專利名稱：：存儲器儲存裝置、存儲器控制器與溫度管理方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及ー種用于存儲器儲存裝置的熱點溫度管理方法以及實作此方法的存儲器控制器與存儲器儲存裝置。
背景技術：
：數(shù)碼相機、手機與MP3在這幾年來的成長十分迅速，促使消費者對儲存媒體的需求也急遽增加。由于可復寫式非易失性存儲器(rewritablenon-volatilememory)具有數(shù)據(jù)非易失性、低耗電、體積小、無機械結構且讀寫速度快等多項特性，最適合用在可攜式電子產品，例如手機、個人數(shù)字助理與筆記本式計算機等。另外，由于可復寫式非易失性存儲器(例如以可復寫式非易失性存儲器作為儲存媒體的隨身碟)積小容量大，所以已廣泛用于個人重要數(shù)據(jù)的儲存。因此，近年可復寫式非易失性存儲器產業(yè)成為電子產業(yè)中相當熱門的ー環(huán)。然而，由于現(xiàn)今可復寫式非易失性存儲器儲存裝置的體積越來越小，故而使得可復寫式非易失性存儲器儲存裝置的積熱問題越來越嚴重。若沒有做好散熱以控制可復寫式非易失性存儲器儲存裝置整體溫度的話，則可復寫式非易失性存儲器儲存裝置容易因所堆積的熱而造成數(shù)據(jù)流失，甚至也比較快老化。
發(fā)明內容本發(fā)明提供ー種溫度管理方法、存儲器控制器與存儲器儲存裝置，其得以解決現(xiàn)有技術所述及的問題。本發(fā)明ー示范性實施例提供ー種溫度管理方法，其適于具有可復寫式非易失性存儲器模組以及用以控制可復寫式非易失性存儲器模組的存儲器控制器的存儲器儲存裝置。所提的溫度管理方法包括檢測并判斷存儲器儲存裝置的熱點溫度是否高于ー預設溫度；以及，若是，則致使存儲器控制器執(zhí)行ー降溫程序，藉以降低存儲器儲存裝置的熱點溫度。本發(fā)明另一示范性實施例提供一種存儲器控制器，用以控制可復寫式非易失性存儲器模組，且其包括主機接ロ、存儲器接ロ，以及存儲器管理電路。主機接ロ用以耦接至主機系統(tǒng)。存儲器接ロ用以耦接至可復寫式非易失性存儲器模組。存儲器管理電路耦接至主機接ロ與存儲器接ロ，用以于存儲器儲存裝置的熱點溫度高于ー預設溫度吋，執(zhí)行ー降溫程序以降低存儲器儲存裝置的熱點溫度。于本發(fā)明的一示范性實施例中，所提的存儲器控制器還包括緩沖存儲器，其耦接存儲器管理電路，且用以暫存來自于主機系統(tǒng)的數(shù)據(jù)，或暫存來自于可復寫式非易失性存儲器模組的數(shù)據(jù)。于本發(fā)明的一示范性實施例中，緩沖存儲器可以為動態(tài)隨機存取存儲器。本發(fā)明再一示范性實施例提供一種存儲器儲存裝置，其包括連接器、可復寫式非易失性存儲器模組、溫度傳感器，以及存儲器控制器。連接器用以耦接至主機系統(tǒng)。溫度傳感器用以檢測存儲器儲存裝置的熱點溫度。存儲器控制器耦接至連接器、可復寫式非易失性存儲器模組與溫度傳感器，用以于存儲器儲存裝置的熱點溫度高于ー預設溫度時，執(zhí)行一降溫程序以降低存儲器儲存裝置的熱點溫度。于上述本發(fā)明的一示范性實施例中，可復寫式非易失性存儲器模組包括多顆可復寫式非易失性存儲器芯片?；?，所執(zhí)行的降溫程序至少包括以下其中之一1、降低存儲器控制器內部的工作頻率；2、降低對可復寫式非易失性存儲器模組進行存取的工作頻率；3、減少同時對所有可復寫式非易失性存儲器芯片進行存取的總數(shù)目；4、減少所有可復寫式非易失性存儲器芯片同時處于忙碌狀態(tài)的總數(shù)目；5、増加對可復寫式非易失性存儲器模組下達各控制命令彼此間的間隔時間；6、停止對可復寫式非易失性存儲器模組下達快取編程(cacheprogram)控制命令與快取讀取(cacheread)控制命令；以及7、致使緩沖存儲器于所有可復寫式非易失性存儲器芯片皆處于忙碌(busy)狀態(tài)時進入自我更新模式(self-refreshmode),其中忙碌狀態(tài)代表可復寫式非易失性存儲器芯片正在動作中。在本發(fā)明的一示范性實施例中，降低存儲器控制器內部的工作頻率的實行手段可以為降低存儲器控制器內部的工作頻率至第一頻率，且若存儲器儲存裝置的熱點溫度在存儲器控制器內部的工作頻率降至第一頻率于一預定時間后仍未降低的話，則致使存儲器控制器內部的工作頻率從第一頻率再降至一較低的第二頻率；反之，則致使存儲器控制器內部的工作頻率從第一頻率恢復至ー較高的原始頻率。在本發(fā)明的一示范性實施例中，降低對可復寫式非易失性存儲器模組進行存取的工作頻率的實行手段可以為降低對可復寫式非易失性存儲器模組進行存取的工作頻率(亦即存取頻率)至第一頻率，且若存儲器儲存裝置的熱點溫度在存取頻率降至第一頻率于ー預定時間后仍未降低的話，則致使存取頻率從第一頻率再降至一較低的第二頻率；反之，則致使存取頻率從第一頻率恢復至ー較高的原始頻率。在本發(fā)明的一示范性實施例中，減少同時對所有可復寫式非易失性存儲器芯片進行存取的總數(shù)目的實行手段可以為減少同時對所有可復寫式非易失性存儲器芯片進行存取的總數(shù)目(亦即同一時間存取芯片的總數(shù))至第一數(shù)目，且若存儲器儲存裝置的熱點溫度在同一時間存取芯片的總數(shù)減少至第一數(shù)目于ー預定時間后仍未降低的話，則致使同一時間存取芯片的總數(shù)從第一數(shù)目再減少至一較少的第二數(shù)目；反之，則致使同一時間存取芯片的總數(shù)從第一數(shù)目恢復至ー較多的原始數(shù)目或其他較多的數(shù)目。