專利名稱：磁記錄介質用玻璃基板、及使用了該磁記錄介質用玻璃基板的磁記錄介質的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及磁記錄介質用玻璃基板、及使用了該磁記錄介質用玻璃基板的磁記錄介質。
背景技術：
作為在磁盤記錄裝置等中使用的磁記錄介質用基板，以往，使用了鋁合金基板。然而，近年來，伴隨著高密度記錄化的要求，與鋁合金基板相比更硬且平坦性、平滑性優(yōu)異的玻璃基板成為主流。并且，伴隨著近年來的磁盤(以下，也稱為磁記錄介質)的高記錄密度化，在磁盤上微細地記錄磁信號，伴隨于此，信號變得微弱。為了該微弱的信號的讀取及記錄，要求盡量縮短磁盤與磁頭的距離。為了減小以高速旋轉的磁盤與磁頭之間的距離、即磁頭的浮起量，需要使磁盤的基板即磁記錄介質用玻璃基板的表面為極其均一的表面，以避免磁盤與磁頭發(fā)生接觸。為了減小磁頭與磁盤之間的距離，而對于磁記錄介質用玻璃基板的表面特性進行了各種討論。例如在專利文獻I中記載了存在于磁盤用玻璃基板的缺陷的形狀造成影響，而使表面粗糙度Ra為規(guī)定的值以下的情況。在先技術文獻專利文獻專利文獻I國際公 開第2010/001843號然而，在專利文獻I中，通過原子間力顯微鏡只不過對于磁記錄介質用玻璃基板的記錄再生區(qū)域中的有限的一部分的區(qū)域評價了表面粗糙度Ra，在記錄再生區(qū)域的大部分的區(qū)域未測定表面粗糙度Ra，因此在記錄再生區(qū)域上存在表面粗糙度Ra的值增大的區(qū)域，有時會成為問題。例如，存在難以減小磁頭的浮起量且磁盤與磁頭之間的距離不穩(wěn)定而產生磁噪音等的問題。另外,在制造磁記錄介質時,在磁記錄介質用玻璃基板的表面成膜出磁性層,但在磁記錄介質用玻璃基板的主平面存在表面粗糙度Ra的值高的區(qū)域(表面粗糙度Ra不均一的區(qū)域)時，成膜的磁性層的晶粒的尺寸有時會產生不均一性。具有不均一的磁性層(晶粒的尺寸不均一的磁性層)的磁記錄介質可能會產生在晶粒的尺寸不均一的區(qū)域上的磁噪音增加，基于磁頭的向磁記錄介質的讀寫的精度下降、記錄密度下降等的問題。

發(fā)明內容
本發(fā)明鑒于上述現有技術具有的問題，其目的在于提供一種在磁記錄介質用玻璃基板的至少一個主平面(記錄再生區(qū)域)的整個面上，使表面粗糙度Ra處于規(guī)定的范圍內的磁記錄介質用玻璃基板。為了解決上述課題，本發(fā)明提供一種磁記錄介質用玻璃基板，具有一對主平面，其特征在于，在至少一個主平面上，在主平面整個面上設定的格子狀的各評價區(qū)域所測定到的表面粗糙度Ra的最大值為所述表面粗糙度Ra的平均值的1. 7倍以下。發(fā)明效果本發(fā)明的磁記錄介質用玻璃基板(以下，也有時僅記載為“玻璃基板”)，在玻璃基板的至少一個主平面的整個面設定的格子狀的各評價區(qū)域中測定了表面粗糙度(算術平均粗糙度)Ra時，其最大值與平均值處于規(guī)定的關系。因此，在玻璃基板的至少一個主平面的整個面上，表面粗糙度Ra處于規(guī)定的范圍內，沒有表面粗糙度Ra局部高的區(qū)域，從而成為主平面的整個面均一且平滑的玻璃基板。根據本發(fā)明的磁記錄介質用玻璃基板，能夠提供一種在玻璃基板的表面上形成磁性層時抑制晶粒的粗大化，且具有晶粒的尺寸均一的磁性層的表面平滑的磁記錄介質。由此，能夠抑制磁記錄介質的磁噪音的發(fā)生，使磁記錄介質與磁頭之間的距離比以往減小，使磁記錄介質與磁頭之間的距離穩(wěn)定化，能夠使磁記錄介質的記錄的讀寫精度和記錄密度比以往升高。


圖1是本發(fā)明的第一實施方式的磁記錄介質用玻璃基板及其評價區(qū)域的說明圖。
具體實施例方式以下，參照附圖，說明用于實施本發(fā)明的方式，但本發(fā)明并不局限于下述的實施方式，在不脫離本發(fā)明的范圍內能夠對下述的實施方式施加各種變形及置換。[第一實施方式]
