用于Flash EEPROM的字線驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用于Flash?EEPROM的字線驅(qū)動(dòng)電路，包括：一低壓字線驅(qū)動(dòng)電路，用于讀操作；一高壓字線驅(qū)動(dòng)電路，用于寫操作；所述低壓字線驅(qū)動(dòng)電路和高壓字線驅(qū)動(dòng)電路通過熱阱開關(guān)相連，在操作控制信號(hào)的控制下，由所述熱阱開關(guān)切換相應(yīng)的低壓字線驅(qū)動(dòng)電路和高壓字線驅(qū)動(dòng)電路，選擇正確的驅(qū)動(dòng)輸出至字線。本發(fā)明既能在讀操作時(shí)有較快的響應(yīng)速度，又能減小芯片的面積。
【專利說明】用于Flash EEPROM的字線驅(qū)動(dòng)電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及非易失性存儲(chǔ)器領(lǐng)域，特別是涉及一種用于Flash EEPROM (快閃式電可擦除只讀存儲(chǔ)器)的字線驅(qū)動(dòng)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著對(duì)信息處理能力及信息安全要求的不斷提高，在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器容量需求不斷增大的同時(shí)，信息處理速度的要求也在不斷提升。然而，存儲(chǔ)器容量的增加與速度提升本身是互斥的，因此必須在架構(gòu)設(shè)計(jì)上進(jìn)行創(chuàng)造性改進(jìn)，以實(shí)現(xiàn)在容量提升的同時(shí)不犧牲速度性能，甚至能加以提升。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種用于Flash EEPROM的字線驅(qū)動(dòng)電路，既能在讀操作時(shí)有較快的響應(yīng)速度，又能減小芯片的面積。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的用于Flash EEPROM的字線驅(qū)動(dòng)電路，包括:一低壓字線驅(qū)動(dòng)電路，用于讀操作；一高壓字線驅(qū)動(dòng)電路，用于寫操作；所述低壓字線驅(qū)動(dòng)電路和高壓字線驅(qū)動(dòng)電路通過熱阱開關(guān)相連，在操作控制信號(hào)的控制下，由所述熱阱開關(guān)切換相應(yīng)的低壓字線驅(qū)動(dòng)電路和高壓字線驅(qū)動(dòng)電路，選擇正確的驅(qū)動(dòng)輸出至字線。
[0005]所述操作控制信號(hào)包括讀操作使能信號(hào)和寫操作使能信號(hào)。
[0006]所述低壓字線驅(qū)動(dòng)電路完全使用低壓器件構(gòu)成，由讀操作使能信號(hào)控制使能，產(chǎn)生讀操作所需的字線電平。所述低壓是指小于5V的電壓。
[0007]所述高壓字線驅(qū)動(dòng)電路完全由高壓器件構(gòu)成，由寫操作使能信號(hào)控制使能，產(chǎn)生寫操作所需的字線高電平。所述高壓是指大于IOV的電壓。
[0008]本發(fā)明利用Flash EEPROM讀寫操作電壓域的區(qū)別，分別獨(dú)立設(shè)計(jì)了讀操作和寫操作兩套驅(qū)動(dòng)電路，兩者通過熱阱開關(guān)相連，通過該熱阱開關(guān)在不同操作模式下對(duì)兩套驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行切換。讀操作驅(qū)動(dòng)由低壓器件實(shí)現(xiàn)，可以提供較快的響應(yīng)速度，更快的驅(qū)動(dòng)速度；寫操作的速度要求較低，可以選擇較小尺寸的高壓器件，大大節(jié)省驅(qū)動(dòng)電路的面積開銷，從而達(dá)到減小芯片面積的目的。
[0009]本發(fā)明既提高了 Flash EEPROM產(chǎn)品的性能，又降低了成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]下面結(jié)合附圖與【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明:
[0011]圖1是用于Flash EEPROM的字線驅(qū)動(dòng)電路原理圖；
[0012]圖2是圖1中電壓轉(zhuǎn)換器電路原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]參見圖1所示，所述用于Flash EEPROM的字線驅(qū)動(dòng)電路，包括:用于讀操作的低壓字線驅(qū)動(dòng)電路，用于寫操作的高壓字線驅(qū)動(dòng)電路，熱阱開關(guān)RJKG。
[0014]所述低壓字線驅(qū)動(dòng)電路，包括多個(gè)依次串接的緩沖器。在圖1所示的實(shí)施例中低壓字線驅(qū)動(dòng)電路包括第一緩沖器BI和與其串接的第二緩沖器B2兩個(gè)緩存器。輸入的讀操作使能信號(hào)DSN經(jīng)第一緩沖器BI和第二緩沖器B2傳送，可以不失真的送到熱阱開關(guān)RJKG，并能增強(qiáng)讀操作使能信號(hào)DSN的驅(qū)動(dòng)能力。
