半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)包括：半導(dǎo)體存儲器，所述半導(dǎo)體存儲器被配置成：將多個(gè)刷新特性信息提供給外部電路，以及響應(yīng)于多個(gè)自動(dòng)刷新命令來執(zhí)行自動(dòng)刷新操作；以及存儲器控制器，所述存儲器控制器被配置成：將根據(jù)多個(gè)刷新特性信息而產(chǎn)生的多個(gè)自動(dòng)刷新命令提供給半導(dǎo)體存儲器。
【專利說明】半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求2013年2月20日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的申請?zhí)枮?0-2013-0018041的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用合并于此。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]各種實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體電路，更具體而言，涉及一種半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0004]圖1是說明根據(jù)已知技術(shù)的半導(dǎo)體存儲器I的配置的框圖。
[0005]根據(jù)已知技術(shù)的半導(dǎo)體存儲器具有多個(gè)獨(dú)立操作的通道。
[0006]S卩，如圖1中所示，根據(jù)已知技術(shù)的半導(dǎo)體存儲器I包括多個(gè)通道CHANNEL A至CHANNEL D0
[0007]所述多個(gè)通道CHANNEL A至CHANNEL D中的每個(gè)包括外圍電路塊。
[0008]在易失性半導(dǎo)體存儲器的情況下，除非執(zhí)行刷新操作，否則信息最終會消失。因此，諸如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)的半導(dǎo)體存儲器應(yīng)當(dāng)執(zhí)行刷新操作。
[0009]因此，根據(jù)已知技術(shù)的半導(dǎo)體存儲器I包括用于確定刷新操作周期、即自我刷新操作周期的刷新周期信號發(fā)生塊。
[0010]所述多個(gè)通道CHANNEL A至CHANNEL D共用刷新周期信號發(fā)生塊中產(chǎn)生的刷新周期信號SPER10D，并且響應(yīng)于刷新周期信號SPER10D而執(zhí)行刷新操作。
[0011]因?yàn)樗龆鄠€(gè)通道CHANNEL A至CHANNEL D共用刷新周期信號SPER10D，所以所述多個(gè)通道CHANNEL A至CHANNEL D的刷新周期是基于在測試過程(例如，晶圓測試)中判斷出的具有最差刷新特性的通道來確定的。
[0012]與刷新特性好的通道相比，刷新特性差的通道需要頻繁地執(zhí)行刷新操作。
[0013]因此，根據(jù)已知技術(shù)，由于刷新特性好的通道也利用與刷新特性差的通道大體相同的周期來執(zhí)行刷新操作，產(chǎn)生了不必要的電流消耗，導(dǎo)致半導(dǎo)體存儲器的整體電流消耗增加。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0014]本文描述了一種能夠減小電流消耗的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)。
[0015]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)包括:半導(dǎo)體存儲器，所述半導(dǎo)體存儲器被配置成:將多個(gè)刷新特性信息提供給外部，以及響應(yīng)于多個(gè)自動(dòng)刷新命令來執(zhí)行自動(dòng)刷新操作；以及存儲器控制器，所述存儲器控制器被配置成:將根據(jù)多個(gè)刷新特性信息而產(chǎn)生的多個(gè)自動(dòng)刷新命令提供給半導(dǎo)體存儲器。
[0016]存儲器控制器可以被配置成根據(jù)多個(gè)刷新特性信息來獨(dú)立地設(shè)定多個(gè)自動(dòng)刷新命令的周期。
