存儲(chǔ)器修復(fù)方法、存儲(chǔ)器控制器與存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置制造方法【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種用于可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的存儲(chǔ)器修復(fù)方法、存儲(chǔ)器控制器與存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置。此存儲(chǔ)器修復(fù)方法包括監(jiān)控該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的至少其中一部分的磨損程度；以及當(dāng)可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的此其中一部分的磨損程度大于門(mén)檻值時(shí)，加熱此可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的此至少其中一部分，其中此可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的此至少其中一部分的溫度會(huì)被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間?；耍踊目蓮?fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組可被適時(shí)的修復(fù)以避免數(shù)據(jù)遺失?！緦?zhuān)利說(shuō)明】存儲(chǔ)器修復(fù)方法、存儲(chǔ)器控制器與存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置【
技術(shù)領(lǐng)域：
】[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種存儲(chǔ)器修復(fù)方法、存儲(chǔ)器控制器與存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置?！?br>背景技術(shù)：
】[0002]數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)與MP3在這幾年來(lái)的成長(zhǎng)十分迅速，使得消費(fèi)者對(duì)儲(chǔ)存媒介的需求也急速增加。由于可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器(rewritablenon-volatilememory)具有數(shù)據(jù)非易失性、省電、體積小、無(wú)機(jī)械結(jié)構(gòu)、讀寫(xiě)速度快等特性，最適于便攜式電子產(chǎn)品，例如筆記本電腦。固態(tài)硬盤(pán)就是一種以快閃存儲(chǔ)器作為儲(chǔ)存媒介的儲(chǔ)存裝置。因此，近年快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)成為電子產(chǎn)業(yè)中相當(dāng)熱門(mén)的一環(huán)。[0003]圖1是現(xiàn)有技術(shù)示出的快閃存儲(chǔ)器元件的示意圖。[0004]請(qǐng)參照?qǐng)D1,快閃存儲(chǔ)器元件I包含用于儲(chǔ)存電子的電荷捕捉層(chargetrapinglayer)2、用于施加偏壓的控制柵極(ControlGate)3、穿遂氧化層(Tunnel0xide)4與多晶娃間介電層(InterpolyDielectric)5。當(dāng)欲寫(xiě)入數(shù)據(jù)至快閃存儲(chǔ)器元件I時(shí),可通過(guò)將電子注入電荷捕捉層2以改變快閃存儲(chǔ)器元件I的臨界電壓，由此定義快閃存儲(chǔ)器元件I的數(shù)位高低態(tài)，而實(shí)現(xiàn)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的功能。在此，注入電子至電荷捕捉層2的過(guò)程稱(chēng)為程序化。反之，當(dāng)欲將所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)移除時(shí)，通過(guò)將所注入的電子從電荷捕捉層2中移除，則可使快閃存儲(chǔ)器元件I恢復(fù)為未被程序化前的狀態(tài)。[0005]在寫(xiě)入與擦除過(guò)程中，快閃存儲(chǔ)器元件I會(huì)隨著電子的多次的注入與移除而造成磨損，導(dǎo)致電子寫(xiě)入速度增加并造成臨界電壓分布變寬。因此，在快閃存儲(chǔ)器元件I被程序化后無(wú)法被正確地識(shí)別其儲(chǔ)存狀態(tài)，而產(chǎn)生錯(cuò)誤比特。【
發(fā)明內(nèi)容】[0006]本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)器修復(fù)方法、存儲(chǔ)器控制器與存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，能夠?qū)⒘踊拇鎯?chǔ)胞修復(fù)，以恢復(fù)存儲(chǔ)器的儲(chǔ)存能力。[0007]本發(fā)明范例實(shí)施例的存儲(chǔ)器修復(fù)方法用于一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組。此快閃存儲(chǔ)器修復(fù)方法包括監(jiān)控該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的至少其中一部分的磨損程度；以及當(dāng)可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的此其中一部分的磨損程度大于門(mén)檻值時(shí)，加熱此可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的此至少其中一部分。[0008]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的此至少其中一部分的溫度會(huì)被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間。[0009]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組包括第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組與第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組，第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組是由第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片與第一加熱器封裝而成，并且第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組是由第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片與第二加熱器封裝而成。其中監(jiān)控可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的磨損程度的步驟包括記錄第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的磨損程度值。其中當(dāng)可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的該磨損程度大于門(mén)檻值時(shí)，加熱可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的步驟包括:判斷第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的磨損程度值是否大于門(mén)檻值；倘若第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的磨損程度值大于門(mén)檻值時(shí)，將儲(chǔ)存在第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片上的數(shù)據(jù)復(fù)制到第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片中并且通過(guò)第一加熱器加熱第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片，其中第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片會(huì)被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預(yù)設(shè)時(shí)間；以及將復(fù)制到第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的數(shù)據(jù)回存至第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片中。[0010]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組包括第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組，并且第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組是由第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片與第一加熱器封裝而成。其中監(jiān)控可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的磨損程度的步驟包括記錄第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的磨損程度值。其中當(dāng)可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的磨損程度大于門(mén)檻值時(shí)，加熱可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的步驟包括:判斷第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的磨損程度值是否大于門(mén)檻值；倘若第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的磨損程度值大于門(mén)檻值時(shí)，將儲(chǔ)存在第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片上的數(shù)據(jù)復(fù)制到緩沖存儲(chǔ)器中并且通過(guò)第一加熱器加熱第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片，其中第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片會(huì)被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預(yù)設(shè)時(shí)間；以及將復(fù)制到緩沖存儲(chǔ)器的該數(shù)據(jù)回存至第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片中。[0011]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組包括多個(gè)實(shí)體擦除單元并且每一實(shí)體擦除單元配置有一加熱電路。其中監(jiān)控可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的磨損程度的步驟包括記錄每一實(shí)體擦除單元的磨損程度值。其中當(dāng)可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的磨損程度值大于門(mén)檻值時(shí)，加熱可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的步驟包括:判斷此些實(shí)體擦除單元之中的一第一實(shí)體擦除單元的磨損程度值是否大于門(mén)檻值；倘若第一實(shí)體擦除單元的磨損程度值大于門(mén)檻值時(shí)，將儲(chǔ)存在第一實(shí)體擦除單元上的數(shù)據(jù)復(fù)制到此些實(shí)體擦除單元之中的第二實(shí)體擦除單元中并且通過(guò)對(duì)應(yīng)第一實(shí)體擦除單元的加熱電路加熱第一實(shí)體擦除單元，其中第一實(shí)體擦除單元會(huì)被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預(yù)設(shè)時(shí)間；以及將復(fù)制到第二實(shí)體擦除單元的數(shù)據(jù)回存至第一實(shí)體擦除單元中。[0012]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的磨損程度值是根據(jù)第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的擦除次數(shù)、寫(xiě)入次數(shù)、錯(cuò)誤比特?cái)?shù)、錯(cuò)誤比特比例及讀取次數(shù)的至少其中之一來(lái)計(jì)算。[0013]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第一實(shí)體擦除單元的磨損程度值是根據(jù)第一實(shí)體擦除單元的擦除次數(shù)、寫(xiě)入次數(shù)、錯(cuò)誤比特?cái)?shù)、錯(cuò)誤比特比例及讀取次數(shù)的至少其中之一來(lái)計(jì)算。