專利名稱：近場光產(chǎn)生元件、光頭及其制造方法和信息記錄再現(xiàn)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及利用會聚光束而得到的近場光來在磁記錄介質(zhì)上對各種信息進行記錄再現(xiàn)的近場光產(chǎn)生元件、和近場光產(chǎn)生元件的制造方法、近場光頭、近場光頭的制造方法以及信息記錄再現(xiàn)裝置。
背景技術(shù)：
近年，伴隨計算機設備中的硬盤等的容量增加，單一記錄面內(nèi)的信息記錄密度增加。例如，為了增大磁盤的每單位面積的記錄容量，有必要提高面記錄密度。然而，隨著記錄密度增高，在記錄介質(zhì)上每1個比特所占的記錄面積減小。當該比特尺寸減小時，1比特的信息具有的能量接近室溫的熱能，產(chǎn)生所記錄的信息由于熱擾動等而反轉(zhuǎn)或者消失等的熱退磁問題。一般使用的面內(nèi)記錄方式是使磁化方向朝向記錄介質(zhì)的面內(nèi)方向來進行磁記錄的方式，然而該方式容易產(chǎn)生由上述熱退磁引起的記錄信息消失等。因此，為了消除這種不良情況，近年來采用在與記錄介質(zhì)垂直的方向上記錄磁化信號的垂直記錄方式。該方式是利用使單磁極接近記錄介質(zhì)的原理來記錄磁信息的方式。根據(jù)該方式，記錄磁場朝向大致垂直于記錄膜的方向。關(guān)于利用垂直磁場來記錄的信息，由于在記錄膜面內(nèi)N極和S極難以形成環(huán)路，因而在能量方面容易保持穩(wěn)定。因此，該垂直記錄方式與面內(nèi)記錄方式相比， 抗熱退磁能力變強。然而，近年的記錄介質(zhì)受到想要進行更大量且高密度的信息的記錄再現(xiàn)等的需求，要求進一步的高密度化。因此，為了將相鄰磁區(qū)之間的影響、熱擾動抑制到最小限度，開始采用矯頑磁力強的材料作為記錄介質(zhì)。因此，即使是上述的垂直記錄方式，也很難在記錄介質(zhì)上記錄信息。因此，為了消除上述的不良情況，提供了這樣的混合磁記錄方式的記錄再現(xiàn)頭利用會聚光而得到的光點(spot)光或者近場光來對磁區(qū)進行局部加熱以臨時降低矯頑磁力，在其期間內(nèi)進行記錄介質(zhì)的寫入。這樣的記錄再現(xiàn)頭中的利用近場光的記錄再現(xiàn)頭(以下稱為近場光頭)主要具有滑塊；記錄元件，其具有配置在滑塊上的主磁極和輔助磁極；近場光產(chǎn)生元件，其由所照射的激光產(chǎn)生近場光；激光光源，其向近場光產(chǎn)生元件照射激光；以及光波導路，其將從激光光源發(fā)出的激光引導到近場光產(chǎn)生元件(例如，參照專利文獻1)。近場光產(chǎn)生元件具有光束傳播元件，其具有使激光在反射的同時進行傳播的芯體、及與芯體密合并密封芯體的包層；以及金屬膜，其配置在芯體和包層之間，由激光產(chǎn)生近場光。芯體以如下方式收縮成形與從一端側(cè)(光入射側(cè))朝向另一端側(cè)(光出射側(cè))的激光的傳播方向垂直的截面面積逐漸減少，并且使激光在會聚的同時向另一端側(cè)傳播。然后，在芯體的另一端側(cè)的側(cè)面配置上述的金屬膜。在利用這樣構(gòu)成的近場光頭的情況下，在產(chǎn)生近場光的同時施加記錄磁場，從而在記錄介質(zhì)上記錄各種信息。即，從激光光源出射的激光經(jīng)由光波導路入射到光束傳播元
5件內(nèi)。然后，入射到光束傳播元件的激光在芯體內(nèi)傳播并到達金屬膜。于是，在金屬膜中， 由于內(nèi)部的自由電子借助激光均勻振動，因而激勵等離子體激元(plasmon)，在使近場光局部存在于芯體的另一端側(cè)的狀態(tài)下產(chǎn)生近場光。結(jié)果，磁記錄介質(zhì)的磁記錄層由近場光局部加熱，矯頑磁力暫時下降。并且，通過在上述的激光照射的同時將驅(qū)動電流提供給記錄元件，對接近主磁極前端的磁記錄介質(zhì)的磁記錄層局部地施加記錄磁場。結(jié)果，可將各種信息記錄在矯頑磁力臨時下降的磁記錄層上。也就是說，可通過近場光和磁場的共同作用，進行磁記錄介質(zhì)的記錄。專利文獻1日本特開2008-152897號公報專利文獻2日本特許第3820849號公報另外，為了制造上述的光束傳播元件，公知有例如專利文獻2所示的方法。具體地說，首先在基板的側(cè)面上形成下包層，并在下包層上形成截面矩形狀的芯體。之后，將芯體在等離子體中進行濺射蝕刻，形成截面三角形狀的芯體，在其上堆積上包層。然后，為了使用該方法來在芯體的側(cè)面形成金屬膜，考慮了這樣的方法在下包層上對金屬膜進行了構(gòu)圖之后，使用與上述的專利文獻2相同的方法來形成芯體和上包層。然而，由于金屬膜和芯體是非常細微的圖案(各自尺寸是幾十nm左右)，因而存在各自的定位困難的問題。并且，在金屬膜和芯體定位偏離的情況下，在芯體內(nèi)傳播來的激光不會入射到金屬膜而從芯體泄漏，存在近場光的產(chǎn)生效率下降的問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明是考慮到上述情況而完成的，本發(fā)明的目的是提供可精度良好地對近場光產(chǎn)生部和芯體進行定位來提高近場光的產(chǎn)生效率的近場光產(chǎn)生元件、和近場光產(chǎn)生元件的制造方法、近場光頭、近場光頭的制造方法以及信息記錄再現(xiàn)裝置。本發(fā)明提供以下手段來解決上述課題。本發(fā)明涉及的近場光產(chǎn)生元件使導入到一端側(cè)的光束朝另一端側(cè)在會聚的同時進行傳播，并在生成為近場光之后發(fā)出到外部，該近場光產(chǎn)生元件的特征在于，該近場光產(chǎn)生元件具有芯體，其使所述光束向所述另一端側(cè)傳播；以及近場光產(chǎn)生部，其沿著所述芯體中的從所述一端側(cè)到另一端側(cè)的所述光束的傳播方向配置，使所述光束沿著該近場光產(chǎn)生部與所述芯體的界面?zhèn)鞑ィ伤龉馐a(chǎn)生所述近場光，所述芯體具有沿著所述傳播方向延伸的多個側(cè)面，所述多個側(cè)面包括配置有所述近場光產(chǎn)生元件的一側(cè)面；以及從所述傳播方向觀察時在所述一側(cè)面的兩側(cè)沿著與所述一側(cè)面的面方向交叉的方向配置的其他側(cè)面，從所述傳播方向觀察時，在與所述芯體的所述其他側(cè)面相同的面上配置有所述近場光產(chǎn)生部的兩端面。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于芯體和近場光產(chǎn)生部配置為從垂直于傳播方向的方向觀察時彼此重合，因而能夠使傳播到芯體的另一端側(cè)的光束無泄漏地入射到近場光產(chǎn)生部。因此，能夠提高近場光的產(chǎn)生效率。并且，本發(fā)明的近場光產(chǎn)生元件的制造方法是如下近場光產(chǎn)生元件的制造方法， 該近場光產(chǎn)生元件使導入到一端側(cè)的光束朝另一端側(cè)在會聚的同時進行傳播，并在生成為近場光之后發(fā)出到外部，該近場光產(chǎn)生元件具有芯體，其使所述光束向所述另一端側(cè)傳播；以及近場光產(chǎn)生部，其沿著所述芯體中的從所述一端側(cè)到另一端側(cè)的所述光束的傳播方向配置，使所述光束沿著該近場光產(chǎn)生部與所述芯體的界面?zhèn)鞑ィ伤龉馐a(chǎn)生所述近場光，該近場光產(chǎn)生元件的制造方法的特征在于，該制造方法具有近場光產(chǎn)生部形成工序，形成所述近場光產(chǎn)生部的母材；芯體形成工序，形成所述芯體的母材，以覆蓋所述近場光產(chǎn)生部；以及構(gòu)圖工序，對所述芯體的母材和所述近場光產(chǎn)生部的母材進行構(gòu)圖，形成所述芯體和所述近場光產(chǎn)生部，在所述構(gòu)圖工序中，在同一工序中對所述芯體的母材和所述近場光產(chǎn)生部的母材一并進行構(gòu)圖。在該結(jié)構(gòu)中，在同一構(gòu)圖工序中對芯體和近場光產(chǎn)生部一并進行構(gòu)圖，由此從傳播方向觀察時芯體的其他側(cè)面和近場光產(chǎn)生部的兩端面配置在相同的面上。即，從垂直于傳播方向的方向觀察時，芯體和近場光產(chǎn)生部形成為重合。由此，例如，與分別在不同工序中對芯體和近場光產(chǎn)生部進行構(gòu)圖的情況不同，能夠精度良好地對近場光產(chǎn)生部和芯體進行定位。因此，能夠使傳播到芯體的另一端側(cè)的光束無泄漏地入射到近場光產(chǎn)生部，因而可提高近場光的產(chǎn)生效率。并且，特征在于，在所述近場光產(chǎn)生部形成工序的前階段具有第1遮光膜形成工序，所述第1遮光膜形成工序至少在所述近場光產(chǎn)生部的形成區(qū)域內(nèi)形成第1遮光膜，在所述構(gòu)圖工序中，對所述第1遮光膜與所述芯體的母材以及所述近場光產(chǎn)生部的母材一并進行構(gòu)圖。