在本實施方式中，對于本發(fā)明的磁記錄介質用玻璃基板進行說明。本發(fā)明的磁記錄介質用玻璃基板的特征在于，在磁記錄介質用玻璃基板的至少一個主平面上，在主平面整個面上設定的格子狀的各評價區(qū)域所測定到的表面粗糙度Ra的最大值為表面粗糙度Ra的平均值的1. 7倍以下。關于具體的評價方法，使用圖1進行說明。如圖1(A)所示，磁記錄介質用玻璃基板呈現出在中心部具有圓孔的圓盤形狀。并且，在本發(fā)明中，在該玻璃基板的至少一個主平面、即作為磁記錄介質時的記錄再生區(qū)域整個面上所設定的格子狀的各評價區(qū)域中，測定表面粗糙度Ra。如圖1 (A)和(B)所示，通過將主平面沒有間隙地分割為多個部分而形成評價區(qū)域。優(yōu)選將評價區(qū)域形成為相同形狀。對于表面粗糙度(算術平均粗糙度)Ra的測定方法，并未特別限定，只要能夠測定在整個面設定為格子狀的各評價區(qū)域的表面粗糙度即可。例如，可以通過掃描型干涉顯微鏡等來測定。設定為格子狀的評價區(qū)域的形狀、尺寸并未特別限定，例如，作為評價區(qū)域的形狀，可列舉出正方格子、三角格子、六角格子、菱形格子、矩形格子、平行體格子等格子的形狀。作為I個評價區(qū)域的尺寸，例如在評價區(qū)域的形狀為正方格子時，可以將I邊的長度設定在5 V- nT50 V- m的范圍內，例如可以設定為50 y m見方、40 u m見方、30 u m見方、20 u m見方等所希望的尺寸。
另外，在評價區(qū)域的形狀為正方格子以外的情況下，可以設定以此為標準的尺寸，即，以使評價區(qū)域的面積成為與所述正方格子的情況相同的面積范圍(例如，25um2^2500um2)的方式設定該尺寸。需要說明的是，以下，對于評價區(qū)域的尺寸，記載了以正方格子的I邊的長度為基準的情況，但并未限定為正方格子，在正方格子以外的情況下表示以此為標準的尺寸(面積)。此外，設定為格子狀的評價區(qū)域的形狀、尺寸在主平面的整個面上，可以不同(例如，將主平面的整個面分割為規(guī)定的區(qū)域，在各個區(qū)域設定評價區(qū)域的形狀、尺寸等)，優(yōu)選相同。尤其是優(yōu)選在與磁頭相同的尺寸、或比其小的尺寸的各區(qū)域進行評價，因此作為評價區(qū)域的尺寸，優(yōu)選以50 y m見方以下進行評價，更優(yōu)選為30 y m見方以下。但是，當評價區(qū)域的尺寸過小時，評價區(qū)域的個數增多，因此數據量增加且其處理變得困難，因此優(yōu)選為5 ii m見方以上，更優(yōu)選為10 ii m見方以上。在此，對評價區(qū)域進行說明。圖1 (A)、(B)示意性地表示各評價區(qū)域。需要說明的是，圖中表示了線，但這是用于說明評價區(qū)域的線，實際上并未在玻璃基板上劃線。在此，使用正方格子的例子說明評價區(qū)域。圖1 (B)為了說明評價區(qū)域而將圖1 (A)的一部分放大。圖1 (B)所示的正方格子(正方形)的各塊(例如(a) Cd)所示的部分)表示評價區(qū)域，例如將I邊的長度A卞均設定為30 u m。 并且，本發(fā)明的磁記錄介質用玻璃基板中，將根據對于一個主平面整體的各評價區(qū)域測定的表面粗糙度的結果而算出的表面粗糙度Ra的平均值設為Raave。此外，將表面粗糙度Ra的最大值、即所述主平面整體的評價區(qū)域中的表面粗糙度的值最高的評價區(qū)域的表面粗糙度Ra設為Ramax時， 滿足Ramax (1. 7 -Raave的關系，即，表面粗糙度Ra的最大值為表面粗糙度Ra的平均值的1. 7倍以下。在此，關于Raave、Ramax的關系，更優(yōu)選為Ramax彡1. 4 Raave,特別優(yōu)選為Ramax <1. 3 Raave。