在本發(fā)明的一示范性實施例中，減少所有可復寫式非易失性存儲器芯片同時處于忙碌狀態(tài)的總數(shù)目的實行手段可以為減少所有可復寫式非易失性存儲器芯片同時處于忙碌狀態(tài)的總數(shù)目(亦即同一時間處于忙碌狀態(tài)的芯片的總數(shù))至第一數(shù)目，且若存儲器儲存裝置的熱點溫度在同一時間處于忙碌狀態(tài)的芯片的總數(shù)減少至第一數(shù)目于ー預定時間后仍未降低的話，則致使同一時間處于忙碌狀態(tài)的芯片的總數(shù)從第一數(shù)目再減少至ー較少的第二數(shù)目；反之，則致使同一時間處于忙碌狀態(tài)的芯片的總數(shù)從第一數(shù)目恢復至ー較多的原始數(shù)目或其他較多的數(shù)目。基于上述，本發(fā)明能夠在存儲器儲存裝置的熱點溫度達到ー預設溫度時執(zhí)行多種/単一的降溫程序/機制，由此即可趨緩(可復寫式非易失性)存儲器儲存裝置積熱的問題。應了解的是，上述一般描述及以下具體實施方式僅為例示性及闡釋性的，其并不能限制本發(fā)明所欲主張的范圍。下面的附圖是本發(fā)明的說明書的一部分，顯示了本發(fā)明的示例實施例，附圖與說明書的描述一起說明本發(fā)明的原理。圖1A是根據(jù)本發(fā)明ー示范性實施例所顯示的使用存儲器儲存裝置的主機系統(tǒng)的示意圖。圖1B是根據(jù)本發(fā)明ー示范性實施例所顯示的計算機、輸入/輸出裝置與存儲器儲存裝置的示意圖。圖1C是根據(jù)本發(fā)明另一范例實施例所顯示的主機系統(tǒng)與存儲器儲存裝置的示意圖。圖2是顯示圖1A所示的存儲器儲存裝置的方框圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明ー示范性實施例所顯示的存儲器控制器的概要方框圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明ー示范性實施例所顯示的適于具有可復寫式非易失性存儲器模組的存儲器儲存裝置的溫度管理方法流程圖。附圖標記100:存儲器儲存裝置1000:主機系統(tǒng)1100:計算機1102:微處理器1104:隨機存取存儲器1106:輸入/輸出裝置IlO8:系統(tǒng)總線1110:數(shù)據(jù)傳輸接ロI加2:鼠標1204:鍵盤1206:顯示器1208:打印機1212:隨身碟1214:記憶卡1216:固態(tài)硬盤1310:數(shù)碼相機1312SD卡1314:MMC卡1316:記憶棒1318:CF卡1320:嵌入式儲存裝置202:連接器204:存儲器控制器206:可復寫式非易失性存儲器模組208:溫度傳感器2041:主機接ロ2043:存儲器管理電路2045:存儲器接ロ2047:緩沖存儲器3002:錯誤檢查與校正電路3004:電源管理電路Die-1Die-N:可復寫式非易失性存儲器芯片S401、S403:溫度管理的步驟具體實施例方式現(xiàn)將詳細參考本發(fā)明的示范性實施例，在附圖中說明所述示范性實施例的實例。另外，凡可能之處，在附圖及實施方式中使用相同標號的元件/構件代表相同或類似部分。一般而言，存儲器儲存裝置(亦稱，存儲器儲存系統(tǒng))包括可復寫式非易失性存儲器模組(rewritablenon-volatilememorymodule)與存儲器控制器(memorycontroller，亦稱，存儲器控制電路)。通常存儲器儲存裝置是與主機系統(tǒng)一起使用，以使主機系統(tǒng)可將數(shù)據(jù)寫入至存儲器儲存裝置或者從存儲器儲存裝置中讀取數(shù)據(jù)。圖1A是根據(jù)本發(fā)明ー示范性實施例所顯示的使用存儲器儲存裝置的主機系統(tǒng)的示意圖。主機系統(tǒng)1000包括計算機1100與輸入/輸出(Input/Output，1/0)裝置1106。計算機1100包括微處理器(microprocessor)1102、隨機存取存儲器(RandomAccessMemory,RAM)1104、系統(tǒng)總線(systembus)1108,以及數(shù)據(jù)傳輸接ロ(datatransmissioninterface)1110。輸入/輸出(1/0)裝置1106可以包括如圖1B所示的鼠標1202、鍵盤1204、顯示器1206與打印機1208。必須了解的是，圖1B所示的裝置非限制輸入/輸出裝置1106，輸入/輸出裝置1106可還包括其他裝置。于本示范性實施例中，存儲器儲存裝置100可以通過數(shù)據(jù)傳輸接ロ1110與主機系統(tǒng)1000的其他元件/部件耦接。藉由微處理器1102、隨機存取存儲器1104以及輸入/輸出裝置1106的運作，主機系統(tǒng)1000可將數(shù)據(jù)寫入至存儲器儲存裝置100，或從存儲器儲存裝置100中讀取數(shù)據(jù)。