專利名稱：快閃存儲(chǔ)卡的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種快閃存儲(chǔ)卡。
背景技術(shù)：
TF卡又稱microSD,是一種極細(xì)小的快閃存儲(chǔ)卡,這種卡主要于手機(jī)上使用，但因它擁有體積極小的優(yōu)點(diǎn)，隨著不斷提升的容量，它慢慢開(kāi)始于GPS設(shè)備、便攜式音樂(lè)播放器和一些快閃存儲(chǔ)器盤(pán)中使用，它的尺寸一般為15mmX IlmmX Imm—相當(dāng)于手指甲蓋的大小，它亦能夠以轉(zhuǎn)接器來(lái)接駁于SD卡插槽中使用。TF卡的基板(substrate)設(shè)計(jì)中，在對(duì)閃存芯片(FLASH IC)電路連接設(shè)計(jì)部分，通常為基板和閃存芯片上相同屬性的焊盤(pán)(pad)位置相對(duì)應(yīng)，即閃存芯片上的電路引出焊盤(pán)(即IO pad)可以直接通過(guò)金線(Gold wire)連接至基板的焊盤(pán)(substrate IO pad)上，如圖1所示，基板I’和閃存芯片2’上相同屬性焊盤(pán)的排列順序?qū)?yīng)，相應(yīng)焊盤(pán)之間通過(guò)金線3’連接，金線之間互不干涉?；搴烷W存芯片相應(yīng)焊盤(pán)連接的金線路徑上不允許存在其它的金線，否則會(huì)產(chǎn)生線(wire)交叉，難以或不能實(shí)現(xiàn)焊盤(pán)之間的連接。由于不同的閃存芯片上IO引腳順序不同，因此不同的閃存芯片不能共用基板上已存在的一組打線焊盤(pán)。如果其它類型閃存直接使用已有的基板上的焊盤(pán)，則會(huì)出現(xiàn)線交叉的現(xiàn)象。圖2示出了基板和閃存芯片焊盤(pán)之間連接的簡(jiǎn)化圖，其中基板上焊盤(pán)按A、B、C、D、E、F、G、H從上而下的順序排列，與該基板適配的閃存芯片上焊盤(pán)按A1、B1、C1、D1、E1、F1、GUHl從上而下的順序排列，其中，Al、B1、Cl、Dl、El、Fl、Gl、Hl的屬性分別依次與A、B、C、D、E、F、G、H屬性相匹配，因此，基板與閃存芯片上相應(yīng)焊盤(pán)通過(guò)金線連接時(shí)，金線之間互不干涉。圖3示意了采用圖2中基板匹配另一種閃存芯片的情形，該閃存芯片上焊盤(pán)從上到下依次為B1、C1、F1、G1、H1、A1、D1、E1，此時(shí)基板與閃存芯片上相同屬性焊盤(pán)連接時(shí)出現(xiàn)金線交叉的情況，這種連接方式是不允許的。為了應(yīng)對(duì)多種FLASH，有兩種解決措施:(I)同一基板上設(shè)計(jì)多組焊盤(pán)，應(yīng)對(duì)不同種類的FLASH，但是由于基板面積有限，焊盤(pán)的組數(shù)有限；(2)設(shè)計(jì)多款基板，這種情況下，基板款數(shù)增多，將會(huì)帶來(lái)庫(kù)存積壓，備料繁瑣，成本高漲等問(wèn)題，顯然也并不經(jīng)濟(jì)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型旨在解決同一基板應(yīng)對(duì)不同閃存芯片時(shí)，基板的焊盤(pán)與閃存芯片的焊盤(pán)因位置變化而產(chǎn)生金線交叉的問(wèn)題，增強(qiáng)基板通用性，降低庫(kù)存壓力，縮短產(chǎn)品周期，降低基板設(shè)計(jì)成本。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:提供一種快閃存儲(chǔ)卡，包括控制模塊，分別與所述控制模塊電連接的存儲(chǔ)模塊和外部接口，所述控制模塊與所述存儲(chǔ)模塊之間設(shè)有用于電路轉(zhuǎn)接的轉(zhuǎn)接模塊，且所述轉(zhuǎn)接模塊分別與所述控制模塊和所述存儲(chǔ)模塊電連接。