專利名稱：一種相變存儲器多級存儲系統(tǒng)及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微納電子學(xué)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種相變存儲器多級存儲系統(tǒng)及方法。
背景技術(shù)：
相變存儲器(Phase Change Memory)作為新一代的非易失性存儲器，是基于Ovshinsky 在 20 世紀(jì) 60 年代末(Phys. Rev. Lett.，21，1450 1453，1968) 70 年代初(AppI.Phys. Lett.，18，254 257，1971)提出的相變薄膜可以應(yīng)用于相變存儲介質(zhì)的構(gòu)想建立起來的。相對存儲器市場中已有的存儲器，相變存儲器的優(yōu)點(diǎn)在于其讀寫速度快，高可寫擦次數(shù)，非易失性，功耗低，存儲密度高，元件尺寸小，抗輻射，成本低以及與CMOS工藝兼容性好等。被公認(rèn)為最有可能成為未來存儲器的主流產(chǎn)品。相變存儲器依賴于諸如硫系化合物等的相變材料，這一類的材料可以在晶相和非·晶相之間穩(wěn)定地可逆地轉(zhuǎn)變，其中的典型代表材料為Ge2Sb2Te5(GST)。兩種晶相呈現(xiàn)出不同的阻值，即晶態(tài)(Set態(tài))表現(xiàn)為低阻態(tài)，對應(yīng)存儲單元的邏輯值’O’，非晶態(tài)(Reset態(tài))表現(xiàn)為高阻態(tài)，對應(yīng)存儲單元的邏輯值’ I’。圖I顯示了 Set過程和Reset過程操作過程相變材料的溫度隨時間的變化。當(dāng)進(jìn)行Set操作時，施加一寬度較寬幅值較小的電壓或電流脈沖，使相變材料的溫度在結(jié)晶溫度與熔化溫度之間，為了確保結(jié)晶現(xiàn)象的發(fā)生，脈沖信號的寬度(t2)必須大于結(jié)晶感應(yīng)時間(induction time for crystallization)。當(dāng)進(jìn)行Reset操作時，為了保證非晶結(jié)構(gòu)的形成，脈沖的下降時間必須小于結(jié)晶感應(yīng)時間。如上所述，相變材料的Set操作和Reset操作對脈沖信號有不同的要求，最終得到非晶態(tài)與晶態(tài)之間的較大的電阻差異。相變存儲器的存儲單元典型結(jié)構(gòu)為一個相變材料單元和一個晶體管組成，也有采用二極管或者三極管替代晶體管組成相變存儲單元。如上面所示，一個存儲單元可以存儲2個bits信息即’O’和’ 1’，但是近年來，相變存儲器的一個主要發(fā)展方向就是多級存儲。多級存儲在不減少存儲面積的基礎(chǔ)上，在單元面積上存儲盡量多的信息量，一個相變存儲單元存儲的信息可以是4個bits，8個bits或者更多，相應(yīng)的對相變存儲單元的要求就是能夠被編程為4個，8個或者更多介于完全晶態(tài)和非晶態(tài)之間的狀態(tài)。相變存儲單元處于完全晶態(tài)時其電阻的典型值為 1-10ΚΩ，完全非晶態(tài)時其電阻的典型值為1ΜΩ以上。以4bits多級存儲為列，我們可以將存儲單元分別操作到 1-10ΚΩ， 10-100ΚΩ， 100-1ΜΩ，和 IM以上4個不同的阻值。再進(jìn)行讀操作時，可以得到4個不同的讀出值，這樣，我們就實(shí)現(xiàn)了單個相變存儲單元的4個bits的多級存儲。雖然多級存儲大大的提高了相變存儲器的高密度存儲，但是多級存儲還面臨著一系列的挑戰(zhàn)，其中的一個挑戰(zhàn)就是隨著時間的變化，相變存儲單元會發(fā)生變化阻值漂移(Resistance Drift)。