專利名稱：具有多個讀傳感器的換能器頭的制作方法
具有多個讀傳感器的換能器頭

發(fā)明內(nèi)容
ー種換能器頭，其包括寫磁極和所處位置離開寫磁極具有偏移的多個讀傳感器。偏移可代表沿數(shù)據(jù)磁道方向的距離和/或沿橫越數(shù)據(jù)磁道方向的距離。提供本發(fā)明內(nèi)容以便以簡化的形式介紹將在以下具體實施方式
中進ー步描述的ー些概念。本發(fā)明內(nèi)容并不g在標識所要求保護主題的關(guān)鍵特征或必要特征，也不g在用于限制所要求保護主題的范圍。所要求保護主題的其它特征、細節(jié)、用途以及優(yōu)勢將從下面更具體的對各種實現(xiàn)的書面描述以及如附圖中進ー步示出和在所附權(quán)利要求書中進一歩定義的實現(xiàn)中清楚地知道。附圖簡沭 所描述的技術(shù)可從下面結(jié)合附圖對各種實現(xiàn)的詳細說明中得到最好的理解。圖I示出具有多個讀傳感器的示例性換能器頭的平面圖。圖2示出具有多個讀傳感器的示例性換能器頭的透視圖，所述讀傳感器位于寫磁極的上行磁道。圖3A和3B示出在讀傳感器組中具有多個讀傳感器的示例性換能器頭的兩個示圖，所述讀傳感器組位于寫磁極的上行磁道。圖4A和4B示出具有多個讀傳感器組的示例性換能器頭的兩個示圖，所述讀傳感器組中的每ー個組具有多個讀傳感器并位于寫磁極的下行和上行磁道。圖5A和5B示出具有多個讀傳感器組和多個讀屏蔽物的示例性換能器頭的兩個示圖，所述讀傳感器組位于寫磁極的上行磁道。圖6示出一流程圖，該流程圖示出了使用多個讀傳感器以適應換能器頭與存儲介質(zhì)的各種對準從而在寫過程中維持一致的數(shù)據(jù)磁道的示例性操作。
具體實施例方式在通過換能器頭對硬盤驅(qū)動器作寫操作的過程中，換能器頭可使用讀傳感器對包含位置信息的基準磁道進行讀取。基于由讀傳感器從存儲介質(zhì)檢測到的讀信號，存儲系統(tǒng)(例如硬盤驅(qū)動器)可確定讀傳感器相對于存儲介質(zhì)的位置，并因此確定寫磁極相對于換能器頭上的讀傳感器定位的位置。如此，讀傳感器有益于維持寫磁極與存儲介質(zhì)上的目標數(shù)據(jù)磁道的對準。在一些實現(xiàn)中，基準磁道與目標數(shù)據(jù)磁道是同一磁道并存儲位置信息，該位置信息由讀傳感器讀出以確定寫磁極在目標數(shù)據(jù)其它地方的位置。在ー種替代實現(xiàn)中，基準磁道與目標數(shù)據(jù)磁道(例如專用基準磁道或另ー數(shù)據(jù)磁道)隔開并存儲由讀傳感器讀出的位置信息以確定寫磁極相對于目標數(shù)據(jù)磁道的位置。在兩種實現(xiàn)中，由讀傳感器讀出的位置信息可用來管理由寫磁極產(chǎn)生的寫信號的位置和時序。然而，在某些情況下，數(shù)據(jù)磁道和換能器頭之間的夾角可改變寫磁極和特定讀傳感器之間相對于存儲介質(zhì)上的ー個或多個磁道的對準。如果當頭跨越存儲介質(zhì)的表面從內(nèi)徑(ID)向外徑(OD)移動時讀傳感器/寫磁極的對準沒有實質(zhì)變化，則認為讀傳感器和寫磁極保持著相對一致的磁道。相反，即使對準中的微小變化也能造成不一致的循跡并因此妨礙在具有高磁道密度的磁性記錄盤上讀寫數(shù)據(jù)。然而，被描述的技術(shù)為單個換能器頭提供了多個讀傳感器，由此顯著増加了在任何操作角的情況下多個讀傳感器中的ー個或多個將對準在對于寫磁極合適的基準磁道上的可能性。位圖案化介質(zhì)(BPM)被構(gòu)想成為用于顯著增加面密度的一個選項，該種介質(zhì)涉及一種用于將數(shù)據(jù)記錄在被結(jié)構(gòu)性地形成在存儲介質(zhì)中的磁性単元一致性陣列中的磁存儲技木。