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過使在近場光產(chǎn)生部不產(chǎn)生等離子體激元共振而透過了近場光產(chǎn)生部的光束反射并返回到芯體內(nèi)，能夠再次使光束入射到近場光產(chǎn)生部。由此，可進一步提高近場光的產(chǎn)生效率。并且，通過在同一構(gòu)圖工序中對第1遮光膜與芯體一并進行構(gòu)圖，可精度良好地對第1遮光膜和芯體進行定位。由此，能夠使透過了近場光產(chǎn)生部的光束無泄漏地返回到芯體內(nèi)。并且，特征在于，在所述構(gòu)圖工序的后階段具有第2遮光膜形成工序，在所述第2 遮光膜形成工序中，形成第2遮光膜，以覆蓋所述芯體。在該結(jié)構(gòu)中，形成遮光膜，以覆蓋芯體，由此入射到芯體的光束在第2遮光膜和芯體的界面處反射的同時向另一端側(cè)傳播，而不會泄漏到外部。由此，能夠有效地使光束入射到近場光產(chǎn)生部，進一步提高近場光的產(chǎn)生效率。并且，特征在于，所述構(gòu)圖工序具有第1構(gòu)圖工序和第2構(gòu)圖工序，在所述第1構(gòu)圖工序中，將所述芯體的形成區(qū)域內(nèi)的所述芯體的母材構(gòu)圖成從所述傳播方向觀察時呈矩形狀，在所述第2構(gòu)圖工序中，在等離子體中對所述芯體的母材進行濺射蝕刻，將所述芯體的母材構(gòu)圖成從所述傳播方向觀察時呈三角形狀或梯形狀。在該結(jié)構(gòu)中，對在第1構(gòu)圖工序中形成為矩形狀的芯體母材進行濺射蝕刻，從而芯體母材的角部被選擇性地蝕刻而形成斜面。然后，當在該狀態(tài)下進一步繼續(xù)蝕刻時，斜面在與底面保持一定角度的同時被蝕刻。由此，從傳播方向觀察時能夠?qū)⑿倔w形成為任意的寬度和高度。并且，特征在于，在所述第2構(gòu)圖工序中，對所述芯體的母材與所述近場光產(chǎn)生部的母材一起進行濺射蝕刻。在該結(jié)構(gòu)中，在對芯體的母材進行了濺射蝕刻之后繼續(xù)濺射蝕刻時，芯體的母材在保持相似形狀的狀態(tài)下被蝕刻，并且金屬膜的母材被蝕刻。由此，從傳播方向觀察時，芯體的其他側(cè)面和近場光產(chǎn)生部的兩端面配置在相同的面上。即，從垂直于傳播方向的方向觀察時，芯體和近場光產(chǎn)生部形成為彼此重合。并且，特征在于，在所述第1構(gòu)圖工序中，使所述芯體的形成區(qū)域以外的所述芯體的母材在比所述芯體的形成區(qū)域內(nèi)的所述芯體的母材薄的狀態(tài)下保留。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在第1構(gòu)圖工序中，通過預先保留芯體的形成區(qū)域以外的芯體的母材，從而防止在第2構(gòu)圖工序中對近場光產(chǎn)生部進行蝕刻時、位于近場光產(chǎn)生部下側(cè)的膜 (例如第1包層)被過蝕刻。并且，特征在于，所述近場光產(chǎn)生部由金屬材料構(gòu)成，在所述近場光產(chǎn)生部形成工序和所述芯體形成工序之間具有去除工序，在該去除工序中，至少去除形成在所述一端側(cè)的所述近場光產(chǎn)生部的母材。在該結(jié)構(gòu)中，通過在近場光產(chǎn)生部形成工序和芯體形成工序之間去除近場光產(chǎn)生部的母材，可至少在一端側(cè)使芯體、和如下這樣的膜(例如第1包層)密合，該膜相比于金屬材料，與芯體的密合性更高。由此，可抑制制造過程中的膜剝離。并且，特征在于，在所述構(gòu)圖工序之后具有研磨工序，在該研磨工序中，研磨所述芯體的另一端面，在所述研磨工序中，以與所述芯體的所述另一端面共面的方式在形成有所述芯體的基板上形成ELG元件，在監(jiān)視所述ELG元件的電阻值的同時研磨所述另一端面和所述ELG元件。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過在研磨工序中使用ELG，可高精度對芯體的另一端側(cè)的端面進行定位。由此，能夠更有效地產(chǎn)生近場光。并且，本發(fā)明涉及的近場光頭的制造方法使用了上述本發(fā)明的近場光產(chǎn)生元件的制造方法，該近場光頭對在固定方向上旋轉(zhuǎn)的磁記錄介質(zhì)進行加熱，并對所述磁記錄介質(zhì)施加記錄磁場，從而使所述磁記錄介質(zhì)產(chǎn)生磁化反轉(zhuǎn)，并記錄信息，該近場光頭的制造方法的特征在于，在所述近場光產(chǎn)生部形成工序的前階段具有磁極形成工序，在該磁極形成工序中，形成產(chǎn)生記錄磁場的磁極的母材，在所述構(gòu)圖工序中，將所述磁極的母材與所述芯體的母材和所述近場光產(chǎn)生部的母材一起在同一工序中一并進行構(gòu)圖。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過將磁極的母材與芯體和近場光產(chǎn)生部的母材一起在同一構(gòu)圖工序中一并進行構(gòu)圖，由此從傳播方向觀察時，芯體的其他側(cè)面、近場光產(chǎn)生部的兩端面以及磁極的外側(cè)端面配置在相同的面上。由此，例如，與分別在不同工序中對芯體、近場光產(chǎn)生部以及磁極進行構(gòu)圖的情況不同，可精度良好地對近場光產(chǎn)生部、芯體以及磁極進行定位。 而且，不必使用昂貴的定位裝置，就能精度良好地對芯體、近場光產(chǎn)生部以及磁極進行定位，因而可降低裝置成本。在該情況下，磁極形成為將近場光產(chǎn)生元件夾在中間并從芯體的相反側(cè)覆蓋近場光產(chǎn)生部。因此，可高精度地對近場光的產(chǎn)生位置、和來自磁極的磁場的產(chǎn)生位置進行定位，提高近場光頭自身的寫入可靠性，實現(xiàn)高質(zhì)量。并且，即使在近場光產(chǎn)生部中不產(chǎn)生等離子體激元共振而光束透過了近場光產(chǎn)生部的情況下，通過使光束在磁極上反射并返回到芯體內(nèi)，能夠再次使光束入射到近場光產(chǎn)生部。由此，能夠進一步提高近場光的產(chǎn)生效率。而且，由于能夠抑制光束在近場光產(chǎn)生部中不產(chǎn)生等離子體激元共振而泄漏到外部，因而能夠僅在芯體的附近生成極小的近場光的光點ο并且，本發(fā)明涉及的近場光頭對在固定方向上旋轉(zhuǎn)的磁記錄介質(zhì)進行加熱，并對所述磁記錄介質(zhì)施加記錄磁場，從而使所述磁記錄介質(zhì)產(chǎn)生磁化反轉(zhuǎn)，并記錄信息，該近場光頭的特征在于，所述近場光頭具有滑塊，其與所述磁記錄介質(zhì)的表面相對配置；記錄元件，其配置在所述滑塊的前端側(cè)，具有產(chǎn)生所述記錄磁場的磁極；上述本發(fā)明的近場光產(chǎn)生元件，其在使所述另一端側(cè)朝向所述磁記錄介質(zhì)側(cè)的狀態(tài)下與所述記錄元件相鄰而固定； 以及光束導入單元，其固定在所述滑塊上，使所述光束從所述一端側(cè)導入到所述芯體內(nèi)。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于具有上述本發(fā)明的近場光產(chǎn)生元件，因而可提高近場光頭自身的寫入可靠性，實現(xiàn)高質(zhì)量。并且，特征在于，所述磁極將所述近場光產(chǎn)生部夾在中間而與所述芯體的所述一側(cè)面相對配置，并且從所述傳播方向觀察時，在與所述芯體的所述其他側(cè)面相同的面上配置有所述磁極的外側(cè)端面。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于磁極形成為將近場光產(chǎn)生元件夾在中間并從芯體的相反側(cè)覆蓋近場光產(chǎn)生部，因而可高精度地對近場光的產(chǎn)生位置和磁場的產(chǎn)生位置進行定位，可提高近場光頭自身的寫入可靠性，實現(xiàn)高質(zhì)量。并且，即使在近場光產(chǎn)生部中不產(chǎn)生等離子體激元共振而光束透過了近場光產(chǎn)生部的情況下，通過使光束在磁極上反射并返回到芯體內(nèi)，可再次使光束入射到近場光產(chǎn)生部。由此，能夠進一步提高近場光的產(chǎn)生效率。而且，由于能夠抑制光束在近場光產(chǎn)生部中不產(chǎn)生等離子體激元共振而泄漏到外部，因而能夠僅在芯體的附近生成極小的近場光的光
