專利名稱：基于自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩的磁化狀態(tài)翻轉(zhuǎn)的系統(tǒng)及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
此發(fā)明涉及由自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩驅(qū)動的磁化狀態(tài)翻轉(zhuǎn)。
背景技術(shù)：
納米線中磁疇壁的定向移動由于其重要的應用前景成為近年來很受關(guān)注的課題。其中一種應用是納米尺寸器件中的磁數(shù)據(jù)存儲。磁數(shù)據(jù)存儲器件通過磁化模式的操控在磁性介質(zhì)上進行數(shù)據(jù)的存儲和擦除。磁化狀態(tài)的轉(zhuǎn)換(也被稱為磁化狀態(tài)翻轉(zhuǎn))是相對于磁場矢量(磁化矢量)的初始方向進行磁場矢量方向的180度再定位以操控磁化模式的過程。下述條件下磁疇壁可以在納米線中定向移動(I)靜態(tài)外磁場或微波(交變磁場)作用和/或(2)自旋極化電流作用。外磁場實際很難實現(xiàn)驅(qū)動磁疇壁運動難以實現(xiàn)實際應用。當器件尺寸減小時，形狀各向異性效應顯著增加，實現(xiàn)磁化狀態(tài)翻轉(zhuǎn)所需的磁場強度也變大。在磁數(shù)據(jù)存儲的實際應用中，磁場本身的非局域性限制了磁存儲設備的密度。通過電子自旋流的自旋轉(zhuǎn)移力矩驅(qū)動的磁疇壁運動在磁存儲器件中亦難以實現(xiàn)。雖然電子自旋流的自旋轉(zhuǎn)移力矩不需要大磁場，但需要很高的臨界電流密度。很高的臨界電流密度會產(chǎn)生了很大的焦耳熱，其成為了磁化翻轉(zhuǎn)實際應用的瓶頸。上述背景僅僅是意指提供一個關(guān)于磁化狀態(tài)操控的大體介紹，并非意指詳細說明。一旦仔細研究下面詳細描述的一個或更多的各種非限制性實施例其余附加內(nèi)容就變得顯而易見。

發(fā)明內(nèi)容
下面介紹的是本發(fā)明的簡明概要，其是為了提供本說明書的某些方面的基本理解。此概要并非是本說明書的全面概觀。其并非確定說明書中的任何關(guān)鍵元素，亦非描述本說明書的具體實施例的任何范圍或權(quán)利要求的任何范圍。其主要目的為簡明地表述發(fā)明中的一些概念并為隨后介紹的更多詳細描述作鋪墊。根據(jù)一個或更多的實施例和相應的公開，我們描述了基于自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩的磁化狀態(tài)翻轉(zhuǎn)的各種非限制性的方面。在實施例中，所描述的系統(tǒng)可以利用自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩來進行磁化狀態(tài)的翻轉(zhuǎn)。該系統(tǒng)中包含了由一層金屬界面分開的處于第一磁化狀態(tài)的第一磁性層和處于第二磁化狀態(tài)的第二磁性層。該系統(tǒng)中亦包含一個波源，其配置成在所述第一磁性層中產(chǎn)生自旋波自旋流以通過自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩使所述第二磁性層的磁化狀態(tài)翻轉(zhuǎn)。在進一步的實施例中，我們描述了自旋電子器件。該自旋電子器件處于一條納米線內(nèi)并且包含由一個磁疇壁分開的第一磁疇和第二磁疇。所述第一磁疇具有第一磁化方向，所述第二磁疇具有第二磁化方向。所述納米線具有一平行于所述第一磁化方向的易磁化軸。所述磁疇壁可以基于自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩在磁納米線中移動。在另一個實施例中，描述了一種用于利用自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩實現(xiàn)磁化狀態(tài)翻轉(zhuǎn)的方法。自旋波在器件的第一磁性層中被激發(fā)。該器件中包含具有第一磁化方向的第一磁性層、與所述第一磁性層不同的具有第二磁化方向的第二磁性層以及位于所述第一磁性層和所述第二磁性層之間的壁層或界面。自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩作用在所述第二層磁性層以使其磁化狀態(tài)翻轉(zhuǎn)。接下來的描述及


