專利名稱：多層光記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及層積多個(gè)記錄再現(xiàn)層的多層光記錄介質(zhì)，其中，該記錄再現(xiàn)層能夠通過(guò)照射光來(lái)再現(xiàn)信息。
背景技術(shù)：
在光記錄介質(zhì)的領(lǐng)域中，借助激光光源的短波長(zhǎng)化和光學(xué)系統(tǒng)的高NA化，來(lái)提高記錄密度。例如在Blu-ray Disc (BD 藍(lán)光盤(pán))規(guī)格的光記錄介質(zhì)中，能夠使激光的波長(zhǎng)為 405nm，開(kāi)口數(shù)為0. 85，進(jìn)行每1層25GB容量的記錄再現(xiàn)。但是，利用這些光源和光學(xué)系統(tǒng)的努力達(dá)到極限，為了使記錄容量進(jìn)一步增大，謀求沿光軸方向多重記錄信息的體積記錄。 例如，在Blu-ray Disc(BD)規(guī)格的光記錄介質(zhì)中，提出了具有8層記錄再現(xiàn)層(參照非專利文獻(xiàn)1)或具有6層記錄再現(xiàn)層(參照非專利文獻(xiàn)幻的多層光記錄介質(zhì)。在多層光記錄介質(zhì)中，在對(duì)記錄再現(xiàn)層的信息進(jìn)行再現(xiàn)時(shí)，其他記錄再現(xiàn)層的信號(hào)漏入或因其他記錄再現(xiàn)層的影響產(chǎn)生的噪聲(noise)漏入即所謂的串?dāng)_成為問(wèn)題。該串?dāng)_會(huì)導(dǎo)致伺服信號(hào)和記錄信號(hào)的惡化。該串?dāng)_包括層間串?dāng)_和共焦串?dāng)_(confocal crosstalk)這兩類(lèi)。層間串?dāng)_是指， 由與再現(xiàn)中的記錄再現(xiàn)層相鄰的記錄再現(xiàn)層反射后的光漏入到再現(xiàn)光中而產(chǎn)生的現(xiàn)象。因此，在具有兩層以上的記錄再現(xiàn)層的多層光記錄介質(zhì)中必定成為問(wèn)題。若增大層間距離，則該層間串?dāng)_會(huì)變小。共焦串?dāng)_是在具有3層以上的記錄再現(xiàn)層的多層光記錄介質(zhì)中特有的現(xiàn)象，共焦串?dāng)_是指，在由再現(xiàn)中的記錄再現(xiàn)層僅反射了一次的本來(lái)的再現(xiàn)光與由其他記錄再現(xiàn)層反射了多次的雜散光(stray light)之間，彼此的光程一致而產(chǎn)生的現(xiàn)象。關(guān)于共焦串?dāng)_的產(chǎn)生原理，使用圖19 圖22進(jìn)行說(shuō)明。在如圖19所示那樣的多層光記錄介質(zhì)40中，為了進(jìn)行再現(xiàn)或記錄而會(huì)聚于LO記錄再現(xiàn)層40d上的光束70因記錄再現(xiàn)層的半透過(guò)性而分支成多個(gè)光束。在圖20中示出如下現(xiàn)象從用于LO記錄再現(xiàn)層40d 的記錄再現(xiàn)的光束分支出的光束71被Ll記錄再現(xiàn)層40c反射并在L2記錄再現(xiàn)層40b上聚焦，然后該反射光再次被Ll記錄再現(xiàn)層40c反射而被檢測(cè)。在圖21中示出如下現(xiàn)象從用于LO記錄再現(xiàn)層40d的記錄再現(xiàn)的光束分支出的光束72由L2記錄再現(xiàn)層40b反射，并在光入射面40z上聚焦，然后該反射光再次被L2記錄再現(xiàn)層40b反射而被檢測(cè)出。在圖22中示出如下現(xiàn)象從用于LO記錄再現(xiàn)層40d的記錄再現(xiàn)的光束分支出的光束73沒(méi)有在其他記錄再現(xiàn)層上聚焦，但依次由Ll記錄再現(xiàn)層40c、 L3記錄再現(xiàn)層40a、L2記錄再現(xiàn)層40b反射而被檢測(cè)出。與光束70進(jìn)行比較，作為雜散光的光束71 73的光量小，但由于以相等的光程和相等的光束直徑入射到光檢測(cè)器，所以由干涉產(chǎn)生的影響大，由光檢測(cè)器接受到的光量因微小的層間厚度的變化而顯著變動(dòng)，難以檢測(cè)穩(wěn)定的信號(hào)。另一方面，關(guān)于雜散光，反射的次數(shù)越多，因成為各記錄再現(xiàn)層的反射率之積，而光量越減少，因此，在實(shí)際應(yīng)用上考慮三次的多面反射的雜散光即可。
在這些圖19 圖22所示的現(xiàn)象中，例如，若設(shè)定Tl = T2，則光束70和光束71的光程與光束直徑相一致，同時(shí)入射到光檢測(cè)器(光電檢測(cè)器)而被檢測(cè)。同樣，若設(shè)定T1+T2 =T3+TC，則光束70和光束72的光程和光束直徑相一致，另外，若設(shè)定T3 = Tl，則光束70 和光束73的光程和光束直徑相一致。因此，為了避免共焦串?dāng)_，通常采用使所有的層間距離不同的方法。非專利文獻(xiàn)1 I. Ichimura et. al.，Appl. Opt.，45，1794-1803 (2006)非專利文獻(xiàn)2 :K. Mishima et. al. , Proc. of SPIE, 6282,628201 (2006)從上述說(shuō)明可知，若要為了避免層間串?dāng)_而擴(kuò)大層間距離，則難以在有限的厚度中增加記錄再現(xiàn)層的疊層數(shù)。另外，若要為了避免共焦串?dāng)_而一邊使所有層間距離不同一邊增加記錄再現(xiàn)層的疊層數(shù)，則需要準(zhǔn)備各種膜厚的中間層，所以結(jié)果產(chǎn)生層間距離變大的問(wèn)題。其結(jié)果存在如下問(wèn)題，即，距離光入射面最遠(yuǎn)的記錄再現(xiàn)層遠(yuǎn)離開(kāi)光入射面，對(duì)于傾斜等下的彗形象差產(chǎn)生不利作用。進(jìn)而，有時(shí)在各記錄再現(xiàn)層上必須形成凹槽(grrove)/平臺(tái)(land)等的循跡控制用的凹凸。此時(shí)，由于需要利用壓模在各中間層上形成凹凸，所以容易在中間層的膜厚上產(chǎn)生誤差。因此，若要預(yù)先考慮該成膜誤差的影響來(lái)使各中間層的膜厚不同，則需要將膜厚差設(shè)定得大，所以存在使多層光記錄介質(zhì)的厚度越來(lái)越大的問(wèn)題。另外，為了容易進(jìn)行記錄再現(xiàn)裝置側(cè)的控制，在多層光記錄介質(zhì)中，通常使記錄再生層的層積狀態(tài)的反射率(即，在向所完成的多層光記錄介質(zhì)的各記錄再現(xiàn)層照射光時(shí)， 根據(jù)入射光和反射光的比率求出的反射率)在各記錄再現(xiàn)層間彼此一致，或者使記錄時(shí)的激光功率的值在記錄再現(xiàn)層間彼此接近。因此，需要使構(gòu)成各記錄再現(xiàn)層的膜材料、膜結(jié)構(gòu)、膜厚等在各層最佳化，與此對(duì)應(yīng)，在記錄再現(xiàn)裝置側(cè)的記錄條件(例如，記錄策略和照射脈沖波形)也必須在各層最優(yōu)化。不管怎樣，在現(xiàn)有的思想下，越使記錄再現(xiàn)層的疊層數(shù)增大，越擔(dān)心多層光記錄介質(zhì)的制造側(cè)和記錄再現(xiàn)裝置的設(shè)計(jì)側(cè)雙方的負(fù)擔(dān)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而提出的，其目的在于提供一種多層光記錄介質(zhì)，在使記錄再現(xiàn)層多層化時(shí)，能夠抑制由串?dāng)_引起的信號(hào)品質(zhì)的惡化，并能夠使多層光記錄介質(zhì)的設(shè)計(jì)簡(jiǎn)潔化，進(jìn)而，能夠使記錄再現(xiàn)裝置側(cè)的記錄再現(xiàn)控制簡(jiǎn)略化。通過(guò)本發(fā)明人的潛心研究、上述目的通過(guò)以下的手段來(lái)實(shí)現(xiàn)。S卩，用于達(dá)成上述目的的本發(fā)明為一種多層光記錄介質(zhì)，隔著中間層來(lái)層積至少4 層以上的記錄再現(xiàn)層，該記錄再現(xiàn)層能夠通過(guò)照射光來(lái)再現(xiàn)信息，其特征在于，具有至少兩組以上由以層積順序連續(xù)的多個(gè)所述記錄再現(xiàn)層構(gòu)成的記錄再現(xiàn)層組，在所述記錄再現(xiàn)層組內(nèi)，特定的記錄再現(xiàn)層的層積狀態(tài)的反射率，比與該特定的記錄再現(xiàn)層在所述光入射面?zhèn)冗B續(xù)的兩個(gè)所述記錄再現(xiàn)層的層積狀態(tài)的反射率中的最大值更小，在隔著所述中間層相鄰的所述記錄再現(xiàn)層組中，與在外側(cè)(光入射面?zhèn)?的所述記錄再現(xiàn)層組中排列在最里側(cè) (支撐基板側(cè))的兩個(gè)所述記錄再現(xiàn)層的層積狀態(tài)的反射率中的最大值相比較，在里側(cè)的所述記錄再現(xiàn)層組中位于最外側(cè)的所述記錄再現(xiàn)層的層積狀態(tài)的反射率更高。用于達(dá)成上述目的的多層光記錄介質(zhì)與上述發(fā)明相關(guān)聯(lián)，其特征在于，在隔著所述中間層相鄰的所述記錄再現(xiàn)層組中，與在外側(cè)的所述記錄再現(xiàn)層組所
4包含的所有所述記錄再現(xiàn)層的層積狀態(tài)的反射率中的最大值和最小值之差相比較，在里側(cè)的所述記錄再現(xiàn)層組所包含的所有所述記錄再現(xiàn)層的層積狀態(tài)的反射率中的最大值和最小值之差更小。用于達(dá)成上述目的的多層光記錄介質(zhì)與上述發(fā)明相關(guān)聯(lián)，其特征在于，在隔著所述中間層相鄰的所述記錄再現(xiàn)層組中，與在外側(cè)的所述記錄再現(xiàn)層組所包含的所有所述記錄再現(xiàn)層的層積狀態(tài)的反射率中的最大值相比較，在里側(cè)的所述記錄再現(xiàn)層組所包含的所有所述記錄再現(xiàn)層的層積狀態(tài)的反射率中的最大值更小或相同。用于達(dá)成上述目的的多層光記錄介質(zhì)與上述發(fā)明相關(guān)聯(lián)，其特征在于，在所述記錄再現(xiàn)層組內(nèi)，所述記錄再現(xiàn)層的層積狀態(tài)的反射率設(shè)定為，從接近所述光入射面的外側(cè)向遠(yuǎn)離該光入射面的里側(cè)減少或者不變。用于達(dá)成上述目的的多層光記錄介質(zhì)與上述發(fā)明相關(guān)聯(lián)，其特征在于，在所述記錄再現(xiàn)層組內(nèi)，所述記錄再現(xiàn)層的層積狀態(tài)的反射率設(shè)定為，從接近所述光入射面的外側(cè)向遠(yuǎn)離該光入射面的里側(cè)單調(diào)減少。用于達(dá)成上述目的的多層光記錄介質(zhì)與上述發(fā)明相關(guān)聯(lián)，其特征在于，在同一個(gè)所述記錄再現(xiàn)層組內(nèi)，所有的所述記錄再現(xiàn)層的光學(xué)常數(shù)實(shí)質(zhì)上相同。用于達(dá)成上述目的的多層光記錄介質(zhì)與上述發(fā)明相關(guān)聯(lián)，其特征在于，在同一個(gè)所述記錄再現(xiàn)層組內(nèi)，所有的所述記錄再現(xiàn)層的材料組分以及膜厚實(shí)質(zhì)上相同。用于達(dá)成上述目的的多層光記錄介質(zhì)與上述發(fā)明相關(guān)聯(lián)，其特征在于，最接近所述光入射面的所述記錄再現(xiàn)層組所包含的所述記錄再現(xiàn)層的數(shù)目比其他所述記錄再現(xiàn)層組所包含的所述記錄再現(xiàn)層的數(shù)目更多。用于達(dá)成上述目的的多層光記錄介質(zhì)與上述發(fā)明相關(guān)聯(lián)，其特征在于，在隔著所述中間層相鄰的所述記錄再現(xiàn)層組中，與外側(cè)的所述記錄再現(xiàn)層組所包含的所述記錄再現(xiàn)層的數(shù)目相比較，里側(cè)的所述記錄再現(xiàn)層組所包含的所述記錄再現(xiàn)層的數(shù)目更少。根據(jù)本發(fā)明，在多層光記錄介質(zhì)中，能夠抑制層間串?dāng)_和共焦串?dāng)_，并能夠使多層光記錄介質(zhì)的設(shè)計(jì)簡(jiǎn)潔化。另外，也能夠使記錄再現(xiàn)裝置側(cè)的記錄再現(xiàn)控制簡(jiǎn)潔化。


圖1是表示本發(fā)明第一實(shí)施方式的多層光記錄介質(zhì)和對(duì)該多層光記錄介質(zhì)進(jìn)行記錄再現(xiàn)的光讀寫(xiě)頭(optical pickup)的概略結(jié)構(gòu)的圖
圖2是表示該多層光記錄介質(zhì)的層積結(jié)構(gòu)的剖視圖。圖3是表示該多層光記錄介質(zhì)的反射率和吸收率的圖表以及曲線圖。圖4是表示該多層光記錄介質(zhì)的膜厚結(jié)構(gòu)的圖。圖5是表示第二實(shí)施方式的多層光記錄介質(zhì)的膜厚結(jié)構(gòu)的圖。圖6是表示該多層光記錄介質(zhì)的反射率和吸收率的圖表以及曲線圖。圖7是表示第三實(shí)施方式的多層光記錄介質(zhì)的膜厚結(jié)構(gòu)的圖。圖8是表示該多層光記錄介質(zhì)的反射率和吸收率的圖表以及曲線圖。圖9是表示第四實(shí)施方式的多層光記錄介質(zhì)的膜厚結(jié)構(gòu)的圖。
