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      生成替換默認(rèn)讀取閾值的系統(tǒng)和方法

      文檔序號(hào):6764533閱讀:134來源:國知局
      生成替換默認(rèn)讀取閾值的系統(tǒng)和方法
      【專利摘要】一種方法包括至少部分基于默認(rèn)讀取閾值和更新的讀取閾值生成替換默認(rèn)讀取閾值。所述方法還包括向存儲(chǔ)器傳送所述替換默認(rèn)讀取閾值。
      【專利說明】生成替換默認(rèn)讀取閾值的系統(tǒng)和方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本公開涉及一種在存儲(chǔ)器系統(tǒng)中更新默認(rèn)(default)讀取閾值。
      【背景技術(shù)】
      [0002]諸如通用串行總線(USB)閃存設(shè)備或可移除存儲(chǔ)卡的非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備已允許數(shù)據(jù)和軟件應(yīng)用的增加的便攜性。閃存設(shè)備可以通過在每一個(gè)閃存單元中存儲(chǔ)多個(gè)比特來增加數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度。例如,多級(jí)單元(MLC)閃存設(shè)備通過在每單元存儲(chǔ)3比特、在每單元存儲(chǔ)4比特或更多而提供增加的存儲(chǔ)密度。
      [0003]在單個(gè)閃存單元中存儲(chǔ)多個(gè)比特的信息通常包括將比特序列映射為閃存單元的狀態(tài)。例如,第一比特序列“110”可以與閃存單元的第一狀態(tài)對(duì)應(yīng),并且第二比特序列“010”可以與閃存單元的第二狀態(tài)對(duì)應(yīng)。在確定將在特定閃存單元中存儲(chǔ)比特序列時(shí),可以將閃存單元編程為與所述比特序列對(duì)應(yīng)的狀態(tài)。
      [0004]一旦存儲(chǔ)器設(shè)備中的存儲(chǔ)器單元已編程,就可以通過比較單元閾值電壓和一個(gè)或多個(gè)讀取閾值而感測存儲(chǔ)器單元的編程狀態(tài)來從存儲(chǔ)器單元讀取數(shù)據(jù)。然而,由于諸如數(shù)據(jù)保留和編程干擾情況的一個(gè)或多個(gè)因素,感測到的編程狀態(tài)有時(shí)可能與寫入的編程狀態(tài)不同??梢愿伦x取閾值以減少由與寫入的編程狀態(tài)不匹配的感測到的編程狀態(tài)產(chǎn)生的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤數(shù)量。然而,在存儲(chǔ)器的一部分中選擇以減少錯(cuò)誤的讀取閾值可能引起當(dāng)從存儲(chǔ)器的另一部分讀取數(shù)據(jù)時(shí)錯(cuò)誤增加。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0005]至少部分基于默認(rèn)讀取閾值和更新的讀取閾值的替換默認(rèn)讀取閾值的生成可以提高多級(jí)單元(MLC)NAND閃存系統(tǒng)中的錯(cuò)誤校正能力。例如,與僅使用更新的讀取閾值相比較,可以通過基于默認(rèn)讀取閾值和更新的讀取閾值的加權(quán)平均值生成替換默認(rèn)讀取閾值來實(shí)現(xiàn)改進(jìn)的錯(cuò)誤校正能力。
      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0006]圖1是生成存儲(chǔ)器的替換默認(rèn)讀取閾值的系統(tǒng)的第一示意性實(shí)施例的框圖;
      [0007]圖2是示出可以由圖1的存儲(chǔ)器表現(xiàn)的讀取閾值和讀取電壓分布的示例的圖;
      [0008]圖3是生成替換默認(rèn)讀取閾值的系統(tǒng)的第二示意性實(shí)施例的框圖;
      [0009]圖4是示出使用默認(rèn)讀取閾值從存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù),以及響應(yīng)于遇到與使用默認(rèn)讀取閾值從存儲(chǔ)器讀取的數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的錯(cuò)誤校正編碼操作故障,在使用更新的讀取閾值從存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù)之后,執(zhí)行使用替換讀取閾值的隨后的存儲(chǔ)器讀取的示例的框圖;
      [0010]圖5是示出生成替換默認(rèn)讀取閾值的方法的具體實(shí)施例的流程圖;以及
      [0011]圖6是示出使用默認(rèn)讀取閾值、更新的讀取閾值和替換默認(rèn)讀取閾值從存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù)的方法的具體實(shí)施例的流程圖。【具體實(shí)施方式】
      [0012]提供更新的讀取閾值以減少隨著存儲(chǔ)器老化在整個(gè)存儲(chǔ)器上存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的總體訪問錯(cuò)誤的解碼技術(shù)可以在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備尺寸減小和存儲(chǔ)密度增加時(shí)提供改進(jìn)的性能。與僅使用更新的讀取閾值相比較,至少部分基于默認(rèn)讀取閾值和更新的讀取閾值的替換默認(rèn)讀取閾值的生成能夠提高多級(jí)單元(MLC)NAND閃存系統(tǒng)中的錯(cuò)誤校正能力。
      [0013]生成替換默認(rèn)讀取閾值的系統(tǒng)和方法使用默認(rèn)讀取閾值從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備中的存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù)。響應(yīng)于遇到與使用默認(rèn)讀取閾值從存儲(chǔ)器讀取的數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的錯(cuò)誤校正編碼操作故障,使用更新的讀取閾值從存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù)。至少部分基于默認(rèn)讀取閾值和更新的讀取閾值生成替換默認(rèn)讀取閾值。向存儲(chǔ)器發(fā)送替換默認(rèn)讀取閾值以在隨后的讀取操作中使用。