BPM単元可通過各種過程被預圖案化，例如但不局限于，光刻法、離子銑削等。例如，每個磁性単元可使用光刻法預布圖在存儲介質(zhì)中，通過光刻法使用高分辨率電子束來記錄掩模圖案。掩模圖案用來對沉積在存儲介質(zhì)表面上的磁性材料選擇性地蝕刻磁性単元。在一種實現(xiàn)中，每個磁性単元存儲單個位并通過存儲介質(zhì)一有限的非磁性區(qū)與所有其它單元隔開。隨著面密度的増加，使換能器頭的讀傳感器和寫磁極保持對準在目標數(shù)據(jù)磁道上 會變得更具挑戰(zhàn)性，尤其對于BPM所提供的尺寸而言。例如，寫磁極和讀傳感器在數(shù)據(jù)磁道方向上的距離可以比BPM上的相應距離大ー個數(shù)量級。然而，包含多個讀傳感器的換能器頭增加了來自至少ー個讀傳感器的讀信號將返回與寫磁極位置對應的有益基準磁道信息的可能性。當對盤進行寫操作吋，具有多個讀傳感器的換能器頭能更好地保持寫磁極與所要求的目標磁道的對準。例如，多個讀傳感器增加了讀傳感器中的至少ー個處在對于寫磁極合適的基準磁道上的可能性。處理讀傳感器在所述合適基準磁道中的位(例如，記錄在単元或島中)上獲得的讀信號可允許寫磁極在寫的過程中保持一致的磁道。在一種實現(xiàn)中，換能器頭包括相對于寫磁極位于上行磁道的多個讀傳感器。在另ー種實現(xiàn)中，換能器頭包括相對于寫磁極位于上行磁道的多個讀傳感器，其中一些讀傳感器由讀屏蔽物隔開。在又ー實現(xiàn)中，換能器頭包括相對于寫磁極位于上行磁道的至少ー個讀傳感器以及相對于寫磁極位于下行磁道的至少ー個讀傳感器。圖I示出具有多個讀傳感器116的示例性換能器頭120的平面

圖100。盤108在操作中繞盤著轉(zhuǎn)軸112旋轉(zhuǎn)。此外，盤108包括外徑102和內(nèi)徑104，在兩者之間有許多同心的數(shù)據(jù)磁道106，在附圖中以環(huán)形虛線表示。數(shù)據(jù)磁道106基本為環(huán)形并由規(guī)則間隔的圖案化位122構(gòu)成，這些位被圖示為盤108上的點或橢圓并示出在局部放大圖123中。然而應當理解，所述技術(shù)可與其它類型的存儲介質(zhì)一起使用，包括連續(xù)磁性介質(zhì)和離散磁道(DT)介質(zhì)?？蓪⑿畔懼帘P108上不同數(shù)據(jù)磁道106中的圖案化位122并可從所述圖案化位中讀出信息。換能器頭120安裝于致動器組件110上，位于致動器轉(zhuǎn)軸114的遠端，并在盤工作過程中貼近盤108的表面在上方飛行。致動器組件110在尋道操作過程中繞位于盤108附近的致動器轉(zhuǎn)軸114轉(zhuǎn)動。尋道操作將換能器頭120定位在目標數(shù)據(jù)磁道之上。局部放大圖123示出具有相對于數(shù)據(jù)磁道106位于寫入器118 (圖示為寫磁極)上行磁道的一排三個讀傳感器116的換能器頭(致動器組件110被省略)。在一種實現(xiàn)中，當盤108沿基本圓形的方向124轉(zhuǎn)動時，換能器頭120沿目標數(shù)據(jù)磁道前迸。在換能器頭120位于目標數(shù)據(jù)磁道上的時候，換能器頭的軸140(例如由貫穿中央讀傳感器和寫入器118的直線界定)相對于目標數(shù)據(jù)磁道在換能器頭120處的切線142成一角度(見夾角144)。