圖10是表示該多層光記錄介質(zhì)的反射率和吸收率的圖表以及曲線圖。圖11是表示第五實(shí)施方式的多層光記錄介質(zhì)的膜厚結(jié)構(gòu)的圖。圖12是表示本發(fā)明的實(shí)施例B的多層光記錄介質(zhì)的反射率和吸收率的圖表以及曲線圖。圖13是表示本發(fā)明的比較例A、以及實(shí)施例B的多層光記錄介質(zhì)的記錄條件和再現(xiàn)信號(hào)品質(zhì)的圖表以及曲線圖。圖14是表示本發(fā)明的比較例A、以及實(shí)施例B的多層光記錄介質(zhì)的LO記錄再現(xiàn)層的再現(xiàn)信號(hào)波形的圖。圖15是表示用于說(shuō)明本發(fā)明的多層光記錄介質(zhì)的基本概念的再現(xiàn)光的狀態(tài)的圖。圖16是表示用于說(shuō)明本發(fā)明的多層光記錄介質(zhì)的基本概念的雜散光(stray light)的狀態(tài)的圖。圖17是表示用于說(shuō)明本發(fā)明的多層光記錄介質(zhì)的基本概念的層積反射率的變化的圖。圖18是表示用于說(shuō)明本發(fā)明的多層光記錄介質(zhì)的基本概念的層積反射率的變化的圖。圖19是表示多層光記錄介質(zhì)中的再現(xiàn)光和雜散光的狀態(tài)的圖。圖20是表示多層光記錄介質(zhì)中的再現(xiàn)光和雜散光的狀態(tài)的圖。圖21是表示多層光記錄介質(zhì)中的再現(xiàn)光和雜散光的狀態(tài)的圖。圖22是表示多層光記錄介質(zhì)中的再現(xiàn)光和雜散光的狀態(tài)的圖。圖23是表示成為參考例的多層光記錄介質(zhì)的反射率和吸收率的圖表以及曲線圖。圖M是表示成為參考例的多層光記錄介質(zhì)的反射率和吸收率的圖表以及曲線圖。
具體實(shí)施例方式首先，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式的多層光記錄介質(zhì)的基本思想進(jìn)行說(shuō)明。在多層光記錄介質(zhì)中，考慮配置在記錄再現(xiàn)層之間的中間層的厚度為兩種(Tl、 T2)，并且將兩種厚度的中間層交替層積的情況。在圖15中示出了在再現(xiàn)了第a號(hào)的記錄再現(xiàn)層的情況下，由該記錄再現(xiàn)層直接反射的再現(xiàn)光(本光)的路徑。另外，在圖16中示出了光程與該本光相一致的雜散光的路徑的一例。此外，在這里，關(guān)于構(gòu)成第k號(hào)記錄再現(xiàn)層的材料，將其單層狀態(tài)的反射率和透過(guò)率分別定義為rk、tk。若將向第a號(hào)的記錄再現(xiàn)層入射“1”的強(qiáng)度的再現(xiàn)光時(shí)的本光的強(qiáng)度設(shè)為Ia、將雜散光的強(qiáng)度設(shè)為Ia'，則Ia以及Ia'用以下的[式1]、[式2]來(lái)表示。[式1] Ia = (ta+1 X ta+2 X ta+3 Χ... X ta+n)2 X ra[式2] Ia ‘ = (ta+2 X ta+3 X... X ta+n) X r a+i X ta+2 X ra+3 X ra+2 X (ta+3 X. . . X ta+n)= (ta+2 X ta+3 X. . . X ta+n)2 X ra+1 X ra+2 X ra+3因此，雜散光相對(duì)本光的強(qiáng)度比Ia' /Ia能夠用式[3]表示。[式3]Ia ‘ /Ia = (t a+2 X t a+3 X . . . X t a+n) 2 X r a+1 X r a+2 X r a+3/(ta+l X ta+2 X ta+3 X ... X ta+n) 2 X ra = (ra+l X Ta+2 X ra+3) /X T J如上所述可知，在中間層的厚度交替為兩種那樣的多層記錄介質(zhì)中，為了減小第a 號(hào)的記錄再現(xiàn)層中的共焦串?dāng)_的影響，即為了減小[式3]的雜散光的強(qiáng)度比，以下三個(gè)想法有效。(1)提高第a層的反射率ra。(2)降低第a+Ι層、第a+2層、第a+3層(與第a層在光入射面?zhèn)?外側(cè))相鄰的 3層)的反射率 ^a+l、^a+2、^a+3 °(3)提高第a+Ι層(與第a號(hào)的記錄再現(xiàn)層在外側(cè)相鄰的1層)的透過(guò)率ta+1。進(jìn)而，為了該想法在所有的記錄再現(xiàn)層成立，降低除了相對(duì)于其他記錄再現(xiàn)層未能夠成為外側(cè)的層的記錄再現(xiàn)層、即距光入射面最遠(yuǎn)(里)側(cè)的記錄再現(xiàn)層之外的所有的記錄再現(xiàn)層的反射率，并提高透過(guò)率即可。為了實(shí)現(xiàn)它，使除最里側(cè)的記錄再現(xiàn)層以外的所有記錄再現(xiàn)層的單層狀態(tài)的反射率r和透過(guò)率t相同在介質(zhì)設(shè)計(jì)上極其簡(jiǎn)單。此時(shí)，各記錄再現(xiàn)層的反射率r變低，透過(guò)率t變高。當(dāng)然，若使包含最里側(cè)的記錄再現(xiàn)層在內(nèi)的所有的記錄再現(xiàn)層的反射率r和透過(guò)率t相同，則雖然使在最里側(cè)的記錄再現(xiàn)層上的雜散光降低效果減少，但在介質(zhì)設(shè)計(jì)上能夠最簡(jiǎn)化。如上所述，若在不同的記錄再現(xiàn)層之間使光學(xué)常數(shù)一致，即，使反射率r和透過(guò)率 t相同，則觀察到在多層光記錄介質(zhì)中，越是里側(cè)的記錄再現(xiàn)層，層積狀態(tài)的反射率R(以下稱為層積反射率)越低。因此，假如考慮使所有的記錄再現(xiàn)層的反射率r和透過(guò)率t相同的情況，則層積反射率R從外側(cè)的記錄再現(xiàn)層到里側(cè)的記錄再現(xiàn)層單調(diào)減少。此外，層積狀態(tài)的反射率是指，在向完成后的多層光記錄介質(zhì)的特定的記錄再現(xiàn)層照射光時(shí)，根據(jù)入射光和反射光的比率求出的反射率。為了使多個(gè)記錄再現(xiàn)層的光學(xué)常數(shù)一致，使構(gòu)成記錄再現(xiàn)層的記錄材料的組成及其膜厚一致比較方便。這樣一來(lái)，在介質(zhì)設(shè)計(jì)上、制造上都合理地減輕負(fù)擔(dān)。其結(jié)果，為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的多層光記錄介質(zhì)的概念思想，期望使構(gòu)成多個(gè)記錄再現(xiàn)層的記錄材料的組成及其膜厚都相同。此外，在多層光記錄介質(zhì)中，各記錄再現(xiàn)層的組成和膜厚相同是指，針對(duì)例如用切片機(jī)沿剖面方向切斷盤(pán)后的試料，利用透過(guò)型電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope :TEM)、或者掃描型電子顯微鏡(banning Electron Microscope :SEM)測(cè)量膜厚，進(jìn)而，利用附屬在這些顯微鏡上的能量分散型分光法(Energy Dispersive Spectroscopy)等分析組成的結(jié)果，在各記錄再現(xiàn)層間實(shí)質(zhì)上幾乎相同。如果是這種狀態(tài)， 則可以認(rèn)為在各記錄再現(xiàn)層之間材料組分和膜厚相同。但是，由于透過(guò)率tk取大于0且小于1的值，所以記錄再現(xiàn)層的層數(shù)n+1越增加， 反射光強(qiáng)度Ia越減少。若反射光強(qiáng)度Ia太低，則導(dǎo)致SNR(signal-noise ratio 信噪比) 變小，達(dá)到光讀寫(xiě)頭的光電檢測(cè)器的靈敏度極限。為了使記錄再現(xiàn)層的層數(shù)增大到其以上而使記錄再現(xiàn)層的組成和膜厚在所有的記錄再現(xiàn)層間構(gòu)成為1種就受到限制。因此，在設(shè)計(jì)階段，優(yōu)選從光入射面?zhèn)认蚶飩?cè)，使具有同一光學(xué)常數(shù)的記錄再現(xiàn)層依次層積，在其層積反射率R到達(dá)能夠由光讀寫(xiě)頭處理的下限的情況下，從下一個(gè)里側(cè)的記錄再現(xiàn)層開(kāi)始，使記錄材料和膜厚不同(采用第二記錄材料和膜厚)。具體地說(shuō)，使單層的反射率r比外側(cè)的記錄再現(xiàn)層高到規(guī)定值以上。這樣一來(lái)，記錄再現(xiàn)層中的層積反射率R變高(轉(zhuǎn)為增加)，再次變?yōu)楣庾x寫(xiě)頭能夠處理。因此，使用第二記錄材料和膜厚，再次使記錄再現(xiàn)層向更里側(cè)依次層積，直到光讀寫(xiě)頭能夠處理的靈敏度界限的下限為止。通過(guò)重復(fù)該設(shè)計(jì)工藝，能夠降低所有的記錄再現(xiàn)層之間的層積狀態(tài)的反射率R的變動(dòng)(最大值和最小值之差)，且還能夠降低記錄再現(xiàn)層的種類(lèi)(材料組分和膜厚種類(lèi))。在本發(fā)明中，對(duì)采用大致相同的材料組分和膜厚使光學(xué)常數(shù)彼此一致的多個(gè)記錄再現(xiàn)層進(jìn)行分組化，將該分組視為一個(gè)記錄再現(xiàn)層組?；谏鲜龈拍钏枷?，在圖17中示出利用兩個(gè)記錄再現(xiàn)層組A、B構(gòu)成多層光記錄介質(zhì)的例子。在最靠光入射面?zhèn)鹊挠涗浽佻F(xiàn)層組A之中，從最靠光入射面?zhèn)鹊挠涗浽佻F(xiàn)層 (Llri層)朝向最靠里側(cè)的記錄再現(xiàn)層(Lk)，層積反射率R單調(diào)減少。同樣，在與該記錄再現(xiàn)層組A在里側(cè)相鄰的記錄再現(xiàn)層組B中，從最靠光入射面?zhèn)鹊挠涗浽佻F(xiàn)層(Lk—層)朝向最靠里側(cè)的記錄再現(xiàn)層(Ltl),層積反射率R單調(diào)減少。進(jìn)而，記錄再現(xiàn)層組B中的位于光入射面?zhèn)鹊挠涗浽佻F(xiàn)層(Llri層)的層積狀態(tài)的反射率Rlri設(shè)定為，比記錄再現(xiàn)層組A中的位于最里側(cè)的兩個(gè)記錄再現(xiàn)層(Lk層、!^工層)的反射率&、Rk+1中的最大值(相對(duì)高的值)更大。利用該反射率的逆轉(zhuǎn)現(xiàn)象，來(lái)區(qū)別記錄再現(xiàn)層組A、B。換言之，在各記錄再現(xiàn)層組A、B中，只要將特定的記錄再現(xiàn)層的層積狀態(tài)的射率設(shè)定為比與該特定的記錄再現(xiàn)層在光入射面?zhèn)认噜彽膬蓚€(gè)記錄再現(xiàn)層的層積狀態(tài)的反射率中的最大值(相對(duì)高的值)更小即可。例如，如圖18所示，在記錄再現(xiàn)層組A內(nèi)，記錄再現(xiàn)層(Lk+1)的層積狀態(tài)的反射率Rw大于在光入射面?zhèn)认噜彽囊粋€(gè)記錄再現(xiàn)層(Lm)的層積狀態(tài)的反射率Rk+2，且小于第二個(gè)相鄰的記錄再現(xiàn)層(Lk+3)的層積狀態(tài)的反射率&+3的情況也能夠允許。若是這種狀態(tài)，則在記錄再現(xiàn)層組A中，即使存在一些增減，整體也能夠使層積反射率處于減少趨勢(shì)?；氐綀D17，在記錄再現(xiàn)層組A中，記錄再現(xiàn)層(Llri層)和記錄再現(xiàn)層(Lk)各自的層積反射率(Rm、Rk)的比率由一般的光讀寫(xiě)頭能夠處理的該反射率的動(dòng)態(tài)范圍的限制決定，優(yōu)選在5 1以內(nèi)，期望在4 1以內(nèi)。即，優(yōu)選IViRlri彡(1/5)，期望IViRlri彡(1/4)。 這在記錄再現(xiàn)層組B中也同樣。另外，若Lk層和Llri層的反射率Rk、Rk^1之差過(guò)大，則在向反射率低的Lk層的聚焦伺服(focus servo)時(shí)，受到Llri層的反射的影響，難以控制。具體地說(shuō)，Rlri和&的比率從向Lk層的聚焦伺服的觀點(diǎn)，優(yōu)選在3 1以內(nèi)，即，優(yōu)選Rk/Rk_l彡(1/3)，更期望在2 1 以內(nèi)。為了實(shí)現(xiàn)它，期望將記錄再現(xiàn)層組B中的位于光入射面?zhèn)鹊挠涗浽佻F(xiàn)層(Lk—層)的反射率Rlri設(shè)定為，與記錄再現(xiàn)層組A中的最靠光入射面?zhèn)鹊挠涗浽佻F(xiàn)層(Llri層)的反射率Rlri相同或比其小。另外，關(guān)于Lk層的層積狀態(tài)的反射率&，只要光讀寫(xiě)頭和系統(tǒng)允許，期望為低的值。由此，能夠在最外側(cè)的記錄再現(xiàn)層組A中包含多個(gè)記錄再現(xiàn)層。