      [0014]參考圖1,生成替換默認(rèn)讀取閾值的系統(tǒng)的具體示意性實(shí)施例被描繪并總體表示為100。系統(tǒng)100包括與主機(jī)設(shè)備130耦接的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備102。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備102包括經(jīng)由總線150與存儲(chǔ)器104耦接的控制器106。例如,總線150可以是安全數(shù)字(SD)總線。
      [0015]數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備102可以是存儲(chǔ)卡,諸如安全數(shù)字SD?卡、微型SD?卡、迷你SD.TM卡(特拉華州、威爾明頓、SD-3C LLC的商標(biāo))、多媒體卡.TM(MMC.TM)卡(佛吉尼亞州、阿靈頓、JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)的商標(biāo))或壓縮閃存? (CF)卡(加利福尼亞州、米爾皮塔斯、SanDisk公司的商標(biāo))。作為另一示例,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備102可以是在主機(jī)設(shè)備130中嵌入的存儲(chǔ)器,作為示意性示例,諸如eMMC? (佛吉尼亞州、阿靈頓、JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)的商標(biāo))和eSD存儲(chǔ)器。
      [0016]控制器106被配置為使用默認(rèn)讀取閾值116從存儲(chǔ)器104的存儲(chǔ)元件組110讀取數(shù)據(jù)。在確定從存儲(chǔ)元件組Iio讀取的數(shù)據(jù)中的錯(cuò)誤數(shù)量超過閾值時(shí),控制器106被配置為至少部分基于默認(rèn)讀取閾值116和更新讀取閾值118生成替換默認(rèn)讀取閾值120。通過基于默認(rèn)讀取閾值116和更新的讀取閾值118生成替換默認(rèn)讀取閾值120,可以根據(jù)可以收斂到減少從存儲(chǔ)器104讀取的數(shù)據(jù)中的總體錯(cuò)誤數(shù)量的值的閾值電壓來執(zhí)行隨后的從存儲(chǔ)器104讀取數(shù)據(jù),諸如關(guān)于圖2所述。
      [0017]控制器106包括讀取閾值生成器112和讀取閾值更新器114。讀取閾值生成器112被配置為響應(yīng)于在與代表性存儲(chǔ)元件組110對(duì)應(yīng)的讀取的數(shù)據(jù)中檢測到太多錯(cuò)誤,諸如在解碼讀取的數(shù)據(jù)時(shí)的錯(cuò)誤校正編碼(ECC)操作故障,而生成更新的讀取閾值118。讀取閾值生成器112可以生成更新讀取閾值118以減少從存儲(chǔ)元件組110讀取的數(shù)據(jù)中的錯(cuò)誤。然而,在不考慮存儲(chǔ)器104中其他存儲(chǔ)元件組的特性的情況下,可以生成更新讀取閾值118。作為結(jié)果,更新讀取閾值118可以是減少從示出的存儲(chǔ)元件組110讀取的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤的最優(yōu)或接近最優(yōu)集合的讀取閾值電壓。然而,更新讀取閾值118可以導(dǎo)致向從存儲(chǔ)器104的其他部分讀取的數(shù)據(jù)引入額外的錯(cuò)誤。
      [0018]讀取閾值更新器114被配置為接收更新讀取閾值118和默認(rèn)讀取閾值116以及執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)操作以確定替換默認(rèn)讀取閾值120。例如,讀取閾值更新器114可以根據(jù)更新讀取閾值118和默認(rèn)讀取閾值116的加權(quán)平均值生成替換默認(rèn)讀取閾值120。如關(guān)于圖2進(jìn)一步詳細(xì)解釋的,隨著存儲(chǔ)器104老化,根據(jù)具有單獨(dú)的讀取特性的每一個(gè)存儲(chǔ)元件組110,可以減少在從存儲(chǔ)器104讀取數(shù)據(jù)期間發(fā)生的總體錯(cuò)誤數(shù)量的讀取閾值可以收斂到平均電壓。通過使用更新讀取閾值118和默認(rèn)讀取閾值116的組合生成替換默認(rèn)讀取閾值120,讀取閾值更新器114可以生成替換默認(rèn)讀取閾值120以趨近(approach)當(dāng)用于讀取整個(gè)存儲(chǔ)器104時(shí)可以引起最少總錯(cuò)誤的長期平均閾值電壓。
      [0019]存儲(chǔ)器104可以是諸如NAND閃存設(shè)備、NOR閃存設(shè)備或任何其他類型的閃存設(shè)備的閃存設(shè)備的非易失性存儲(chǔ)器陣列。例如,存儲(chǔ)元件組110可以是NAND閃存設(shè)備的字線。為了示例,存儲(chǔ)元件組110可以包括多個(gè)存儲(chǔ)元件,諸如閃存設(shè)備的字線的代表性存儲(chǔ)元件142、144和146。每一個(gè)存儲(chǔ)元件142-146可以具有與存儲(chǔ)在存儲(chǔ)元件142-146處的數(shù)據(jù)狀態(tài)對(duì)應(yīng)的閾值電壓。例如,每一個(gè)存儲(chǔ)元件142-146可以被編程為具有多個(gè)預(yù)定義狀態(tài)中的一個(gè)。預(yù)定義狀態(tài)中的每一個(gè)可以映射為特定比特值。可以通過比較閾值電壓和默認(rèn)讀取閾值116而讀取存儲(chǔ)在存儲(chǔ)元件142-146處的數(shù)據(jù)。從存儲(chǔ)器104讀取的數(shù)據(jù)可以經(jīng)由總線150向控制器106傳遞。
      [0020]主機(jī)設(shè)備130可以被配置為提供要存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器104處的數(shù)據(jù)或請(qǐng)求要從存儲(chǔ)器104讀取的數(shù)據(jù)。例如,主機(jī)設(shè)備130可以包括移動(dòng)電話、音樂或視頻播放器、游戲控制臺(tái)、電子書閱讀器、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、諸如膝上型計(jì)算機(jī)、筆記本計(jì)算機(jī)或平板計(jì)算機(jī)的計(jì)算機(jī)、任何其他電子設(shè)備或其任何組合。
