差分存儲(chǔ)NAND Flash存儲(chǔ)器寫操作的方法及裝置制造方法
【專利摘要】本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N差分存儲(chǔ)NAND?Flash存儲(chǔ)器寫操作的方法及裝置，所述存儲(chǔ)器包括存儲(chǔ)陣列；其中，所述差分存儲(chǔ)NAND?Flash存儲(chǔ)器寫操作的方法包括：接收寫操作指令，所述寫操作指令包括目標(biāo)數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址；根據(jù)所述目標(biāo)地址將需要執(zhí)行寫操作的page數(shù)據(jù)讀取到緩存器中；將所述目標(biāo)數(shù)據(jù)和page數(shù)據(jù)更新生成目標(biāo)page數(shù)據(jù)；對(duì)所述page數(shù)據(jù)所在的存儲(chǔ)陣列進(jìn)行擦除，將目標(biāo)page數(shù)據(jù)編寫到所述存儲(chǔ)陣列中。本申請(qǐng)可以提高所述NAND?Flash寫操作的可靠性，降低單位成本。
【專利說明】差分存儲(chǔ)NAND Flash存儲(chǔ)器寫操作的方法及裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請(qǐng)涉及存儲(chǔ)器【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種差分存儲(chǔ)NAND Flash存儲(chǔ)器寫操作方法，以及，一種差分存儲(chǔ)NAND Flash存儲(chǔ)器寫操作的裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器)，一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)芯片。EEPROM可以在電腦上或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息，重新編程。參照?qǐng)D1，所示為一種傳統(tǒng)的EEPROM架構(gòu)示意圖，每一個(gè)存儲(chǔ)單元有一個(gè)浮動(dòng)?xùn)艠O(Floating gate cell),以及一個(gè)常規(guī)NMOS器件(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)構(gòu)成，并且每一個(gè)存儲(chǔ)單元需要一個(gè)門極(contact)將存儲(chǔ)單元(cell)的漏極(drain)引到位線(BL)上,這樣一方面單位存儲(chǔ)成本相比Flash存儲(chǔ)器要高一個(gè)數(shù)量級(jí),并且很難推進(jìn)到更先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)。這樣導(dǎo)致單位存儲(chǔ)單元的成本較高，并且不容易得到更高的集成度，增加達(dá)到更大容量的產(chǎn)品的成本和難度。EEPROM作為早期出現(xiàn)的一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，在電子系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用。但是為了達(dá)到其獨(dú)特的獨(dú)立位的操作特性，這種架構(gòu)單位成本相較與一種廣泛應(yīng)用的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器Flash要大至少一個(gè)數(shù)量級(jí)。這種高單位成本一直制約著EEPROM的應(yīng)用市場(chǎng)。
[0003]NAND Flash內(nèi)存是Flash內(nèi)存的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。參照?qǐng)D2，所示為NAND Flash工藝架構(gòu)示意圖，NAND Flash的工藝架構(gòu)為數(shù)個(gè)存儲(chǔ)單元(如16/32/64個(gè)存儲(chǔ)單元)串聯(lián)起來，然后通過一個(gè)漏極端選通管(DSG)和一個(gè)源極端選通管(SSG)控制選通或斷開。NAND Flash的架構(gòu)的優(yōu)勢(shì)是能夠推進(jìn)到更先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)，比如現(xiàn)在已經(jīng)到30nm以下。NAND Flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。但是NAND Flash相對(duì)于EEPROM可靠性較差。
[0004]因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員迫切需要解決的問題之一在于，提出了一種利用現(xiàn)有NAND工藝實(shí)現(xiàn)低成本可靠性高的EEPROM方案，通過優(yōu)化算法提高了可靠性，保持EEPROM的特性。相比傳統(tǒng)的EEPR0M，成本大大降低。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本申請(qǐng)所要解決的技術(shù)問題是提供一種差分存儲(chǔ)NAND Flash存儲(chǔ)器寫操作方法，以及，一種差分存儲(chǔ)NAND Flash存儲(chǔ)器寫操作方法的裝置，用以提高所述NAND Flash寫操作的可靠性，降低單位成本。
[0006]為了解決上述問題，本申請(qǐng)公開了一種差分存儲(chǔ)NAND Flash存儲(chǔ)器寫操作的方法，所述存儲(chǔ)器包括存儲(chǔ)陣列；所述方法包括:
[0007]接收寫操作指令，所述寫操作指令包括目標(biāo)數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址；
[0008]根據(jù)所述目標(biāo)地址將需要執(zhí)行寫操作的page數(shù)據(jù)讀取到緩存器中；[0009]將所述目標(biāo)數(shù)據(jù)和page數(shù)據(jù)更新生成目標(biāo)page數(shù)據(jù)；