根據(jù) Pirovano 等人的 “Low-Field Amorphous State Resistanceand Threshold Voltage Drift in Chalcogenide Materials,” IEEE Transaction onElectron Devices, Vol. 51, No. 5, May 2004, pp714_719 中的文中的描述，即阻值漂移情況隨之相變材料的阻值變大變嚴(yán)重，處于Set態(tài)的單元的阻值漂移情況可以忽略不計(jì)，故當(dāng)相變存儲器只采用2個bits存儲方式時，Set態(tài)的阻值漂移可以忽略不計(jì)，Reset態(tài)的阻值漂移使Reset電阻越變越大，這樣使Reset態(tài)和Set態(tài)之間的電阻差變大，增加了電阻的可讀性。但是當(dāng)相變存儲器采用多級存儲時，阻值漂移情況會使中間態(tài)的阻值與原先設(shè)定的判別值重疊，造成讀錯誤。對于這樣的問題，我們可以從相變材料，器件結(jié)構(gòu)和編程方法等方面來消除阻值漂移給多級存儲帶來的消極影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于提供為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方法一種相變存儲器多級存儲系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括由若干個相變存儲單元(511、512)構(gòu)成的相變存儲陣列(510)、與所述相變存儲陣列相連的行譯碼器(520)、列譯碼器(530)、寫驅(qū)動電路(730)以及讀出功能電路(720);所述行列譯碼器(520、530)用于選中所述相變存儲單元；接著通過控制信號( 770)控制寫驅(qū)動電路(750)通過控制信號(770)在所屬相變存儲單元上寫入相應(yīng)的數(shù)據(jù)；所述讀出功能電路(720)通過控制信號(770)在經(jīng)過判別步驟后將讀出結(jié)果輸?shù)絀/O 口(760)中。優(yōu)選地，所述讀出功能電路(720)包括采集所述相變存儲單元上傳輸?shù)男盘柕撵`敏放大器￠10)、與所述靈敏放大器輸出端連接的判別值生成模塊￠20)以及與判別值生成模塊輸出端連接的另一靈敏放大器￠30)。優(yōu)選地，所述相變存儲單元中的相變存儲材料為硫系化合物合金；其選通管未MOS管、雙極性晶體管或二極管。本發(fā)明還包括一種相變存儲器多級存儲方法，構(gòu)成一個單位的兩個相變存儲單元(511,512)的讀寫操作同時進(jìn)行。優(yōu)選地，該方法包括以下步驟寫通過行列譯碼器選中相變存儲單元，接著通過控制信號控制寫驅(qū)動電路在相變存儲單元上寫入相應(yīng)的數(shù)據(jù)，再用列譯碼器選中同一個單位的另一相變存儲單元，同樣的通過控制信號控制寫驅(qū)動電路在所述另一相變存儲單元上寫入相應(yīng)的數(shù)據(jù)；所述控制信號是對兩個相變存儲單元進(jìn)行合理的狀態(tài)組合后輸出的信號；讀通過行列譯碼器同時選中兩個相變存儲單元，接著通過控制信號控制讀出功能電路，在經(jīng)過判別值生成模塊后生成狀態(tài)判別值輸出到讀出功能電路中，最后由讀出功能電路輸出結(jié)果到I/O 口中；優(yōu)選地，所述讀操作中，狀態(tài)判別值的生成方法公式如下Vref 2; = V2+AV1Vref3; = Vref3+a * (V2+Δ VI)其中，Δν 為一個常量，α為一個常數(shù),且小于I。本發(fā)明在寫驅(qū)動電路中，寫驅(qū)動電路合理組合相變存儲單元的多值狀態(tài)，利用讀出功能電路完成由相變單元的阻值生成相變單元多值狀態(tài)的判別值的算法電路，再結(jié)合靈敏放大器(SA)準(zhǔn)確讀出相變單元的多值狀態(tài)。本發(fā)明提出的相變存儲器多級存儲方法，其讀出功能電路一次完成的是構(gòu)成一個單位的兩個相變存儲單元的讀出操作。本發(fā)明提出的相變存儲器多級存儲方法，其相變存儲單元的可能寫入的多值狀態(tài)是預(yù)先設(shè)定的，設(shè)定的值與后續(xù)的判別值生成算法電路結(jié)合。