[0017]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)包括:半導(dǎo)體存儲器，所述半導(dǎo)體存儲器被配置成:根據(jù)相應(yīng)通道的刷新特性而將多個(gè)刷新特性信息提供給外部、響應(yīng)于多個(gè)自動(dòng)刷新命令而執(zhí)行用于相應(yīng)通道的自動(dòng)刷新操作、以及停止與多個(gè)自我刷新停止命令相對應(yīng)的通道的自我刷新操作；以及存儲器控制器，所述存儲器控制器被配置成將多個(gè)自動(dòng)刷新命令和多個(gè)自我刷新停止命令提供給半導(dǎo)體存儲器。
[0018]存儲器控制器可以被配置成根據(jù)通道使用信息來選擇性地激活多個(gè)自動(dòng)刷新命令和多個(gè)自我刷新停止命令。
[0019]本技術(shù)的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)能夠減小電流消耗。
[0020]在一個(gè)實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)包括:自我刷新周期控制單元，所述自我刷周期控制單元被配置成根據(jù)內(nèi)部設(shè)定信息而產(chǎn)生多個(gè)自我刷新周期信號，每個(gè)自我刷新周期信號具有獨(dú)立的周期；以及多個(gè)半導(dǎo)體存儲器單元區(qū)，所述多個(gè)半導(dǎo)體存儲器單元區(qū)被配置成具有彼此不同的刷新特性，并且每個(gè)半導(dǎo)體存儲器單元區(qū)響應(yīng)于多個(gè)自我刷新周期信號中的一個(gè)而執(zhí)行自我刷新操作。
[0021]在一個(gè)實(shí)施例中，一種存儲系統(tǒng)包括:存儲器控制器，所述存儲器控制器被配置成根據(jù)多個(gè)刷新特性信息而產(chǎn)生多個(gè)自動(dòng)刷新命令；以及半導(dǎo)體存儲器，所述半導(dǎo)體存儲器被配置成:根據(jù)相應(yīng)通道的刷新特性而將多個(gè)刷新特性信息提供給外部電路，以及響應(yīng)于多個(gè)自動(dòng)刷新命令而執(zhí)行用于相應(yīng)通道的自動(dòng)刷新操作。
[0022]在一個(gè)實(shí)施例中，一種電子設(shè)備包括:半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)，所述半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)與中央處理單元通信地耦接；所述半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)包括:存儲器控制器，所述存儲器控制器被配置成根據(jù)多個(gè)刷新特性信息來產(chǎn)生多個(gè)自動(dòng)刷新命令；以及半導(dǎo)體存儲器，所述半導(dǎo)體存儲器被配置成:根據(jù)相應(yīng)通道的刷新特性而將多個(gè)刷新特性信息提供給外部電路，以及響應(yīng)于多個(gè)自動(dòng)刷新命令而執(zhí)行用于相應(yīng)通道的自動(dòng)刷新操作。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]結(jié)合附圖來描述本發(fā)明的特點(diǎn)、方面和實(shí)施例，其中:
[0024]圖1是說明根據(jù)已知技術(shù)的半導(dǎo)體存儲器I的配置的框圖；
[0025]圖2是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)100的配置的框圖；
[0026]圖3是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖2中的半導(dǎo)體存儲器300的配置的框圖；
[0027]圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖3中的自我刷新周期控制單元800的電路圖；以及
[0028]圖5是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖4中的初步周期信號Period〈2:5>的波形圖；
[0029]圖6是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的存儲系統(tǒng)的框圖；
[0030]圖7是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電子設(shè)備或計(jì)算系統(tǒng)的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]在下文中，將參照附圖通過本發(fā)明的各種實(shí)施例來詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)。