另外，從[式1]的本光的反射光量Ia可知，在外側(cè)的記錄再現(xiàn)層組A中能夠減小層積反射率的單調(diào)減少量(曲線的斜率)，所以能夠增加所屬于記錄再現(xiàn)層組A的記錄再現(xiàn)層的數(shù)目。同樣，關(guān)于Ltl層的反射率Rtl,能夠取比Rlri小的任意的值，但與&同樣，只要光讀寫(xiě)頭和系統(tǒng)允許，期望為低的值。其結(jié)果，在記錄再現(xiàn)層組B，也能夠增加記錄再現(xiàn)層的數(shù)目。結(jié)果可知，關(guān)于在記錄再現(xiàn)層組A、B所包含的記錄再現(xiàn)層的數(shù)目，期望接近入射光一側(cè)的記錄再現(xiàn)層組A所包含的數(shù)目大。所屬于遠(yuǎn)離入射光一側(cè)的記錄再現(xiàn)層組B中的記錄再現(xiàn)層的單層反射率r設(shè)定為大于所屬于記錄再現(xiàn)層組A中的記錄再現(xiàn)層的單層反射率r。反復(fù)進(jìn)行，但從[式1]的本光的反射光量Ia可知，里側(cè)的記錄再現(xiàn)層組B所包含的記錄再現(xiàn)層的反射光量的減少量、即層積反射率的單調(diào)減少量(圖17、圖18中的曲線的斜率)大于外側(cè)記錄再現(xiàn)層組A所包含的記錄再現(xiàn)層的層積反射率的單調(diào)減少量。也就是說(shuō)， 里側(cè)的記錄再現(xiàn)層組B所包含的記錄再現(xiàn)層相比外側(cè)的記錄再現(xiàn)層組A所包含的記錄再現(xiàn)層，層積反射率變動(dòng)大。在這樣的狀況中，為了在所有的記錄再現(xiàn)層之間減少層積反射率的變動(dòng)，期望使反射率變動(dòng)少的外側(cè)的記錄再現(xiàn)層組A包含盡可能多的層數(shù)。若概括以上的基本思想，則在記錄再現(xiàn)層組A、B之間，與在外側(cè)的記錄再現(xiàn)層組A 所包含的所有的記錄再現(xiàn)層的層積反射率中的最大值和最小值之差相比較，減小在里側(cè)的記錄再現(xiàn)層組B中所包含的所有的記錄再現(xiàn)層的層積反射率中的最大值和最小值之差很重要。下面，參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。在圖1中示出第一實(shí)施方式的多層光記錄介質(zhì)10和在該多層光記錄介質(zhì)10的記錄再現(xiàn)中使用的光讀寫(xiě)頭700的結(jié)構(gòu)。光讀寫(xiě)頭700具有光學(xué)系統(tǒng)710。該光學(xué)系統(tǒng)710為對(duì)多層光記錄介質(zhì)10的記錄再現(xiàn)層組14進(jìn)行記錄和再現(xiàn)的光學(xué)系統(tǒng)。從光源701出射的具有比較短的波長(zhǎng)380 450nm(在此為405nm)的發(fā)散性的藍(lán)色光束770，透過(guò)具有球面象差修正單元793的準(zhǔn)直透鏡753，并入射到偏振光束分離器752。入射到偏振光束分離器752的光束770透過(guò)偏振光束分離器752，進(jìn)一步因透過(guò)四分之一波長(zhǎng)板7M變換為圓偏振光后，由物鏡756變換成會(huì)聚光束。該光束770會(huì)聚到在多層光記錄介質(zhì)10的內(nèi)部形成的多個(gè)記錄再現(xiàn)層組14中任一個(gè)記錄再現(xiàn)層上。由偏振光束分離器752反射的光束770透過(guò)聚光透鏡759變換成會(huì)聚光，并經(jīng)由柱面透鏡757入射到光檢測(cè)器732。在透過(guò)柱面透鏡757時(shí)，對(duì)光束770賦予像散。光檢測(cè)器732具有未圖示的四個(gè)受光部，分別輸出與接受到的光量相應(yīng)的電流信號(hào)。根據(jù)這些電流信號(hào)，能夠生成基于像散法的聚焦誤差(以下稱為FE)信號(hào)、基于再現(xiàn)時(shí)所限定的推挽法的循軌誤差(以下稱為T(mén)E)信號(hào)、記錄在多層光記錄介質(zhì)10上的信息的再現(xiàn)信號(hào)等。FE 信號(hào)以及TE信號(hào)被放大為所希望的電平以及進(jìn)行相位補(bǔ)償后，反饋供給至驅(qū)動(dòng)器791以及 792，以實(shí)現(xiàn)聚焦控制以及循跡控制。在圖2中放大表示該多層光記錄介質(zhì)10的剖面結(jié)構(gòu)。該多層光記錄介質(zhì)10為外徑約120mm、厚度約1.2mm的圓盤(pán)形狀，并具有四層以上的記錄再現(xiàn)層。該多層光記錄介質(zhì)10從光入射面IOA側(cè)起具有保護(hù)層11、第二記錄再現(xiàn)層組13B、第一記錄再現(xiàn)層組13A以及中間層組16、支撐基板12。在支撐基板12上設(shè)置有軌道間距為0. 32um的凹槽。此外，作為支撐基板12的材料，能夠使用各種材料，例如，能夠利用玻璃、陶瓷、樹(shù)脂。在它們之中，從容易成型的觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選樹(shù)脂。作為樹(shù)脂，能夠舉出聚碳酸酯樹(shù)脂、烯烴樹(shù)脂、丙烯樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、聚苯乙烯樹(shù)脂、聚乙烯樹(shù)脂、聚丙烯樹(shù)脂、硅酮樹(shù)脂、氟類(lèi)樹(shù)脂、ABS樹(shù)脂、聚氨酯樹(shù)脂等。在它們之中， 從加工性等角度考慮，特別優(yōu)選聚碳酸酯樹(shù)脂和烯烴樹(shù)脂。此外，支撐基板12由于未成為光束770的光路，所以不需要具有高的光透過(guò)性。第一、第二記錄再現(xiàn)層組13A、i;3B分別具有以層積順序連續(xù)的多個(gè)記錄再現(xiàn)層。具體地說(shuō)，第一記錄再現(xiàn)層組13A為具有LO L3記錄再現(xiàn)層14A 14D的4層結(jié)構(gòu)，第二記錄再現(xiàn)層組13B為具有L4 L9記錄再現(xiàn)層14E 14J的6層結(jié)構(gòu)。在各記錄再現(xiàn)層組13A、13B內(nèi)，屬于該記錄再現(xiàn)層組的記錄再現(xiàn)層的層積反射率設(shè)定為，比與該記錄再現(xiàn)層在光入射面?zhèn)认噜彽膬蓚€(gè)記錄再現(xiàn)層的層積反射率中的最大值 (相對(duì)高的值)更小。例如，在第一記錄再現(xiàn)層組13A內(nèi)，Ll記錄再現(xiàn)層14B的層積反射率設(shè)定為，比與其在光入射面?zhèn)认噜彽膬蓚€(gè)L2、L3記錄再現(xiàn)層14C、14D的層積反射率中大的值更小。另外，在各記錄再現(xiàn)層組13A中，L2記錄再現(xiàn)層14C的層積反射率，由于僅有與其在光入射面?zhèn)认噜彽?個(gè)L3記錄再現(xiàn)層14D，所以設(shè)定為小于L3記錄再現(xiàn)層14D的層積反射率。如果滿足這樣的條件，則在各記錄再現(xiàn)層組13A、13B內(nèi)，能夠使層積反射率在允許發(fā)生多多少少的增減的情況下從光入射面向里側(cè)減少。此外，在本實(shí)施方式中，在各記錄再現(xiàn)層組13A、13B中，從接近光入射面的外側(cè)朝向遠(yuǎn)離光入射面的里側(cè)，各記錄再現(xiàn)層的層積反射率不變或減少。特別是在本實(shí)施方式中， 在各記錄再現(xiàn)層組13A、13B中，層積反射率單調(diào)減少。因此，在第一記錄再現(xiàn)層組13A中， 最接近光入射面的L3記錄再現(xiàn)層14D的層積反射率最高，LO記錄再現(xiàn)層14A的層積反射率最低。同樣，在第二記錄再現(xiàn)層組13B中，最接近光入射面的L9記錄再現(xiàn)層14J的層積反射率最高，L4記錄再現(xiàn)層14E的層積反射率最低。另外，該第一記錄再現(xiàn)層組13A和第二記錄再現(xiàn)層組13B隔著中間層而相鄰。關(guān)于該相鄰的記錄再現(xiàn)層組13A、13B，與在接近光入射面的外側(cè)的第二記錄再現(xiàn)層組13B中位于最里側(cè)的兩個(gè)L4、L5記錄再現(xiàn)層14E、14F的層積反射率中的最大值(在此為L(zhǎng)5記錄再現(xiàn)層14F的層積反射率)相比較，在里側(cè)的記錄再現(xiàn)層組13A中位于最外側(cè)的L3記錄再現(xiàn)層14D的層積反射率高。即，從光入射面?zhèn)纫来慰紤]，從L9記錄再現(xiàn)層14J至L4記錄再現(xiàn)層14E，以層積順序使層積反射率依次下降，但在L3記錄再現(xiàn)層14D，層積反射率至少相比與其在外側(cè)相鄰的2層轉(zhuǎn)為增加，然后再次以層積順序使層積反射率下降，直到LO記錄再現(xiàn)層14A為止。進(jìn)而，在這些記錄再現(xiàn)層組13A、1 之間，與在外側(cè)的第二記錄再現(xiàn)層組1 所包含的所有的L4 L9記錄再現(xiàn)層14E 14J的層積反射率的最大值和最小值之差比較，在里側(cè)的第一記錄再現(xiàn)層組13A所包含的所有的LO L3記錄再現(xiàn)層14A 14D的層積反射率的最大值和最小值之差設(shè)定得小。具體地說(shuō)，與第二記錄再現(xiàn)層組13B中位于最外側(cè)的 L9記錄再現(xiàn)層14J的層積反射率和位于最里側(cè)的L4記錄再現(xiàn)層14E的層積反射率之差相比較，第一記錄再現(xiàn)層組13A中位于最外側(cè)的L3記錄再現(xiàn)層14D的層積反射率和位于最里側(cè)的LO記錄再現(xiàn)層14A的層積反射率之差設(shè)定得小。另外，在這些記錄再現(xiàn)層組13A、i;3B之間，與在外側(cè)的第二記錄再現(xiàn)層組1 所包含的所有的L4 L9記錄再現(xiàn)層14E 14J的層積反射率的最大值相比較，在里側(cè)的第一記錄再現(xiàn)層組13A所包含的所有的LO L3記錄再現(xiàn)層14A 14D的層積反射率的最大值設(shè)定為更小或相同。具體地說(shuō)，與第二記錄再現(xiàn)層組13B中位于最外側(cè)的L9記錄再現(xiàn)層14J 的層積反射率相比較，第一記錄再現(xiàn)層組13A中位于最外側(cè)的L3記錄再現(xiàn)層14D的層積反射率設(shè)定為更小或相同。通過(guò)這樣設(shè)定層積反射率，在最接近光入射面的第二記錄再現(xiàn)層組1 所包含的記錄再現(xiàn)層的數(shù)目(6層)多于在其他記錄再現(xiàn)層組(在此為相鄰的第一記錄再現(xiàn)層組13A)所包含的記錄再現(xiàn)層的數(shù)目0層)。作為用于實(shí)現(xiàn)如上述那樣的層積反率的膜設(shè)計(jì)，LO L9記錄再現(xiàn)層14A 14J， 對(duì)應(yīng)于光學(xué)系統(tǒng)710中的藍(lán)色波長(zhǎng)區(qū)域的光束770，使單層狀態(tài)的光反射率和吸收率等最優(yōu)化。在本實(shí)施方式中，在第一記錄再現(xiàn)層組13A內(nèi)，在所有的LO L3記錄再現(xiàn)層14A 14D之間，光學(xué)常數(shù)實(shí)質(zhì)上設(shè)定為相同，為此，在LO L3記錄再現(xiàn)層14A 14D之間，也將材料組分以及膜厚實(shí)質(zhì)上設(shè)定為相同。另外，在第二記錄再現(xiàn)層組13B內(nèi)，在所有的L4 L9記錄再現(xiàn)層14E 14J之間，光學(xué)常數(shù)實(shí)質(zhì)上也設(shè)定為相同，為此，在L4 L9記錄再現(xiàn)層14E 14J之間，也將材料組分以及膜厚實(shí)質(zhì)上設(shè)定為相同。具體地說(shuō)，如圖3所示，關(guān)于位于遠(yuǎn)離光入射面一側(cè)的第一記錄再現(xiàn)層組13A，所屬于第一記錄再現(xiàn)層組13A的LO L3記錄再現(xiàn)層14A 14D作為在單層狀態(tài)下的反射率 (以下稱為單層反射率)設(shè)定有第一單層反射率，作為在單層狀態(tài)下的吸收率(以下稱為單層吸收率)設(shè)定有第一單層吸收率。具體地說(shuō)，第一單層反射率設(shè)定為1.9%，第一單層吸收率設(shè)定為6.5%。另外，關(guān)于位于接近光入射面?zhèn)鹊牡诙涗浽佻F(xiàn)層組13B，所屬于第二記錄再現(xiàn)層組1 的L4 L9記錄再現(xiàn)層14E 14J，設(shè)定有比第一單層反射率和第一單層吸收率小的第二單層反射率和第二單層吸收率。具體地說(shuō)，第二單層反射率設(shè)定為1. 1%，第二單層吸收率設(shè)定為4. 5%。這樣，在本實(shí)施方式中，第一記錄再現(xiàn)層組13A的LO L3記錄再現(xiàn)層 14A 14D設(shè)定為彼此大致相同的單層反射率和單層吸收率，另外，第二記錄再現(xiàn)層組13B 的L4 L9記錄再現(xiàn)層14E 14J設(shè)定為彼此大致相同的單層反射率和單層吸收率。