[0010]對(duì)所述page數(shù)據(jù)所在的存儲(chǔ)陣列進(jìn)行擦除，將目標(biāo)page數(shù)據(jù)編寫到所述存儲(chǔ)陣列中。
[0011]優(yōu)選地，所述存儲(chǔ)陣列中包括若干存儲(chǔ)塊，所述存儲(chǔ)塊中包括若干存儲(chǔ)單元、一個(gè)源極選通管和一個(gè)漏極選通管；其中，一個(gè)存儲(chǔ)塊對(duì)應(yīng)一個(gè)位線，一個(gè)存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)一個(gè)字線。
[0012]優(yōu)選地，所述的方法還包括:
[0013]用相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元生成存儲(chǔ)位，所述存儲(chǔ)位存儲(chǔ)I比特?cái)?shù)據(jù)。
[0014]優(yōu)選地，所述根據(jù)目標(biāo)地址將需要執(zhí)行寫操作的page數(shù)據(jù)讀取到緩存器中的步驟包括:
[0015]根據(jù)目標(biāo)地址在所述存儲(chǔ)陣列中查詢，獲取對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)；
[0016]將所述對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)的page數(shù)據(jù)讀取到緩存器中。
[0017]優(yōu)選地，所述將目標(biāo)數(shù)據(jù)和page數(shù)據(jù)更新生成目標(biāo)page數(shù)據(jù)的步驟包括:
[0018]將所述目標(biāo)數(shù)據(jù)替換所述對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)；
[0019]所述page數(shù)據(jù)中的非對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)保留不變。
[0020]優(yōu)選地，所述相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元包括:
[0021]位線方向相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元；
[0022]字線方向相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元；
[0023]位線與字線對(duì)角線方向相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元。
[0024]本申請(qǐng)實(shí)施例還公開了一種差分存儲(chǔ)NAND Flash存儲(chǔ)器寫操作的裝置，所述存儲(chǔ)器包括存儲(chǔ)陣列；所述裝置包括:
[0025]寫指令接收模塊，用于接收寫操作指令，所述寫操作指令包括目標(biāo)數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址；
[0026]Page數(shù)據(jù)讀取模塊，用于根據(jù)所述目標(biāo)地址將需要執(zhí)行寫操作的page數(shù)據(jù)讀取到緩存器中；
[0027]目標(biāo)數(shù)據(jù)生成模塊，用于將所述目標(biāo)數(shù)據(jù)和page數(shù)據(jù)更新生成目標(biāo)page數(shù)據(jù)；
[0028]目標(biāo)page數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊，用于對(duì)所述page數(shù)據(jù)所在的存儲(chǔ)陣列進(jìn)行擦除，將目標(biāo)page數(shù)據(jù)編寫到所述存儲(chǔ)陣列中。
[0029]優(yōu)選地，所述存儲(chǔ)陣列中包括若干存儲(chǔ)塊，所述存儲(chǔ)塊中包括若干存儲(chǔ)單元、一個(gè)源極選通管和一個(gè)漏極選通管；其中，一個(gè)存儲(chǔ)塊對(duì)應(yīng)一個(gè)位線，一個(gè)存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)一個(gè)字線。
[0030]優(yōu)選地，所述的裝置還包括:
[0031]存儲(chǔ)位生成模塊，用于將相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元生成存儲(chǔ)位，所述存儲(chǔ)位存儲(chǔ)I比特?cái)?shù)據(jù)。
[0032]優(yōu)選地，所述根據(jù)數(shù)據(jù)讀取模塊包括:
[0033]對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)獲取子模塊，用于根據(jù)目標(biāo)地址在所述存儲(chǔ)陣列中查詢，獲取對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)；
[0034]對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)讀取子模塊，用于將所述對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)的page數(shù)據(jù)讀取到緩存器中。
[0035]優(yōu)選地，所述目標(biāo)數(shù)據(jù)生成模塊包括:[0036]對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)替換子模塊，用于將所述目標(biāo)數(shù)據(jù)替換所述對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)；
[0037]非對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)保留子模塊，用于所述page數(shù)據(jù)中的非對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)保留不變。
[0038]優(yōu)選地，所述相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元包括:
[0039]位線方向相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元；
[0040]字線方向相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元；
[0041]位線與字線對(duì)角線方向相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元。
[0042]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請(qǐng)包括以下優(yōu)點(diǎn):
[0043]本申請(qǐng)通過寫操作指令中的目標(biāo)地址獲取NAND Flash的存儲(chǔ)陣列對(duì)應(yīng)地址中的對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)，根據(jù)對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)獲取對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)所屬的page數(shù)據(jù)，讀取page數(shù)據(jù)到緩存器，在緩存器中用寫操作指令中的目標(biāo)數(shù)據(jù)替換對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)，更新page數(shù)據(jù)生成目標(biāo)page數(shù)據(jù)。再擦除存儲(chǔ)陣列中的page數(shù)據(jù)，將目標(biāo)page數(shù)據(jù)編寫到存儲(chǔ)陣列。同時(shí)使用相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元表征一比特?cái)?shù)據(jù)，即采用兩個(gè)存儲(chǔ)單元的閾值電壓差表征一比特?cái)?shù)據(jù)，能夠增加數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理的準(zhǔn)確性，也使數(shù)據(jù)被保持的能力大幅度提高，也可以提高可靠性。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0044]圖1是一種傳統(tǒng)的EEPROM存儲(chǔ)陣列部分架構(gòu)的示意圖；
[0045]圖2是NAND Flash存儲(chǔ)陣列部分架構(gòu)的示意圖；
[0046]圖3是本申請(qǐng)一種差分存儲(chǔ)NAND Flash存儲(chǔ)器寫操作的方法實(shí)施例1的流程圖；
[0047]圖4是本申請(qǐng)一種差分存儲(chǔ)NAND Flash存儲(chǔ)器寫操作的方法實(shí)施例2的流程圖；
[0048]圖5是本申請(qǐng)NAND Flash存儲(chǔ)塊架構(gòu)的示意圖；
[0049]圖6是本申請(qǐng)一種差分存儲(chǔ)NAND Flash存儲(chǔ)器寫操作的裝置實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)框圖；
[0050]圖7是本申請(qǐng)一種差分存儲(chǔ)NAND Flash存儲(chǔ)器寫操作的裝置實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0051]為使本申請(qǐng)的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0052]本申請(qǐng)實(shí)施例的核心構(gòu)思之一在于，通過寫操作指令中的目標(biāo)地址獲取NANDFlash的存儲(chǔ)陣列對(duì)應(yīng)地址中的對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)，根據(jù)對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)獲取對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)所屬的page數(shù)據(jù)，讀取page數(shù)據(jù)到緩存器，在緩存器中用寫操作指令中的目標(biāo)數(shù)據(jù)替換對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)，更新page數(shù)據(jù)生成目標(biāo)page數(shù)據(jù)。再擦除存儲(chǔ)陣列中的page數(shù)據(jù)，將目標(biāo)page數(shù)據(jù)編寫到存儲(chǔ)陣列，采用兩個(gè)存儲(chǔ)單元之間的差異來存儲(chǔ)一比特的數(shù)據(jù)。
[0053]參照?qǐng)D3，示出了本申請(qǐng)一種差分存儲(chǔ)NAND Flash存儲(chǔ)器寫操作的方法的流程圖，所述存儲(chǔ)器包括存儲(chǔ)陣列；所述存儲(chǔ)陣列中包括若干存儲(chǔ)塊，所述存儲(chǔ)塊中包括若干存儲(chǔ)單元、一個(gè)源極選通管和一個(gè)漏極選通管；其中，一個(gè)存儲(chǔ)塊對(duì)應(yīng)一個(gè)位線，一個(gè)存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)一個(gè)字線；所述方法具體可以包括以下步驟:
[0054]步驟101，接收寫操作指令，所述寫操作指令包括目標(biāo)數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址；
[0055]在具體實(shí)現(xiàn)中，目標(biāo)數(shù)據(jù)是需要更新到存儲(chǔ)陣列中的數(shù)據(jù)，目標(biāo)數(shù)據(jù)將寫入存儲(chǔ)陣列中目標(biāo)位置。目標(biāo)位置可以已存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，也可以為空，兩者都要涉及存儲(chǔ)邏輯值的變化。
[0056]步驟102，根據(jù)所述目標(biāo)地址將需要執(zhí)行寫操作的page數(shù)據(jù)讀取到緩存器中；
