一種提高tlc閃存穩(wěn)定性的方法
【專利摘要】本發(fā)明針對某些TLC閃存相鄰區(qū)域如果存儲電平相同的話，存儲特性穩(wěn)定性下降的特性，對操作閃存的數(shù)據(jù)進行處理，以提高其穩(wěn)定性。屬于NAND閃存，尤其是TLC閃存操作領(lǐng)域。具體操作方法為：對寫入閃存的數(shù)據(jù)先進行加擾處理，實現(xiàn)數(shù)據(jù)離散化；然后再寫入閃存存儲單元；由此避免寫入閃存的相鄰數(shù)據(jù)相同的情況，提高TLC閃存的穩(wěn)定性；從閃存讀出數(shù)據(jù)后，先進行去擾處理，恢復(fù)原始數(shù)據(jù)后輸出。
【專利說明】一種提高TLC閃存穩(wěn)定性的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及NAND閃存，尤其是TLC閃存。
【背景技術(shù)】
[0002]目前市場上NAND閃存類型分為SLC、MLC、TLC三種類型。其中SLC(Single-LevelCell)，在I個存儲器儲存單元(cell)中存放I個位(bit)的資料;MLC (Mult1-LevelCell),在I個存儲器儲存單元(cell)中存放2個位(bit)的資料；而TLC(Trinary-LevelCell)，在I個存儲器儲存單元(cell)中存放3個位(bit)的資料，穩(wěn)定性最差。SLC速度快壽命長，約10萬次擦寫壽命，價格很高(約為MLC價格的3倍)；MLC速度一般，壽命一般，價格較高，約300010000次擦寫壽命；TLC也有Flash廠家叫8LC，價格低廉，但速度慢，穩(wěn)定性差，壽命短，在應(yīng)用中受到很多限制。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]為改善TLC穩(wěn)定性差的問題，本發(fā)明特提出一種操作TLC flash的處理方法。根據(jù)閃存的存儲特性，如果相鄰存儲單元之間的壓差大時，有利于保持閃存數(shù)據(jù)的有效和穩(wěn)定。本發(fā)明的主要目的是提供一種閃存寫入/讀出數(shù)據(jù)的處理方式，改變TLC閃存寫入的數(shù)據(jù)，使相鄰存儲單元之間始終保持?jǐn)?shù)據(jù)的差異性，在電氣特性上，表現(xiàn)為使其相鄰存儲單兀一直保持一定的電壓差。從而提高TLC閃存的數(shù)據(jù)穩(wěn)定性。
[0004]本發(fā)明涉及一種閃存寫入和讀出的管理方法，尤指一種將對寫入閃存數(shù)據(jù)進行加擾預(yù)處理，然后寫入閃存；對讀出數(shù)據(jù)進行去擾處理，恢復(fù)原文的數(shù)據(jù)操作管理方法。
[0005]本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的:
[0006]一種閃存寫入和讀出的管理方法，它包括向閃存寫入數(shù)據(jù)前先加擾處理和讀出數(shù)據(jù)后先進行去擾處理恢復(fù)原始數(shù)據(jù)。
[0007]閃存寫入數(shù)據(jù)的處理方法為:在向閃存寫入數(shù)據(jù)前，先對寫入數(shù)據(jù)進行加擾處理，將連續(xù)相同的數(shù)據(jù)打散，從而避免相同的數(shù)據(jù)寫入相鄰的存儲單元中。以避免TLC閃存之間相鄰存儲單元(cell)中的bit電平一致時導(dǎo)致穩(wěn)定性降低的問題。
[0008]閃存數(shù)據(jù)讀出的處理方法為:為將打散的閃存數(shù)據(jù)恢復(fù)成原來的數(shù)據(jù)，將對從閃存輸出的數(shù)據(jù)先進行去擾處理，恢復(fù)成原來的數(shù)據(jù)。
[0009]通過這種處理方式，提高閃存主要是TLC閃存數(shù)據(jù)存儲的穩(wěn)定性。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0010]圖1為本發(fā)明的數(shù)據(jù)處理流程框圖；
[0011]圖2為本發(fā)明數(shù)據(jù)寫入閃存處理流程圖；
[0012]圖3為本發(fā)明數(shù)據(jù)讀出閃存處理流程圖；
【具體實施方式】
[0013]以下結(jié)合附圖對本發(fā)明實例進行說明:
[0014]如圖1所示，裝置包括加擾模塊、去擾模塊、加擾去擾開關(guān)，閃存等主要模塊。
[0015]如圖2所示，數(shù)據(jù)寫入閃存處理流程步驟包括:
[0016]步驟1，收到數(shù)據(jù)寫入閃存指令；
[0017]步驟2，如果加擾使能開關(guān)打開，則對寫入的數(shù)據(jù)通過加擾模塊進行處理，然后寫入閃存。如果加擾使能開關(guān)關(guān)閉，則數(shù)據(jù)直接寫入閃存。加擾的方式可以根據(jù)加擾種子不同而不同，以適應(yīng)閃存的不同存儲特性。
[0018]如圖3所示，數(shù)據(jù)讀出閃存處理流程步驟包括:
[0019]步驟1，收到讀閃存指令，對閃存進行讀出操作；
[0020]步驟2，如果去擾使能開關(guān)打開，則對讀出的數(shù)據(jù)通過去擾模塊進行去擾處理，將原數(shù)據(jù)單元恢復(fù)。如果去擾使能開關(guān)關(guān)閉，則將閃存輸出的數(shù)據(jù)直接輸出。去擾的方式可以根據(jù)去擾種子不同而不同，去擾方式及去擾種子與加擾方式及加擾種子有一定相關(guān)性。
【權(quán)利要求】
1.一種提高TLC閃存穩(wěn)定性的方法，其特征在于:它包括數(shù)據(jù)寫入閃存前加擾，將數(shù)據(jù)打散；閃存數(shù)據(jù)讀出后先進行去擾處理，恢復(fù)原始數(shù)據(jù)的流程和方法。
【文檔編號】G11C16/06GK104167221SQ201310186054
【公開日】2014年11月26日 申請日期:2013年5月15日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月15日
【發(fā)明者】萬波 申請人:萬波, 王浩