這是因為隨著表面粗糙度Ra的最大值和平均值的比率接近1. 0，在主平面整個面上，表面粗糙度Ra的變動減小，表示玻璃基板的主平面更平滑(即，Ramax ^ 1.0 Raave) 需要說明的是，主平面在磁記錄介質用玻璃基板的上下存在兩面，但也有時作為磁盤時成為記錄再生區(qū)域的為任一方，此時僅任一方滿足上述要件即可。在作為磁盤時，上下兩面均成為記錄再生區(qū)域的情況下，優(yōu)選上下兩面按照各自的面測定、算出的表面粗糙度Ra的平均值和最大值均滿足上述要件。這對于后述的平均值、標準偏差也同樣。此外，設定在所述主平面的整個面上的格子狀的各評價區(qū)域中所測定的表面粗糙度Ra的標準偏差優(yōu)選為0. 012nm以下，更優(yōu)選為0. OlOnm以下，特別優(yōu)選為0. 008nm以下。這是因為，通過減小標準偏差，關于玻璃基板的主平面的整個面，是指表面粗糙度Ra的變動小，表示玻璃基板的主平面更平滑。如此，主平面的整個面平滑且不存在局部高的表面粗糙度Ra的區(qū)域，因此在形成磁性層而作為磁記錄介質時，抑制晶粒局部的粗大化，晶粒的尺寸均一，從而能夠得到表面平滑的磁性膜。因此，能夠縮短磁盤(磁記錄介質)與磁頭之間的距離。而且，磁盤與磁頭之間的距離穩(wěn)定，因此能夠抑制磁噪音的產生，能夠使記錄的讀寫精度、記錄密度比以往提高。此夕卜，通過具有晶粒的尺寸小且均一的磁性層的磁記錄介質，能夠減小存儲點尺寸，從而能夠實現磁記錄介質的面記錄密度的提高。另外，設定在所述主平面的整個面上的格子狀的各評價區(qū)域中所測定的表面粗糙度Ra的平均值優(yōu)選為0. 08nm以下，更優(yōu)選為0. 07nm以下。這是因為，通過減小表面粗糙度Ra的平均值，表示玻璃基板的主平面整體更平滑。若玻璃基板的主平面整體平滑，則在形成磁性層時，能抑制晶粒的粗大化，能夠使晶粒的尺寸減小且均一，從而能夠得到表面均一且平滑的磁性膜。通過使晶粒的尺寸減小且均一而能夠減小存儲點尺寸，從而能夠實現磁記錄介質的面記錄密度的提高。而且，能夠減小磁盤與磁頭之間的距離，且能夠減小磁盤與磁頭之間的距離的變動，能夠抑制磁噪音的發(fā)生，比以往更加提高記錄的讀寫精度、記錄密度。在此，對本發(fā)明的磁記錄介質用玻璃基板的制造方法進行說明。磁記錄介質用玻璃基板能夠通過包括以下的工序f 4的制造方法制造。(工序I)由玻璃原基板，加工成在中央部具有圓孔的圓盤形狀的玻璃基板之后，對內周端面和外周端面進行倒角加工的形狀賦予工序。(工序2)對玻璃基板的端面(內周端面及外周端面)進行研磨的端面研磨工序。(工序3)對所述玻璃基板的主平面進行研磨的主平面研磨工序。(工序4)對所述玻璃基板進行精密清洗并進行干燥的清洗工序。然后，利用包含上述各工序的制造方法而得到的磁記錄介質用玻璃基板還進行在其上形成磁性層等薄膜的工序，由此能夠作為磁記錄介質。在此，(工序I)的形狀賦予工序將通過浮法、熔化法、沖壓成形法、下拉法或再曳引法而成形的玻璃原基板加工成在中央部具有圓孔的圓盤形狀的玻璃基板。需要說明的是，使用的玻璃原基板既可以是非晶形玻璃，也可以是結晶化玻璃，還可以是在玻璃基板的表層具有壓縮應力層(強化層)的強化玻璃。然后，(工序2)的端面研磨工序中對玻璃基板的端面(側面部和倒角部)進行端面研磨。關于(工序3)的主平面研磨工序，使用雙面研磨裝置，一邊向玻璃基板的主平面供給研磨液一邊同時研磨玻璃基板的上下主平面。本發(fā)明的玻璃基板的研磨既可以僅實施I次研磨，也可以實施I次研磨和2次研磨，還可以在2次研磨之后實施3次研磨。并且，在研磨工序中使用的研磨墊優(yōu)選使用預先利用純水進行了 10分鐘以上的清洗的研磨墊。這是為了抑制研磨液中含有的磨粒的凝集。需要說明的是，作為在主平面研磨工序的最后實施的研磨(精研磨)時使用的研磨液，優(yōu)選使用含有一次粒子徑為5nm以上的膠態(tài)氧化硅作為磨粒的、pH為3以上的研磨液。這是因為，在研磨液中含有的膠態(tài)氧化硅的一次粒子徑比5nm小時容易凝集，會產生無法穩(wěn)定地研磨、主表面的表面粗糙度Ra增大等問題。膠態(tài)氧化硅的I次粒子徑優(yōu)選為5nm以上，更優(yōu)選為8nm以上，特別優(yōu)選為IOnm以上。而且，膠態(tài)氧化硅的I次粒子徑優(yōu)選為30nm以下，更優(yōu)選為28nm以下，特別優(yōu)選為18nm以下。