[0057]接收到寫指令后，自動(dòng)把需要操作的page數(shù)據(jù)讀取到緩存器中，Page是實(shí)現(xiàn)寫數(shù)據(jù)的基本單位，通常有256byte或以上數(shù)據(jù)組成。
[0058]在本申請(qǐng)的一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述步驟102具體可以包括以下子步驟:
[0059]子步驟S11，根據(jù)目標(biāo)地址在所述存儲(chǔ)陣列中查詢，獲取對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)；
[0060]子步驟S12，將所述對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)的page數(shù)據(jù)讀取到緩存器中。
[0061]在具體實(shí)現(xiàn)中，NAND Flash的特性決定了存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，若其中的一個(gè)比特?cái)?shù)據(jù)要進(jìn)行修改，那么需要將對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)所屬的整個(gè)page數(shù)據(jù)讀取到緩存中。
[0062]步驟103，將所述目標(biāo)數(shù)據(jù)和page數(shù)據(jù)更新生成目標(biāo)page數(shù)據(jù)；
[0063]將寫指令中的數(shù)據(jù)進(jìn)行更新為新的page數(shù)據(jù)，page數(shù)據(jù)中沒有被更新到的數(shù)據(jù)保留不變。
[0064]在本申請(qǐng)的一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述步驟103具體可以包括以下步驟:
[0065]子步驟S21，將所述目標(biāo)數(shù)據(jù)替換所述對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)；
[0066]子步驟S22，所述page數(shù)據(jù)中的非對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)保留不變。
[0067]在具體實(shí)現(xiàn)中，將page數(shù)據(jù)讀取到緩存后，將目標(biāo)數(shù)據(jù)替換在page數(shù)據(jù)中對(duì)應(yīng)目標(biāo)地址的數(shù)據(jù),保留其他數(shù)據(jù),將整個(gè)page數(shù)據(jù)更新為目標(biāo)page數(shù)據(jù)。比如page數(shù)據(jù)大小為256byte，用戶可能只需要修改其中的128byte，而剩余的128byte數(shù)據(jù)保持不變，這些128byte數(shù)據(jù)則沒有被更新。
[0068]步驟104，對(duì)所述page數(shù)據(jù)所在的存儲(chǔ)陣列進(jìn)行擦除，將目標(biāo)page數(shù)據(jù)編寫到所述存儲(chǔ)陣列中。
[0069]進(jìn)行page數(shù)據(jù)擦除操作時(shí)，NAND Flash的這種結(jié)構(gòu)可以通過控制字線電壓不同來選擇性進(jìn)行page數(shù)據(jù)擦除。進(jìn)行page數(shù)據(jù)擦除操作時(shí)，選中的字線電壓可以為0V，非選中字線為高壓比如24V。
[0070]在具體實(shí)現(xiàn)中，Page數(shù)據(jù)擦除操作完成后，把緩存器中更新的page數(shù)據(jù)通過重新編寫寫到存儲(chǔ)陣列中。在通常的NAND Flash工藝下，整個(gè)操作可以在IOms以內(nèi)完成，滿足EEPROM的寫操作的性能。
[0071]參照?qǐng)D4，示出了一種差分存儲(chǔ)NAND Flash存儲(chǔ)器寫操作的方法實(shí)施例2的流程圖，所述存儲(chǔ)器包括存儲(chǔ)陣列；所述存儲(chǔ)陣列中包括若干存儲(chǔ)塊，所述存儲(chǔ)塊中包括若干存儲(chǔ)單元、一個(gè)源極選通管和一個(gè)漏極選通管；其中，一個(gè)存儲(chǔ)塊對(duì)應(yīng)一個(gè)位線，一個(gè)存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)一個(gè)字線。具體可以包括以下步驟:
[0072]步驟201、接收寫操作指令，所述寫操作指令中包括目標(biāo)數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址；
[0073]步驟202、根據(jù)所述目標(biāo)地址將需要執(zhí)行寫操作的page數(shù)據(jù)讀取到緩存器中；
[0074]步驟203、將所述目標(biāo)數(shù)據(jù)和page數(shù)據(jù)更新生成目標(biāo)page數(shù)據(jù)；
[0075]步驟204、對(duì)存儲(chǔ)所述page數(shù)據(jù)所在的存儲(chǔ)陣列進(jìn)行擦除，將目標(biāo)page數(shù)據(jù)編寫到所述存儲(chǔ)陣列中；
[0076]步驟205，用相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元生成存儲(chǔ)位，所述存儲(chǔ)位存儲(chǔ)I比特?cái)?shù)據(jù)。
[0077]在本申請(qǐng)的一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元具體可以進(jìn)包括:[0078]位線方向相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元；
[0079]字線方向相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元；
[0080]位線與字線對(duì)角線方向相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元。
