對疊瓦式磁記錄（smr）的動(dòng)態(tài)磁道間距控制的制作方法
【專利摘要】對疊瓦式磁記錄（SMR）的動(dòng)態(tài)磁道間距控制。公開了一種SMR磁盤驅(qū)動(dòng)器和一種操作SMR磁盤驅(qū)動(dòng)器的方法。描述了SMR磁盤驅(qū)動(dòng)器，對磁道間距或磁寫入寬度進(jìn)行調(diào)整來補(bǔ)償外界溫度影響。在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)介質(zhì)溫度增加時(shí)，增加磁道間距?？梢詮尿?qū)動(dòng)器的溫度傳感器確定在寫操作期間磁介質(zhì)的溫度。在其他實(shí)施例中，基于磁寫入寬度（MWW）來調(diào)整磁道間距，該磁寫入寬度根據(jù)對先前寫入的數(shù)據(jù)磁道的回讀測試來確定。在替選實(shí)施例中，對MWW的寬度而不是磁道間距進(jìn)行調(diào)整。影響MWW的各種因素可以用來增加或減小MWW，包括寫入電流特性以及可用時(shí)的熱輔助參數(shù)。
【專利說明】對疊瓦式磁記錄(SMR)的動(dòng)態(tài)磁道間距控制【技術(shù)領(lǐng)域】[0001]本發(fā)明涉及對疊瓦寫入式磁記錄(SMR)設(shè)備的設(shè)計(jì)和操作領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]具有磁介質(zhì)的傳統(tǒng)磁盤驅(qū)動(dòng)器將數(shù)據(jù)組織在隔開的同心磁道中。疊瓦式寫入的概念是垂直磁記錄形式，并且已被提出作為增加磁記錄的面密度的方式。在疊瓦寫入式磁記錄(SMR)介質(zhì)中，寫入相鄰磁道的區(qū)(帶)，以與先前寫入的磁道重疊。與可以按照任何順序?qū)懭氲膫鹘y(tǒng)分離的磁道不同，疊瓦式磁道必須被順次寫入。在SMR驅(qū)動(dòng)器中的磁盤表面上的磁道被組織成多個(gè)疊瓦式區(qū)(也被稱為I區(qū))，其可以從內(nèi)徑(ID)到外徑(OD)或從OD到ID被順序?qū)懭搿Ｒ坏┰诏B瓦式結(jié)構(gòu)中被寫入，單個(gè)磁道就不能適當(dāng)?shù)乇桓?，因?yàn)槟菍⒏矊懖⑵茐闹丿B的磁道。因此，從用戶的角度，疊瓦寫入式數(shù)據(jù)磁道有時(shí)被認(rèn)為如同僅追加的日志結(jié)構(gòu)。為了提高SMR驅(qū)動(dòng)器的性能，將介質(zhì)的一部分分配給所謂的“例外區(qū)”(E區(qū))，該區(qū)被用作最終被寫入到I區(qū)的數(shù)據(jù)的暫存區(qū)。E區(qū)有時(shí)被稱為E緩存。E區(qū)也可選地是疊瓦式的。
[0003]在SMR驅(qū)動(dòng)器中，寫磁頭的有效寫入寬度比讀磁頭的有效讀出寬度較寬。典型地，在區(qū)中的最終數(shù)據(jù)磁道的寬度可通過SMR驅(qū)動(dòng)器的參數(shù)設(shè)置調(diào)整。例如，可以通過具有下一個(gè)磁道的較少重疊，使磁道寬度較寬。為了最大化數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量，較窄的磁道是期望的，但是不應(yīng)當(dāng)使磁道窄到使得數(shù)據(jù)在相鄰疊瓦式磁道的寫入期間被損壞。
[0004]在數(shù)據(jù)寫入時(shí)磁介質(zhì)的溫度影響磁介質(zhì)的磁導(dǎo)率。在較高的磁介質(zhì)溫度，相同寫磁頭磁場將寫入較寬的數(shù)據(jù)磁道，因?yàn)榇沤橘|(zhì)晶粒的切換閾值被降低。類似地，較低的磁介質(zhì)溫度需要較強(qiáng)的磁場來切換晶粒的極性，因此，寫磁頭所產(chǎn)生的相同磁場將導(dǎo)致較窄的磁道寬度。