另外，在研磨液的pH小于3時，由于酸的影響而研磨的玻璃基板的主平面的表面粗糙度Ra的值有可能升高。因此，研磨液的pH優(yōu)選為3以上，更優(yōu)選為3. 5以上，特別優(yōu)選為4以上。在上述(工序3)的主平面研磨工序之前，也可以實施主平面的打磨(lapping)(例如，游離磨粒打磨、固定磨粒打磨等)。而且，在各工序間也可以實施玻璃基板的清洗(工序間清洗)、玻璃基板表面的蝕刻(工序間蝕刻)。需要說明的是，主平面的打磨是指廣義的主平面的研磨。此外，在磁記錄介質用玻璃基板要求高的機械強度時，在玻璃基板的表層形成壓縮應力層(強化層)的強化工序(例如，化學強化工序)也可以在研磨工序前、或研磨工序后、或研磨工序間實施。[第二實施方式]在本實施方式中，說明使用了在第一實施方式中說明的磁記錄介質用玻璃基板的磁記錄介質(磁盤)。本發(fā)明的磁記錄介質只要使用了在第一實施方式中說明的磁記錄介質用玻璃基板即可，其結構并未被限定，例如可列舉出在磁記錄介質用玻璃基板表面具備磁性層、保護層、潤滑層的結構。磁記錄介質具有水平磁記錄方式、垂直磁記錄方式，但在此以垂直磁記錄方式為例，以下說明具體的制造方法。磁記錄介質至少在其表面具備磁性層、保護層、潤滑層。并且，在垂直磁記錄方式的情況下，通常配置有起到使來自磁頭的記錄磁場環(huán)流的作用的軟磁性材料構成的軟磁性基底層。因此，從玻璃基板的主平面依次層疊有例如軟磁性基底層、非磁性中間層、垂直記錄用磁性層、保護層、潤滑膜。以下，對各層進行說明。作為軟磁性基底層，可以使用例如CoNiFe、FeCoB, CoCuFe, NiFe, FeAlSi, FeTaN,FeN、FeTaC, CoFeB, CoZrN 等。并且，非磁性中間層由Ru、Ru合金等構成。該非磁性中間層具有用于使垂直記錄用磁性層的外延生長容易的功能、及將軟磁性基底層與記錄用磁性層之間的磁交換結合切斷的功能。垂直記錄用磁性層是磁化容易軸朝向與基板面垂直的垂直方向的磁性膜，至少包括Co、Pt。并且，為了減少成為高的固有介質噪音的原因的粒間交換結合，而優(yōu)選良好地隔離的微粒子結構(顆粒結構)。具體而言，使用向CoPt系合金等添加了氧化物(Si02、SiO、Cr2O3> CoO、Ta2O3> TiO2 等)、Cr、B、Cu、Ta、Zr 等的結構。到此為止說明的軟磁性基底層、非磁性中間層、垂直記錄用磁性層可以通過在線濺射法、DC磁控管濺射法等來連續(xù)制造。接下來，保護層防止垂直記錄用磁性層的腐蝕，且為了即使在磁頭與介質接觸的情況下也會防止介質表面的損傷而設置，并設置在垂直記錄用磁性層上。作為保護層，可以使用包含C、ZrO2, SiO2等的材料。作為其形成方法，例如可以使用在線濺射法、CVD法、旋涂法等。在保護層的表面形成有潤滑層，以減少磁頭與記錄介質(磁盤)的摩擦。潤滑層可以使用例如全氟聚醚、氟化醇、氟化羧酸等。對于潤滑層，可以通過浸潰法、噴射法等形成。通過以上說明的順序而使用本發(fā)明的磁記錄介質用玻璃基板制成的磁記錄介質(磁盤)中，由于玻璃基板的主平面整體的表面粗糙度Ra處于規(guī)定的范圍，因此在成膜磁性層時能夠抑制晶粒的粗大化，從而能夠使晶粒的尺寸小且均一。由此，能夠減小磁記錄介質的存儲點尺寸，能夠提高磁記錄介質的面記錄密度。