[0032]圖2是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)100的配置的框圖。[0033]如圖2中所示，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)100包括存儲器控制器200和半導(dǎo)體存儲器300。
[0034]半導(dǎo)體存儲器300被配置成根據(jù)內(nèi)部設(shè)定信息而利用用于每個(gè)通道的獨(dú)立的周期來執(zhí)行自我刷新操作。
[0035]此外，半導(dǎo)體存儲器300被配置成:根據(jù)相應(yīng)通道的刷新特性而將多個(gè)刷新特性信息INF_SREF〈A:D>提供給外部電路、響應(yīng)于多個(gè)自動(dòng)刷新命令A(yù)REF〈A:D>而執(zhí)行用于相應(yīng)通道的自動(dòng)刷新操作、以及停止與多個(gè)自我刷新停止命令DIS_SREF〈A:D>相對應(yīng)的通道的自我刷新操作。
[0036]存儲器控制器200被配置成將所述多個(gè)自動(dòng)刷新命令A(yù)REF〈A:D>和所述多個(gè)自我刷新停止命令DIS_SREF〈A: D>提供給半導(dǎo)體存儲器300。所述多個(gè)自動(dòng)刷新命令A(yù)REF〈A: D>和所述多個(gè)自我刷新停止命令DIS_SREF〈A:D>可以根據(jù)半導(dǎo)體存儲器300的相應(yīng)通道的刷新特性來產(chǎn)生。例如，所述多個(gè)自動(dòng)刷新命令A(yù)REF〈A:D>和所述多個(gè)自我刷新停止命令DIS_SREF<A:D>可以根據(jù)通道使用信息和所述多個(gè)刷新特性信息INF_SREF〈A:D>來產(chǎn)生。
[0037]存儲器控制器200可以識別關(guān)于半導(dǎo)體存儲器300的哪些通道已被使用的通道使用信息。即，存儲器控制器200可以識別半導(dǎo)體存儲器300的哪些存儲器單元已被用來儲存數(shù)據(jù)。例如，存儲器控制器200可以根據(jù)通道使用信息來識別半導(dǎo)體存儲器300的哪些存儲器單元中沒有數(shù)據(jù)。
[0038]當(dāng)每個(gè)通道具有不同的刷新特性時(shí)，刷新特性信息INF_SREF〈A:D>中的每個(gè)可以被設(shè)定成具有不同的值。例如，刷新特性信息INF_SREF〈A:D>的第一信息INF_SREF〈A>可以與刷新特性信息INF_SREF〈A:D>的第二信息INF_SREF〈B>不同。刷新特性可以在每個(gè)通道的測試過程(例如，晶圓測試)中測量。
[0039]刷新特性信息INF_SREF〈A:D>可以被設(shè)定成使得刷新特性差的通道的刷新周期短。
[0040]因此，存儲器控制器200能夠根據(jù)刷新特性信息INF_SREF〈A:D>來識別每個(gè)通道的刷新特性。
[0041]圖3是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖2中的半導(dǎo)體存儲器300的配置的框圖。
[0042]如圖3中所示，圖2的半導(dǎo)體存儲器300包括多個(gè)通道(在下文中，被稱作為通道A、通道B、通道C以及通道D) 400,500,600以及700和自我刷新周期控制單元800。
[0043]通道A400包括外圍電路塊410。盡管在附圖中未示出，但是通道A400還包括具有存儲區(qū)和輸入/輸出電路的核心塊(未不出)。
[0044]外圍電路塊410被配置成:將刷新特性信息INF_SREF〈A>提供給存儲器控制器200、響應(yīng)于自動(dòng)刷新命令A(yù)REF〈A>而執(zhí)行自動(dòng)刷新操作、以及響應(yīng)于自我刷新周期信號SPER10D_<A>而執(zhí)行自我刷新操作。
[0045]通道B500包括外圍電路塊510。盡管在附圖中未示出，但是通道B500還包括具有存儲區(qū)和輸入/輸出電路的核心塊(未不出)。
[0046]外圍電路塊510被配置成:將刷新特性信息INF_SREF〈B>提供給存儲器控制器200、響應(yīng)于自動(dòng)刷新命令A(yù)REF〈B>而執(zhí)行自動(dòng)刷新操作、以及響應(yīng)于自我刷新周期信號SPER10D_<B>而執(zhí)行自我刷新操作。[0047]通道C600包括外圍電路塊610。盡管在附圖中未示出，但是通道C600還包括具有存儲器區(qū)和輸入/輸出電路的核心塊(未不出)。