本發(fā)明提出的相變存儲器多級存儲方法，其后續(xù)的讀出功能電路首先根據(jù)完全晶態(tài)阻值漂移可以忽略不計(jì)直接判別讀出一些多值狀態(tài)，至于其他的多值狀態(tài)再由算法電路生成判別值，最后實(shí)現(xiàn)所有的多值狀態(tài)的正確判別讀出，本發(fā)明提出的相變存儲器多級存儲方法，其判別值生成算法電路的關(guān)鍵在于從無法直接判別的多值狀態(tài)中讀出其中相變存儲單元的某一個特定狀態(tài)，將這一狀態(tài)作為參考狀態(tài)，再由這個參考狀態(tài)進(jìn)行一系列的運(yùn)算得到判別值。


圖I是現(xiàn)有的相變材料的溫度隨時間變化的曲線；圖2是相變存儲材料4態(tài)電阻分布曲線；圖3是相變存儲材料4態(tài)電阻分布曲線的阻值漂移情況；圖4是相變存儲材料4態(tài)電阻分布曲線的阻值漂移情況的一個解決方法；圖5是本發(fā)明中采用的存儲陣列結(jié)構(gòu)以及陣列對應(yīng)的行列譯碼器；圖6是本發(fā)明中采用的讀出功能電路；圖7是本發(fā)明的一個存儲存儲器的具體結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對技術(shù)方法的實(shí)施作進(jìn)一步的詳細(xì)描述本發(fā)明涉及一種新型相變存儲器多級存儲方法。目的在于消除阻值漂移給多級存儲帶來的消極影響，提高多級存儲的可靠性。下面以4態(tài)存儲方式為列，詳細(xì)闡述本發(fā)明的詳細(xì)內(nèi)容。如圖2所示電阻分布曲線20對應(yīng)相變材料的完全晶態(tài)，電阻分布曲線21對應(yīng)相變材料的部分晶態(tài)，電阻分布曲線22對應(yīng)相變材料的部分非晶態(tài)，電阻分布曲線23對應(yīng)相變材料的完全非晶態(tài)，分別用1，2，3和4來標(biāo)記上述4個狀態(tài)。30，31和32則分別是狀態(tài)1，2，3和4的阻值分界線。即當(dāng)存儲單元的阻值小于30時，其狀態(tài)就為1，當(dāng)存儲單元的阻值大于30并且小于31時，其狀態(tài)就為2，當(dāng)存儲單元的阻值大于31并且小于32時，其狀態(tài)就為3，當(dāng)存儲單元的阻值大于32時，其狀態(tài)就為4。根據(jù)背景知識的介紹，可以得知中間狀態(tài)2，3以及處于完全非晶態(tài)的狀態(tài)4較容易受到阻值漂移現(xiàn)象的影響。如圖3所示，可以看到4個態(tài)的阻值漂移現(xiàn)象。在一段時間后，各個態(tài)的電阻分布曲線發(fā)生變化，最先的分布曲線20，21，22和23分別被20’，21’，22’和23’替代。阻值漂移隨著各個態(tài)的阻值的變大而變大。狀態(tài)I幾乎沒有阻值漂移，阻值分界線30與狀態(tài)I不會因?yàn)樽柚灯贫霈F(xiàn)誤讀的情況。狀態(tài)4的阻值漂移使得其與阻值分界線32的距離拉大，這樣也不會造成誤讀的情況。但是處于中間態(tài)2和3的阻值和阻值分界線31，32發(fā)生重疊。同時隨著時間變長，狀態(tài)2，狀態(tài)3和阻值分界線31，32重疊部分都會變多。如果對此現(xiàn)象不采取任何的措施，勢必會造成錯誤的讀操作。如圖4所示，解決的方法之一就是使阻值分界線31和32隨著相變單元的阻值漂移發(fā)生分別漂移到31’和32’。這樣31’和32’可以正確無誤的判別狀態(tài)2和狀態(tài)3。在對相變單元進(jìn)行讀操作時，無法就相變單元的電阻值進(jìn)行直接的判斷，需要將相變存儲單元的電阻值轉(zhuǎn)化為電流值或者電壓值進(jìn)行判別(取決于讀出放大器即SA的工作原理)。假設(shè)給予相變存儲單元的讀信號是一定的讀電流信號，那么阻值分界線30，31和32就對應(yīng)為電壓分界線Vrefl，Vref2和Vref3。即單元BL上的電壓值小于Vrefl時，判別為狀態(tài)I，值大于Vrefl且小于Vref2時，判別為狀態(tài)2，值大于Vref2小于Vref3時，判別為狀態(tài)3，值大于Vref3時，判別為狀態(tài)4。單元處于就完全晶態(tài)時(即狀態(tài)I)幾乎沒有阻值漂移，故狀態(tài)I的判別值Vrefl不發(fā)生變化也不會造成器件單元的誤讀。問題的關(guān)鍵由原來的漂移后的阻值分界線31’和32’轉(zhuǎn)化為對相變存儲單元進(jìn)行讀操作時為SA提供漂移后的判別值Vref2’，Vref3’。