本說明書的某些示例性的方面。然而，這些方面表示可以采用本說明書中的各種實施例中的一些各種方法。本說明書的其它方面可以從結(jié)合附圖考慮的下面的詳細描述中明顯地看出。

下面的詳細描述中，與附圖結(jié)合列舉了許多方面和實施例，其中相同的參考標號指相同的部件，而且其中圖1是根據(jù)一個實施例的采用自旋閥的一個示例系統(tǒng)的非限制性示意圖；圖2是根據(jù)一個實施例的采用自旋閥的另一個示例系統(tǒng)的非限制性示意圖；圖3是根據(jù)一個實施例的利用自旋閥中產(chǎn)生的自旋波和自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩以實現(xiàn)磁化翻轉(zhuǎn)的一個系統(tǒng)的非限制性示意圖。圖4是根據(jù)一個實施例的具有嵌入的自旋電子器件的一個示例納米線的非限制性示意圖。圖5是根據(jù)一個實施例的具有利用自旋電子器件中產(chǎn)生的自旋波及自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩以實現(xiàn)磁疇壁的運動的嵌入了自旋電子器件的一個示例納米線的非限制性示意圖。圖6是根據(jù)一個實施例的具有嵌入了自旋電子器件的一個示例納米線的非限制性示意圖。圖7是根據(jù)一個實施例自旋波穿過橫向磁疇壁結(jié)構(gòu)傳播的非限制性示意圖。圖8是根據(jù)一個實施例磁振子無反射地穿過磁疇壁的非限制性示意圖。圖9表示了說明根據(jù)一個實施例當與自旋波作用時的磁疇壁的特征的非限制性曲線圖。圖10是示出根據(jù)一個實施例在位于磁疇壁兩側(cè)的兩個位置處自旋波的振幅之間的差隨磁場變化的非限制性曲線圖。圖11是示出根據(jù)一個實施例當與自旋波作用時的磁疇壁的特征隨磁場變化的非限制性曲線圖。圖12是根據(jù)一個實施例的用于在自旋電子器件中使用自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩來實現(xiàn)磁化狀態(tài)翻轉(zhuǎn)的方法的非限制性過程流程示意圖。圖13是根據(jù)一個實施例的用于在自旋電子器件中使用自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩來實現(xiàn)磁疇壁定向移動的方法的非限制性過程流程示意圖。
具體實施方式
參照附圖描述了本發(fā)明公開的各個方面或特征，其中相同的附圖標記指代相同的元件。本說明中包含了大量具體細節(jié)，以便對此公開提供一個徹底的理解。然而，可以理解，本公開中的某些方面可以在不需要這些細節(jié)的情況下實現(xiàn)，或應用其它方法、元件、成分等等來實現(xiàn)。在其他實例中，眾所周知的結(jié)構(gòu)和器件用框圖的形式示出，以方便實現(xiàn)各種實施例的描述和說明。根據(jù)本發(fā)明中描述的一種或多種實施例，我們描述了由自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩驅(qū)動的磁化狀態(tài)翻轉(zhuǎn)的系統(tǒng)和方法。由自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩驅(qū)動的磁化狀態(tài)翻轉(zhuǎn)不要求像磁場驅(qū)動應用中所需的強磁場，也不受由于電子自旋轉(zhuǎn)移力矩應用的過高的臨界電流密度產(chǎn)生的焦耳熱效應的影響。磁振子是自旋波的量子化準粒子。類似于電子，磁振子也攜帶自旋。磁振子是一個自旋為I的粒子，角動量為h (約化普朗克常數(shù)，定義為h/2 π，值為1. 05Χ 10_34焦 秒)。類似于由電子作用于磁體的自旋轉(zhuǎn)移力矩，磁振子也會通過一種自旋(角動量)轉(zhuǎn)移力矩作用于磁體。然而，這種自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩不會像電子自旋轉(zhuǎn)移力矩那樣受過多的焦耳熱的影響。這里描述的是可以在某些應用中利用自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩來驅(qū)動磁化狀態(tài)翻轉(zhuǎn)的系統(tǒng)和方法，包括多層自旋閥結(jié)構(gòu)和磁納米線中的磁疇壁運動。