一種非易失性存儲器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種非易失性存儲器，所述非易失性存儲器包括多個扇區(qū)，所述扇區(qū)包括N條字線及M條位線，其中，每條字線包括M個存儲單元，所述M個存儲單元的柵端相連，所述M個存儲單元的漏端分別連接到M條位線上，相鄰字線中存儲單元的源端兩兩復(fù)用后連接到電源電壓VSOURCE；所述非易失性存儲器還包括：在相鄰扇區(qū)間連接K條字線Dummy?WordLine；其中，K為偶數(shù)。所述K為2。本發(fā)明可以有效解決傳統(tǒng)非易失性存儲器存儲單元布局中相鄰Sector間相鄰的字線耦合可能帶來的過擦除漏電的安全隱患。
【專利說明】—種非易失性存儲器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種非易失性存儲器。

【背景技術(shù)】
[0002]在傳統(tǒng)非易失性存儲器Cell Array (存儲單元布局)中，以Sectorx (扇區(qū))為例，當(dāng)對Sectorx進(jìn)行Erase (擦除)操作時,如果發(fā)生突然掉電或者Erase Suspend (暫停擦除)，那么Sectorx中的Cell就有可能存在大量的過擦除單元(Over Erased Cell),那么當(dāng)對與之相鄰Sector^進(jìn)行操作時,Sector^1中與Sectorx相鄰的WordLine (字線)WLN就會Couple (奉禹合)Sectorx中的WordLine (字線)WLl,如果WLl里Cell恰好存在前述的OverErased Cell (過擦除單元)，那么就會造成BitLine (位線)漏電,從而導(dǎo)致對Sectoiv1的操作失敗。
[0003]以傳統(tǒng)的非易失性存儲器為例，參照圖1，所示為一種傳統(tǒng)非易失性存儲器的結(jié)構(gòu)框圖。Sectorx_2、Sector^、Sectorx、Sectorx+1 代表 Cell Array 白勺 4 個連續(xù) Sector,其中,Sector是非易失性存儲器進(jìn)行Erase擦除操作的最小單位,多個Sector組成一個Block,整個非易失性存儲器則由多個Block組成。每個Sector由N條WL組成。以Sectorx為例，
由WLl、WL2......WLN共N條WordLine組成。每條WordLine由M個存儲器Cell單兀組成，其漏端分別連接到一條BitLine上，因此共有M條BitLine，即BLUBL2......BLM ;其源端兩兩復(fù)用后全部連接到VSOURCE電壓上。圖2所示的傳統(tǒng)非易失性存儲器Cell Array存在一個容易忽略但很嚴(yán)重的問題(仍以Sectorx為例說明)，當(dāng)對Sectorx進(jìn)行Erase操作時，如果發(fā)生突然掉電或者Erase Suspend(擦除暫停)，那么Sectorx中的Cell就有可能存在大量的Over Erased Cell,那么當(dāng)對與之相鄰的Sector^進(jìn)行操作時,Sector^中與 Sectorx 相鄰的 WordLine WLN 就會 Couple (稱合)Sectorx 中的 WordLine WLl,如果 WLl里Cell單元恰好存在前述的OvefErased Cell,那么就會造成BitLine漏電,從而導(dǎo)致對Sectorx^1的操作失敗。
[0004]因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員迫切需要解決的問題之一在于，提出了一種非易失性存儲器，可以有效預(yù)防過擦除漏電流，保證非易失性存儲器能安全使用。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種的非易失性存儲器，可以有效預(yù)防過擦除漏電流，保證非易失性存儲器能安全使用。
[0006]為了解決上述問題，本發(fā)明公開了一種非易失性存儲器，其特征在于，所述非易失性存儲器包括多個扇區(qū)，所述扇區(qū)包括N條字線及M條位線，其中，每條字線包括M個存儲單元，所述M個存儲單元的柵端相連,所述M個存儲單元的漏端分別連接到M條位線上,相鄰字線中存儲單元的源端兩兩復(fù)用后連接到電源電壓VSOURCE ;所述非易失性存儲器還包括:
[0007]在相鄰扇區(qū)間連接K條字線Dummy WordLine ;其中，K為偶數(shù)。
[0008]優(yōu)選地，所述K為2。
[0009]優(yōu)選地，所述在相鄰扇區(qū)間連接K條字線Dummy WordLine,每條字線DummyWordLine中相鄰存儲單元的柵端相連,其相鄰字線Dummy WordLine中存儲單元的源端兩兩復(fù)用后連接到電源電壓VSOURCE。