[0014]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的至少其中一部分為一存儲(chǔ)器晶粒(die)或一存儲(chǔ)器區(qū)塊面(plane)。[0015]本發(fā)明范例實(shí)施例的存儲(chǔ)器控制器用于控制可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組并且包括主機(jī)接口、存儲(chǔ)器接口、緩沖存儲(chǔ)器與存儲(chǔ)器管理電路。主機(jī)接口用以電性連接至主機(jī)系統(tǒng)，存儲(chǔ)器接口用以電性連接至可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組，并且存儲(chǔ)器管理電路電性連接至主機(jī)接口、存儲(chǔ)器接口與緩沖存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器管理電路用以監(jiān)控可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的至少其中一部分的磨損程度。當(dāng)該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的該至少其中一部分的磨損程度大于門(mén)檻值時(shí)，存儲(chǔ)器管理電路指示加熱可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的此至少其中一部分。[0016]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組包括第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組與第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組，第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組是由第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片與第一加熱器封裝而成，并且第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組是由第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片與第二加熱器封裝而成。在上述監(jiān)控此可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的至少一部分的磨損程度的運(yùn)作中，存儲(chǔ)器管理電路記錄第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的磨損程度值。在上述當(dāng)可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的至少其中之一的磨損程度大于門(mén)檻值時(shí)，加熱可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的此至少其中之一的運(yùn)作中，存儲(chǔ)器管理電路會(huì)判斷第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的該磨損程度值是否大于該門(mén)檻值。倘若第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的磨損程度值大于門(mén)檻值時(shí)，存儲(chǔ)器管理電路會(huì)將儲(chǔ)存在第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片上的數(shù)據(jù)復(fù)制到第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片中，通過(guò)第一加熱器加熱第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片，并且將復(fù)制到第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的數(shù)據(jù)回存至第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片中，第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片會(huì)被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預(yù)設(shè)時(shí)間。[0017]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組包括第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組，并且第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組是由第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片與第一加熱器封裝而成。在上述監(jiān)控可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的至少一部分的磨損程度的運(yùn)作中，存儲(chǔ)器管理電路記錄第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的磨損程度值。在上述當(dāng)可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的至少其中之一的磨損程度大于門(mén)檻值時(shí)，加熱可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的至少其中之一的運(yùn)作中，存儲(chǔ)器管理電路會(huì)判斷第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的磨損程度值是否大于門(mén)檻值，其中倘若第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的磨損程度值大于該門(mén)檻值時(shí)，存儲(chǔ)器管理電路會(huì)將儲(chǔ)存在第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片上的數(shù)據(jù)復(fù)制到緩沖存儲(chǔ)器中，通過(guò)第一加熱器加熱第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片，并且將復(fù)制到緩沖存儲(chǔ)器的該數(shù)據(jù)回存至第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片中，其中第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片會(huì)被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預(yù)設(shè)時(shí)間。[0018]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組包括多個(gè)實(shí)體擦除單元并且每一實(shí)體擦除單元配置有一加熱電路。在監(jiān)控該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的磨損程度的運(yùn)作中，存儲(chǔ)器管理電路會(huì)記錄每一實(shí)體擦除單元的磨損程度值。在上述當(dāng)可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的至少其中之一的磨損程度大于門(mén)檻值時(shí)，加熱可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的至少其中之一的運(yùn)作中，存儲(chǔ)器管理電路會(huì)判斷此些實(shí)體擦除單元之中的第一實(shí)體擦除單元的磨損程度值是否大于門(mén)檻值，其中倘若第一實(shí)體擦除單元的磨損程度值大于此門(mén)檻值時(shí)，存儲(chǔ)器管理電路會(huì)將儲(chǔ)存在第一實(shí)體擦除單元上的數(shù)據(jù)復(fù)制到此些實(shí)體擦除單元之中的第二實(shí)體擦除單元中，通過(guò)對(duì)應(yīng)此第一實(shí)體擦除單元的加熱電路加熱第一實(shí)體擦除單元，并且將復(fù)制到第二實(shí)體擦除單元的數(shù)據(jù)回存至第一實(shí)體擦除單元中，其中第一實(shí)體擦除單元會(huì)被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預(yù)設(shè)時(shí)間。[0019]本發(fā)明范例實(shí)施例的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置包括連接器、可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組與存儲(chǔ)器控制器。連接器用以電性連接至主機(jī)系統(tǒng)。存儲(chǔ)器控制器具有緩沖存儲(chǔ)器且電性連接至連接器與可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組。此外，存儲(chǔ)器控制器用以監(jiān)控可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的至少其中一部分的磨損程度。當(dāng)可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的至少其中一部分的磨損程度大于門(mén)檻值時(shí)，存儲(chǔ)器控制器指示加熱此可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的至少其中一部分。[0020]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組包括第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組與第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組，第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組是由第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片與第一加熱器封裝而成，并且第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組是由第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片與第二加熱器封裝而成。在上述監(jiān)控此可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的至少一部分的磨損程度的運(yùn)作中，存儲(chǔ)器管理電路記錄第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的磨損程度值。在上述當(dāng)可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的至少其中之一的磨損程度大于門(mén)檻值時(shí)，加熱可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的此至少其中之一的運(yùn)作中，存儲(chǔ)器控制器會(huì)判斷第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的該磨損程度值是否大于該門(mén)檻值。倘若第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的磨損程度值大于門(mén)檻值時(shí)，存儲(chǔ)器控制器會(huì)將儲(chǔ)存在第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片上的數(shù)據(jù)復(fù)制到第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片中，通過(guò)第一加熱器加熱第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片，并且將復(fù)制到第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的數(shù)據(jù)回存至第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片中，第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片會(huì)被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預(yù)設(shè)時(shí)間。[0021]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組包括第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組，并且第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組是由第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片與第一加熱器封裝而成。在上述監(jiān)控可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的至少一部分的磨損程度的運(yùn)作中，存儲(chǔ)器控制器記錄第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的磨損程度值。