非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)及偏壓非易失性存儲(chǔ)器的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)及偏壓非易失性存儲(chǔ)器的方法。非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)包括存儲(chǔ)器單元陣列及耦接至存儲(chǔ)器單元陣列的偏壓電路。偏壓電路包括控制器及偏壓產(chǎn)生器。控制器用以在抹除周期后對(duì)存儲(chǔ)器單元陣列進(jìn)行抹除確認(rèn)動(dòng)作，其中當(dāng)存儲(chǔ)器單元陣列的至少一部份未通過(guò)抹除確認(rèn)動(dòng)作時(shí)，控制器產(chǎn)生一控制信號(hào)且傳送該控制信號(hào)至偏壓產(chǎn)生器。偏壓產(chǎn)生器提供第一電壓至存儲(chǔ)器單元陣列，直至接收到從控制器傳送的控制信號(hào)為止。當(dāng)偏壓產(chǎn)生器接收從控制器的控制信號(hào)時(shí)，偏壓產(chǎn)生器根據(jù)控制信號(hào)，增加提供至存儲(chǔ)器單元陣列的第一電壓至一第二電壓。
【專利說(shuō)明】非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)及偏壓非易失性存儲(chǔ)器的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)及偏壓存儲(chǔ)器的方法，且特別是有關(guān)于一種非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)及偏壓非易失性存儲(chǔ)器的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]非易失性存儲(chǔ)器裝置(如快閃存儲(chǔ)器)已廣泛地使用于多種電子應(yīng)用中。一般而言，非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)確保100，000次或更多的程序化及抹除周期。在多次程序化及抹除周期之后，非易失性存儲(chǔ)器的指定區(qū)塊將被穿隧氧化層的退化(Tunnel OxideDegradat1n)磨耗,其產(chǎn)生低轉(zhuǎn)導(dǎo)(Transconductance, gm)值的存儲(chǔ)單元。為了抹除確定(Erase Verify)這些低轉(zhuǎn)導(dǎo)值的存儲(chǔ)單元至目標(biāo)臨界電壓VT，需要更多的抹除脈沖，其導(dǎo)致存儲(chǔ)單元會(huì)過(guò)分抹除(over-erased)。
[0003]為了將過(guò)分抹除的存儲(chǔ)單元降至最低，非易失性存儲(chǔ)器裝置可在抹除之前執(zhí)行一預(yù)程序化動(dòng)作，而在抹除之后執(zhí)行一抹除后程序化(Post Program)動(dòng)作。抹除之后的抹除后程序化動(dòng)作將恢復(fù)過(guò)分抹除的存儲(chǔ)單元到正臨界電壓VT范圍。但是，倘若已被過(guò)分抹除的存儲(chǔ)單元遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出抹除后程序化能力，抹除后程序化動(dòng)作則可能會(huì)失敗。
[0004]隨著技術(shù)精簡(jiǎn)以及抹除區(qū)塊的尺寸增加，逐位元(bit-by_bit，BbB)抹除后程序化動(dòng)作已被引進(jìn)，其容許較低的柵極電壓Vg及正常漏極電壓Vd。但是，即使采用逐位元(BbB)抹除后程序化動(dòng)作時(shí)，如果臨界電壓窗過(guò)大而高位元線漏電存在的話。隨著程序化及抹除周期會(huì)增加，如何改善具有不同偏壓機(jī)制的抹除后程序化功能成為各方研究重點(diǎn)之一。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，以及一種偏壓非易失性存儲(chǔ)器的方法。