其中，存儲器儲存裝置100可以是如圖1B所示的記憶卡1214、隨身碟1212、或固態(tài)硬盤(SolidStateDrive,SSD)1216。一般而言，主機系統(tǒng)1000為可儲存數(shù)據(jù)的任意系統(tǒng)。雖然在本示范性實施例的主機系統(tǒng)1000是以計算機系統(tǒng)為例來進行說明。然而，在本發(fā)明另一示范性實施例中，主機系統(tǒng)1000亦可以是手機、數(shù)碼相機、攝像機、通信裝置、音頻播放器或視頻播放器等系統(tǒng)。例如，如圖1C所示，假設主機系統(tǒng)為數(shù)碼相機1310的話，則存儲器儲存裝置100可以為其所使用的安全數(shù)碼(SecureDigital,SD)卡1312、多媒體記憶(MultimediaCard,MMC)卡1314、記憶棒(MemoryStick)1316、小型閃速(CompactFlash,CF)卡1318或嵌入式儲存裝置1320。其中，嵌入式儲存裝置1320包括嵌入式多媒體卡(EmbeddedMMC，eMMC)。值得一提的是，嵌入式多媒體卡是直接耦接于主機系統(tǒng)的基板上。圖2是顯示圖1A所示的存儲器儲存裝置100的方框圖。請參照圖2，存儲器儲存裝置100包括連接器(connector)202、存儲器控制器204(memorycontroller)、可復寫式非易失性存儲器模組(rewritablenon-volatilememorymodule)206,以及溫度傳感器(thermalsensorノ208。連接器202耦接至存儲器控制器204，并且用以耦接主機系統(tǒng)1000。于本示范性實施例中，連接器202所支持的傳輸接ロ種類可以為串行高級技術附件(SerialAdvancedTechnologyAttachment,SATA)接ロ。然而，在其他示范性實施例中，連接器202的傳輸接ロ種類也可以是通用串行總線(UniversalSerialBus，USB)接ロ、多媒體儲存卡(MultimediaCard,MMC)接ロ、平行高級技術附件(ParallelAdvancedTechnologyAttachment,PATA)接ロ、電氣和電子工程師協(xié)會(InstituteofElectricalandElectronicEngineers,IEEE)1394接ロ、高速周邊零件連接接ロ(PeripheralComponentInterconnectExpress,PCIExpress)接ロ、安全數(shù)碼(SecureDigital,SD)接ロ、記憶棒(MemoryStick,MS)接ロ、小型閃速(CompactFlash,CF)接ロ，或整合驅動電子(IntegratedDriveElectronics,IDE)接ロ等任何適用的接ロ，在此并不加以限制。存儲器控制器204會執(zhí)行以硬件型式或固件型式實作的多個邏輯門或控制指令，并根據(jù)主機系統(tǒng)1000的主機指令在可復寫式非易失性存儲器模組206中進行數(shù)據(jù)的寫入、讀取與抹除等運作。其中，存儲器控制器204還特別用以根據(jù)本示范性實施例的溫度管理方法而能在存儲器儲存裝置100的熱點溫度(hot-spottemperature)達到ー預設溫度時執(zhí)行多種降溫的機制，由此趨緩(可復寫式非易失性)存儲器儲存裝置100積熱的問題。本示范性實施例的溫度管理方法將于后配合附圖再作說明?？蓮蛯懯椒且资源鎯ζ髂＝M206耦接至存儲器控制器204，且具有多顆可復寫式非易失性存儲器芯片(rewritablenon-volatilememorydie)Die-1Die_N。而且，可復寫式非易失性存儲器芯片Die-1Die-N可以為多階存儲單元(MultiLevelCell，MLC)NAND閃速存儲器芯片，但本發(fā)明不限于此，可復寫式非易失性存儲器芯片Die-1Die-N也可以是單階存儲單元(SingleLevelCell,SLC)NAND閃速存儲器芯片、其他閃速存儲器芯片或任何具有相同特性的存儲器芯片。溫度傳感器208耦接存儲器控制器204，用以檢測存儲器儲存裝置100的熱點溫度。于本示范性實施例中，溫度傳感器208可以配置在存儲器儲存裝置100中具有最高熱源的地方，例如可復寫式非易失性存儲器模組206的附近，但并不限制于此。圖3是根據(jù)本發(fā)明ー示范性實施例所顯示的存儲器控制器204的概要方框圖。請參照圖3，存儲器控制器204包括主機接ロ2041、存儲器管理電路2043、存儲器接ロ2045，以及緩沖存儲器2047。主機接ロ2041耦接至存儲器管理電路2043，并通過連接器202以耦接主機系統(tǒng)1000。主機接ロ2041用以接收與識別主機系統(tǒng)1000所傳送的指令與數(shù)據(jù)。據(jù)此，主機系統(tǒng)1000所傳送的指令與數(shù)據(jù)會通過主機接ロ2041而傳送至存儲器管理電路2043。于本示范性實施例中，主機接ロ2041對應連接器202而為SATA接ロ，而在其他示范性實施例中，主機接ロ2041也可以是USB接ロ、MMC接ロ、PATA接ロ、IEEE1394接ロ、PCIExpress接ロ、SD接ロ、MS接ロ、CF接ロ、IDE接ロ或符合其他接ロ標準的接ロ。