[0005]熱輔助記錄(TAR)使用具有用于暫時(shí)加熱磁介質(zhì)的加熱元件的寫磁頭來使較小的磁介質(zhì)晶粒能夠以較弱的磁場被寫入。然而，加熱元件的功率和/或焦點(diǎn)可以隨著時(shí)間或?qū)懘蓬^的退化而改變，并且在寫操作期間變更介質(zhì)的溫度。
[0006]在疊瓦式磁記錄(SMR)中，環(huán)境溫度的改變可以使磁寫入寬度(MWW)改變。磁數(shù)據(jù)寬度當(dāng)在低溫度被寫入時(shí)可以比期望的磁道寬度較窄。在使用具有熱輔助元件(例如，TAR和微波輔助磁記錄(MAMR))的寫磁頭時(shí)，產(chǎn)生了額外的難題，因?yàn)檫@些元件的輸出會(huì)因年久而退化。
[0007]Mochizuki等人的美國專利7898755 (2011年3月I日)描述了用于測量復(fù)合磁頭的寫入寬度和/或讀出寬度的方法。通過使寫磁頭以指定速度在磁記錄介質(zhì)的徑向上移動(dòng)，以傾斜地跨越指定的磁道或與指定的磁道相鄰的磁道來寫入測試數(shù)據(jù)，來計(jì)算寫敏感的寬度。然后，讀磁頭傾斜地讀出記錄在該磁道中的測試數(shù)據(jù)以獲取讀電壓相對于磁道掃描時(shí)間的讀特性簡檔。通過使讀磁頭的測試數(shù)據(jù)掃描時(shí)間與指定的移動(dòng)速度相乘，獲取在磁頭的徑向上的移動(dòng)距離。
[0008]Kim等人的美國專利7102838 (2006年9月5日)描述了考慮到硬盤驅(qū)動(dòng)器的操作溫度的優(yōu)化記錄電流的方法，以及考慮到每英寸磁道(TPI)或相鄰磁道擦除(ATE)特性的設(shè)置記錄密度的方法。Kim描述了根據(jù)硬盤驅(qū)動(dòng)器的溫度，優(yōu)化寫入電流或過沖電流的傳統(tǒng)方法。寫入電流或過沖電流在低溫度下會(huì)增加。在改變記錄參數(shù)時(shí)，測量在與硬盤驅(qū)動(dòng)器的操作溫度相對應(yīng)的測試條件下的錯(cuò)誤率。選擇與最小錯(cuò)誤率相對應(yīng)的記錄參數(shù)值。
[0009]Wood等人的美國專利申請20100277827 (2010年11月4日)描述了響應(yīng)于磁頭的目前位置不在期望的位置的確定，調(diào)整到HDD的磁記錄頭的電流量，以引起磁記錄頭所產(chǎn)生的磁性寫入場強(qiáng)度的改變。如果磁記錄頭比期望的更遠(yuǎn)離被寫入的當(dāng)前磁道的邊緣，則增加到磁記錄頭的電流以引起磁性寫入場強(qiáng)度的增加。在一個(gè)實(shí)施例中，激光器指向磁盤的表面上的位置，以幫助寫過程。這給予對加熱的區(qū)域的溫度和大小的控制。Wood等人記錄了在磁記錄盤的表面的溫度和寫入磁記錄盤的加熱部分所需的磁性寫入場強(qiáng)度之間的關(guān)系。
[0010]在Chainer等的美國專利6611395 (2003年8月26日)中，描述了用于非SMR磁盤驅(qū)動(dòng)器的伺服寫入過程中的自適應(yīng)磁道密度的概念。伺服寫入作為初始制造過程的一部分發(fā)生，并且不被用來動(dòng)態(tài)調(diào)整場條件，諸如驅(qū)動(dòng)器的溫度。在Chainer的方法中，可以考慮磁介質(zhì)特性的靜態(tài)變化以及實(shí)際有效寫和讀磁頭尺寸，自適應(yīng)調(diào)整以適應(yīng)硬盤驅(qū)動(dòng)器中的每一個(gè)磁盤表面的伺服磁道間距。磁道間距還可以在單個(gè)磁盤的單側(cè)上的數(shù)據(jù)磁道的分離帶之中變化。
