熱輔助磁記錄用的磁記錄介質(zhì)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種能維持磁性晶粒之間的磁分離、并具有10K/nm以上的dT/dx的能適用于熱輔助記錄的磁記錄介質(zhì)。本發(fā)明的熱輔助磁記錄用的磁記錄介質(zhì)至少包括非磁性基體和磁記錄層，磁記錄層具有下部磁記錄層與上部磁記錄層，下部磁記錄層具有包括磁性晶粒以及非磁性晶界的粒狀結(jié)構(gòu)，該非磁性晶界包圍磁性晶粒，且由以碳為主要成分的材料構(gòu)成，上部磁記錄層具有包括磁性晶粒以及非磁性晶界的粒狀結(jié)構(gòu)，該非磁性晶界包圍磁性晶粒，且由與下部磁記錄層的非磁性晶界不同的材料構(gòu)成。
【專利說明】熱輔助磁記錄用的磁記錄介質(zhì)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及熱輔助磁記錄所使用的磁記錄介質(zhì)。

【背景技術(shù)】
[0002]作為實現(xiàn)磁記錄的高密度化的技術(shù)，采用垂直磁記錄方式。垂直磁記錄介質(zhì)至少包含非磁性基板和由硬質(zhì)磁性材料形成的磁記錄層。垂直磁記錄介質(zhì)還可以任意選擇性地包括由軟磁性材料形成、起到使磁頭所產(chǎn)生的磁通集中到磁記錄層的作用的襯底層、用于使磁記錄層的硬質(zhì)磁性材料朝向目的方向的基底層、保護磁記錄層的表面的保護膜等。
[0003]日本專利特開2001-291230號公報、日本專利特開平08-083418號公報以及國際公開第2002/039433號刊物中，作為用于形成垂直磁記錄介質(zhì)的磁記錄層的材料，記載有粒狀磁性材料(參照專利文獻I?3等)。粒狀磁性材料包含磁性晶粒和以包圍磁性晶粒的周圍的方式偏析的非磁性體。粒狀磁性材料中的各個磁性晶粒通過非磁性體而磁分離。
[0004]近年來，為了進一步提高垂直磁記錄介質(zhì)的記錄密度，迫切需要縮小粒狀磁性材料中的磁性晶粒的粒徑。另一方面，縮小磁性晶粒的粒徑會使所記錄的磁化(信號)的熱穩(wěn)定性降低。因此，為了補償因縮小磁性晶粒的粒徑而導致的熱穩(wěn)定性的降低，要求使用具有更高的晶體磁各向異性的材料來形成粒狀磁性材料中的磁性晶粒。
[0005]此外，在以粒狀磁性材料形成的磁記錄層中，發(fā)現(xiàn)了如下問題點:即、多個磁性晶粒會形成一個磁化反轉(zhuǎn)單位(clustering:群集)。該問題點被認為是因磁性晶粒之間的交換相互作用而引起的。為了解決該問題點，日本專利特開2011-119006號公報記載有通過層疊第一層與第二層來抑制交換相互作用的磁記錄層，該第一層作為非磁性體包含Ru、Cr、T1、Ir或這些的金屬氧化物，且具有負的交換相互作用，該第二層作為非磁性體包含S12,且具有正的交換相互作用(參照專利文獻4)。
[0006]作為具有所要求的較高的晶體磁各向異性的材料，提出Lltl類有序合金。日本專利第3318204號公報、日本專利第3010156號公報、日本專利特開2001-101645號公報、日本專利特開2004-178753號公報、以及日本專利特表2010-503139號公報中，作為Lltl類有序合金記載有FePt、CoPt、FePd、CoPd等包含從Fe、Co以及Ni所構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素和從Pt、Pd、Au以及Ir所構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素的合金(參照專利文獻5?9)。并且，上述專利文獻記載有Lltl類有序合金薄膜的各種制造方法(參照專利文獻5?9)。
[0007]另一方面，基本上磁記錄層的膜厚在介質(zhì)面內(nèi)方向上相同，因此使磁化反轉(zhuǎn)單位(磁性晶粒)縮小意味著使具有一定高度的磁化反轉(zhuǎn)單位(磁性晶粒)的截面積縮小。其結(jié)果是，作用于磁化反轉(zhuǎn)單位(磁性晶粒)自身的退磁場變小，用于使磁化反轉(zhuǎn)單位(磁性晶粒)的磁化反轉(zhuǎn)所需的磁場(反轉(zhuǎn)磁場)變大。由此，在考慮磁化反轉(zhuǎn)單位(磁性晶粒)的形狀的情況下，記錄密度的提高意味著在記錄(寫入)信號(磁化)時，需要更大的磁場。