在上述當(dāng)可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的至少其中之一的磨損程度大于門(mén)檻值時(shí)，加熱可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的至少其中之一的運(yùn)作中，存儲(chǔ)器控制器會(huì)判斷第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的磨損程度值是否大于門(mén)檻值，其中倘若第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的磨損程度值大于該門(mén)檻值時(shí)，存儲(chǔ)器控制器會(huì)將儲(chǔ)存在第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片上的數(shù)據(jù)復(fù)制到緩沖存儲(chǔ)器中，通過(guò)第一加熱器加熱第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片，并且將復(fù)制到緩沖存儲(chǔ)器的該數(shù)據(jù)回存至第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片中，其中第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片會(huì)被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預(yù)設(shè)時(shí)間。[0022]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組包括多個(gè)實(shí)體擦除單元并且每一實(shí)體擦除單元配置有一加熱電路。在監(jiān)控該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的磨損程度的運(yùn)作中，存儲(chǔ)器控制器會(huì)記錄每一實(shí)體擦除單元的磨損程度值。在上述當(dāng)可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的至少其中之一的磨損程度大于門(mén)檻值時(shí)，加熱可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的至少其中之一的運(yùn)作中，存儲(chǔ)器控制器會(huì)判斷此些實(shí)體擦除單元之中的第一實(shí)體擦除單元的磨損程度值是否大于門(mén)檻值，其中倘若第一實(shí)體擦除單元的磨損程度值大于此門(mén)檻值時(shí)，存儲(chǔ)器控制器會(huì)將儲(chǔ)存在第一實(shí)體擦除單元上的數(shù)據(jù)復(fù)制到此些實(shí)體擦除單元之中的第二實(shí)體擦除單元中，通過(guò)對(duì)應(yīng)此第一實(shí)體擦除單元的加熱電路加熱第一實(shí)體擦除單元，并且將復(fù)制到第二實(shí)體擦除單元的數(shù)據(jù)回存至第一實(shí)體擦除單元中，其中第一實(shí)體擦除單元會(huì)被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預(yù)設(shè)時(shí)間。[0023]基于上述，本范例實(shí)施的存儲(chǔ)器修復(fù)方法、存儲(chǔ)器控制器與存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置能夠適時(shí)的將劣化的可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組修復(fù)，以恢復(fù)存儲(chǔ)胞的數(shù)據(jù)保存能力，由此可靠地儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。[0024]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下?！緦?zhuān)利附圖】【附圖說(shuō)明】[0025]圖1是現(xiàn)有技術(shù)示出的快閃存儲(chǔ)器元件的示意圖；[0026]圖2是本發(fā)明范例實(shí)施例示出的存儲(chǔ)器修復(fù)方法的流程圖；[0027]圖3是第一范例實(shí)施例示出的主機(jī)系統(tǒng)與存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置；[0028]圖4是一范例實(shí)施例示出的電腦、輸入/輸出裝置與存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置的示意圖；[0029]圖5是一范例實(shí)施例示出的主機(jī)系統(tǒng)與存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置的示意圖；[0030]圖6是第一范例實(shí)施例示出的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置的概要方塊圖；[0031]圖7A?7B是本發(fā)明第一范例實(shí)施例示出的封裝可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片與加熱器的不意圖；[0032]圖7C?7D是本發(fā)明另一范例實(shí)施例示出的封裝可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片與加熱器的不意圖；[0033]圖8是第一范例實(shí)施例示出的存儲(chǔ)器控制器的概要方塊圖；[0034]圖9是本發(fā)明第一范例實(shí)施例示出的存儲(chǔ)器修復(fù)方法的流程圖；[0035]圖10是本發(fā)明第二范例實(shí)施例示出的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置的概要方塊圖；[0036]圖11是本發(fā)明第二范例實(shí)施例示出的實(shí)體擦除單元的結(jié)構(gòu)示意圖；[0037]圖12是本發(fā)明第一范例實(shí)施例示出的存儲(chǔ)器修復(fù)方法的流程圖；[0038]圖13是另一范例實(shí)施例示出的實(shí)體擦除單元的結(jié)構(gòu)示意圖。[0039]附圖標(biāo)記說(shuō)明:[0040]1:快閃存儲(chǔ)器元件；[0041]2:電荷捕捉層；[0042]3:控制柵極；[0043]4:穿遂氧化層；[0044]5:多晶娃間介電層；[0045]S1001、S1003、S1005:存儲(chǔ)器修復(fù)方法的步驟；[0046]1000:主機(jī)系統(tǒng)；[0047]1100:電腦；[0048]1102:微處理器；[0049]1104:隨機(jī)存取存儲(chǔ)器；[0050]1106:輸入/輸出裝置；[0051]1108:系統(tǒng)總線(xiàn)；[0052]1110:數(shù)據(jù)傳輸接口；[0053]1202:鼠標(biāo)；[0054]1204:鍵盤(pán)；[0055]1206:顯示器；[0056]1208:打印機(jī)；[0057]1212:隨身盤(pán)；[0058]1214:存儲(chǔ)卡；[0059]1216:固態(tài)硬盤(pán)；[0060]1310:數(shù)碼相機(jī)；[0061]1312:SD卡;[0062]1314:MMC卡；[0063]1316:存儲(chǔ)棒；[0064]1318:CF卡；[0065]1320:嵌入式儲(chǔ)存裝置；[0066]100:存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置；[0067]102:連接器；[0068]104:存儲(chǔ)器控制器；[0069]106:可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組；[0070]202:存儲(chǔ)器管理電路；[0071]206:存儲(chǔ)器接口；[0072]252:緩沖存儲(chǔ)器；[0073]254:電源管理電路；[0074]256:錯(cuò)誤檢查與校正電路；[0075]900:存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置；[0076]906:可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組；[0077]S901、S903、S905、S907、S909:存儲(chǔ)器修復(fù)方法的步驟；[0078]S1201、S1203、S1205、S1207、S1209:存儲(chǔ)器修復(fù)方法的步驟?！揪唧w實(shí)施方式】[0079]在寫(xiě)入與擦除運(yùn)作過(guò)程中，可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的部分結(jié)構(gòu)(例如，穿遂氧化層)可能會(huì)因?yàn)殡S著電子的多次的注入與移除而造成磨損，導(dǎo)致電子寫(xiě)入速度增加并造成臨界電壓分布變寬。為了恢復(fù)可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的儲(chǔ)存可靠度，如圖2是本發(fā)明范例實(shí)施例示出的存儲(chǔ)器修復(fù)方法的流程圖，在一范例實(shí)施例中，可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的至少一部分的磨損程度會(huì)被監(jiān)控(步驟S1001)，并且被判斷是否超過(guò)一門(mén)檻值(步驟S1003)。倘若可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的此至少一部分的磨損程度被判斷超過(guò)此門(mén)檻值時(shí)，加熱可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的此至少一部分(S1005)，以使得可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的此至少一部分的溫度提升至介于攝氏100度至攝氏600度之間。以下將以數(shù)個(gè)范例實(shí)施例并配合附圖來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明。[0080]第一范例實(shí)施例[0081]一般而言,存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置(也稱(chēng),存儲(chǔ)器儲(chǔ)存系統(tǒng))包括可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組與控制器(也稱(chēng)，控制電路)。通常存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置是與主機(jī)系統(tǒng)一起使用，以使主機(jī)系統(tǒng)可將數(shù)據(jù)寫(xiě)入至存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置或從存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置中讀取數(shù)據(jù)。[0082]圖3是第一范例實(shí)施例示出的主機(jī)系統(tǒng)與存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置。[0083]請(qǐng)參照?qǐng)D3，主機(jī)系統(tǒng)1000—般包括電腦1100與輸入/輸出(input/output、I/O)裝置1106。電腦1100包括微處理器1102、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(randomaccessmemory,RAM)1104、系統(tǒng)總線(xiàn)1108與數(shù)據(jù)傳輸接口1110。輸入/輸出裝置1106包括如圖4的鼠標(biāo)1202、鍵盤(pán)1204、顯示器1206與打印機(jī)1208。必須了解的是，圖4所示的裝置非限制輸入/輸出裝置1106，輸入/輸出裝置1106可更包括其他裝置。[0084]在本發(fā)明實(shí)施例中，存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置100是通過(guò)數(shù)據(jù)傳輸接口1110與主機(jī)系統(tǒng)1000的其他元件電性連接。通過(guò)微處理器1102、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器1104與輸入/輸出裝置1106的運(yùn)作可將數(shù)據(jù)寫(xiě)入至存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置100或從存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置100中讀取數(shù)據(jù)。例如，存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置100可以是如圖4所示的隨身盤(pán)1212、存儲(chǔ)卡1214或固態(tài)硬盤(pán)(SolidStateDrive,SSD)1216等的可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置。[0085]一般而言，主機(jī)系統(tǒng)1000為可實(shí)質(zhì)地與存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置100配合以?xún)?chǔ)存數(shù)據(jù)的任意系統(tǒng)。雖然在本范例實(shí)施例中，主機(jī)系統(tǒng)1000是以電腦系統(tǒng)來(lái)說(shuō)明，然而，在本發(fā)明另一范例實(shí)施例中主機(jī)系統(tǒng)1000可以是數(shù)碼相機(jī)、攝影機(jī)、通信裝置、音樂(lè)播放器或視頻播放器等系統(tǒng)。