[0011]Uno的美國專利6437947(2002年8月20日)描述了基于磁盤組件的幾何體，兩個(gè)相鄰數(shù)據(jù)磁道的重疊區(qū)的變化。磁頭以根據(jù)在磁盤上的徑向位置而改變的方位角將信號(hào)記錄在磁盤上并且使其從磁盤再現(xiàn)。磁盤包括具有以小于或等于預(yù)先確定的值的方位角被記錄的磁道的第一記錄區(qū)、具有以大于預(yù)先確定的值的方位角被記錄的磁道的第二記錄區(qū)、以及其中兩個(gè)相互鄰近的磁道在磁盤的徑向上重疊的重疊區(qū)，其中在第一記錄區(qū)內(nèi)的磁道的磁道間距不同于在第二記錄區(qū)內(nèi)的磁道的磁道間距。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]本發(fā)明的一個(gè)SMR驅(qū)動(dòng)器實(shí)施例對磁道間距進(jìn)行調(diào)整以補(bǔ)償外界溫度影響。這允許SMR數(shù)據(jù)磁道寬度隨在寫入數(shù)據(jù)時(shí)磁介質(zhì)的溫度而改變。在現(xiàn)有技術(shù)中，SMR驅(qū)動(dòng)器試圖通過將磁頭物理定位在距先前寫入的相鄰磁道中心選擇的距離處，來保持?jǐn)?shù)據(jù)磁道間距恒定。然而，由于磁寫入寬度(MWW)根據(jù)溫度而變化，因此，有效數(shù)據(jù)磁道寬度也將變化，并且可能導(dǎo)致隨后的疊瓦式磁道比期望的更多地覆蓋先前磁道。
[0013]在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，使用溫度來為接下來的一系列寫操作選擇磁道間距。根據(jù)本發(fā)明，較高的溫度一般意味著需要較大的磁道間距來允許較寬的MWW，而較低的溫度導(dǎo)致較窄的MWW和較小的磁道間距。所選擇的磁道間距導(dǎo)致保護(hù)先前寫入的磁道不至于過度變窄。磁道間距隨溫度而變以使得對最大允許的溫度范圍選擇最大允許的磁道間距。類似地，對最低允許的溫度范圍選擇最小允許的磁道間距。在本發(fā)明的實(shí)施例中，在確定介質(zhì)的溫度之后，SMR驅(qū)動(dòng)器可以改變其參數(shù)以為隨后的疊瓦式寫入調(diào)整期望的數(shù)據(jù)磁道間距。
[0014]在寫操作期間磁介質(zhì)的近似溫度可以由溫度傳感器來確定。在替選實(shí)施例中，對磁寫入寬度(MWW)而不是溫度進(jìn)行測量?？梢愿鶕?jù)回讀測試寫入的數(shù)據(jù)磁道來確定MWW。在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)前磁寫入寬度(MWW)通過在自由區(qū)中執(zhí)行測試寫入，然后測量Mffff來進(jìn)行確定，MWff然后被用來設(shè)置針對實(shí)際MWW適當(dāng)偏移的磁道間距。E區(qū)中的自由區(qū)可以便利地用于測試寫入。相應(yīng)地，對在寫操作期間使用的參數(shù)表進(jìn)行更新。磁道間距的調(diào)整可以按預(yù)先確定的間隔、通過事件檢測或當(dāng)期望對設(shè)備的當(dāng)前性能進(jìn)行測試時(shí)根據(jù)需求來執(zhí)行。
[0015]在另一個(gè)替選實(shí)施例中，對MWW的寬度而不是磁道間距進(jìn)行調(diào)整?？梢允褂糜绊慚Wff的各種因素來朝目標(biāo)值增加或減少M(fèi)WW。所述因素包括寫入電流特性以及當(dāng)可用時(shí)的熱輔助參數(shù)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有磁道間距調(diào)整系統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的圖示。
[0017]圖2是本發(fā)明所解決的磁道間距問題的圖示。
[0018]圖3是在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，在介質(zhì)溫度增加時(shí)如何通過增加磁道間距來解決磁道間距問題的圖示。
[0019]圖4是圖示在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中的、在介質(zhì)溫度增加時(shí)通過增加磁道間距來調(diào)整磁道間距的方法的流程圖。