通過將多個讀傳感器116引入到換能器頭120上，存儲系統(tǒng)可監(jiān)視來自讀傳感器116中的每ー個的讀信號，使用這些讀信號中的一個或多個來確定寫入器118相對于目標數(shù)據(jù)磁道的位置。在一種實現(xiàn)中，讀傳感器116中的一個或多個將有可能被對準在與寫入器118相同的數(shù)據(jù)磁道(例如基準磁道)上，從而獲得準確的定位信息。在另ー實現(xiàn)中，讀傳感器116中的一個或多個將有可能被對準在分開的基準磁道(例如專用基準磁道或包含與目標數(shù)據(jù)磁道相關(guān)的位置信息的另ー數(shù)據(jù)磁道)上。此外，在一種實現(xiàn)中，換能器頭120在寫過程之前執(zhí)行讀操作，以將換能器頭120保持在目標數(shù)據(jù)磁道上，盡管也可采用其它寫過程。為解說目的，數(shù)據(jù)磁道方向代表沿數(shù)據(jù)磁道的圓周或切線的方向，而橫越磁道方向代表橫越過磁道寬度的方向(例如沿半徑)?！吧闲写诺馈敝割^相對于磁道行進的方向。通過配置換能器頭，使多個讀傳感器布置在離開寫磁極具有獨特的數(shù)據(jù)磁道方向偏移和橫越磁道方向偏移的位置，増加了讀傳感器中的至少ー個充分對準于與寫磁極相同的數(shù)據(jù)磁道的可能性。圖2示出具有位于寫磁極215上行磁道的多個讀傳感器225的示例性換能器頭200的透視圖。標明為X、Y、Z的軸僅g在解說目的并且不對本發(fā)明的范圍構(gòu)成限制。在圖2中，X軸表示換能器頭200的長度，Y軸表示換能器頭200的寬度，而Z軸表示換能器頭200的高度。換能器頭200包括寫磁極215和回歸磁極205，這些磁極通過磁軛220耦合并由前屏蔽物210分隔。在操作中，定位在磁軛220周圍的線圈中的電流在回歸磁極205和寫磁極215中形成磁場，該磁場可用來影響相關(guān)的存儲介質(zhì)的磁化。讀傳感器225由讀屏蔽物230包含，該讀屏蔽物230位于寫磁極215的上行磁道。在圖2所示的實現(xiàn)中，讀傳感器215全部由同一讀屏蔽物230包含。多個讀傳感器225沿數(shù)據(jù)磁道方向和橫越磁道方向中的ー個或多個方向具有不同的、寫磁極至讀傳感器的偏移，由此允許通過分析與返回相關(guān)讀信號的任何讀傳感器225關(guān)聯(lián)的信息來確定寫磁極215的位置。換句話說，不同讀傳感器225可用來幫助寫磁頭215針對相關(guān)存儲介質(zhì)從內(nèi)徑至外徑的數(shù)據(jù)磁道而維持所要求的數(shù)據(jù)磁道。在一種實現(xiàn)中，產(chǎn)生具有最大信噪比(SNR)的讀信號的讀傳感器被選擇作為讀信號，該讀信號用來跟蹤寫磁極。在另ー實現(xiàn)中，多個讀信號(例如表現(xiàn)出相位基本同步的兩個或更多個相鄰讀信號)可一起求和以為信號提供SNR被提高了的讀信號。在這種情形下，選擇產(chǎn)生這些讀信號的讀傳感器以確定讀位置。在又ー實現(xiàn)中，根據(jù)盤表面上方的換能器頭的徑向位置選擇預定的讀傳感器。例如，校準過程可產(chǎn)生一映射，該映射識別擬用于跟蹤寫磁極的最佳對準的讀傳感器(或多個傳感器)。此外，對多個讀信號求和以提高SNR的方法可在回讀操作過程中獲益?；刈x操作代表ー種操作，其中基于由ー個或多個讀傳感器對來自存儲介質(zhì)表面的位(例如磁場)的檢測，由換能器頭產(chǎn)生讀信號。當使用單個讀傳感器時，讀信號依賴于感測從記錄在存儲介質(zhì)上的位所放射出的磁場。理想地，單個讀傳感器在任何特定的時間點僅檢測來自ー個位的磁場。然而，隨著存儲介質(zhì)上的多種尺寸持續(xù)減小，被記錄的位的相對尺寸(不管是在連續(xù)存儲介質(zhì)上、在離散磁道存儲介質(zhì)上，還是在位圖案化介質(zhì)上，等等)、位間距離以及讀傳感器尺寸聯(lián)合起來使單個讀傳感器不僅檢測來自最接近的位位置的主要磁場，而且檢測來自相鄰位位置的次要磁場。