例如，在主機(jī)系統(tǒng)為數(shù)碼相機(jī)(攝影機(jī))1310時(shí)，可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置則為其所使用的SD卡1312、MMC卡1314、存儲(chǔ)棒(memorystick)1316,CF卡1318或嵌入式儲(chǔ)存裝置1320(如圖5所示)。嵌入式儲(chǔ)存裝置1320包括嵌入式多媒體卡(EmbeddedMMC,eMMC)。值得一提的是，嵌入式多媒體卡是直接電性連接于主機(jī)系統(tǒng)的主板上。[0086]圖6是第一范例實(shí)施例示出的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置的概要方塊圖。[0087]請(qǐng)參照?qǐng)D6，存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置100包括連接器102、存儲(chǔ)器控制器104與可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組106。[0088]在本范例實(shí)施例中，連接器102是適用于通用串行總線(xiàn)(UniversalSerialBus,USB)標(biāo)準(zhǔn)。然而，必須了解的是，本發(fā)明不限于此，連接器102也可以是符合并列先進(jìn)附件(ParallelAdvancedTechnologyAttachment,PATA)標(biāo)準(zhǔn)、電氣和電子工程師協(xié)會(huì)(InstituteofElectricalandElectronicEngineers,IEEE)1394標(biāo)準(zhǔn)、高速周邊零件連接接口(PeripheralComponentInterconnectExpress,PCIExpress)標(biāo)準(zhǔn)、安全數(shù)位(SecureDigital,SD)接口標(biāo)準(zhǔn)、序列先進(jìn)附件(SerialAdvancedTechnologyAttachment,SATA)標(biāo)準(zhǔn)、超高速一代(UltraHighSpeed-1,UHS_I)接口標(biāo)準(zhǔn)、超高速二代(UltraHighSpeed-1I,UHS-1I)接口標(biāo)準(zhǔn)、存儲(chǔ)棒(MemoryStick,MS)接口標(biāo)準(zhǔn)、多媒體儲(chǔ)存卡(MultiMediaCard,MMC)接口標(biāo)準(zhǔn)、嵌入式多媒體儲(chǔ)存卡(EmbeddedMultimediaCard,eMMC)接口標(biāo)準(zhǔn)、通用快閃存儲(chǔ)器(UniversalFlashStorage,UFS)接口標(biāo)準(zhǔn)、小型快閃(CompactFlash,CF)接口標(biāo)準(zhǔn)、整合式驅(qū)動(dòng)電子接口(IntegratedDeviceElectronics,IDE)標(biāo)準(zhǔn)或其他適合的標(biāo)準(zhǔn)。[0089]存儲(chǔ)器控制器104用以執(zhí)行以硬體型式或韌體型式實(shí)作的多個(gè)邏輯閘或控制指令，并且根據(jù)主機(jī)系統(tǒng)1000的指令在可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組106中進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫(xiě)入、讀取與擦除等運(yùn)作。[0090]可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組106包括第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組106a與第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組106b。第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組106a是由第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片106-1與第一加熱器108-1封裝而成，并且第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組106b是由第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片106-2與第二加熱器108-2封裝而成。[0091]第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片106-1與第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片106-2是電性連接至存儲(chǔ)器控制器104，并且用以?xún)?chǔ)存主機(jī)系統(tǒng)1000所寫(xiě)入的數(shù)據(jù)。例如，第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片106-1與第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片106-2可為單階存儲(chǔ)胞(SingleLevelCell，SLC)NAND型快閃、存儲(chǔ)器芯片(S卩，一個(gè)存儲(chǔ)胞中可儲(chǔ)存I個(gè)比特?cái)?shù)據(jù)的快閃存儲(chǔ)器芯片)、多階存儲(chǔ)胞(MultiLevelCell,MLC)NAND型快閃、存儲(chǔ)器芯片(即，一個(gè)存儲(chǔ)胞中可儲(chǔ)存2個(gè)比特?cái)?shù)據(jù)的快閃存儲(chǔ)器芯片模組)、復(fù)數(shù)階存儲(chǔ)胞(TrinaryLevelCell，TLC)NAND型快閃存儲(chǔ)器芯片(即，一個(gè)存儲(chǔ)胞中可儲(chǔ)存3個(gè)比特?cái)?shù)據(jù)的快閃存儲(chǔ)器芯片)或者其他具有相同特性的存儲(chǔ)器芯片。[0092]第一加熱器108-1與第二加熱器108-2是電性連接至存儲(chǔ)器控制器104并且分別地用以加熱第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片106-1與第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片106-2。具體來(lái)說(shuō)，第一加熱器108-1是被封裝在第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片106-1的下方(如圖7A所示)并且第二加熱器108-2是被封裝在第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片106-2的下方(如圖7B所示)。并且，第一加熱器108-1可將第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片106-1的溫度加熱至介于攝氏100度與攝氏600度之間并且第二加熱器108-2可將第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片106-2的溫度加熱至介于攝氏100度與攝氏600度之間。例如,第一加熱器108-1可將第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片106-1的溫度加熱至攝氏300度并且第二加熱器108-2可將第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片106-2的溫度加熱至攝氏300度。值得一提的是，盡管在本范例實(shí)施例中，加熱器是被封裝在可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的下方，但本發(fā)明不限于此。例如，在本發(fā)明另一范例實(shí)施例中，力口熱器是被封裝在可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的上方。此外，在本發(fā)明又一實(shí)施例中，可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的上方與下方也可同時(shí)配置有加熱器。再者，在本發(fā)明再一實(shí)施例中，可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的每一側(cè)皆可配置加熱器。[0093]此外，必須了解的是，盡管在本范例實(shí)施例中，加熱器會(huì)被配置以對(duì)整個(gè)可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片為單位來(lái)進(jìn)行加熱，但本發(fā)明不限于此。例如，在本發(fā)明另一范例實(shí)施例中，可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片是多個(gè)存儲(chǔ)器晶?；虼鎯?chǔ)器區(qū)塊面所組成，并且多個(gè)加熱器會(huì)對(duì)應(yīng)于此些存儲(chǔ)器晶粒或存儲(chǔ)器區(qū)塊面來(lái)分別地被配置，以加熱對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器晶?；虼鎯?chǔ)器區(qū)塊面。[0094]圖8是根據(jù)第一范例實(shí)施例所示出的存儲(chǔ)器控制器的概要方塊圖。必須了解的是，圖8所示的存儲(chǔ)器控制器的結(jié)構(gòu)僅為一范例，本發(fā)明不以此為限。[0095]請(qǐng)參照?qǐng)D12，存儲(chǔ)器控制器104包括存儲(chǔ)器管理電路202、主機(jī)接口204與存儲(chǔ)器接口206。[0096]存儲(chǔ)器管理電路202用以控制存儲(chǔ)器控制器104的整體運(yùn)作。具體來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)器管理電路202具有多個(gè)控制指令，并且在存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置100運(yùn)作時(shí)，此些控制指令會(huì)被執(zhí)行以進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫(xiě)入、讀取與擦除等運(yùn)作。[0097]在本范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器管理電路202的控制指令是以韌體型式來(lái)實(shí)作。例如，存儲(chǔ)器管理電路202具有微處理器單元(未示出)與只讀存儲(chǔ)器(未示出)，并且此些控制指令是被燒錄至此只讀存儲(chǔ)器中。當(dāng)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置100運(yùn)作時(shí)，此些控制指令會(huì)由微處理器單元來(lái)執(zhí)行以進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫(xiě)入、讀取與擦除等運(yùn)作。[0098]在本發(fā)明另一范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器管理電路202的控制指令也可以程序式儲(chǔ)存于可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組106的特定區(qū)域(例如，存儲(chǔ)器模組中專(zhuān)用于存放系統(tǒng)數(shù)據(jù)的系統(tǒng)區(qū))中。此外，存儲(chǔ)器管理電路202具有微處理器單元(未示出)、只讀存儲(chǔ)器(未示出)及隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(未示出)。特別是，此只讀存儲(chǔ)器具有驅(qū)動(dòng)碼，并且當(dāng)存儲(chǔ)器控制器104被智能時(shí)，微處理器單元會(huì)先執(zhí)行此驅(qū)動(dòng)碼段來(lái)將儲(chǔ)存于可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組106中的控制指令載入至存儲(chǔ)器管理電路202的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中。之后，微處理器單元會(huì)運(yùn)轉(zhuǎn)此些控制指令以進(jìn)行數(shù)據(jù)的寫(xiě)入、讀取與擦除等運(yùn)作。[0099]此外，在本發(fā)明另一范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器管理電路202的控制指令也可以一硬體型式來(lái)實(shí)作。例如，存儲(chǔ)器管理電路202包括微控制器、存儲(chǔ)胞管理電路、存儲(chǔ)器寫(xiě)入電路、存儲(chǔ)器讀取電路、存儲(chǔ)器擦除電路與數(shù)據(jù)處理電路。存儲(chǔ)胞管理電路、存儲(chǔ)器寫(xiě)入電路、存儲(chǔ)器讀取電路、存儲(chǔ)器擦除電路與數(shù)據(jù)處理電路是電性連接至微控制器。