[0081]相比傳統(tǒng)的EEPROM，NAND Flash的可靠性要差。為了解決可靠性問題，使用差分存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)。在這種技術(shù)下采用兩個(gè)存儲(chǔ)單元之間的差異來存儲(chǔ)一個(gè)位的數(shù)據(jù)。相鄰存儲(chǔ)單元之間保持相對(duì)穩(wěn)定，不容易出現(xiàn)兩個(gè)存儲(chǔ)單元的閾值向相反方向漂移。相比傳統(tǒng)的單存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，差分結(jié)構(gòu)的讀放精度大大提高。這樣不僅能夠大幅度提高可靠性，另一方面讀出速度也大幅度提高。
[0082]參照?qǐng)D5，所示為本申請(qǐng)NAND Flash存儲(chǔ)塊的架構(gòu)示意圖，用相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)I比特?cái)?shù)據(jù)。圖中所示wordline為字線，BL-O以及BL-E為位線，對(duì)于共同存儲(chǔ)I比特?cái)?shù)據(jù)的兩個(gè)存儲(chǔ)單元，推薦但不限于如下關(guān)系:
[0083]1、位線方向相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元；
[0084]2、字線方向相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元；
[0085]3、位線與字線對(duì)角線方向相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元。
[0086]為了方便本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本申請(qǐng)，以下通過一個(gè)完整示例更進(jìn)一步說明本申請(qǐng):
[0087]1、接收寫操作指令，所述寫操作指令中包括目標(biāo)數(shù)據(jù)A和目標(biāo)地址1000323。
[0088]2、根據(jù)所述目標(biāo)地址1000323在存儲(chǔ)陣列1000中查詢目標(biāo)地址1000323，獲取目標(biāo)地址1000323中存儲(chǔ)的對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)B。查找得到對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)B所屬的page數(shù)據(jù)SH1，從存儲(chǔ)陣列中將page數(shù)據(jù)SHl讀取到緩存器中。
[0089]3、將目標(biāo)數(shù)據(jù)A替換對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)B，page數(shù)據(jù)SHl中其他數(shù)據(jù)保留不變；將目標(biāo)數(shù)據(jù)A和page數(shù)據(jù)SHl中其他數(shù)據(jù)更新生成目標(biāo)page數(shù)據(jù)SH2。
[0090]4、對(duì)存儲(chǔ)page數(shù)據(jù)SHl的存儲(chǔ)陣列部分進(jìn)行擦除，然后將目標(biāo)page數(shù)據(jù)SH2編寫到對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)陣列中。
[0091]5、將同一字線的存儲(chǔ)單元兩兩并聯(lián)，生成存儲(chǔ)位；將一比特?cái)?shù)據(jù)存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)位中。
[0092]需要說明的是，對(duì)于方法實(shí)施例，為了簡(jiǎn)單描述，故將其都表述為一系列的動(dòng)作組合，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知悉，本申請(qǐng)并不受所描述的動(dòng)作順序的限制，因?yàn)橐罁?jù)本申請(qǐng)，某些步驟可以采用其他順序或者同時(shí)進(jìn)行。其次，本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該知悉，說明書中所描述的實(shí)施例均屬于優(yōu)選實(shí)施例，所涉及的動(dòng)作并不一定是本申請(qǐng)所必須的。
[0093]參照?qǐng)D6，所示為本申請(qǐng)一種差分存儲(chǔ)NAND Flash存儲(chǔ)器寫操作的裝置實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)框圖，所述存儲(chǔ)器包括存儲(chǔ)陣列；所述存儲(chǔ)陣列中包括若干存儲(chǔ)塊，所述存儲(chǔ)塊中包括若干存儲(chǔ)單元、一個(gè)源極選通管和一個(gè)漏極選通管；其中，一個(gè)存儲(chǔ)塊對(duì)應(yīng)一個(gè)位線，一個(gè)存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)一個(gè)字線；所述裝置具體可以包括以下模塊:
[0094]寫指令接收模塊301，用于接收寫操作指令，所述寫操作指令包括目標(biāo)數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址；
[0095]Page數(shù)據(jù)讀取模塊302，用于根據(jù)所述目標(biāo)地址將需要執(zhí)行寫操作的page數(shù)據(jù)讀取到緩存器中；
[0096]在本申請(qǐng)的一種優(yōu)選實(shí)施例中，數(shù)據(jù)讀取模塊302具體可以包括以下子模塊:[0097]對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)獲取子模塊，用于根據(jù)目標(biāo)地址在所述存儲(chǔ)陣列中查詢，獲取對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)；