[0008]對于增加用于進行記錄的磁場(寫入能力)的問題，提出利用具有磁記錄層的加熱功能的頭部的熱輔助記錄方式。這利用了磁性材料中磁各向異性常數(shù)(Ku)的溫度依賴性、即溫度越高Ku越小的特性。即，通過使磁記錄層的溫度升高來暫時性地降低Ku，從而降低反轉(zhuǎn)磁場，并在此期間進行寫入。降溫后，Ku會回到原來較高的值，因此能保持穩(wěn)定的記錄信號(磁化)。在應(yīng)用熱輔助記錄方式的情況下，除了現(xiàn)有的設(shè)計導則以外，也需要考慮溫度特性來設(shè)計磁記錄層。
[0009]2004年社團法人電子信息通信學會的通信技術(shù)報MR2004-39中刊登的五十嵐等著的“利用模擬進行的熱輔助記錄的研究-記錄方式的研究中，記載有如下研究:熱輔助記錄方式中的記錄比特之間的轉(zhuǎn)移幅度由頭部磁場斜率以及溫度斜率所決定(參照非專利文獻I)。
現(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻
[0010]專利文獻1:日本專利特開2001-291230號公報專利文獻2:日本專利特開平08-083418號公報
專利文獻3:國際公開第2002/039433號刊物專利文獻4:日本專利特開2011-119006號公報專利文獻5:日本專利第3318204號公報專利文獻6:日本專利第3010156號公報專利文獻7:日本專利特開2001-101645號公報專利文獻8:日本專利特開2004-178753號公報專利文獻9:日本專利特表2010-503139號公報非專利文獻
[0011]非專利文獻1:五十嵐他、「'> Λ S — 3 > (二石熱7 7卜記録Θ検討-記録方式ο検討_」、信學技報、社団法人電子情報通信學會、2004年、MR2004-39(五十嵐等著的“利用模擬進行的熱輔助記錄的研究-記錄方式的研究_”、社團法人電子信息通信學會的通信技術(shù)報、2004年、MR2004-39)


【發(fā)明內(nèi)容】

發(fā)明所要解決的技術(shù)問題
[0012]熱輔助磁記錄中，為了正確地決定記錄比特的范圍，減少記錄比特之間的轉(zhuǎn)移噪聲，磁記錄層的面內(nèi)方向的溫度效率dT/dx變得較為重要。在熱輔助磁記錄的介質(zhì)設(shè)計中，需要將dT/dx設(shè)為ΙΟΚ/nm以上。此處，x表示磁記錄介質(zhì)主面中的位置,T表示位置x的磁記錄層的平均溫度。
[0013]本發(fā)明人利用有限元素法進行熱解析，從而發(fā)現(xiàn)為了使dT/dx增大，妨礙磁記錄層的面內(nèi)方向的導熱、使面內(nèi)方向和深度方面的熱傳導差異(熱各向異性)增大是較為有效的。并且，能利用熱傳導率較低的材料形成包圍磁性晶粒(磁性粒子)的非磁性部，從而發(fā)現(xiàn)妨礙了磁記錄層的面內(nèi)方向的導熱，并使熱各向異性增大，dT/dx增大。
[0014]然而，可知在作為非磁性部使用熱傳導率較低的材料即氧化硅或者氧化鈦來制作磁記錄介質(zhì)時，難以完全包圍磁性晶粒(磁性粒子)，不能維持磁分離。另一方面，可知為了完全包圍磁性晶粒(磁性粒子)、維持磁分離，需要形成以碳為主要成分的非磁性部(非磁性晶界)。然而，根據(jù)熱解析的結(jié)果可知，由于以碳為主要成分的非磁性部(非磁性晶界)的熱傳導率過大，因此不能將dT/dx設(shè)為ΙΟΚ/nm以上。即，維持磁性晶粒之間的磁分離、并將dT/dx設(shè)為ΙΟΚ/nm以上成為問題。
[0015]本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于，提供一種具有能適用于熱輔助記錄的粒狀結(jié)構(gòu)的磁記錄層的磁記錄介質(zhì)。
解決技術(shù)問題的技術(shù)方案