圖1至圖3是可以通過自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩驅(qū)動磁化狀態(tài)翻轉(zhuǎn)的多層自旋閥的示意圖，圖4至圖6是通過自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩驅(qū)動磁納米線中磁疇壁運動的示意圖。以下描述中指出，這里描述的系統(tǒng)和方法允許了由自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩驅(qū)動的在自旋閥中的磁化狀態(tài)翻轉(zhuǎn)和在納米線中的磁疇壁的移動。基于由自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩驅(qū)動的磁化狀態(tài)翻轉(zhuǎn)的系統(tǒng)和方法可以用于克服主要使用電流的自旋電子器件中的焦耳熱問題。由自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩驅(qū)動的磁化狀態(tài)翻轉(zhuǎn)也可被用來制造高速、節(jié)能的自旋電子器件，該器件可由非金屬的其它材料制成，如磁性絕緣體和/或磁性半導體。注意到自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩還有更進一步的應用。為示例性地表示出自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩的作用，此處示意了多層自旋閥和在磁納米線中的磁疇壁的定向移動。圖1示意了根據(jù)實施例的非限制性示例系統(tǒng)100的模式圖，系統(tǒng)100中應用了自旋閥結(jié)構(gòu)。系統(tǒng)100中的自旋閥基于磁振子攜帶的自旋，造成了自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩。換句話說，系統(tǒng)100中的自旋閥通過自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩翻轉(zhuǎn)宏自旋(macrospin)的磁化狀態(tài)。系統(tǒng)100包含處于第一磁化狀態(tài)Hi1的第一磁性層102。系統(tǒng)100也包含處于第二磁化狀態(tài)叫的第二磁性層104。第二磁性層104由一層金屬態(tài)的界面106與第一磁性層102分開。系統(tǒng)也包含一個波源108，其可以在第一磁性層102中產(chǎn)生自旋流110以通過自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩在第二磁性層104中翻轉(zhuǎn)其磁化狀態(tài)。在實施例中，第一磁性層102和第二磁性層104均是強磁性材料層。例如，第一磁性層102和第二磁性層104可以由不同的鐵磁性材料制成，各自有不同的矯頑力。矯頑力是在已經(jīng)飽和磁化的材料中，使磁化強度回到O所需要施加的反向磁場的強度。 在另一實施例中，第一磁性層102和/或第二磁性層104可以由任何有強磁性的材料制成。該材料可以包括磁性金屬但不必包括磁性金屬。該材料也可以包含其它材料，如磁性絕緣體或磁性半導體。
在實施例中自旋流110是一束自旋波。自旋波是一種在磁性材料中對磁化狀態(tài)的擾動，并在磁體中傳播。自旋流110的量子化準粒子即為磁振子。磁振子是自旋晶格的一個波色子振動模式，可以大致上認為對應于離子晶格中的聲子。波源108可以在第一磁性層102中激發(fā)自旋波以在第一磁性層102、第二磁性層104和/或界面106產(chǎn)生自旋流110，其具體可以通過利用垂直于第一磁性層102中的磁化方向％施加的振蕩磁場。波源108也可以利用施加在整個系統(tǒng)100上的溫度梯度來在第一磁性層102、第二磁性層103和/或界面106產(chǎn)生自旋流110。波源108也可以利用電流來在第一磁性層102、第二磁性層103和/或界面106產(chǎn)生自旋流110。自旋流110將穿過第一磁性層102、界面106和第二磁性層104，可以通過自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩來翻轉(zhuǎn)磁化狀態(tài)。界面106并不一定為金屬。磁性層102、104可以由一層非磁性層202分隔。根據(jù)圖2，其中根據(jù)實施例，示意了示例 系統(tǒng)200的非限制性模式圖。系統(tǒng)200是另一種自旋閥的設計。