這些次要磁場是讀信號中的噪聲的成因，該噪聲可使用相對于、主要磁場的SNR測量結(jié)果予以評價。有利地，當使用多個傳感器時，可將從多個讀傳感器檢測到的讀信號求和以相對于每個讀信號的次要磁場放大主要磁場。例如，如果兩個相鄰的讀傳感器跨越單個位，每個傳感器檢測來自這個位的有點減弱的主要磁場(由于與該位的略微未對準)，同時還檢測來自其它鄰近位位置的次要磁場，然后可將這些讀信號一起求和以有效地放大與由兩個讀傳感器檢測的主要磁場對應的讀信號部分，使其超過與次要磁場對應的讀信號部分。因此，這種技術(shù)提高了 SNR，這降低了回讀操作過程中的誤碼率(BER)。如圖2所示，換能器頭200具有三個讀傳感 器225，不過讀傳感器225的數(shù)量和布置在各種實現(xiàn)中可以不同。在一種實現(xiàn)中，多個讀傳感器包括至少十個讀傳感器。在另ー實現(xiàn)中，讀傳感器的數(shù)目被確定為相關(guān)BPM的面密度的函數(shù)。讀傳感器225的預期數(shù)目在所描述的技術(shù)中是不受限制的，不過某些實現(xiàn)可能受制造約束或工程選擇的限制。每個讀傳感器呈現(xiàn)出相對于寫磁極215的獨特偏移。因此，多個讀傳感器增加了至少ー個讀傳感器位干與寫磁極相同的磁道上的可能性，不管磁道和換能器頭之間的頭至磁道的角度(在實際邊界內(nèi))為何。應當理解，沿一個軸的偏移(例如沿X軸的數(shù)據(jù)磁道方向偏移、沿Y軸的橫越磁道方向偏移)可以是零數(shù)值偏移，而沿另一軸的偏移為非零的。例如，寫磁極和讀傳感器中的一個兩者可位于Y軸上的相同位置(例如換能器頭的中央)，而在X軸上有偏移(例如讀傳感器位于寫磁極的上行磁道)。圖3A和3B示出示例性換能器頭300的兩個示圖，其中讀傳感器組330中的多個讀傳感器位于寫磁極320的上行磁道。標明為X、Y和Z的軸僅為示例性的并且不g在限制本發(fā)明的范圍。圖3A示出換能器頭300的側(cè)視圖。圖3B示出換能器頭300的底視圖。換能器頭300包括寫磁極320和回歸磁極305，這些磁極通過磁軛315耦合并由前屏蔽物310分隔。在操作中，位于磁軛315周圍的線圈340中的電流在回歸磁極305和寫磁極320中形成磁場，該磁場可用來影響相關(guān)的存儲介質(zhì)的磁化。在一種實現(xiàn)中，寫磁極320垂直地磁化相關(guān)的存儲介質(zhì)。另ー屏蔽物345位于寫磁極320和讀屏蔽物325之間。讀傳感器組330由讀屏蔽物325包含并位于寫磁極320的上行磁道。在圖3A和3B所示的實現(xiàn)中，讀傳感器組330由同一讀屏蔽物325包含。讀傳感器組330中的每個讀傳感器具有不同的、寫磁極至讀傳感器的偏移，由此允許通過分析與返回讀信號的任何讀傳感器關(guān)聯(lián)的信息來確定寫磁極320的位置。換句話說，不同的讀傳感器可用來幫助寫磁頭320針對相關(guān)存儲介質(zhì)從內(nèi)徑至外徑的數(shù)據(jù)磁道而維持所要求的數(shù)據(jù)磁道。如圖3A和3B所示，換能器頭300在讀傳感器組330中具有三個讀傳感器，盡管讀傳感器的數(shù)目在各種實現(xiàn)中可以是不同的。在一種實現(xiàn)中，換能器頭300包括至少十個讀傳感器。在另ー實現(xiàn)中，讀傳感器的數(shù)目被確定為相關(guān)BPM的面密度的函數(shù)。圖4A和4B示出具有多個讀傳感器組430、435的示例性換能器頭400的兩個示圖，所述讀傳感器組430、435各自具有位于寫磁極420下行和上行磁道的多個讀傳感器。