[0020]圖5是圖示在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中的、使用通過測試確定的測量的磁寫入寬度(MWff)來調(diào)整磁道間距的方法的流程圖。
[0021]圖6是圖示在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中的、使用通過測試確定的測量的磁寫入寬度(MWff)來調(diào)整磁寫入寬度(MWW)的方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的具有命令處理器21和磁道間距調(diào)整單元16的SMR數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備10的圖示。除如本文中所述的外，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備10根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)運(yùn)作，并且沒有示出執(zhí)行現(xiàn)有技術(shù)的功能的系統(tǒng)各方面。主機(jī)/用戶11可以是任何類型的計(jì)算機(jī)類設(shè)備，并且可以通過任何手段，包括通過網(wǎng)絡(luò)與驅(qū)動(dòng)器通信。術(shù)語“用戶”將與“主機(jī)”可替換地使用。多個(gè)主機(jī)也可以使用現(xiàn)有技術(shù)來與驅(qū)動(dòng)器通信。
[0023]系統(tǒng)電子元件可以被包括在現(xiàn)有技術(shù)的單片系統(tǒng)中，這是將以下全部包括在單個(gè)芯片中的集成電路:如所示的命令處理器21、磁道間距調(diào)整單元16和用于磁道寫入?yún)?shù)22的非易失性存儲(chǔ)器，以及現(xiàn)有技術(shù)的主機(jī)接口、控制器、伺服功能、微處理器、固件程序等。在替選實(shí)施例中，如將在下面描述的，磁道間距調(diào)整單元由磁寫入寬度調(diào)整單元替代。
[0024]磁頭23包括用于每一個(gè)磁盤表面的讀和寫磁頭。薄膜12是磁性薄膜涂層，其典型地被涂敷在硬盤(未示出)的上和下表面上，以及驅(qū)動(dòng)器還可以具有多個(gè)磁盤。在圖1中以橫截面視圖示出膜12。在平面圖中，區(qū)(region)是在磁盤旋轉(zhuǎn)時(shí)在磁頭下經(jīng)過的多個(gè)同心圓形帶。磁性薄膜被格式化以供在SMR體系結(jié)構(gòu)中使用，并且在該實(shí)施例中，包括磁盤E區(qū)16、I區(qū)13 (也被稱為I磁道區(qū))、寫緩存區(qū)14 (也被稱為寫兩次緩存區(qū))以及防護(hù)區(qū)或帶15。盡管在圖1中僅示出了一個(gè)，然而，設(shè)備可以在每一個(gè)磁盤表面上有多個(gè)E區(qū)16，并且通常存在多個(gè)磁盤表面。
[0025]根據(jù)來自磁道間距調(diào)整單元16的輸出，對磁道寫入?yún)?shù)22進(jìn)行更新。圖1中所示的實(shí)施例包括可選的介質(zhì)溫度傳感器17，其可以是任何標(biāo)準(zhǔn)類型的傳感器，諸如熱敏電阻器。介質(zhì)溫度傳感器17應(yīng)當(dāng)被定位在驅(qū)動(dòng)器中在提供在一個(gè)或多個(gè)磁盤上的薄膜12的溫度的良好表示，但是不需要與旋轉(zhuǎn)的磁盤接觸的位置。在替選實(shí)施例中，替代或除使用溫度傳感器外，MWff可以通過讀/寫測試得以測量。
[0026]圖2是本發(fā)明所解決的問題的圖示。在附圖的左側(cè)，磁道41-43已在介質(zhì)溫度在相對低值時(shí)使用預(yù)先確定的磁道間距按照疊瓦式順序被寫入。在該示例中，每一個(gè)磁道被寫入成與先前磁道重疊了大約50%。虛線43C圖示了磁道43的近似中心線。假設(shè)在磁道43已被寫入之后在隨后磁道44被寫入之前存在時(shí)間間隙。該附圖的右側(cè)示出了在后面時(shí)間，當(dāng)介質(zhì)的溫度已增加并且磁道44使用與在較低溫度下使用的相同的磁道間距來被寫入時(shí),發(fā)生的情況。較高的溫度導(dǎo)致磁道44的MWW比磁道43的較寬。因此，磁道43的可讀區(qū)域已被減少到低于目標(biāo)50%的值，這使其潛在地不可靠。