其中，所述的快閃存儲(chǔ)卡還包括基板，所述基板設(shè)有第一焊盤(pán)組，所述存儲(chǔ)模塊包括閃存芯片，所述閃存芯片上設(shè)有IO屬性與所述第一焊盤(pán)組相對(duì)應(yīng)的第二焊盤(pán)組；所述轉(zhuǎn)接模塊包括轉(zhuǎn)接電路板，所述轉(zhuǎn)接電路板與所述第一焊盤(pán)組和所述第二焊盤(pán)組均電連接使第一焊盤(pán)組和第二焊盤(pán)組中相同IO屬性的焊盤(pán)電連接。其中，所述轉(zhuǎn)接電路板上設(shè)置有第三焊盤(pán)組和第四焊盤(pán)組，所述第三焊盤(pán)組與所述第一焊盤(pán)組之間以及第四焊盤(pán)組與所述第二焊盤(pán)組之間分別通過(guò)金線連接，所述第三焊盤(pán)組和第四焊盤(pán)組的對(duì)應(yīng)焊盤(pán)之間通過(guò)轉(zhuǎn)接電路板內(nèi)部走線電連接而使第一焊盤(pán)組和第二焊盤(pán)組中相同IO屬性的焊盤(pán)電連接。其中，所述轉(zhuǎn)接電路板、所述閃存芯片與所述基板層疊排布。其中，所述轉(zhuǎn)接電路板粘貼于所述基板上。其中，所述轉(zhuǎn)接電路板粘貼于所述閃存芯片上。其中，所述閃存芯片是Nand Flash。本實(shí)用新型的有益效果是:通過(guò)轉(zhuǎn)接模塊實(shí)現(xiàn)控制模塊和存儲(chǔ)模塊的電連接，使得控制模塊和存儲(chǔ)模塊之間可以靈活適配，對(duì)于同樣的控制模塊可以適配連接不同的存儲(chǔ)模塊，即對(duì)于設(shè)置有同一控制模塊的基板而已，可以適配不同的存儲(chǔ)模塊，增強(qiáng)基板的通用性。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的TF卡中電路連接結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)的TF卡中基板與閃存芯片焊盤(pán)之間連接的簡(jiǎn)化圖；圖3是現(xiàn)有技術(shù)采用圖2中基板匹配另一種閃存芯片的連接示意圖；圖4是本實(shí)用新型的快閃存儲(chǔ)卡的結(jié)構(gòu)框圖；圖5是本實(shí)用新型的快閃存儲(chǔ)卡的封裝結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本實(shí)用新型的快閃存儲(chǔ)卡的電路連接結(jié)構(gòu)示意圖。標(biāo)號(hào)說(shuō)明:I’、基板；2’、閃存芯片；3’、金線；100、控制模塊；200、存儲(chǔ)模塊；300、轉(zhuǎn)接模塊；400、外部接口 ；1、基板；11、第一焊盤(pán)；2、閃存芯片；21、第二焊盤(pán)；3、金線；4、塑封件；5、轉(zhuǎn)接電路板；51、第三焊盤(pán)；52、第四焊盤(pán)。
具體實(shí)施方式
為詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所實(shí)現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實(shí)施方式并配合附圖詳予說(shuō)明。請(qǐng)參閱圖4，本實(shí)施方式的快閃存儲(chǔ)卡包括控制模塊100、存儲(chǔ)模塊200、轉(zhuǎn)接模塊300及外部接口 400，控制模塊100與外部接口 400電氣連接，存儲(chǔ)模塊200通過(guò)轉(zhuǎn)接模塊300與控制模塊100電氣連接，其中，存儲(chǔ)模塊為NANDFlash (閃存)。通過(guò)轉(zhuǎn)接模塊實(shí)現(xiàn)控制模塊和存儲(chǔ)模塊的電連接，使得控制模塊和存儲(chǔ)模塊之間可以靈活適配，對(duì)于同樣的控制模塊可以適配連接不同的存儲(chǔ)模塊。圖5示意了本實(shí)施例快閃存儲(chǔ)卡的封裝結(jié)構(gòu)圖，其中，包括塑封件4以及封裝于塑封件4內(nèi)的基板1、閃存芯片2和轉(zhuǎn)接電路板5，與圖4中結(jié)構(gòu)框圖對(duì)應(yīng)，基板I上即設(shè)置有可實(shí)現(xiàn)各種控制功能的控制模塊100，而外部接口 400則一般露出在塑封件4表面用于與外設(shè)通信，閃存芯片2即構(gòu)成所謂的存儲(chǔ)模塊200，轉(zhuǎn)接電路板5構(gòu)成轉(zhuǎn)接模塊300。