標明為X、Y和Z的軸僅為示例性的并且不g在限制本發(fā)明的范圍。圖4A示出換能器頭400的側(cè)視圖。圖4B示出換能器頭400的底視圖。換能器頭400包括寫磁極420和回歸磁極405，這些磁極通過磁軛415耦合并由前屏蔽物410分隔。在操作中，位于磁軛415周圍的線圈440中的電流在回歸磁極405和寫磁極420中形成磁場,該磁場可用來影響相關(guān)的存儲介質(zhì)的磁化。在一種實現(xiàn)中，寫磁極420垂直地磁化相關(guān)的存儲介質(zhì)。另ー屏蔽物445位于寫磁極420和讀屏蔽物425之間。由讀屏蔽物425包含的至少ー個讀傳感器位于寫磁極420的上行磁道。在圖4A和圖4B所示的實現(xiàn)中，讀傳感器組430位于寫磁極420的上行磁道并由單個讀屏蔽物425包含。此外，由讀屏蔽物450包含的至少ー個讀傳感器位于寫磁極420的下行磁道。在圖4A和4B所 示的實現(xiàn)中，讀傳感器組435位于寫磁極420的下行磁道并由單個讀屏蔽物450包含。讀傳感器組430、435中的每個讀傳感器具有不同的、寫磁極至讀傳感器的偏移，由此允許通過分析與返回讀信號的任何讀傳感器關(guān)聯(lián)的信息來確定寫磁極420的位置。換句話說，每個讀傳感器呈現(xiàn)出沿X和Y軸離開寫磁極420的不同偏移，這能提供多個獨特的偏移，由此確定寫磁極420相對于磁道的位置。不同的讀傳感器可用來幫助寫磁頭420針對相關(guān)存儲介質(zhì)從內(nèi)徑至外徑的數(shù)據(jù)磁道而維持所要求的數(shù)據(jù)磁道。如圖4A和4B所示，換能器頭400在位于上行磁道的讀傳感器組430中具有三個讀傳感器并且在位于寫磁極420下行磁道的讀傳感器組435中具有三個讀傳感器，不過讀傳感器的數(shù)目可在各種實現(xiàn)中變化。在一種實現(xiàn)中，換能器頭400包括至少十個讀傳感器。在另ー實現(xiàn)中，讀傳感器的數(shù)目被確定為相關(guān)BPM的面密度的函數(shù)。有利地，在相對寫磁極具有上行磁道偏移和下行磁道偏移的地方都使用多個讀傳感器提供了多個獨特的偏移，并増加了至少ー個讀傳感器將跟蹤寫磁極的可能性。圖5A和5B示出具有多個讀傳感器組530、550和多個讀屏蔽物525、535的示例性換能器頭500的兩個示圖，這些讀傳感器組位于寫磁極520的上行磁道。標明為X、Y和Z的軸僅為示例性的并且不g在限制本發(fā)明的范圍。圖5A示出換能器頭500的側(cè)視圖。圖5B示出換能器頭500的底視圖。換能器頭500包括寫磁極520和回歸磁極505，這些磁極通過磁軛515耦合并由前屏蔽物510分隔。在操作中，位于磁軛515周圍的線圈540中的電流在回歸磁極505和寫磁極520中形成磁場,該磁場可用來影響相關(guān)的存儲介質(zhì)的磁化。在一種實現(xiàn)中，寫磁極520垂直地磁化相關(guān)的存儲介質(zhì)。另ー屏蔽物545位于寫磁極520和讀屏蔽物525之間。讀傳感器組530中的至少ー個讀傳感器由讀屏蔽物525包含并位于寫磁極520的上行磁道。另外，讀傳感器組550中的至少ー個讀傳感器由讀屏蔽物535包含并也位于寫磁極520和讀屏蔽物525的上行磁道。然而應當理解，多個讀傳感器組在其它實現(xiàn)中可位于寫磁極520的下行磁道。在圖5A和5B所示的實現(xiàn)中，多個讀傳感器組530、550由不同的讀屏蔽物525、535包含。每個讀傳感器組530、550中的多個個體的讀傳感器具有不同的、寫磁極至讀傳感器的偏移，由此允許通過分析與返回數(shù)據(jù)信號的任何讀傳感器關(guān)聯(lián)的信息來確定寫磁極520的位置。