[0027]圖3是在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，在介質(zhì)溫度增加時(shí)如何通過增加磁道間距來解決磁道間距問題的圖示。在該實(shí)施例中，增加的溫度引起設(shè)備增加在磁道43和磁道44之間的磁道間距。因此，根據(jù)本發(fā)明，中心線44C比在沒用基于溫度的磁道間距調(diào)整的情況具有距中心線43C較大的分離。在一個(gè)實(shí)施例中，選擇磁道間距的增加以偏移在兩個(gè)溫度之間的MWW的增加的大約一半，從而導(dǎo)致被覆寫的先前寫入的磁道的近似恒定的百分比。
[0028]圖4是圖示在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中的、在介質(zhì)溫度增加時(shí)通過增加磁道間距來調(diào)整磁道間距的方法的流程圖。對表示介質(zhì)溫度的所選定溫度進(jìn)行測量51。該溫度可以被周期性測量或由選擇的事件觸發(fā)，但是其不必在每個(gè)寫操作之前被測量。待確定以調(diào)整磁道間距的相關(guān)溫度是在新的數(shù)據(jù)被寫入時(shí)的溫度；例如，當(dāng)對磁道_奸1進(jìn)行寫入時(shí)，在對磁道_N+1進(jìn)行寫入期間的溫度是重要溫度。由于SMR數(shù)據(jù)寫入的疊瓦進(jìn)程，例如，對于寫磁頭、讀磁頭和重疊區(qū)域的幾何大小，在磁道_N的寫入期間的溫度不重要。
[0029]下一個(gè)階段是，將該溫度映射到預(yù)先確定的選擇的磁道間距或等價(jià)的磁道寫入?yún)?shù)52。然后，在下一個(gè)更新發(fā)生之前，將該更新的磁道間距用于對疊瓦式磁道進(jìn)行寫入。該映射使較高的溫度一般對應(yīng)于較大的磁道間距值。該映射可以為離散增量，使得某一范圍的溫度值映射到單個(gè)磁道間距?？梢詫囟茸兓秶成涞娇梢允褂抿?qū)動(dòng)器的伺服系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn)的磁道間距的離散增量。
[0030]可用于命令處理器和/或磁道間距調(diào)整單元、用于將當(dāng)前溫度映射到特定磁道寫入?yún)?shù)的手段可以是具有以經(jīng)驗(yàn)為主地預(yù)先確定的值的查找表或等價(jià)地產(chǎn)生類似結(jié)果的公式或算法。必須為驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)以經(jīng)驗(yàn)為主地確定準(zhǔn)確值。
[0031]磁道間距隨溫度而變，因此，針對最大允許的溫度范圍選擇最大允許的磁道間距。類似地，針對最低允許的溫度范圍選擇最小允許的磁道間距。
[0032]當(dāng)前溫度可以使用如圖1中所示的可選傳感器17通過測量來檢測。然而，替選地，磁道間距調(diào)整單元16可以在寫入實(shí)際數(shù)據(jù)之前執(zhí)行測試寫入，來確定當(dāng)前MWW。圖5是圖示在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中的、使用測量的磁寫入寬度(MWW) 61來調(diào)整磁道間距的方法的流程圖。測試寫入可以便利地在E區(qū)中被執(zhí)行，該E區(qū)是SMR體系結(jié)構(gòu)中的暫時(shí)存儲(chǔ)區(qū)域。