請(qǐng)同時(shí)結(jié)合圖5和圖6，以下介紹在該快閃存儲(chǔ)卡中各模塊之間的連接關(guān)系?；錓上設(shè)有第一焊盤(pán)組，其中第一焊盤(pán)組包括有多個(gè)具有相應(yīng)IO屬性(如電源焊盤(pán)、輸入輸出接口焊盤(pán)、時(shí)鐘信號(hào)焊盤(pán)等等)的第一焊盤(pán)11，第一焊盤(pán)11的數(shù)量及相應(yīng)屬性對(duì)應(yīng)于通用閃存芯片的要求，圖6中示意性地表示了基板I上第一焊盤(pán)11的排布，其中按從上而下的順序依次排列有焊盤(pán)A、B、C、D、E、F、G、H。閃存芯片2上設(shè)有第二焊盤(pán)組，同樣地，第二焊盤(pán)組也包括多個(gè)具有相應(yīng)IO屬性的第二焊盤(pán)21，圖6中閃存芯片2上第二焊盤(pán)按從上而下的順序依次排列有B1、Cl、Fl、Gl、Hl、Al、Dl、El，其中，同樣字母的焊盤(pán)表示屬性相同應(yīng)當(dāng)電連接。轉(zhuǎn)接電路板5層疊設(shè)置于閃存芯片2上，較優(yōu)地，轉(zhuǎn)接電路板5粘接于閃存芯片2上便于固定；轉(zhuǎn)接電路板5也可以?shī)A設(shè)于基板I與閃存芯片2之間，此時(shí)，轉(zhuǎn)接電路板5可以是粘接于基板I上，也可以是粘接于閃存芯片2上。轉(zhuǎn)接電路板5上設(shè)有第三焊盤(pán)組和第四焊盤(pán)組，其中第三焊盤(pán)組包括多個(gè)依次與第一焊盤(pán)組中第一焊盤(pán)11對(duì)應(yīng)的第三焊盤(pán)51，第四焊盤(pán)組包括多個(gè)依次與第二焊盤(pán)組中第二焊盤(pán)對(duì)應(yīng)的第四焊盤(pán)52。如圖6，第三焊盤(pán)51按從上而下的順序依次排布有A3、B3、C3、D3、E3、F3、G3、H3，各第三焊盤(pán)51分別對(duì)應(yīng)地與第一焊盤(pán)11通過(guò)金線3連接；第四焊盤(pán)52按從上而下的順序依次排布有B2、C2、F2、G2、H2、A2、D2、E2，各第四焊盤(pán)52分別對(duì)應(yīng)地與第二焊盤(pán)21通過(guò)金線3連接；各金線之間互不交叉。而為了實(shí)現(xiàn)基板I和閃存芯片2上相同IO屬性焊盤(pán)之間的電連接，轉(zhuǎn)接電路板5上通過(guò)內(nèi)部走線將相應(yīng)的第三焊盤(pán)51和第四焊盤(pán)52連接在一起。例如對(duì)于A屬性的焊盤(pán)，基板I上第一焊盤(pán)A通過(guò)金線3連接至轉(zhuǎn)接電路板5上第三焊盤(pán)A3，而閃存芯片2上第二焊盤(pán)Al則通過(guò)金線3連接至轉(zhuǎn)接電路板5上第四焊盤(pán)A2，在轉(zhuǎn)接電路板5內(nèi)部則通過(guò)內(nèi)部走線將第三焊盤(pán)A3和第四焊盤(pán)A2連接在一起，這樣即實(shí)現(xiàn)了基板I上第一焊盤(pán)A與閃存芯片2上第二焊盤(pán)A2之間的電連接。其他相同IO屬性焊盤(pán)之間的電連接亦是相同的方式。本實(shí)用新型中，在基板和閃存芯片之間通過(guò)轉(zhuǎn)接電路板作為過(guò)渡，基板和閃存芯片上的焊盤(pán)通過(guò)現(xiàn)有的wire bonding技術(shù)均通過(guò)金線連接至轉(zhuǎn)接電路板上,可保證各金線之間不交叉；而轉(zhuǎn)接電路板通過(guò)內(nèi)部走線再使基板和閃存芯片上具有相同屬性的焊盤(pán)電連接，轉(zhuǎn)接電路板上內(nèi)部走線方式可以根據(jù)需要靈活設(shè)置，這樣即可實(shí)現(xiàn)基板和閃存芯片之間的靈活配合。