點ο并且，特征在于，在所述近場光產(chǎn)生部和所述磁極之間形成有分隔膜，該分隔膜對所述近場光產(chǎn)生部和所述磁極之間進行劃分。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在近場光產(chǎn)生部和磁極由具有導電性的金屬材料構(gòu)成的情況下，可對近場光產(chǎn)生部和磁極進行電絕緣，并且可抑制近場光產(chǎn)生部的合金化，因而不會給近場光產(chǎn)生部中的自由電子運動帶來不良影響。因此，能夠進一步提高近場光的產(chǎn)生效率。并且，本發(fā)明涉及的信息記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于，該信息記錄再現(xiàn)裝置具有 上述本發(fā)明的近場光頭；梁，其能夠在與所述磁記錄介質(zhì)的表面平行的方向上移動，在繞平行于所述磁記錄介質(zhì)的表面且相互垂直的2個軸自由轉(zhuǎn)動的狀態(tài)下，在前端側(cè)支承所述近場光頭；光源，其使所述光束入射到所述光束導入單元；致動器，其支承所述梁的基端側(cè)， 并使所述梁朝向與所述磁記錄介質(zhì)的表面平行的方向移動；旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部，其使所述磁記錄介質(zhì)在所述固定方向上旋轉(zhuǎn)；以及控制部，其控制所述記錄元件和所述光源的動作。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于具有上述本發(fā)明的近場光頭，因而可提高寫入可靠性，實現(xiàn)高質(zhì)量。根據(jù)本發(fā)明的近場光產(chǎn)生元件及其制造方法，可精度良好地對近場光產(chǎn)生部和芯體進行定位，提高近場光的產(chǎn)生效率。根據(jù)本發(fā)明的近場光頭和信息記錄再現(xiàn)裝置，寫入可靠性較高，可應對高密度記錄，實現(xiàn)高質(zhì)量。


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圖1是本發(fā)明的實施方式中的信息記錄再現(xiàn)裝置的結(jié)構(gòu)圖。圖2是記錄再現(xiàn)頭的放大截面圖。圖3是放大記錄再現(xiàn)頭的流出端側(cè)的側(cè)面后的截面圖。圖4是圖3的A向視圖。圖5是圖3的B向視圖。圖6是放大激光光源周邊后的圖。圖7是利用信息記錄再現(xiàn)裝置對信息進行記錄再現(xiàn)時的說明圖，是與圖3相當?shù)姆糯蠼孛鎴D。圖8是與圖5相當?shù)膱D，是用于說明近場光產(chǎn)生元件的制造方法的工序圖。圖9是與圖5相當?shù)膱D，是用于說明近場光產(chǎn)生元件的制造方法的工序圖。圖10是與圖5相當?shù)膱D，是示出第2實施方式中的記錄再現(xiàn)頭的圖。圖11是與圖10相當?shù)膱D，是用于說明記錄再現(xiàn)頭的制造方法的工序圖。圖12是與圖5相當?shù)膱D，是示出第3實施方式中的記錄再現(xiàn)頭的圖。圖13是與圖12相當?shù)膱D，是用于說明記錄再現(xiàn)頭的制造方法的工序圖。圖14是與圖5相當?shù)膱D，是示出記錄再現(xiàn)頭的另一制造方法的圖。圖15是與圖5相當?shù)膱D，是示出第4實施方式中的記錄再現(xiàn)頭的圖。圖16是與圖5相當?shù)膱D，是示出記錄再現(xiàn)頭的另一結(jié)構(gòu)的圖。標號說明1 信息記錄再現(xiàn)裝置；2 記錄再現(xiàn)頭(近場光頭)；3 梁；5 致動器；6 主軸電機 (旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部)；8 控制部；20 滑塊；21 記錄元件；23 芯體；23d 側(cè)面(其他側(cè)面)；23g 側(cè)面(一側(cè)面)；24 包層；2 第1包層；24b 第2包層；26 近場光產(chǎn)生元件；31 輔助磁極；33 主磁極；42 光波導路(光束導入單元)；43 激光光源(光源)；51 金屬膜(近場光產(chǎn)生部)；51a:上底(界面)；52:遮光膜(第1遮光膜，第2遮光膜)；123 芯體母材(芯體的母材)；IMa:第1包層母材(第1包層的母材)；151 金屬膜母材(近場光產(chǎn)生部的母材)；220,304 磁極母材；401 分隔膜；D 盤(磁記錄介質(zhì))。
具體實施例方式以下，根據(jù)

本發(fā)明的實施方式。另外，本實施方式的信息記錄再現(xiàn)裝置1是利用使近場光R和記錄磁場共同作用的混合磁記錄方式對具有垂直記錄層d2的盤(磁記錄介質(zhì))D進行記錄再現(xiàn)的裝置(參照圖2)。(第1實施方式)(信息記錄再現(xiàn)裝置)圖1是信息記錄再現(xiàn)裝置的結(jié)構(gòu)圖。如圖1所示，本實施方式的信息記錄再現(xiàn)裝置1具有記錄再現(xiàn)頭(近場光頭)2 ； 支承記錄再現(xiàn)頭2的梁3 ；使激光(光束)L(參照圖2、入射到記錄再現(xiàn)頭2的光束入射機構(gòu)4 ；使梁3移動的致動器5 ；使盤D在固定方向上旋轉(zhuǎn)的主軸電機(旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部)6 ；對上述的各構(gòu)成件進行綜合控制的控制部8 ；以及將各構(gòu)成件收納在內(nèi)部的殼體9。殼體9由鋁等金屬材料形成為俯視呈四邊形，并在內(nèi)側(cè)形成有收納各構(gòu)成件的凹部9a。并且，在該殼體9上可拆裝地固定有未圖示的蓋，以堵塞凹部9a的開口。在凹部9a 的大致中心處安裝有主軸電機6，通過將中心孔與主軸電機6嵌合來自由拆裝地固定盤D。 另外，在本實施方式中，以3張盤D固定在主軸電機6上的情況為例進行說明。但是，盤D 的數(shù)量不限于3張。在凹部9a的角部安裝有致動器5。在該致動器5上經(jīng)由軸承10安裝有滑架11。 滑架11例如是通過對金屬材料進行切削加工而形成的，按以下方式采用3層結(jié)構(gòu)，即，從經(jīng)由軸承10固定在致動器5上的基端部Ila起朝向前端的部分配置在3張盤D的上面。也就是說，當從側(cè)面觀察滑架U時，形成為E型。并且，在分為3層的滑架11的各前端固定有梁3的基端側(cè)。因此，致動器5經(jīng)由滑架11支承梁3的基端側(cè)，可使梁3在平行于盤面 (磁記錄介質(zhì)的表面)Dl (參照圖2)的XY方向上進行掃描移動。如上所述，梁3可通過致動器5與滑架11 一起在XY方向上移動，并且，在繞平行于盤面Dl且相互垂直的2個軸(X軸、Y軸)自由轉(zhuǎn)動的狀態(tài)下，在前端側(cè)支承記錄再現(xiàn)頭 2。另外，梁3和滑架11在盤D的旋轉(zhuǎn)停止時通過致動器5的驅(qū)動從盤D上退避。(記錄再現(xiàn)頭)圖2是記錄再現(xiàn)頭的放大截面圖，圖3是放大記錄再現(xiàn)頭的流出端側(cè)的側(cè)面后的截面圖。如圖2、圖3所示，記錄再現(xiàn)頭2是利用由激光生成的近場光R在旋轉(zhuǎn)的盤D上對各種信息進行記錄再現(xiàn)的頭。記錄再現(xiàn)頭2具有在從盤面Dl浮起預定距離H的狀態(tài)下與盤D相對配置的滑塊20 ；在盤D上記錄信息的記錄元件21 ；對記錄于盤D上的信息進行再現(xiàn)的再現(xiàn)元件22;以及近場光產(chǎn)生元件沈，其在使所導入的激光L在會聚的同時進行傳播， 在生成為近場光R之后發(fā)出到外部?；瑝K20由石英玻璃等透光性材料、AlTiC (鋁鈦碳)等陶瓷等形成為長方體狀。該滑塊20具有與盤D相對的相對面20a，經(jīng)由萬向接頭部30 (參照圖2、懸垂地支承在梁3的前端。該萬向接頭部30是動作被限制成只能繞X軸和繞Y軸移位的部件。由此，滑塊20 繞如上所述平行于盤面Dl且相互垂直的2個軸(X軸、Y軸)自由轉(zhuǎn)動。在相對面20a上形成有凸條部20b，該凸條部20b利用通過旋轉(zhuǎn)的盤D產(chǎn)生的空氣流的粘性來產(chǎn)生用于浮起的壓力。該凸條部20b形成為沿著長度方向(X方向)延伸。以排列成軌道狀的方式隔開間隔在左右(Y方向)形成有2個凸條部20b。但是，凸條部20b 并不限于該情況，只要設計成通過對欲使滑塊20從盤面Dl離開的正壓和欲將滑塊20拉向盤面Dl的負壓進行調(diào)整來使滑塊20以最合適的狀態(tài)浮起，則可以是任意的凹凸形狀。另外，該凸條部20b的表面被稱為ABS (A^ BEARINGSURFACE 空氣支承面)20c。并且，滑塊20通過這兩個凸條部20b而受到從盤面Dl浮起的力。此外，梁3在與盤面Dl垂直的Z方向上撓曲，從而吸收了滑塊20的浮起力。S卩，滑塊20在浮起時通過梁 3受到被按壓向盤面Dl側(cè)的力。由此，滑塊20通過這兩個力的平衡，以如上所述從盤面Dl 以離開預定距離H的狀態(tài)浮起。而且，滑塊20由于通過萬向接頭部30能夠繞X軸和繞Y 軸轉(zhuǎn)動，所以總是以姿態(tài)穩(wěn)定的狀態(tài)浮起。另外，伴隨盤D的旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的空氣流在從滑塊20的流入端側(cè)(梁3的X方向基端側(cè))流入后，沿著ABS 20c流動，并從滑塊20的流出端側(cè)(梁3的X方向前端側(cè))流出。