自旋閥系統(tǒng)200是由第一磁性層102、第二磁性層104和他們之間的非磁性分隔層202組成。換句話說，非磁性層202布置于兩層磁性材料102和104之間并與二者均相接觸。第一磁性層102和第二磁性層104以磁性材料制成。例如，根據(jù)實施例，第一磁性層102和第二磁性層104以不同磁性材料制成。與以往的自旋閥不同，以往自旋閥的磁性層必須由磁性金屬制成，而此處第一磁性層102和第二磁性層104可以由磁性金屬、磁性半導體或磁性絕緣體制成。非磁性層202可以包含非磁性金屬和/或非磁性絕緣體。系統(tǒng)200也包含一個可以產(chǎn)生自旋波或自旋流110的產(chǎn)生器。在實施例中自旋波產(chǎn)生于第一層磁性層102。自旋波可通過利用振蕩磁場或在自旋閥系統(tǒng)200上施加溫度梯度而獲得。系統(tǒng)200利用自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩實現(xiàn)磁化狀態(tài)翻轉(zhuǎn)。系統(tǒng)200中自旋波與磁體之間存在自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩，并其可以被用來驅(qū)動磁化狀態(tài)翻轉(zhuǎn)。理論上，電子和磁振子(自旋波的量子化準粒子)都帶有自旋。磁振子為自旋為I的準粒子，角動量為h(約化普朗克常數(shù)，定義為h/2 π，值為1.05X10_34焦·秒)。因此，理論上，類似由電子作用于磁體的自旋轉(zhuǎn)移力矩，磁振子也會通過一種自旋(角動量)轉(zhuǎn)移力矩作用于磁體。在自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩中，問題的關(guān)鍵在于如何實現(xiàn)磁振子與磁體之間的自旋交換。如圖3所示，是系統(tǒng)300的非限制示例系統(tǒng)的示意圖。根據(jù)一個實施例，系統(tǒng)300利用自旋閥中產(chǎn)生的自旋波來翻轉(zhuǎn)磁化狀態(tài)。磁振子在第一磁性層102中激發(fā)，攜帶方向與Hi1相反的自旋302。當磁振子遇到第二磁性層104時，只有攜帶自旋方向與m2相反的自旋304的磁振子才能通過自旋閥結(jié)構(gòu)。因此，將有一個力矩作用在磁振子上。根據(jù)作用-反作用原理(每個作用力或力矩都有一個大小相等方向相反的反作用，牛頓第三定律)，將有一個反作用力矩作用在自由層上(即為示例中的第二磁性層104)。此力矩即稱為自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩，產(chǎn)生于移動的磁振子作用于磁體。第二磁性層104中的自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩的方向306示意于圖3中。除自旋閥器件外，自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩也可被用來驅(qū)動磁疇壁運動。圖4是一個示例納米線400及其中的自旋電子器件的非限制性示意圖。自旋電子器件嵌入在納米線400中。該自旋電子器件包含第一磁疇402，其具有第一磁化方向m3。該自旋單子器件還包含具有與第一磁化方向m3相反的第二磁化方向m4的第二磁疇404。該器件中還包含第一磁疇402和第二磁疇404之間的磁疇壁406。納米線400具有一條平行于第一個磁化方向m3的易磁化軸408。在實施例中，自旋電子器件包含處于第一磁化狀態(tài)的第一磁疇和由一個磁疇壁與所述第一磁疇分開的處于第二磁化狀態(tài)的第二磁疇。如圖5所不，自旋波502可以被應用于在自旋電子器件中產(chǎn)生自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩。自旋波502可以于磁納米線500中產(chǎn)生，并通過自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩實現(xiàn)磁化狀態(tài)翻轉(zhuǎn)。磁疇壁406向與自旋波502傳播方向相反的方向移動?？梢酝ㄟ^應用垂直于磁納米線施加的局域振蕩磁場在所述第一磁疇或所述第二磁疇中產(chǎn)生自旋波502。自旋波502也可以通過磁納米線的溫度梯度的建立、電流或其它方式在所述第一磁疇或所述第二磁疇中產(chǎn)生。
