用于測(cè)試集成電路的保險(xiǎn)絲熔斷可靠性的系統(tǒng)和方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種用于測(cè)試保險(xiǎn)絲熔斷狀況的可靠性的系統(tǒng)和方法。保險(xiǎn)絲熔斷檢測(cè)電路包括保險(xiǎn)絲電路，所述保險(xiǎn)絲電路包括具有耦合至地面的第一端的保險(xiǎn)絲。共同節(jié)點(diǎn)耦合至所述保險(xiǎn)絲的第二端。預(yù)充電電路耦合至所述共同節(jié)點(diǎn)以將所述共同節(jié)點(diǎn)預(yù)充電至預(yù)充電“高”電平。反相器包括反相器輸出和反相器輸入，其中所述反相器輸入耦合至所述共同節(jié)點(diǎn)。反饋鎖存器耦合在電壓源與地面之間，并包括耦合至所述反相器輸出的鎖存器輸入以及耦合至所述共同節(jié)點(diǎn)的鎖存器輸出。包括耦合至所述共同節(jié)點(diǎn)的測(cè)試電路，其中在正常模式下，所述測(cè)試電路為所述反饋鎖存器增加強(qiáng)度以用于將所述共同節(jié)點(diǎn)保持在所述預(yù)充電“高”電平，使得在測(cè)試模式下，所述反饋鎖存器比在所述正常模式下更弱以用于將所述共同節(jié)點(diǎn)保持在所述預(yù)充電“高”電平。
【專利說(shuō)明】用于測(cè)試集成電路的保險(xiǎn)絲熔斷可靠性的系統(tǒng)和方法
【背景技術(shù)】
[0001]集成電路可包括可用于代替受損元件部分的冗余元件。例如，一種類型的存儲(chǔ)器電路包括存儲(chǔ)器單元的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)陣列。存儲(chǔ)器單元以行和列排列，行和列的每一者可定址以用于存儲(chǔ)信息位。隨著存儲(chǔ)器單元密度的增加，在制造過(guò)程中故障單元的數(shù)量也增加。為降低故障單元的影響，可使用冗余存儲(chǔ)器單元或更確切地說(shuō)存儲(chǔ)器單元的冗余區(qū)段來(lái)修復(fù)陣列的受損區(qū)段，其中受損區(qū)段包括一個(gè)或多個(gè)受損存儲(chǔ)器單元。
[0002]執(zhí)行測(cè)試過(guò)程以確定存儲(chǔ)器的區(qū)段是否受損。通過(guò)這種方式，可確定存儲(chǔ)器單元的哪些行和列，更具體地講，存儲(chǔ)器陣列的哪些區(qū)段需要修復(fù)。測(cè)試過(guò)程可在包含存儲(chǔ)器陣列的裝置的外部執(zhí)行，或者可使用內(nèi)置于裝置中的故障診斷電路(例如，包括存儲(chǔ)器裝置的集成電路)在內(nèi)部執(zhí)行。
[0003]一旦識(shí)別集成電路的受損區(qū)段，修復(fù)過(guò)程便包括將受損區(qū)段更換為冗余資源。例如，在存儲(chǔ)器陣列中，可通過(guò)保險(xiǎn)絲電路的應(yīng)用來(lái)實(shí)現(xiàn)冗余區(qū)段的選擇。更具體地講，與冗余區(qū)段相聯(lián)系的保險(xiǎn)絲可熔斷，使得在保險(xiǎn)絲完好時(shí)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的初始但后期受損的區(qū)段以進(jìn)行存儲(chǔ)器存儲(chǔ)，但在保險(xiǎn)絲熔斷時(shí)，則將冗余區(qū)段(而不是受損區(qū)段)用于存儲(chǔ)器存儲(chǔ)。多種技術(shù)可用來(lái)對(duì)存儲(chǔ)器陣列進(jìn)行編程以用于修復(fù)，更具體地講，用來(lái)熔斷保險(xiǎn)絲以用于冗余區(qū)段的選擇。所有這些技術(shù)具有相關(guān)的故障率，在所述故障率下，所選保險(xiǎn)絲僅部分熔斷，而不完全熔斷。
[0004]就部分熔斷的保險(xiǎn)絲而言，存儲(chǔ)器陣列的完整性存在風(fēng)險(xiǎn)。部分熔斷的保險(xiǎn)絲在一些情況下可仍允許存儲(chǔ)器陣列的受損區(qū)段(而不是所需冗余區(qū)段)的使用。在其他情況下，部分熔斷的保險(xiǎn)絲正常但僅臨時(shí)地工作，因?yàn)槿哂鄥^(qū)段相比受損區(qū)段更具可選擇性。然而，隨時(shí)間推移，至少對(duì)于用于在存儲(chǔ)器陣列的受損區(qū)段與冗余區(qū)段之間進(jìn)行選擇的存儲(chǔ)器控制器而言，部分熔斷的保險(xiǎn)絲將回到其初始狀態(tài)并充當(dāng)完好的保險(xiǎn)絲。例如，部分熔斷的保險(xiǎn)絲可發(fā)生被動(dòng)氧化，這將趨向于使保險(xiǎn)絲回到其初始狀態(tài)(例如，完好且未熔斷)。
[0005]在修復(fù)過(guò)程期間，可執(zhí)行測(cè)試以檢查保險(xiǎn)絲是否已熔斷。然而，這些測(cè)試未設(shè)計(jì)用于檢測(cè)部分熔斷的保險(xiǎn)絲。由此，受傳統(tǒng)測(cè)試的部分熔斷的保險(xiǎn)絲將表現(xiàn)為完全熔斷，而實(shí)際上正好相反。在這種情況下，由于部分熔斷的保險(xiǎn)絲對(duì)于存儲(chǔ)器控制器而言仍看起來(lái)像完好的保險(xiǎn)絲，因此存儲(chǔ)器的受損區(qū)段被不正確地用于存儲(chǔ)器訪問(wèn)及控制，而非對(duì)冗余區(qū)段的預(yù)期選擇。由于信息持續(xù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器陣列的受損區(qū)段中，因此這將引發(fā)存儲(chǔ)錯(cuò)誤。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的實(shí)施例總體上涉及集成電路和保險(xiǎn)絲電路，所述保險(xiǎn)絲電路能夠藉由通過(guò)對(duì)應(yīng)的熔斷保險(xiǎn)絲進(jìn)行的對(duì)電路的冗余部分的選擇來(lái)提供制造后修復(fù)。例如，集成電路可包括存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，例如存儲(chǔ)器單元的DRAM陣列，其中存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)包括冗余部分。在發(fā)現(xiàn)存儲(chǔ)器陣列的故障部分時(shí)，通過(guò)使用任何可用的方式(例如，激光微調(diào)、電氣信號(hào)發(fā)送等)藉由保險(xiǎn)絲的熔斷可選擇對(duì)應(yīng)的冗余部分。本發(fā)明的實(shí)施例提供用于測(cè)試保險(xiǎn)絲熔斷狀況的可靠性(或換言之，保險(xiǎn)絲為完全熔斷而不僅是部分熔斷的可靠性)的電路和方法。由此，本發(fā)明的實(shí)施例能夠發(fā)現(xiàn)保險(xiǎn)絲何時(shí)部分熔斷。
[0007]在一個(gè)實(shí)施例中，保險(xiǎn)絲熔斷檢測(cè)電路包括保險(xiǎn)絲電路，該保險(xiǎn)絲電路包括具有耦合至地面的第一端的保險(xiǎn)絲。共同節(jié)點(diǎn)耦合至保險(xiǎn)絲的第二端。預(yù)充電電路耦合至共同節(jié)點(diǎn)以將共同節(jié)點(diǎn)預(yù)充電至預(yù)充電“高”電平。反相器包括反相器輸出和反相器輸入，其中反相器輸入耦合至共同節(jié)點(diǎn)。反饋鎖存器耦合在電壓源與地面之間，并包括耦合至反相器輸出的鎖存器輸入以及耦合至共同節(jié)點(diǎn)的鎖存器輸出。包括耦合至共同節(jié)點(diǎn)的測(cè)試電路，其中在正常模式下，測(cè)試電路為反饋鎖存器增加強(qiáng)度以用于將共同節(jié)點(diǎn)保持在預(yù)充電“高”電平，使得在測(cè)試模式下，反饋鎖存器比在正常模式下更弱以用于將共同節(jié)點(diǎn)保持在預(yù)充電“高”電平。