如圖3所示，記錄元件21是使記錄磁場作用于盤D上來記錄信息的元件，包括輔助磁極31，其固定在滑塊20的流出端側(cè)的側(cè)面(前端面)；主磁極(磁極)33，其經(jīng)由磁路 32與輔助磁極31連接，在該主磁極33與輔助磁極31之間產(chǎn)生垂直于盤D的記錄磁場；以及線圈34，其以磁路32為中心呈螺旋狀地卷繞在該磁路32的周圍。S卩，從滑塊20的流出端側(cè)起依次排列配置有輔助磁極31、磁路32、線圈34以及主磁極33。兩磁極31、33和磁路32由磁通密度高的高飽和磁通密度(Bs)材料(例如，CoNiFe 合金、( 合金等)形成。此外，線圈34以在相鄰的線圈線之間、線圈34與磁路32之間、 線圈34與兩磁極31、33之間空開間隙的方式配置，以使該線圈34不會短路，并且在該狀態(tài)下利用絕緣體35進行了模塑。并且，將根據(jù)信息進行了調(diào)制的電流從控制部8供給至線圈 34。即，磁路32和線圈34作為整體而構(gòu)成電磁鐵。另外，主磁極33和輔助磁極31設計成與盤D相對的端面(Z方向端面)同滑塊20的ABS 20c共面。并且，主磁極33的前端部分 33a (激光L的出射側(cè))從絕緣體35朝再現(xiàn)元件22側(cè)突出，埋設在后述的第1包層Ma內(nèi)。 另外，主磁極33的前端部分33a也可以使用與基端部分不同的材料(飽和磁通密度高的材料)構(gòu)成。圖4是圖3的A向視圖，圖5是圖3的B向視圖。如圖3至圖5所示，光束傳播元件25在激光L的入射側(cè)(Z方向一端側(cè))朝向滑塊20的上方、并且出射側(cè)(Z方向另一端側(cè))朝向盤D側(cè)的狀態(tài)下與記錄元件21的主磁極 33的X方向側(cè)相鄰而固定。該光束傳播元件25由芯體23和包層M構(gòu)成，芯體25使從一端側(cè)導入的激光L傳播到與盤D相對的另一端側(cè)，包層M與芯體23密合，光束傳播元件25 作為整體形成為大致板狀。芯體23從一端側(cè)向另一端側(cè)逐漸收縮成形，能夠使激光L在內(nèi)部逐漸會聚的同時進行傳播。具體地說，芯體23從一端側(cè)起具有反射面23a、光束會聚部23b、以及近場光生成部23c，從激光L的傳播方向(Z方向)觀察，形成為三角形狀。反射面23a使從后述的光波導路(光束導入單元)42導入的激光L朝與導入方向不同的方向反射。在本實施方式中，以激光L的方向改變大致90度的方式反射。利用該反射面23a從光波導路42導入的激光L在芯體23內(nèi)重復進行全反射，并向另一端側(cè)傳播。光束會聚部2 是以如下方式收縮成形而成的部分與從一端側(cè)朝向另一端側(cè)的 Z方向垂直的截面面積(XY方向的截面面積)逐漸減小，使所導入的激光L在會聚的同時向另一端側(cè)傳播。也就是說，可將導入到光束會聚部23b的激光L的光點尺寸逐漸收縮成較小的尺寸。近場光生成部23c是從光束會聚部2 的端部朝向另一端側(cè)進一步收縮成形而成的部分。具體地說，通過傾斜面2 進行收縮成形，該傾斜面2 在芯體23的另一端側(cè)的附近，形成為在相對于在內(nèi)部傳播的激光L的光軸(Z方向)傾斜的狀態(tài)下與再現(xiàn)元件22 相對。通過該傾斜面23h，芯體23成為另一端側(cè)是尖形的狀態(tài)。另外，在本實施方式中，光束會聚部2 和近場光生成部23c形成為具有沿著Z方向的3個側(cè)面，其中的一個側(cè)面(一側(cè)面)23g配置成與主磁極33相對。在該情況下，形成從側(cè)面23g的兩端(Y方向兩端)向再現(xiàn)元件22沿著與側(cè)面23g的Y方向(面方向)交叉的方向延伸的一對側(cè)面(其他側(cè)面)23d，由此，芯體23形成為從Z方向觀察時向X方向縮細的三角形狀。因此，如圖5所示，在近場光生成部23c的另一端側(cè)、露出于外部的端面23e 形成為三角形狀。并且，該端面2 設計成與滑塊20的ABS 20c共面。
12
如圖3至圖5所示，包層M由折射率比芯體23的折射率低的材料形成，在使芯體 23的一端側(cè)和另一端側(cè)的端面2 露出于外部的狀態(tài)下與芯體23的側(cè)面23d、23g密合，將芯體23密封在內(nèi)部。具體地說，包層M具有第1包層2 和第2包層Mb，第1包層2 在芯體23和記錄元件21 (主磁極3 之間形成為覆蓋芯體23的側(cè)面23g側(cè)，第2包層24b 在芯體23和再現(xiàn)元件22之間形成為覆蓋側(cè)面23d側(cè)。這樣，由于第1包層Ma以及第2 包層24b與芯體23的側(cè)面23d、23g密合，因而在芯體23和包層M之間不會產(chǎn)生間隙。另外，在第1包層M的另一端側(cè)的、滑塊20的寬度方向(Y方向)中央部埋設有上述的主磁極33的前端部分33a，并且該前端部分33a從第1包層M向芯體23側(cè)露出。另外，如果要記載作為包層M和芯體23使用的材料的組合的一個示例，可以考慮例如用石英(SiO2)形成芯體23、用添加有氟的石英形成包層M的組合。在該情況下，在光束L的波長為400nm時，芯體40的折射率為1. 47，包層41的折射率小于1. 47，所以是優(yōu)選的組合。此外，也可以考慮用添加有鍺的石英形成芯體23、用石英(SiO2)形成包層M的組合。在該情況下，在光束L的波長為400nm時，芯體23的折射率大于1. 47，包層M的折射率為1.47，所以仍然是優(yōu)選的組合。特別是，芯體23和包層M的折射率之差越大，則將光束L封閉在芯體23內(nèi)的力就越大，因此更優(yōu)選的是，芯體23使用氧化鉭(Tii2O5 在波長為550nm時折射率為2. 16)，包層M使用石英、氧化鋁(AL2O3)等，使兩者的折射率之差增大。此外，在利用紅外區(qū)域的光束L的情況下，用作為相對于紅外光透明的材料的硅(Si 折射率大約為4)來形成芯體40 也是有效的。這里，在芯體23與第1包層2 之間形成有金屬膜(近場光產(chǎn)生部)51。金屬膜 51由在芯體23內(nèi)傳播來的激光L產(chǎn)生近場光R，使近場光R局部存在于光束傳播元件25 的另一端側(cè)與盤D之間，例如由金(Au)、鉬(Pt)等構(gòu)成。金屬膜51配置在芯體23中的近場光生成部23c的側(cè)面23g上，與第1包層Ma以及從第1包層2 露出的主磁極33的前端部分33a相接。并且，金屬膜51在Z方向形成為，一端側(cè)位于近場光生成部23c與光束會聚部23b的邊界部分，并且另一端側(cè)與芯體23的端面2 共面。并且，如圖5所示，金屬膜51形成為從Z方向觀察時向再現(xiàn)元件22側(cè)縮細的等腰梯形狀。此時，金屬膜51的上底51a在Y方向上的寬度形成為與芯體23的側(cè)面23g相同的寬度。而且，金屬膜51的斜面51b與芯體23的側(cè)面23d配置在相同的面上。在該情況下，金屬膜51的Y方向兩端部的角度θ 1 (斜面51b與下底51c形成的角度)形成為與近場光生成部23c的Y方向兩端部的角度θ 2(側(cè)面23g和側(cè)面23d形成的角度)相等。艮口， 芯體23和金屬膜51的層疊體形成為從Z方向觀察時是芯體23的相似形狀(參照圖5)。并且，在芯體23和第2包層24b之間形成有遮光膜(第2遮光膜)52。遮光膜52 由鋁(Al)等高反射率材料構(gòu)成，形成為覆蓋近場光生成部23c的側(cè)面23d。S卩，在近場光生成部23c中，側(cè)面23g被金屬膜51覆蓋，側(cè)面23d被遮光膜52覆蓋。遮光膜52在Z方向上形成在比金屬膜51大的范圍內(nèi)。具體地說，遮光膜52形成為，遮光膜52的一端側(cè)位于光束會聚部23b的另一端側(cè)，并且遮光膜52的另一端側(cè)與芯體23的端面2 共面。另外， 遮光膜52也可以在Z方向上形成在與金屬膜51同等以上的范圍內(nèi)。并且，遮光膜52的Y 方向兩端部形成有在第1包層2 上沿著Y方向延伸的下端部52a，但是只要至少覆蓋芯體23的側(cè)面23d即可。另外，如圖3所示，在滑塊20的上表面(Z方向一端側(cè))固定有光波導路42。該光波導路42由芯體4 和形成為覆蓋芯體42a的包層42b構(gòu)成，激光L在芯體42a內(nèi)傳播。 光波導路42的前端與光束傳播元件25的芯體23的一端側(cè)連接，使激光L向反射面23a出射。另外，芯體4 及包層42b由與上述的芯體23及包層M相同的材料構(gòu)成。另一方面，如圖1所示，光波導路42的基端側(cè)沿著梁3和滑架11被拉出之后，與激光光源(光源)43連接。如圖1和圖6所示，該激光光源43與未圖示的IC芯片等各種電子部件一起安裝在控制基板44上，該控制基板44安裝在滑架11的基端部Ila的側(cè)面。 特別是，激光光源43使激光L在直線偏振光的狀態(tài)下出射。即，激光光源43和光波導路42 作為使激光L在直線偏振光的狀態(tài)下入射到記錄再現(xiàn)頭2的光束入射機構(gòu)4來發(fā)揮功能。 另外，圖6是放大激光光源周邊后的圖。安裝有激光光源43的控制基板44通過撓性的扁平電纜(撓性基板)45與控制部 8連接。由此，控制部8將電信號發(fā)送到各構(gòu)成件來進行綜合控制。