其結(jié)果，第一記錄再現(xiàn)層組13A、第二記錄再現(xiàn)層組1 都從光入射面?zhèn)绕?，使層積反射率單調(diào)減少。另外，與第二記錄再現(xiàn)層組13B相比較，第一記錄再現(xiàn)層組13A的單層反射率高，所以與L4記錄再現(xiàn)層14E的層積反射率相比較，L3記錄再現(xiàn)層14D的層積反射率變高。采用該膜設(shè)計(jì)的結(jié)果，LO L3記錄再現(xiàn)層14A 14D能夠以彼此幾乎相同的膜材料以及膜厚形成，另外，L4 L9記錄再現(xiàn)層14E 14J能夠以彼此幾乎相同的膜材料以及膜厚形成。由此，能夠大幅削減制造成本。此外，LO L9記錄再現(xiàn)層14A 14J分別為在寫(xiě)一次型記錄膜的兩外側(cè)層積了電介質(zhì)膜等的3 5層結(jié)構(gòu)(省略圖示)。各記錄再現(xiàn)層的電介質(zhì)膜除了具有保護(hù)寫(xiě)一次型記錄膜這樣的基本功能外，還具有擴(kuò)大形成記錄標(biāo)記前后的光學(xué)特性的偏差或提高記錄靈敏度的作用。此外，在本實(shí)施方式中，例示了具有兩組記錄再現(xiàn)層組的結(jié)構(gòu)，該兩組記錄再現(xiàn)層組分別具有連續(xù)的記錄再現(xiàn)層，且從光入射面?zhèn)乳_(kāi)始使層積反射率依次下降，但是，具有至少兩組以上即可，優(yōu)選具有3組以上。此外，在照射光束770的情況下，若被電介質(zhì)膜吸收的能量大，則記錄靈敏度容易下降。因此，為了防止它，作為這些電介質(zhì)膜的材料，最好選擇在380nm 450nm(特別是 405nm)的波長(zhǎng)區(qū)域具有低的吸收系數(shù)(k)的材料。此外，在本實(shí)施方式中，作為電介質(zhì)膜的材料，使用TiO2。被電介質(zhì)膜夾持的寫(xiě)一次型記錄膜是形成不可逆的記錄標(biāo)記的膜，形成有記錄標(biāo)記的部分和除此以外的部分(空白區(qū)域)，對(duì)光束770的反射率顯著不同。其結(jié)果，能夠進(jìn)行數(shù)據(jù)的記錄和再現(xiàn)。
11
寫(xiě)一次型記錄膜以含有Bi以及0的材料為主要成分而形成。該寫(xiě)一次型記錄膜作為無(wú)機(jī)反應(yīng)膜發(fā)揮功能，反射率因由激光的熱而產(chǎn)生的化學(xué)上或者物理上的變化而顯著不同。作為具體的材料，優(yōu)選以Bi-O為主要成分或者以Bi-M-O(其中，M為Mg、Ca、Y、Dy、 Ce、Tb、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Mo、W、Mn、Fe、Zn、Al、In、Si、Ge、Sn、Sb、Li、Na、K、Sr、Ba、Sc、La、 Nd、Sm、Gd、Ho、Cr、Co、Ni、Cu、Ga、Pb中選擇的至少一種元素)為主要成分。此外，在本實(shí)施方式中，作為寫(xiě)一次型記錄膜的材料，使用Bi-Ge-0。此外，在此示出了在LO L9記錄再現(xiàn)層14A 14J中采用寫(xiě)一次型記錄膜的情況，但是，也能夠采用反復(fù)記錄的相變記錄膜。此時(shí)的相變記錄膜優(yōu)選為SbTeGe。如圖4所示，中間層組16從遠(yuǎn)離光入射面IOA—側(cè)開(kāi)始依次具有第一 第九中間層16A 161。這些第一 第九中間層16A 161層積在LO L9記錄再現(xiàn)層14A 14J之間。各中間層16A 161由丙烯類(lèi)或環(huán)氧類(lèi)紫外線固化型樹(shù)脂構(gòu)成。該中間層16A 161 的膜厚交替設(shè)定有10 μ m以上的第一距離Tl和比該第一距離大3 μ m以上的第二距離T2。 具體地說(shuō)，第一距離Tl和第二距離T2優(yōu)選具有3 μ m 5 μ m的差，更優(yōu)選具有4 μ m以上的差。在該多層光記錄介質(zhì)10中，第一距離Tl為12 μ m,第二距離T2為16 μ m,從里側(cè)開(kāi)始依次為，第一中間層16A為12 μ m，第二中間層16B為16 μ m，第三中間層16C為12 μ m， 第四中間層16D為16μπι，第五中間層16Ε為12μπι，第六中間層16F為16 μ m，第七中間層16G為12 μ m，第八中間層16H為16μπι，第九中間層161為12μπι。也就是說(shuō)，兩種膜厚 (16μπι、12μπι)的中間層交替層積。詳細(xì)在后面敘述，但若這樣設(shè)置，能夠使層間串?dāng)_以及共焦串?dāng)_都降低。特別是在本實(shí)施方式中，位于第一記錄再現(xiàn)層組13Α和第二記錄再現(xiàn)層組1 之間的第四中間層16D設(shè)定為厚的膜厚的第二距離T2 (16 μ m)。因此，該第四中間層16D設(shè)定得大于隔著L3記錄再現(xiàn)層14D相鄰的第二中間層16C和隔著L4記錄再現(xiàn)層14E相鄰的第五中間層16E的膜厚。如已經(jīng)敘述那樣，在第一記錄再現(xiàn)層組13A和第二記錄再現(xiàn)層組1 之間相鄰的 L3記錄再現(xiàn)層14D和L4記錄再現(xiàn)層14E之間，里側(cè)的L3記錄再現(xiàn)層14D層積反射率高(逆轉(zhuǎn))。因此，在對(duì)外側(cè)的L4記錄再現(xiàn)層14E進(jìn)行再現(xiàn)時(shí)，由里側(cè)的L3記錄再現(xiàn)層14D反射的光容易漏入到再現(xiàn)光。因此，通過(guò)使位于第一記錄再現(xiàn)層組13A和第二記錄再現(xiàn)層組13B 之間的第四中間層16D的膜厚變大，從而能夠降低層間串?dāng)_。保護(hù)層11與中間層組16同樣，由光透過(guò)性的丙烯類(lèi)的紫外線固化型樹(shù)脂構(gòu)成，并設(shè)定膜厚為50 μ m。接著，對(duì)該多層光記錄介質(zhì)10的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。首先，通過(guò)使用了金屬壓模的聚碳酸酯樹(shù)脂的射出成型法，制作形成有凹槽以及平臺(tái)的支撐基板12。此外，支撐基板 12的制作不限于射出成型法，也可以通過(guò)2P法或其他方法制作。然后，在支撐基板12中的設(shè)置有凹槽以及平臺(tái)的一側(cè)表面上形成LO記錄再現(xiàn)層 14A。具體地說(shuō)，按電介質(zhì)膜、寫(xiě)一次型記錄膜、電介質(zhì)膜的順序使用氣相生長(zhǎng)法形成。 優(yōu)選使用濺射法。然后，在LO記錄再現(xiàn)層14A之上形成第一中間層16A。第一中間層16A 如下形成，通過(guò)旋涂法等覆蓋調(diào)整了粘度的紫外線固化型樹(shù)脂，然后，向該紫外線固化性樹(shù)脂照射紫外線進(jìn)行固化。重復(fù)該順序，從而依次層積Ll記錄再現(xiàn)層14B、第二中間層16B、 L2記錄再現(xiàn)層14C、第三中間層16C···。直至L9記錄再現(xiàn)層14J完成后，在L9記錄再現(xiàn)層14J上形成保護(hù)層11，從而完成多層光記錄介質(zhì)10。此外，保護(hù)層11如下形成，例如通過(guò)旋涂法等覆蓋調(diào)整了粘度的丙烯類(lèi)或環(huán)氧類(lèi)的紫外線固化型樹(shù)脂，然后對(duì)其照射紫外線進(jìn)行固化。此外，在本實(shí)施方式中， 說(shuō)明了上述制造方法，但本發(fā)明并不限于上述制造方法，也能夠采用其他的制造技術(shù)。接著，對(duì)該多層光記錄介質(zhì)10的作用進(jìn)行說(shuō)明。該多層光記錄介質(zhì)10具有第一、第二記錄再現(xiàn)層組13A、13B，第一、第二記錄再現(xiàn)層組13A、13B的各記錄再現(xiàn)層的層積反射率設(shè)定為，比限定于其組的范圍內(nèi)且與該記錄再現(xiàn)層在光入射面?zhèn)认噜彽膬蓚€(gè)記錄再現(xiàn)層的層積反射率的最大值(相對(duì)高的值)更小。 通過(guò)將這種思想應(yīng)用于第一、第二記錄再現(xiàn)層組13A、13B，從而在第一、第二記錄再現(xiàn)層組 13AU3B的組內(nèi)，從光入射面?zhèn)认蚶飩?cè)，使層積反射率處于減少趨勢(shì)。此外，在本實(shí)施方式中，在各記錄再現(xiàn)層組13A、13B中，從接近光入射面的外側(cè)向遠(yuǎn)離光入射面的里側(cè)，各記錄再現(xiàn)層的層積反射率不變或減少，特別在本實(shí)施方式中，使層積反射率單調(diào)減少。這樣一來(lái)，在各記錄再現(xiàn)層組13A、13B中，各記錄再現(xiàn)層的層積反射率處于向里側(cè)減少的趨勢(shì)，所以在特定的記錄再現(xiàn)層的再現(xiàn)中，能夠抑制與其在里側(cè)相鄰的記錄再現(xiàn)層的反射光漏入到再現(xiàn)光。其結(jié)果，即使減小中間層的厚度，也能夠抑制串?dāng)_，所以能夠增大記錄再現(xiàn)層組13A、13B內(nèi)的記錄再現(xiàn)層的疊層數(shù)。另一方面，如圖23的參考例所示，若要對(duì)全部LO L9記錄再現(xiàn)層14A 14J從光入射面?zhèn)乳_(kāi)始依次使層積反射率減少，則最接近光入射面的L9記錄再現(xiàn)層14J和距光入射面最遠(yuǎn)的LO記錄再現(xiàn)層14A的層積反射率之差過(guò)大，因光讀寫(xiě)頭的限制而難以使疊層數(shù)增大。另外，例如，如圖M的參考例所示，若要對(duì)所有的LO L9記錄再現(xiàn)層14A 14J，使層積反射率彼此近似，則需要各不相同地設(shè)定LO L9記錄再現(xiàn)層14A 14J的單層反射率和吸收率，使制造工序極其復(fù)雜化。結(jié)果，容易受到制造誤差的影響，需要具有包含誤差的余量的設(shè)計(jì)，難以使疊層數(shù)增大。因此，在本實(shí)施方式中，關(guān)于第一記錄再現(xiàn)層組13A和第二記錄再現(xiàn)層組13B，與在接近光入射面的外側(cè)的第二記錄再現(xiàn)層組13B中位于最里側(cè)的兩個(gè)L4、L5記錄再現(xiàn)層 14EU4F的層積反射率中的最大值(在此為L(zhǎng)5記錄再現(xiàn)層14F的層積反射率)相比較，在里側(cè)的記錄再現(xiàn)層組13A中位于最外側(cè)的L3記錄再現(xiàn)層14D的層積反射率高。即，從光入射面?zhèn)劝错樞蚩紤]，從L9記錄再現(xiàn)層14J至L4記錄再現(xiàn)層14E，以層積順序使層積反射率下降，但是，在L3記錄再現(xiàn)層14D使層積反射率至少相比與其在外側(cè)相鄰的2層轉(zhuǎn)為增加。這樣通過(guò)分為兩個(gè)以上的組來(lái)設(shè)計(jì)層積反射率，能夠在第一以及第二記錄再現(xiàn)層組13A、13B分配LO L9記錄再現(xiàn)層14A 14J，所以其結(jié)果，能夠減小最接近光入射面的 L9記錄再現(xiàn)層14J和距光入射面最遠(yuǎn)的LO記錄再現(xiàn)層14A的層積反射率之差。具體地說(shuō)， 關(guān)于所有的LO L9記錄再現(xiàn)層14A 14J，其中最大的層積反射率為最小的層積反射率的 5倍以內(nèi)。優(yōu)選為4倍以內(nèi)，期望在3倍以內(nèi)。在此，雖然實(shí)際上層積了 10層，但小于3倍 (2. 5倍以下)。結(jié)果，能夠處于一般的光讀寫(xiě)頭可處理的該反射率的動(dòng)態(tài)范圍的范圍內(nèi)。特別是，在本實(shí)施方式中，在記錄再現(xiàn)層組13A、i;3B之間，與在外側(cè)的第二記錄再現(xiàn)層組13B所包含的所有的L4 L9記錄再現(xiàn)層14E 14J的層積反射率中的最大值和最小值之差相比較，在里側(cè)的第一記錄再現(xiàn)層組13A所包含的所有的LO L3記錄再現(xiàn)層 14A 14D的層積反射率的最大值和最小值之差設(shè)定得小。具體地說(shuō)，與在第二記錄再現(xiàn)層組1 所包含的所有的L4 L9記錄再現(xiàn)層14E 14J的層積反射率中的最大值相比較，在里側(cè)的第一記錄再現(xiàn)層組13A所包含的所有的 LO L3記錄再現(xiàn)層14A 14D的層積反射率中的最大值設(shè)定得更小或相同。進(jìn)而，與在第二記錄再現(xiàn)層組13B所包含的所有的L4 L9記錄再現(xiàn)層14E 14J的層積反射率中的最小值相比較，在里側(cè)的第一記錄再現(xiàn)層組13A所包含的所有的LO L3記錄再現(xiàn)層14A 14D的層積反射率中的最小值設(shè)定得更大或相同。另外，進(jìn)而，與第二記錄再現(xiàn)層組13B的記錄再現(xiàn)層的數(shù)目(6層)相比較，在第一記錄再現(xiàn)層組13A中減小記錄再現(xiàn)層的數(shù)目G 層)。