存儲器管理電路2043用以管理/控制存儲器控制器204的整體運作，例如將每一可復寫式非易失性存儲器芯片Die-1Die-N中的多個實體區(qū)塊分組為多個實體單元來進行存取，并且記錄主機系統(tǒng)1000所存取的邏輯存取地址與實體區(qū)塊內的實體地址之間的映射關系。于本示范性實施例中，存儲器管理電路2043會配置對應的邏輯單元，來映射實體單元，以利主機系統(tǒng)1000進行數(shù)據(jù)存取?；耍鎯ζ鞴芾黼娐繁仨氂涗涍壿媶卧c實體單元之間不斷更動的映射關系(即，維護邏輯單元-實體單元映射表)。另外，存儲器管理電路2043還可經由與溫度傳感器208溝通后，而于存儲器儲存裝置100的熱點溫度達到ー預設溫度時執(zhí)行降溫的程序(此降溫程序可經由存儲器儲存裝置100的固件或硬件來驅動或執(zhí)行，容后再詳述)，藉以降低存儲器儲存裝置100的熱點溫度。存儲器接ロ2045耦接至存儲器管理電路2043，以使存儲器控制器204與可復寫式非易失性存儲器模組206相耦接。據(jù)此，存儲器控制器204可對可復寫式非易失性存儲器模組206進行相關運作。也就是說，欲寫入至可復寫式非易失性存儲器模組206的數(shù)據(jù)會經由存儲器接ロ2045轉換為可復寫式非易失性存儲器模組206所能接受的格式。緩沖存儲器2047可以是動態(tài)隨機存取存儲器(DynamicRandomAccessMemory,DRAM)，例如DDR存儲器，但本發(fā)明并不加以限制。緩沖存儲器2047耦接至存儲器管理電路2043，用以暫存來自于主機系統(tǒng)1000的數(shù)據(jù)，或暫存來自于可復寫式非易失性存儲器模組206的數(shù)據(jù)。于本發(fā)明的另ー示范性實施例中，存儲器控制器204還可以包括錯誤檢查與校正電路3002。錯誤檢查與校正電路3002耦接至存儲器管理電路2043，用以執(zhí)行錯誤檢查與校正程序以確保數(shù)據(jù)的正確性。具體而言，當存儲器管理電路2043接收到來自主機系統(tǒng)1000的寫入指令時，錯誤檢查與校正電路3002會為對應此寫入指令的數(shù)據(jù)產生對應的錯誤檢查與校正碼(ErrorCheckingandCorrectingCode,ECCCode),且存儲器管理電路2043會將對應此寫入指令的數(shù)據(jù)與對應的錯誤檢查與校正碼寫入至可復寫式非易失性存儲器模組206。之后，當存儲器管理電路2043從可復寫式非易失性存儲器模組206中讀取數(shù)據(jù)時，會同時讀取此數(shù)據(jù)對應的錯誤檢查與校正碼，且錯誤檢查與校正電路3002會依據(jù)此錯誤檢查與校正碼對所讀取的數(shù)據(jù)執(zhí)行錯誤檢查與校正程序。于本發(fā)明又一示范性實施例中，存儲器控制器204還可以包括電源管理電路3004。電源管理電路3004耦接至存儲器管理電路2043，用以控制存儲器儲存裝置100的電源。當然，存儲器控制器204還可以包括現(xiàn)今任何控制/管理可復寫式非易失性存儲器模組206所需的其它元件/部件，故而在此并不再加以贅述之?；?，請再次回顧現(xiàn)有技術所掲示的內容，由于現(xiàn)今可復寫式非易失性存儲器儲存裝置的體積越來越小，故而使得可復寫式非易失性存儲器儲存裝置的積熱問題越來越嚴重。若沒有做好散熱以控制可復寫式非易失性存儲器儲存裝置整體溫度的話，則可復寫式非易失性存儲器儲存裝置容易因所堆積的熱而造成數(shù)據(jù)流失(dataloss)，甚至也比較快老化(ageing)。有鑒于此，于本示范性實施例中，存儲器管理電路2043可以與溫度傳感器208進行溝通以得知可復寫式非易失性存儲器模組206本身、周遭或此存儲器儲存裝置100內部的溫度是否高于ー預設溫度(即，所設定的溫度)，其中在本文中此溫度傳感器208所測得的溫度稱為存儲器儲存裝置100的熱點溫度。舉例來說，存儲器管理電路2043可以于每執(zhí)行一定數(shù)量的控制指令(例如，讀取、寫入、抹除...等指令)或一定時間內就與溫度傳感器208進行溝通，藉以得知存儲器儲存裝置100的熱點溫度是否高于所設定的溫度?；蛘撸瑴囟葌鞲衅?08亦可于檢測到存儲器儲存裝置100的熱點溫度高于所設定的溫度時就發(fā)出一中斷命令以讓存儲器管理電路2043得知存儲器儲存裝置100的熱點溫度已高于所設定的溫度。顯然地，存儲器管理電路2043可以選擇主動或被動的方式得知存儲器儲存裝置100的熱點溫度是否高于所設定的溫度。一旦存儲器管理電路2043得知存儲器儲存裝置100的熱點溫度已高于所設定的溫度(即，預設溫度)的話，則存儲器管理電路2043就會于存儲器儲存裝置100的熱點溫度高于所設定的溫度時，執(zhí)行與存儲器儲存裝置100的固件相關聯(lián)的降溫程序(coolingprocess)，藉以降低存儲器儲存裝置100的熱點溫度。如此一來，即可趨緩(可復寫式非易失性)存儲器儲存裝置100積熱的問題，進而趨緩(可復寫式非易失性)存儲器儲存裝置100的數(shù)據(jù)流失與老化的問題。