特別是，激光光源43射出激光L的定時由控制部8控制。再現(xiàn)元件22是電阻隨著從盤D的垂直記錄層d2(參照圖2)漏出的磁場的大小而變換的磁阻效應膜，將光束傳播元件25夾在中間而形成在記錄元件21的相反側(cè)的包層 24(第2包層Mb)的表面上。經(jīng)由未圖示的引導膜(U—卜 莫)等從控制部8向該再現(xiàn)元件22提供偏置電流。由此，控制部8能夠?qū)谋PD漏出的磁場的變化作為電壓變化來檢測，根據(jù)該電壓變化進行信號再現(xiàn)。另外，如圖2所示，本實施方式的盤D使用垂直2層膜盤D，該垂直2層膜盤D至少由垂直記錄層d2和軟磁性層d3這兩層構(gòu)成，垂直記錄層d2在垂直于盤面Dl的方向上具有易磁化軸，軟磁性層d3由高導磁率材料構(gòu)成。作為這樣的盤D，例如使用將軟磁性層d3、 中間層d4、垂直記錄層d2、保護層d5和潤滑層d6依次成膜在基板dl上而形成的盤。作為基板dl，例如是鋁基板、玻璃基板等。軟磁性層d3是高導磁率層。中間層d4 是垂直記錄層d2的結(jié)晶控制層。垂直記錄層d2形成為垂直各向異性的磁性層，其使用例如 CoCrPt類合金。保護層d5用于保護垂直記錄層d2，其使用例如DLC (Diamond-like Carbon 類金剛石)膜。潤滑層d6例如使用氟類的液體潤滑材料。(信息記錄再現(xiàn)方法)接著，以下說明使用這樣構(gòu)成的信息記錄再現(xiàn)裝置1在盤D上對各種信息進行記錄再現(xiàn)的情況。首先，如圖1所示，驅(qū)動主軸電機6來使盤D在固定方向上旋轉(zhuǎn)。然后，使致動器 5動作，經(jīng)由滑架11使梁3在XY方向上掃描。由此，能夠使記錄再現(xiàn)頭2位于盤D上的期望位置。此時，記錄再現(xiàn)頭2通過形成于滑塊20的相對面20a上的2個凸條部20b而受到浮起的力，并被梁3等以預定的力朝盤D側(cè)按壓。通過這兩個力的平衡，記錄再現(xiàn)頭2如圖 2所示浮起至從盤D上離開了預定距離H的位置。并且，記錄再現(xiàn)頭2即使受到了因盤D的起伏而產(chǎn)生的風壓，也能夠通過梁3吸收 Z方向的移位，并且通過萬向接頭部30繞XY軸移位，因此能夠吸收因起伏而產(chǎn)生的風壓。 因此，能夠使記錄再現(xiàn)頭2以穩(wěn)定的狀態(tài)浮起。圖7是利用信息記錄再現(xiàn)裝置對信息進行記錄再現(xiàn)時的說明圖，圖7是與圖3相當?shù)姆糯蠼孛鎴D。這里，如圖7所示，在進行信息記錄的情況下，控制部8使激光光源43工作來使其射出直線偏振光的激光L，并將根據(jù)信息進行了調(diào)制的電流提供給線圈34，使記錄元件21 動作。首先，從激光光源43將激光L入射到光波導路42，將激光L引導到滑塊20側(cè)。從激光光源43出射的激光L在光波導路42的芯體42a內(nèi)向前端(流出端)行進，傳播到光束傳播元件25的芯體23內(nèi)。傳播到芯體23內(nèi)的激光L在反射面23a上反射了大致90度后，在光束會聚部23b內(nèi)傳播。在光束會聚部23b內(nèi)傳播的激光L在芯體23和包層M之間重復全反射的同時向位于盤D側(cè)的另一端側(cè)傳播。特別是，由于包層M與芯體23的側(cè)面23d、23g密合，因而光不會泄漏到芯體23的外部。因此，能夠在使所導入的激光L不會浪費的情況下將其縮小、并且使其傳播到另一端側(cè)，入射到近場光生成部23c。此時，芯體23以如下方式收縮成形垂直于Z方向的截面面積逐漸減少。因此，激光L隨著在光束會聚部23b內(nèi)傳播而逐漸縮小，光點尺寸減小。光點尺寸減小的激光L接著入射到近場光生成部23c。該近場光生成部23c向另一端側(cè)進一步收縮成形，端面2 具有光的波長以下的尺寸。在該情況下，近場光生成部 23c的2個側(cè)面23d被遮光膜52遮光。因此，入射到近場光生成部23c的激光L不會泄漏到第2包層24b側(cè)，而是在遮光膜52和近場光生成部23c的界面處進行反射，并且進行傳播。然后，當在近場光生成部23c內(nèi)傳播的激光L入射到金屬膜51時，在金屬膜51上激勵出表面等離子體激元。被激勵的表面等離子體激元通過共振效果被增強，并且沿著金屬膜 51和芯體23 (近場光生成部23c)的界面，向芯體23的另一端側(cè)傳播。然后，在到達另一端側(cè)的時點，成為光強度較強的近場光R而漏出到外部。也就是說，可使近場光R局部存在于光束傳播元件25的另一端側(cè)和盤D之間。于是，盤D通過該近場光R而被局部加熱，矯頑磁力臨時下降。另一方面，當控制部8向線圈34提供電流時，根據(jù)電磁鐵的原理，電流磁場在磁路 32內(nèi)產(chǎn)生磁場，因而能夠在主磁極33和輔助磁極31之間產(chǎn)生相對于盤D垂直方向的記錄磁場。于是，從主磁極33側(cè)產(chǎn)生的磁通直接穿過盤D的垂直記錄層d2而到達軟磁性層d3。 這樣，能夠在使垂直記錄層d2的磁化朝向垂直于盤面Dl的方向的狀態(tài)下進行記錄。并且， 到達軟磁性層d3的磁通經(jīng)由軟磁性層d3返回到輔助磁極31。此時，當向輔助磁極31返回時，不會給磁化方向帶來影響。這是因為，與盤面Dl相對的輔助磁極31的面積大于主磁極 33的面積，因而磁通密度較大，不會產(chǎn)生使磁化反轉(zhuǎn)的程度的力。也就是說，能夠僅在主磁極33側(cè)進行記錄。結(jié)果，能夠利用使近場光R和由兩個磁極31、33產(chǎn)生的記錄磁場共同作用的混合磁記錄方式進行信息的記錄。而且，由于利用垂直記錄方式進行記錄，因而不易受到熱擾動現(xiàn)象等的影響，可進行穩(wěn)定的記錄。因此，可提高寫入的可靠性。并且，在對記錄于盤D內(nèi)的信息進行再現(xiàn)的情況下，當盤D的矯頑磁力臨時下降時，再現(xiàn)元件22受到從盤D的垂直記錄層d2漏出的磁場，電阻隨著該磁場的大小而變化。 因此，再現(xiàn)元件22的電壓變化。由此，控制部8能夠?qū)谋PD漏出的磁場的變化作為電壓變化來檢測。并且，控制部8根據(jù)該電壓的變化進行信號的再現(xiàn)，由此能夠?qū)τ涗浽诒PD內(nèi)的信息進行再現(xiàn)。
(記錄再現(xiàn)頭的制造方法)下面，說明具有上述近場光產(chǎn)生元件沈的記錄再現(xiàn)頭2的制造方法。圖8、圖9是與圖5相當?shù)膱D，是用于說明近場光產(chǎn)生元件的制造方法的工序圖。另外，在以下說明中， 主要對記錄再現(xiàn)頭2的制造工序中的近場光產(chǎn)生元件的制造工序進行具體說明。在本實施方式中，準備多個滑塊20形成區(qū)域沿著Y方向和Z方向連接而成的基板 120 (例如，AlTiC等)，在該基板120中的滑塊20的各形成區(qū)域上依次形成記錄元件21、近場光產(chǎn)生元件沈以及再現(xiàn)元件22，得到沿著Y方向和Z方向連接的多個記錄再現(xiàn)頭2，然后，按照記錄再現(xiàn)頭2的各形成區(qū)域進行切割，由此制造出記錄再現(xiàn)頭2。另外，在圖8、圖9 中，為了容易理解說明，省略形成在基板120上的記錄元件21中的、輔助磁極31、磁路32、 線圈34、以及對它們進行模塑的絕緣體35的記載。首先，如圖8(a)所示，在基板120上形成記錄元件21之后，在其上對光束傳播元件25和金屬膜51的母材進行成膜(第1包層形成工序、近場光產(chǎn)生部形成工序、以及芯體形成工序)。具體地說，在基板120(主磁極3 上按照第1包層Ma、金屬膜51 (例如， 20nm左右)、芯體23(幾μπι左右)的順序?qū)δ覆?第1包層母材12 、金屬膜母材151以及芯體母材12 進行成膜。另外，在各母材123、12如、151的成膜后，通過CMP(Chemical Mechanical Polishing，化學機械拋光)等對各自的表面進行研磨，成為平坦面。另外，優(yōu)選的是，金屬膜母材151在第1包層母材12 上的整個表面上成膜之后以僅保留預定區(qū)域的方式預先進行構(gòu)圖。在本實施方式中，至少在Z方向上以在芯體母材 123中的與近場光生成部23c(參照圖3)相當?shù)膮^(qū)域內(nèi)保留金屬膜母材151(去除與反射面 23a以及光束會聚部23b (參照圖3)相當?shù)膮^(qū)域的金屬膜母材151)的方式預先進行構(gòu)圖。 在該情況下，在與近場光生成部23c相當?shù)膮^(qū)域內(nèi)，在芯體母材123和第1包層母材12 之間夾持金屬膜母材151，在除此以外的區(qū)域內(nèi)，芯體母材123和第1包層母材12 密合。 由此，能夠提高芯體母材123和第1包層母材12 的密合性，因而可抑制制造過程中的膜剝離。并且，在上述的近場光產(chǎn)生元件沈(參照圖2、圖3)中，當在Z方向上、芯體23的光束會聚部23b也形成有金屬膜51時，在光束會聚部23b內(nèi)傳播的激光L由金屬膜51吸收而發(fā)生損耗，激光L的傳播效率有可能下降。