由此，雖然使記錄再現(xiàn)層的疊層數(shù)最大化，但與第二記錄再現(xiàn)層組13B的層積反射率的變動(dòng)量相比較，能夠減小第一記錄再現(xiàn)層組13A的層積反射率的變動(dòng)量。另外，通過(guò)采用該層積結(jié)構(gòu)，在各記錄再現(xiàn)層組13A、13B內(nèi)，能夠?qū)臃e具有相同的膜材料以及膜厚的記錄再現(xiàn)層，所以無(wú)需對(duì)每個(gè)記錄再現(xiàn)層設(shè)置各不相同的成膜條件，能夠大幅減輕設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)、制造負(fù)擔(dān)。結(jié)果，在各記錄再現(xiàn)層組13A、13B內(nèi)，記錄再現(xiàn)層的光學(xué)常數(shù)實(shí)質(zhì)上設(shè)定為相同。這樣，在各記錄再現(xiàn)層組13A、13B內(nèi)，由于層積實(shí)質(zhì)上相同的記錄再現(xiàn)層，所以能夠減小記錄再現(xiàn)裝置側(cè)的記錄再現(xiàn)條件的偏差，能夠使記錄再現(xiàn)控制(記錄策略)簡(jiǎn)潔化。順便說(shuō)一下，若使單層反射率和單層吸收率不同的各種記錄再現(xiàn)層復(fù)雜地重合，則由于必須憑經(jīng)驗(yàn)找到最佳的記錄再現(xiàn)控制，所以伴有相當(dāng)?shù)睦щy。另外，層積反射率逆轉(zhuǎn)的L4記錄再現(xiàn)層14E和L3記錄再現(xiàn)層14D之間，容易如上述那樣產(chǎn)生層間串?dāng)_，但是在本實(shí)施方式中，位于第一記錄再現(xiàn)群13A和第二記錄再現(xiàn)層組13B之間的第四中間層16D設(shè)定為兩種膜厚的中間層中的厚的中間層即16μπι。因此，利用第四中間層16D的膜厚也能夠抑制層間串?dāng)_。進(jìn)而，在該多層光記錄介質(zhì)10中，具有第一膜厚(12μπι)的中間層和具有比第一膜厚更厚的第二膜厚(16 μ m)的中間層隔著記錄再現(xiàn)層14A 14J交替層積。另外，若利用如圖19 圖22所示那樣的共焦串?dāng)_現(xiàn)象進(jìn)行說(shuō)明，則例如與光束70 相比較，通常作為多面反射光的光束71 73的光量小，但是由于以相等的光程和相等的光束直徑入射到光檢測(cè)器，所以由干涉產(chǎn)生的影響比較大。因此，由光檢測(cè)器接受的光量因微小的層間厚度的變化而顯著變動(dòng)，所以難以檢測(cè)穩(wěn)定的信號(hào)。接著，對(duì)該多層光記錄介質(zhì)10的設(shè)計(jì)方法進(jìn)行說(shuō)明。首先，對(duì)記錄再現(xiàn)層組的分組化進(jìn)行說(shuō)明。首先，對(duì)最接近光入射面一側(cè)的記錄再現(xiàn)層設(shè)計(jì)特定的成膜條件(第二成膜條件)，從光入射面?zhèn)乳_(kāi)始依次進(jìn)行層積。該記錄再現(xiàn)層的疊層數(shù)增加到滿足特定條件為止，該特定條件是指，在向記錄再現(xiàn)層照射具有不會(huì)引起再現(xiàn)惡化程度的再現(xiàn)功率的光時(shí)，從各記錄再現(xiàn)層反射返回到光檢測(cè)器732的反射光量，接近由評(píng)價(jià)裝置能夠處理的極限值，或者接近在記錄再現(xiàn)層上形成記錄標(biāo)記(記錄層的變性)所需的激光功率的極限值(即，記錄靈敏度的極限值)。并且，如果里側(cè)的記錄再現(xiàn)層達(dá)到這些反射光量和記錄靈敏度的極限值，則首先將這些記錄再現(xiàn)層作為記錄再現(xiàn)層組進(jìn)行分組化。在本實(shí)施方式中，將L9記錄再現(xiàn)層14J L4記錄再現(xiàn)層14E作為第二記錄再現(xiàn)層組13B進(jìn)行分組化。接著，進(jìn)行相比第二記錄再現(xiàn)層組1 在里側(cè)層積的記錄再現(xiàn)層的設(shè)計(jì)。如果保持與第二記錄再現(xiàn)層組13B相同的成膜條件，就會(huì)超過(guò)上述反射光量和記錄靈敏度的極限值。因此，為了不超過(guò)它，設(shè)計(jì)單層狀態(tài)的反射率和吸收率變高的下一成膜條件(第一成膜條件)。此時(shí)，使單層反射率高到怎樣的程度很重要。因此，在本實(shí)施方式中，至少設(shè)計(jì)為， 與在第二記錄再現(xiàn)層組13B中位于最里側(cè)的兩個(gè)L4、L5記錄再現(xiàn)層14E、14F的層積反射率中的最大值(在此為L(zhǎng)5記錄再現(xiàn)層14F的層積反射率)相比較，下面層積的L3記錄再現(xiàn)層14D(記錄再現(xiàn)層組13A中位于最外側(cè)的記錄再現(xiàn)層)的層積反射率高。另外設(shè)定為，與在第二記錄再現(xiàn)層組13B所包含的所有的L4 L9記錄再現(xiàn)層14E 14J的層積反射率中的最大值相比較，該L3記錄再現(xiàn)層14D的層積反射率更小或相同。將這樣決定了第一成膜條件的記錄再現(xiàn)層向里側(cè)依次層積。與上述第二記錄再現(xiàn)層組13B同樣，記錄再現(xiàn)層的疊層數(shù)能夠增加到達(dá)到了評(píng)價(jià)裝置能夠處理的反射光量為止，或達(dá)到激光功率的極限值為止，或者達(dá)到成為目標(biāo)的疊層數(shù)為止。即，第一記錄再現(xiàn)層組13A中的層積反射率的下限值優(yōu)選與在第二記錄再現(xiàn)層組1 中采用的下限值相同或在其以上。如果達(dá)到上述下限值，則將這些記錄再現(xiàn)層作為記錄再現(xiàn)層組進(jìn)行分組化。在本實(shí)施方式中，將L3記錄再現(xiàn)層14D LO記錄再現(xiàn)層14A作為第一記錄再現(xiàn)層組13A進(jìn)行分組化。此外，在第一實(shí)施方式中，目標(biāo)為10層，所以分組化到第一記錄再現(xiàn)層組13A即可。詳細(xì)在后面敘述，但在以更多的疊層數(shù)為目標(biāo)的情況下，確定單層的狀態(tài)的反射率和吸收率變得更高那樣的新的成膜條件，進(jìn)一步向里側(cè)層積，對(duì)新的記錄再現(xiàn)層組進(jìn)行分組化。對(duì)于接近光入射面?zhèn)鹊腖4記錄再現(xiàn)層14E L9記錄再現(xiàn)層14J，通過(guò)使用相同結(jié)構(gòu)的記錄再現(xiàn)層，提高設(shè)計(jì)以及制造上的便利性。對(duì)于遠(yuǎn)離光入射面?zhèn)鹊挠涗浽佻F(xiàn)層 14A L3記錄再現(xiàn)層14D，與外側(cè)的6層相比較，單層反射率變高，但是該4層都使用相同結(jié)構(gòu)的記錄膜，同樣能夠提高便利性。在層積相同結(jié)構(gòu)的記錄再現(xiàn)層的情況下，理所當(dāng)然地， 在所層積的狀態(tài)下從各記錄再現(xiàn)層向光檢測(cè)器732返回的反射光量，與記錄再現(xiàn)層的透過(guò)的平方成正比地從光入射面越向里側(cè)單調(diào)減少，而且，到達(dá)各記錄再現(xiàn)層的激光功率也與透過(guò)成正比地減少。在本實(shí)施方式中，示出了在組內(nèi)使成膜條件一致來(lái)使層積反射率單調(diào)減少的情況，但是，另一方面，在各記錄再現(xiàn)層組13A、13B內(nèi)，也可以不使記錄再現(xiàn)層的成膜條件彼此一致。假如不一致的情況下，允許記錄再現(xiàn)層組13A、13B內(nèi)的層積反射率增減一些，只要整體上層積反射率處于減少趨勢(shì)即可。具體地說(shuō)，特定的記錄再現(xiàn)層的層積反射率設(shè)定為比與該特定的記錄再現(xiàn)層在光入射面?zhèn)认噜彽膬蓚€(gè)記錄再現(xiàn)層的層積反射率中的最大值 (相對(duì)高的值)更小。例如，L5記錄再現(xiàn)層14F的層積反射率設(shè)置為，小于與其在光入射面?zhèn)认噜彽腖6以及L7記錄再現(xiàn)層14G、14H的層積反射率中大的層積反射率(在此為L(zhǎng)7記錄再現(xiàn)層14H的層積反射率)即可。在多層光記錄介質(zhì)10中，交替使用兩種膜厚的中間層，該兩種膜厚在ΙΟμπι以上的范圍。由此能夠同時(shí)降低層間串?dāng)_和共焦串?dāng)_的影響。另外，利用該兩種膜厚中的厚的中間層，還能夠降低在第一記錄再現(xiàn)層組13Α和第二記錄再現(xiàn)層組1 的邊界的層間串?dāng)_。因此，雖然考慮所屬于各記錄再現(xiàn)層組13A、13B的記錄再現(xiàn)層的疊層數(shù)和中間層的數(shù)目，來(lái)交替配置兩種中間層，但是位于記錄再現(xiàn)層組13A、i;3B之間的中間層為膜厚厚的中間層。
若對(duì)記錄再現(xiàn)層的材料組分和膜厚發(fā)生切換的前后的記錄再現(xiàn)層、例如L4記錄再現(xiàn)層14E和L3記錄再現(xiàn)層14D進(jìn)行比較，則關(guān)于從各記錄再現(xiàn)層返回到光檢測(cè)器732的反射光量，相比L4記錄再現(xiàn)層14E，L3記錄再現(xiàn)層14D大幅變高。即，L4記錄再現(xiàn)層14E 和L3記錄再現(xiàn)層14D的反射光量之差與各記錄再現(xiàn)層組13A、13B內(nèi)的記錄再現(xiàn)層彼此之間的差相比變大。增大記錄再現(xiàn)層的材料和結(jié)構(gòu)發(fā)生切換的前后的記錄再現(xiàn)層的反射光量差，會(huì)導(dǎo)致在里側(cè)的第一記錄再現(xiàn)層組13A中，能夠?qū)Χ鄠€(gè)記錄再現(xiàn)層進(jìn)行分組化。另一方面，在反射光量低的L4記錄再現(xiàn)層14E中，因從單層反射率以及向光檢測(cè)器732的返回光量大的L3記錄再現(xiàn)層14D接受的層間雜散光，對(duì)信號(hào)品質(zhì)和伺服特性的影響顯著變大。因此，上述反射光量的差小于光入射面?zhèn)鹊牡诙涗浽佻F(xiàn)層組13B內(nèi)的最大層積反射率和最小層積反射率的差也很重要。另外，在本實(shí)施方式中，預(yù)先考慮到層間串?dāng)_，所以將兩種中間層的膜厚內(nèi)的厚的膜厚即16ym的中間層交替配置在L4記錄再現(xiàn)層14E和L3記錄再現(xiàn)層14D之間，來(lái)降低如圖20所示那樣的共焦串?dāng)_的主要原因。接著，對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的多層光記錄介質(zhì)110，參照?qǐng)D5以及圖6進(jìn)行說(shuō)明。此外，對(duì)于在以下的說(shuō)明中使用的構(gòu)件的附圖標(biāo)記，通過(guò)使后兩位與在第一實(shí)施方式的多層光記錄介質(zhì)的說(shuō)明中使用的附圖標(biāo)記一致，從而省略剖面結(jié)構(gòu)等的圖示。該多層光記錄介質(zhì)110從光入射面的里側(cè)開(kāi)始依次層積16層記錄再現(xiàn)層即LO L15記錄再現(xiàn)層114A 114P。另外，在這些LO L15記錄再現(xiàn)層114A 114P之間，層積第一 第十五中間層116A 1160。進(jìn)而，該多層光記錄介質(zhì)110具有第一、第二記錄再現(xiàn)層組113A、113B。第一、第二記錄再現(xiàn)層組113A、li;3B分別具有以層積順序連續(xù)的多個(gè)記錄再現(xiàn)層，從光入射面的外側(cè)向遠(yuǎn)離光入射面的里側(cè)，各記錄再現(xiàn)層的層積反射率單調(diào)減少。具體地說(shuō)，第一記錄再現(xiàn)層組113A為具有LO L4記錄再現(xiàn)層114A 114E的5 層結(jié)構(gòu)，第二記錄再現(xiàn)層組113B為具有L5 L15記錄再現(xiàn)層114F 114的11層結(jié)構(gòu)。 艮口，里側(cè)的第一記錄再現(xiàn)層組113A的記錄再現(xiàn)層的層數(shù)設(shè)定為小于外側(cè)的第二記錄再現(xiàn)層組11 的記錄再現(xiàn)層的層數(shù)。該第一記錄再現(xiàn)層組113A和第二記錄再現(xiàn)層組11 隔著中間層而相鄰。關(guān)于該相鄰的記錄再現(xiàn)層組113A、113B，與在接近光入射面的外側(cè)的第二記錄再現(xiàn)層組11 中位于最里側(cè)的2層(即L5記錄再現(xiàn)層114F和L6記錄再現(xiàn)層114G)的層積反射率相比較，在里側(cè)的記錄再現(xiàn)層組113A中位于最外側(cè)的L4記錄再現(xiàn)層114E的層積反射率高。作為用于實(shí)現(xiàn)這種層積反射率的膜設(shè)計(jì)，所屬于第一記錄再現(xiàn)層組113A的LO L4記錄再現(xiàn)層114A 114E作為在單層狀態(tài)下的反射率(以下稱為單層反射率)設(shè)定有第一單層反射率，作為在單層狀態(tài)下的吸收率(以下稱為單層吸收率)設(shè)定有第一單層吸收率。