      [0021]在操作期間,主機(jī)設(shè)備130可以命令控制器106從存儲(chǔ)器104獲取與諸如存儲(chǔ)元件142-146的存儲(chǔ)元件組110對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)??刂破?06可以向存儲(chǔ)器104指示由存儲(chǔ)器104使用以讀取數(shù)據(jù)的默認(rèn)讀取閾值116。響應(yīng)于確定在從存儲(chǔ)元件142-146讀取的數(shù)據(jù)中的錯(cuò)誤數(shù)量超過閾值,控制器106可以基于存儲(chǔ)元件組110的特性生成更新讀取閾值118,使得使用更新讀取閾值118讀取存儲(chǔ)元件組110將生成比由使用默認(rèn)讀取閾值116讀取存儲(chǔ)元件組110產(chǎn)生的更少的錯(cuò)誤。控制器106還可以至少部分基于默認(rèn)讀取閾值116和更新的讀取閾值118生成替換默認(rèn)讀取閾值120。例如,讀取閾值生成器112可以生成更新讀取閾值118。讀取閾值更新器114可以接收更新讀取閾值118和默認(rèn)讀取閾值116,并且執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)操作,諸如更新讀取閾值118和默認(rèn)讀取閾值116的加權(quán)和,以生成替換默認(rèn)讀取閾值120。
      [0022]通過基于默認(rèn)讀取閾值116和更新的讀取閾值118生成替換默認(rèn)讀取閾值120,可以根據(jù)可以收斂到減少從存儲(chǔ)器104讀取的數(shù)據(jù)中的總體錯(cuò)誤數(shù)量的值的閾值電壓執(zhí)行隨后的從存儲(chǔ)器104讀取數(shù)據(jù),而不會(huì)由于更新讀取閾值118的異常值而實(shí)質(zhì)地偏離收斂值。
      [0023]參考圖2,示出具體由圖1的存儲(chǔ)器104表現(xiàn)的讀取電壓分布的示例的圖被描繪并總體表示為200。如所示,存儲(chǔ)器104可以包括一個(gè)或多個(gè)晶片(die),諸如第一晶片210、第二晶片212和第三晶片214。一個(gè)或多個(gè)晶片210-214中的每一個(gè)可以包括多個(gè)塊,諸如代表性塊216。例如,每一個(gè)塊可以NAND閃存的擦除塊。每一個(gè)塊可以包括一個(gè)或多個(gè)字線,諸如代表性字線218。每一個(gè)字線可以包括一個(gè)或多個(gè)頁,諸如代表性頁220。頁220可以表示至存儲(chǔ)器104的數(shù)據(jù)的最小可寫單元。圖表240示出基于寫入/擦除周期(W/E周期)量或數(shù)量的讀取電壓分布。例如,第一讀取電壓分布252將水平軸(access)上的閾值電壓與在垂直軸上的該閾值電壓對(duì)應(yīng)的字線數(shù)量關(guān)聯(lián)。第一讀取電壓分布252可以示出存儲(chǔ)器104的字線218中的每一個(gè)的“最優(yōu)”讀取閾值的分布。例如,第一讀取電壓分布252具有在標(biāo)記為“V0”處的電壓峰值。作為結(jié)果,通過使用電壓VO作為讀取電壓,存儲(chǔ)器104中最大數(shù)量的字線可以以它們的最優(yōu)讀取電壓來讀取。類似地,當(dāng)電壓從VO增加或從VO減小時(shí),與作為最優(yōu)讀取電壓的該電壓對(duì)應(yīng)的字線的數(shù)量減小。通過使用不同讀取電壓執(zhí)行諸如每一個(gè)字線218的存儲(chǔ)器104的每一個(gè)段的多次讀取,并且根據(jù)讀取電壓中的每一個(gè)確定從存儲(chǔ)器104的每一個(gè)段讀取的數(shù)據(jù)中檢測到的錯(cuò)誤數(shù)量最少,可以將讀取電壓確定為“最優(yōu)”。在讀取單獨(dú)的字線時(shí)導(dǎo)致檢測到的錯(cuò)誤最少的電壓具有被認(rèn)為是對(duì)于該字線的“最優(yōu)”讀取電壓。如所示,與第二讀取電壓分布254、第三讀取電壓分布256和第四讀取電壓分布258相比,第一讀取電壓分布252相對(duì)窄。讀取電壓分布252-258示出根據(jù)存儲(chǔ)器104的寫入/擦除周期的數(shù)量的存儲(chǔ)器104的代表性老化。例如,對(duì)于第一讀取電壓分布252的寫入/擦除周期的數(shù)量N可以是數(shù)量NI,諸如10個(gè)寫入/擦除周期,而第二讀取電壓分布254可以與更大數(shù)量(N2)的寫入/擦除周期對(duì)應(yīng),諸如500個(gè)寫入/擦除周期。第三讀取電壓分布256可以與比N2更大的第三數(shù)量的寫入/擦除周期N3對(duì)應(yīng),并且第四讀取電壓分布258可以與比N3更大的第四數(shù)量的寫入/擦除周期N4對(duì)應(yīng)。當(dāng)寫入/擦除周期的計(jì)數(shù)增加時(shí),分布252-258中的每一個(gè)的均值從VO減小,并且趨近被標(biāo)記為Vmean的值。另外,當(dāng)N增加時(shí),讀取電壓分布252-258的寬度增加。
      [0024]作為圖240中示出的行為的結(jié)果,可以看到對(duì)于“最優(yōu)”讀取電壓的分布,當(dāng)N較小時(shí)(例如,N = O)分布的均值以N的較小的增量相對(duì)快速減小,并且在諸如500個(gè)寫入/擦除周期的相對(duì)較小的寫入/擦除周期數(shù)量之后收斂到值Vmean。因此,可以主要由“最優(yōu)”平均電壓從VO向Vmean的偏移引起相對(duì)較新的存儲(chǔ)器(即,較低數(shù)量的寫入/擦除周期)的讀取閾值的改變。然而,在寫入/擦除周期的計(jì)數(shù)已達(dá)到或超過N2之后,從最高值到最低值的分布的擴(kuò)大可以引起比相對(duì)于增加N的“最優(yōu)”均值的相對(duì)較小的移動(dòng)更多的錯(cuò)誤。
      [0025]當(dāng)需要新的或更新的讀取閾值時(shí)(即,響應(yīng)于在讀取的數(shù)據(jù)中檢測到太多錯(cuò)誤),讀取閾值生成器112可以通過對(duì)單元電壓分布(CVD)進(jìn)行建模來基于所建模的CVD定位更新的讀取電壓或通過開始動(dòng)態(tài)讀取來在不同讀取電壓執(zhí)行多個(gè)讀取操作以確定導(dǎo)致最少錯(cuò)誤的讀取電壓,而生成更新的讀取閾值。為了在預(yù)定單元組內(nèi)對(duì)于未來的讀取操作重用更新的讀取閾值,存儲(chǔ)更新的讀取閾值。因?yàn)樽x取閾值生成器112可以響應(yīng)于在存儲(chǔ)器104的單個(gè)字線218內(nèi)檢測到錯(cuò)誤而生成更新的讀取閾值,所以讀取閾值生成器112可以生成表示讀取電壓分布的異常(outlying)值的值,其可能遠(yuǎn)離該分布的均值。例如,更新值可以在分布的“尾部”而非中心,雖然中心表示用于減少在整個(gè)存儲(chǔ)器104上的錯(cuò)誤的最適當(dāng)值。為了說明,在讀取閾值生成器112的操作期間,可以確定更新的讀取閾值朝向第四讀取電壓分布258的右邊緣(例如,大于VO的電壓)。然而,如果這種讀取閾值電壓被用作整個(gè)存儲(chǔ)器104的默認(rèn)讀取閾值電壓,則其將導(dǎo)致大部分存儲(chǔ)器104的次優(yōu)性能,并且表示與在第四讀取電壓分布258中的左邊緣對(duì)應(yīng)的字線(即,具有小于V2的最優(yōu)電壓的字線)的最優(yōu)讀取電壓的嚴(yán)重偏離。在該情況下,在以大于VO的電壓更新存儲(chǔ)器的默認(rèn)讀取電壓時(shí),表示在第四讀取電壓分布258的最左的位置的字線可能經(jīng)受大量錯(cuò)誤(由于具有離更新的讀取電壓最遠(yuǎn)的最優(yōu)讀取電壓),并且可能是被檢測為具有超過閾值的數(shù)量的錯(cuò)誤的下一字線。讀取閾值生成器112可以基于與第四讀取電壓分布258的最左電壓對(duì)應(yīng)的字線生成下一更新的讀取閾值。因此,由讀取閾值生成器112生成的更新的讀取閾值可能經(jīng)受“乒乓(ping-pong) ”行為,因?yàn)榛诮o定分布的最左(或最右)字線的最優(yōu)電壓生成讀取閾值電壓,導(dǎo)致分布的最右(或最左)字線的錯(cuò)誤增加。