[0008]在另一個(gè)實(shí)施例中，公開(kāi)了一種用于測(cè)試保險(xiǎn)絲的保險(xiǎn)絲熔斷狀況的可靠性的方法。該方法包括提供保險(xiǎn)絲電路，該保險(xiǎn)絲電路包括耦合至地面的第一端以及耦合至共同節(jié)點(diǎn)的第二端。提供反相器電路，該反相器電路包括反相器輸出和反相器輸入，其中輸入耦合至共同節(jié)點(diǎn)。提供耦合在電壓源與地面之間的反饋鎖存器，其中反饋鎖存器包括耦合至反相器輸出的鎖存器輸入以及耦合至共同節(jié)點(diǎn)的鎖存器輸出。提供耦合至共同節(jié)點(diǎn)的測(cè)試電路。在正常模式下，測(cè)試電路為反饋鎖存器增加強(qiáng)度以用于將共同節(jié)點(diǎn)保持在預(yù)充電“高”電平，使得在測(cè)試模式下，反饋鎖存器比在正常模式下更弱以用于將共同節(jié)點(diǎn)保持在預(yù)充電“高”電平。
[0009]在又一個(gè)實(shí)施例中，保險(xiǎn)絲熔斷檢測(cè)電路包括保險(xiǎn)絲電路，該保險(xiǎn)絲電路包括具有耦合至地面的第一端以及耦合至共同節(jié)點(diǎn)的第二端的保險(xiǎn)絲。保險(xiǎn)絲電路包括串聯(lián)耦合至共同節(jié)點(diǎn)與第一端之間的保險(xiǎn)絲的可定址晶體管。預(yù)充電電路耦合至共同節(jié)點(diǎn)以將共同節(jié)點(diǎn)驅(qū)動(dòng)或預(yù)充電至預(yù)充電“高”電平。檢測(cè)電路包括具有反相器輸出和反相器輸入的反相器，其中反相器輸入耦合至共同節(jié)點(diǎn)。提供反饋鎖存器電路，該反饋鎖存器電路包括P溝道金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)，其具有耦合至輸出的柵極、耦合至電壓源的源極以及耦合至共同節(jié)點(diǎn)的漏極。反饋鎖存器電路包括n溝道M0SFET，其具有耦合至反相器輸出的柵極、耦合至共同節(jié)點(diǎn)的源極以及耦合至地面的漏極。保險(xiǎn)絲熔斷檢測(cè)電路還包括測(cè)試電路，該測(cè)試電路包括貢獻(xiàn)晶體管(contribution transistor),該貢獻(xiàn)晶體管具有稱合至反相器輸出的柵極以及耦合至共同節(jié)點(diǎn)的漏極。測(cè)試電路還包括開(kāi)關(guān)晶體管，該開(kāi)關(guān)晶體管具有耦合至電壓源的源極、耦合至貢獻(xiàn)晶體管的源極的漏極以及由測(cè)試模式信號(hào)控制的柵極。
[0010]在閱讀各附圖中示出的實(shí)施例的下列詳細(xì)描述之后，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到本發(fā)明的各種實(shí)施例的這些及其他目的和優(yōu)點(diǎn)。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0011]附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例并且連同描述一起用于說(shuō)明本發(fā)明的原理，所述附圖并入本說(shuō)明書(shū)并且構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的一部分并且其中類似的數(shù)字表示類似的元件。
[0012]圖1為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的、用于測(cè)試集成電路中保險(xiǎn)絲的熔斷的可靠性的保險(xiǎn)絲熔斷檢測(cè)系統(tǒng)和/或電路的框圖。
[0013]圖2為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的、能夠測(cè)試集成電路中保險(xiǎn)絲的熔斷的可靠性的保險(xiǎn)絲熔斷檢測(cè)電路的框圖。[0014]圖3為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的簡(jiǎn)化電路圖，側(cè)重于在正常模式及測(cè)試模式期間的測(cè)試電路的貢獻(xiàn)，其中測(cè)試電路作為保險(xiǎn)絲熔斷檢測(cè)電路的一部分而包括在內(nèi)。
[0015]圖4為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的流程圖，示出了用于檢測(cè)保險(xiǎn)絲熔斷狀況的可靠性的方法。
[0016]圖5為圖表，示出了對(duì)于保險(xiǎn)絲熔斷檢測(cè)電路而言可執(zhí)行的正常模式和測(cè)試模式以及檢測(cè)電路內(nèi)的鎖存器在保險(xiǎn)絲的如下各種電阻狀況下的狀態(tài):例如與保險(xiǎn)絲的未熔斷或完好狀況相對(duì)應(yīng)的保險(xiǎn)絲的低電阻；與保險(xiǎn)絲的弱或部分熔斷狀況相對(duì)應(yīng)的保險(xiǎn)絲的中等電阻；以及與保險(xiǎn)絲的強(qiáng)熔斷狀況相對(duì)應(yīng)的保險(xiǎn)絲的高電阻。
【具體實(shí)施方式】
[0017]現(xiàn)將詳細(xì)參考本發(fā)明的各種實(shí)施例，附圖中示出了這些實(shí)施例的例子。雖然結(jié)合這些實(shí)施例進(jìn)行描述，但應(yīng)當(dāng)理解，并非旨在將本發(fā)明限制于這些實(shí)施例。相反，本發(fā)明旨在涵蓋可包括在所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的替代形式、修改形式和等同形式。此外，在本發(fā)明的以下詳細(xì)描述中，闡述了眾多具體細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明的充分理解。然而，應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明可在不采用這些具體細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐。在其他情況下，未詳細(xì)描述熟知的方法、程序、元件和電路，以避免不必要地使本發(fā)明的方面含糊不清。
[0018]因此，本發(fā)明的實(shí)施例提供用于測(cè)試集成電路中保險(xiǎn)絲熔斷的可靠性的電路和方法。例如，保險(xiǎn)絲可熔斷以使冗余元件部分取代受損或故障部分并入集成電路中。例如，存儲(chǔ)器陣列結(jié)構(gòu)(例如，DRAM存儲(chǔ)器陣列)可包括可通過(guò)對(duì)應(yīng)保險(xiǎn)絲的熔斷(至開(kāi)路)而選擇的冗余部分。在保險(xiǎn)絲熔斷之后，本發(fā)明的實(shí)施例能夠測(cè)試保險(xiǎn)絲為完全熔斷而不僅是部分熔斷的可靠性。由此，本發(fā)明的實(shí)施例能夠檢測(cè)保險(xiǎn)絲何時(shí)部分熔斷。
[0019]在對(duì)于各種功能(例如集成電路的受損部分的修復(fù))而言可執(zhí)行的集成電路和保險(xiǎn)絲電路的背景下公開(kāi)本發(fā)明的實(shí)施例。例如，集成電路可包括存儲(chǔ)器陣列，其中為修復(fù)存儲(chǔ)器陣列的受損部分可選擇保險(xiǎn)絲電路。對(duì)于存儲(chǔ)器陣列的無(wú)誤運(yùn)行而言，測(cè)試熔斷保險(xiǎn)絲的可靠性以操作地選擇用于代替受損部分在存儲(chǔ)器陣列中使用的冗余部分是必要的。
[0020]在使用電壓來(lái)在兩個(gè)二元邏輯電平之間進(jìn)行表示的電氣電路的背景下公開(kāi)本發(fā)明的實(shí)施例。術(shù)語(yǔ)“高”和“低”的使用旨在表示特定電路中的假二元邏輯電平和真二元邏輯電平。通過(guò)這種方式，保險(xiǎn)絲熔斷檢測(cè)電路中的邏輯電平有助于確定保險(xiǎn)絲何時(shí)完好、完全熔斷或部分熔斷。