[0010]優(yōu)選地，所述在相鄰扇區(qū)間連接K條字線Dummy WordLine,每條字線DummyWordLine中存儲單元的漏端分別連接到M條位線上。
[0011]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明包括以下優(yōu)點(diǎn):
[0012]在現(xiàn)有非易失性存儲器存儲單元布局Cell Array的基礎(chǔ)上在相鄰Sector間間插了字線Drnnmy WordLine,可以有效解決傳統(tǒng)非易失性存儲器存儲單元布局中相鄰Sector間相鄰的字線耦合可能帶來的過擦除漏電的安全隱患。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1是一種傳統(tǒng)非易失性存儲器的結(jié)構(gòu)圖；
[0014]圖2是本發(fā)明的一種非易失性存儲器的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖。

【具體實(shí)施方式】
[0015]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0016]本發(fā)明的核心構(gòu)思之一在于，在現(xiàn)有的非易失性存儲器存儲單元布局Cell Array的基礎(chǔ)上在相鄰Sector間間插了字線Dummy WordLine,可以有效解決傳統(tǒng)非易失性存儲器存儲單元布局中相鄰Sector間相鄰的字線耦合可能帶來的過擦除漏電的安全隱患。
[0017]參照圖2，示出了本發(fā)明的一種非易失性存儲器的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，所述非易失性存儲器可以包括多個扇區(qū)，所述扇區(qū)可以包括N條字線及M條位線，其中，每條字線可以包括M個存儲單元,所述M個存儲單元的柵端相連,所述M個存儲單元的漏端分別連接到M條位線上，相鄰字線中存儲單元的源端兩兩復(fù)用后連接到電源電壓VSOURCE;所述非易失性存儲器還可以包括:
[0018]在相鄰扇區(qū)間連接K條字線Dummy WordLine ;其中，K為偶數(shù)。
[0019]參照圖1，所示為一種傳統(tǒng)非易失性存儲器的結(jié)構(gòu)圖，Sectorx_2、Sector^、Sectorx> Sectorx+1代表存儲單元布局Cell Array的4個連續(xù)Sector,其中，Sector是非易失性存儲器進(jìn)行Erase擦除操作的最小單位,多個Sector組成一個Block,整個非易失性存儲器則由多個Block組成。每個Sector由N條WL組成。以Sectorx為例，由WLl、
WL2......WLN共N條WordLine組成。每條WordLine由M個存儲器Cell單元組成,其漏端分別連接到一條BitLine上，因此共有M條BitLine，即BL1、BL2......BLM ;其源端兩兩復(fù)用后全部連接到VSOURCE電壓上。圖1所示的傳統(tǒng)非易失性存儲器存儲單元布局Cell Array存在一個容易忽略但很嚴(yán)重的問題(仍以Sectorx為例說明)，當(dāng)對Sectorx進(jìn)行Erase操作時，如果發(fā)生突然掉電或者Erase Suspend(擦除暫停)，那么Sectorx中的Cell就有可能存在大量的過擦除單元(Over Erased Cell),那么當(dāng)對與之相鄰的Sectoiv1進(jìn)行操作時，Sector^ 中與 Sectorx 相鄰的 WordLine WLN 就會 Couple (f禹合)Sectorx 中的 WordLineWL1，如果WLl里Cell恰好存在前述的Over Erased Cell，那么就會造成BitLine漏電，從而導(dǎo)致對Sectoiv1的操作失敗。
[0020]參照圖2，所示的本發(fā)明的一種非易失性存儲器結(jié)構(gòu)圖，Sectorx_2、Sector^1、Sectorx> Sectorx+1代表存儲單元布局Cell Array中的4個連續(xù)Sector,每個Sector由N
條 WordLine (WL)組成。以 Sectorx 為例,由 WL1>WL2......WLN 共 N 條 WordLine 組成。每條WL由M個存儲單元Cell組成，其漏端分別連接到一條BitLine (BL)上，因此共有M條BitLine，即BL1、BL2......BLM0其源端兩兩復(fù)用后全部連接到電源電壓VSOURCE上。
[0021]由于相鄰字線Wordline之間存在電容耦合(couple)，當(dāng)某操作需要在字線WLN上施加電壓時，電容耦合會將相鄰的且并不需要操作的字線WLl耦合到某個電壓，而不再是O電壓，這樣如果字線WLl里Cell單元恰好存在前述的過擦除單元(Over Erased Cell),那么就會造成BitLine漏電。