[0016]作為滿足上述條件，解決現(xiàn)有問題的方法，本發(fā)明人研究了各種材料構(gòu)成。其結(jié)果是，發(fā)現(xiàn)通過采用層疊具有促進磁分離的粒狀結(jié)構(gòu)的層和具有使面方向的熱阻增大的粒狀結(jié)構(gòu)的層而形成的層疊粒狀結(jié)構(gòu)，能滿足上述條件。具體而言，通過將使包圍磁性晶粒(磁性粒子)的非磁性部由以碳為主要成分的材料構(gòu)成的粒狀結(jié)構(gòu)的層、與使包圍磁性晶粒(磁性粒子)的非磁性部由以硅或者鈦的氧化物或者氮化物為主要成分的材料構(gòu)成的粒狀結(jié)構(gòu)的層按此順序?qū)盈B來形成磁記錄層，從而能維持磁性晶粒之間的磁分離，并使磁記錄層的面內(nèi)方向的溫度斜率dT/dx為ΙΟΚ/nm以上。
[0017]基于上述認知，本發(fā)明的熱輔助磁記錄用的磁記錄介質(zhì)的特征在于，至少包括非磁性基體和磁記錄層，所述磁記錄層具有下部磁記錄層與上部磁記錄層，所述下部磁記錄層具有包括磁性晶粒以及非磁性部的粒狀結(jié)構(gòu)，該非磁性部包圍所述磁性晶粒，且由以碳為主要成分的材料構(gòu)成，所述上部磁記錄層具有包括磁性晶粒以及非磁性部的粒狀結(jié)構(gòu)，該非磁性部包圍所述磁性晶粒，且由與所述下部磁記錄層的非磁性部不同的材料構(gòu)成。此處，上部磁記錄層的非磁性部可以由從氧化硅、氮化硅、氧化鈦、以及氮化鈦所構(gòu)成的組中選擇的材料構(gòu)成。下部磁記錄層的磁性晶粒以及上部磁記錄層的磁性晶?？梢杂捎行蚝辖鹦纬?，優(yōu)選為由包含從Fe、Co以及Ni所構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素和從Pt、Pd、Au以及Ir所構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素的合金形成,進一步優(yōu)選為由從FePt、CoPt> FePd以及CoPd所構(gòu)成的組中選擇的材料形成。
[0018]本發(fā)明的熱輔助磁記錄用的磁記錄介質(zhì)也可以在非磁性基體和磁記錄層之間還包含從散熱層以及籽晶層所構(gòu)成的組中選擇的一層或者多層。除此以外，本發(fā)明的熱輔助磁記錄用的磁記錄介質(zhì)也可以在磁記錄層上還包括保護層。
發(fā)明效果
[0019]在采用上述結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的熱輔助磁記錄用的磁記錄介質(zhì)中，能維持磁記錄層中的磁性晶粒的磁分離，并能將磁記錄層的面內(nèi)方向的溫度斜率dT/dx設(shè)為ΙΟΚ/nm以上。根據(jù)上述特征，利用本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)，能進行降低了噪聲的良好的熱輔助記錄。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1是本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的概要剖視圖。
圖2是表示本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的磁記錄層的粒狀結(jié)構(gòu)的透射電子顯微鏡照片。

【具體實施方式】
[0021]如圖1所示，本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)包含非磁性基體10和磁記錄層40。圖1中示出了具有非磁性基體10、散熱層20、籽晶層30、磁記錄層40以及保護層50的本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)例。磁記錄層40具有至少層疊下部磁記錄層41和上部磁記錄層42這兩層的結(jié)構(gòu)。并且，下部磁記錄層41以及上部磁記錄層42分別由磁性晶粒(41A、42A)以及非磁性部(41B、42B)構(gòu)成。在圖1所示的本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)例中，散熱層20、籽晶層30以及保護層50是可以任意選擇性設(shè)置的層。并且，本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)在非磁性基體10和磁記錄層40之間還可以包含粘接層、軟磁性襯底層、中間層等。