[0021]圖1為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的、能夠測(cè)試集成電路中保險(xiǎn)絲的熔斷的可靠性(或換言之，測(cè)試熔斷保險(xiǎn)絲的狀態(tài)的可靠性)的保險(xiǎn)絲熔斷檢測(cè)系統(tǒng)和/或電路100的框圖。由此，保險(xiǎn)絲熔斷檢測(cè)電路100可實(shí)現(xiàn)為檢測(cè)保險(xiǎn)絲的多個(gè)狀況，包括具有低電阻的保險(xiǎn)絲的未熔斷狀況；具有高電阻的保險(xiǎn)絲的強(qiáng)熔斷狀況；以及具有中等電阻的保險(xiǎn)絲的弱或部分熔斷狀況。具體地講，本發(fā)明的實(shí)施例能夠檢測(cè)保險(xiǎn)絲的第三狀況，或部分熔斷狀況，而此前在傳統(tǒng)的測(cè)試系統(tǒng)和方法下，僅強(qiáng)熔斷狀況和未熔斷狀況是可測(cè)試的。
[0022]如圖1所示，檢測(cè)電路包括保險(xiǎn)絲電路180。保險(xiǎn)絲電路180包括至少一根保險(xiǎn)絲，所述至少一根保險(xiǎn)絲具有耦合至地面的第一端以及耦合至共同節(jié)點(diǎn)101的第二端。此夕卜，保險(xiǎn)絲電路包括串聯(lián)耦合至檢測(cè)電路的共同節(jié)點(diǎn)與保險(xiǎn)絲的第一端之間的保險(xiǎn)絲的可定址晶體管。通過(guò)這種方式，可選擇特定保險(xiǎn)絲以測(cè)試其配置狀態(tài)，或以測(cè)試該保險(xiǎn)絲的保險(xiǎn)絲熔斷狀況的可靠性。
[0023]保險(xiǎn)絲電路180包括一根或多根保險(xiǎn)絲，所述一根或多根保險(xiǎn)絲的每一者均可選擇以執(zhí)行特定功能。例如，在包括存儲(chǔ)器陣列(例如，DRAM存儲(chǔ)器陣列)的集成電路的情況下，存儲(chǔ)器陣列可包括可選擇用于替換存儲(chǔ)器陣列的對(duì)應(yīng)故障或缺陷部分的冗余部分。即，在確定存儲(chǔ)器陣列的一部分受損時(shí)，可選擇對(duì)應(yīng)的保險(xiǎn)絲以使存儲(chǔ)器陣列的冗余部分代替受損或缺陷部分。在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)完全熔斷對(duì)應(yīng)的保險(xiǎn)絲來(lái)實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器陣列的冗余部分的并入。通過(guò)這種方式，修復(fù)系統(tǒng)、存儲(chǔ)器控制器、微處理器或能夠?qū)Υ鎯?chǔ)器陣列執(zhí)行訪問(wèn)和控制的任何合適裝置能夠識(shí)別對(duì)應(yīng)的保險(xiǎn)絲被熔斷以及在存儲(chǔ)器陣列的正常運(yùn)行期間存儲(chǔ)器陣列的冗余部分將用于取代受損部分。
[0024]檢測(cè)電路100還包括耦合至共同節(jié)點(diǎn)101的預(yù)充電電路140。預(yù)充電電路140耦合至電壓源150 (例如，Vcc)，并耦合至存儲(chǔ)體激活控制信號(hào)160。預(yù)充電電路140被啟動(dòng)以便將共同節(jié)點(diǎn)預(yù)充電至“高”電平。即，在保險(xiǎn)絲電路180中測(cè)試任何保險(xiǎn)絲之前，檢測(cè)電路的初始狀態(tài)包括將共同節(jié)點(diǎn)預(yù)充電至“高”電平。更具體地講，預(yù)充電電路140包括預(yù)充電晶體管(未示出)，預(yù)充電晶體管具有耦合至電壓源150的源極以及耦合至共同節(jié)點(diǎn)的漏極。預(yù)充電晶體管由存儲(chǔ)體激活信號(hào)160控制，以使用電壓源150將共同節(jié)點(diǎn)設(shè)置至預(yù)充電“高”電平。
[0025]檢測(cè)電路100中包括反相器130。反相器包括反相器輸出和反相器輸入。反相器輸入耦合至共同節(jié)點(diǎn)101，并且反相器輸出耦合至輸出節(jié)點(diǎn)190。
[0026]反饋鎖存器電路120耦合在電壓源150與地面之間。反饋鎖存器120包括耦合至反相器輸出或輸出節(jié)點(diǎn)190的鎖存器輸入。反饋鎖存器120還包括耦合至共同節(jié)點(diǎn)的鎖存器輸出。反饋鎖存器120在未設(shè)置時(shí)有助于將共同節(jié)點(diǎn)保持在其預(yù)充電“高”電平。然而，在設(shè)置時(shí)，反饋鎖存器120有助于將共同節(jié)點(diǎn)驅(qū)“低”并且將共同節(jié)點(diǎn)保持在“低”電平。
[0027]檢測(cè)電路100包括耦合至共同節(jié)點(diǎn)101的測(cè)試電路110。在正常模式下，測(cè)試電路110為反饋鎖存器120增加強(qiáng)度以用于將共同節(jié)點(diǎn)101保持在預(yù)充電“高”電平。即，在正常模式下，測(cè)試電路110通過(guò)設(shè)定(asserting)測(cè)試模式信號(hào)170來(lái)啟動(dòng)。在正常模式下，反饋鎖存器120相對(duì)較強(qiáng)，需要更多電流通過(guò)所選保險(xiǎn)絲才能觸發(fā)反饋鎖存器120。部分熔斷的保險(xiǎn)絲在正常模式下不會(huì)傳導(dǎo)足夠的電流以驅(qū)動(dòng)共同節(jié)點(diǎn)101接地并設(shè)置反饋鎖存器120。由此，在正常模式下，受測(cè)試的部分熔斷的保險(xiǎn)絲將看起來(lái)像完全熔斷，因?yàn)槠洳荒軐⒆銐虻碾娏鱾鲗?dǎo)通過(guò)保險(xiǎn)絲以驅(qū)動(dòng)共同節(jié)點(diǎn)101接地并且還設(shè)置反饋鎖存器120以幫助將共同節(jié)點(diǎn)101保持接地。
[0028]反之，在檢測(cè)電路100的測(cè)試模式下，測(cè)試電路110使反饋鎖存器100與其在此前介紹的用于將共同節(jié)點(diǎn)保持在預(yù)充電“高”電平的正常模式下的強(qiáng)度相比更弱。即，在測(cè)試模式下，測(cè)試電路通過(guò)不設(shè)定測(cè)試模式信號(hào)170來(lái)禁用。由此，在測(cè)試模式下，在測(cè)試電路110不對(duì)反饋鎖存器120的運(yùn)行作出貢獻(xiàn)時(shí)，需要更少電流通過(guò)所選保險(xiǎn)絲就可觸發(fā)反饋鎖存器120，進(jìn)而指示保險(xiǎn)絲未熔斷或保險(xiǎn)絲部分熔斷。
[0029]此外，保險(xiǎn)絲檢測(cè)電路100還包括可選的備用保險(xiǎn)絲電路185。在一個(gè)實(shí)施例中，備用保險(xiǎn)絲電路可并聯(lián)耦合至保險(xiǎn)絲電路180以在初始保險(xiǎn)絲電路180受損或缺陷的情況下作為冗余保險(xiǎn)絲電路而運(yùn)行。具體地講，備用保險(xiǎn)絲電路185包括作為冗余保險(xiǎn)絲而運(yùn)行的備用保險(xiǎn)絲，并且可配置為在保險(xiǎn)絲受損的情況下替換或代替保險(xiǎn)絲電路180中對(duì)應(yīng)的保險(xiǎn)絲?？稍诋?dāng)熔斷保險(xiǎn)絲在測(cè)試階段被發(fā)現(xiàn)為部分熔斷而不是完全熔斷時(shí)執(zhí)行備用保險(xiǎn)絲。在這種情況下，備用保險(xiǎn)絲并聯(lián)耦合至對(duì)應(yīng)的初始保險(xiǎn)絲。由此，備用保險(xiǎn)絲包括耦合至地面的第一端以及在共同節(jié)點(diǎn)與所述備用保險(xiǎn)絲的第一端之間串聯(lián)耦合至所述備用保險(xiǎn)絲的備用可定址晶體管。