[0048]外圍電路塊610被配置成:將刷新特性信息INF_SREF〈C>提供給存儲器控制器200、響應(yīng)于自動(dòng)刷新命令A(yù)REF〈C>而執(zhí)行自動(dòng)刷新操作、以及響應(yīng)于自我刷新周期信號SPER10D_<C>而執(zhí)行自我刷新操作。
[0049]通道D700包括外圍電路塊710。盡管在附圖中未示出，但是通道D700還包括具有存儲區(qū)和輸入/輸出電路的核心塊(未不出)。
[0050]外圍電路塊710被配置成:將刷新特性信息INF_SREF〈D>提供給存儲器控制器200、響應(yīng)于自動(dòng)刷新命令A(yù)REF〈D>而執(zhí)行自動(dòng)刷新操作、以及響應(yīng)于自我刷新周期信號SPER10D_<D>而執(zhí)行自我刷新操作。
[0051]自我刷新周期控制單元800被配置成:根據(jù)內(nèi)部設(shè)定信息來產(chǎn)生具有獨(dú)立周期的多個(gè)自我刷新周期信號SPER10D_〈A:D>，以及響應(yīng)于所述多個(gè)自我刷新停止命令DIS_SREF<A:D>而選擇性地去激活所述多個(gè)自我刷新周期信號SPER10D_〈A:D>。
[0052]例如，所述多個(gè)刷新特性信息INF_SREF〈A:D>可以用作內(nèi)部設(shè)定信息。
[0053]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的外圍電路塊410、510、610以及710可以提供刷新特性信息INF_SREF〈A: D>。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，可設(shè)置在通道外部以儲存關(guān)于半導(dǎo)體存儲器的信息的儲存區(qū)或模式寄存器也可以提供刷新特性信息INF_SREF〈A:D>。
[0054]圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖3中的自我刷新周期控制單元800的電路圖。
[0055]如圖4中所示，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，圖3的自我刷新周期控制單元800包括:振蕩器810、初步周期信號發(fā)生部820、以及多個(gè)周期信號發(fā)生部830、840、850以及860。
[0056]振蕩器810被配置成產(chǎn)生振蕩信號SR0SC。
[0057]初步周期信號發(fā)生部820被配置成響應(yīng)于振蕩信號SROSC而產(chǎn)生多個(gè)初步周期信號 PER10D_〈2:5>。
[0058]所述多個(gè)周期信號發(fā)生部830、840、850以及860被配置成根據(jù)相應(yīng)的內(nèi)部設(shè)定信息來選擇所述多個(gè)初步周期信號PER10D_〈2:5>中的一個(gè)，并且分別輸出自我刷新周期信號 SPER10D_〈A:D>。
[0059]所述多個(gè)周期信號發(fā)生部830、840、850以及860被配置成響應(yīng)于自我刷新停止命令DIS_SREF〈A:D>而去激活自我刷新周期信號SPER10D_〈A:D>。
[0060]周期信號發(fā)生部830被配置成根據(jù)內(nèi)部設(shè)定信息來選擇所述多個(gè)初步周期信號PER10D<2:5>中的一個(gè)、輸出自我刷新周期信號SPER10D_〈A>、以及響應(yīng)于自我刷新停止命令DIS_SREF〈A>而去激活自我刷新周期信號SPER10D_〈A>。
[0061]周期信號發(fā)生部840被配置成根據(jù)內(nèi)部設(shè)定信息來選擇所述多個(gè)初步周期信號PER10D<2:5>中的一個(gè)、輸出自我刷新周期信號SPER10D_〈B>、以及響應(yīng)于自我刷新停止命令DIS_SREF〈B>而去激活自我刷新周期信號SPER10D_〈B>。
[0062]周期信號發(fā)生部850被配置成根據(jù)內(nèi)部設(shè)定信息來選擇所述多個(gè)初步周期信號PER10D<2:5>中的一個(gè)、輸出自我刷新周期信號SPER10D_〈C>、以及響應(yīng)于自我刷新停止命令DIS_SREF〈C>而去激活自我刷新周期信號SPER10D_〈C>。[0063]周期信號發(fā)生部860被配置成根據(jù)內(nèi)部設(shè)定信息來選擇所述多個(gè)初步周期信號PER10D<2:5>中的一個(gè)、輸出自我刷新周期信號SPER10D_〈D>、以及響應(yīng)于自我刷新停止命令DIS_SREF〈D>而去激活自我刷新周期信號SPER10D_〈D>。
[0064]周期信號發(fā)生部830包括:熔絲塊831、譯碼塊832以及選擇部分833。