[0006]本發(fā)明的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，包括存儲(chǔ)器單元陣列及偏壓電路。存儲(chǔ)器單元陣列包括多個(gè)位元線、多個(gè)字元線與多個(gè)耦接至位元線及字元線的儲(chǔ)存單位。偏壓電路耦接至存儲(chǔ)器單元陣列。偏壓電路包括控制器及偏壓產(chǎn)生器?？刂破骺刂拼鎯?chǔ)器單元陣列的動(dòng)作，且控制器更用以在一抹除周期后對(duì)存儲(chǔ)器單元陣列進(jìn)行一抹除確認(rèn)動(dòng)作。其中，當(dāng)存儲(chǔ)器單元陣列的至少一部份未通過(guò)抹除確認(rèn)動(dòng)作時(shí)，控制器產(chǎn)生一控制信號(hào)且傳送控制信號(hào)至偏壓產(chǎn)生器。偏壓產(chǎn)生器與控制器耦接。偏壓產(chǎn)生器提供一第一電壓至存儲(chǔ)器單元陣列，直至偏壓產(chǎn)生器接收到從控制器傳送的控制信號(hào)為止。當(dāng)偏壓產(chǎn)生器接收從控制器的控制信號(hào)時(shí)，偏壓產(chǎn)生器根據(jù)控制信號(hào)，增加提供至存儲(chǔ)器單元陣列的第一電壓至一第二電壓。
[0007]本發(fā)明的偏壓包含存儲(chǔ)器單元陣列的非易失性存儲(chǔ)器之方法，包括下列步驟。在非易失性存儲(chǔ)器的一抹除周期后，通過(guò)使用非易失性存儲(chǔ)器的偏壓電路中的控制器，初始化一地址計(jì)數(shù)值及一失敗計(jì)數(shù)值。然后，對(duì)存儲(chǔ)器單元陣列進(jìn)行一抹除確認(rèn)動(dòng)作。當(dāng)存儲(chǔ)器單元陣列的至少一部份未通過(guò)抹除確認(rèn)動(dòng)作時(shí)，產(chǎn)生一控制信號(hào)且傳送控制信號(hào)至偏壓電路中的偏壓產(chǎn)生器。接著，提供一第一電壓至存儲(chǔ)器單元陣列，直至偏壓產(chǎn)生器接收到該控制信號(hào)為止。當(dāng)偏壓產(chǎn)生器接收從控制器的控制信號(hào)時(shí)，根據(jù)控制信號(hào)，增加提供至存儲(chǔ)器單元陣列的第一電壓至一第二電壓。
[0008]基于上述，根據(jù)本發(fā)明的上述實(shí)施例，本發(fā)明之非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)及偏壓非易失性存儲(chǔ)器的方法采用不同偏壓機(jī)制，以緊縮確認(rèn)電壓電平及減少位元線的漏電流，因而可避免程序化失敗，且延長(zhǎng)非易失性存儲(chǔ)器的壽命。
[0009]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說(shuō)明如下。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010]圖1A為傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器中全新存儲(chǔ)器單元的臨界電壓分布窗的示意圖。
[0011]圖1B為傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)器單元經(jīng)數(shù)個(gè)抹除周期后的臨界電壓分布窗的示意圖。
[0012]圖2為依照本發(fā)明一實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)的示意圖。
[0013]圖3為依照本發(fā)明一實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)的示意圖。
[0014]圖4為依照本發(fā)明一實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)的感測(cè)放大器的示意圖。
[0015]圖5A為傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)器單元經(jīng)數(shù)個(gè)抹除周期后的臨界電壓分布窗的示意圖。
[0016]圖5B為依照本發(fā)明一實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)中存儲(chǔ)器單元的臨界電壓分布窗的示意圖。
[0017]圖6為依照本發(fā)明一實(shí)施例的偏壓非易失性存儲(chǔ)器的方法的流程圖。
[0018]其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下:
[0019]200、300:非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)
[0020]210:偏壓電路
[0021]220:控制器
[0022]230:偏壓產(chǎn)生器
[0023]240:存儲(chǔ)器單元陣列
[0024]311:處理器
[0025]312:指定晶體管
[0026]313:存儲(chǔ)器單元
[0027]321:位元線偏壓產(chǎn)生器
[0028]322:字元線偏壓產(chǎn)生器
[0029]400:感測(cè)放大器
[0030]410:第一負(fù)載
[0031]420:第二負(fù)載
[0032]430:主要單元
[0033]440:參考單元
[0034]CTRL:控制信號(hào)
[0035]FC:失敗計(jì)數(shù)值
[0036]1:主要單元電流
[0037]I’:參考單元電流
[0038]VT:臨界電壓
[0039]WL:共用字元線
[0040]S610?S690:偏壓非易失性存儲(chǔ)器的方法的各步驟

【具體實(shí)施方式】
[0041]現(xiàn)將詳細(xì)參考本發(fā)明之示范性實(shí)施例，在附圖中說(shuō)明所述示范性實(shí)施例之實(shí)例。另外，凡可能之處，在圖式及實(shí)施方式中使用相同標(biāo)號(hào)的元件/構(gòu)件/符號(hào)代表相同或類似部分。
[0042]圖1A為傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器中全新存儲(chǔ)器單元的臨界電壓分布窗的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1A，橫軸代表傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器中多個(gè)存儲(chǔ)器單元的臨界電壓(ThresholdVoltage, VT)，而縱軸代表存儲(chǔ)器單元的數(shù)量。另外，虛線曲線代表于一抹除周期后存儲(chǔ)器單元的臨界電壓VT分布窗(Distribut1n Window),實(shí)線曲線表示于一抹除周期后傳統(tǒng)抹除后程序化動(dòng)作所造成的臨界電壓VT分布窗，而兩垂直實(shí)線代表臨界電壓VT分布窗之下界。圖1B為傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)器單元經(jīng)數(shù)個(gè)抹除周期后的臨界電壓分布窗的示意圖。如圖1B所示，相較于圖1A，由于低轉(zhuǎn)導(dǎo)值(gm)的存儲(chǔ)單元，經(jīng)數(shù)個(gè)抹除周期后存儲(chǔ)器單元所表示的虛線曲線已變得較寬。另外，由于傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器中的高位元線漏電，經(jīng)數(shù)個(gè)抹除周期后的抹除后程序化時(shí)間亦變得較長(zhǎng)。因此，倘若因柵極低電壓或漏極低電壓而導(dǎo)致抹除后程序化的功能不足的話，非易失性存儲(chǔ)器中的存儲(chǔ)器單元就無(wú)法達(dá)到目標(biāo)臨界電壓VT。
[0043]如圖1A與圖1B所示，因抹除后程序化動(dòng)作后，介于圖1A (全新存儲(chǔ)單元)與圖1B(循環(huán)之后)間的臨界電壓\分布窗的實(shí)際下界相同，額外的寄生問(wèn)題則會(huì)發(fā)生在傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器中。然而，相較于圖1A，更多在傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器中的存儲(chǔ)器單元分布于圖1B的下界附近。因此，在傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器中，未指定存儲(chǔ)器單元上的截止電流(OffCurrent)在循環(huán)后將會(huì)增加。當(dāng)程序化非易失性存儲(chǔ)器時(shí)，由于耦接至浮置柵極的非易失性存儲(chǔ)器的位元線漏電的產(chǎn)生，截止電流被稱為漏極導(dǎo)通電流(Drain Turn-On Current)。據(jù)此，隨著抹除周期的增加，應(yīng)緊縮確認(rèn)電壓電平，以便降低漏電流來(lái)避免抹除后程序化動(dòng)作之后程序化失敗，并且臨界電壓VT分布窗會(huì)變成接近于圖1A所示的全新存儲(chǔ)器單元狀態(tài)。