[0030]另外，保險(xiǎn)絲檢測(cè)電路100包括可實(shí)現(xiàn)用于熔斷所選保險(xiǎn)絲的保險(xiǎn)絲熔斷系統(tǒng)195。可使用各種技術(shù)對(duì)集成電路編程，并且更具體地講，將保險(xiǎn)絲熔斷至開(kāi)路以執(zhí)行特定功能，例如，集成電路的冗余部分的選擇。例如，集成電路可為包括冗余部分的存儲(chǔ)器陣列，并且保險(xiǎn)絲的狀況指示存儲(chǔ)器陣列的冗余部分的包括或不包括。在一個(gè)實(shí)施例中，執(zhí)行激光微調(diào)以熔斷所選保險(xiǎn)絲(例如，至開(kāi)路)。在這種情況下，由于激光器串列到所選保險(xiǎn)絲上以用于微調(diào)，因此保險(xiǎn)絲熔斷系統(tǒng)195不一定電耦合至保險(xiǎn)絲電路180。在另一個(gè)實(shí)施例中，執(zhí)行電氣保險(xiǎn)絲選擇和熔斷，其中使用電氣信號(hào)來(lái)選擇保險(xiǎn)絲并且熔斷所選保險(xiǎn)絲。在這種情況下，保險(xiǎn)絲熔斷系統(tǒng)195電耦合至保險(xiǎn)絲電路180。
[0031]圖2為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的、能夠測(cè)試集成電路中保險(xiǎn)絲的熔斷的可靠性或者用于測(cè)試熔斷保險(xiǎn)絲的狀態(tài)的可靠性的保險(xiǎn)絲熔斷檢測(cè)電路200的電路圖。具體地講，本發(fā)明的實(shí)施例中的保險(xiǎn)絲熔斷檢測(cè)電路200能夠檢測(cè)保險(xiǎn)絲何時(shí)處于部分熔斷狀況。另外，保險(xiǎn)絲熔斷檢測(cè)電路200能夠檢測(cè)保險(xiǎn)絲何時(shí)處于強(qiáng)熔斷狀況以及未熔斷狀況。
[0032]如圖2所示，檢測(cè)電路200包括至少一個(gè)保險(xiǎn)絲電路。檢測(cè)電路200包括多個(gè)保險(xiǎn)絲電路250，所述多個(gè)保險(xiǎn)絲電路的每一者包括與保險(xiǎn)絲串聯(lián)耦合的可定址MOSFET晶體管。保險(xiǎn)絲可被選擇熔斷以用于執(zhí)行特定功能，例如，熔斷保險(xiǎn)絲以選擇存儲(chǔ)器陣列的冗余部分來(lái)替換缺陷部分，如此前所討論。通過(guò)這種方式，修復(fù)系統(tǒng)、存儲(chǔ)器控制器、微處理器能夠檢測(cè)保險(xiǎn)絲何時(shí)熔斷并且然后并入存儲(chǔ)器陣列的冗余部分來(lái)代替存儲(chǔ)器陣列的對(duì)應(yīng)缺陷部分。
[0033]具體地講，圖2中的代表性保險(xiǎn)絲電路包括保險(xiǎn)絲F-1，其具有耦合至地面的第一端以及耦合至共同節(jié)點(diǎn)270的第二端。更具體地講，第二端耦合至可定址MOSFET M-1的漏極。此外，可定址晶體管M-1包括耦合至共同節(jié)點(diǎn)的源極。設(shè)定信號(hào)A-1來(lái)定址晶體管M-1以用于測(cè)試保險(xiǎn)絲F-1的配置狀態(tài)以及用于測(cè)試保險(xiǎn)絲F-1的保險(xiǎn)絲熔斷狀況的可靠性。
[0034]檢測(cè)電路200包括所述多個(gè)250中的額外的保險(xiǎn)絲電路，例如，可通過(guò)A_2的設(shè)定來(lái)選擇的、耦合至可定址晶體管M-2的保險(xiǎn)絲F-2，直至可通過(guò)A-n的設(shè)定來(lái)選擇的、耦合至可定址晶體管M-n的保險(xiǎn)絲F-n。保險(xiǎn)絲電路的每一者并聯(lián)耦合在共同節(jié)點(diǎn)270與地面之間，并且可單獨(dú)定址以執(zhí)行不同功能，例如，啟用存儲(chǔ)器陣列的不同冗余部分。
[0035]此外，保險(xiǎn)絲電路可包括備用或冗余保險(xiǎn)絲電路。冗余保險(xiǎn)絲電路可用于替換缺陷保險(xiǎn)絲電路。例如，如圖2所示，備用保險(xiǎn)絲電路包括保險(xiǎn)絲F-1’和晶體管M-1’，其中保險(xiǎn)絲F-1’可定址以通過(guò)設(shè)定信號(hào)A-1’來(lái)測(cè)試。備用保險(xiǎn)絲電路并聯(lián)耦合至包括保險(xiǎn)絲F-1和晶體管M-1的初始保險(xiǎn)絲電路，其中初始保險(xiǎn)絲F-1可定址以通過(guò)設(shè)定信號(hào)A-1來(lái)測(cè)試。
[0036]檢測(cè)電路200還包括預(yù)充電電路，該預(yù)充電電路耦合至共同節(jié)點(diǎn)270以將共同節(jié)點(diǎn)270預(yù)充電至“高”電平。如圖2所示，預(yù)充電電路包括預(yù)充電MOSFET T-5，其具有耦合至電壓源(例如，Vcc)的源極以及耦合至共同節(jié)點(diǎn)270的漏極。預(yù)充電晶體管T-5由存儲(chǔ)體激活信號(hào)240控制，以在電壓源Vcc的影響下將共同節(jié)點(diǎn)270設(shè)置為預(yù)充電“高”電平。由此，在檢測(cè)電路200的初始狀態(tài)中，共同節(jié)點(diǎn)被預(yù)充電至“高”電平。在一個(gè)實(shí)施例中，晶體管T-2在與電路200中的其他晶體管相比時(shí)相對(duì)較強(qiáng)，并且在一個(gè)具體實(shí)施中，晶體管T-5具有比最小長(zhǎng)度大2.0 (以微米計(jì))的寬度和長(zhǎng)度尺寸。
[0037]檢測(cè)電路200中包括反相器260。反相器包括反相器輸出和反相器輸入，其中反相器輸入耦合至共同節(jié)點(diǎn)270，并且反相器輸出耦合至輸出節(jié)點(diǎn)230。如圖所示，反相器260對(duì)從共同節(jié)點(diǎn)270進(jìn)入反相器輸入的信號(hào)進(jìn)行逆變。在一個(gè)具體實(shí)施中，反相器260中n溝道MOSFET的晶體管寬度Wn比最小長(zhǎng)度大1.0 y m，并且反相器260中p溝道MOSFET的晶體管寬度Wp也比最小長(zhǎng)度大1.0 ii m。
[0038]檢測(cè)電路200包括耦合在電壓源(例如，Vcc)與地面之間的反饋鎖存器電路。反饋鎖存器包括耦合至反相器輸出或輸出節(jié)點(diǎn)230的鎖存器輸入以及耦合至共同節(jié)點(diǎn)270的鎖存器輸出。具體地講，部分地，反饋鎖存器包括P溝道MOSFET T-3，其具有耦合至輸出節(jié)點(diǎn)230的柵極、耦合至電壓源(例如，Vcc)的源極以及耦合至共同節(jié)點(diǎn)270的漏極。此外，反饋鎖存器包括n溝道MOSFET T-4，其具有耦合至反相器輸出或輸出節(jié)點(diǎn)230的柵極、耦合至共同節(jié)點(diǎn)270的源極以及耦合至地面的漏極。通常，反饋鎖存器有助于將共同節(jié)點(diǎn)保持在其預(yù)充電“高”電平。然而，在設(shè)置鎖存器時(shí)，反饋鎖存器則有助于將共同節(jié)點(diǎn)270驅(qū)動(dòng)并保持至“低”電平。在一個(gè)具體實(shí)施中，P溝道晶體管T-3具有以微米計(jì)0.8/3.2的寬度/長(zhǎng)度尺寸。
[0039]此外，檢測(cè)電路200還包括測(cè)試電路，該測(cè)試電路包括貢獻(xiàn)MOSFET T_2和開(kāi)關(guān)MOSFET T-1。貢獻(xiàn)晶體管T-2包括耦合至反相器輸出或輸出節(jié)點(diǎn)230的柵極以及耦合至共同節(jié)點(diǎn)270的漏極。開(kāi)關(guān)晶體管T-1包括耦合至電壓源(例如，Vcc)的源極、耦合至貢獻(xiàn)晶體管T-2的源極的漏極以及由測(cè)試模式信號(hào)220控制的柵極。在一個(gè)具體實(shí)施中，晶體管T-1具有以微米計(jì)1.0/0.1的寬度和長(zhǎng)度尺寸。另外，在另一個(gè)具體實(shí)施中，晶體管T-2具有以微米計(jì)0.8/1.5的寬度/長(zhǎng)度尺寸。在各種實(shí)施例中，電路200中使用的各晶體管和反相器的各種尺寸可選擇以偏置檢測(cè)電路，從而控制檢測(cè)弱電阻性保險(xiǎn)絲的靈敏度。