與此相對，通過僅在與近場光生成部23c相當?shù)膮^(qū)域內(nèi)形成金屬膜51，能夠使激光L在全反射條件下在芯體23和包層M之間傳播到近場光生成部23c。因此，能夠?qū)⒏嗟募す釲引導到近場光生成部23c，從而能夠提高激光L的傳播效率。接著，如圖8(b)所示，在芯體母材123上使用光刻技術(shù)來形成掩模圖案(未圖示)，利用該掩模圖案進行反應性離子蝕刻(RIE)(第1構(gòu)圖工序)，該掩模圖案在應去除芯體母材123的區(qū)域開口。由此，掩模圖案開口的區(qū)域的芯體母材123被蝕刻，形成從Z方向觀察時呈矩形狀的芯體母材123。并且，芯體母材123形成為從X方向觀察時呈從一端側(cè)朝另一端側(cè)前端縮細的梯形狀。另外，在第1構(gòu)圖工序中，優(yōu)選的是，掩模圖案開口的區(qū)域的芯體母材123少許保留，而不是完全去除(參照圖8(b)中的保留部60)。然后，如圖8(c)所示，在氬(Ar)等的等離子體中對芯體母材123和金屬膜母材 151進行濺射蝕刻(第2構(gòu)圖工序)。在第2構(gòu)圖工序中，當對截面矩形狀的芯體母材123 進行濺射蝕刻時，芯體母材123的角部被選擇性地蝕刻而形成斜面61。然后，當在該狀態(tài)下進一步繼續(xù)蝕刻時，斜面61在與底面(相當于圖5中的側(cè)面23g)保持一定角度的同時被蝕刻，從而形成圖8(d)所示的截面三角形狀的芯體母材123。然后，當進一步繼續(xù)蝕刻時，如圖9 (a)所示，芯體母材123在保持相似形的同時寬度(Y方向上的寬度)和高度(X方向上的高度)縮小，并且保留部60被去除。結(jié)果，形成具有3個側(cè)面23d、23g的三角形狀的芯體23。這樣，通過對在第1構(gòu)圖工序中形成為矩形狀的芯體母材123進行濺射蝕刻，從Z方向觀察時能夠?qū)⑿倔w23形成為任意的寬度和高度。這里，在去除了保留部60之后進一步繼續(xù)蝕刻時，芯體23在保持相似形的狀態(tài)下被蝕刻，并且金屬膜母材151被蝕刻。在該情況下，如圖9(b)所示，金屬膜母材151在Y方向上的端部(相當于圖5中的斜面51b)被蝕刻為與芯體23的側(cè)面23d和側(cè)面23g形成的角度相同的角度。通過以上工序，形成以下這樣的金屬膜51，其上底51a具有與芯體23的側(cè)面23g 相同的寬度、且斜面51b配置在與芯體23的側(cè)面23d相同的面上。另外，為了完全去除芯體23以外的區(qū)域的金屬膜母材151，第1包層母材12 也被少許蝕刻。在該情況下，通過在上述的第1構(gòu)圖工序中預先在芯體母材123上形成保留部60，能夠防止在第2構(gòu)圖工序中第1包層母材12 被過蝕刻。然后，如圖9(c)所示，形成遮光膜52，以覆蓋芯體23和金屬膜51 (遮光膜形成工序)。具體地說，在芯體23的側(cè)面23d的與近場光生成部23c相當?shù)膮^(qū)域中以保留遮光膜 52的方式進行構(gòu)圖。然后，如圖9 (d)所示，形成第2包層Mb，以覆蓋芯體23和遮光膜52 (第2包層形成工序)。然后，通過CMP等對第2包層24b的表面進行研磨，形成為平坦面。然后，在第2 包層24b上形成再現(xiàn)元件22。由此，在基板120上形成記錄元件21、近場光產(chǎn)生元件沈以及再現(xiàn)元件22。接著，在沿著Z方向按照各滑塊20形成區(qū)域隔開間隔的狀態(tài)下，沿著Y方向?qū)?20進行切割，形成沿著一個方向(Y方向)多個滑塊20連接的狀態(tài)的棒(〃一)(未圖示)。之后，研磨切割后的棒的側(cè)面(切斷面)(研磨工序)。在該研磨工序中，使用 ELG(electro lapping guide，電研磨引導體)，進行棒的側(cè)面定位。ELG用于在確認ELG元件的電阻值的同時進行研磨，控制研磨量。在本實施方式中，例如在棒的ELG區(qū)域(后述滑塊工序中的切割區(qū))形成ELG元件和與ELG元件的兩端連接的一對焊盤，通過焊盤對ELG元件進行通電，并且進行研磨。于是，ELG元件也與棒的側(cè)面一起被研磨，ELG元件在Z方向上的寬度減少，電阻增加。因此，預先求出ELG元件的電阻與研磨量的相關(guān)度，在監(jiān)視ELG元件的電阻值的同時進行研磨，在電阻值達到預定值的時點判斷為獲得了期望的研磨量，結(jié)束研磨。另外，在研磨時檢測電阻的變化是ELG元件和焊盤的基板功能，因而無需采用極端的微細結(jié)構(gòu)。然后，將棒沿著Z方向切斷成各滑塊20的大小(滑塊工序)。通過以上步驟，制造出具有上述近場光產(chǎn)生元件沈的記錄再現(xiàn)頭2。這樣，在本實施方式中，在成膜工序中，在第1包層母材12 和芯體母材123之間形成金屬膜母材151，在第2構(gòu)圖工序中，采用一并進行芯體母材123和金屬膜母材151的蝕刻的結(jié)構(gòu)。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過對芯體母材123和金屬膜母材151在同一構(gòu)圖工序中一并進行構(gòu)圖，可簡單地形成上底51a具有與芯體23的側(cè)面23g相同的寬度、且斜面51b配置在與芯體23的側(cè)面23d相同的面上的金屬膜51。即，芯體23和金屬膜51形成為從X方向觀察時彼此重合。由此，例如，與分別在不同工序中對芯體23和金屬膜51進行構(gòu)圖的情況不同，能夠精度良好地對金屬膜51和芯體23進行定位。因此，能夠使傳播到近場光生成部23c的激光L無泄漏地入射到金屬膜51，因而能夠提高近場光R的產(chǎn)生效率。并且，在本實施方式中，將遮光膜52形成為覆蓋芯體23的側(cè)面23d，由此，入射到近場光生成部23c的激光L不會泄漏到第2包層24b側(cè)，而在由遮光膜52和近場光生成部 23c的界面處反射的同時進行傳播。由此，能夠有效地使激光L入射到金屬膜51，能夠提高近場光R的產(chǎn)生效率。并且，通過在研磨工序中使用ELG，能夠高精度地對滑塊20的端面(例如，近場光產(chǎn)生元件沈的另一端側(cè)的端面23e)進行定位。由此，能夠更有效地產(chǎn)生近場光R。并且，本發(fā)明的信息記錄再現(xiàn)裝置1(記錄再現(xiàn)頭幻由于具有上述的近場光產(chǎn)生元件26，因而可準確且高密度地進行信息的記錄再現(xiàn)，實現(xiàn)高質(zhì)量。(第2實施方式)下面，說明本發(fā)明的第2實施方式。圖10是與圖5相當?shù)膱D，是示出第2實施方式中的記錄再現(xiàn)頭的圖。與上述實施方式的不同之處在于，在本實施方式中，將主磁極33 的前端部分33a(后述的突出部211的斜面211b)與芯體23的側(cè)面23d和金屬膜51的斜面51b—起配置在相同的面上。另外，在以下說明中，對與上述的第1實施方式相同的結(jié)構(gòu)標注相同標號并省略說明。如圖10所示，本實施方式的記錄再現(xiàn)頭202中的主磁極33的前端部分33a具有 埋設在第1包層Ma內(nèi)的基部210 ；和沿著X方向從基部210向芯體23側(cè)突出的突出部 211。突出部211形成為從Z方向觀察時呈向芯體23側(cè)縮細的等腰梯形狀。具體地說， 突出部211的上底211a在Y方向上的寬度形成為與金屬膜51的下底51c相同的寬度。而且，突出部211的斜面211b配置在與芯體23的側(cè)面23d以及金屬膜51的斜面51b相同的面上。在該情況下，突出部211的Y方向兩端部的角度θ 3(斜面211b和基部210形成的角度)形成為與上述的金屬膜51的角度θ 1、近場光生成部23c的角度θ 2相等。S卩，芯體 23、金屬膜51以及突出部211的層疊體形成為從Z方向觀察時呈芯體23的相似形狀。本實施方式的記錄再現(xiàn)頭202可經(jīng)過與上述的第1實施方式的記錄再現(xiàn)頭2的制造方法大致相同的工序來制造。圖11是與圖10相當?shù)膱D，是用于說明記錄再現(xiàn)頭的制造方法的工序圖。首先，如圖11(a)所示，在第1包層母材12 中進行構(gòu)圖，以在主磁極33的前端部分33a的形成區(qū)域內(nèi)形成開口部124b，在第1包層母材12 上對主磁極33的前端部分 33a的母材(以下稱為磁極母材220)進行成膜，以填埋該開口部124b (磁極形成工序)。另外，第1包層12 的開口部124b形成到使得絕緣體35以及在絕緣體35內(nèi)模塑的主磁極 33的基端部分露出的深度。由此，盡管未圖示，但磁極母材220在絕緣體35內(nèi)與主磁極33 的基端部分連接。然后，如圖11(b)所示，與上述的第1實施方式一樣，在對金屬膜母材151和芯體母材123進行了成膜后，使用與上述的第1構(gòu)圖工序相同的方法，通過掩模圖案(未圖示) 對芯體母材123進行反應性離子蝕刻(RIE)。在該情況下，以如下方式對芯體母材123進行構(gòu)圖從Z方向觀察時，芯體母材123中的保留為矩形狀的部分在Y方向上的寬度比磁極母材220中的埋設在第1包層12 的開口部124b內(nèi)的部分的寬度(開口部124b的沿著 Y方向的寬度)窄。