[0022]非磁性基體10也可以是表面平滑的各種基體。例如，能利用磁記錄介質(zhì)中通常使用的材料(實施了鍍NiP的Al合金、強化玻璃、微晶玻璃等)來形成非磁性基體10。
[0023]散熱層20是用于高效地吸收在進行熱輔助磁記錄時所產(chǎn)生的磁記錄層40的多余的熱量的層。散熱層20能利用熱傳導率以及比熱容量高的金屬來形成。此外，從強度等觀點出發(fā)，能利用Al-Si合金、Cu-B合金等形成散熱層20。并且，利用鐵硅鋁(FeSiAl)合金、軟磁性的CoFe合金等來形成散熱層20，也能對散熱層20附加軟磁性襯底層的功能(使頭部產(chǎn)生的垂直方向磁場集中于磁記錄層40的功能)。散熱層20的膜厚的最適合值根據(jù)進行熱輔助磁記錄時的熱量以及熱分布、及磁記錄介質(zhì)的層結(jié)構(gòu)以及各結(jié)構(gòu)層的厚度而變化。在以與其他的結(jié)構(gòu)層連續(xù)成膜的方式形成散熱層20的情況等下，考慮到與生產(chǎn)性的平衡，優(yōu)選散熱層20的膜厚在1nm以上10nm以下。散熱層20能利用濺射法(包括DC磁控濺射法等)、真空蒸鍍法等在該技術(shù)中眾所周知的任意方法來形成。通常利用濺射法來形成散熱層20。
[0024]籽晶層30的作用在于:確保散熱層20和磁記錄層40之間的緊密粘接性；控制作為上層的磁記錄層40的磁性晶粒(41A、42A)的粒徑以及晶體取向；以及作為隔熱層控制磁記錄層40的溫度上升以及溫度分布。為了控制磁記錄層40的溫度上升以及溫度分布，籽晶層30需要同時具有在熱輔助記錄過程中對磁記錄層40進行加熱時迅速使磁記錄層40的溫度上升的功能、及在磁記錄層40的面內(nèi)方向發(fā)生導熱之前利用深度方向的導熱將磁記錄層40的熱量傳導至散熱層20的功能。此外，優(yōu)選籽晶層30為非磁性。
[0025]為了達到上述功能，與磁記錄層40的材料(具體而言是磁性晶粒(41A、42A)的材料)相匹配地適當選擇籽晶層30的材料。例如，在以CoPt、FePt等的Lltl型有序合金形成磁記錄層40的磁性晶粒(41A、42A)的情況下，能利用NiW、Ta、Cr、SrTi03、TiN、Mg0、或者它們的混合物來形成籽晶層30。此外，能夠?qū)盈B由上述材料構(gòu)成的多個層，來形成籽晶層30。從磁記錄層40 (磁性晶粒(41A、42A))的結(jié)晶性的提高、在進行熱輔助記錄時從頭部提供的熱量(磁記錄層40的溫度上升以及溫度分布的控制)、以及生產(chǎn)性的提高的觀點出發(fā)，籽晶層30優(yōu)選為具有40nm以上60nm以下的膜厚。籽晶層30能利用濺射法(包括DC磁控濺射法等)、真空蒸鍍法等在該技術(shù)中眾所周知的任意方法來形成。
[0026]磁記錄層40具有至少層疊下部磁記錄層41和上部磁記錄層42這兩層而得到的結(jié)構(gòu)。下部磁記錄層41以及上部磁記錄層42分別具有由磁性晶粒(41A、42A)以及非磁性部(41B、42B)構(gòu)成的粒狀結(jié)構(gòu)。在作為平面方向(與非磁性基體10的表面平行的方向)的截面的透射電子顯微鏡照片的圖2中示出了磁記錄層40(下部磁記錄層41以及上部磁記錄層42)的粒狀結(jié)構(gòu)。磁記錄層40 (下部磁記錄層41以及上部磁記錄層42)具有以磁性元素作為主體的柱狀的磁性晶粒(41A、42A)由非磁性部(41B、42B)隔開的結(jié)構(gòu)。此處，磁性晶粒(41A、42A)具有4?1nm左右的直徑，非磁性部(41B、42B)具有0.1?2nm左右的厚度。為了應(yīng)對記錄密度的增加，優(yōu)選磁性晶粒(41A、42A)的排列間隔(間距)較短的情況。另一方面，從防止熱起伏以及易于讀取信號(磁化)的觀點出發(fā)，優(yōu)選磁性晶粒(41A、42A)較大的情況。因此，非磁性部(41B、42B)優(yōu)選為在能與磁性晶粒(41A、42A)磁分離的范圍內(nèi)具有盡量小的厚度。