[0098]對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)讀取子模塊，用于將所述對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)的page數(shù)據(jù)讀取到緩存器中。
[0099]目標(biāo)數(shù)據(jù)生成模塊303，用于將所述目標(biāo)數(shù)據(jù)和page數(shù)據(jù)更新生成目標(biāo)page數(shù)據(jù)；
[0100]在本申請(qǐng)的一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述目標(biāo)數(shù)據(jù)生成模塊303具體可以包括以下子模塊:
[0101]對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)替換子模塊，用于將所述目標(biāo)數(shù)據(jù)替換所述對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)；
[0102]非對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)保留子模塊，用于所述page數(shù)據(jù)中的非對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)保留不變。
[0103]目標(biāo)page數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊304，用于對(duì)所述page數(shù)據(jù)所在的存儲(chǔ)陣列進(jìn)行擦除，將目標(biāo)page數(shù)據(jù)編寫到所述存儲(chǔ)陣列中。
[0104]對(duì)于圖6所示的裝置實(shí)施例而言，由于其與圖3所示的方法實(shí)施例基本相似，所以描述的比較簡(jiǎn)單，相關(guān)之處參見方法實(shí)施例的部分說明即可。
[0105]參照?qǐng)D7，所示為本申請(qǐng)一種差分存儲(chǔ)NAND Flash存儲(chǔ)器寫操作的裝置實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)框圖，所述存儲(chǔ)器包括存儲(chǔ)陣列；所述存儲(chǔ)陣列中包括若干存儲(chǔ)塊，所述存儲(chǔ)塊中包括若干存儲(chǔ)單元、一個(gè)源極選通管和一個(gè)漏極選通管；其中，一個(gè)存儲(chǔ)塊對(duì)應(yīng)一個(gè)位線，一個(gè)存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)一個(gè)字線；所述裝置具體可以包括以下模塊:
[0106]寫指令接收模塊401，用于接收寫操作指令，所述寫操作指令包括目標(biāo)數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址；
[0107]Page數(shù)據(jù)讀取模塊402，用于根據(jù)所述目標(biāo)地址將需要執(zhí)行寫操作的page數(shù)據(jù)讀取到緩存器中；
[0108]目標(biāo)數(shù)據(jù)生成模塊403，用于將所述目標(biāo)數(shù)據(jù)和page數(shù)據(jù)更新生成目標(biāo)page數(shù)據(jù)；
[0109]目標(biāo)page數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊404，用于對(duì)所述page數(shù)據(jù)所在的存儲(chǔ)陣列進(jìn)行擦除，將目標(biāo)page數(shù)據(jù)編寫到所述存儲(chǔ)陣列中；
[0110]存儲(chǔ)位生成模塊405，用于將相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元生成存儲(chǔ)位，所述存儲(chǔ)位存儲(chǔ)I比特?cái)?shù)據(jù)。
[0111]在本申請(qǐng)的一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元包括:
[0112]位線方向相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元；
[0113]字線方向相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元；
[0114]位線與字線對(duì)角線方向相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元。
[0115]對(duì)于圖7所示的裝置實(shí)施例而言，由于其與圖4所示的方法實(shí)施例基本相似，所以描述的比較簡(jiǎn)單，相關(guān)之處參見方法實(shí)施例的部分說明即可。
[0116]本說明書中的各個(gè)實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見即可。
[0117]本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員應(yīng)明白，本申請(qǐng)的實(shí)施例可提供為方法、裝置、或計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品。因此，本申請(qǐng)可采用完全硬件實(shí)施例、完全軟件實(shí)施例、或結(jié)合軟件和硬件方面的實(shí)施例的形式。而且，本申請(qǐng)可采用在一個(gè)或多個(gè)其中包含有計(jì)算機(jī)可用程序代碼的計(jì)算機(jī)可用存儲(chǔ)介質(zhì)(包括但不限于磁盤存儲(chǔ)器、CD-ROM、光學(xué)存儲(chǔ)器等)上實(shí)施的計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的形式。