[0044]圖2為依照本發(fā)明一實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2，依照本發(fā)明一實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)200包括偏壓電路210及存儲(chǔ)器單元陣列240。偏壓電路210包括控制器220及偏壓產(chǎn)生器230。存儲(chǔ)器單元陣列240可包括多個(gè)位元線、多個(gè)字元線與多個(gè)耦接至位元線及字元線的非易失性儲(chǔ)存單位。為了清楚起見(jiàn)，非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)200的其他構(gòu)件，例如行/列控制電路、狀態(tài)機(jī)及指令電路并未繪示于圖中。在本實(shí)施例中，控制器220適用于控制存儲(chǔ)器單元陣列240的動(dòng)作。另外，控制器220用以在一抹除周期后對(duì)存儲(chǔ)器單元陣列240進(jìn)行一抹除確認(rèn)動(dòng)作，其中當(dāng)存儲(chǔ)器單元陣列240的至少一部份未通過(guò)抹除確認(rèn)動(dòng)作時(shí)，控制器220產(chǎn)生一控制信號(hào)CTRL且傳送控制信號(hào)CTRL至偏壓產(chǎn)生器230。偏壓產(chǎn)生器230與控制器220耦接。偏壓產(chǎn)生器230提供第一電壓至存儲(chǔ)器單元陣列240，直至偏壓產(chǎn)生器230接收到從控制器220傳送的控制信號(hào)CTRL接收為止。而當(dāng)偏壓產(chǎn)生器230接收到控制器220的控制信號(hào)CTRL時(shí)，偏壓產(chǎn)生器230根據(jù)控制信號(hào)CTRL，增加提供至存儲(chǔ)器單元陣列240的第一電壓至一第二電壓。
[0045]圖3為依照本發(fā)明一實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D3，在本實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)300中，控制器220可包括處理器311及儲(chǔ)存媒體(未繪示)。處理器311可以根據(jù)儲(chǔ)存于控制器220之儲(chǔ)存媒體的程序碼，適用于執(zhí)行偏壓非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)300的方法。另外，雖然在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，偏壓產(chǎn)生器230可能僅有位元線偏壓產(chǎn)生器321或字元線偏壓產(chǎn)生器322，但是偏壓產(chǎn)生器230可以包括位元線偏壓產(chǎn)生器321及字元線偏壓產(chǎn)生器322。在本實(shí)施例中，位元線偏壓產(chǎn)生器321與存儲(chǔ)器單元陣列240的至少一位元線耦接。當(dāng)后程序化時(shí)，位元線偏壓產(chǎn)生器321根據(jù)控制信號(hào)CTRL，提供第二電壓至存儲(chǔ)器單元陣列240的該至少一位元線(例如，指定晶體管312)。字元線偏壓產(chǎn)生器322與存儲(chǔ)器單元陣列240的至少一字元線耦接。字元線偏壓產(chǎn)生器322根據(jù)控制信號(hào)CTRL，提供第二電壓至存儲(chǔ)器單元陣列240的該至少一字元線(例如，存儲(chǔ)器單元313)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，于每一周期內(nèi)，存儲(chǔ)器單元陣列240的部份未通過(guò)抹除確認(rèn)動(dòng)作時(shí)，控制器220中的處理器311分別增進(jìn)一失敗計(jì)數(shù)值(Fail Count (FC))，例如處理器311所產(chǎn)生的內(nèi)部計(jì)數(shù)值(未繪示)，且處理器311根據(jù)失敗計(jì)數(shù)值FC產(chǎn)生控制信號(hào)CTRL。