[0027]磁性晶粒(41A、42A)能利用Lltl類有序合金來形成。能使用的Lltl類有序合金是FePt、CoPt> FePd、CoPd等的包含從Fe、Co以及Ni所構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素和從Pt.Pd.Au以及Ir所構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素的合金。為了降低有序合金的有序化所需的溫度，可以對Llci類有序合金添加Cu等金屬。
[0028]磁記錄層40 (下部磁記錄層41以及上部磁記錄層42)能利用磁控濺射法等來形成。此處，如圖1所示，優(yōu)選如下結(jié)構(gòu):將上部磁記錄層42的磁性晶粒42A配置在下部磁記錄層41的磁性晶粒41A上，具有貫穿下部磁記錄層41以及上部磁記錄層42的一體柱狀結(jié)構(gòu)的磁性晶粒(41A、42A)。通過采用這樣的結(jié)構(gòu)，能降低磁記錄時的噪聲。這是因為，上述一體柱狀結(jié)構(gòu)的磁性晶粒(41A、42A)在下部磁記錄層41及上部磁記錄層42中分別通過非磁性部(41B、42B)與相鄰的磁性晶粒相隔離，能作為一體進行磁化反轉(zhuǎn)。
[0029]另一方面，在熱輔助磁記錄中，在磁記錄層的高溫區(qū)域中寫入信號(磁化)，在低溫區(qū)域不寫入(磁化)。即，在熱輔助記錄中，利用磁記錄層的溫度差來控制磁化反轉(zhuǎn)。因記錄時的熱輔助磁記錄用頭的激光而產(chǎn)生的熱量會留在記錄比特內(nèi)，優(yōu)選為在記錄結(jié)束后，迅速將磁記錄層40冷卻到信號記錄溫度以下。因此，如上所述，優(yōu)選為使磁記錄層40的面內(nèi)方向的熱阻變大，深度方向的熱阻變小，并使磁記錄層40的dT/dx變大。一般而言，磁性晶粒(41A、42A)具有較高的熱傳導率。因此，通過增大非磁性部(41B、42B)的熱阻能期待滿足上述要求。
[0030]在圖1所示的2層結(jié)構(gòu)的磁記錄層40中，使下部磁記錄層41具有促進磁性晶粒41A的磁分離的粒狀結(jié)構(gòu)，使上部磁記錄層42具有使面內(nèi)方向的熱阻增大的粒狀結(jié)構(gòu)。本發(fā)明人通過采用上述結(jié)構(gòu)，發(fā)現(xiàn)能維持磁性晶粒(41A、42A)的磁分離，且能使磁記錄層40的面內(nèi)方向的溫度斜率dT/dx在ΙΟΚ/nm以上。具體而言，在具有促進磁分離的粒狀結(jié)構(gòu)的下部磁記錄層41中，非磁性部41B由以碳為主要成分的材料構(gòu)成。
[0031]此外，在具有使面內(nèi)方向的熱阻增大的粒狀結(jié)構(gòu)的上部磁記錄層42中，非磁性部42B由具有比碳更低的熱傳導率、且易于形成粒狀結(jié)構(gòu)的材料形成。本發(fā)明中，上部磁記錄層42的非磁性部42B作為主要成分包括從氧化硅、氮化硅、氧化鈦、以及氮化鈦所構(gòu)成的組中選擇的材料。優(yōu)選為上部磁記錄層42的非磁性部42B由從氧化硅、氮化硅、氧化鈦、以及氮化鈦所構(gòu)成的組中選擇的材料構(gòu)成。
[0032]另外，在下部磁記錄層41的非磁性部41B由以氧化硅、氮化硅、氧化鈦、以及氮化鈦為主要成分的材料構(gòu)成,上部磁記錄層42的非磁性部42B由以碳為主要成分的材料構(gòu)成的情況下，會產(chǎn)生上部磁記錄層42中的非磁性部42B的一部分沒有被形成、磁性晶粒42A與相鄰磁性晶粒相連結(jié)的現(xiàn)象。因此，磁性晶粒(41A、42A)之間的磁分離不充分，會獲得噪聲較大的磁記錄介質(zhì)。