[0118]本申請(qǐng)是參照根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的方法、設(shè)備(系統(tǒng))、和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品的流程圖和/或方框圖來描述的。應(yīng)理解可由計(jì)算機(jī)程序指令實(shí)現(xiàn)流程圖和/或方框圖中的每一流程和/或方框、以及流程圖和/或方框圖中的流程和/或方框的結(jié)合。可提供這些計(jì)算機(jī)程序指令到通用計(jì)算機(jī)、專用計(jì)算機(jī)、嵌入式處理機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備的處理器以產(chǎn)生一個(gè)機(jī)器，使得通過計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備的處理器執(zhí)行的指令產(chǎn)生用于實(shí)現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖一個(gè)方框或多個(gè)方框中指定的功能的裝置。
[0119]這些計(jì)算機(jī)程序指令也可存儲(chǔ)在能引導(dǎo)計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備以特定方式工作的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)器中，使得存儲(chǔ)在該計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)器中的指令產(chǎn)生包括指令裝置的制造品，該指令裝置實(shí)現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖一個(gè)方框或多個(gè)方框中指定的功能。
[0120]這些計(jì)算機(jī)程序指令也可裝載到計(jì)算機(jī)或其他可編程數(shù)據(jù)處理設(shè)備上，使得在計(jì)算機(jī)或其他可編程設(shè)備上執(zhí)行一系列操作步驟以產(chǎn)生計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)的處理，從而在計(jì)算機(jī)或其他可編程設(shè)備上執(zhí)行的指令提供用于實(shí)現(xiàn)在流程圖一個(gè)流程或多個(gè)流程和/或方框圖一個(gè)方框或多個(gè)方框中指定的功能的步驟。
[0121]盡管已描述了本申請(qǐng)的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對(duì)這些實(shí)施例做出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本申請(qǐng)范圍的所有變更和修改。
[0122]最后，還需要說明的是，在本文中，術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)
備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語(yǔ)句“包括一個(gè)......”限定的要素，并不
排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。
[0123]以上對(duì)本申請(qǐng)所提供的一種遙感影像數(shù)據(jù)的寫入方法和裝置，遙感影像數(shù)據(jù)的讀取方法和裝置，進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本申請(qǐng)的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本申請(qǐng)的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本申請(qǐng)的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本申請(qǐng)的限制。
[0124]以上對(duì)本申請(qǐng)所提供的一種差分存儲(chǔ)NAND Flash存儲(chǔ)器寫操作方法和裝置，進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本申請(qǐng)的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本申請(qǐng)的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本申請(qǐng)的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本申請(qǐng)的限制。
【權(quán)利要求】
1.一種差分存儲(chǔ)NAND Flash存儲(chǔ)器寫操作的方法，其特征在于，所述存儲(chǔ)器包括存儲(chǔ)陣列；所述方法包括: 接收寫操作指令，所述寫操作指令包括目標(biāo)數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址； 根據(jù)所述目標(biāo)地址將需要執(zhí)行寫操作的page數(shù)據(jù)讀取到緩存器中； 將所述目標(biāo)數(shù)據(jù)和page數(shù)據(jù)更新生成目標(biāo)page數(shù)據(jù)； 對(duì)所述page數(shù)據(jù)所在的存儲(chǔ)陣列進(jìn)行擦除，將目標(biāo)page數(shù)據(jù)編寫到所述存儲(chǔ)陣列中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述存儲(chǔ)陣列中包括若干存儲(chǔ)塊，所述存儲(chǔ)塊中包括若干存儲(chǔ)單元、一個(gè)源極選通管和一個(gè)漏極選通管；其中，一個(gè)存儲(chǔ)塊對(duì)應(yīng)一個(gè)位線，一個(gè)存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)一個(gè)字線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述的方法還包括: 用相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元生成存儲(chǔ)位，所述存儲(chǔ)位存儲(chǔ)I比特?cái)?shù)據(jù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)目標(biāo)地址將需要執(zhí)行寫操作的page數(shù)據(jù)讀取到緩存器中的步驟包括: 根據(jù)目標(biāo)地址在所述存儲(chǔ)陣列中查詢，獲取對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)； 將所述對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)的page數(shù)據(jù)讀取到緩存器中。