      [0026]為了消除讀取閾值生成器112的這種“乒乓”效應(yīng),讀取閾值更新器114可以應(yīng)用使得整個(gè)存儲(chǔ)器104的默認(rèn)讀取閾值收斂到電壓Vmean的過濾機(jī)制。例如,讀取閾值更新器114可以應(yīng)用默認(rèn)讀取閾值與由讀取閾值生成器112生成的最近更新的讀取閾值的加權(quán)和。當(dāng)讀取閾值生成器112生成示出為VO的第一順序更新的讀取閾值、示出為Vl的第二順序更新讀取閾值和示出為V2的第三順序更新讀取閾值時(shí),讀取閾值更新器114可以隨著更新的讀取閾值從VO增加到V2來減少向更新讀取閾值給出的權(quán)重以使得向Vmean收斂。因此,可以根據(jù)可以收斂到減少從存儲(chǔ)器104讀取的數(shù)據(jù)中的總體錯(cuò)誤數(shù)量的值的閾值電壓來執(zhí)行隨后的從存儲(chǔ)器104讀取數(shù)據(jù),而不會(huì)由于更新讀取閾值118的異常值而實(shí)質(zhì)地偏離收斂值。
      [0027]例如,讀取閾值更新器114可以應(yīng)用加權(quán)和以根據(jù)下列等式計(jì)算替換默認(rèn)讀取閾值:
      [0028](T* 新閾值)+N* (1-T)* 默認(rèn)閾值 / (N+1)
      [0029]或(T*新閾值)+ (1-T) *默認(rèn)閾值
      [0030]其中:
      [0031]默認(rèn)閾值=“默認(rèn)讀取閾值”(例如,116)
      [0032]新閾值=“更新讀取閾值”(例如,118)
      [0033]N =默認(rèn)讀取閾值的先前的更新的計(jì)數(shù)
      [0034]T =縮放系數(shù);其中OSTSl
      [0035]加權(quán)和可以至少部分基于默認(rèn)讀取閾值116的先前的更新的計(jì)數(shù)。例如,加權(quán)和可以至少部分基于默認(rèn)讀取閾值116的先前的更新的計(jì)數(shù)N。作為另一示例,加權(quán)和可以至少部分基于移動(dòng)平均值,其中移動(dòng)平均值基于默認(rèn)讀取閾值116的先前的更新。例如,默認(rèn)讀取閾值的歷史可以用于確定移動(dòng)平均值。作為另一示例,加權(quán)和可以至少部分基于由第一縮放系數(shù)縮放的更新的讀取閾值118和由第二縮放系數(shù)縮放的默認(rèn)讀取閾值116。例如,第一縮放系數(shù)可以是縮放系數(shù)“T”和并且第二縮放系數(shù)可以是(1-T)。第一縮放系數(shù)和第二縮放系數(shù)的總和可以等于I??s放系數(shù)T可以基于經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)或測量、存儲(chǔ)器的周期信息、晶片的不同、邏輯組(即,頁;字線等)的不同或其他因素。
      [0036]在其他實(shí)施例中,讀取閾值更新器114可以根據(jù)默認(rèn)讀取閾值116和更新讀取閾值118的其他組合,基于默認(rèn)讀取閾值116和更新的讀取閾值118生成替換默認(rèn)讀取閾值120。例如,可以基于默認(rèn)讀取閾值116和更新的讀取閾值118的幾何均值、加權(quán)均值或一個(gè)或多個(gè)其他組合來生成替換默認(rèn)讀取閾值120。
      [0037]參考圖3,生成替換默認(rèn)讀取閾值的系統(tǒng)的第二說明性實(shí)施例被描繪和總體表示為300。系統(tǒng)300包括耦接到主機(jī)設(shè)備130的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備102。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備102包括經(jīng)由總線150耦接到存儲(chǔ)器104的控制器106。可以向主機(jī)設(shè)備130提供數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備102的輸出,同時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備102可操作地耦接到主機(jī)設(shè)備130。
      [0038]控制器106被配置為使用默認(rèn)讀取閾值116從存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元件組110讀取數(shù)據(jù)。在確定從存儲(chǔ)元件組Iio讀取的數(shù)據(jù)中的錯(cuò)誤數(shù)量超過閾值時(shí),控制器106被配置為至少部分基于默認(rèn)讀取閾值116和更新的讀取閾值118生成替換默認(rèn)讀取閾值120。
      [0039]控制器106包括讀取閾值生成器112和讀取閾值更新器114。讀取閾值生成器112被配置為響應(yīng)于在與代表性存儲(chǔ)元件組110對(duì)應(yīng)的讀取的數(shù)據(jù)中檢測到太多錯(cuò)誤,諸如在解碼讀取的數(shù)據(jù)時(shí)的錯(cuò)誤校正編碼(ECC)操作故障,而生成更新讀取閾值118。例如,ECC引擎330可以被配置為檢測在與代表性存儲(chǔ)元件組110對(duì)應(yīng)的讀取的數(shù)據(jù)中的錯(cuò)誤??刂破?06可以被配置為向ECC引擎330提供讀取的數(shù)據(jù)。ECC引擎330可以基于由在ECC引擎330處的ECC處理產(chǎn)生的解碼后的數(shù)據(jù)向讀取閾值生成器112提供錯(cuò)誤指示332。讀取閾值生成器112可以生成更新讀取閾值118以提供讀取閾值電壓的改進(jìn)以減少在從存儲(chǔ)元件組110讀取的數(shù)據(jù)中的錯(cuò)誤。