[0033]從易于對磁記錄層40寫入信號(磁化)、以及易于從磁記錄層讀取出信號(磁化)的觀點出發(fā)，優(yōu)選為構(gòu)成磁記錄層40的下部磁記錄層41以及上部磁記錄層42分別具有Inm以上15nm以下的膜厚。
[0034]保護層50能利用在磁記錄介質(zhì)的領(lǐng)域中慣用的材料(以碳為主體的材料等)來形成。此外，保護層50可以是單層，也可以具有層疊結(jié)構(gòu)。層疊結(jié)構(gòu)的保護層50例如可以是特性不同的兩種碳類材料的層疊結(jié)構(gòu)、金屬和碳類材料的層疊結(jié)構(gòu)、或者金屬氧化物膜和碳類材料的層疊結(jié)構(gòu)。保護層50能利用濺射法(包含DC磁控濺射法等)、真空蒸鍍法等的在該技術(shù)中眾所周知的任意方法來形成。
[0035]此外，本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)也可以任意選擇性地在保護層50上還設(shè)有液體潤滑劑層(未圖示)。液體潤滑劑層能利用在磁記錄介質(zhì)的領(lǐng)域中慣用的材料(例如全氟聚醚類潤滑劑等)來形成。液體潤滑劑層例如能利用浸涂法、旋涂法等涂布法來形成。
實施例1
[0036](實施例1)
洗凈具有平滑的表面的化學強化玻璃基體(Η0ΥΑ社制N-1O玻璃基體)，來準備非磁性基體10。將洗凈后的非磁性基體10導入濺射裝置內(nèi)。在壓力為0.67Pa的Ar氣體中通過使用CuSi靶的DC磁控濺射法來形成膜厚50nm的CuSi散熱層20。
[0037]接著，形成由Ta層以及MgO層構(gòu)成的二層結(jié)構(gòu)的籽晶層30。具體而言，在壓力為
0.67Pa的Ar氣體中通過使用Ta祀的DC磁控派射法來形成膜厚1nm的Ta層。接著,將形成有Ta層的層疊體加熱至250°C，利用在壓力為0.06Pa的Ar氣體中使用MgO靶的RF濺射法來形成膜厚5nm的MgO層，從而獲得籽晶層30。
[0038]接著，將形成有籽晶層30的層疊體加熱至500°C，使用混合Fe5tlPt5tl以及C的80體積％ (Fe5ciPt5ci)-20體積％ C祀,形成由Fe5ciPt5c1-C構(gòu)成的下部磁記錄層41。接著,使用混合Fe50Pt50 以及 S12 的 80 體積％ (Fe50Pt50) -20 體積％ S12 祀，形成由 Fe5ciPt5tl-S12 構(gòu)成的上部磁記錄層42，從而獲得磁記錄層。此處，下部磁記錄層41以及上部磁記錄層42的膜厚分別在2?8nm的范圍內(nèi)變化。
[0039]接著，在Ar氣體氣氛中通過使用碳靶的DC磁控濺射法形成膜厚2nm的碳保護層50。在形成保護層50之后，從濺射裝置中取出層疊體。
[0040]最后，利用浸涂法來涂布全氟聚醚以形成膜厚2nm的液體潤滑層，從而獲得磁記錄介質(zhì)。
[0041](實施例2)
除了使用混合Fe5tlPt5tl以及T12的75體積％ (Fe50Pt50) -25體積％ T12祀，形成由Fe5ciPt5tl-T12構(gòu)成的上部磁記錄層42以外,重復與實施例1相同的步驟，從而獲得磁記錄介質(zhì)。本實施例中，下部磁記錄層41以及上部磁記錄層42的膜厚也分別在2?8nm的范圍內(nèi)變化。
[0042](比較例I)
除了沒有形成上部磁記錄層42 (Fe5ciPt5tl-S12層或者Fe5ciPt5c1-T12層)、以及下部磁記錄層41 (Fe50Pt50-C層)的膜厚在2?12nm的范圍內(nèi)變化以外，重復實施例1的步驟，從而獲得具有單層結(jié)構(gòu)的磁記錄層的磁記錄介質(zhì)。
[0043](比較例2)
除了沒有形成下部磁記錄層41 (Fe50Pt50-C層)、以及上部磁記錄層42 (Fe50Pt50-S12層)的膜厚在2?12nm的范圍內(nèi)變化以外，重復實施例1的步驟，從而獲得具有單層結(jié)構(gòu)的磁記錄層的磁記錄介質(zhì)。
[0044](比較例3)