具體地說(shuō)，第一單層反射率設(shè)定為1.5%，第一單層吸收率設(shè)定為6.9%。另外，關(guān)于接近光入射面?zhèn)鹊牡诙涗浽佻F(xiàn)層組113B，所屬于第二記錄再現(xiàn)層組 113B的L5 L15記錄再現(xiàn)層114F 114P設(shè)定有比第一單層反射率和第一單層吸收率小的第二單層反射率和第二單層吸收率。具體地說(shuō)，第二單層反射率設(shè)定為0. 7%，第二單層吸收率設(shè)定為4.5%。在該第二實(shí)施方式中，第一記錄再現(xiàn)層組113A的LO L4記錄再現(xiàn)層114A 114E 設(shè)定為彼此大致相同的單層反射率和單層吸收率，另外，第二記錄再現(xiàn)層組113B的L5 L15記錄再現(xiàn)層114F 114P設(shè)定為彼此大致相同的單層反射率和單層吸收率。其結(jié)果， 第一記錄再現(xiàn)層組113A、第二記錄再現(xiàn)層組11 都從光入射面?zhèn)纫来问箤臃e反射率單調(diào)減少。與第二記錄再現(xiàn)層組113B相比較，第一記錄再現(xiàn)層組113A的單層反射率高，所以與 L5記錄再現(xiàn)層114F的層積反射率相比較，L4記錄再現(xiàn)層114E的層積反射率變高。另外，在該第二實(shí)施方式中，在記錄再現(xiàn)層組113A、li;3B之間，與在外側(cè)的第二記錄再現(xiàn)層組113B所包含的所有的L5 L15記錄再現(xiàn)層114F 114P的層積反射率中的最大值和最小值之差相比較，在里側(cè)的第一記錄再現(xiàn)層組113A所包含的所有的LO L4記錄再現(xiàn)層114A 114E的層積反射率中的最大值和最小值之差小。中間層116A 1160的膜厚交替設(shè)定有10 μ m以上的第一距離Tl (12 μ m)和比該第一距離大3μπι以上的第二距離Τ2(16μπι)。在該多層光記錄介質(zhì)110中，從里側(cè)開(kāi)始依次為，第一中間層116Α為16 μ m，第二中間層116B為12 μ m，第三中間層116C為16μπι，第四中間層116D為12 μ m，第五中間層116E為16 μ m，第六中間層116F為12 μ m、···，兩種膜厚(16 μ m、12 μ m)的中間層交替層積。進(jìn)而，在第二實(shí)施方式中，位于第一記錄再現(xiàn)層組113A和第二記錄再現(xiàn)層組11 之間的第五中間層116E設(shè)定為厚的膜厚的第二距離Τ2(16μπι)。因此，該第五中間層116Ε 設(shè)定為，比隔著L4記錄再現(xiàn)層114Ε或者L5記錄再現(xiàn)層114F在兩側(cè)相鄰的第四中間層 116D、第六中間層116F的膜厚更厚。如已經(jīng)敘述那樣，在L4記錄再現(xiàn)層114Ε和L5記錄再現(xiàn)層114F之間，由于里側(cè)的L4記錄再現(xiàn)層114Ε的層積反射率變高(逆轉(zhuǎn))，所以容易產(chǎn)生層間串?dāng)_。因此，增大位于L4記錄再現(xiàn)層114Ε和L5記錄再現(xiàn)層114F之間的第五中間層 116Ε的膜厚，來(lái)使層間串?dāng)_降低。在該第二實(shí)施方式中，最接近光入射面的L15記錄再現(xiàn)層114Ρ和最遠(yuǎn)離光入射面的LO記錄再現(xiàn)層114Α的層積反射率之差變小。具體地說(shuō)，關(guān)于所有LO L15記錄再現(xiàn)層 114Α 114Ρ，其中最大的層積反射率為最小的層積反射率的5倍以內(nèi)。優(yōu)選為4倍以內(nèi)， 期望在3倍以內(nèi)。實(shí)際上，雖然為16層結(jié)構(gòu)，但小于4倍。這即使在各記錄再現(xiàn)層組113Α、 113Β內(nèi)也同樣。另外，通過(guò)采用該層積結(jié)構(gòu)，在各記錄再現(xiàn)層組113Α、113Β內(nèi)，能夠?qū)盈B具有相同的膜材料以及膜厚的記錄再現(xiàn)層，所以能夠大幅減輕設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)、制造負(fù)擔(dān)。另外，由于在各記錄再現(xiàn)層組113Α、113Β內(nèi)，層積幾乎相同特性的記錄再現(xiàn)層，所以在記錄再現(xiàn)裝置側(cè)也使記錄再現(xiàn)條件的偏差變小，能夠使記錄再現(xiàn)控制簡(jiǎn)潔化。即，若簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，則制造也被簡(jiǎn)化，其結(jié)果，多層光記錄介質(zhì)的品質(zhì)穩(wěn)定，記錄再現(xiàn)控制也簡(jiǎn)化，能夠產(chǎn)生這樣的良好循環(huán)。接著，針對(duì)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的多層光記錄介質(zhì)210，參照?qǐng)D7以及圖8進(jìn)行說(shuō)明。此外，對(duì)于在以下的說(shuō)明中使用的構(gòu)件的附圖標(biāo)記，使后兩位與在第一實(shí)施方式的多層光記錄介質(zhì)的說(shuō)明中使用的附圖標(biāo)記一致，從而省略剖面結(jié)構(gòu)等圖示。該多層光記錄介質(zhì)210從光入射面的里側(cè)開(kāi)始依次層積有20層記錄再現(xiàn)層即 LO L19記錄再現(xiàn)層214Α 214Τ。另外，在這些LO L19記錄再現(xiàn)層214Α 214Τ之間層積第一 第十九中間層216Α 216S。進(jìn)而，該多層光記錄介質(zhì)210具有第一、第二記錄再現(xiàn)層組213Α、213Β。第一、第二記錄再現(xiàn)層組213Α、2 ;3Β分別具有以層積順序連續(xù)的多個(gè)記錄再現(xiàn)層。從接近光入射面的外側(cè)向遠(yuǎn)離光入射面的里側(cè)，各記錄再現(xiàn)層的層積反射率減少。
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具體地說(shuō)，第一記錄再現(xiàn)層組213A為具有LO L5記錄再現(xiàn)層214A 214F的6 層結(jié)構(gòu)，第二記錄再現(xiàn)層組21 為具有L6 L19記錄再現(xiàn)層214G 214T的14層結(jié)構(gòu)。該第一記錄再現(xiàn)層組213A和第二記錄再現(xiàn)層組21 隔著中間層而相鄰。關(guān)于該相鄰的記錄再現(xiàn)層組213A、213B，與在接近光入射面的外側(cè)的第二記錄再現(xiàn)層組21 中位于最里側(cè)的兩層(即，L6記錄再現(xiàn)層214G和L7記錄再現(xiàn)層214H)的層積反射率相比較， 在里側(cè)的記錄再現(xiàn)層組213A中位于最外側(cè)的L5記錄再現(xiàn)層214F的層積反射率高。作為用于實(shí)現(xiàn)該層積反射率的膜設(shè)計(jì)，所屬于第一記錄再現(xiàn)層組213A的LO L5 記錄再現(xiàn)層214A 214F作為在單層狀態(tài)下的反射率(以下稱為單層反射率)設(shè)定有第一單層反射率，作為在單層狀態(tài)下的吸收率(以下稱為單層吸收率)設(shè)定有第一單層吸收率。 具體地說(shuō)，第一單層反射率設(shè)定為1. 7 %，第一單層吸收率設(shè)定為6. 9%。另外，關(guān)于位于光入射面?zhèn)鹊牡诙涗浽佻F(xiàn)層組213B，所屬于第二記錄再現(xiàn)層組 213B的L6 L19記錄再現(xiàn)層214G 214T設(shè)定有比第一單層反射率和第一單層吸收率小的第二單層反射率和第二單層吸收率。具體地說(shuō)，第二單層反射率設(shè)定為0. 7%，第二單層吸收率設(shè)定為3. 7%。這樣，在本實(shí)施方式中，在第一、第二記錄再現(xiàn)層組213A、2i;3B的各組內(nèi)，設(shè)定為大致相同的單層反射率和單層吸收率。其結(jié)果，第一記錄再現(xiàn)層組213A、第二記錄再現(xiàn)層組21 都從光入射面?zhèn)乳_(kāi)始依次使層積反射率單調(diào)減少。另外，與第二記錄再現(xiàn)層組21 相比較，第一記錄再現(xiàn)層組213A的單層反射率高，所以與L6記錄再現(xiàn)層214G的層積反射率相比較，L5記錄再現(xiàn)層214F的層積反射率變高。中間層216A 216S的膜厚交替設(shè)定有IOym以上的第一距離Tl (12 μ m)和比該第一距離大3 μ m以上的第二距離T2 (16 μ m)。在該多層光記錄介質(zhì)210中，從里側(cè)開(kāi)始依次為，第一中間層216A為12 4 111，第二中間層2168為16 μ m，第三中間層216C為12μπι，第四中間層216D為16μm，第五中間層216E為12 μ m，第六中間層216F為16 μ m、···，兩種膜厚(16 μ m、12 μ m)的中間層交替層積。進(jìn)而，在第三實(shí)施方式中，位于第一記錄再現(xiàn)層組213A和第二記錄再現(xiàn)層組21 之間的第六中間層216F設(shè)定為厚的膜厚的第二距離Τ2(16μ m)，如已經(jīng)敘述那樣，L5記錄再現(xiàn)層214F和L6記錄再現(xiàn)層214G之間，里側(cè)的L5記錄再現(xiàn)層214F的層積反射率變高 (逆轉(zhuǎn))，所以容易產(chǎn)生層間串?dāng)_。因此，通過(guò)增大位于L5記錄再現(xiàn)層214F和L6記錄再現(xiàn)層214G之間的第六中間層216F的膜厚，來(lái)降低層間串?dāng)_。在第三實(shí)施方式中，能夠減小最接近光入射面?zhèn)鹊腖19記錄再現(xiàn)層214T和距光入射面最遠(yuǎn)的LO記錄再現(xiàn)層214A的層積反射率之差。具體地說(shuō)，對(duì)于所有LO L19記錄再現(xiàn)層214A 214T，其中最大的層積反射率為最小的層積反射率的5倍以內(nèi)。優(yōu)選在4倍以內(nèi)，期望在3倍以內(nèi)。實(shí)際上，雖然為20層結(jié)構(gòu)，但小于4倍。另外，在相鄰的第一記錄再現(xiàn)層組213A和第二記錄再現(xiàn)層組21 之間，與光入射面?zhèn)鹊牡诙涗浽佻F(xiàn)層組21B內(nèi)的層積反射率的變動(dòng)量相比較，第一記錄再現(xiàn)層組213A的該變動(dòng)量設(shè)定得小。即，若從波形方面考慮層積反射率的變化，則設(shè)計(jì)為從光入射面的外側(cè)向里側(cè)，振幅變小。進(jìn)而，在各記錄再現(xiàn)層組213A、213B內(nèi)，由于層積具有相同的膜材料以及膜厚的記錄再現(xiàn)層，所以能夠大幅減輕設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)、制造負(fù)擔(dān)。另外，在各記錄再現(xiàn)層組213A、213B 內(nèi)，層積大致同樣的記錄再現(xiàn)層，所以在記錄再現(xiàn)裝置側(cè)也使記錄再現(xiàn)條件的偏差變小，能夠使記錄再現(xiàn)控制簡(jiǎn)潔化。接著，針對(duì)本發(fā)明的第四實(shí)施方式的多層光記錄介質(zhì)310，參照?qǐng)D9以及圖10進(jìn)行說(shuō)明。此外，對(duì)于在以下的說(shuō)明中使用的構(gòu)件的附圖標(biāo)記，使后兩位與在第一實(shí)施方式的多層光記錄介質(zhì)的說(shuō)明中使用的附圖標(biāo)記一致，從而省略剖面結(jié)構(gòu)等的圖示。該多層光記錄介質(zhì)310從光入射面的里側(cè)開(kāi)始依次層積20層記錄再現(xiàn)層即LO L19記錄再現(xiàn)層314A 314T。另外，在這些LO L19記錄再現(xiàn)層314A 314T之間，層積第一 第十九中間層316A 316S。進(jìn)而，該多層光記錄介質(zhì)310具有第一、第二、第三記錄再現(xiàn)層組313A、313B、 313C。第一 第三記錄再現(xiàn)層組313A 313C分別具有以層積順序連續(xù)的多個(gè)記錄再現(xiàn)層， 從接近光入射面的外側(cè)向遠(yuǎn)離光入射面的里側(cè)，使各記錄再現(xiàn)層的層積反射率減少。另外， 在第一 第三記錄再現(xiàn)層組313A、313B、313C之間，與第三記錄再現(xiàn)層組313C內(nèi)的層積反射率的變動(dòng)量相比較，第二記錄再現(xiàn)層組31 的該變動(dòng)量設(shè)定得小。另外，與第二記錄再現(xiàn)層組313內(nèi)的該變動(dòng)量相比較，第一記錄再現(xiàn)層組313A的該變動(dòng)量設(shè)定得小。即，若從波形上考慮層積反射率的變化，則從接近光入射面的外側(cè)向里側(cè)，振幅變小。