更清楚來說，存儲器管理電路2043所執(zhí)行的降溫程序至少可以有以下幾種選擇1、降低存儲器控制器204內部的工作頻率；2、降低對可復寫式非易失性存儲器模組206進行存取(access，即讀與寫)的工作頻率；3、減少同時對可復寫式非易失性存儲器芯片Die-1Die-N進行存取的總數(shù)目；4、減少可復寫式非易失性存儲器芯片Die-1Die-N同時處于忙碌(busy)狀態(tài)的總數(shù)目，其中忙碌狀態(tài)代表可復寫式非易失性存儲器芯片Die-1Die-N正在動作中；5、增加對可復寫式非易失性存儲器模組206下達(每一)控制命令的間隔時間，亦即每一命令彼此間的間隔時間增加；6、停止對可復寫式非易失性存儲器模組206下達快取編程(cacheprogram,15H)控制命令與快取讀取(cacheread,10H)控制命令；以及7、致使緩沖存儲器(即，動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM))2047于可復寫式非易失性存儲器芯片Die-1Die-N皆處于忙碌狀態(tài)時進入自我更新模式(self-refreshmode),其中所謂的“自我更新模式”意指在不遺失儲存于動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的條件下，允許某一系統(tǒng)暫時停止對應于動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的控制器的運作，藉以節(jié)省電力。在本發(fā)明的一示范性實施例中，降低存儲器控制器204內部的工作頻率的實行手段可以為(但并不限制于此)降低存儲器控制器204內部的工作頻率至第一頻率，且當存儲器儲存裝置100的熱點溫度降低至一安全溫度后(其中，此安全溫度可不高于驅動降溫程序啟動的預定溫度)，則致使存儲器控制器204內部的工作頻率恢復至一較高的原始頻率。更詳細地說，在本發(fā)明的另一示范性實施例中，此存儲器儲存裝置100還可以于熱點溫度在存儲器控制器204內部的工作頻率降至第一頻率于一預定時間(其由實際設計需求/應用而決定)后仍未降低的話，則還致使存儲器控制器204內部的工作頻率從第一頻率再降至一較低的第二頻率，并當此熱點溫度降低至安全溫度后，致使此存儲器控制器204內部的工作頻率由第二頻率階段性地或直接地回復/恢復至原始頻率；反之(亦即，存儲器儲存裝置100的熱點溫度在存儲器控制器204內部的工作頻率降至第一頻率于所述預定時間后已降低的話)，則致使存儲器控制器204內部的工作頻率從第一頻率恢復至原始頻率。在本發(fā)明的一示范性實施例中，降低對可復寫式非易失性存儲器模組206進行存取的工作頻率的實行手段可以為(但并不限制于此)降低對可復寫式非易失性存儲器模組206進行存取的工作頻率(亦即存取頻率)，且當存儲器儲存裝置100的熱點溫度降低至一安全溫度后(其中，此安全溫度可不高于驅動降溫程序啟動的預定溫度)，則致使存取頻率恢復至一較高的原始頻率。更詳細地說，在本發(fā)明的另一示范性實施例中，此存儲器儲存裝置100還可于此熱點溫度在存取頻率降至第一頻率于一預定時間(其由實際設計需求/應用而決定)后仍未降低的話，則致使存取頻率從第一頻率再降至一較低的第二頻率，并當此熱點溫度降低至安全溫度后，致使此存取頻率由第二頻率階段性地或直接地回復/恢復至原始頻率；反之，則致使存取頻率從第一頻率恢復至原始頻率。在本發(fā)明的一示范性實施例中，減少同時對可復寫式非易失性存儲器芯片Die-1Die-N進行存取的總數(shù)目的實行手段可以為(但并不限制于此)減少同時對可復寫式非易失性存儲器芯片Die-1Die-N進行存取的總數(shù)目(亦即同一時間存取芯片的總數(shù))至第一數(shù)目，且當存儲器儲存裝置100的熱點溫度降低至一安全溫度后(其中，此安全溫度可不高于驅動降溫程序啟動的預定溫度)，則致使總數(shù)目恢復至一較高的原始數(shù)目。更詳細地說，在本發(fā)明的另一示范性實施例中，若存儲器儲存裝置100的熱點溫度在同一時間存取芯片的總數(shù)減少至第一數(shù)目于一預定時間(其由實際設計需求/應用而決定)后仍未降低的話，則還致使同一時間存取芯片的總數(shù)從第一數(shù)目再減少至一較少的第二數(shù)目，并當此熱點溫度降低至安全溫度后，致使同一時間存取芯片的總數(shù)由第二數(shù)目階段性地或直接地回復/恢復至原始數(shù)目；反之，則致使同一時間存取芯片的總數(shù)從第一數(shù)目恢復至原始數(shù)目或其他較多的數(shù)目。在本發(fā)明的一示范性實施例中，減少可復寫式非易失性存儲器芯片Die-1Die-N同時處于忙碌狀態(tài)的總數(shù)目的實行手段可以為(但并不限制于此)減少可復寫式非易失性存儲器芯片Die-1Die-N同時處于忙碌狀態(tài)的總數(shù)目(亦即同一時間處于忙碌狀態(tài)的芯片的總數(shù))至第一數(shù)目，且當存儲器儲存裝置100的熱點溫度降低至一安全溫度后，則致使Die-1Die-N同時處于忙碌狀態(tài)的總數(shù)目恢復至一較高的原始數(shù)目。