除了沒有形成下部磁記錄層41 (Fe50Pt50-C層)、以及上部磁記錄層42 (Fe5ciPt5tl-T12層)的膜厚在2?12nm的范圍內(nèi)變化以外，重復實施例2的步驟，從而獲得具有單層結(jié)構(gòu)的磁記錄層的磁記錄介質(zhì)。
[0045](評價)
利用安裝有熱輔助方式的磁記錄頭的市場有售的旋轉(zhuǎn)支架，通過測定記錄再生信號的信號雜音比(SNR)特性來評價磁記錄介質(zhì)，該熱輔助方式的磁記錄頭包括發(fā)出波長785nm的光的激光器、光導波路徑、以及用于產(chǎn)生近場光的散射體。
[0046]具體而言,在以5400rpm旋轉(zhuǎn)的磁記錄介質(zhì)的半徑R = 19mm的部分，固定頭部磁場電流，在取得最大SNR的激光輸出中進行100kFCI處的記錄，從而測定信號輸出以及噪聲輸出?；谙率剑鶕?jù)測定到的記錄信號輸出以及噪聲輸出來求出SNR值(dB)。
SNR (dB) = 1(^1呢[(信號輸出)/(噪聲輸出)]
[0047]判定中，將SNR在12dB以上的磁記錄介質(zhì)判定為“良”，在1dB以上且小于12dB的磁記錄介質(zhì)判定為“可”、將小于1dB的磁記錄介質(zhì)判定為“不良”。在第一表(上部磁記錄層42由Fe5ciPt5tl-S12形成的情況)以及第二表(上部磁記錄層42由Fe5ciPt5c1-T12形成的情況)中表示磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)、SNR值以及判定結(jié)果。
[0048][表 I]
第一表:磁記錄層的結(jié)構(gòu)以及磁記錄介質(zhì)的評價 (上部磁記錄層=Fe50Pt50-S12)

【權(quán)利要求】
1.一種熱輔助磁記錄用的磁記錄介質(zhì)，其特征在于， 至少包括非磁性基體和磁記錄層， 所述磁記錄層具有下部磁記錄層與上部磁記錄層， 所述下部磁記錄層具有包括磁性晶粒以及非磁性部的粒狀結(jié)構(gòu)，該非磁性部包圍所述磁性晶粒，且由以碳為主要成分的材料構(gòu)成， 所述上部磁記錄層具有包括磁性晶粒以及非磁性部的粒狀結(jié)構(gòu)，該非磁性部包圍所述磁性晶粒，且由與所述下部磁記錄層的非磁性部不同的材料構(gòu)成。
2.如權(quán)利要求1所述的熱輔助磁記錄用的磁記錄介質(zhì)，其特征在于， 所述上部磁記錄層的非磁性部由從氧化硅、氮化硅、氧化鈦、以及氮化鈦所構(gòu)成的組中選擇的材料構(gòu)成。
3.如權(quán)利要求1或2所述的熱輔助磁記錄用的磁記錄介質(zhì)，其特征在于， 所述下部磁記錄層的磁性晶粒以及所述上部磁記錄層的磁性晶粒由有序合金構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求3所述的熱輔助磁記錄用的磁記錄介質(zhì)，其特征在于， 所述有序合金是包含從Fe、Co以及Ni所構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素和從Pt、Pd、Au以及Ir所構(gòu)成的組中選擇的至少一種元素的合金。
5.如權(quán)利要求4所述的熱輔助磁記錄用的磁記錄介質(zhì),其特征在于， 所述有序合金從FePt、CoPt> FePd以及CoPd所構(gòu)成的組中選擇。
6.如權(quán)利要求1至5的任一項所述的熱輔助磁記錄用的磁記錄介質(zhì),其特征在于， 在所述非磁性基體和所述磁記錄層之間還包含從散熱層以及籽晶層所構(gòu)成的組中選擇的一層或者多層。
7.如權(quán)利要求1至6的任一項所述的熱輔助磁記錄用的磁記錄介質(zhì),其特征在于， 在所述磁記錄層上還包括保護層。
【文檔編號】G11B5/64GK104205217SQ201280071385
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2012年7月11日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月22日
【發(fā)明者】內(nèi)田真治 申請人:富士電機株式會社