而且，由于能夠使磁記錄介質與磁頭之間的距離比以往減小，能夠減小磁記錄介質與磁頭之間的距離的變動，因此能夠抑制磁噪音的產生，與以往相比能夠提高記錄的讀寫精度、記錄密度。實施例以下，舉出具體的實施例進行說明，但本發(fā)明并未限定為這些實施例。首先，說明以下的實施例、比較例中的磁記錄介質用玻璃基板的評價方法、及在玻璃基板表面上成膜出磁性層等薄膜的磁記錄介質的評價方法。( I)表面粗糙度(算術平均粗糙度)Ra表面粗糙度Ra使用掃描型干涉顯微鏡(Zygo公司制，ZeMapper)進行了測定。表面粗糙度Ra的測定區(qū)域是包括磁記錄介質用玻璃基板的記錄再生區(qū)域整個面的范圍。在本實施例中，在磁記錄介質用玻璃基板的一個主平面的整個面上設定I邊為30um的正方格子狀的評價區(qū)域，對于各個評價區(qū)域，求出了表面粗糙度Ra。(2)證明測試證明測試評價了磁記錄介質的磁性層等的缺陷(信號品質)。證明測試用磁頭使用設置于頭滑動件的測試頭，使磁盤裝置的磁頭與磁盤的關系再現，對于盤的各磁道的每一個進行寫入信號的寫入、再生、消去、再再生等而進行了評價。在本實施例中，評價了 EP(Extra Pulse :冒脈沖)錯誤。EP錯誤是指在磁記錄介質上存在傷痕、異物、粗糙度不良、晶粒的尺寸不均一的區(qū)域時，產生從測試頭的再生信號的振幅較大脫離的再生信號。EP錯誤不能進行磁盤的適當的信號處理。在本實施例中，評價了 1000張磁記錄介質,并將發(fā)生了 EP錯誤的磁記錄介質的比率設為EP發(fā)生率。以下的例f例10中，說明磁記錄介質用玻璃基板及在磁記錄介質用玻璃基板上形成磁性層等而作為磁記錄介質的例子。在此，例廣7是滿足本發(fā)明的規(guī)定的實施例，例8 10是比較例。以下說明的例f例10的磁記錄介質用玻璃基板通過以下的順序制成。為了得到外徑65mm、內徑20mm、板厚0. 635mm的磁記錄介質用玻璃基板,將通過浮法成形的以SiO2為主成分的玻璃基板加工成在中央部具有圓孔的圓盤形狀玻璃基板。為了得到倒角寬度0. 15mm、倒角角度45°的磁記錄介質用玻璃基板而對該圓盤形狀玻璃基板的內周端面和外周端面進行了倒角加工(內周倒角工序、外周倒角工序)。倒角加工后，使用氧化鋁磨粒對玻璃基板上下主平面進行打磨加工，將磨粒清洗除去。接著，使用研磨刷和含有氧化鈰磨粒的研磨液對磁記錄介質用玻璃基板的外周側面部和外周倒角部進行研磨，將外周側面和 外周倒角部的加工變質層(傷痕等)除去,將外周端面研磨加工成鏡面(外周端面研磨工序)。
在外周端面研磨后，使用研磨刷和含有氧化鈰磨粒的研磨液對磁記錄介質用玻璃基板的內周側面部和內周倒角部進行研磨，將內周側面部和內周倒角部的加工變質層(傷痕等)除去，將內周端面研磨加工成鏡面(內周端面研磨工序)。對于進行了內周端面研磨后的玻璃基板，將磨粒清洗除去。在對玻璃基板的端面進行了加工之后，使用含有金鋼石磨粒的固定粒工具和研削液，對玻璃基板上下主平面進行打磨加工、清洗。接著，作為研磨用具，使用硬質聚氨酯制的研磨墊和含有氧化鈰磨粒的研磨液(平均粒子直徑，以下，簡稱為平均粒徑，含有約1. 3 的氧化鈰的研磨液組成物)，通過22B型雙面研磨裝置(SpeedFam公司制，產品名DSM22B_6PV_4MH)在上下主平面以研磨量成為20um的方式對玻璃基板進行I次研磨，將氧化鈰清洗除去。需要說明的是，I批同時研磨216張玻璃基板。I次研磨后的玻璃基板使用軟質聚氨酯制的研磨墊和含有平均粒徑比上述的氧化鈰磨粒小的氧化鈰磨粒的研磨液(含有平均粒徑約0. 5 ii m的氧化鈰的研磨液組成物)作為研磨用具，通過22B型雙面研磨裝置以研磨量成為5 ii m的方式對上下主平面進行2次研磨，將氧化鈰清洗除去。對于2次研磨后的玻璃基板進行3次研磨(精研磨)。作為3次研磨的研磨用具，使用軟質聚氨酯制研磨墊和含有膠態(tài)氧化硅的研磨液，通過雙面研磨裝置對上下主平面進行了研磨加工。