      [0040]讀取閾值更新器114可以接收更新讀取閾值118和默認(rèn)讀取閾值116并進(jìn)行一個(gè)或多個(gè)操作,諸如更新讀取閾值118和默認(rèn)讀取閾值116的加權(quán)和,以生成替換默認(rèn)讀取閾值 120。
      [0041]控制器106可以包括隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM) 340。RAM340被配置為存儲(chǔ)默認(rèn)讀取閾值116、更新讀取閾值118、替換默認(rèn)讀取閾值120或其任何組合。可替換地,或此外,存儲(chǔ)器104可以存儲(chǔ)默認(rèn)讀取閾值116、更新讀取閾值118、替換默認(rèn)讀取閾值120或其任何組合。
      [0042]存儲(chǔ)器104可以包括存儲(chǔ)元件組110、先前的更新的計(jì)數(shù)310和歷史默認(rèn)讀取閾值320。先前的更新的計(jì)數(shù)310可以包括已應(yīng)用于默認(rèn)讀取閾值116的先前的更新的計(jì)數(shù)。歷史默認(rèn)讀取閾值320可以包括默認(rèn)讀取閾值116的以前的值。可以通過讀取默認(rèn)讀取閾值116的先前的更新的數(shù)量和默認(rèn)讀取閾值116的以前的值來確定默認(rèn)讀取閾值116的移動(dòng)平均值。
      [0043]在操作期間,主機(jī)設(shè)備130可以命令控制器106獲取與存儲(chǔ)元件組110對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)??刂破?06可以向存儲(chǔ)器104指示由存儲(chǔ)器104使用以讀取數(shù)據(jù)的默認(rèn)讀取閾值116。ECC引擎330可以檢測在與代表性存儲(chǔ)元件組110對(duì)應(yīng)的讀取的數(shù)據(jù)中的錯(cuò)誤。ECC引擎330可以基于由在ECC引擎330處的ECC處理產(chǎn)生的解碼后的數(shù)據(jù)向讀取閾值生成器112提供錯(cuò)誤指示332。讀取閾值生成器112可以生成更新讀取閾值118以提供讀取閾值電壓的改進(jìn)以減少在從存儲(chǔ)元件組110讀取的數(shù)據(jù)中的錯(cuò)誤。響應(yīng)于確定在從存儲(chǔ)元件組142-146讀取的數(shù)據(jù)中的錯(cuò)誤數(shù)量超過閾值,控制器106可以至少部分基于默認(rèn)讀取閾值116和更新的讀取閾值118生成替換默認(rèn)讀取閾值120。
      [0044]例如,讀取閾值生成器112可以生成更新讀取閾值118。讀取閾值更新器114可以接收更新讀取閾值118和默認(rèn)讀取閾值116并執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)操作,諸如更新讀取閾值118和默認(rèn)讀取閾值116的加權(quán)和,以生成替換默認(rèn)讀取閾值120。作為示例,加權(quán)和可以至少部分基于默認(rèn)讀取閾值的先前的更新的計(jì)數(shù)310。作為另一示例,加權(quán)和可以至少部分基于移動(dòng)平均值,其中移動(dòng)平均值基于默認(rèn)讀取閾值的先前的更新。例如,可以從歷史默認(rèn)讀取閾值模塊320獲取默認(rèn)讀取閾值的先前的更新??梢愿鶕?jù)可以收斂到減少從存儲(chǔ)器104讀取的數(shù)據(jù)中的總體錯(cuò)誤數(shù)量的值的閾值電壓執(zhí)行隨后的從存儲(chǔ)器104讀取數(shù)據(jù)。
      [0045]參考圖4,示出使用默認(rèn)讀取閾值從存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù),以及響應(yīng)于遇到與使用默認(rèn)讀取閾值從存儲(chǔ)器讀取的數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的錯(cuò)誤校正編碼操作故障,在使用更新的讀取閾值從存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù)之后,執(zhí)行使用替換讀取閾值的隨后的存儲(chǔ)器讀取的示例的圖被描繪并總體表示為400。如所示,可以使用不同的讀取閾值403、405、407和409讀取來自諸如存儲(chǔ)器104的存儲(chǔ)器的代表性字線402、404、406和408的數(shù)據(jù)。例如,可以使用默認(rèn)讀取閾值403讀取第一字線402,并且可以使用默認(rèn)讀取閾值403讀取第二字線404。為了說明,控制器106可以向存儲(chǔ)器104指示由存儲(chǔ)器104使用以讀取第一字線402和第二字線404中的數(shù)據(jù)的默認(rèn)讀取閾值403。
      [0046]響應(yīng)于遇到與第二字線404對(duì)應(yīng)的錯(cuò)誤校正編碼(ECC)操作故障,其中ECC操作故障與使用默認(rèn)讀取閾值403從第二字線404讀取的數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)(即,在讀取的數(shù)據(jù)中錯(cuò)誤太多),可以使用更新的讀取閾值405讀取第二字線404。例如,讀取閾值生成器112可以生成用于讀取第二字線404的更新的讀取閾值405。
      [0047]在使用更新的讀取閾值405讀取第二字線404之后,可以根據(jù)可以收斂到減少從存儲(chǔ)器104讀取的數(shù)據(jù)中的總體錯(cuò)誤數(shù)量的值的閾值電壓執(zhí)行隨后的從存儲(chǔ)器104讀取數(shù)據(jù)。為了說明,可以通過替換默認(rèn)讀取閾值407讀取第三字線406。可以由讀取閾值更新器114生成替換默認(rèn)讀取閾值407,所述讀取閾值更新器114可以接收更新的讀取閾值405和默認(rèn)讀取閾值403并可以執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)操作,諸如更新的讀取閾值405和默認(rèn)讀取閾值403的加權(quán)平均值,以生成替換默認(rèn)讀取閾值407。可以使用替換默認(rèn)讀取閾值407執(zhí)行隨后的從存儲(chǔ)器104讀取數(shù)據(jù),直到出現(xiàn)第二 ECC操作故障為止。
      [0048]例如,可以使用替換默認(rèn)讀取閾值407讀取第四字線408。響應(yīng)于遇到第二 ECC操作故障,其中第二 ECC操作故障與使用替換默認(rèn)讀取閾值407從第四字線408讀取的數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián),可以使用另一更新的讀取閾值409讀取第四字線408??梢允褂帽簧蔀橄蛑T如圖2的Vmean的均值收斂的替換默認(rèn)讀取閾值執(zhí)行隨后的從存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù)。