[0040]更具體地講，開(kāi)關(guān)晶體管T-1啟動(dòng)檢測(cè)電路的正常模式或測(cè)試模式。在正常模式下，開(kāi)關(guān)晶體管T-1通過(guò)測(cè)試模式信號(hào)220的設(shè)定(例如，將信號(hào)220設(shè)定至“低”)而打開(kāi)，使得貢獻(xiàn)晶體管T-2對(duì)上文所述的反饋鎖存器作出貢獻(xiàn)。通過(guò)這種方式，由于p溝道晶體管T-2和T-3的雙重貢獻(xiàn)，因此反饋鎖存器相對(duì)較強(qiáng)，進(jìn)而即使在保險(xiǎn)絲被部分熔斷時(shí)仍有助于將共同節(jié)點(diǎn)270保持在“高”電平。即，由于反饋鎖存器相對(duì)較強(qiáng)，因此需要更多電流通過(guò)所選保險(xiǎn)絲電路才能驅(qū)動(dòng)共同節(jié)點(diǎn)接地，并且由此，在正常模式下弱電阻性保險(xiǎn)絲(例如，部分熔斷的保險(xiǎn)絲)不能傳導(dǎo)足夠的電流以驅(qū)動(dòng)共同節(jié)點(diǎn)270接地并且對(duì)于檢測(cè)電路200而言以類似于完全熔斷的保險(xiǎn)絲的方式起作用。由此，弱電阻性保險(xiǎn)絲不能設(shè)置反饋鎖存器，因此共同節(jié)點(diǎn)保持在其預(yù)充電“高”電平。此外，假設(shè)輸出節(jié)點(diǎn)230處為“低”，p溝道晶體管T-2和T-3反饋鎖存器有助于將共同節(jié)點(diǎn)保持在“高”電平，而n溝道晶體管T-4為不活動(dòng)的。
[0041]另一方面，在測(cè)試模式下，開(kāi)關(guān)晶體管T-1通過(guò)不設(shè)定測(cè)試模式信號(hào)220(例如，將信號(hào)220設(shè)定至“高”)而關(guān)閉，使得貢獻(xiàn)晶體管T-2則為不活動(dòng)的且不能對(duì)上文所述的反饋鎖存器作出貢獻(xiàn)。通過(guò)這種方式，由于鎖存器中僅包括一個(gè)P溝道晶體管T-3，因此，反饋鎖存器與其在正常模式下的運(yùn)行相比相對(duì)較弱。由此，反饋鎖存器將共同節(jié)點(diǎn)不牢固地保持在其預(yù)充電“高”電平。即，由于反饋鎖存器相對(duì)較弱，因此當(dāng)前需要更少電流(與檢測(cè)電路的正常模式運(yùn)行相比時(shí))通過(guò)所選保險(xiǎn)絲電路就可驅(qū)動(dòng)共同節(jié)點(diǎn)接地，并且由此，在測(cè)試模式下相同的弱電阻性保險(xiǎn)絲(例如，部分熔斷的保險(xiǎn)絲)當(dāng)前能夠傳導(dǎo)足夠的電流以驅(qū)動(dòng)共同節(jié)點(diǎn)270接地。保險(xiǎn)絲當(dāng)前對(duì)于檢測(cè)電路200而言以不同于完全熔斷的保險(xiǎn)絲的方式起作用，并且可被檢測(cè)為部分熔斷的保險(xiǎn)絲。更具體地講，弱電阻性保險(xiǎn)絲當(dāng)前能夠設(shè)置反饋鎖存器，因此共同節(jié)點(diǎn)當(dāng)前藉由通過(guò)弱電阻性保險(xiǎn)絲的電流的傳導(dǎo)被驅(qū)“低”。此外，假設(shè)輸出節(jié)點(diǎn)230處為“高”，p溝道晶體管T-2當(dāng)前關(guān)閉，并且n溝道晶體管T-4有助于將共同節(jié)點(diǎn)保持在“低”電平。
[0042]圖3為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的保險(xiǎn)絲檢測(cè)電路300的簡(jiǎn)化電路圖，側(cè)重于當(dāng)運(yùn)行于特定保險(xiǎn)絲電路時(shí)在正常模式及測(cè)試模式期間包括在電路300中的測(cè)試電路的貢獻(xiàn)，其中測(cè)試電路作為保險(xiǎn)絲熔斷檢測(cè)電路的一部分而包括在內(nèi)。在一個(gè)實(shí)施例中，保險(xiǎn)絲檢測(cè)電路300是圖2的保險(xiǎn)絲檢測(cè)電路的簡(jiǎn)化，并且由此包括類似標(biāo)號(hào)的晶體管、保險(xiǎn)絲和
定址信號(hào)。
[0043]如圖3所示，保險(xiǎn)絲電路包括保險(xiǎn)絲F-1和可定址晶體管M-1，其中晶體管M-1可通過(guò)信號(hào)A-1的設(shè)定來(lái)定址以用于測(cè)試保險(xiǎn)絲F-1的熔斷狀況的可靠性。晶體管M-1耦合至共同節(jié)點(diǎn)370。
[0044]另外，示出反饋鎖存器，其包括并聯(lián)耦合在電壓源(例如，Vcc)與共同節(jié)點(diǎn)370之間的兩個(gè)晶體管T-2和T-3。為了舉例說(shuō)明和清楚起見(jiàn)，未完全表示輸出節(jié)點(diǎn)及其各種連接。
[0045]具體地講，在正常模式下，設(shè)定開(kāi)關(guān)350以關(guān)閉電路使得晶體管T-2為活動(dòng)的且并聯(lián)耦合至晶體管T-3，如此前所述。由此，反饋鎖存器包括晶體管T-2和T-3兩者以有助于將共同節(jié)點(diǎn)保持在預(yù)充電“高”電平。在測(cè)試模式下，開(kāi)關(guān)作為開(kāi)路工作，從而使晶體管T-2不活動(dòng)。由此，反饋鎖存器當(dāng)前僅包括晶體管T-2以有助于將共同節(jié)點(diǎn)保持在預(yù)充電“高”電平。即，在正常測(cè)試模式下，晶體管T-2為反饋鎖存器增加強(qiáng)度以用于將共同節(jié)點(diǎn)保持在預(yù)充電“高”電平。
[0046]然而，在測(cè)試模式下，由于否定晶體管T-2的貢獻(xiàn)，反饋電路僅包括耦合至共同節(jié)點(diǎn)的晶體管T-3。由于僅存在一個(gè)p溝道晶體管T-3，反饋鎖存器當(dāng)前比在正常模式下更弱，以用于將共同節(jié)點(diǎn)保持在預(yù)充電“高”電平。即，反饋鎖存器更容易地設(shè)置，這是由于需要更少電流流經(jīng)保險(xiǎn)絲M-1 (例如，在保險(xiǎn)絲如在部分熔斷狀況中一樣為弱電阻性時(shí))就可將共同節(jié)點(diǎn)降“低”。
[0047]圖4為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的過(guò)程的流程圖400，該過(guò)程用于測(cè)試保險(xiǎn)絲熔斷狀況的可靠性，以及更具體地講，保險(xiǎn)絲完全熔斷的可靠性。流程圖400的方法可實(shí)現(xiàn)為檢測(cè)對(duì)于具有中等電阻的保險(xiǎn)絲而言保險(xiǎn)絲何時(shí)部分熔斷。此外，流程圖400的方法同樣適用于檢測(cè)保險(xiǎn)絲的其他狀況，例如具有低電阻的保險(xiǎn)絲的未熔斷狀況以及具有高電阻的保險(xiǎn)絲的強(qiáng)熔斷狀況，而此前在傳統(tǒng)的測(cè)試系統(tǒng)和方法下，僅強(qiáng)熔斷狀況和未熔斷狀況是可測(cè)試的。
[0048]在410處，提供保險(xiǎn)絲電路，其包括具有耦合至地面的第一端以及耦合至共同節(jié)點(diǎn)的第二端的保險(xiǎn)絲。在一個(gè)實(shí)施例中，保險(xiǎn)絲可選擇以用于測(cè)試其可靠性。例如，保險(xiǎn)絲電路包括串聯(lián)耦合至共同節(jié)點(diǎn)與第一端之間的保險(xiǎn)絲的可定址晶體管。由此，在可定址晶體管啟動(dòng)或定址時(shí)，保險(xiǎn)絲可定址以用于測(cè)試目的。
[0049]在420處，提供預(yù)充電電路，其耦合至共同節(jié)點(diǎn)。預(yù)充電電路使共同節(jié)點(diǎn)升至預(yù)充電“高”電平。此外，在430處，提供反相器，其具有反相器輸出和反相器輸入。具體地講，反相器輸入耦合至共同節(jié)點(diǎn)。另外，反相器輸出耦合至輸出節(jié)點(diǎn)。