另外，第一記錄再現(xiàn)層組313A為具有LO L3記錄再現(xiàn)層314A 314D的4層結(jié)構(gòu)，第二記錄再現(xiàn)層組31 為具有L4 L9記錄再現(xiàn)層314E 314J的6層結(jié)構(gòu)，第三記錄再現(xiàn)層組313C為具有LlO L19記錄再現(xiàn)層314K 314T的10層結(jié)構(gòu)。即，第一 第三記錄再現(xiàn)層組313A、313B、313C的疊層數(shù)從入射面?zhèn)认蚶飩?cè)變少。第一記錄再現(xiàn)層組313A和第二記錄再現(xiàn)層組31 隔著第四中間層316D而相鄰。關(guān)于該相鄰的記錄再現(xiàn)層組313A、313B，與在接近光入射面的外側(cè)的第二記錄再現(xiàn)層組 31 中位于最里側(cè)的2層(L4記錄再現(xiàn)層314E和L5記錄再現(xiàn)層314F)的層積反射率相比較，在里側(cè)的記錄再現(xiàn)層組313A中位于最外側(cè)的L3記錄再現(xiàn)層314D的層積反射率高。另夕卜，第二記錄再現(xiàn)層組31 和第三記錄再現(xiàn)層組313C隔著第十中間層316J而相鄰，關(guān)于該相鄰的記錄再現(xiàn)層組3i;3B、313C，與在接近光入射面的外側(cè)的第三記錄再現(xiàn)層組313C中位于最里側(cè)的2層(L10記錄再現(xiàn)層314K和Lll記錄再現(xiàn)層314L)的層積反射率相比較， 在里側(cè)的記錄再現(xiàn)層組31 中位于最外側(cè)的L9記錄再現(xiàn)層314J的層積反射率高。此外，作用用于實(shí)現(xiàn)這種層積反射率的膜設(shè)計(jì)，所屬于第一記錄再現(xiàn)層組313A的 LO L3記錄再現(xiàn)層314A 314D作為在單層狀態(tài)下的反射率(以下稱為單層反射率)設(shè)定有第一單層反射率，作為在單層狀態(tài)下的吸收率(以下稱為單層吸收率)有設(shè)定有第一單層吸收率。具體地說(shuō)，第一單層反射率設(shè)定為1.6%，第一單層吸收率設(shè)定為6.9%。另夕卜，關(guān)于第二記錄再現(xiàn)層組313B，所屬于第二記錄再現(xiàn)層組31 的L4 L9記錄再現(xiàn)層 314E 314J，設(shè)定有比第一單層反射率和第一單層吸收率小的第二單層反射率和第二單層吸收率。具體地說(shuō)，第二單層反射率設(shè)定為0.9%，第二單層吸收率設(shè)定為4.4%。進(jìn)而，關(guān)于第三記錄再現(xiàn)層組313C，所屬于第三記錄再現(xiàn)層組313C的LlO L19記錄再現(xiàn)層 314K 314T，設(shè)定有比第二單層反射率和第二單層吸收率小的第三單層反射率和第三單層吸收率。具體地說(shuō)，第三單層反射率設(shè)定為0. 5%，第三單層吸收率設(shè)定為3. 0%。這樣，在本實(shí)施方式中，在各第一 第三記錄再現(xiàn)層組313A 313C的組內(nèi)設(shè)定為彼此大致相同的單層反射率和單層吸收率。其結(jié)果，在各記錄再現(xiàn)層組313A 313C內(nèi)，從光入射面?zhèn)乳_(kāi)始使層積反射率依次降低。
另外，與第三記錄再現(xiàn)層組313C相比較，第二記錄再現(xiàn)層組31 的單層反射率設(shè)定得高，而且，與第二記錄再現(xiàn)層組31 相比較，第一記錄再現(xiàn)層組313A的單層反射率設(shè)定得高，所以在記錄再現(xiàn)層組313A 313C的邊界部分，與外側(cè)的層積反射率相比較，里側(cè)的層積反射率高。另夕卜，中間層316A 316S的膜厚交替設(shè)定有10 μ m以上的第一距離Tl (12 μ m) 和比該第一距離大3 μ m以上的第二距離T2 (16 μ m)。在該多層光記錄介質(zhì)310中，從里側(cè)開(kāi)始，依次為，第一中間層316A為12 μ m，第二中間層316B為16 μ m，第三中間層316C為 12μm，第四中間層316D為16μm，第五中間層316E為12μm，第六中間層316F為16μm、…， 兩種膜厚(16 μ m、12 μ m)的中間層交替層積。進(jìn)而，在本實(shí)施方式中，位于第一記錄再現(xiàn)層組313A和第二記錄再現(xiàn)層組31 之間的第四中間層316D設(shè)定為厚的膜厚的第二距離Τ2(16μπι)。另外，位于第二記錄再現(xiàn)層組31 和第三記錄再現(xiàn)層組313C之間的第十中間層316J也設(shè)定為厚的膜厚的第二距離 Τ2(16μπι)。為了實(shí)現(xiàn)它，除了位于最里側(cè)的第一記錄再現(xiàn)層組313Α和接近最外側(cè)的第三記錄再現(xiàn)層組313C以外，位于中間的第二記錄再現(xiàn)層組31 的疊層數(shù)優(yōu)選為偶數(shù)(在本實(shí)施方式中為6層)。如已經(jīng)敘述那樣，在L3記錄再現(xiàn)層314D和L4記錄再現(xiàn)層314E之間，里側(cè)的L3記錄再現(xiàn)層314D的層積反射率變高(逆轉(zhuǎn))，所以容易產(chǎn)生層間串?dāng)_。同樣，在L9記錄再現(xiàn)層314J和LlO記錄再現(xiàn)層314K之間，里側(cè)的L9記錄再現(xiàn)層314J的層積反射率變高(逆轉(zhuǎn))，所以容易產(chǎn)生層間串?dāng)_。因此，通過(guò)增大位于L3記錄再現(xiàn)層314D和L4記錄再現(xiàn)層 314E之間的第四中間層316D和位于L9記錄再現(xiàn)層314J和LlO記錄再現(xiàn)層314K之間的第十中間層316J的膜厚，能夠積極地降低層間串?dāng)_。特別在實(shí)施方式中，雖然層積了 20層，但能夠減小最接近光入射面的L19記錄再現(xiàn)層314T和最遠(yuǎn)離光入射面的LO記錄再現(xiàn)層314A的層積反射率之差。具體地說(shuō)，關(guān)于所有的LO L19記錄再現(xiàn)層314A 314T，其中最大的層積反射率為最小的層積反射率的5 倍以內(nèi)。優(yōu)選在4倍以內(nèi)，期望在3倍以內(nèi)。特別是由于使記錄再現(xiàn)層組為三組，所以雖然為20層結(jié)構(gòu)，但小于3倍。另外，通過(guò)采用該層積結(jié)構(gòu)，在各記錄再現(xiàn)層組313A、313B、313C內(nèi)，由于層積具有相同的膜材料以及膜厚的記錄再現(xiàn)層，所以能夠大幅減輕設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)、制造負(fù)擔(dān)。另外，由于在各記錄再現(xiàn)層組313A、313B、313C內(nèi)層積大致同樣的記錄再現(xiàn)層，所以在記錄再現(xiàn)裝置側(cè)也使記錄再現(xiàn)條件的偏差變小，能夠使記錄再現(xiàn)控制簡(jiǎn)潔化。接著，針對(duì)本發(fā)明的第五實(shí)施方式的多層光記錄介質(zhì)410，參照?qǐng)D11進(jìn)行說(shuō)明。此夕卜，對(duì)于在以下的說(shuō)明中使用的構(gòu)件的附圖標(biāo)記，使后兩位與在第一實(shí)施方式的多層光記錄介質(zhì)的說(shuō)明中使用的附圖標(biāo)記一致，從而省略剖面結(jié)構(gòu)等的圖示。該多層光記錄介質(zhì)410從光入射面的里側(cè)開(kāi)始依次層積16層記錄再現(xiàn)層即LO L15記錄再現(xiàn)層414A 414P。另外，在這些LO L15記錄再現(xiàn)層414A 414P之間，層積第一 第十五中間層416A 4160。進(jìn)而，該多層光記錄介質(zhì)410具有第一、第二記錄再現(xiàn)層組413A、413B。第一、第二記錄再現(xiàn)層組413A、4i;3B分別具有以層積順序連續(xù)的多個(gè)記錄再現(xiàn)層，從接近光入射面的外側(cè)向遠(yuǎn)離光入射面的里側(cè)，使各記錄再現(xiàn)層的層積反射率減少。
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另外，在相鄰的第一記錄再現(xiàn)層組413A和第二記錄再現(xiàn)層組41 之間，與接近光入射面的第二記錄再現(xiàn)層組41B內(nèi)的層積反射率的變動(dòng)量相比較，第一記錄再現(xiàn)層組413A 的該變動(dòng)量設(shè)定得小。即，若從波形上考慮層積反射率的變化，則從接近光入射面的外側(cè)向里側(cè)，振幅變小。具體地說(shuō)，第一記錄再現(xiàn)層組413A為具有LO L4記錄再現(xiàn)層414A 414E的5 層結(jié)構(gòu)，第二記錄再現(xiàn)層組41 為具有L5 L15記錄再現(xiàn)層414F 414P的11層結(jié)構(gòu)。該第一記錄再現(xiàn)層組413A和第二記錄再現(xiàn)層組41 隔著中間層而相鄰，但關(guān)于該相鄰的記錄再現(xiàn)層組413A、413B，與在接近光入射面的外側(cè)的第二記錄再現(xiàn)層組41 中位于最里側(cè)的兩層(即L5記錄再現(xiàn)層414F和L6記錄再現(xiàn)層414G)的層積反射率相比較， 在里側(cè)的記錄再現(xiàn)層組413A中位于最外側(cè)的L4記錄再現(xiàn)層414E的層積反射率高。此外， 雖然沒(méi)有特別圖示，但是作為用于實(shí)現(xiàn)這種層積反射率的膜設(shè)計(jì)，所屬于第一記錄再現(xiàn)層組413A的LO L4記錄再現(xiàn)層414A 414E的單層反射率設(shè)定為1. 5 %，單層吸收率設(shè)定為 6. 9%。另外，關(guān)于位于接近光入射面?zhèn)鹊牡诙涗浽佻F(xiàn)層組413B，所屬于第二記錄再現(xiàn)層組41 的L5 L15記錄再現(xiàn)層414F 414P的單層反射率設(shè)定為0. 7%，單層吸收率設(shè)定為4. 5%。這樣，在本實(shí)施方式中，第一記錄再現(xiàn)層組413A的LO L4記錄再現(xiàn)層414A 414E設(shè)定為彼此大致相同的單層反射率和單層吸收率，另外，第二記錄再現(xiàn)層組41 的 L5 L15記錄再現(xiàn)層414F 414P設(shè)定為彼此大致相同的單層反射率和單層吸收率。其結(jié)果，第一記錄再現(xiàn)層組413A、第二記錄再現(xiàn)層組41 都從光入射面?zhèn)乳_(kāi)始依次使層積反射率下降。與第二記錄再現(xiàn)層組41 相比較，第一記錄再現(xiàn)層組413A的單層反射率高，所以與L5記錄再現(xiàn)層414F的層積反射率相比較，L4記錄再現(xiàn)層414E的層積反射率高。中間層416A 4160的膜厚采用IOym以上的第一距離Tl (12 μ m)和比該第一距離大3 μ m以上的第二距離T2 (16 μ m)。特別在該多層光記錄介質(zhì)410中，僅是位于第一記錄再現(xiàn)層組413A和第二記錄再現(xiàn)層組41 之間的第五中間層416E，設(shè)定為厚的膜厚的第二距離T2 (16 μ m)。其他中間層的膜厚設(shè)定為第一距離Tl (12 μ m)。即，各記錄再現(xiàn)層組413A、4i;3B的內(nèi)部的中間層的膜厚全部統(tǒng)一為12 μ m。結(jié)果，第五中間層416E的膜厚設(shè)定得大于隔著L4記錄再現(xiàn)層414E或者L5記錄再現(xiàn)層414F與其在兩側(cè)相鄰的第四中間層416D以及第六中間層416F。如已經(jīng)敘述那樣， 在L4記錄再現(xiàn)層414E和L5記錄再現(xiàn)層414F之間，由于里側(cè)的L4記錄再現(xiàn)層414E的層積反射率變高(逆轉(zhuǎn))，所以容易發(fā)生層間串?dāng)_。因此，通過(guò)增大位于L4記錄再現(xiàn)層414E 和L5記錄再現(xiàn)層414F之間的第五中間層416E的膜厚，來(lái)使層間串?dāng)_降低?！磳?shí)施例以及比較例〉關(guān)于第一實(shí)施方式的多層光記錄介質(zhì)10 (管理記號(hào)B/2Block型)，使構(gòu)成外側(cè)6 層的記錄膜在單層狀態(tài)下的反射率為0. 7%，吸收率為4. 5%，使構(gòu)成里側(cè)4層的記錄膜在單層狀態(tài)下的反射率為1.4%，吸收率為6.5%，以此來(lái)進(jìn)行制造。此外，所有的記錄再現(xiàn)層的材料組分為T(mén)i02/i^304/Bi0x-Ge0y/Si02/Ti02，通過(guò)在外側(cè)6層和里側(cè)4層使膜厚變化， 從而設(shè)定為上述反射率以及吸收率。因此，基板的厚度為1. 1mm，中間層的厚度交替設(shè)定為 12 μ m、16 μ m,保護(hù)層的厚度為50 μ m。