上述軟質聚氨酯制研磨墊在粘貼于研磨平臺之后，進行修整處理，根據情況以規(guī)定時間進行了基于純水的清洗。另外，雙面研磨裝置構成為能夠供給、排出研磨液，以研磨液的供給流量成為規(guī)定的值的方式調整研磨液的供給量并進行了研磨。關于進行3次研磨時的研磨墊的清洗時間、膠態(tài)氧化硅的一次粒子徑、研磨液的pH、研磨液中含有的膠態(tài)氧化硅的凝集性、研磨液的流量，在后述的例f 10中有記載。使用粒度分布測定裝置(大塚電子公司制FPAR-1000)，測定研磨玻璃基板之前的研磨液的粒度分布和研磨了玻璃基板之后的研磨液的粒度分布，根據各自的粒度分布而求出d50值，算出玻璃基板的研磨前后的d50值的變化量(差)，由此對研磨液中含有的膠態(tài)氧化硅的凝集性進行了評價。需要說明的是，上述d50值是指由散射強度分布進行了個數換算時的累計值成為50%的粒子徑。具體而言，通過利用以下的式子算出的研磨前后的d50值的變化量進行了評價。由[研磨后的研磨液的d50值(nm) ]_[研磨前的研磨液的d50值(nm)]表示。通過上述式算出的研磨前后的d50值的變化量為15nm以下時，研磨液中含有的磨粒(膠態(tài)氧化硅)的凝集幾乎不產生而分散性良好(A)，為16nnT30nm時稍產生凝集(B)。此夕卜，在31nm以上時，產生了會對玻璃基板的主平面的研磨造成影響的程度的凝集(C)。為了得到滿足本發(fā)明的規(guī)定的磁記錄介質用玻璃基板，優(yōu)選使用研磨液中含有的磨粒的凝集幾乎不產生而分散性良好的(A)的研磨液。這是因為，在使用了磨粒容易凝集的研磨液時，在磁記錄介質用玻璃基板的表面可能會產生表面粗糙度Ra局部高的部分，進行了精研磨(3次研磨)的玻璃基板依次進行擦洗、浸潰在洗滌劑溶液中的狀態(tài)下的超聲波清洗、浸潰在純水中的狀態(tài)下的超聲波清洗(精密清洗)，利用異丙醇蒸氣進行了干燥。
對于通過以上的順序得到的磁記錄介質用玻璃基板的主平面的整個面，通過上述的方法評價了表面粗糙度Ra。另外，在通過以上的順序得到的磁記錄介質用玻璃基板的表面，通過以下的順序成膜出具有磁性層的多層膜而作為磁記錄介質，評價了 EP發(fā)生率。在進行了成膜前清洗的磁記錄介質用玻璃基板的表面，使用在線型濺射裝置，依次層疊作為軟磁性基底層的NiFe層、作為非磁性中間層的Ru層、作為垂直磁記錄層的C0CrPtSiO2的顆粒結構層。接著，利用CVD法形成類金剛石碳膜作為保護層。然后，通過浸潰法形成了含有全氟聚醚的潤滑膜。對于得到的磁記錄介質，利用上述方法評價了 EP錯誤，求出了 EP發(fā)生率。主平面的精研磨(3次研磨)的研磨液的條件在以下的例f例10中有記載。例f例7是實施例，例8 例10是比較例。在例f例10的加工條件下加工的磁記錄介質用玻璃基板的主平面的整個面上的、表面粗糙度Ra最大值/表面粗糙度Ra平均值、表面粗糙度Ra平均值(nm)、表面粗糙度Ra標準偏差(nm)如表I所示。而且，關于磁記錄介質的EP發(fā)生率(％)也如表I所示。(例I)對于通過上述的順序，實施了到主平面研磨的2次研磨為止的處理后的磁記錄介質用玻璃基板，進行了主平面研磨的精研磨(3次研磨工序)。精研磨使用預先利用純水進行了 10分鐘清洗的軟質聚氨酯制研磨墊和含有I次粒子徑為12nm的膠態(tài)氧化硅作為磨粒的pH4的研磨液來實施。在評價了研磨液中含有的磨粒(膠態(tài)氧化硅)的凝集性時，研磨前后的研磨液的d50值的變化量為15nm以下，為良好(A)。另外，以向雙面研磨裝置的研磨面供給的研磨液的流量對于每一張磁記錄介質用玻璃基板成為6暈升/分的方式進行了研磨。對主平面加工后的玻璃基板實施精密清洗而得到磁記錄介質用玻璃基板，測定磁記錄介質用玻璃基板的主平面的表面粗糙度Ra，進行了評價。