5.如權(quán)利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述將目標(biāo)數(shù)據(jù)和page數(shù)據(jù)更新生成目標(biāo)page數(shù)據(jù)的步驟包括`: 將所述目標(biāo)數(shù)據(jù)替換所述對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)； 所述page數(shù)據(jù)中的非對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)保留不變。
6.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元包括: 位線方向相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元； 字線方向相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元； 位線與字線對(duì)角線方向相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元。
7.一種差分存儲(chǔ)NAND Flash存儲(chǔ)器寫操作的裝置，其特征在于，所述存儲(chǔ)器包括存儲(chǔ)陣列；所述裝置包括: 寫指令接收模塊，用于接收寫操作指令，所述寫操作指令包括目標(biāo)數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址；Page數(shù)據(jù)讀取模塊，用于根據(jù)所述目標(biāo)地址將需要執(zhí)行寫操作的page數(shù)據(jù)讀取到緩存器中； 目標(biāo)數(shù)據(jù)生成模塊，用于將所述目標(biāo)數(shù)據(jù)和page數(shù)據(jù)更新生成目標(biāo)page數(shù)據(jù)； 目標(biāo)page數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊，用于對(duì)所述page數(shù)據(jù)所在的存儲(chǔ)陣列進(jìn)行擦除，將目標(biāo)page數(shù)據(jù)編寫到所述存儲(chǔ)陣列中。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述存儲(chǔ)陣列中包括若干存儲(chǔ)塊，所述存儲(chǔ)塊中包括若干存儲(chǔ)單元、一個(gè)源極選通管和一個(gè)漏極選通管；其中，一個(gè)存儲(chǔ)塊對(duì)應(yīng)一個(gè)位線，一個(gè)存儲(chǔ)單元對(duì)應(yīng)一個(gè)字線。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的裝置，其特征在于，所述的裝置還包括: 存儲(chǔ)位生成模塊，用于將相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元生成存儲(chǔ)位，所述存儲(chǔ)位存儲(chǔ)I比特?cái)?shù)據(jù)。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述根據(jù)數(shù)據(jù)讀取模塊包括: 對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)獲取子模塊，用于根據(jù)目標(biāo)地址在所述存儲(chǔ)陣列中查詢，獲取對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)；對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)讀取子模塊，用于將所述對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)的page數(shù)據(jù)讀取到緩存器中。
11.如權(quán)利要求7或10所述的裝置，其特征在于，所述目標(biāo)數(shù)據(jù)生成模塊包括:對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)替換子模塊，用于將所述目標(biāo)數(shù)據(jù)替換所述對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)；非對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)保留子模塊，用于所述page數(shù)據(jù)中的非對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)保留不變。
12.如權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，所述相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元包括:位線方向相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元；字線方向相鄰的兩個(gè)存儲(chǔ)單元；位線與字線對(duì)角線方向相鄰的兩個(gè)`存儲(chǔ)單元。
【文檔編號(hào)】G11C16/02GK103680610SQ201210322631
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2012年9月3日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月3日
【發(fā)明者】舒清明, 蘇志強(qiáng) 申請(qǐng)人:北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司