(shù)據(jù)的保持特性，即數(shù)據(jù)“1”的真實性問題，將選擇“0”作為該位置對應(yīng)的糾錯后的替換信息。因此本發(fā)明實施例能夠極大地提高相變存儲器的成品率。在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個實施例”、“一些實施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點包含于本發(fā)明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不一定指的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結(jié)合。 盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實施例，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和宗旨的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
權(quán)利要求
1.一種用于相變存儲器的冗余替換方法，其特征在于，包括以下步驟對相變存儲器進行測試以確定信息行/列，并獲得所述相變存儲器中出錯誤的行/列的信息；為所述有錯誤的行/列選擇替換的冗余行/列，并記錄替換信息；將所述替換信息保存至所述信息行/列，其中，所述替換信息在所述信息行/列中至少重復存儲N次，所述N為大于1的整數(shù)；在進行讀/寫操作時，如果相應(yīng)的讀地址/寫地址為所述出錯誤的行/列地址，則讀取所述信息行/列中重復存儲N次的替換信息；根據(jù)所述重復存儲N次的替換信息進行多數(shù)表決以對所述替換信息進行糾錯；和根據(jù)所述糾錯后的替換信息選擇與所述讀地址/寫地址相對應(yīng)的冗余行/列進行讀操作/寫操作。
2.如權(quán)利要求1所述的用于相變存儲器的冗余替換方法，其特征在于，所述N為4。
3.如權(quán)利要求2所述的用于相變存儲器的冗余替換方法，其特征在于，所述根據(jù)重復存儲4次的替換信息進行多數(shù)表決進一步包括判斷所述存儲4次的替換信息中0和1的數(shù)量是否相同；如果判斷所述存儲4次的替換信息中0和1的數(shù)量不相同，則選擇所述0和1之中數(shù)量多的一個作為糾錯后的替換信息；和如果判斷所述存儲4次的替換信息中0和1的數(shù)量相同，則選擇非晶態(tài)代表的數(shù)值作為糾錯后的替換信息。
4.如權(quán)利要求1所述的用于相變存儲器的冗余替換方法，其特征在于，所述N次替換信息為在所述信息行/列中按比特連續(xù)重復存儲。
5.如權(quán)利要求1所述的用于相變存儲器的冗余替換方法，其特征在于，選擇冗余行/列中錯誤率低的冗余行/列作為所述信息行/列。
6.一種相變存儲器，其特征在于，包括存儲單元陣列；多個冗余行/列，所述多個冗余行/列作為所述存儲單元陣列之中出錯誤的行/列的備份；信息行/列，所述信息行/列之中保存有記錄所述有錯誤的行/列與所述冗余行/列之間關(guān)系的替換信息，其中，所述替換信息在所述信息行/列中至少重復存儲N次，所述N 為大于1的整數(shù)；和讀寫控制器，所述讀寫控制器在進行讀/寫操作，且相應(yīng)的讀地址/寫地址為所述出錯誤的行/列地址時，讀取所述信息行/列中重復存儲N次的替換信息，并根據(jù)所述重復存儲 N次的替換信息進行多數(shù)表決以對所述替換信息進行糾錯，以及根據(jù)所述糾錯后的替換信息選擇與所述讀地址/寫地址相對應(yīng)的冗余行/列進行讀操作/寫操作。
7.如權(quán)利要求6所述的相變存儲器，其特征在于，所述N為4。
8.如權(quán)利要求7所述的相變存儲器，其特征在于，所述讀寫控制器根據(jù)以下規(guī)則進行糾錯判斷所述存儲4次的替換信息中0和1的數(shù)量是否相同；如果判斷所述存儲4次的替換信息中0和1的數(shù)量不相同，則選擇所述0和1之中數(shù)量多的一個作為糾錯后的替換信息；和如果判斷所述存儲4次的替換信息中0和1的數(shù)量相同，則選擇非晶態(tài)代表的數(shù)值作為糾錯后的替換信息。
9.如權(quán)利要求7所述的相變存儲器，其特征在于，所述讀寫控制器包括多個多數(shù)表決模塊，每個所述多數(shù)表決模塊具有4個輸入，所述多數(shù)表決模塊選擇所述4個輸入中0和1 中數(shù)量多的一個作為糾錯后的替換信息，并在所述4個輸入中0和1的數(shù)量相同時，選擇非晶態(tài)代表的數(shù)值作為糾錯后的替換信息。
10.如權(quán)利要求9所述的相變存儲器，其特征在于，所述多數(shù)表決模塊進一步包括第一或處理單元，所述第一或處理單元的輸入端分別與所述4個輸入中的第一輸入和第二輸入相連；第一和處理單元，所述第一和處理單元的輸入端分別與所述4個輸入中的第一輸入和第二輸入相連；第二或處理單元，所述第二或處理單元的輸入端分別與所述4個輸入中的第三輸入和第四輸入相連；第二和處理單元，所述第二和處理單元的輸入端分別與所述4個輸入中的第三輸入和第四輸入相連；第三和處理單元，所述第三和處理單元的輸入分別與所述第一或處理單元和所述第二和處理單元的輸出相連；第四和處理單元，所述第四和處理單元的輸入分別與所述第一和處理單元和所述第二或處理單元的輸出相連；和第三或處理單元，所述第三或處理單元的輸入分別與所述第三和處理單元和所述第四和處理單元的輸出相連。
11.如權(quán)利要求6所述的相變存儲器，其特征在于，所述N次替換信息為在所述信息行 /列中按比特連續(xù)重復存儲。
12.如權(quán)利要求6所述的相變存儲器，其特征在于，所述信息行/列為冗余行/列中錯誤率低的冗余行/列。
全文摘要
本發(fā)明提出了一種用于相變存儲器的冗余替換方法和相變存儲器。該方法包括以下步驟對相變存儲器進行測試以確定信息行/列；為有錯誤的行/列選擇替換的冗余行/列，并記錄替換信息；將替換信息保存至所述信息行/列；讀取信息行/列中重復存儲N次的替換信息；根據(jù)重復存儲N次的替換信息進行多數(shù)表決以對替換信息進行糾錯；和根據(jù)糾錯后的替換信息選擇與所述讀地址/寫地址相對應(yīng)的冗余行/列進行讀操作/寫操作。本發(fā)明實施例通過將替換信息在信息行/列中多次存儲，并在讀取信息行/列的同時進行多數(shù)表決，從而即使信息行/列中的某個信息出現(xiàn)了錯誤，通過多數(shù)表決也可將該錯誤排除。
文檔編號G11C11/56GK102332302SQ201110202198
公開日2012年1月25日 申請日期2011年7月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月19日
發(fā)明者劉志青, 董驍 申請人:北京時代全芯科技有限公司