更詳細地說，在本發(fā)明的另一示范性實施例中，若存儲器儲存裝置100的熱點溫度在同一時間處于忙碌狀態(tài)的芯片的總數(shù)減少至第一數(shù)目于一預定時間(其由實際設計需求/應用而決定)后仍未降低的話，則還致使同一時間處于忙碌狀態(tài)的芯片的總數(shù)從第一數(shù)目再減少至一較少的第二數(shù)目，并當此熱點溫度降低至安全溫度后，致使Die-1Die-N同時處于忙碌狀態(tài)的總數(shù)目由第二數(shù)目階段性地或直接地回復/恢復至原始數(shù)目；反之，則致使同一時間處于忙碌狀態(tài)的芯片的總數(shù)從第一數(shù)目恢復至原始數(shù)目或其他較多的數(shù)目。于此值得一提的是，在可復寫式非易失性存儲器芯片支持快取編程與快取讀取的功能的條件下，可復寫式非易失性存儲器芯片中會具有兩組緩沖器(buffer，未顯示)，例如第一緩沖器與第二緩沖器。當存儲器控制器發(fā)出寫入命令至可復寫式非易失性存儲器芯片時，可復寫式非易失性存儲器芯片中的微處理單元(MCU，未顯示)會接收來自于存儲器控制器的一筆寫入數(shù)據(jù)，并且將該筆寫入數(shù)據(jù)暫存在第一緩沖器中。隨后，當存儲器控制器下達快取編程控制命令時，則可復寫式非易失性存儲器芯片中的微處理單元會將原先暫存在第一緩沖器中的寫入數(shù)據(jù)搬移至第二緩沖器中，并且回應存儲器控制器已寫入完成。與此同時，存儲器控制器即可再對可復寫式非易失性存儲器芯片發(fā)出下一寫入命令。換言之，快取編程控制命令的特征是使可復寫式非易失性存儲器芯片可同時接收存儲器控制器所發(fā)送的一數(shù)據(jù)及將另一數(shù)據(jù)進行寫入/編程。另外，快取讀取控制命令的特征是將可復寫式非易失性存儲器芯片中的數(shù)據(jù)直接讀出至第一緩沖器，而后送至存儲器控制器。與此同時，第二緩沖器先前所暫存的數(shù)據(jù)也得以進行寫入/編成。于本示范性實施例中，存儲器控制電路2043所執(zhí)行的任一種降溫程序都可以有效地降低存儲器儲存裝置100的熱點溫度，而且這幾種降溫程序可以被單獨地執(zhí)行，或者以組合的方式而被執(zhí)行，甚至還可以設定優(yōu)先順序而被逐一地執(zhí)行，一切端視實際設計需求而論。當然，除了以上所提的幾種降溫程序外，其它由存儲器儲存裝置100的存儲器控制器204執(zhí)行的降溫程序也屬于本發(fā)明所欲保護的范疇之一，故而上述所舉的幾種降溫程序并不得用以限制本發(fā)明所欲主張的范圍。基于上述各示范性實施例所揭示/教示的內容，圖4是根據(jù)本發(fā)明一示范性實施例所顯示的適于具有可復寫式非易失性存儲器模組的存儲器儲存裝置的溫度管理方法流程圖。于本示范性實施例中，可復寫式非易失性存儲器模組可包括多顆可復寫式非易失性存儲器芯片。另外，存儲器儲存裝置還包括用以控制可復寫式非易失性存儲器模組的存儲器控制器，以及用以檢測存儲器儲存裝置的熱點溫度的傳感器。其中，存儲器控制器具有緩沖存儲器，且此緩沖存儲器可以為動態(tài)隨機存取存儲器或其它型式的暫存存儲器?；耍垍⒄請D4，本示范性實施例的溫度管理方法包括檢測并判斷存儲器儲存裝置的熱點溫度是否高于一預設溫度(步驟S401)；以及若是，則致使存儲器控制器204執(zhí)行一降溫程序(步驟S403)，藉以降低存儲器儲存裝置的熱點溫度；否則，返回步驟S401以持續(xù)檢測并判斷存儲器儲存裝置的熱點溫度是否高于預設溫度。于步驟S403中所執(zhí)行的降溫程序至少包括以下其中之一1、降低存儲器控制器內部的工作頻率；2、降低對可復寫式非易失性存儲器模組進行存取的工作頻率；3、減少同時對所有可復寫式非易失性存儲器芯片進行存取的總數(shù)目；4、減少所有可復寫式非易失性存儲器芯片同時處于忙碌狀態(tài)的總數(shù)目；5、增加對可復寫式非易失性存儲器模組下達各控制命令彼此間的間隔時間；6、停止對可復寫式非易失性存儲器模組下達快取編程控制命令與快取讀取控制命令；以及7、致使緩沖存儲器于所有可復寫式非易失性存儲器芯片皆處于忙碌狀態(tài)時進入自我更新模式。于本實施例中，降低存儲器控制器內部的工作頻率的實行手段、降低對可復寫式非易失性存儲器模組進行存取的工作頻率的實行手段、減少同時對所有可復寫式非易失性存儲器芯片進行存取的總數(shù)目的實行手段，以及減少所有可復寫式非易失性存儲器芯片同時處于忙碌狀態(tài)的總數(shù)目的實行手段皆可以與上述實施例類似，故而在此并不再加以贅述之。相似地，于步驟S403中所執(zhí)行的任一種降溫程序都可以有效地降低存儲器儲存裝置的熱點溫度，而且這幾種降溫程序可以被單獨地執(zhí)行，或者以組合的方式而被執(zhí)行，甚至還可以設定優(yōu)先順序而被逐一地執(zhí)行，一切端視實際設計需求而論。綜上所述，本發(fā)明所提的各示范性實施例能夠在存儲器儲存裝置的熱點溫度達到一預設溫度時執(zhí)行多種/單一與存儲器儲存裝置的固件相關聯(lián)的降溫程序/機制，由此即可趨緩體(可復寫式非易失性)存儲器儲存裝置積熱的問題，進而趨緩(可復寫式非易失性)存儲器儲存裝置的數(shù)據(jù)流失與老化的問題。惟以上所述者，僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，當不能以此限定本發(fā)明實施的范圍，即大凡依本發(fā)明權利要求及發(fā)明說明內容所作的簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發(fā)明專利涵蓋的范圍內。