其中，存儲(chǔ)胞管理電路用以管理可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組106的實(shí)體擦除單元；存儲(chǔ)器寫(xiě)入電路用以對(duì)可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組106下達(dá)寫(xiě)入指令以將數(shù)據(jù)寫(xiě)入至可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組106中；存儲(chǔ)器讀取電路用以對(duì)可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組106下達(dá)讀取指令以從可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組106中讀取數(shù)據(jù)；存儲(chǔ)器擦除電路用以對(duì)可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組106下達(dá)擦除指令以將數(shù)據(jù)從可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組106中擦除；而數(shù)據(jù)處理電路用以處理欲寫(xiě)入至可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組106的數(shù)據(jù)以及從可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組106中讀取的數(shù)據(jù)。[0100]主機(jī)接口204是電性連接至存儲(chǔ)器管理電路202并且用以接收與識(shí)別主機(jī)系統(tǒng)1000所傳送的指令與數(shù)據(jù)。也就是說(shuō)，主機(jī)系統(tǒng)1000所傳送的指令與數(shù)據(jù)會(huì)通過(guò)主機(jī)接口204來(lái)傳送至存儲(chǔ)器管理電路202。在本范例實(shí)施例中，主機(jī)接口204適用于USB標(biāo)準(zhǔn)。然而，必須了解的是本發(fā)明不限于此，主機(jī)接口204也可以適用于PATA標(biāo)準(zhǔn)、IEEE1394標(biāo)準(zhǔn)、PCIExpress標(biāo)準(zhǔn)、SD標(biāo)準(zhǔn)、SATA標(biāo)準(zhǔn)、UHS-1接口標(biāo)準(zhǔn)、UHS-1I接口標(biāo)準(zhǔn)、MS標(biāo)準(zhǔn)、MMC標(biāo)準(zhǔn)、eMMC接口標(biāo)準(zhǔn)、UFS接口標(biāo)準(zhǔn)、CF標(biāo)準(zhǔn)、IDE標(biāo)準(zhǔn)或其他適合的數(shù)據(jù)傳輸標(biāo)準(zhǔn)。[0101]存儲(chǔ)器接口206是電性連接至存儲(chǔ)器管理電路202并且用以存取可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組106。也就是說(shuō)，欲寫(xiě)入至可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組106的數(shù)據(jù)會(huì)通過(guò)存儲(chǔ)器接口206轉(zhuǎn)換為可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組106所能接受的格式。[0102]在本發(fā)明一范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制器104還包括緩沖存儲(chǔ)器252、電源管理電路254以及錯(cuò)誤檢查與校正電路256。[0103]緩沖存儲(chǔ)器252是電性連接至存儲(chǔ)器管理電路202并且用以暫存來(lái)自于主機(jī)系統(tǒng)1000的數(shù)據(jù)與指令或來(lái)自于可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組106的數(shù)據(jù)。[0104]電源管理電路254是電性連接至存儲(chǔ)器管理電路202并且用以控制存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置100的電源。[0105]錯(cuò)誤檢查與校正電路256是電性連接至存儲(chǔ)器管理電路202并且用以執(zhí)行錯(cuò)誤檢查與校正程序以確保數(shù)據(jù)的正確性。在本范例實(shí)施例中，當(dāng)存儲(chǔ)器管理電路202從主機(jī)系統(tǒng)1000中接收到寫(xiě)入指令時(shí)，錯(cuò)誤檢查與校正電路256會(huì)為對(duì)應(yīng)此寫(xiě)入指令的數(shù)據(jù)產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的錯(cuò)誤檢查與校正碼(ErrorCheckingandCorrectingCode,ECCCode),并且存儲(chǔ)器管理電路202會(huì)將對(duì)應(yīng)此寫(xiě)入指令的數(shù)據(jù)與對(duì)應(yīng)的錯(cuò)誤檢查與校正碼寫(xiě)入至可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組106中。之后，當(dāng)存儲(chǔ)器管理電路202從可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組106中讀取數(shù)據(jù)時(shí)會(huì)同時(shí)讀取此數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的錯(cuò)誤檢查與校正碼，并且錯(cuò)誤檢查與校正電路256會(huì)依據(jù)此錯(cuò)誤檢查與校正碼對(duì)所讀取的數(shù)據(jù)執(zhí)行錯(cuò)誤檢查與校正程序。具體來(lái)說(shuō)，錯(cuò)誤檢查與校正電路256會(huì)被設(shè)計(jì)能夠校正一數(shù)目的錯(cuò)誤比特(以下稱(chēng)為最大可校正錯(cuò)誤比特?cái)?shù))。例如，最大可校正錯(cuò)誤比特?cái)?shù)為24。倘若發(fā)生在所讀取的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤比特的數(shù)目不大于24時(shí)，錯(cuò)誤檢查與校正電路256就能夠依據(jù)錯(cuò)誤校正碼將錯(cuò)誤比特校正回正確的值。反之，錯(cuò)誤檢查與校正電路256就會(huì)回報(bào)錯(cuò)誤校正失敗且存儲(chǔ)器管理電路202會(huì)將指示數(shù)據(jù)已遺失的信息傳送給主機(jī)系統(tǒng)1000。[0106]在本發(fā)明范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)監(jiān)控可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組106的磨損程度，并且修復(fù)可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組106。具體來(lái)說(shuō)，在本發(fā)明范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)記錄可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的擦除次數(shù)以識(shí)別可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組106的磨損程度。此外，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)判斷可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的擦除次數(shù)是否大于一門(mén)檻值(以下稱(chēng)為擦除次數(shù)門(mén)檻值)。倘若可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的擦除次數(shù)大于擦除次數(shù)門(mén)檻值時(shí)，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)通過(guò)對(duì)應(yīng)的加熱器來(lái)加熱可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片以修復(fù)可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的存儲(chǔ)胞。在本范例實(shí)施例中，每當(dāng)執(zhí)行擦除指令時(shí)，可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的擦除次數(shù)會(huì)被加1，并且擦除次數(shù)門(mén)檻值會(huì)根據(jù)可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的類(lèi)型來(lái)設(shè)定，以反映可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的磨損程度是否已達(dá)到會(huì)影響數(shù)據(jù)儲(chǔ)存的臨界點(diǎn)。[0107]例如，倘若第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片106-1的擦除次數(shù)大于擦除次數(shù)門(mén)檻值時(shí)，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)將儲(chǔ)存在第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片106-1中的數(shù)據(jù)復(fù)制到第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片106-2，控制加熱器108-1來(lái)加熱第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片106-1以修復(fù)第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片106-1的存儲(chǔ)胞并且之后將所復(fù)制的數(shù)據(jù)恢復(fù)至第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片106-1。[0108]必須了解的是，盡管在本范例實(shí)施例中，可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的擦除次數(shù)會(huì)用來(lái)衡量可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的磨損程度，但本發(fā)明不限于此。例如，可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的磨損程度也可根據(jù)可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的寫(xiě)入次數(shù)、錯(cuò)誤比特?cái)?shù)、錯(cuò)誤比特比例或讀取次數(shù)來(lái)衡量。又或者，可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的磨損程度也可以擦除次數(shù)、寫(xiě)入次數(shù)、錯(cuò)誤比特?cái)?shù)、錯(cuò)誤比特比例與讀取次數(shù)等參數(shù)之中的至少其中兩個(gè)參數(shù)的組合來(lái)計(jì)算。[0109]圖9是本發(fā)明第一范例實(shí)施例示出的存儲(chǔ)器修復(fù)方法的流程圖。[0110]請(qǐng)參照?qǐng)D9，在步驟S901中，可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組(芯片)的擦除次數(shù)會(huì)被記錄與監(jiān)控。[0111]在步驟S903中，可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組(芯片)的擦除次數(shù)是否大于擦除次數(shù)門(mén)檻值會(huì)被判斷。[0112]倘若可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組(芯片)的擦除次數(shù)不大于擦除次數(shù)門(mén)檻值時(shí)，流程會(huì)返回步驟S901以繼續(xù)監(jiān)控。倘若可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組(芯片)的擦除次數(shù)大于擦除次數(shù)門(mén)檻值時(shí)，在步驟S905中，儲(chǔ)存在此可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組(芯片)中的數(shù)據(jù)會(huì)被復(fù)制到一暫存區(qū)。例如，在步驟S905中，可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組(芯片)中的數(shù)據(jù)會(huì)被復(fù)制到另一個(gè)可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組(芯片)，但本發(fā)明不限于此。在本發(fā)明另一范例實(shí)施例中，可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組(芯片)中的數(shù)據(jù)也可被暫時(shí)地復(fù)制到緩沖存儲(chǔ)器252或其他儲(chǔ)存裝置中。[0113]之后，在步驟S907中，可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片會(huì)被加熱，以使得可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的溫度提升到攝氏100度至攝氏600度之間。例如，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)通過(guò)與此可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片一起封裝的加熱器(例如，第一加熱器180-1)加熱此可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片，以致于此可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的溫度達(dá)到攝氏300度并持續(xù)一段預(yù)先定義時(shí)間(例如，20分鐘)。