[0046]圖4為依照本發(fā)明一實(shí)施例的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)的感測(cè)放大器的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D4，本實(shí)施例的感測(cè)放大器400耦接于第一負(fù)載410與第二負(fù)載420之間。其中，第一負(fù)載410與第二負(fù)載420分別與存儲(chǔ)器單元陣列240之主要單元430及參考單元440耦接。在本實(shí)施例中，根據(jù)失敗計(jì)數(shù)值FC，調(diào)整第一負(fù)載410對(duì)第二負(fù)載420的一負(fù)載比率。通過(guò)調(diào)整感測(cè)放大器400的負(fù)載，可緊縮存儲(chǔ)器單元陣列240的確認(rèn)電壓電平，且可減少位元線漏電流。在一示范例子(如圖4所示)中，假設(shè)在抹除后程序化確認(rèn)讀取動(dòng)作期間，第二負(fù)載420為第一負(fù)載410的一半，而主要單元430及參考單元440將具有共用字元線WL。隨著后程序化次數(shù)增加，主要單元電流I增加參考單元電流I’的一半。因此，當(dāng)字元線電壓增加時(shí)，主要單元430在確認(rèn)讀取動(dòng)作期間所需的電流少于參考單元440，其造成推擠VT分布窗的下界高于全新存儲(chǔ)器單元，繪示于圖5B中。相較于圖5A(其為傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)器單元經(jīng)數(shù)個(gè)抹除周期后的臨界電壓VT分布窗的示意圖)，圖5B顯示出臨界電壓VT分布窗的下界在本實(shí)施例的抹除后程序化動(dòng)作后明顯較高。
[0047]參照上述說(shuō)明，可取得包含存儲(chǔ)器單元陣列的非易失性存儲(chǔ)器的偏壓方法。圖6為依照本發(fā)明一實(shí)施例的偏壓非易失性存儲(chǔ)器的方法的流程圖。舉例來(lái)說(shuō)，圖6所描述的方法可以通過(guò)繪示于圖3的控制器220中的處理器311來(lái)執(zhí)行。其中，實(shí)施圖6的方法的程序碼可儲(chǔ)存于控制器220的儲(chǔ)存媒體中。請(qǐng)參照?qǐng)D6，在步驟S610中，在非易失性存儲(chǔ)器的抹除周期之后(例如，圖3的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)300)，通過(guò)使用非易失性存儲(chǔ)器的偏壓電路中的控制器，初始化一地址計(jì)數(shù)值及一失敗計(jì)數(shù)值。在步驟S630中，對(duì)存儲(chǔ)器單元陣列進(jìn)行一抹除確認(rèn)動(dòng)作(例如，抹除后程序化確認(rèn)動(dòng)作)。倘若存儲(chǔ)器單元陣列通過(guò)步驟S630的抹除后程序化確認(rèn)動(dòng)作，然后判斷該地址計(jì)數(shù)值是否為最大值(步驟S640)。在步驟S620中，當(dāng)?shù)刂酚?jì)數(shù)值不是為最大值時(shí)，增進(jìn)該地址計(jì)數(shù)值且重置(Reset)失敗計(jì)數(shù)值。另一方面，當(dāng)?shù)刂酚?jì)數(shù)值為最大值時(shí)，終止偏壓非易失性存儲(chǔ)器的方法。倘若存儲(chǔ)器單元陣列的至少一部份未通過(guò)步驟S630的抹除確認(rèn)動(dòng)作，則繼續(xù)進(jìn)行步驟S650。亦即，于每一周期內(nèi)，存儲(chǔ)器單元陣列的部份未通過(guò)步驟S630的抹除確認(rèn)動(dòng)作時(shí)，分別增進(jìn)失敗計(jì)數(shù)值。如步驟S660至步驟S680所示，取決于失敗計(jì)數(shù)值是否介于不同參數(shù)值之間(由X、Y和Z表示)，偏壓產(chǎn)生器在存儲(chǔ)器單元陣列的字元線及/或位元線上施加不同的電壓Vg，進(jìn)而求得感測(cè)放大器的負(fù)載比率。存儲(chǔ)器單元陣列之感測(cè)放大器可耦接于第一負(fù)載與第二負(fù)載之間，而第一負(fù)載及第二負(fù)載分別與存儲(chǔ)器單元陣列的主要單元及參考單元耦接。