然后，使用與上述的第2構(gòu)圖工序相同的方法進行濺射蝕刻，對芯體母材123、金屬膜母材151以及磁極母材220 —并進行蝕刻。之后，經(jīng)過與上述的第1實施方式的工序相同的工序，能夠制造出上述圖10所示的記錄再現(xiàn)頭202。這樣，在本實施方式中，通過在相同的構(gòu)圖工序中對主磁極33的前端部分33a的母材與芯體23以及金屬膜51 —起進行構(gòu)圖，由此從Z方向觀察時，芯體23的側(cè)面23d、金屬膜51的斜面51b以及主磁極33的突出部211中的斜面211b配置在相同的面上。由此， 例如，與分別在不同工序中對芯體23、金屬膜51以及主磁極33進行構(gòu)圖的情況不同，可精度良好地對芯體23、金屬膜51以及主磁極33進行定位。而且，不必使用昂貴的定位裝置， 就能精度良好地對芯體23、金屬膜51以及主磁極33進行定位，因而可降低裝置成本。在該情況下，主磁極33的前端部分33a形成為將金屬膜51夾在中間并從芯體23 的相反側(cè)覆蓋金屬膜51。因此，可高精度地對近場光R的產(chǎn)生位置、和來自主磁極33的磁場的產(chǎn)生位置進行定位，提高記錄再現(xiàn)頭202自身的寫入可靠性，實現(xiàn)高質(zhì)量。另外，即使在金屬膜51不產(chǎn)生等離子體激元共振而光束透過金屬膜51的情況下， 通過使光束在突出部211的上底211a反射并返回到芯體23內(nèi)，由此能夠再次使光束入射到金屬膜51。由此，可進一步提高近場光R的產(chǎn)生效率。而且，由于可抑制光束在金屬膜 51上不產(chǎn)生等離子體激元共振而泄漏到外部，因而能夠僅在芯體23的附近生成極小的近場光R的光點。(第3實施方式)下面，說明本發(fā)明的第3實施方式。圖12是與圖5相當?shù)膱D，是示出第3實施方式中的記錄再現(xiàn)頭的圖。如圖12所示，在本實施方式的記錄再現(xiàn)頭302中，主磁極33的前端部分303配置在第1包層2 和金屬膜51之間。主磁極33的前端部分303形成為，沿著Z方向的一端側(cè)與在絕緣體35內(nèi)模塑的主磁極33的基端部分連接，另一方面，另一端側(cè)與芯體23的端面2 共面。并且，前端部分303形成為從Z方向觀察時呈向芯體23側(cè)縮細的等腰梯形狀。 具體地說，前端部分303的上底303a在Y方向上的寬度形成為與金屬膜51的下底51c相同的寬度。而且，前端部分303的斜面30 配置在與芯體23的側(cè)面23d和金屬膜51的斜面51b相同的面上。S卩，芯體23、金屬膜51以及前端部分303的層疊體形成為從Z方向觀察時呈芯體23的相似形狀，并且上述的層疊體的各側(cè)面(和斜面)整體由遮光膜52覆蓋。圖13是與圖12相當?shù)膱D，是用于說明記錄再現(xiàn)頭的制造方法的工序圖。如圖13(a)所示，為了制造本實施方式的記錄再現(xiàn)頭302，首先在第1包層2 上對磁極母材304進行成膜(磁極形成工序)。另外，盡管未圖示，但磁極母材304通過第1 包層Ma以及絕緣體35與主磁極33的基端部分連接。然后，如圖13(b)所示，與上述的第1實施方式相同，在對金屬膜母材151和芯體母材123進行了成膜后，使用與上述的第1構(gòu)圖工序相同的方法，利用掩模圖案(未圖示)對芯體母材123進行反應性離子蝕刻(RIE)。在本實施方式的第1構(gòu)圖工序中，將芯體母材 123、金屬膜母材151以及磁極母材304沿著X方向一并進行蝕刻，由此從Z方向觀察時，芯體母材123、金屬膜母材151以及磁極母材304的層疊體保留成矩形狀。然后，如圖13(c)所示，使用與上述的第2構(gòu)圖工序相同的方法進行濺射蝕刻，對芯體母材123、金屬膜母材151以及磁極母材304 —并進行蝕刻。此時，通過進行蝕刻直到第1包層2 的表面少許被去除，從而磁極母材304的角部和側(cè)面全部被去除，形成具有與芯體23的側(cè)面23d以及金屬膜51的斜面51b相同的面(斜面30 )的前端部分303。然后，經(jīng)過與上述的第1實施方式的工序相同的工序，能夠制造出上述的圖12所示的記錄再現(xiàn)頭302。這樣，根據(jù)本實施方式，可取得與上述的第2實施方式相同的效果，并且可使從金屬膜51產(chǎn)生的近場光R、和從主磁極33的前端部分303產(chǎn)生的磁場進一步縮小，可應對高密度記錄。另外，在上述的第3實施方式中，說明了在第2構(gòu)圖工序中全部去除磁極母材 304的角部和側(cè)面的結(jié)構(gòu)，然而不限于此，也可以如圖14所示，在保留磁極母材304的側(cè)面的狀態(tài)下結(jié)束蝕刻。(第4實施方式)下面，說明本發(fā)明的第4實施方式。圖15是與圖5相當?shù)膱D，是示出第4實施方式中的記錄再現(xiàn)頭的圖。如圖15所示，在本實施方式的記錄再現(xiàn)頭402中，在金屬膜51和主磁極33的前端部分303之間形成有在X方向上對兩者進行劃分的分隔膜401。該分隔膜401優(yōu)選由絕緣材料構(gòu)成，在本實施方式中，由與上述的芯體23相同的材料形成。另外，從Z方向觀察時， 分隔膜401的外側(cè)端面配置在與芯體23的側(cè)面23d、金屬膜51的斜面51b以及主磁極33 的前端部分303中的斜面30 相同的面上。根據(jù)本實施方式，可對金屬膜51與主磁極33的前端部分303進行電絕緣，并且可抑制金屬膜51的合金化，因而不會給金屬膜51中的自由電子運動帶來不良影響。因此，可進一步提高近場光R的產(chǎn)生效率。另外，本發(fā)明的技術(shù)范圍不限于上述的各實施方式，包含在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)對上述的實施方式施加各種變更的情況。即，在上述的實施方式中列舉的結(jié)構(gòu)等只不過是一例，能夠適當變更。例如，在上述的實施方式中，以使記錄再現(xiàn)頭浮起的空氣浮起型的信息記錄再現(xiàn)裝置為例作了說明，然而不限于該情況，只要與盤面相對配置，則盤和記錄再現(xiàn)頭也可以接觸。也就是說，本發(fā)明的記錄再現(xiàn)頭可以是接觸滑塊類型的記錄再現(xiàn)頭。在該情況下，也能取得相同的作用效果。而且，在上述的實施方式中，說明了將近場光產(chǎn)生元件沈相對于記錄元件21相鄰配置在滑塊20的前端側(cè)的情況，然而不限于此，也可以將記錄元件21相鄰配置在近場光產(chǎn)生元件沈的前端側(cè)等，滑塊20前端側(cè)的近場光產(chǎn)生元件沈、記錄元件21以及再現(xiàn)元件22 的順序能夠適當變更設計。舉出了光束傳播元件25的芯體23從一端側(cè)向另一端側(cè)逐漸收縮成形的情況，然而不限于該情況，可以筆直地形成。并且，舉出了分別使用不同材料一體形成芯體23和包層M而得到的光束傳播元件25，但也可以形成為中空狀。在該情況下，中空的空氣部分為
20芯體，包圍其周圍的部分為包層。即使是這樣構(gòu)成的光束傳播元件，也能使激光L傳播并使其入射到近場光產(chǎn)生元件26。并且，在上述的實施方式中，說明了本發(fā)明的記錄再現(xiàn)頭2采用施加與盤D垂直的記錄磁場的垂直磁記錄方式的情況，然而不限于此，可以采用施加與盤D水平的記錄磁場的面內(nèi)記錄方式。并且，說明了在上述的第1構(gòu)圖工序中形成芯體23的保留部60的方法，但也可以不留下保留部60而全部去除芯體23的形成區(qū)域以外的芯體23。而且，如圖16所示，也可以在金屬膜51和第1包層2 之間也形成遮光膜(第1 遮光膜)52。即，可以在芯體23的全周形成遮光膜52。在該情況下，通過使在金屬膜51不產(chǎn)生等離子體激元共振而透過了金屬膜的激光L反射并返回到芯體23內(nèi)，能夠再次使激光 L入射到金屬膜51。由此，能夠進一步提高近場光R的產(chǎn)生效率。另外，為了形成圖16所示的近場光產(chǎn)生元件沈，只要在上述的成膜工序中，在第1 包層母材12 和金屬膜母材151之間預先形成遮光膜52的母材，在上述的第2構(gòu)圖工序中，將遮光膜52的母材與芯體母材123以及金屬膜母材151 —并進行蝕刻即可。由此，可精度良好地對遮光膜52和芯體23進行定位，能夠使透過了金屬膜51的激光L無泄漏地返回到芯體23內(nèi)。并且，在上述的實施方式中，說明了從Z方向觀察時呈三角形狀的芯體23，然而不限于此，芯體23的從Z方向觀察時的截面形狀能夠適當變更設定為梯形狀、五邊形狀等多邊形狀。并且，在上述的實施方式中，說明了芯體23的側(cè)面23g是平坦面的情況，然而不限于此，芯體23的側(cè)面23g也可以是彎曲面等。總之，只要金屬膜51的側(cè)面51b、主磁極33 的側(cè)面配置在與側(cè)面23d相同的面上即可，該側(cè)面23d經(jīng)由角部與芯體23的側(cè)面23g的Y 方向兩側(cè)相鄰。
權(quán)利要求