[0022]在具體實(shí)現(xiàn)中，可以通過在傳統(tǒng)非易失性存儲器的存儲單元布局的基礎(chǔ)上在相鄰Sector間間插字線Dummy WordLine (Dummy WLl和WL2,如圖2中Added部分所不)，由此可以解決傳統(tǒng)非易失性存儲器存儲單元布局中相鄰Sector間相鄰的字線稱合(WordLineCouple)可能帶來的過擦除漏電的安全隱患。
[0023]在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述在相鄰扇區(qū)間連接K條字線DummyWordLine,每條字線Dummy WordLine中相鄰存儲單元的柵端相連，其相鄰字線DummyWordLine中存儲單元的源端兩兩復(fù)用后連接到電源電壓VSOURCE。每條字線Du_yWordLine中存儲單元的漏端分別連接到M條位線上。
[0024]具體地，在非易失性存儲器中間插的字線Dummy Wordl ine可以和普通的Wordl ine在物理結(jié)構(gòu)上可以是一樣的，每條字線Dummy WordLine中相鄰存儲單元的柵端相連，其相鄰字線Du_y WordLine中存儲單元的源端兩兩復(fù)用后連接到電源電壓VSOURCE,另外,每條字線Dummy WordLine中存儲單元的漏端分別連接到M條位線上。
[0025]需要說明的是，接入的字線dummy wordline是不進(jìn)行操作的，因此把相鄰sector之間的相鄰Wordline在物理上隔開了，這樣相鄰sector間就不存在物理上的鄰居了，自然避免了字線稱合(wordline couple)可能帶來的過擦除漏電的安全隱患。
[0026]在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述K為2。
[0027]優(yōu)選地，在相鄰扇區(qū)間連接字線Dummy WordLine的條數(shù)K可以為2，這樣既可以有效防止對Sector進(jìn)行Erase操作或者其他操作時造成的BitLine漏電現(xiàn)象,也可以節(jié)省非易失性存儲器的制作成本。
[0028]當(dāng)然,在相鄰扇區(qū)間連接字線Dummy WordLine的條數(shù)K可以按具體需求連接不同的數(shù)目，本發(fā)明對此不做限制。
[0029]本說明書中的各個實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見即可。
[0030]以上對本發(fā)明所提供的一種非易失性存儲器，進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。
【權(quán)利要求】
1.一種非易失性存儲器，其特征在于，所述非易失性存儲器包括多個扇區(qū)，所述扇區(qū)包括N條字線及M條位線，其中，每條字線包括M個存儲單元，所述M個存儲單元的柵端相連，所述M個存儲單元的漏端分別連接到M條位線上，相鄰字線中存儲單元的源端兩兩復(fù)用后連接到電源電壓VSOURCE ;所述非易失性存儲器還包括: 在相鄰扇區(qū)間連接K條字線Drnnmy WordLine ;其中，K為偶數(shù)。
2.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述K為2。
3.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述在相鄰扇區(qū)間連接K條字線Dummy WordLine,每條字線Dummy WordLine中相鄰存儲單元的柵端相連,其相鄰字線DummyWordLine中存儲單元的源端兩兩復(fù)用后連接到電源電壓VS0URCE。
4.如權(quán)利要求2所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述在相鄰扇區(qū)間連接K條字線Dummy WordLine,每條字線Dummy WordLine中存儲單元的漏端分別連接到M條位線上。
【文檔編號】G11C16/14GK104051011SQ201310084053
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2013年3月15日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月15日
【發(fā)明者】蘇志強(qiáng), 丁沖, 張現(xiàn)聚 申請人:北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司