      [0049]參考圖5,示出生成替換默認(rèn)讀取閾值的方法的實(shí)施例的流程圖被描繪并總體表示為500。可以在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的控制器中執(zhí)行方法500。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備可以包括存儲(chǔ)器。例如,可以在圖1和圖3的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備102中執(zhí)行所述方法。
      [0050]在502,使用默認(rèn)讀取閾值從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備中的存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù)。例如,控制器106可以被配置為使用默認(rèn)讀取閾值116從存儲(chǔ)器104的存儲(chǔ)元件組110讀取數(shù)據(jù)。
      [0051]在504,響應(yīng)于遇到與使用默認(rèn)讀取閾值從存儲(chǔ)器讀取的數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的錯(cuò)誤校正編碼操作故障,使用更新的讀取閾值從存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù)。例如,響應(yīng)于在與代表性存儲(chǔ)元件組110對(duì)應(yīng)的讀取的數(shù)據(jù)中檢測到太多錯(cuò)誤,諸如在解碼讀取的數(shù)據(jù)時(shí)的ECC操作故障,讀取閾值生成器112可以生成更新讀取閾值118。
      [0052]在506,替換默認(rèn)讀取閾值至少部分基于默認(rèn)讀取閾值和生成的更新的讀取閾值。例如,讀取閾值更新器114可以接收更新讀取閾值118和默認(rèn)讀取閾值116并執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)操作以確定替換默認(rèn)讀取閾值120。例如,讀取閾值更新器114可以根據(jù)更新讀取閾值118和默認(rèn)讀取閾值116的加權(quán)平均值生成替換默認(rèn)讀取閾值120。
      [0053]在508,向存儲(chǔ)器發(fā)送替換默認(rèn)讀取閾值。在510,在使用更新的讀取閾值從存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù)之后,使用替換默認(rèn)讀取閾值執(zhí)行隨后的存儲(chǔ)器讀取。可以使用被生成為向諸如圖2的Vmean的均值收斂的替換默認(rèn)讀取閾值120執(zhí)行隨后的從存儲(chǔ)器104讀取數(shù)據(jù)。
      [0054]參考圖6,示出使用默認(rèn)讀取閾值、更新的讀取閾值和替換默認(rèn)讀取閾值從存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù)的方法的實(shí)施例的流程圖被描繪并總體表示為600??梢栽跀?shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的控制器中執(zhí)行所述方法600。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備可以包括存儲(chǔ)器。例如,可以在圖1和圖3的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備102中執(zhí)行所述方法。
      [0055]在602,可以向數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備中的存儲(chǔ)器發(fā)送第一命令,以使用默認(rèn)讀取閾值讀取存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)。例如,控制器106可以向存儲(chǔ)器104發(fā)送第一命令,以使用默認(rèn)讀取閾值116從存儲(chǔ)器104的存儲(chǔ)元件組110中的特定字線讀取數(shù)據(jù)。
      [0056]在604,可以遇到與存儲(chǔ)器的特定字線對(duì)應(yīng)的錯(cuò)誤校正編碼(ECC)操作故障,其中ECC操作故障與使用默認(rèn)讀取閾值從存儲(chǔ)器讀取的數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)。例如,ECC引擎330可以檢測與使用默認(rèn)讀取閾值116讀取的存儲(chǔ)元件組110中的特定字線對(duì)應(yīng)的讀取的數(shù)據(jù)中的錯(cuò)誤。ECC引擎330可以基于由在ECC引擎330處的ECC處理產(chǎn)生的解碼后的數(shù)據(jù)向讀取閾值生成器112提供錯(cuò)誤指示332。
      [0057]在606,可以向存儲(chǔ)器發(fā)送第二命令,以使用更新的讀取閾值讀取存儲(chǔ)器的特定字線。例如,控制器106可以向存儲(chǔ)器104發(fā)送第二命令,以使用由讀取閾值生成器112生成的更新讀取閾值118從存儲(chǔ)元件組110中的特定字線讀取數(shù)據(jù)。
      [0058]在608,可以向存儲(chǔ)器發(fā)送第三命令,以使用替換默認(rèn)讀取閾值讀取存儲(chǔ)器的另一字線,其中替換默認(rèn)讀取閾值具有在默認(rèn)讀取閾值和更新的讀取閾值之間的值。例如,在使用更新讀取閾值118讀取存儲(chǔ)元件組110中的特定字線之后,可以根據(jù)可以收斂到減少從存儲(chǔ)器104讀取的數(shù)據(jù)中的總體錯(cuò)誤數(shù)量的值的閾值電壓執(zhí)行隨后的從存儲(chǔ)器104讀取數(shù)據(jù)。為了說明,可以通過替換默認(rèn)讀取閾值120讀取存儲(chǔ)元件組110中的另一字線??梢杂勺x取閾值更新器114生成替換默認(rèn)讀取閾值120,所述讀取閾值更新器114可以接收更新讀取閾值118和默認(rèn)讀取閾值116并執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)操作,諸如更新讀取閾值118和默認(rèn)讀取閾值116的加權(quán)平均值,以生成替換默認(rèn)讀取閾值120。替換默認(rèn)讀取閾值120可以具有在默認(rèn)讀取閾值116和更新的讀取閾值118之間的值??梢愿鶕?jù)可以收斂到減少從存儲(chǔ)器104讀取的數(shù)據(jù)中的總體錯(cuò)誤數(shù)量的值的閾值電壓執(zhí)行隨后的從存儲(chǔ)器104讀取數(shù)據(jù)。