換句話說，每個讀傳感器呈現(xiàn)出沿X和Y軸離開寫磁極520的不同偏移(即使所有讀傳感器處于寫磁極520的同一側(cè))，這能提供多個獨特的偏移，從中確定寫磁極520相對于磁極的位置。不同的讀傳感器可用來幫助寫磁頭520針對相關(guān)存儲介質(zhì)從內(nèi)徑至外徑的數(shù)據(jù)磁道而維持所要求的數(shù)據(jù)磁道。如圖5A和5B所示，換能器頭500在與讀屏蔽物525關(guān)聯(lián)的讀傳感器組530中具有三個讀傳感器，并且在與讀屏蔽物535關(guān)聯(lián)的讀傳感器組550中具有三個讀傳感器，不過讀傳感器的數(shù)目在各種實現(xiàn)中可以不同。在一種實現(xiàn)中，換能器頭500包括至少十個讀傳感器。在另ー實現(xiàn)中，讀傳感器的數(shù)目被確定為相關(guān)BPM的面密度的函數(shù)。有利地，使用相對于寫磁極具有不同的上行磁道偏移和/或不同的下行磁道偏移的多個讀傳感器提供了多個獨特的偏移，并增加了至少ー個讀傳感器將與寫磁極一起循跡的可能性。圖6示出使用多個讀傳感器以適應換能器頭與存儲介質(zhì)的各種對準從而在寫過程中維持一致的數(shù)據(jù)磁道的示例性操作600的流程圖。在寫至相關(guān)存儲介質(zhì)的過程中，換能器頭可在寫過程之前使用讀操作，以維持與所要求的數(shù)據(jù)磁道的對準。包含多個讀傳感器的換能器頭增加了來自讀傳感器中至少ー個讀傳感器的信號返回數(shù)據(jù)磁道信息的可能性。在檢測操作602，換能器頭上的至少ー個讀傳感器檢測來自相關(guān)存儲介質(zhì)的讀信號。在一種實現(xiàn)中，相關(guān)存儲介質(zhì)是位圖案化介質(zhì)。在一種實現(xiàn)中，多個讀傳感器位于寫磁極的上行磁道，其中每個讀傳感器相對寫磁極具有恒定的數(shù)據(jù)磁道方向偏移和不同的橫越磁道方向偏移。在另ー實現(xiàn)中，多個讀傳感器位于寫磁極的上行磁道，其中每個讀傳感器相對于寫磁極具有與至少另ー個讀傳感器不同的數(shù)據(jù)磁道方向偏移，以及不同的橫越磁道方向偏移。在又ー實現(xiàn)中，多個讀傳感器中的各讀傳感器位于寫磁極的下行磁道和上行磁道兩者上。 選擇操作604選擇從多個讀傳感器中的至少ー個讀傳感器讀出的至少ー個信號。在一種實現(xiàn)中，檢測到最高SNR讀信號的一個或多個讀傳感器被選擇用于幫助確定讀位置。在另ー實現(xiàn)中，將多個讀信號組合以產(chǎn)生SNR被提高了的經(jīng)改善的讀信號。在又ー實現(xiàn)中，事先校準操作(未示出)產(chǎn)生ー個表，讀傳感器根據(jù)換能器頭的徑向位置使用該表。確定讀位置的操作606確定所選擇的讀傳感器相對于存儲介質(zhì)的位置，如由讀信號所識別的那樣。在一種實現(xiàn)中，讀信號包括能為存儲設備的伺服控制邏輯所理解的位置信息。該信息可用來計算相對于存儲介質(zhì)表面的讀位置(例如所選擇的讀傳感器的位置)。確定寫磁極位置的操作608基于所選擇的讀位置確定寫磁極相對于相關(guān)存儲介質(zhì)的位置。在一種實現(xiàn)中，換能器頭上ー個或多個所選擇的讀傳感器相對于寫磁極的偏移是已知的。因此，如果已確立相對于盤的讀位置，則可使用幾何算法來計算寫磁極相對于盤的位置。調(diào)整操作610基于所確定的寫磁極位置(例如通過相對于盤移動致動器臂)來調(diào)整換能器頭(并因此調(diào)整固定于此的寫磁極)的徑向定位。