另外本發(fā)明的任一實施例或權利要求不須達成本發(fā)明所揭示的全部目的或優(yōu)點或特點。此外，摘要部分和標題僅是用來輔助專利文件搜尋之用，并非用來限制本發(fā)明的范圍。權利要求1.一種溫度管理方法，適于一存儲器儲存裝置，其中該存儲器儲存裝置具有一可復寫式非易失性存儲器模組以及用以控制該可復寫式非易失性存儲器模組的一存儲器控制器，而該溫度管理方法包括檢測并判斷該存儲器儲存裝置的熱點溫度是否高于一預設溫度；以及若是，則致使該存儲器控制器執(zhí)行一降溫程序，藉以降低該存儲器儲存裝置的熱點溫度。2.根據(jù)權利要求1所述的溫度管理方法，其中該降溫程序包括降低該存儲器控制器內部的一工作頻率至一第一頻率；以及當該存儲器儲存裝置的熱點溫度降低至一安全溫度后，則致使該工作頻率恢復至一較高的原始頻率。3.根據(jù)權利要求1所述的溫度管理方法，其中該降溫程序包括降低對該可復寫式非易失性存儲器模組進行存取的一工作頻率至一第一頻率；以及若該存儲器儲存裝置的熱點溫度降低至一安全溫度，則致使該工作頻率恢復至一較高的原始頻率。4.根據(jù)權利要求1所述的溫度管理方法，其中該可復寫式非易失性存儲器模組包括多顆可復寫式非易失性存儲器芯片，而該降溫程序包括減少同時對該些可復寫式非易失性存儲器芯片進行存取的一總數(shù)目至一第一數(shù)目；以及若該存儲器儲存裝置的熱點溫度在該總數(shù)目減少至該第一數(shù)目后降低至一安全溫度，則致使該總數(shù)目恢復至一較多的原始數(shù)目。5.根據(jù)權利要求1所述的溫度管理方法，其中該可復寫式非易失性存儲器模組包括多顆可復寫式非易失性存儲器芯片，而該降溫程序包括減少該些可復寫式非易失性存儲器芯片同時處于一忙碌狀態(tài)的一總數(shù)目至一第一數(shù)目，其中該忙碌狀態(tài)代表該些可復寫式非易失性存儲器芯片正在動作中；以及若該存儲器儲存裝置的熱點溫度在該總數(shù)目減少至該第一數(shù)目后降低至一安全溫度，則致使該總數(shù)目恢復至一較多的原始數(shù)目。6.根據(jù)權利要求1所述的溫度管理方法，其中該降溫程序包括增加對該可復寫式非易失性存儲器模組下達各控制命令彼此間的間隔時間。7.根據(jù)權利要求1所述的溫度管理方法，其中該降溫程序包括停止對該可復寫式非易失性存儲器模組下達一快取編程控制命令與一快取讀取控制命令。8.根據(jù)權利要求1所述的溫度管理方法，其中該存儲器控制器具有一緩沖存儲器，該緩沖存儲器包括一動態(tài)隨機存取存儲器，該可復寫式非易失性存儲器模組包括多顆可復寫式非易失性存儲器芯片，而該降溫程序包括致使該緩沖存儲器于該些可復寫式非易失性存儲器芯片皆處于一忙碌狀態(tài)時進入一自我更新模式。9.根據(jù)權利要求1所述的溫度管理方法，其中該存儲器控制器具有一緩沖存儲器，該緩沖存儲器包括一動態(tài)隨機存取存儲器，該可復寫式非易失性存儲器模組包括多顆可復寫式非易失性存儲器芯片，而該降溫程序至少包括以下其中之一降低該存儲器控制器內部的一工作頻率；降低對該可復寫式非易失性存儲器模組進行存取的一工作頻率；減少同時對該些可復寫式非易失性存儲器芯片進行存取的一總數(shù)目；減少該些可復寫式非易失性存儲器芯片同時處于一忙碌狀態(tài)的一總數(shù)目；增加對該可復寫式非易失性存儲器模組下達各控制命令彼此間的間隔時間；停止對該可復寫式非易失性存儲器模組下達一快取編程控制命令與一快取讀取控制命令；以及致使該緩沖存儲器于該些可復寫式非易失性存儲器芯片皆處于一忙碌狀態(tài)時進入一自我更新模式。10.一種存儲器控制器，用以控制一可復寫式非易失性存儲器模組，而該存儲器控制器包括一主機接口，用以I禹接至一主機系統(tǒng)；一存儲器接口，用以耦接至該可復寫式非易失性存儲器模組；以及一存儲器管理電路，耦接至該主機接口與該存儲器接口，用以于該存儲器儲存裝置的熱點溫度高于一預設溫度時，執(zhí)行一降溫程序以降低該存儲器儲存裝置的熱點溫度。11.根據(jù)權利要求10所述的存儲器控制器，其中該可復寫式非易失性存儲器模組包括多顆可復寫式非易失性存儲器芯片，而該存儲器控制器還包括一緩沖存儲器，耦接該存儲器管理電路，用以暫存來自于該主機系統(tǒng)的數(shù)據(jù)，或暫存來自于該可復寫式非易失性存儲器模組的數(shù)據(jù)，其中，該緩沖存儲器包括一動態(tài)隨機存取存儲器；以及其中，該存儲器管理電路所執(zhí)行的該降溫程序至少包括以下其中之一降低該存儲器控制器內部的一工作頻率；降低對該可復寫式非易失性存儲器模組進行存取的一工作頻率；減少同時對該些可復寫式非易失性存儲器芯片進行存取的一總數(shù)目；減少該些可復寫式非易失性存儲器芯片同時處于一忙碌狀態(tài)的一總數(shù)目；增加對該可復寫式非易失性存儲器模組下達各控制命令彼此間的間隔時間；停止對該可復寫式非易失性存儲器模組下達一快取編程控制命令與一快取讀取控制命令；以及致使該緩沖存儲器于該些可復寫式非易失性存儲器芯片皆處于一忙碌狀態(tài)時進入一自我更新模式。12.