[0033]一旦確定了當(dāng)前MWW，則可以相應(yīng)地，基于為驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)預(yù)先確定的經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)對磁道寫入?yún)?shù)中的磁道間距進(jìn)行調(diào)整，其中較高的MWW —般對應(yīng)于大的磁道間距值62。從第一低MWW到第二較高M(jìn)WW的磁道間距的增加應(yīng)當(dāng)是MWW的增加的大約一半，以一般地確保MWff的增加不使先前寫入的磁道變窄，如圖2和3中所示。
[0034]在替選實(shí)施例中，對MWW的寬度，而不是磁道間距進(jìn)行調(diào)整。在該實(shí)施例中，磁道間距調(diào)整單元由MWW調(diào)整單元替代。在圖6中所示的方法中，如上所述，測量當(dāng)前磁寫入寬度(MWff)61。如現(xiàn)有技術(shù)已知的，存在影響MWW的各種因素，其可以用來增加或減小MWW72。例如，在使用熱輔助的驅(qū)動(dòng)器中，可以向上或向下調(diào)整正被寫入的介質(zhì)的局部點(diǎn)的溫度。另一個(gè)方法是，對進(jìn)入寫磁頭的寫入電流進(jìn)行調(diào)整。又一個(gè)方法是，對進(jìn)入寫磁頭的過沖電流進(jìn)行調(diào)整。然后，在進(jìn)行下一個(gè)MWff測量之前，使用新近選擇的MWff參數(shù)來對疊瓦式磁道進(jìn)行寫入73。
【權(quán)利要求】
1.一種操作SMR磁盤驅(qū)動(dòng)器的方法，包括: 測量所述磁盤驅(qū)動(dòng)器中的選定溫度，所述選定溫度表示磁盤上的薄膜磁介質(zhì)溫度；以及 使用所述選定溫度為下一個(gè)疊瓦式寫操作選擇磁道間距，所選擇的磁道間距隨所述溫度而變以使得對最大溫度選擇最大磁道間距并且對最小溫度選擇最小磁道間距，所述選擇的磁道間距通過所述下一個(gè)疊瓦式寫操作產(chǎn)生先前寫入的磁道的部分重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中用于所述寫操作的磁寫入寬度隨所述選定溫度的值而變化，以及所述選擇的磁道間距至少部分補(bǔ)償所述磁寫入寬度的變化。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述選定溫度的第一值對應(yīng)于第一磁寫入寬度，以及高于所述第一值的所述選定溫度的第二值對應(yīng)于高于所述第一磁寫入寬度的第二磁寫入寬度，并且對所述選定溫度的第二值選擇磁道間距，使得該磁道間距較之對所述第一值選擇的磁道間距高出的量近似等于所述第一磁寫入寬度和所述第二磁寫入寬度之間的差的一半。
4.一種操作SMR磁盤驅(qū)動(dòng)器的方法，包括: 通過在磁盤上的薄膜磁介質(zhì)中執(zhí)行測試寫入和讀出來測量當(dāng)前磁寫入寬度；以及 使用所述當(dāng)前磁寫入寬度為下一個(gè)疊瓦式寫操作選擇磁道間距，所述磁道間距隨所述當(dāng)前磁寫入寬度而變以使得對最大磁寫入寬度選擇最大磁道間距并且對最小磁寫入寬度選擇最小磁道間距，所選擇的磁道間距產(chǎn)生對磁寫入寬度的改變的補(bǔ)償。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中選擇磁道間距還包括把所述磁寫入寬度的改變映射到所述選擇的磁道間距的改`變，使得所述磁道間距改變的量近似等于磁寫入寬度的改變的一半。