在明確本發(fā)明解決阻值漂移的關(guān)鍵問題之后，下面將結(jié)合圖形具體闡述本發(fā)明的方法。兩個相變存儲單元(1T1R為例)為單位的陣列構(gòu)成方式。如圖5所示以兩個相變存儲單元(1T1R為例)為單位的陣列510，行譯碼器520和列譯碼器530。511包括2個ITlR相變存儲單元512和513，這兩個相變存儲單元共享同一位線WL_0，字線分別為BL_0，BL_1。以511為例簡述在兩個相變存儲單元組成的單位被選中的過程首先操作行譯碼和列譯碼器選中對512，對其進(jìn)行寫操作或者讀操作，再通過列譯碼器，選中513，對其進(jìn)行相同的操作。對兩個單元的操作必須是連續(xù)的，只有對這兩個單元的操作完成之后，才可以對其他單元進(jìn)行操作。由于兩個連續(xù)讀操作或者寫操作之間相隔的時間都較短，在這樣的時間范圍內(nèi)相變存儲單元的阻值漂移可以忽略不計(jì)。故從阻值漂移上來說，組成一個單位的兩個相變單元是同時進(jìn)行讀操作和寫操作的。從上述的介紹可以知道，在讀操作過程中需要從構(gòu)成一個單位的兩個相變存儲單元的阻值中生成狀態(tài)判別值，故在對單元進(jìn)行寫操作時就必須對兩個存儲單元進(jìn)行合理的狀態(tài)組合。對兩個相變存儲單元構(gòu)成的單位采用8態(tài)存儲，即2個ITlR存儲3個二進(jìn)制。這8個狀態(tài)可以取為11，14，24，34，41，42，43，44。這8個態(tài)的寫入沒有問題，關(guān)鍵在于讀出的過程。讀出功能電路的框圖如圖6所示兩個相變存儲單元的阻值首先輸入到610中，在610中，首先用Vrefl判別兩個存儲單元的狀態(tài)，由設(shè)定的狀態(tài)可以知道，判別的結(jié)果有4類，第一類結(jié)果是兩個相變存儲單元BL上的電壓都小于Vrefl，兩個單元的狀態(tài)就是11，故此時就可以直接得到結(jié)果11。第二類結(jié)果就是單元IBL上的電壓小于Vrefl，單元2BL上的電壓大于Vrefl，根據(jù)預(yù)先可能寫入的8個狀態(tài)，兩個單元的狀態(tài)依次為14，故此時也可以直接得到結(jié)果14。第三類結(jié)果就是單元IBL上的電壓大于Vrefl，單元2BL上的電壓小于Vrefl，同樣的可以直接得到讀結(jié)果41。最后一類結(jié)果就是兩個相變存儲單元BL上的電壓都大于Vrefl，根據(jù)預(yù)先設(shè)定的8個狀態(tài)，兩個單元的狀態(tài)有5個可能，無法直接得到讀結(jié)果。故是上述前3類情況，可以直接得到讀結(jié)果，不再進(jìn)行其他的操作。最后一類結(jié)果則需要進(jìn)一步的判斷。將兩個相變存儲單元上的電壓輸入到620中，620首先比較兩個電壓的大小，較大的電壓值對應(yīng)較大的阻值。根據(jù)設(shè)定的8個狀態(tài)，較大的電壓值對應(yīng)著狀態(tài)4的電壓值，故此時狀態(tài)4就作為參考態(tài)，其BL上的電壓值用V4標(biāo)記。對這個電壓值進(jìn)行一定的變換可以得到Vref2’，Vref3’。比如，如圖7所示可以采用將V4減去Λ Vl得到Vref3’，其中AVl可以取為一個常量。再算出Vref3’與Vref3之間的差值A(chǔ)V2，Vref2的值再加上0*八￥2就得到￥1*社2’，其中α為一個常數(shù)，且小于1，原因是由于隨著阻值變大，阻值漂移的情況加重。