盡管本文的示例性實現(xiàn)被應用于位圖案化介質(zhì)，然而要理解，它們也可應用于其它類型的介質(zhì)，例如圖案化介質(zhì)和連續(xù)介質(zhì)及其相應的記錄方法。前面的說明、示例和數(shù)據(jù)提供了對用于將數(shù)據(jù)寫至介質(zhì)的方法和裝置的示例性實現(xiàn)的完整描述。盡管前面已在一定程度上具體描述了裝置的各種實現(xiàn)或參照了ー種或多種個別實現(xiàn)，然而本領(lǐng)域技術(shù)人員能在不脫離本發(fā)明精神或范圍的情況下對所公開的實現(xiàn)作出多種變化。在前面說明中包含的以及在附圖中示出的所有事項應被解釋為僅為了解說特定實現(xiàn)并且不作為限制?？稍诓粫撾x后附權(quán)利要求書中所定義的本發(fā)明的基本要素的情況下，作出各種細節(jié)或結(jié)構(gòu)的改變。
權(quán)利要求
1.ー種方法，包括 使用固定于換能器頭的多個讀傳感器中的至少ー個來檢測來自存儲介質(zhì)數(shù)據(jù)磁道的讀信號。
2.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，還包括 基于所述讀信號，確定固定于所述換能器頭的寫磁極的位置。
3.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，還包括 基于所述讀信號，調(diào)整所述換能器頭的徑向定位。
4.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述讀傳感器中每ー個讀傳感器的位置相對于寫磁極具有沿所述數(shù)據(jù)磁道方向的獨特偏移，其中所述寫磁極固定于所述換能器頭。
5.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述讀傳感器中每ー個讀傳感器的位置相對于寫磁極具有數(shù)據(jù)磁道方向偏移和橫越磁道方向偏移的獨特組合，其中所述寫磁極固定于所述換能器頭。
6.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述存儲介質(zhì)數(shù)據(jù)磁道設置在存儲介質(zhì)的表面上，所述方法還包括 基于所述換能器頭相對于所述存儲介質(zhì)表面的徑向定位，選擇所述多個讀傳感器中的至少ー個。
7.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，還包括 在所述多個讀傳感器中選擇至少ー個相比所述多個讀傳感器中ー個或多個未被選擇的讀傳感器具有相對較高信噪比的讀傳感器。
8.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述多個讀傳感器中的至少ー個個體的讀傳感器位于寫磁極的上行磁道，并且所述多個讀傳感器中的至少ー個其它的個體讀傳感器位于所述寫磁極的下行磁道，其中所述寫磁極固定于所述換能器頭。
9.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，還包括 在回讀操作過程中，將來自所述多個讀傳感器中的至少兩個讀傳感器的讀信號組合，所述組合提高了所述回讀操作過程中由所述換能器頭檢測到的讀數(shù)據(jù)的信噪比。
10.一種系統(tǒng),包括 換能器頭；以及 固定于所述換能器頭的多個讀傳感器。
11.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述讀傳感器被配置成檢測來自存儲介質(zhì)的讀信號。