在圖12中示出該實(shí)施例的多層光記錄介質(zhì)的層積反射率、層積吸收率的狀態(tài)。對(duì)于該多層光記錄介質(zhì)10，使用光讀寫(xiě)頭90 —邊控制記錄功率，一邊在LO層(最里側(cè)的記錄再現(xiàn)層)上形成記錄信號(hào)，對(duì)其再現(xiàn)光進(jìn)行了評(píng)價(jià)。另一方面，對(duì)于作為比較例的多層光記錄介質(zhì)(管理記號(hào)A/Normal型)，如以往那樣，以層積狀態(tài)下的返回到光檢測(cè)器732的反射光量和到達(dá)各記錄再現(xiàn)層的激光功率在各記錄再現(xiàn)層幾乎同樣的方式，來(lái)設(shè)計(jì)各記錄再現(xiàn)層。此外，該比較例的層積反射率、層積吸收率的狀態(tài)設(shè)定為與圖M所示的相同，中間層的結(jié)構(gòu)與上述實(shí)施例相同。此外，作為光讀寫(xiě)頭90的記錄功率條件，在實(shí)施例中，在各記錄再現(xiàn)層組13A、13B 內(nèi)，控制為從外側(cè)越向里側(cè)，越使記錄功率增加。另一方面，從第二記錄再現(xiàn)層組13B向第一記錄再現(xiàn)層組13A切換時(shí)，使記錄功率減少。具體地說(shuō)，關(guān)于第二記錄再現(xiàn)層組13B，以最接近光入射面的L9記錄再現(xiàn)層14J的記錄功率設(shè)定為22. OmW，最里側(cè)的L4記錄再現(xiàn)層 14E為30. Omff的方式，依次使記錄功率增加。另一方面，在第一記錄再現(xiàn)層組13A中，以最接近光入射面的L3記錄再現(xiàn)層14D設(shè)定為比L4記錄再現(xiàn)層14E的記錄功率小的22. 5mff, 最里側(cè)的LO記錄再現(xiàn)層14A為30. Omff的方式，依次使記錄功率增加。即，記錄功率的關(guān)系與記錄再現(xiàn)層組14的層積反射率相反。另外，記錄信號(hào)的線密度為25GB，記錄速度為 BDlX (36Mbps)。此外，在比較例的多層光記錄介質(zhì)中，與各記錄再現(xiàn)層的特性相配合，適當(dāng)控制為大致相同的記錄功率。在圖13中示出在實(shí)施例和比較例以相同的再現(xiàn)功率3. OmW對(duì)這樣記錄的信號(hào)再現(xiàn)時(shí)的再現(xiàn)信號(hào)的評(píng)價(jià)結(jié)果。從該結(jié)果可知，在實(shí)施例的多層光記錄介質(zhì)10和比較例的多層光記錄介質(zhì)中，關(guān)于Jitter (抖動(dòng)率)能夠得到毫無(wú)遜色的結(jié)果。特別可知，位于各記錄再現(xiàn)層組13A、13B 的邊界的L4記錄再現(xiàn)層14E和L3記錄再現(xiàn)層14D也能夠得到耐得住實(shí)用的信號(hào)品質(zhì)。特別是關(guān)于L4記錄再現(xiàn)層14E，如在設(shè)計(jì)方法中說(shuō)明那樣，實(shí)質(zhì)上使層積反射率下降到接近可評(píng)價(jià)的下限為止，所以反射光量少。盡管如此，但聚焦、循跡伺服穩(wěn)定，包含Jitter在內(nèi)的信號(hào)特性與其他記錄再現(xiàn)層相比較也沒(méi)有出現(xiàn)大幅惡化。另外可知，關(guān)于光入射面的里側(cè)的記錄再現(xiàn)層組(L0 L3記錄再現(xiàn)層14A 14D)，相比比較例，實(shí)施例的信號(hào)品質(zhì)變得良好。接著，關(guān)于該實(shí)施例和比較例，針對(duì)共焦串?dāng)_的影響最顯著的最里側(cè)的LO記錄再現(xiàn)層14A，在圖14中示出記錄了 1周(圈)時(shí)的信號(hào)照片。在比較例的照片(A-LO)中，觀測(cè)到在1周的記錄信號(hào)中由共焦串?dāng)_引起的反射率的變動(dòng)顯著。因此，從圖13的曲線圖也可知，在比較例中LO記錄再現(xiàn)層的Jitter特性惡化。另一方面，從實(shí)施例的照片(B-LO)可知，在LO記錄再現(xiàn)層14A大幅抑制如在比較例觀測(cè)到那樣的反射率變動(dòng)。特別從圖13的曲線圖也可知，雖然向光檢測(cè)器732的反射光量小，但以相同的再現(xiàn)功率，Jitter特性改善到6. 8%。以上，在本實(shí)施方式中，說(shuō)明了記錄再現(xiàn)層為10 20層，并由相同特性的記錄再現(xiàn)層構(gòu)成的記錄再現(xiàn)層組為2 3組的情況，但本發(fā)明并不限于此。在記錄再現(xiàn)層為4層以上的情況下，通過(guò)應(yīng)用本發(fā)明，能夠大幅減輕設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)。此時(shí)，至少一個(gè)記錄再現(xiàn)層組(特別是最接近光入射面的記錄再現(xiàn)層組)具有3層以上的記錄再現(xiàn)層，而能夠使疊層數(shù)增大。 另外，關(guān)于至少兩個(gè)記錄再現(xiàn)層組(特別是最接近光入射面的記錄再現(xiàn)層組和第二接近光入射面的記錄再現(xiàn)層組)，都優(yōu)選具有2層以上的記錄再現(xiàn)層，更優(yōu)選具有3層以上的記錄再現(xiàn)層。另外，在本發(fā)明中，只要評(píng)價(jià)機(jī)的限制、例如球面象差補(bǔ)正范圍、激光功率等允許， 就能夠增加記錄再現(xiàn)層的疊層數(shù)，進(jìn)而，根據(jù)評(píng)價(jià)機(jī)上的限制，也能夠使記錄再現(xiàn)層組的數(shù)目增加到4組以上。進(jìn)而，在本實(shí)施方式中，示出了采用兩種膜厚的中間層的情況，但本發(fā)明并不限于此，只要適當(dāng)設(shè)定中間層的厚度即可。例如，只要反射率變動(dòng)的影響在評(píng)價(jià)機(jī)允許的范圍， 也可以在記錄再現(xiàn)層組內(nèi)不交替設(shè)置而使中間層的膜厚相同(參照第五實(shí)施方式)。在該情況下，為了降低切換位置的層間雜散光的影響，期望僅在記錄再現(xiàn)層組切換的位置將中間層的膜厚設(shè)定得大。進(jìn)而，在作為中間層設(shè)定有多個(gè)膜厚的情況下，優(yōu)選將其中的最大的膜厚設(shè)定為配置在記錄再現(xiàn)層組之間的中間層的膜厚。此外，如已在第四實(shí)施方式中也進(jìn)行了說(shuō)明那樣，在交替配置有兩種膜厚的中間層且構(gòu)成有三組以上的記錄再現(xiàn)層組時(shí)，就在第二接近入射面?zhèn)鹊挠涗浽佻F(xiàn)層組和位于其之后的記錄再現(xiàn)層組中至少除了最遠(yuǎn)離入射面?zhèn)鹊挠涗浽佻F(xiàn)層組以外的各記錄再現(xiàn)層組而言，各自的記錄再現(xiàn)層數(shù)優(yōu)選為偶數(shù)層。這樣，能夠使記錄再現(xiàn)層組被切換的中間層的膜厚總是為厚的膜厚。此外，本發(fā)明的多層光記錄介質(zhì)并不限于上述的實(shí)施方式，在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)，能夠進(jìn)行各種變更。本發(fā)明的多層光記錄介質(zhì)能夠應(yīng)用于各種規(guī)格的光記錄介質(zhì)。
權(quán)利要求
1.一種多層光記錄介質(zhì)，隔著中間層來(lái)層積至少4層以上的記錄再現(xiàn)層，該記錄再現(xiàn)層能夠通過(guò)照射光來(lái)再現(xiàn)信息，其特征在于，具有至少兩組以上記錄再現(xiàn)層組，該記錄再現(xiàn)層組由以層積順序連續(xù)的多個(gè)所述記錄再現(xiàn)層構(gòu)成，在所述記錄再現(xiàn)層組內(nèi)，特定的記錄再現(xiàn)層的層積狀態(tài)的反射率，比與該特定的記錄再現(xiàn)層在所述光入射面?zhèn)冗B續(xù)的兩個(gè)所述記錄再現(xiàn)層的層積狀態(tài)的反射率中的最大值更小，在隔著所述中間層相鄰的所述記錄再現(xiàn)層組中，與在外側(cè)的所述記錄再現(xiàn)層組中排列在最里側(cè)的兩個(gè)所述記錄再現(xiàn)層的層積狀態(tài)的反射率中的最大值相比較，在里側(cè)的所述記錄再現(xiàn)層組中位于最外側(cè)的所述記錄再現(xiàn)層的層積狀態(tài)的反射率更高。
2.如權(quán)利要求1所述的多層光記錄介質(zhì)，其特征在于，在隔著所述中間層相鄰的所述記錄再現(xiàn)層組中，與在外側(cè)的所述記錄再現(xiàn)層組所包含的所有所述記錄再現(xiàn)層的層積狀態(tài)的反射率中的最大值和最小值之差相比較，在里側(cè)的所述記錄再現(xiàn)層組所包含的所有的所述記錄再現(xiàn)層的層積狀態(tài)的反射率中的最大值和最小值之差更小。
3.如權(quán)利要求1或2所述的多層光記錄介質(zhì)，其特征在于，在隔著所述中間層相鄰的所述記錄再現(xiàn)層組中，與在外側(cè)的所述記錄再現(xiàn)層組所包含的所有所述記錄再現(xiàn)層的層積狀態(tài)的反射率中的最大值相比較，在里側(cè)的所述記錄再現(xiàn)層組所包含的所有所述記錄再現(xiàn)層的層積狀態(tài)的反射率中的最大值更小或相同。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的多層光記錄介質(zhì)，其特征在于，在所述記錄再現(xiàn)層組內(nèi)，所述記錄再現(xiàn)層的層積狀態(tài)的反射率設(shè)定為，從接近所述光入射面的外側(cè)向遠(yuǎn)離該光入射面的里側(cè)減少或者不變。
5.如權(quán)利要求4所述的多層光記錄介質(zhì)，其特征在于，在所述記錄再現(xiàn)層組內(nèi)，所述記錄再現(xiàn)層的層積狀態(tài)的反射率設(shè)定為，從接近所述光入射面的外側(cè)向遠(yuǎn)離該光入射面的里側(cè)單調(diào)減少。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的多層光記錄介質(zhì)，其特征在于，在同一個(gè)所述記錄再現(xiàn)層組內(nèi)，所有的所述記錄再現(xiàn)層的光學(xué)常數(shù)實(shí)質(zhì)上相同。
7.如權(quán)利要求6所述的多層光記錄介質(zhì)，其特征在于，在同一個(gè)所述記錄再現(xiàn)層組內(nèi)，所有的所述記錄再現(xiàn)層的材料組分以及膜厚實(shí)質(zhì)上相同。
8.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的多層光記錄介質(zhì)，其特征在于，最接近所述光入射面的所述記錄再現(xiàn)層組所包含的所述記錄再現(xiàn)層的數(shù)目，比其他所述記錄再現(xiàn)層組所包含的所述記錄再現(xiàn)層的數(shù)目更多。
9.如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的多層光記錄介質(zhì)，其特征在于，在隔著所述中間層相鄰的所述記錄再現(xiàn)層組中，與外側(cè)的所述記錄再現(xiàn)層組所包含的所述記錄再現(xiàn)層的數(shù)目相比較，里側(cè)的所述記錄再現(xiàn)層組所包含的所述記錄再現(xiàn)層的數(shù)目更少。
全文摘要
本發(fā)明提供一種多層光記錄介質(zhì)，抑制層間串?dāng)_和共焦串?dāng)_，并使多層光記錄介質(zhì)的設(shè)計(jì)簡(jiǎn)潔化。另外，也實(shí)現(xiàn)記錄再現(xiàn)裝置側(cè)的記錄再現(xiàn)控制的簡(jiǎn)潔化。在層積4層以上的記錄再現(xiàn)層的多層光記錄介質(zhì)中，具有至少兩組以上由以層積順序連續(xù)的多個(gè)記錄再現(xiàn)層構(gòu)成的記錄再現(xiàn)層組。在各記錄再現(xiàn)層組內(nèi)，特定的記錄再現(xiàn)層的層積狀態(tài)的反射率比與該記錄再現(xiàn)層在光入射面?zhèn)冗B續(xù)的兩個(gè)記錄再現(xiàn)層的層積狀態(tài)的反射率中的最大值更小。另外，在隔著中間層而相鄰的記錄再現(xiàn)層組中，與在外側(cè)的記錄再現(xiàn)層組中排列在最里側(cè)的兩個(gè)記錄再現(xiàn)層的層積狀態(tài)的反射率中的最大值相比較，在里側(cè)的記錄再現(xiàn)層組中位于最外側(cè)的記錄再現(xiàn)層的層積狀態(tài)的反射率更高。
文檔編號(hào)G11B7/242GK102456366SQ20111032843
公開(kāi)日2012年5月16日 申請(qǐng)日期2011年10月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月21日
發(fā)明者丑田智樹(shù), 井上素宏, 小須田敦子, 菊川隆 申請(qǐng)人:Tdk股份有限公司