[0015]所述高壓字線驅(qū)動(dòng)電路，包括一電壓轉(zhuǎn)換器LI，一第三緩沖器B3 (也可為多個(gè)緩沖器)。所述第三緩沖器B3的輸入端與電壓轉(zhuǎn)換器LI的輸出端C+相連接。高電壓(簡(jiǎn)稱高壓)VHH輸入到電壓轉(zhuǎn)換器LI的電源輸入端V+。寫操作使能信號(hào)XSN輸入到電壓轉(zhuǎn)換器LI的使能輸入端。寫操作使能信號(hào)XSN (低電平)經(jīng)過電平轉(zhuǎn)換器LI變?yōu)楦唠娖胶?，由第三緩沖器B3不失真的送到熱阱開關(guān)RJKG，并能增強(qiáng)寫操作使能信號(hào)XSN的驅(qū)動(dòng)能力。電壓轉(zhuǎn)換器LI中的GND為接地端。
[0016]所述熱阱開關(guān)RJKG，包括第一 PMOS管Ml和第二 PMOS管M2。第一 PMOS管Ml的柵極與第二 PMOS管M2的源極和第三緩沖器B3的輸出端相連接。第二 PMOS管M2的柵極與第一 PMOS管Ml的源極和第二緩沖器B2的輸出端相連接。第一 PMOS管Ml的漏極與第二PMOS管M2的漏極相連接，作為字線驅(qū)動(dòng)的輸出端ZXQDSC。熱阱開關(guān)RJKG自動(dòng)選擇所述低壓字線驅(qū)動(dòng)電路和高壓字線驅(qū)動(dòng)電路兩者之中較高的電平送到字線驅(qū)動(dòng)的輸出端ZXQDSC。
[0017]圖2是一個(gè)典型的電壓轉(zhuǎn)換器電路圖。其包括:第一 NMOS管M3，第二 NMOS管M4，第三PMOS管M5，第四PMOS管M6。
[0018]低電平的寫操作使能信號(hào)XSN輸入到第一 NMOS管M3的柵極，同時(shí)經(jīng)反相器FX反相后送到第二 NMOS管M4的柵極。若輸入的寫操作使能信號(hào)XSN為“1”，則第一 NMOS管M3將第四PMOS管M6的柵極電平拉低為” 0”，第四PMOS管M6導(dǎo)通，高壓VHH經(jīng)第四PMOS管M6送達(dá)輸出端C+。若輸入的寫操作使能信號(hào)XSN為“O”,則輸出端C+同樣為“O”。
[0019]所述用于Flash EEPROM的字線驅(qū)動(dòng)電路具體的工作過程如下所述:
[0020]I)當(dāng)讀操作使能信號(hào)有效時(shí)，正常電源電壓通過若干級(jí)電平緩沖后通過熱阱開關(guān)RJKG將該電平送到字線驅(qū)動(dòng)的輸出端ZXQDSC，供讀操作使用。
[0021]2)當(dāng)寫操作使能信號(hào)有效時(shí)，低壓寫操作使能信號(hào)通過電壓轉(zhuǎn)換器后，經(jīng)緩沖送達(dá)熱阱開關(guān)，并通過熱阱開關(guān)選擇最終送達(dá)字線驅(qū)動(dòng)輸出端，供寫操作使用。
[0022]雖然本發(fā)明利用具體的實(shí)施例進(jìn)行說明，但是對(duì)實(shí)施例的說明并不限制本發(fā)明的范圍。本領(lǐng)域內(nèi)的熟練技術(shù)人員通過參考本發(fā)明的說明，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，容易進(jìn)行各種修改或者可以對(duì)實(shí)施例進(jìn)行組合，這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種用于快閃式電可擦除只讀存儲(chǔ)器Flash EEPROM的字線驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括: 一低壓字線驅(qū)動(dòng)電路，用于讀操作； 一高壓字線驅(qū)動(dòng)電路，用于寫操作； 所述低壓字線驅(qū)動(dòng)電路和高壓字線驅(qū)動(dòng)電路通過熱阱開關(guān)相連，在操作控制信號(hào)的控制下，由所述熱阱開關(guān)切換相應(yīng)的低壓字線驅(qū)動(dòng)電路和高壓字線驅(qū)動(dòng)電路，選擇正確的驅(qū)動(dòng)輸出至字線。
2.如權(quán)利I所述的字線驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述低壓字線驅(qū)動(dòng)電路完全使用低壓器件構(gòu)成，由讀操作使能信號(hào)控制使能，產(chǎn)生讀操作所需的字線電平。
3.如權(quán)利I或2所述的字線驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述低壓是指小于5V的電壓。
4.如權(quán)利I所述的字線驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述高壓字線驅(qū)動(dòng)電路完全由高壓器件構(gòu)成，由寫操作使能信號(hào)控制使能，產(chǎn)生寫操作所需的字線高電平。
5.如權(quán)利I或4所述的字線驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于:所述高壓是指大于IOV的電壓。
【文檔編號(hào)】G11C16/02GK103730157SQ201210388550
【公開日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2012年10月12日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月12日
【發(fā)明者】夏天, 劉晶 申請(qǐng)人:上海華虹集成電路有限責(zé)任公司