12.如權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其特征在于，被配置成基于所述讀信號確定固定于所述換能器頭的寫磁極的位置。
13.如權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其特征在于，被配置成基于所述讀信號調(diào)整所述換能器頭的徑向定位。
14.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述讀傳感器中每ー個讀傳感器的位置相對于寫磁極具有獨特的偏移，其中所述寫磁極固定于所述換能器頭。
15.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述讀傳感器中每ー個讀傳感器的位置相對于寫磁極具有數(shù)據(jù)磁道方向偏移和橫越磁道方向偏移的獨特組合，其中所述寫磁極固定于所述換能器頭。
16.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其特征在于，存儲介質(zhì)數(shù)據(jù)磁道設置在存儲介質(zhì)的表面上，并且基于所述換能器頭相對于存儲介質(zhì)表面的徑向定位來選擇所述多個讀傳感器中的至少ー個。
17.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其特征在于，基于所述多個讀傳感器中的至少ー個讀傳感器檢測到相比所述多個讀傳感器中ー個或多個未被選擇的傳感器具有相對較高信噪比，選擇所述至少ー個讀傳感器。
18.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述多個讀傳感器中的至少ー個位于寫磁極的上行磁道，并且所述多個讀傳感器中的至少ー個其它讀傳感器位于所述寫磁極的下行磁道，其中所述寫磁極固定于所述換能器頭。
19.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述換能器頭被配置成在回讀操作過程中將來自至少兩個讀傳感器的讀信號組合，所述組合提高了所述回讀操作過程中由所述換能器頭檢測到的讀數(shù)據(jù)的信噪比。
20.—種系統(tǒng),包括 存儲介質(zhì)，所述存儲介質(zhì)包括在所述存儲介質(zhì)的內(nèi)徑和外徑之間的多個同心的數(shù)據(jù)磁道； 換能器頭； 固定于所述換能器頭的多個讀傳感器；以及 固定于所述換能器頭并相對于每一讀傳感器獨特定位的寫磁極，其中當所述換能器頭位于所述存儲介質(zhì)的內(nèi)徑和外徑之間時，所述多個讀傳感器中的至少ー個對準于與所述寫磁極相同的數(shù)據(jù)磁道，不管所述換能器頭是否與所述數(shù)據(jù)磁道對準。
全文摘要
為了改善在寫至存儲介質(zhì)過程中一致的數(shù)據(jù)磁道，將多個讀傳感器固定于換能器頭。在一種實現(xiàn)中，換能器頭包括位于寫磁極上行磁道的多個讀傳感器。在另一實現(xiàn)中，換能器頭包括位于寫磁極上行磁道的至少一個讀傳感器以及位于寫磁極下行磁道的至少一個讀傳感器。多個讀傳感器相對于寫磁極的各個位置可以是獨特的。所選擇的讀傳感器的一個或多個讀信號用來確定讀位置，并因此確定寫磁極相對于存儲介質(zhì)的位置。
文檔編號G11B5/58GK102646420SQ201210040428
公開日2012年8月22日 申請日期2012年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月16日
發(fā)明者O·赫諾尼恩, 陳永華, 高凱中 申請人:希捷科技有限公司