另外，如上所述，在磁記錄介質用玻璃基板的表面成膜出具有磁性層的多層膜而形成磁記錄介質，評價了 EP發(fā)生率。(例2)在主平面研磨的精研磨(3次研磨工序)中，除了使向雙面研磨裝置的研磨面供給的研磨液的流量對于每一張磁記錄介質用玻璃基板為2毫升/分以外，通過與例I同樣的方法制造了磁記錄介質用玻璃基板及磁記錄介質(磁盤)。需要說明的是，關于在精研磨時使用的研磨液中含有的磨粒(膠態(tài)氧化硅)的凝集性，與例I的情況同樣為良好(A)。另外，對于得到的磁記錄介質用玻璃基板、磁記錄介質，與例I同樣地進行了評價。結果如表I所示。(例3)在主平面研磨的精研磨(3次研磨工序)中，除了設研磨液為PH5、設向雙面研磨裝置的研磨面供給的研磨液的流量對于每一張磁記錄介質用玻璃基板為2毫升/分以外，通過與例I同樣的方法制造了磁記錄介質用玻璃基板及磁記錄介質(磁盤)。
需要說明的是，關于在精研磨時使用的研磨液中所含有的磨粒(膠態(tài)氧化硅)的凝集性，與例I的情況同樣為良好(A)。另外，對于得到的磁記錄介質用玻璃基板、磁記錄介質，與例I同樣地進行了評價。結果如表I所示。(例4)在主平面研磨的精研磨(3次研磨工序)中，除了使用研磨液中所含有的膠態(tài)氧化硅的一次粒子徑為20nm的研磨液，且設向雙面研磨裝置的研磨面供給的研磨液的流量對于每一張磁記錄介質用玻璃基板為2毫升/分以外，通過與例I同樣的方法制造了磁記錄介質用玻璃基板及磁記錄介質(磁盤)。需要說明的是，關于在精研磨時使用的研磨液中所含有的磨粒(膠態(tài)氧化硅)的凝集性，與例I的情況同樣為良好(A)。另外，對于得到的磁記錄介質用玻璃基板、磁記錄介質，與例I同樣地進行了評價。結果如表I所示。(例5)在主平面研磨的精研磨(3次研磨工序)中，除了使用研磨液中所含有的膠態(tài)氧化硅的一次粒子徑為25nm的研磨液，且設向雙面研磨裝置的研磨面供給的研磨液的流量對于每一張磁記錄介質用玻璃基板為2毫升/分以外，通過與例I同樣的方法制造了磁記錄介質用玻璃基板及磁記錄介質(磁盤)。需要說明的是，關于在精研磨時使用的研磨液中所含有的磨粒(膠態(tài)氧化硅)的凝集性，與例I的情況同樣為良好(A)。另外，對于所得到的磁記錄介質用玻璃基板、磁記錄介質，與例I同樣地進行了評價。結果如表I所示。(例6)在主平面研磨的精研磨(3次研磨工序)中，除了設研磨液中所含有的膠態(tài)氧化硅的一次粒子徑為30nm，且設向雙面研磨裝置的研磨面供給的研磨液的流量對于每一張磁記錄介質用玻璃基板為2毫升/分以外，通過與例I同樣的方法制造了磁記錄介質用玻璃基板及磁記錄介質(磁盤)。需要說明的是，關于在精研磨時使用的研磨液中所含有的磨粒(膠態(tài)氧化硅)的凝集性，與例I的情況同樣為良好(A)。另外，對于所得到的磁記錄介質用玻璃基板、磁記錄介質，與例I同樣地進行了評價。結果如表I所示。(例7)在主平面研磨的精研磨(3次研磨工序)中，除了使研磨液為pH3，且設向雙面研磨裝置的研磨面供給的研磨液的流量對于每一張磁記錄介質用玻璃基板為2毫升/分以外，通過與例I同樣的方法制造了磁記錄介質用玻璃基板及磁記錄介質(磁盤)。需要說明的是，關于在精研磨時使用的研磨液中所含有的磨粒(膠態(tài)氧化硅)的凝集性，與例I的情況同樣為良好(A)。另外，對于得到的磁記錄介質用玻璃基板、磁記錄介質，與例I同樣地進行了評價。結果如表I所示。