6.一種操作SMR磁盤驅(qū)動(dòng)器的方法，包括: 通過使用第一寫入?yún)?shù)集在磁盤上的薄膜磁介質(zhì)中執(zhí)行測試寫入和讀出來測量當(dāng)前磁寫入寬度；以及 通過調(diào)整一個(gè)或多個(gè)寫入?yún)?shù)，對所述磁寫入寬度進(jìn)行調(diào)整以符合預(yù)先確定的值。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中對所述磁寫入寬度進(jìn)行調(diào)整還包括改變寫入電流參數(shù)以增加或減小所述磁寫入寬度。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中對所述磁寫入寬度進(jìn)行調(diào)整還包括改變熱輔助參數(shù)以增加或減小所述薄膜磁介質(zhì)的溫度。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中對所述磁寫入寬度進(jìn)行調(diào)整還包括改變過沖電流以增加或減小所述薄膜磁寫入寬度。
10.一種SMR磁盤驅(qū)動(dòng)器,包括: 溫度傳感器，用于測量表示磁盤上的磁介質(zhì)溫度的選定溫度；以及 磁道間距調(diào)整單元，通過使用所述選定溫度為下一個(gè)寫操作選擇磁道間距來調(diào)整寫磁道間距，所選擇的磁道間距隨所述選定溫度而變以使得對最大溫度選擇最大磁道間距并且對最小溫度選擇最小磁道間距，所述選擇的磁道間距通過所述下一個(gè)寫操作產(chǎn)生先前寫入的磁道的部分重疊。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的SMR磁盤驅(qū)動(dòng)器，其中用于所述寫操作的磁寫入寬度隨所述選定溫度而增加，以及所述磁道間距單元通過增加所述磁道間距來調(diào)整磁寫入寬度的增加。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的SMR磁盤驅(qū)動(dòng)器，其中所述選擇的磁道間距隨所述選定溫度而變以使得所述磁道間距隨溫度增加的量近似等于用于所述選定溫度的第一值和第二值的磁寫入寬度的增加的一半，其中所述第二值高于所述第一值。
13.—種SMR磁盤驅(qū)動(dòng)器,包括: 磁盤上的磁介質(zhì)，被組織成至少一個(gè)E區(qū)和一個(gè)疊瓦式I區(qū)；以及 磁道間距調(diào)整單元，使用由所述磁介質(zhì)中的寫入和讀出測試數(shù)據(jù)確定的測量磁寫入寬度值為所述I區(qū)中的下一個(gè)疊瓦式寫操作選擇磁道間距，由此對寫磁道間距進(jìn)行調(diào)整，所選擇的磁道間距隨所述測量磁寫入寬度值而變以使得對最大測量磁寫入寬度值選擇最大磁道間距并且對最小測量磁寫入寬度選擇最小磁道間距，所述選擇的磁道間距至少部分補(bǔ)償所述磁寫入寬度值的改變。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的SMR磁盤驅(qū)動(dòng)器，其中所述選擇的磁道間距隨磁寫入寬度值增加的量近似等于用于所述磁寫入寬度的第一值和第二值的磁寫入寬度的增加的一半，其中所述第二值高于所述第一值。
15.—種SMR磁盤驅(qū)動(dòng)器,包括: 磁盤上的磁介質(zhì)，被組織成至少一個(gè)E區(qū)和一個(gè)疊瓦式I區(qū)；以及 磁寫入寬度調(diào)整單元，其使用第一寫入?yún)?shù)集測量由所述磁介質(zhì)中的寫入和讀出測試數(shù)據(jù)確定的第一磁寫入寬度值為所述I區(qū)中的下一個(gè)疊瓦式寫操作選擇寫參數(shù)，由此對所述磁寫入寬度進(jìn)行調(diào)整，以 及然后選擇第二寫入?yún)?shù)集來調(diào)整所述磁寫入寬度值以對應(yīng)于預(yù)先確定的目標(biāo)值。
【文檔編號(hào)】G11B5/56GK103514886SQ201310235041
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2013年6月14日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月14日
【發(fā)明者】田邊宏康, 財(cái)津英樹, 赤城協(xié), 伊藤直人 申請人:Hgst荷蘭有限公司