      [0059]雖然這里描繪的各種組件被示出為塊組件并且以一般術(shù)語描述,但是這種組件可以包括被配置為使得諸如圖1和圖3的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備102的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備能夠執(zhí)行向這種組件賦予的特定功能的一個(gè)或多個(gè)微處理器、狀態(tài)機(jī)、或其他電路或者其任何組合。例如,圖1和圖3的讀取閾值更新器114可以表示生成替換讀取閾值120的諸如控制器、存儲(chǔ)器、狀態(tài)機(jī)、邏輯電路或其他結(jié)構(gòu)的物理組件。
      [0060]可以使用被編程為使用例如默認(rèn)讀取閾值116和更新的讀取閾值118的加權(quán)和生成替換讀取閾值120的微處理器或微控制器實(shí)現(xiàn)讀取閾值更新器114。在具體實(shí)施例中,控制器106包括執(zhí)行存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器104的指令的處理器??商鎿Q地,或此外,可以在諸如只讀存儲(chǔ)器(ROM)(未示出)的未作為存儲(chǔ)器104的部分的分開的存儲(chǔ)器位置處存儲(chǔ)由處理器執(zhí)行的可執(zhí)行指令。
      [0061]在具體實(shí)施例中,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備102可以是被配置為選擇性地耦接到一個(gè)或多個(gè)外部設(shè)備的便攜式設(shè)備。然而,在其他實(shí)施例中,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備102可以附接或嵌入在一個(gè)或多個(gè)主機(jī)設(shè)備內(nèi),諸如在便攜式通信設(shè)備的外殼內(nèi)。例如,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備102可以在諸如無線電話、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、游戲設(shè)備或控制臺(tái)、便攜式導(dǎo)航設(shè)備、計(jì)算機(jī)或使用內(nèi)部非易失性存儲(chǔ)器的其他設(shè)備的封裝裝置內(nèi)。在具體實(shí)施例中,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備102包括非易失性存儲(chǔ)器,諸如閃存(例如,NAND、N0R、多級(jí)單元(MLC)、分級(jí)位線NOR(DINOR)、AND、高電容耦合比(HiCR)、非對(duì)稱非接觸式晶體管(ACT)或其他閃存)、可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EPROM)、電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、一次性可編程存儲(chǔ)器(OTP)或任何其他類型的存儲(chǔ)器。[0062]這里描述的實(shí)施例的說明意圖提供各種實(shí)施例的一般理解。本公開可以利用和推導(dǎo)出其他實(shí)施例,使得可以在不背離本公開的范圍的情況下進(jìn)行結(jié)構(gòu)和邏輯代替和改變。本公開意圖覆蓋各種實(shí)施例的任何以及全部隨后的適應(yīng)和變化。
      [0063]上面公開的主題被認(rèn)為是說明性的,而非限制性的,并且所附權(quán)利要求意圖覆蓋落在本公開的范圍內(nèi)的全部這種修改、增強(qiáng)和其他實(shí)施例。因此,在法律允許的最大程度內(nèi),通過下列權(quán)利要求及其等效物的最寬泛的可允許的解釋來確定本發(fā)明的范圍,并且不應(yīng)受限或限制于上述詳細(xì)描述。
      【權(quán)利要求】
      1.一種方法,包括: 在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的控制器中,其中所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備包括存儲(chǔ)器,執(zhí)行: 至少部分基于默認(rèn)讀取閾值和更新的讀取閾值生成替換默認(rèn)讀取閾值;以及 向所述存儲(chǔ)器發(fā)送所述替換默認(rèn)讀取閾值。
      2.如權(quán)利要求1所述的方法,其中生成替換默認(rèn)讀取閾值包括執(zhí)行所述更新的讀取閾值和所述默認(rèn)讀取閾值的加權(quán)和。
      3.如權(quán)利要求2所述的方法,其中所述加權(quán)和至少部分基于所述默認(rèn)讀取閾值的先前的更新的計(jì)數(shù)。
      4.如權(quán)利要求2所述的方法,其中所述加權(quán)和至少部分基于移動(dòng)平均值,其中所述移動(dòng)平均值基于所述默認(rèn)讀取閾值的先前的更新。
      5.如權(quán)利要求2所述的方法,其中所述加權(quán)和至少部分基于通過第一縮放系數(shù)縮放的所述更新的讀取閾值和通過第二縮放系數(shù)縮放的所述默認(rèn)讀取閾值。
      6.如權(quán)利要求5所述的方法,其中所述第一縮放系數(shù)和所述第二縮放系數(shù)的總和等于1
      7.如權(quán)利要求1所述的方法,其中響應(yīng)于使用所述默認(rèn)讀取閾值從所述存儲(chǔ)器讀取的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤校正編碼故障生成所述更新的讀取閾值。
      8.如權(quán)利要求1所述的方法,還包括: 使用所述默認(rèn)讀取閾值從所述存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù); 響應(yīng)于遇到與使用所述默認(rèn)讀取閾值從所述存儲(chǔ)器讀取的數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián)的錯(cuò)誤校正編碼操作故障,使用所述更新的讀取閾值從所述存儲(chǔ)器讀取所述數(shù)據(jù);以及 在使用所述更新的讀取閾值從所述存儲(chǔ)器讀取所述數(shù)據(jù)之后,使用所述替換默認(rèn)讀取閾值執(zhí)行隨后的存儲(chǔ)器讀取。
      9.如權(quán)利要求1所述的方法,其中所述存儲(chǔ)器包括閃存。