1.一種近場光產(chǎn)生元件，其使導入到一端側(cè)的光束朝另一端側(cè)在會聚的同時進行傳播，并在生成為近場光之后發(fā)出到外部，該近場光產(chǎn)生元件的特征在于，該近場光產(chǎn)生元件具有芯體，其使所述光束向所述另一端側(cè)傳播；以及近場光產(chǎn)生部，其沿著所述芯體中的從所述一端側(cè)到另一端側(cè)的所述光束的傳播方向配置，使所述光束沿著該近場光產(chǎn)生部與所述芯體的界面?zhèn)鞑?，由所述光束產(chǎn)生所述近場光，所述芯體具有沿著所述傳播方向延伸的多個側(cè)面，所述多個側(cè)面包括配置有所述近場光產(chǎn)生元件的一側(cè)面；以及從所述傳播方向觀察時在所述一側(cè)面的兩側(cè)沿著與所述一側(cè)面的面方向交叉的方向配置的其他側(cè)面，從所述傳播方向觀察時，在與所述芯體的所述其他側(cè)面相同的面上配置有所述近場光產(chǎn)生部的兩端面。
2.一種近場光產(chǎn)生元件的制造方法，該近場光產(chǎn)生元件使導入到一端側(cè)的光束朝另一端側(cè)在會聚的同時進行傳播，并在生成為近場光之后發(fā)出到外部，該近場光產(chǎn)生元件具有 芯體，其使所述光束向所述另一端側(cè)傳播；以及近場光產(chǎn)生部，其沿著所述芯體中的從所述一端側(cè)到另一端側(cè)的所述光束的傳播方向配置，使所述光束沿著該近場光產(chǎn)生部與所述芯體的界面?zhèn)鞑?，由所述光束產(chǎn)生所述近場光，該近場光產(chǎn)生元件的制造方法的特征在于，該制造方法具有近場光產(chǎn)生部形成工序，形成所述近場光產(chǎn)生部的母材； 芯體形成工序，形成所述芯體的母材，以覆蓋所述近場光產(chǎn)生部；以及構(gòu)圖工序，對所述芯體的母材和所述近場光產(chǎn)生部的母材進行構(gòu)圖，形成所述芯體和所述近場光產(chǎn)生部，在所述構(gòu)圖工序中，在同一工序中對所述芯體的母材和所述近場光產(chǎn)生部的母材一并進行構(gòu)圖。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的近場光產(chǎn)生元件的制造方法，其特征在于，在所述近場光產(chǎn)生部形成工序的前階段具有第1遮光膜形成工序，所述第1遮光膜形成工序至少在所述近場光產(chǎn)生部的形成區(qū)域內(nèi)形成第1遮光膜，在所述構(gòu)圖工序中，對所述第1遮光膜與所述芯體的母材以及所述近場光產(chǎn)生部的母材一并進行構(gòu)圖。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的近場光產(chǎn)生元件的制造方法，其特征在于，在所述構(gòu)圖工序的后階段具有第2遮光膜形成工序，在所述第2遮光膜形成工序中，形成第2遮光膜，以覆蓋所述芯體。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項所述的近場光產(chǎn)生元件的制造方法，其特征在于， 所述構(gòu)圖工序具有第1構(gòu)圖工序和第2構(gòu)圖工序，在所述第1構(gòu)圖工序中，將所述芯體的形成區(qū)域內(nèi)的所述芯體的母材構(gòu)圖成從所述傳播方向觀察時呈矩形狀，在所述第2構(gòu)圖工序中，在等離子體中對所述芯體的母材進行濺射蝕刻，將所述芯體的母材構(gòu)圖成從所述傳播方向觀察時呈三角形狀或梯形狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的近場光產(chǎn)生元件的制造方法，其特征在于，在所述第2構(gòu)圖工序中，對所述芯體的母材與所述近場光產(chǎn)生部的母材一起進行濺射蝕刻。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的近場光產(chǎn)生元件的制造方法，其特征在于，在所述第1構(gòu)圖工序中，使所述芯體的形成區(qū)域以外的所述芯體的母材在比所述芯體的形成區(qū)域內(nèi)的所述芯體的母材薄的狀態(tài)下保留。
8.根據(jù)權(quán)利要求2至7中任一項所述的近場光產(chǎn)生元件的制造方法，其特征在于，所述近場光產(chǎn)生部由金屬材料構(gòu)成，在所述近場光產(chǎn)生部形成工序和所述芯體形成工序之間具有去除工序，在該去除工序中，至少去除形成在所述一端側(cè)的所述近場光產(chǎn)生部的母材。
9.根據(jù)權(quán)利要求2至8中任一項所述的近場光產(chǎn)生元件的制造方法，其特征在于，在所述構(gòu)圖工序之后具有研磨工序，在該研磨工序中，研磨所述芯體的另一端面，在所述研磨工序中，以與所述芯體的所述另一端面共面的方式在形成有所述芯體的基板上形成ELG元件，在監(jiān)視所述ELG元件的電阻值的同時研磨所述另一端面和所述ELG元件。
10.一種近場光頭的制造方法，其使用了權(quán)利要求2至9中任一項所述的近場光產(chǎn)生元件的制造方法，該近場光頭對在固定方向上旋轉(zhuǎn)的磁記錄介質(zhì)進行加熱，并對所述磁記錄介質(zhì)施加記錄磁場，從而使所述磁記錄介質(zhì)產(chǎn)生磁化反轉(zhuǎn)，并記錄信息，該近場光頭的制造方法的特征在于，在所述近場光產(chǎn)生部形成工序的前階段具有磁極形成工序，在該磁極形成工序中，形成產(chǎn)生記錄磁場的磁極的母材，在所述構(gòu)圖工序中，將所述磁極的母材與所述芯體的母材和所述近場光產(chǎn)生部的母材一起在同一工序中一并進行構(gòu)圖。
11.一種近場光頭，其對在固定方向上旋轉(zhuǎn)的磁記錄介質(zhì)進行加熱，并對所述磁記錄介質(zhì)施加記錄磁場，從而使所述磁記錄介質(zhì)產(chǎn)生磁化反轉(zhuǎn)，并記錄信息，該近場光頭的特征在于，所述近場光頭具有滑塊，其與所述磁記錄介質(zhì)的表面相對配置；記錄元件，其配置在所述滑塊的前端側(cè)，具有產(chǎn)生所述記錄磁場的磁極；權(quán)利要求1所述的近場光產(chǎn)生元件，其在使所述另一端側(cè)朝向所述磁記錄介質(zhì)側(cè)的狀態(tài)下與所述記錄元件相鄰而固定；以及光束導入單元，其固定在所述滑塊上，使所述光束從所述一端側(cè)導入到所述芯體內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的近場光頭，其特征在于，所述磁極將所述近場光產(chǎn)生部夾在中間而與所述芯體的所述一側(cè)面相對配置，并且從所述傳播方向觀察時，在與所述芯體的所述其他側(cè)面相同的面上配置有所述磁極的外側(cè)端
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的近場光頭，其特征在于，在所述近場光產(chǎn)生部和所述磁極之間形成有分隔膜，該分隔膜對所述近場光產(chǎn)生部和所述磁極之間進行劃分。
14.一種信息記錄再現(xiàn)裝置，其特征在于，該信息記錄再現(xiàn)裝置具有權(quán)利要求11至13中任一項所述的近場光頭；梁，其能夠在與所述磁記錄介質(zhì)的表面平行的方向上移動，在繞平行于所述磁記錄介質(zhì)的表面且相互垂直的2個軸自由轉(zhuǎn)動的狀態(tài)下，在前端側(cè)支承所述近場光頭； 光源，其使所述光束入射到所述光束導入單元；致動器，其支承所述梁的基端側(cè)，并使所述梁朝向與所述磁記錄介質(zhì)的表面平行的方向移動；旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部，其使所述磁記錄介質(zhì)在所述固定方向上旋轉(zhuǎn)；以及控制部，其控制所述記錄元件和所述光源的動作。
全文摘要
本發(fā)明提供可精度良好地對近場光產(chǎn)生部和芯體進行定位來提高近場光的產(chǎn)生效率的近場光產(chǎn)生元件、光頭及其制造方法和信息記錄再現(xiàn)裝置。本發(fā)明的特征在于，具有第1包層形成工序，在基板(120)上形成第1包層(24a)；近場光產(chǎn)生部形成工序，在第1包層(24a)上形成金屬膜母材(151)；芯體形成工序，形成芯體母材，以覆蓋金屬膜母材(151)；構(gòu)圖工序，對芯體母材和金屬膜母材(151)進行構(gòu)圖，形成芯體(23)和金屬膜(51)；以及第2包層形成工序，形成第2包層(24b)，以在與第1包層(24a)之間夾持芯體(23)，在構(gòu)圖工序中，將芯體母材和金屬膜母材(151)在同一工序中一并進行構(gòu)圖。
文檔編號G11B5/31GK102402990SQ20111027241
公開日2012年4月4日 申請日期2011年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月14日
發(fā)明者大海學, 平田雅一 申請人:精工電子有限公司