[0114]之后，在步驟S909中，儲(chǔ)存在暫存區(qū)的數(shù)據(jù)會(huì)被復(fù)制回此可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組(芯片)中，然后，圖9的流程會(huì)被終止。[0115]第二范例實(shí)施例[0116]第二范例實(shí)施例的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置的結(jié)構(gòu)與第一范例實(shí)施例的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置是類(lèi)似，其不同之處在于在第二范例實(shí)施例中可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的每一實(shí)體擦除單元皆配置有加熱電路并且存儲(chǔ)器控制器(或存儲(chǔ)器管理電路)會(huì)通過(guò)此些加熱電路來(lái)加熱實(shí)體擦除單元。以下將使用第一范例實(shí)施例的元件標(biāo)號(hào)來(lái)說(shuō)明第二范例實(shí)施例與第一范例實(shí)施例的差異之處。[0117]圖10是本發(fā)明第二范例實(shí)施例示出的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置的概要方塊圖。[0118]請(qǐng)參照?qǐng)D10，存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置900包括連接器102、存儲(chǔ)器控制器104與可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組906。[0119]可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組906電性連接至存儲(chǔ)器控制器104且用以?xún)?chǔ)存主機(jī)系統(tǒng)1000所寫(xiě)入的數(shù)據(jù)。可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組906具有實(shí)體擦除單元304(O)?304(R)。例如，實(shí)體擦除單兀304(0)?304(R)可屬于同一個(gè)存儲(chǔ)器晶?；蛘邔儆诓煌拇鎯?chǔ)器晶粒。每一實(shí)體擦除單元分別具有復(fù)數(shù)個(gè)實(shí)體程序化單元，并且屬于同一個(gè)實(shí)體擦除單元的實(shí)體程序化單元可被獨(dú)立地寫(xiě)入且被同時(shí)地擦除。例如，每一實(shí)體擦除單元是由128個(gè)實(shí)體程序化單元所組成。然而，必須了解的是，本發(fā)明不限于此，每一實(shí)體擦除單元也可由64個(gè)實(shí)體程序化單元、256個(gè)實(shí)體程序化單元或其他任意個(gè)實(shí)體程序化單元所組成。[0120]更詳細(xì)來(lái)說(shuō)，實(shí)體擦除單元為擦除的最小單位。亦即，每一實(shí)體擦除單元含有最小數(shù)目之一并被擦除的存儲(chǔ)胞。實(shí)體程序化單元為程序化的最小單元。即，實(shí)體程序化單元為寫(xiě)入數(shù)據(jù)的最小單元。每一實(shí)體程序化單元通常包括數(shù)據(jù)比特區(qū)與冗余比特區(qū)。數(shù)據(jù)比特區(qū)包含多個(gè)實(shí)體存取地址用以?xún)?chǔ)存使用者的數(shù)據(jù)，而冗余比特區(qū)用以?xún)?chǔ)存系統(tǒng)的數(shù)據(jù)(例如，控制信息與錯(cuò)誤更正碼)。在本范例實(shí)施例中，每一個(gè)實(shí)體程序化單元的數(shù)據(jù)比特區(qū)中會(huì)包含4個(gè)實(shí)體存取地址,且一個(gè)實(shí)體存取地址的大小為512比特組(byte)。然而,在其他范例實(shí)施例中，數(shù)據(jù)比特區(qū)中也可包含數(shù)目更多或更少的實(shí)體存取地址，本發(fā)明并不限制實(shí)體存取地址的大小以及個(gè)數(shù)。例如，在一范例實(shí)施例中，實(shí)體擦除單元為實(shí)體區(qū)塊，并且實(shí)體程序化單元為實(shí)體頁(yè)面或?qū)嶓w扇區(qū)，但本發(fā)明不以此為限。[0121]在本范例實(shí)施例中，可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組906為T(mén)LCNAND型快閃存儲(chǔ)器模組，即一個(gè)存儲(chǔ)胞中可儲(chǔ)存至少3個(gè)比特?cái)?shù)據(jù)。然而，本發(fā)明不限于此，可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組906也可是SLCNAND型快閃存儲(chǔ)器模組、MLCNAND型快閃存儲(chǔ)器模組、其他快閃存儲(chǔ)器模組或其他具有相同特性的存儲(chǔ)器模組。[0122]特別是，每一實(shí)體擦除單元304(O)?304(R)具有加熱電路。例如，如圖11所示，一個(gè)加熱電路是配置在構(gòu)成一個(gè)實(shí)體擦除單元的多個(gè)存儲(chǔ)胞之上。[0123]在本范例實(shí)施例中，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)記錄與監(jiān)控每個(gè)實(shí)體擦除單元的擦除次數(shù)，并且倘若其中一個(gè)實(shí)體擦除單元的擦除次數(shù)大于擦除次數(shù)門(mén)檻值時(shí)，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)通過(guò)對(duì)應(yīng)的加熱電路來(lái)加熱此實(shí)體擦除單元，由此提升此實(shí)體擦除單元的溫度至攝氏100度至攝氏600度之間以修復(fù)此實(shí)體擦除單元中劣化的存儲(chǔ)胞。[0124]例如，倘若實(shí)體擦除單元304(0)的擦除次數(shù)大于擦除次數(shù)門(mén)檻值時(shí)，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)將儲(chǔ)存在實(shí)體擦除單元304(O)中的數(shù)據(jù)復(fù)制到一個(gè)空的實(shí)體擦除單元(例如，實(shí)體擦除單元304(R))中，控制配置在實(shí)體擦除單元304(0)中的加熱電路來(lái)加熱實(shí)體擦除單元304(O)并且之后將復(fù)制到實(shí)體擦除單元304(R)回存至實(shí)體擦除單元304(0)中。[0125]圖12是本發(fā)明第二范例實(shí)施例示出的存儲(chǔ)器修復(fù)方法的流程圖。[0126]請(qǐng)參照?qǐng)D12，在步驟S1201中，記錄與監(jiān)控每一實(shí)體擦除單元的擦除次數(shù)。[0127]在步驟S1203中，判斷是否有任一個(gè)實(shí)體擦除單元的擦除次數(shù)大于擦除次數(shù)門(mén)檻值。[0128]倘若每個(gè)實(shí)體擦除單元的擦除次數(shù)都不大于擦除次數(shù)門(mén)檻值時(shí)，則流程返回步驟S1201。倘若其中一個(gè)實(shí)體擦除單元(以下稱(chēng)為第一實(shí)體擦除單元)的擦除次數(shù)大于擦除次數(shù)門(mén)檻值時(shí)，在步驟S1205中儲(chǔ)存在第一實(shí)體擦除單元中的數(shù)據(jù)會(huì)被復(fù)制到未儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的另一個(gè)實(shí)體擦除單元(以下稱(chēng)為第二實(shí)體擦除單元)中。然而，本發(fā)明不限于此。例如，儲(chǔ)存在第一實(shí)體擦除單元中的數(shù)據(jù)也可被復(fù)制到緩沖存儲(chǔ)器252。[0129]之后，在步驟S1207中，第一實(shí)體擦除單元會(huì)被加熱，以使得第一實(shí)體擦除單元的溫度上升至攝氏100度至攝氏600度之間。例如，存儲(chǔ)器控制器104(或存儲(chǔ)器管理電路202)會(huì)致能第一實(shí)體擦除單元的加熱電路，以致于第一實(shí)體擦除單元的溫度上升至攝氏450度并且維持一預(yù)定時(shí)間(例如，10分鐘)。[0130]之后，在步驟S1209中，復(fù)制到第二實(shí)體擦除單的數(shù)據(jù)會(huì)被回存至第一實(shí)體擦除單元并且流程會(huì)返回至步驟S1201。[0131]必須了解的是，盡管在本范例實(shí)施例中，加熱電路是配置在每一實(shí)體擦除單元的下方，但本發(fā)明不限于此。在另一范例實(shí)施例中，加熱電路是可配置在每一實(shí)體擦除單元的控制閘的上方(如圖13所示)。再者，在另一范例實(shí)施例中，實(shí)體擦除單元的下方與上方皆可配置加熱電路。[0132]必須了解的是，盡管在本范例實(shí)施例中，實(shí)體擦除單元的擦除次數(shù)會(huì)被用來(lái)衡量實(shí)體擦除單元的磨損程度，但本發(fā)明不限于此。例如，實(shí)體擦除單元的磨損程度也可根據(jù)實(shí)體擦除單元的寫(xiě)入次數(shù)、錯(cuò)誤比特?cái)?shù)、錯(cuò)誤比特比例或讀取次數(shù)來(lái)衡量。又或者，實(shí)體擦除單元的磨損程度也可以擦除次數(shù)、寫(xiě)入次數(shù)、錯(cuò)誤比特?cái)?shù)、錯(cuò)誤比特比例與讀取次數(shù)等參數(shù)之中的至少其中兩個(gè)參數(shù)的組合來(lái)計(jì)算。[0133]綜上所述，本發(fā)明的存儲(chǔ)器修復(fù)方法及控制器與儲(chǔ)存裝置會(huì)在可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的磨損到一定程度時(shí)，加熱可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組。基此，劣化的存儲(chǔ)胞可被修復(fù)以恢復(fù)其數(shù)據(jù)保存能力，由此延長(zhǎng)可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的壽命。[0134]最后應(yīng)說(shuō)明的是:以上各實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的范圍?！緳?quán)利要求】1.一種存儲(chǔ)器修復(fù)方法，用于一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組，其特征在于，包括:監(jiān)控該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的至少其中一部分的一磨損程度；以及當(dāng)該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的該至少其中一部分的該磨損程度大于一門(mén)檻值時(shí)，加熱該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的該至少其中一部分。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器修復(fù)方法，其特征在于，該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的該至少其中一部分的一溫度會(huì)被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器修復(fù)方法，其特征在于，該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組包括一第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組與一第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組，該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組是由一第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片與一第一加熱器封裝而成，并且該第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組是由一第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片與一第二加熱器封裝而成，其中監(jiān)控該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的磨損程度的步驟包括記錄該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的一磨損程度值，其中當(dāng)該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的該磨損程度大于該門(mén)檻值時(shí)，加熱該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的步驟包括:判斷該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的該磨損程度值是否大于該門(mén)檻值；倘若該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的該磨損程度值大于該門(mén)檻值時(shí)，將儲(chǔ)存在該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片上的一數(shù)據(jù)復(fù)制到該第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片中并且通過(guò)該第一加熱器加熱該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片，其中該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片會(huì)被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預(yù)設(shè)時(shí)間；以及將復(fù)制到該第二可復(fù)寫(xiě)式非`易失性存儲(chǔ)器芯片的該數(shù)據(jù)回存至該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片中。