將上述算法總結(jié)如下Vref 2; = V2+AV1Vref3; = Vref3+α * (V2+Δ VI)將Vref2’，Vref3’輸入到630中，這樣就可以判別610中無法判別的狀態(tài)。至此，讀操作過程完成。需要特別指出的是其中采用8個狀態(tài)可以用不同的選擇，比如可以將這8個態(tài)取為11，12，21，22，23，24，42，32。但是相對應(yīng)此時的讀出功能電路的各個部分所做的操作也要有所差別。對于610，不需要做改變，可以直接判別出11，12，21這3個狀態(tài)。同樣的將未 能直接判斷的狀態(tài)輸入到620中。對于620，需要取得兩個相變存儲單元中BL上較小的電壓值，這個電壓值對應(yīng)著狀態(tài)2，用V2表示這個電壓值。則此時生成判別值采用的算法如下所示Vref 2; = V2+AV1Vref3; = Vref3+α * (V2+Δ VI)其中AVl可以取為一個常量α的值大于1，原因也是由于隨著阻值變大，阻值漂移的情況加重。至于得到的Vref2’，Vref3’輸入到630中，可以判別610中無法判別的狀態(tài)?？梢钥闯?，生成Vref2’和Vref3’的算法與預(yù)先寫入的狀態(tài)緊密相關(guān)。將圖5和圖6中的結(jié)構(gòu)整合其他一些電路結(jié)構(gòu)得到如圖7所示的相變存儲器的完整的結(jié)構(gòu)。710對應(yīng)就是如圖5所示的結(jié)構(gòu)，由行列譯碼器和相變存儲單元陣列組成。720對應(yīng)的是圖6所示的讀出功能電路，730，740為其兩個相變存儲單元輸入。以511存儲單位為例，具體工作模式可以闡述如下首先通過行列譯碼器選中相變存儲單元512，接著通過控制信號770控制寫驅(qū)動電路750在512上寫入相應(yīng)的數(shù)據(jù)，在用列譯碼器530選中同一個單位的相變存儲單元513，同樣的通過控制信號770控制寫驅(qū)動電路750在相變存儲單元2上寫入相應(yīng)的數(shù)據(jù)。寫操作結(jié)束。讀操作過程可以描述為通過行列譯碼器同時選中511中的兩個相變存儲單元，接著通過控制信號770控制讀功能電路720，在經(jīng)過一系列的判別讀取之后，將讀出結(jié)果輸?shù)絀/O中，至此，實(shí)現(xiàn)了相變存儲器數(shù)據(jù)的存儲和讀出。本發(fā)明針對相變存儲器中的單元的電阻漂移，以兩個相變單元為單位同時進(jìn)行寫操作和讀操作，在寫操作過程中，結(jié)合要寫入的數(shù)據(jù)，寫驅(qū)動電路合理組合相變存儲單元的多值狀態(tài)，在讀操作過程中，利用讀出功能電路完成由相變單元的阻值生成相變單元多值狀態(tài)的判別值的算法電路，再結(jié)合靈敏放大器(SA)準(zhǔn)確讀出相變單元的多值狀態(tài)。本發(fā)明為多級存儲中存在的關(guān)鍵問題之一阻值漂移提供了解決方法。本發(fā)明兼顧了相變存儲器對高密度和可靠性的要求。其中，作為關(guān)鍵部分的讀出功能電路算法電路簡單有效，并且同時完成兩個相變單元讀操作，對相變存儲器的速度沒有多少影響。上述對實(shí)施例的描述是為便于該技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能理解和應(yīng)用本發(fā)明。熟悉本領(lǐng)域技術(shù)的人員顯然可以容易地對這些實(shí)施例做出各種修改，并把在此說明的一般原理應(yīng)用到其他實(shí)施例中而不必經(jīng)過創(chuàng)造性的勞動。