[0050]在440處，提供反饋鎖存器，其耦合在電壓源與地面之間。反饋鎖存器包括耦合至反相器輸出或輸出節(jié)點(diǎn)的鎖存器輸入。反饋鎖存器還包括耦合至共同節(jié)點(diǎn)的鎖存器輸出。
[0051]在450處，提供測(cè)試電路，其中測(cè)試電路也耦合至共同節(jié)點(diǎn)并用于啟動(dòng)正常模式或測(cè)試模式。在正常模式下，測(cè)試電路為反饋鎖存器增加強(qiáng)度(如此前在圖1-3中所述)，以用于將共同節(jié)點(diǎn)保持在預(yù)充電“高”電平。例如，通過(guò)信號(hào)(例如，圖2的測(cè)試模式信號(hào))的設(shè)定來(lái)啟動(dòng)檢測(cè)電路的正常模式。更具體地講，在正常模式下，兩個(gè)或更多個(gè)MOSFET并聯(lián)耦合在反饋鎖存器中，它們相結(jié)合有助于將共同節(jié)點(diǎn)保持在“高”電平。
[0052]然而，在測(cè)試模式下，反饋鎖存器比在正常模式下更弱以用于將共同節(jié)點(diǎn)保持在預(yù)充電“高”電平。例如，為啟動(dòng)檢測(cè)電路的測(cè)試模式，測(cè)試模式信號(hào)未啟動(dòng)。由此，僅一個(gè)MOSFET包括在反饋鎖存器中，或者比在正常模式下至少更少數(shù)量的MOSFET并聯(lián)耦合在反饋鎖存器中。在一個(gè)實(shí)施例中，禁用測(cè)試電路以否定反饋鎖存器中測(cè)試電路中的晶體管的貢獻(xiàn)。由此，由于僅存在一個(gè)晶體管，在測(cè)試模式下反饋鎖存器將共同節(jié)點(diǎn)不牢固地保持在預(yù)充電“高”電平，并且易利用流經(jīng)所選保險(xiǎn)絲(例如，在保險(xiǎn)絲處于部分熔斷狀況時(shí))的更少量的電流來(lái)設(shè)置。
[0053]在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)流程圖400所示方法的實(shí)施來(lái)確定所選保險(xiǎn)絲被部分熔斷。具體地講，保險(xiǎn)絲通過(guò)任何合適的保險(xiǎn)絲熔斷過(guò)程來(lái)熔斷。例如，可使用激光微調(diào)技術(shù)來(lái)熔斷保險(xiǎn)絲，或者可使用電氣保險(xiǎn)絲熔斷編程技術(shù)。需要測(cè)試與熔斷保險(xiǎn)絲相關(guān)的保險(xiǎn)絲熔斷狀況的可靠性。具體地講，在正常模式下測(cè)試保險(xiǎn)絲。來(lái)自該測(cè)試的結(jié)果的可靠性可能可疑，由此，則在測(cè)試模式下再測(cè)試保險(xiǎn)絲。具體地講，當(dāng)在正常模式下輸出節(jié)點(diǎn)處的反相器輸出處于“低”電平(例如，共同節(jié)點(diǎn)為“高”)并且在測(cè)試模式下輸出節(jié)點(diǎn)處的反相器輸出處于“高”電平(例如，共同節(jié)點(diǎn)為“低”)時(shí)，確定保險(xiǎn)絲被部分熔斷。此外，在不同狀況下，當(dāng)在正常模式下輸出節(jié)點(diǎn)處的輸出立即為“高”電平(例如，共同節(jié)點(diǎn)立即降“低”)時(shí)，可確定保險(xiǎn)絲被有效地部分熔斷，或者根本未熔斷。
[0054]在確定保險(xiǎn)絲被部分熔斷時(shí)，圖4所示的方法可包括使用備用保險(xiǎn)絲電路來(lái)替換缺陷保險(xiǎn)絲。即，備用保險(xiǎn)絲電路與缺陷保險(xiǎn)絲電路并聯(lián)耦合并可替代地選擇。通過(guò)這種方式，不再進(jìn)一步考慮缺陷保險(xiǎn)絲，并且在備用保險(xiǎn)絲電路上實(shí)現(xiàn)與缺陷保險(xiǎn)絲相關(guān)的任何過(guò)程。
[0055]在另一個(gè)實(shí)施例中，可檢查保險(xiǎn)絲的完整性。即，執(zhí)行配置檢查。例如，當(dāng)在正常模式下反相器輸出處于“高”電平時(shí)，確定完整性為完好。為進(jìn)一步確認(rèn)，在測(cè)試模式下，反相器輸出也處于“高”電平。這就指示保險(xiǎn)絲完全完好。另一方面，當(dāng)在正常模式下反相器輸出為“低”電平時(shí)，確定完整性受損。此外，當(dāng)在測(cè)試模式下反相器輸出處于“高”電平時(shí)，可確定保險(xiǎn)絲被部分熔斷。
[0056]圖5為圖表500，示出了對(duì)于保險(xiǎn)絲熔斷檢測(cè)電路而言可執(zhí)行的正常模式和測(cè)試模式以及檢測(cè)電路內(nèi)的反饋鎖存器在保險(xiǎn)絲的如下各種電阻狀況下的狀態(tài):例如與保險(xiǎn)絲的未熔斷或完好狀況相對(duì)應(yīng)的保險(xiǎn)絲的低電阻；與保險(xiǎn)絲的弱或部分熔斷狀況相對(duì)應(yīng)的保險(xiǎn)絲的中等電阻；以及與保險(xiǎn)絲的強(qiáng)熔斷狀況相對(duì)應(yīng)的保險(xiǎn)絲的高電阻。
[0057]如圖表500所示，包括三列。列505指示保險(xiǎn)絲的狀況，以及更具體地講，保險(xiǎn)絲的電阻狀況。例如，對(duì)于未熔斷狀況而言，保險(xiǎn)絲具有低電阻；對(duì)于弱或部分熔斷狀況而言，保險(xiǎn)絲具有中等電阻；并且對(duì)于強(qiáng)熔斷狀況而言，保險(xiǎn)絲具有高電阻。列510指示保險(xiǎn)絲熔斷檢測(cè)電路的正常模式運(yùn)行的結(jié)果，并指示是否已設(shè)置反饋鎖存器電路。此外，還根據(jù)是否已設(shè)置反饋鎖存器而在括號(hào)中指出共同節(jié)點(diǎn)的電壓狀態(tài)。列520指示保險(xiǎn)絲熔斷檢測(cè)電路的測(cè)試模式運(yùn)行的結(jié)果，并指示是否已設(shè)置反饋鎖存器電路。還根據(jù)是否已設(shè)置鎖存器而在括號(hào)中提供共同節(jié)點(diǎn)在測(cè)試模式下的電壓狀態(tài)。
[0058]通過(guò)分別處理保險(xiǎn)絲的每種狀況，行530提供完好或處于未熔斷狀況的保險(xiǎn)絲的可靠性結(jié)果。例如，在保險(xiǎn)絲熔斷檢測(cè)電路和/或方法的運(yùn)行的正常模式下，反饋鎖存器能夠設(shè)置，使得共同節(jié)點(diǎn)處于“低”電平。由于保險(xiǎn)絲完好，足夠的電流被牽引通過(guò)保險(xiǎn)絲以設(shè)置鎖存器，從而迫使共同節(jié)點(diǎn)降“低”并提供“高”的反相器輸出。反饋鎖存器將該“低”再保持至共同節(jié)點(diǎn)。此外，在保險(xiǎn)絲熔斷檢測(cè)電路和/或方法的運(yùn)行的測(cè)試模式下，反饋鎖存器也能夠設(shè)置，使得共同節(jié)點(diǎn)被驅(qū)至“低”電平。由于保險(xiǎn)絲完好，足夠的電流被牽引通過(guò)保險(xiǎn)絲以設(shè)置鎖存器，從而迫使共同節(jié)點(diǎn)降“低”并提供“高”的反相器輸出。反饋鎖存器將該“低”再保持至共同節(jié)點(diǎn)。
[0059]行540提供弱熔斷或處于部分熔斷狀況的保險(xiǎn)絲的可靠性結(jié)果。例如，在保險(xiǎn)絲熔斷檢測(cè)電路和/或方法的運(yùn)行的正常模式下，即使保險(xiǎn)絲部分熔斷，反饋鎖存器也強(qiáng)并能夠在共同節(jié)點(diǎn)處保持預(yù)充電“高”。即，由于反饋鎖存器強(qiáng)，需要比所提供的通過(guò)部分熔斷的保險(xiǎn)絲的電流更多的電流才能設(shè)置反饋鎖存器，并且由此，鎖存器不被設(shè)置。在這種場(chǎng)景下，共同節(jié)點(diǎn)保持在預(yù)充電“高”電平，并且反相器輸出為“低”。此外，在保險(xiǎn)絲熔斷檢測(cè)電路和/或方法的運(yùn)行的測(cè)試模式下，反饋鎖存器當(dāng)前也能夠設(shè)置，使得共同節(jié)點(diǎn)被驅(qū)“低”。即，由于反饋鎖存器比在正常模式下更弱，因此需要通過(guò)部分熔斷的保險(xiǎn)絲的更少電流就可設(shè)置反饋鎖存器，并且由此，鎖存器當(dāng)前進(jìn)行設(shè)置。在這種場(chǎng)景下，共同節(jié)點(diǎn)被驅(qū)“低”，并且反相器輸出為“高”。