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器修復(fù)方法，其特征在于，該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組包括一第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組，并且該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組是由一第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片與一第一加熱器封裝而成，其中監(jiān)控該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的磨損程度的步驟包括記錄該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的一磨損程度值，其中當(dāng)該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的該磨損程度大于該門(mén)檻值時(shí)，加熱該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的步驟包括:判斷該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的該磨損程度值是否大于該門(mén)檻值；倘若該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的該磨損程度值大于該門(mén)檻值時(shí)，將儲(chǔ)存在該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片上的一數(shù)據(jù)復(fù)制到一緩沖存儲(chǔ)器中并且通過(guò)該第一加熱器加熱該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片，其中該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片會(huì)被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預(yù)設(shè)時(shí)間；以及將復(fù)制到該緩沖存儲(chǔ)器的該數(shù)據(jù)回存至該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片中。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器修復(fù)方法，其特征在于，該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組包括多個(gè)實(shí)體擦除單元并且每一該些實(shí)體擦除單元配置有一加熱電路，其中監(jiān)控該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的磨損程度的步驟包括記錄每一該些實(shí)體擦除單元的一磨損程度值，其中當(dāng)該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的該磨損程度值大于該門(mén)檻值時(shí)，加熱該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的步驟包括:判斷該些實(shí)體擦除單元之中的一第一實(shí)體擦除單元的一磨損程度值是否大于該門(mén)檻值；倘若該第一實(shí)體擦除單元的該磨損程度值大于該門(mén)檻值時(shí)，將儲(chǔ)存在該第一實(shí)體擦除單元上的一數(shù)據(jù)復(fù)制到該些實(shí)體擦除單元之中的一第二實(shí)體擦除單元中并且通過(guò)對(duì)應(yīng)該第一實(shí)體擦除單元的加熱電路加熱該第一實(shí)體擦除單元，其中該第一實(shí)體擦除單元會(huì)被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預(yù)設(shè)時(shí)間；以及將復(fù)制到該第二實(shí)體擦除單元的該數(shù)據(jù)回存至該第一實(shí)體擦除單元中。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲(chǔ)器修復(fù)方法，其特征在于，該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的該磨損程度值是根據(jù)該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的一擦除次數(shù)、一寫(xiě)入次數(shù)、一錯(cuò)誤比特?cái)?shù)、一錯(cuò)誤比特比例及一讀取次數(shù)的至少其中之一來(lái)計(jì)算。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器修復(fù)方法，其特征在于，該第一實(shí)體擦除單元的該磨損程度值是根據(jù)該第一實(shí)體擦除單元的一擦除次數(shù)、一寫(xiě)入次數(shù)、一錯(cuò)誤比特?cái)?shù)、一錯(cuò)誤比特比例及一讀取次數(shù)的至少其中之一來(lái)計(jì)算。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器修復(fù)方法，其特征在于，該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的該至少其中一部分為一存儲(chǔ)器晶粒或一存儲(chǔ)器區(qū)塊面。9.一種存儲(chǔ)器控制器，用于控制一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組，其特征在于，包括:一主機(jī)接口，用以電性連接至一主機(jī)`系統(tǒng)；一存儲(chǔ)器接口，用以電性連接至該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組；一緩沖存儲(chǔ)器；以及一存儲(chǔ)器管理電路，電性連接至該主機(jī)接口、該存儲(chǔ)器接口與該緩沖存儲(chǔ)器，并且用以監(jiān)控該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的至少其中一部分的一磨損程度，其中當(dāng)該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的該至少其中一部分的該磨損程度大于一門(mén)檻值時(shí)，該存儲(chǔ)器管理電路指示加熱該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的該至少其中一部分。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器控制器，其特征在于，該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的該至少其中一部分的一溫度會(huì)被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器控制器，其特征在于，該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組包括一第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組與一第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組，該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組是由一第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片與一第一加熱器封裝而成，并且該第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組是由一第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片與一第二加熱器封裝而成，其中在上述監(jiān)控該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的該至少一部分的該磨損程度的運(yùn)作中，該存儲(chǔ)器管理電路記錄該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的一磨損程度值，其中在上述當(dāng)該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的該至少其中之一的該磨損程度大于該門(mén)檻值時(shí)，加熱該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的該至少其中之一的運(yùn)作中，該存儲(chǔ)器管理電路會(huì)判斷該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的該磨損程度值是否大于該門(mén)檻值，其中倘若該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的該磨損程度值大于該門(mén)檻值時(shí)，該存儲(chǔ)器管理電路會(huì)將儲(chǔ)存在該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片上的一數(shù)據(jù)復(fù)制到該第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片中，通過(guò)該第一加熱器加熱該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片，并且將復(fù)制到該第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的該數(shù)據(jù)回存至該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片中，其中該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片會(huì)被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預(yù)設(shè)時(shí)間。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器控制器，其特征在于，該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組包括一第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組，并且該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組是由一第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片與一第一加熱器封裝而成，其中在上述監(jiān)控該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的該至少一部分的該磨損程度的運(yùn)作中，該存儲(chǔ)器管理電路記錄該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的一磨損程度值，其中在上述當(dāng)該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的該至少其中之一的該磨損程度大于該門(mén)檻值時(shí)，加熱該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的該至少其中之一的運(yùn)作中，該存儲(chǔ)器管理電路會(huì)判斷該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的該磨損程度值是否大于該門(mén)檻值，其中倘若該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的該磨損程度值大于該門(mén)檻值時(shí)，該存儲(chǔ)器管理電路會(huì)將儲(chǔ)存在該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片上的一數(shù)據(jù)復(fù)制到該緩沖存儲(chǔ)器中，通過(guò)該第一加熱器加熱該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片，并且將復(fù)制到該緩沖存儲(chǔ)器的該數(shù)據(jù)回存至該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片中，其中該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片會(huì)被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預(yù)設(shè)時(shí)間。