因此，本發(fā)明不限于這里的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明的揭示，對于本發(fā)明做出的改進(jìn)和修改都應(yīng)該在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種相變存儲器多級存儲系統(tǒng)，其特征在于該系統(tǒng)包括由若干個相變存儲單元(511.512)構(gòu)成的相變存儲陣列(510)、與所述相變存儲陣列相連的行譯碼器(520)、列譯碼器(530)、寫驅(qū)動電路(730)以及讀出功能電路(720);所述行列譯碼器(520、530)用于選中所述相變存儲單元；接著通過控制信號(770)控制寫驅(qū)動電路(750)通過控制信號(770)在所屬相變存儲單元上寫入相應(yīng)的數(shù)據(jù)；所述讀出功能電路(720)通過控制信號(770)在經(jīng)過判別步驟后將讀出結(jié)果輸?shù)絀/O 口(760)中。
2.如權(quán)利要求I所述的一種相變存儲器多級存儲系統(tǒng)，其特征在于所述讀出功能電路(720)包括采集所述相變存儲單元上傳輸?shù)男盘柕撵`敏放大器￠10)、與所述靈敏放大器輸出端連接的判別值生成模塊￠20)以及與判別值生成模塊輸出端連接的另一靈敏放大器(630) ο
3.如權(quán)利要求I或2所述的一種相變存儲器多級存儲系統(tǒng)，其特征在于所屬相變存儲單元中的相變存儲材料為硫系化合物合金；其選通管為MOS管、雙極性晶體管或二極管。
4.一種相變存儲器多級存儲方法，其特征在于構(gòu)成一個單位的兩個相變存儲單元(511.512)的讀寫操作同時進(jìn)行。
5.如權(quán)利要求4所述的一種相變存儲器多級存儲方法，其特征在于該方法包括以下步驟 寫通過行列譯碼器選中相變存儲單元，接著通過控制信號控制寫驅(qū)動電路在相變存儲單元上寫入相應(yīng)的數(shù)據(jù)，再用列譯碼器選中同一個單位的另一相變存儲單元，同樣的通過控制信號控制寫驅(qū)動電路在所述另一相變存儲單元上寫入相應(yīng)的數(shù)據(jù)；所述控制信號是對兩個相變存儲單元進(jìn)行合理的狀態(tài)組合后輸出的信號； 讀通過行列譯碼器同時選中兩個相變存儲單元，接著通過控制信號控制讀出功能電路，在經(jīng)過判別值生成模塊后生成狀態(tài)判別值輸出到讀出功能電路中，最后由讀出功能電路輸出結(jié)果到I/O 口中；
6.如權(quán)利要求5所述的一種相變存儲器多級存儲方法，其特征在于所述讀操作中，狀態(tài)判別值的生成方法公式如下Vref 2; = V2+AV1Vref3; = Vref3+a *(V2+AV1) 其中，AVl為一個常量，a為一個常數(shù),且小于I。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種相變存儲器多級存儲系統(tǒng)該系統(tǒng)包括由若干個相變存儲單元(511、512)構(gòu)成的相變存儲陣列(510)、與所述相變存儲陣列相連的行譯碼器(520)、列譯碼器(530)、寫驅(qū)動電路(730)以及讀出功能電路(720)；所述行列譯碼器(520、530)用于選中所述相變存儲單元；接著通過控制信號(770)控制寫驅(qū)動電路(750)通過控制信號(770)在所屬相變存儲單元上寫入相應(yīng)的數(shù)據(jù)；所述讀出功能電路(720)通過控制信號(770)在經(jīng)過判別步驟后將讀出結(jié)果輸?shù)絀/O口(760)中。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于解決了相變儲存器的多級存儲中的不穩(wěn)定性，符合相變存儲器對高密度和可靠性的要求。
文檔編號G11C11/56GK102890962SQ201110203009
公開日2013年1月23日 申請日期2011年7月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月20日
發(fā)明者許林海, 陳小剛, 陳一峰, 李順芬, 丁晟, 陳后鵬, 宋志棠 申請人:中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所