(例8)在主平面研磨的精研磨(3次研磨工序)中，除了使用未進行基于純水的清洗的研磨墊，且設向雙面研磨裝置的研磨面供給的研磨液的流量對于每一張磁記錄介質用玻璃基板為2毫升/分以外，通過與例I同樣的方法制造了磁記錄介質用玻璃基板及磁記錄介質 盤)。需要說明的是，關于在精研磨時使用的研磨液中所含有的磨粒(膠態(tài)氧化硅)的凝集性，在研磨的前后，研磨液的粒度分布d50進行31nm以上變化，為(C)。另外，對于所得到的磁記錄介質用玻璃基板、磁記錄介質，與例I同樣地進行了評價。結果如表I所示。(例9)在主平面研磨的精研磨(3次研磨工序)中，除了設研磨墊的基于純水的清洗時間為5分鐘,且設向雙面研磨裝置的研磨面供給的研磨液的流量對于每一張磁記錄介質用玻璃基板為2毫升/分以外，通過與例I同樣的方法制造了磁記錄介質用玻璃基板及磁記錄介質(磁盤)。需要說明的是，關于在精研磨時使用的研磨液中所含有的磨粒(膠態(tài)氧化硅)的凝集性，在研磨的前后，研磨液的d50值的變化量為16nm以上且30nm以下，為(B)。另外，對于得到的磁記錄介質用玻璃基板、磁記錄介質，與例I同樣地進行了評價。結果如表I所示。(例10)在主平面研 磨的精研磨(3次研磨工序)中，除了設研磨液為PH2，且設研磨液的流量對于每一張磁記錄介質用玻璃基板為2毫升/分以外，通過與例I同樣的方法制造了磁記錄介質用玻璃基板及磁記錄介質(磁盤)。需要說明的是，關于在精研磨時使用的研磨液中所含有的磨粒(膠態(tài)氧化硅)的凝集性，在研磨的前后，研磨液的d50值的變化量為15nm以下，為良好(A)。另外，對于得到的磁記錄介質用玻璃基板、磁記錄介質，與例I同樣地進行了評價。結果如表I所示。從表I的結果可以確認的是，使用滿足本發(fā)明的規(guī)定的例廣7的磁記錄介質用玻璃基板制成的磁記錄介質的EP發(fā)生率均減小為1. 6%以下。相對于此，可知，作為比較例的例8 10的EP發(fā)生率最低也高達2. 5%左右。這認為是因為，本發(fā)明的磁記錄介質用玻璃基板的主平面的整個面沒有表面粗糙度Ra局部高的區(qū)域，主平面的整個面變得平滑，因此在形成磁性層等而作為磁記錄介質時，能夠抑制晶粒局部性地變大的情況。因此，認為是因為，能夠抑制磁噪音的發(fā)生，能夠提高基于磁頭的向磁記錄介質的讀寫的精度，能夠防止記錄密度的下降。表I
權利要求
1.一種磁記錄介質用玻璃基板，具有一對主平面，其特征在于， 在至少一個主平面上，在主平面整個面上設定的格子狀的各評價區(qū)域所測定到的表面粗糙度Ra的最大值為所述表面粗糙度Ra的平均值的1. 7倍以下。
2.根據權利要求1所述的磁記錄介質用玻璃基板，其中， 在所述主平面的整個面上設定的格子狀的各評價區(qū)域所測定到的表面粗糙度Ra的最大值為所述表面粗糙度Ra的平均值的1. 4倍以下。
3.根據權利要求1或2所述的磁記錄介質用玻璃基板，其中， 在所述主平面的整個面上設定的格子狀的各評價區(qū)域所測定到的表面粗糙度Ra的標準偏差為O. 012nm以下。
4.根據權利要求廣3中任一項所述的磁記錄介質用玻璃基板，其中， 在所述主平面的整個面上設定的格子狀的各評價區(qū)域所測定到的表面粗糙度Ra的平均值為O. 08nm以下。
5.—種磁記錄介質，其使用了權利要求1 4中任一項所述的磁記錄介質用玻璃基板。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種磁記錄介質用玻璃基板及使用了該磁記錄介質用玻璃基板的磁記錄介質，其中，在磁記錄介質用玻璃基板的至少一個主平面(記錄再生面)的整體設定的格子狀的各評價區(qū)域測定了表面粗糙度Ra時，其最大值處于規(guī)定的范圍內。提供一種磁記錄介質用玻璃基板及使用了該磁記錄介質用玻璃基板的磁記錄介質，該磁記錄介質用玻璃基板具有一對主平面，其特征在于，在至少一個主平面上，在主平面整個面上設定的格子狀的各評價區(qū)域所測定到的表面粗糙度Ra的最大值為所述表面粗糙度Ra的平均值的1.7倍以下。
文檔編號G11B5/73GK103050133SQ20121038580
公開日2013年4月17日 申請日期2012年10月12日 優(yōu)先權日2011年10月17日
發(fā)明者玉田稔 申請人:旭硝子株式會社