13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器控制器，其特征在于，該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組包括多個(gè)實(shí)體擦除單元并且每一該些實(shí)體擦除單元配置有一加熱電路，其中上述在監(jiān)控該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的磨損程度的運(yùn)作中，該存儲(chǔ)器管理電路會(huì)記錄每一該些實(shí)體擦除單元的一磨損程度值，其中在上述當(dāng)該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的該至少其中之一的該磨損程度大于該門(mén)檻值時(shí)，加熱該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的該至少其中之一的運(yùn)作中，該存儲(chǔ)器管理電路會(huì)判斷該些實(shí)體擦除單元之中的一第一實(shí)體擦除單元的一磨損程度值是否大于該門(mén)檻值，其中倘若該第一實(shí)體擦除單元的該磨損程度值大于該門(mén)檻值時(shí)，該存儲(chǔ)器管理電路會(huì)將儲(chǔ)存在該第一實(shí)體擦除單元上的一數(shù)據(jù)復(fù)制到該些實(shí)體擦除單元之中的一第二實(shí)體擦除單元中，通過(guò)對(duì)應(yīng)該第一實(shí)體擦除單元的加熱電路加熱該第一實(shí)體擦除單元，并且將復(fù)制到該第二實(shí)體擦除單元的該數(shù)據(jù)回存至該第一實(shí)體擦除單元中，其中該第一實(shí)體擦除單元會(huì)被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預(yù)設(shè)時(shí)間。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器控制器，其特征在于，該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的該磨損程度值是根據(jù)該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的一擦除次數(shù)、一寫(xiě)入次數(shù)、一錯(cuò)誤比特?cái)?shù)、一錯(cuò)誤比特比例及一讀取次數(shù)的至少其中之一來(lái)計(jì)算。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲(chǔ)器控制器，其特征在于，該第一實(shí)體擦除單元的該磨損程度值是根據(jù)該第一實(shí)體擦除單元的一擦除次數(shù)、一寫(xiě)入次數(shù)、一錯(cuò)誤比特?cái)?shù)、一錯(cuò)誤比特比例及一讀取次數(shù)的至少其中之一來(lái)計(jì)算。16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器控制器，其特征在于，該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的該至少其中一部分為一存儲(chǔ)器晶?；蛞淮鎯?chǔ)器區(qū)塊面。17.一種存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，其特征在于，包括:一連接器，用以電性連接至一主機(jī)系統(tǒng)；一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組；以及一存儲(chǔ)器控制器，具有一緩沖存儲(chǔ)器且電性連接至該連接器與該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組，其中該存儲(chǔ)器控制器用以監(jiān)控該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的至少其中一部分的一磨損程度，其中當(dāng)該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的該至少其中一部分的該磨損程度大于一門(mén)檻值時(shí)，該存儲(chǔ)器控制器指示加熱該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的該至少其中一部分。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，其特征在于，該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的該至少其中一部分的一溫度會(huì)被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間。19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，其特征在于，該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組包括一第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組與一第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組，該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組是由一第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片與一第一加熱器封裝而成，并且該第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組是由一第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片與一第二加熱器封裝而成，其中在上述監(jiān)控該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的該至少一部分的該磨損程度的運(yùn)作中，該存儲(chǔ)器控制器記錄該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的一磨損程度值，其中在上述當(dāng)該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的該至少其中之一的該磨損程度大于該門(mén)檻值時(shí)，加熱該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的該至少其中之一的運(yùn)作中，該存儲(chǔ)器控制器會(huì)判斷該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的該磨損程度值是否大于該門(mén)檻值，其中倘若該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的該磨損程度值大于該門(mén)檻值時(shí)，該存儲(chǔ)器控制器會(huì)將儲(chǔ)存在該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片上的一數(shù)據(jù)復(fù)制到該第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片中，通過(guò)該第一加熱器加熱該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片，并且將復(fù)制到該第二可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的該數(shù)據(jù)回存至該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片中，其中該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片會(huì)被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預(yù)設(shè)時(shí)間。20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，其特征在于，該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組包括一第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組，并且該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器子模組是由一第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片與一第一加熱器封裝而成，其中在上述監(jiān)控該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的該至少一部分的該磨損程度的運(yùn)作中，該存儲(chǔ)器控制器記錄該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的一磨損程度值，其中在上述當(dāng)該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的該至少其中之一的該磨損程度大于該門(mén)檻值時(shí)，加熱該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的該至少其中之一的運(yùn)作中，該存儲(chǔ)器控制器會(huì)判斷該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的該磨損程度值是否大于該門(mén)檻值，其中倘若該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的該磨損程度值大于該門(mén)檻值時(shí)，該存儲(chǔ)器控制器會(huì)將儲(chǔ)存在該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片上的一數(shù)據(jù)復(fù)制到該緩沖存儲(chǔ)器中，通過(guò)該第一加熱器加熱該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片，并且將復(fù)制到該緩沖存儲(chǔ)器的該數(shù)據(jù)回存至該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片中，其中該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片會(huì)被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預(yù)設(shè)時(shí)間。21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，其特征在于，該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組包括多個(gè)實(shí)體擦除單元并且每一該些實(shí)體擦除單元配置有一加熱電路，其中上述在監(jiān)控該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的磨損程度的運(yùn)作中，該存儲(chǔ)器控制器會(huì)記錄每一該些實(shí)體擦除單元的一磨損程度值，其中在上述當(dāng)該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的該至少其中之一的該磨損程度大于該門(mén)檻值時(shí)，加熱該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的該至少其中之一的運(yùn)作中，該存儲(chǔ)器控制器會(huì)判斷該些實(shí)體擦除單元之中的一第一實(shí)體擦除單元的一磨損程度值是否大于該門(mén)檻值，其中倘若該第一實(shí)體擦除單元的該磨損程度值大于該門(mén)檻值時(shí)，該存儲(chǔ)器控制器會(huì)將儲(chǔ)存在該第一實(shí)體擦除單元上的一數(shù)據(jù)復(fù)制到該些實(shí)體擦除單元之中的一第二實(shí)體擦除單元中，通過(guò)對(duì)應(yīng)該第一實(shí)體擦除單元的加熱電路加熱該第一實(shí)體擦除單元，并且將復(fù)制到該第二實(shí)體擦除單元的該數(shù)據(jù)回存至該第一實(shí)體擦除單元中，其中該第一實(shí)體擦除單元會(huì)被加熱至介于攝氏100度至攝氏600度之間并且維持一預(yù)設(shè)時(shí)間。22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，其特征在于，該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的該磨損程度值是根據(jù)該第一可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器芯片的一擦除次數(shù)、一寫(xiě)入次數(shù)、一錯(cuò)誤比特?cái)?shù)、一錯(cuò)誤比特比例及一讀取次數(shù)的至少其中之一來(lái)計(jì)算。23.根據(jù)權(quán)利要求2`1所述的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，其特征在于，該第一實(shí)體擦除單元的該磨損程度值是根據(jù)該第一實(shí)體擦除單元的一擦除次數(shù)、一寫(xiě)入次數(shù)、一錯(cuò)誤比特?cái)?shù)、一錯(cuò)誤比特比例及一讀取次數(shù)的至少其中之一來(lái)計(jì)算。24.根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，其特征在于，該可復(fù)寫(xiě)式非易失性存儲(chǔ)器模組的該至少其中一部分為一存儲(chǔ)器晶?；蛞淮鎯?chǔ)器區(qū)塊面?！疚臋n編號(hào)】G11C29/44GK103871480SQ201310048377【公開(kāi)日】2014年6月18日申請(qǐng)日期:2013年2月6日優(yōu)先權(quán)日:2012年12月7日【發(fā)明者】林緯,許祐誠(chéng),鄭國(guó)義,張俊彥申請(qǐng)人:群聯(lián)電子股份有限公司