—種存儲器儲存裝置，包括一連接器，用以耦接至一主機系統(tǒng)；一可復寫式非易失性存儲器模組；一溫度傳感器，用以檢測該存儲器儲存裝置的熱點溫度；以及一存儲器控制器，耦接至該連接器、該可復寫式非易失性存儲器模組與該溫度傳感器，用以于該存儲器儲存裝置的熱點溫度高于一預設溫度時，執(zhí)行一降溫程序以降低該存儲器儲存裝置的熱點溫度。13.根據(jù)權利要求12所述的存儲器儲存裝置，其中該可復寫式非易失性存儲器模組包括多顆可復寫式非易失性存儲器芯片，而該存儲器控制器包括一王機接口，用以I禹接至該王機系統(tǒng)；一存儲器接口，用以耦接至該可復寫式非易失性存儲器模組；一存儲器管理電路，耦接至該主機接口與該存儲器接口，用以于該存儲器儲存裝置的熱點溫度高于該預設溫度時，執(zhí)行該降溫程序；以及一緩沖存儲器，耦接該存儲器管理電路，用以暫存來自于該主機系統(tǒng)的數(shù)據(jù)，或暫存來自于該可復寫式非易失性存儲器模組的數(shù)據(jù)。14.根據(jù)權利要求13所述的存儲器儲存裝置，其中該存儲器管理電路所執(zhí)行的該降溫程序包括降低該存儲器控制器內部的一工作頻率至一第一頻率；以及若該存儲器儲存裝置的熱點溫度在該工作頻率降至該第一頻率于一預定時間后未降低的話，則致使該工作頻率從該第一頻率降至一較低的第二頻率；反之，則致使該工作頻率從該第一頻率恢復至一較高的原始頻率。15.根據(jù)權利要求13所述的存儲器儲存裝置，其中該存儲器管理電路所執(zhí)行的該降溫程序包括降低對該可復寫式非易失性存儲器模組進行存取的一工作頻率至一第一頻率；以及若該存儲器儲存裝置的熱點溫度在該工作頻率降至該第一頻率于一預定時間后未降低的話，則致使該工作頻率從該第一頻率降至一較低的第二頻率；反之，則致使該工作頻率從該第一頻率恢復至一較高的原始頻率。16.根據(jù)權利要求13所述的存儲器儲存裝置，其中該存儲器管理電路所執(zhí)行的該降溫程序包括減少同時對該些可復寫式非易失性存儲器芯片進行存取的一總數(shù)目至一第一數(shù)目；以及若該存儲器儲存裝置的熱點溫度在該總數(shù)目減少至該第一數(shù)目于一預定時間后未降低的話，則致使該總數(shù)目從該第一數(shù)目減少至一較少的第二數(shù)目；反之，則致使該總數(shù)目從該第一數(shù)目恢復至一較多的原始數(shù)目。17.根據(jù)權利要求13所述的存儲器儲存裝置，其中該存儲器管理電路所執(zhí)行的該降溫程序包括減少該些可復寫式非易失性存儲器芯片同時處于一忙碌狀態(tài)的一總數(shù)目至一第一數(shù)目，其中該忙碌狀態(tài)代表該些可復寫式非易失性存儲器芯片正在動作中；以及若該存儲器儲存裝置的熱點溫度在該總數(shù)目減少至該第一數(shù)目于一預定時間后未降低的話，則致使該總數(shù)目從該第一數(shù)目減少至一較少的第二數(shù)目；反之，則致使該總數(shù)目從該第一數(shù)目恢復至一較多的原始數(shù)目。18.根據(jù)權利要求13所述的存儲器儲存裝置，其中該存儲器管理電路所執(zhí)行的該降溫程序包括增加對該可復寫式非易失性存儲器模組下達各控制命令彼此間的間隔時間。19.根據(jù)權利要求13所述的存儲器儲存裝置，其中該存儲器管理電路所執(zhí)行的該降溫程序包括停止對該可復寫式非易失性存儲器模組下達一快取編程控制命令與一快取讀取控制命令。20.根據(jù)權利要求13所述的存儲器儲存裝置，其中該緩沖存儲器包括一動態(tài)隨機存取存儲器。21.根據(jù)權利要求20所述的存儲器儲存裝置，其中該存儲器管理電路所執(zhí)行的該降溫程序包括致使該緩沖存儲器于該些可復寫式非易失性存儲器芯片皆處于一忙碌狀態(tài)時進入一自我更新模式。22.根據(jù)權利要求20所述的存儲器儲存裝置，其中該存儲器管理電路所執(zhí)行的該降溫程序至少包括以下其中之一降低該存儲器控制器內部的一工作頻率；降低對該可復寫式非易失性存儲器模組進行存取的一工作頻率；減少同時對該些可復寫式非易失性存儲器芯片進行存取的一總數(shù)目；減少該些可復寫式非易失性存儲器芯片同時處于一忙碌狀態(tài)的一總數(shù)目；增加對該可復寫式非易失性存儲器模組下達各控制命令彼此間的間隔時間；停止對該可復寫式非易失性存儲器模組下達一快取編程控制命令與一快取讀取控制命令；以及致使該緩沖存儲器于該些可復寫式非易失性存儲器芯片皆處于一忙碌狀態(tài)時進入一自我更新模式。全文摘要一種存儲器儲存裝置、存儲器控制器與溫度管理方法，溫度管理方法適于具有可復寫式非易失性存儲器模組以及用以控制可復寫式非易失性存儲器模組的存儲器控制器的存儲器儲存裝置。所提的溫度管理方法包括檢測并判斷存儲器儲存裝置的熱點溫度是否高于一預設溫度；以及，若是，則致使存儲器控制器執(zhí)行一降溫程序，藉以降低存儲器儲存裝置的熱點溫度。如此一來，即可趨緩(可復寫式非易失性)存儲器儲存裝置積熱的問題，進而趨緩(可復寫式非易失性)存儲器儲存裝置的數(shù)據(jù)流失與老化的問題。文檔編號G11C11/406GK103035282SQ20111029360公開日2013年4月10日申請日期2011年9月30日優(yōu)先權日2011年9月30日發(fā)明者朱健華申請人:群聯(lián)電子股份有限公司