      10.一種方法,包括: 在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的控制器中,其中所述數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備包括存儲(chǔ)器,執(zhí)行: 向所述存儲(chǔ)器發(fā)送第一命令,以使用默認(rèn)讀取閾值讀取數(shù)據(jù); 遇到與所述存儲(chǔ)器的特定字線對(duì)應(yīng)的錯(cuò)誤校正編碼(ECC)操作故障,其中所述ECC操作故障與使用所述默認(rèn)讀取閾值從所述存儲(chǔ)器讀取的數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián); 向所述存儲(chǔ)器發(fā)送第二命令,以使用更新的讀取閾值讀取所述存儲(chǔ)器的特定字線;以及 向所述存儲(chǔ)器發(fā)送第三命令,以使用替換默認(rèn)讀取閾值讀取所述存儲(chǔ)器的另一字線,其中所述替換默認(rèn)讀取閾值具有在所述默認(rèn)讀取閾值和所述更新的讀取閾值之間的值。
      11.如權(quán)利要求10所述的方法,其中所述替換默認(rèn)讀取閾值與所述更新的讀取閾值和所述默認(rèn)讀取閾值的加權(quán)和對(duì)應(yīng)。
      12.如權(quán)利要求11所述的方法,其中所述加權(quán)和至少部分基于所述默認(rèn)讀取閾值的先前的更新的計(jì)數(shù)。
      13.如權(quán)利要求11所述的方法,其中所述加權(quán)和至少部分基于移動(dòng)平均值,其中所述移動(dòng)平均值基于所述默認(rèn)讀取閾值的先前的更新。
      14.如權(quán)利要求11所述的方法,其中所述加權(quán)和至少部分基于通過第一縮放系數(shù)縮放的所述更新的讀取閾值和通過第二縮放系數(shù)縮放的所述默認(rèn)讀取閾值。
      15.一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備,包括: 存儲(chǔ)器;以及 控制器,其被配置為: 至少部分基于默認(rèn)讀取閾值和更新的讀取閾值生成替換默認(rèn)讀取閾值;以及 向所述存儲(chǔ)器發(fā)送所述替換默認(rèn)讀取閾值。
      16.如權(quán)利要求15所述的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備,其中所述控制器被配置為執(zhí)行所述更新的讀取閾值和所述默認(rèn)讀取閾值的加權(quán)和以生成所述替換默認(rèn)讀取閾值。
      17.如權(quán)利要求16所述的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備,其中所述加權(quán)和至少部分基于所述默認(rèn)讀取閾值的先前的更新的計(jì)數(shù)。
      18.如權(quán)利要求16所述的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備,其中所述加權(quán)和至少部分基于移動(dòng)平均值,其中所述移動(dòng)平均值基于所述默認(rèn)讀取閾值的先前的更新。
      19.如權(quán)利要求16所述的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備,其中所述加權(quán)和至少部分基于通過第一縮放系數(shù)縮放的所述更新的讀取閾值和通過第二縮放系數(shù)縮放的所述默認(rèn)讀取閾值。
      20.如權(quán)利要求15所述的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備,還包括錯(cuò)誤校正編碼(ECC)引擎,其中所述控制器被配置為向所述ECC引擎提供從所述存儲(chǔ)器讀取的數(shù)據(jù)。
      21.如權(quán)利要求20所述的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備,還包括讀取閾值生成器,其被配置為響應(yīng)于在解碼所述數(shù)據(jù)時(shí)的ECC操作故障,生成所述更新的讀取閾值。
      22.—種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備,包括: 存儲(chǔ)器,其具有多個(gè)字線;以及 控制器,其被配置為: 使得所述存儲(chǔ)器使用默認(rèn)讀取閾值讀取數(shù)據(jù); 響應(yīng)于與所述存儲(chǔ)器的特定字線對(duì)應(yīng)的錯(cuò)誤校正編碼(ECC)操作故障,使得所述存儲(chǔ)器使用更新的讀取閾值讀取所述存儲(chǔ)器的特定字線,其中所述ECC操作故障與使用所述默認(rèn)讀取閾值從所述存儲(chǔ)器讀取的數(shù)據(jù)相關(guān)聯(lián); 使得所述存儲(chǔ)器使用替換默認(rèn)讀取閾值讀取所述存儲(chǔ)器的另一字線,其中所述替換默認(rèn)讀取閾值具有在所述默認(rèn)讀取閾值和所述更新的讀取閾值之間的值。
      23.如權(quán)利要求22所述的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備,其中所述替換默認(rèn)讀取閾值與所述更新的讀取閾值和所述默認(rèn)讀取閾值的加權(quán)和對(duì)應(yīng)。
      24.如權(quán)利要求23所述的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備,其中所述加權(quán)和至少部分基于所述默認(rèn)讀取閾值的先前的更新的計(jì)數(shù)。
      25.如權(quán)利要求23所述的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備,其中所述加權(quán)和至少部分基于移動(dòng)平均值,其中所述移動(dòng)平均值基于所述默認(rèn)讀取閾值的先前的更新。
      26.如權(quán)利要求23所述的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備,其中所述加權(quán)和至少部分基于通過第一縮放系數(shù)縮放的所述更新的讀取閾值和通過第二縮放系數(shù)縮放的所述默認(rèn)讀取閾值。
      【文檔編號(hào)】G11C16/26GK103975391SQ201280053546
      【公開日】2014年8月6日 申請(qǐng)日期:2012年10月25日 優(yōu)先權(quán)日:2011年11月2日
      【發(fā)明者】S.貞, S.程 申請(qǐng)人:桑迪士克科技股份有限公司
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