倘若失敗計(jì)數(shù)值低于第一參數(shù)值X (步驟S660)，施加于存儲(chǔ)器陣列的至少一位元線及/或字元線的電壓Vg將設(shè)定為第一電壓(例如，維持于一預(yù)設(shè)電壓)，并且在步驟S665中，調(diào)整負(fù)載比率為第一負(fù)載比率(例如，維持于一預(yù)設(shè)負(fù)載比率)。倘若失敗計(jì)數(shù)值介于第一參數(shù)值X與第二參數(shù)值Y之間(步驟S670)，施加于存儲(chǔ)器陣列的至少一位元線及/或字元線的電壓Vg將設(shè)定為第二電壓(例如，增加該預(yù)設(shè)電壓)，并且在步驟S675中，調(diào)整負(fù)載比率為第二負(fù)載比率。倘若失敗計(jì)數(shù)值介于第二參數(shù)值Y與第三參數(shù)值Z之間(步驟S680)，施加于存儲(chǔ)器陣列的至少一位元線及/或字元線的電壓Vg將設(shè)定為第三電壓(例如，增加該預(yù)設(shè)電壓)，并且調(diào)整負(fù)載比率為第三負(fù)載比率。需注意的是，在本實(shí)施例中，參數(shù)值X、Y、Z可根據(jù)一實(shí)際運(yùn)作條件來(lái)設(shè)定，例如非易失性存儲(chǔ)器的所需壽命。隨后，根據(jù)負(fù)載比率及電壓Vg，對(duì)該存儲(chǔ)器單元陣列施加一抹除后程序化脈沖，并且返回至步驟S630。
[0048]綜上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，本發(fā)明的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)及偏壓非易失性存儲(chǔ)器的方法采用不同偏壓機(jī)制，以緊縮確認(rèn)電壓電平及減少位元線的漏電流，因而可避免程序化失敗，且延長(zhǎng)非易失性存儲(chǔ)器的壽命。
[0049]雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請(qǐng)專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，包括: 一存儲(chǔ)器單元陣列，包括多個(gè)位元線、多個(gè)字元線與多個(gè)耦接至所述多個(gè)位元線及所述多個(gè)字元線的非易失性儲(chǔ)存單位；以及 一偏壓電路，耦接至該存儲(chǔ)器單元陣列，包括: 一控制器，控制該存儲(chǔ)器單元陣列的動(dòng)作，該控制器用以在一抹除周期后對(duì)該存儲(chǔ)器單元陣列進(jìn)行一抹除確認(rèn)動(dòng)作，其中當(dāng)該存儲(chǔ)器單元陣列的至少一部份未通過(guò)該抹除確認(rèn)動(dòng)作時(shí)，該控制器產(chǎn)生一控制信號(hào)且傳送該控制信號(hào)至一偏壓產(chǎn)生器；以及 該偏壓產(chǎn)生器，耦接至該控制器，其中該偏壓產(chǎn)生器提供一第一電壓至該存儲(chǔ)器單元陣列，直至偏壓產(chǎn)生器接收到從該控制器傳送的該控制信號(hào)為止，而當(dāng)該偏壓產(chǎn)生器接收從該控制器的該控制信號(hào)時(shí)，該偏壓產(chǎn)生器根據(jù)該控制信號(hào)，增加提供至該存儲(chǔ)器單元陣列的該第一電壓至一第二電壓。
2.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中該偏壓產(chǎn)生器包括: 一位元線偏壓產(chǎn)生器，耦接至該存儲(chǔ)器單元陣列的至少一位元線，其中該位元線偏壓產(chǎn)生器根據(jù)該控制信號(hào)，提供該第二電壓至該存儲(chǔ)器單元陣列的該至少一位元線。
3.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中該偏壓產(chǎn)生器包括: 一字元線偏壓產(chǎn)生器，耦接至該存儲(chǔ)器單元陣列的至少一字元線，其中該字元線偏壓產(chǎn)生器根據(jù)該控制信號(hào)，提供該第二電壓至該存儲(chǔ)器單元陣列的該至少一字元線。
4.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中于每一周期內(nèi)，該存儲(chǔ)器單元陣列的該部份未通過(guò)該抹除確認(rèn)動(dòng)作時(shí)，該控制器分別增進(jìn)一失敗計(jì)數(shù)值，且根據(jù)該失敗計(jì)數(shù)值，通過(guò)該控制器產(chǎn)生該控制信號(hào)。