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納米線500是一種新的自旋電子器件，其不依賴電子傳導來驅(qū)動磁疇壁運動，而是利用自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩來驅(qū)動磁疇壁運動。自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩的工作原理之一為磁疇壁406中的自旋波滿足一個薛定愕方程,其勢講為一無反射勢講。第一磁疇402中的磁振子攜帶的自旋504與第一磁疇402的磁化方向m3相反。第二磁疇404中的磁振子攜帶的自旋504與第二磁疇404的磁化方向m4相反。磁振子在穿過磁疇壁406之后其攜帶自旋從-h翻轉(zhuǎn)到+h，自旋變化了 2h。這部分自旋被磁疇壁406吸收,造成磁疇壁向與自旋波傳播方向相反的方向運動。參照圖6，根據(jù)實施例，圖6為一示例納米線及其中的自旋電子器件的非限制性示意圖。該納米線具有非磁性-磁性相間的多層結(jié)構(gòu)，并且利用自旋電子器件中生成的自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩來驅(qū)動磁疇壁的運動?，F(xiàn)參照圖7，圖7為示例系統(tǒng)700的非限制性示意圖。根據(jù)實施例，系統(tǒng)700中自旋波穿過磁疇壁橫切面?zhèn)鞑?。磁疇壁是連接具有相對穩(wěn)定結(jié)構(gòu)的磁體中不同磁化區(qū)域的孤子粒子。自旋波(或磁振子)是穩(wěn)定態(tài)磁化狀態(tài)矢量m附近的小幅度進動(由圖7中箭頭與其周圍的椎體所表不)。在磁疇壁的左側(cè)的一個小區(qū)域內(nèi)施加一個線偏振的振蕩磁場，以使得激發(fā)的自旋波從左側(cè)穿過磁疇壁?！鞅硎敬女牨诘奶卣鲗挾取Ｗ孕◤拇女牨谧髠?cè)傳播到右側(cè)，結(jié)果產(chǎn)生相反的磁疇壁的傳播方向。根據(jù)實施例，圖8為磁振子無反射地穿過磁疇壁的示例系統(tǒng)800的非限制性示意圖。磁振子無反射地從左側(cè)磁疇402穿過磁疇壁406到右側(cè)磁疇404 (X指不發(fā)生反射)。自旋波傳播的路徑以帶箭頭的波浪線表示，箭頭表示自旋波傳播方向。磁振子在磁疇壁406左側(cè)自旋為-h,右側(cè)為h。自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩驅(qū)動磁疇壁406向與自旋波方向相反的方向(從右到左)以速度Vdw運動。上述發(fā)現(xiàn)可以在一維納米線中由數(shù)值地解Landau-Lifshitz-Gilbert (LLG)方程來驗證。我們可以應用一種常見的亞鐵磁性絕緣體一乾鐵石榴石(YIG)的參數(shù)來進行計算。觀察得知在穿過磁疇壁后自旋波翻轉(zhuǎn)了其自旋方向，同時磁疇壁向與自旋波傳播方向相反的方向移動。
考慮納米線中的一個頭對頭的磁疇壁，樣品的易磁化方向沿z軸方向，如圖6所示。系統(tǒng)中的磁化狀態(tài)分布可以用LLG方程描述
權(quán)利要求
1.一種系統(tǒng)，包含 第一磁性層，其處于第一磁化狀態(tài)； 第二磁性層，其處于第二磁化狀態(tài)并且由一個界面與所述第一磁性層分開；以及 波源，其配置成在所述第一磁性層中生成自旋波以通過自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩使所述第二磁性層的磁化狀態(tài)翻轉(zhuǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，進一步包含一個非磁性材料層，其布置于所述第一磁性層和所述第二磁性層之間并且與所述第一磁性層和所述第二磁性層均接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中所述非磁性材料層由非磁性金屬材料或非磁性絕緣體材料制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述第一磁性層的材料或所述第二磁性層的材料從磁性金屬材料、磁性半導體材料、磁性絕緣體材料中選取。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述波源利用垂直于所述第一磁化狀態(tài)的磁化方向施加的振蕩磁場來生成所述自旋波。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述波源利用溫度梯度在所述第一磁性層、所述第二磁性層或所述界面生成自旋波。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述波源利用電流在所述第一磁性層、所述第二磁性層或所述界面生成自旋波。