[0060]此外，當(dāng)在保險(xiǎn)絲熔斷檢測(cè)電路和/或方法的運(yùn)行的正常模式下反饋鎖存器立即設(shè)置使得共同節(jié)點(diǎn)被驅(qū)“低”時(shí)，可立即明白熔斷保險(xiǎn)絲為有缺陷的(例如，完全完好或部分熔斷)。由此，即使在反饋鎖存器強(qiáng)時(shí)，足夠的電流也能夠傳導(dǎo)通過(guò)保險(xiǎn)絲以設(shè)置鎖存器。在這種場(chǎng)景下，共同節(jié)點(diǎn)被驅(qū)“低”，并且反相器輸出為“高”。由于能立即了解保險(xiǎn)絲為有缺陷的，因此不必對(duì)保險(xiǎn)絲進(jìn)行運(yùn)行測(cè)試模式，因?yàn)榻Y(jié)果應(yīng)該會(huì)重復(fù)。
[0061]行550提供處于強(qiáng)熔斷狀況的保險(xiǎn)絲的可靠性結(jié)果。例如，在保險(xiǎn)絲熔斷檢測(cè)電路和/或方法的運(yùn)行的正常模式下，由于保險(xiǎn)絲為開(kāi)路，因此實(shí)際上極少或無(wú)電流傳導(dǎo)通過(guò)保險(xiǎn)絲。由此，共同節(jié)點(diǎn)保持在其“高”電平的預(yù)充電狀態(tài)中，并且反相器輸出為“低”。在測(cè)試模式下，即便反饋鎖存器較弱，保險(xiǎn)絲仍呈現(xiàn)開(kāi)路，并且由此極少或無(wú)電流傳導(dǎo)通過(guò)保險(xiǎn)絲。由此，共同節(jié)點(diǎn)再次保持在其“高”電平的預(yù)充電狀態(tài)中，并且反相器輸出為“低”。
[0062]因此，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供用于通過(guò)用于檢測(cè)保險(xiǎn)絲的熔斷的可靠性的檢測(cè)電路來(lái)測(cè)試保險(xiǎn)絲的保險(xiǎn)絲熔斷的熔斷可靠性的電路和方法，其中在正常模式下部分熔斷的保險(xiǎn)絲不能引出足夠的電流來(lái)設(shè)置反饋鎖存器從而指示保險(xiǎn)絲被熔斷，但在測(cè)試模式下相同的保險(xiǎn)絲當(dāng)前能夠引出足夠的電流來(lái)設(shè)置反饋鎖存器從而指示保險(xiǎn)絲被部分熔斷。[0063]雖然前述公開(kāi)內(nèi)容使用具體的框圖、流程圖和實(shí)例來(lái)闡述各種實(shí)施例，但本文所描述和/或示出的每個(gè)框圖組成部分、流程圖步驟、操作和/或元件可單獨(dú)地和/或共同地實(shí)現(xiàn)。此外，包含在其他元件中的元件的任何公開(kāi)內(nèi)容應(yīng)視為例子，因?yàn)榭蓪?shí)現(xiàn)許多其他架構(gòu)以獲得相同的功能。
[0064]本文所描述和/或示出的過(guò)程參數(shù)和步驟順序僅以舉例的方式給出且可根據(jù)需要改變。例如，雖然本文所示出和/或描述的步驟可以特定次序示出或討論，但這些步驟不一定需要以所示出和/或討論的次序執(zhí)行。本文所描述和/或示出的各種示例性方法也可省略本文所描述和/或示出的一個(gè)或多個(gè)步驟，或者可除公開(kāi)的那些之外還包括額外的步驟。
[0065]出于說(shuō)明的目的，參考具體實(shí)施例進(jìn)行了前述描述。然而，上文的示例性討論并非旨在詳盡列舉，也不旨在將本發(fā)明限制為所公開(kāi)的精確形式。鑒于上述教導(dǎo)內(nèi)容，許多修改形式和變型形式均是可行的。選擇和描述這些實(shí)施例是為了最好地說(shuō)明本發(fā)明的原理及其實(shí)際應(yīng)用，從而使本領(lǐng)域其他技術(shù)人員能夠最好地利用本發(fā)明以及具有可適用于預(yù)期的特定用途的各種修改形式的各種實(shí)施例。
[0066]因此描述了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例。雖然在特定實(shí)施例中描述了本發(fā)明，但應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不應(yīng)理解為受到此類實(shí)施例的限制，而應(yīng)理解為與以下權(quán)利要求一致。
【權(quán)利要求】
1.一種保險(xiǎn)絲熔斷檢測(cè)電路，包括: 保險(xiǎn)絲電路，其包括具有耦合至地面的第一端的保險(xiǎn)絲； 共同節(jié)點(diǎn)，其耦合至所述保險(xiǎn)絲的第二端； 預(yù)充電電路，其耦合至所述共同節(jié)點(diǎn)以將所述共同節(jié)點(diǎn)預(yù)充電至預(yù)充電“高”電平； 反相器，其具有反相器輸出和反相器輸入，其中所述反相器輸入耦合至所述共同節(jié)占.反饋鎖存器，其耦合在電壓源與地面之間并具有耦合至所述反相器輸出的鎖存器輸入以及耦合至所述共同節(jié)點(diǎn)的鎖存器輸出；以及 測(cè)試電路，其耦合至所述共同節(jié)點(diǎn)，其中在正常模式下，所述測(cè)試電路為所述反饋鎖存器增加強(qiáng)度以用于將所述共同節(jié)點(diǎn)保持在所述預(yù)充電“高”電平，使得在測(cè)試模式下，所述反饋鎖存器比在所述正常模式下更弱以用于將所述共同節(jié)點(diǎn)保持在所述預(yù)充電“高”電平。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)電路，其中所述保險(xiǎn)絲電路還包括: 可定址晶體管，其串聯(lián)耦合至所述共同節(jié)點(diǎn)與所述第一端之間的所述保險(xiǎn)絲。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)電路，還包括: 預(yù)充電晶體管，其具有耦合至所述電壓源的源極以及耦合至所述共同節(jié)點(diǎn)的漏極，其中所述預(yù)充電晶體管由存儲(chǔ)體激活信號(hào)控制以將所述共同節(jié)點(diǎn)設(shè)置至所述預(yù)充電“高”電平。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)電路，其中所述反饋鎖存器包括: P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)，其具有耦合至所述反相器輸出的柵極、耦合至所述電壓源的源極以及耦合至所述共同節(jié)點(diǎn)的漏極；以及 n溝道FET，其具有耦合至所述反相器輸出的柵極、耦合至所述共同節(jié)點(diǎn)的源極以及耦合至所述地面的漏極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的檢測(cè)電路，其中所述測(cè)試電路包括: 貢獻(xiàn)晶體管，其具有耦合至所述輸出的柵極以及耦合至所述共同節(jié)點(diǎn)的漏極；以及 開(kāi)關(guān)晶體管，其具有耦合至所述電壓源的源極、耦合至所述貢獻(xiàn)晶體管的所述源極的漏極以及由測(cè)試模式信號(hào)控制的柵極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的檢測(cè)電路，其中所述p溝道FET具有0.8/3.2的寬度/長(zhǎng)度尺寸，并且其中所述貢獻(xiàn)晶體管具有0.8/1.5的寬度/長(zhǎng)度尺寸。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的檢測(cè)電路，其中所述測(cè)試電路在所述正常模式期間為活動(dòng)的并且在所述測(cè)試模式期間為不活動(dòng)的。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測(cè)電路，還包括: 備用保險(xiǎn)絲電路，其并聯(lián)耦合至所述保險(xiǎn)絲電路并包括備用保險(xiǎn)絲，所述備用保險(xiǎn)絲具有耦合至地面的第一端以及在所述共同節(jié)點(diǎn)與所述備用保險(xiǎn)絲的所述第一端之間串聯(lián)耦合至所述備用保險(xiǎn)絲的備用可定址晶體管。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)電路，還包括: 保險(xiǎn)絲熔斷系統(tǒng)，其耦合至所述保險(xiǎn)絲使得在啟動(dòng)時(shí)將所述保險(xiǎn)絲熔斷至開(kāi)路。