5.如權(quán)利要求4所述的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，還包括: 一感測(cè)放大器，耦接于一第一負(fù)載與一第二負(fù)載之間，其中該第一負(fù)載及該第二負(fù)載分別與該存儲(chǔ)器單元陣列的一主要單元及一參考單元耦接。
6.如權(quán)利要求5所述的非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中 根據(jù)該失敗計(jì)數(shù)值調(diào)整該第一負(fù)載對(duì)該第二負(fù)載的一負(fù)載比率。
7.一種偏壓包括一存儲(chǔ)器單元陣列的一非易失性存儲(chǔ)器的方法，該方法包括: 在該非易失性存儲(chǔ)器的一抹除周期后，通過(guò)使用該非易失性存儲(chǔ)器的一偏壓電路中的一控制器，初始化一地址計(jì)數(shù)值及一失敗計(jì)數(shù)值； 對(duì)該存儲(chǔ)器單元陣列進(jìn)行一抹除確認(rèn)動(dòng)作； 當(dāng)該存儲(chǔ)器單元陣列的至少一部份未通過(guò)該抹除確認(rèn)動(dòng)作時(shí)，產(chǎn)生一控制信號(hào)且傳送該控制信號(hào)至該偏壓電路中的一偏壓產(chǎn)生器；以及 提供一第一電壓至該存儲(chǔ)器單元陣列，直至該偏壓產(chǎn)生器接收到該控制信號(hào)為止，且當(dāng)該偏壓產(chǎn)生器接收從該控制器的該控制信號(hào)時(shí)，根據(jù)該控制信號(hào)，增加提供至該存儲(chǔ)器單元陣列的該第一電壓至一第二電壓。
8.如權(quán)利要求7所述的偏壓非易失性存儲(chǔ)器的方法，其中根據(jù)該控制信號(hào)增加提供至該存儲(chǔ)器單元陣列的該第一電壓至一第二電壓的步驟還包括: 根據(jù)該控制信號(hào)，提供該第二電壓至該存儲(chǔ)器單元陣列的至少一位元線。
9.如權(quán)利要求7所述的偏壓非易失性存儲(chǔ)器的方法，其中根據(jù)該控制信號(hào)增加提供至該存儲(chǔ)器單元陣列的該第一電壓至一第二電壓的步驟還包括: 根據(jù)該控制信號(hào)，提供該第二電壓至該存儲(chǔ)器單元陣列的至少一字元線。
10.如權(quán)利要求7所述的偏壓非易失性存儲(chǔ)器的方法，其中對(duì)該存儲(chǔ)器單元陣列進(jìn)行該抹除確認(rèn)動(dòng)作的步驟還包括: 于每一周期內(nèi)，該存儲(chǔ)器單元陣列的該部份未通過(guò)該抹除確認(rèn)動(dòng)作時(shí)，分別增進(jìn)該失敗計(jì)數(shù)值，其中根據(jù)該失敗計(jì)數(shù)值，產(chǎn)生該控制信號(hào)。
11.如權(quán)利要求10所述的偏壓非易失性存儲(chǔ)器的方法，其中該方法還包括: 耦接該存儲(chǔ)器單元陣列的一感測(cè)放大器于一第一負(fù)載與一第二負(fù)載之間，且分別耦接該第一負(fù)載及該第二負(fù)載至該存儲(chǔ)器單元陣列的一主要單元及一參考單元。
12.如權(quán)利要求11所述的偏壓非易失性存儲(chǔ)器的方法，其中該方法還包括: 根據(jù)該失敗計(jì)數(shù)值，調(diào)整該第一負(fù)載對(duì)該第二負(fù)載的一負(fù)載比率。
13.如權(quán)利要求7所述的偏壓非易失性存儲(chǔ)器的方法，其中該方法還包括: 當(dāng)該地址計(jì)數(shù)值不是為最大值時(shí)，增進(jìn)該地址計(jì)數(shù)值；以及 當(dāng)該地址計(jì)數(shù)值是為最大值時(shí)，終止偏壓該非易失性存儲(chǔ)器。
【文檔編號(hào)】G11C16/14GK104425030SQ201310364202
【公開(kāi)日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2013年8月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月20日
【發(fā)明者】柳弼相, 葉潤(rùn)林 申請(qǐng)人:華邦電子股份有限公司