8.一種自旋電子器件，包含 第一磁疇，其具有第一磁化方向； 第二磁疇，其具有與第一磁化方向相反的第二磁化方向；以及 磁疇壁，其位于所述第一磁疇與所述第二磁疇之間； 其中，所述自旋電子器件在磁納米線中，所述磁納米線具有與所述第一磁疇的所述第一磁化方向平行的易磁化軸。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的自旋電子器件，其中自旋波在所述磁納米線中生成，以通過自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩實現(xiàn)磁化狀態(tài)翻轉(zhuǎn)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的自旋電子器件，其中所述自旋波是通過施加局域振蕩磁場在所述第一磁疇或所述第二磁疇中產(chǎn)生的。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的自旋電子器件，其中所述自旋波是通過建立所述磁納米線的溫度梯度或通過電流在所述第一磁疇或所述第二磁疇中產(chǎn)生的。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的自旋電子器件，其中所述磁疇壁向與所述自旋波相反的方向移動。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的自旋電子器件，其中所述第一磁疇中的磁振子自旋與所述第一磁疇的所述第一磁化方向相反，或者所述第二個磁疇中的磁振子自旋與所述第二磁疇的所述第二磁化方向相反。
14.一種方法，包含 在包括具有第一磁化方向的第一磁性層的一個器件的第一磁性層中生成自旋波， 對具有與所述第一磁化方向不同的第二磁化方向的第二磁性層施加自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中自旋波的生成步驟進一步包括對所述器件施加局域振蕩磁場。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中自旋波的生成步驟進一步包括對所述器件施加溫度梯度。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中自旋波的生成步驟進一步包括對所述器件施加電流。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，進一步包含翻轉(zhuǎn)所述第二磁性層的第二磁化方向。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，進一步包含使磁疇壁向與自旋波相反的方向運動。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述器件中進一步包含布置于所述第一磁性層和所述第二磁性層之間并且與所述第一磁性層和所述第二磁性層相接觸的一層非磁性層或一層疇壁結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本主題申請描述了基于自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩的磁化狀態(tài)翻轉(zhuǎn)的系統(tǒng)及方法。自旋波自旋流在處于第一磁化狀態(tài)的第一磁性層中生成。所述自旋波自旋流通過自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩在由一個界面與所述第一磁性層分開的處于第二磁化狀態(tài)的第二磁性層實現(xiàn)磁化狀態(tài)翻轉(zhuǎn)?；蛘?，自旋波自旋流在處于第一磁化狀態(tài)的第一磁疇中生成。所述自旋波自旋流通過自旋波角動量轉(zhuǎn)移力矩實現(xiàn)磁疇壁的定向移動。所述磁疇壁位于所述第一磁疇與處于第二磁化狀態(tài)的第二磁疇之間。
文檔編號G11B5/02GK103035254SQ20121037820
公開日2013年4月10日 申請日期2012年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月3日
發(fā)明者王向榮, 嚴鵬, 王憲思 申請人:香港科技大學