對(duì)于不同類別的閃存芯片，可使用同樣的基板，而相同的閃存芯片也可與不同的基板配合，增強(qiáng)基板的通用性，降低了其庫(kù)存壓力和研發(fā)成本，縮短了產(chǎn)品生產(chǎn)周期。以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種快閃存儲(chǔ)卡，包括控制模塊，分別與所述控制模塊電連接的存儲(chǔ)模塊和外部接口，其特征在于，所述控制模塊與所述存儲(chǔ)模塊之間設(shè)有用于電路轉(zhuǎn)接的轉(zhuǎn)接模塊，且所述轉(zhuǎn)接模塊分別與所述控制模塊和所述存儲(chǔ)模塊電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的快閃存儲(chǔ)卡，其特征在于:所述的快閃存儲(chǔ)卡還包括基板，所述基板設(shè)有第一焊盤(pán)組，所述存儲(chǔ)模塊包括閃存芯片，所述閃存芯片上設(shè)有IO屬性與所述第一焊盤(pán)組相對(duì)應(yīng)的第二焊盤(pán)組；所述轉(zhuǎn)接模塊包括轉(zhuǎn)接電路板，所述轉(zhuǎn)接電路板與所述第一焊盤(pán)組和所述第二焊盤(pán)組均電連接使第一焊盤(pán)組和第二焊盤(pán)組中相同IO屬性的焊盤(pán)電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的快閃存儲(chǔ)卡，其特征在于:所述轉(zhuǎn)接電路板上設(shè)置有第三焊盤(pán)組和第四焊盤(pán)組，所述第三焊盤(pán)組與所述第一焊盤(pán)組之間以及第四焊盤(pán)組與所述第二焊盤(pán)組之間分別通過(guò)金線連接，所述第三焊盤(pán)組和第四焊盤(pán)組的對(duì)應(yīng)焊盤(pán)之間通過(guò)轉(zhuǎn)接電路板內(nèi)部走線電連接而使第一焊盤(pán)組和第二焊盤(pán)組中相同IO屬性的焊盤(pán)電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的快閃存儲(chǔ)卡，其特征在于:所述轉(zhuǎn)接電路板、所述閃存芯片與所述基板層疊排布。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的快閃存儲(chǔ)卡，其特征在于:所述轉(zhuǎn)接電路板粘貼于所述基板上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的快閃存儲(chǔ)卡，其特征在于:所述轉(zhuǎn)接電路板粘貼于所述閃存芯片上。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的快閃存儲(chǔ)卡，其特征在于:所述閃存芯片是NandFlash。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種快閃存儲(chǔ)卡，包括控制模塊，分別與所述控制模塊電連接的存儲(chǔ)模塊和外部接口，所述控制模塊與所述存儲(chǔ)模塊之間設(shè)有用于電路轉(zhuǎn)接的轉(zhuǎn)接模塊，且所述轉(zhuǎn)接模塊分別與所述控制模塊和所述存儲(chǔ)模塊電連接。本實(shí)用新型中通過(guò)轉(zhuǎn)接模塊實(shí)現(xiàn)控制模塊和存儲(chǔ)模塊的電連接，使得控制模塊和存儲(chǔ)模塊之間可以靈活適配，對(duì)于同樣的控制模塊可以適配連接不同的存儲(chǔ)模塊，即對(duì)于設(shè)置有同一控制模塊的基板而已，可以適配不同的存儲(chǔ)模塊，增強(qiáng)基板的通用性。
文檔編號(hào)G11C16/02GK203070773SQ20122066140
公開(kāi)日2013年7月17日 申請(qǐng)日期2012年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月5日
發(fā)明者孫日欣, 盧偉, 李振華, 袁正紅 申請(qǐng)人:深圳佰維存儲(chǔ)科技有限公司