10.一種用于測(cè)試保險(xiǎn)絲的保險(xiǎn)絲熔斷狀態(tài)的可靠性的方法，包括: 提供保險(xiǎn)絲電路，其包括具有耦合至地面的第一端以及耦合至共同節(jié)點(diǎn)的第二端的保險(xiǎn)絲；提供預(yù)充電電路，其耦合至所述共同節(jié)點(diǎn)以將所述共同節(jié)點(diǎn)預(yù)充電至預(yù)充電“高”電平; 提供反相器，其具有反相器輸出和反相器輸入，其中所述輸入耦合至所述共同節(jié)點(diǎn)； 提供反饋鎖存器，其耦合在電壓源與地面之間并具有耦合至所述反相器輸出的鎖存器輸入以及耦合至所述共同節(jié)點(diǎn)的鎖存器輸出；以及 提供測(cè)試電路，其耦合至所述共同節(jié)點(diǎn)，其中在正常模式下，所述測(cè)試電路為所述反饋鎖存器增加強(qiáng)度以用于將所述共同節(jié)點(diǎn)保持在所述預(yù)充電“高”電平，使得在測(cè)試模式下，所述反饋鎖存器比在所述正常模式下更弱以用于將所述共同節(jié)點(diǎn)保持在所述預(yù)充電“高”電平。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括: 通過(guò)啟動(dòng)串聯(lián)耦合至所述共同節(jié)點(diǎn)與所述第一端之間的所述保險(xiǎn)絲的可定址晶體管來(lái)定址所述保險(xiǎn)絲電路。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括: 發(fā)送所述測(cè)試電路的所述正常模式的信號(hào)；以及 啟動(dòng)所述測(cè)試電路。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括: 發(fā)送所述測(cè)試電路的所述測(cè)試模式的信號(hào)；以及 禁用所述測(cè)試電路。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括: 熔斷所述保險(xiǎn)絲； 當(dāng)在所述正常模式下所述反相器輸出為“低”時(shí)并且當(dāng)在所述測(cè)試模式下所述反相器輸出為“高”時(shí)，確定所述保險(xiǎn)絲被部分熔斷。
15.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，還包括: 在確定所述保險(xiǎn)絲被部分熔斷時(shí)，使用并聯(lián)耦合至所述保險(xiǎn)絲電路并包括備用保險(xiǎn)絲的備用保險(xiǎn)絲電路，所述備用保險(xiǎn)絲具有耦合至地面的第一端以及在所述共同節(jié)點(diǎn)與所述備用保險(xiǎn)絲的所述第一端之間串聯(lián)耦合至所述備用保險(xiǎn)絲的備用可定址晶體管。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括執(zhí)行配置檢查，所述配置檢查包括: 在正常模式下，當(dāng)所述反相器輸出為“高”時(shí)，確定所述保險(xiǎn)絲的完整性為完好；以及 在正常模式下，當(dāng)所述反相器輸出為“低”時(shí)，確定所述保險(xiǎn)絲受損。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，在確定所述保險(xiǎn)絲受損時(shí)，當(dāng)在所述測(cè)試模式下所述反相器輸出為“高”時(shí)進(jìn)一步確定所述保險(xiǎn)絲被部分熔斷。
18.一種保險(xiǎn)絲熔斷檢測(cè)電路，包括: 保險(xiǎn)絲電路，其包括保險(xiǎn)絲和可定址晶體管，所述保險(xiǎn)絲具有耦合至地面的第一端以及耦合至共同節(jié)點(diǎn)的第二端，所述可定址晶體管在所述共同節(jié)點(diǎn)與所述第一端之間串聯(lián)耦合至所述保險(xiǎn)絲； 預(yù)充電電路，其耦合至所述共同節(jié)點(diǎn)以將所述共同節(jié)點(diǎn)預(yù)充電至預(yù)充電“高”電平； 反相器，其具有反相器輸出和反相器輸入，其中所述反相器輸入耦合至所述共同節(jié)占.反饋鎖存器，其包括P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)和n溝道FET，所述p溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有耦合至所述輸出的柵極、耦合至電壓源的源極以及耦合至所述共同節(jié)點(diǎn)的漏極，所述n溝道FET具有耦合至所述反相器輸出的柵極、耦合至所述共同節(jié)點(diǎn)的源極以及耦合至所述地面的漏極；以及 測(cè)試電路，其包括貢獻(xiàn)晶體管和開(kāi)關(guān)晶體管，所述貢獻(xiàn)晶體管具有耦合至所述反相器輸出的柵極以及耦合至所述共同節(jié)點(diǎn)的漏極，所述開(kāi)關(guān)晶體管具有耦合至所述電壓源的源極、耦合至所述貢獻(xiàn)晶體管的所述源極的漏極以及由測(cè)試模式信號(hào)控制的柵極。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的檢測(cè)電路，其中在正常模式下，所述測(cè)試電路為所述反饋鎖存器增加強(qiáng)度以用于將所述共同節(jié)點(diǎn)保持在所述預(yù)充電“高”電平，使得在測(cè)試模式下，所述反饋鎖存器比在所述正常模式中更弱以用于將所述共同節(jié)點(diǎn)保持在所述預(yù)充電“高”電平。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的檢測(cè)電路，其中所述預(yù)充電電路還包括: 預(yù)充電晶體管，其具有耦合至所述電壓源的源極以及耦合至所述共同節(jié)點(diǎn)的漏極，其中所述預(yù)充電晶體管由存儲(chǔ)體激活信號(hào)控制以將所述共同節(jié)點(diǎn)設(shè)置至所述預(yù)充電“高”電平。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的檢測(cè)電路，還包括: 備用保險(xiǎn)絲電路，其并聯(lián)耦合至所述保險(xiǎn)絲電路并包括備用保險(xiǎn)絲，所述備用保險(xiǎn)絲具有耦合至地面的第一端以及在所述共同節(jié)點(diǎn)與所述備用保險(xiǎn)絲的所述第一端之間串聯(lián)耦合至所述備用保險(xiǎn)絲的備用可定址晶體管。
【文檔編號(hào)】G11C29/02GK103765521SQ201280042576
【公開(kāi)日】2014年4月30日 申請(qǐng)日期:2012年7月27日 優(yōu)先權(quán)日:2011年7月29日
【發(fā)明者】M·C·帕里斯 申請(qǐng)人:泰塞拉公司