[0065]熔絲塊831被配置成輸出熔絲信號E_FU〈0:1>作為內(nèi)部設(shè)定信息。輸出的熔絲信號E_FU〈0:1>可以根據(jù)熔絲狀態(tài)來確定。
[0066]熔絲塊831可以包括電熔絲。
[0067]內(nèi)部設(shè)定信息(例如，熔絲信號E_FU〈0:1>)可以具有與刷新特性信息INF_SREF<A>大體相同的值。
[0068]譯碼塊832被配置成將熔絲信號E_FU〈0:1>譯碼，并且產(chǎn)生多個(gè)使能信號EN〈1:4>。
[0069]譯碼塊832包括多個(gè)反相器IVl和IV2以及多個(gè)或非門NRl至NR4。
[0070]選擇部分833被配置成根據(jù)所述多個(gè)使能信號EN〈1: 4>來選擇所述多個(gè)初步周期信號PER10D〈2:5>中的一個(gè)、輸出自我刷新周期信號SPER10D_〈A>、以及響應(yīng)于自我刷新停止命令DIS_SREF〈A>而去激活自我刷新周期信號SPER10D_〈A>。
[0071]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，選擇部分833包括多個(gè)與非門NDl至ND4，每個(gè)與非門被配置成對所述多個(gè)使能信號EN〈1:4>中的每個(gè)和所述多個(gè)初步周期信號PER10D〈2:5>中的每個(gè)執(zhí)行與非操作。選擇部分833還包括:與非門ND5，所述與非門ND5被配置成對與非門NDl至ND4的輸出執(zhí)行與非操作；反相器IV3，所述反相器IV3被配置成將自我刷新停止命令DIS_SREF〈A>反相；以及與門ANDl，所述與門ANDl被配置成對與非門ND5的輸出和反相器IV3的輸出執(zhí)行與操作。
[0072]其它的周期信號發(fā)生部840、850以及860可以具有與周期信號發(fā)生部830大體相同的配置。
[0073]圖5是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖4中的初步周期信號Period〈2:5>的波形圖。
[0074]如圖5中所示，初步周期信號發(fā)生部820可以通過以不同的分頻比將振蕩信號SROSC的脈沖頻率分頻來產(chǎn)生多個(gè)初步周期信號Period〈2:5>。
[0075]如以上配置的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)100的刷新控制操作將描述如下。
[0076]半導(dǎo)體存儲器300在特定的時(shí)間點(diǎn)將刷新特性信息INF_SREF〈A:D>提供給存儲器控制器200，所述特定的時(shí)間點(diǎn)例如是當(dāng)半導(dǎo)體存儲器300與存儲器控制器200連接時(shí)，或者當(dāng)半導(dǎo)體存儲器300處于系統(tǒng)初始化過程中時(shí)。
[0077]存儲器控制器200也可以在存儲器控制器200讀取半導(dǎo)體存儲器300的特性信息的過程中讀取刷新特性信息INF_SREF〈A: D>。
[0078]半導(dǎo)體存儲器300響應(yīng)于自我刷新周期控制單元800獨(dú)立地提供給通道的自我刷新周期信號SPER10D_〈A:D>來執(zhí)行自我刷新操作。
[0079]存儲器控制器200根據(jù)刷新特性信息INF_SREF〈A:D>來確定半導(dǎo)體存儲器300的每個(gè)通道的刷新特性，并且根據(jù)刷新特性而將具有獨(dú)立周期的自動(dòng)刷新命令A(yù)REF〈A:D>提供給半導(dǎo)體存儲器300。
[0080]S卩，相比于刷新特性差的通道，存儲器控制器200將刷新特性好的通道的自動(dòng)刷新周期調(diào)整得長，由此產(chǎn)生自動(dòng)刷新命令A(yù)REF〈A:D>。
[0081]例如，假設(shè)在多個(gè)通道通道A至通道D之中，通道A至通道C具有良好的刷新特性，而通道D具有較差的刷新特性。
[0082]與其它的自動(dòng)刷新命令A(yù)REF〈A: C〉相比，存儲器控制器200以短的時(shí)段來提供自動(dòng)刷新命令A(yù)REF〈D>。
[0083]因此，半導(dǎo)體存儲器300能夠以相比于通道D而言較少的次數(shù)來執(zhí)行用于通道A至通道C的自動(dòng)刷新操作。
[0084]此外，存儲器控制器200識別半導(dǎo)體存儲器300的通道的存儲器單元是否被用來儲存數(shù)據(jù)，即通道的通道使用信息。
[0085]因此，存儲器控制器200能夠根據(jù)通道使用信息來選擇性地激活自動(dòng)刷新命令A(yù)REF<A:D>,由此將激活的自動(dòng)刷新命令提供給存儲器控制器300。
[0086]例如，假設(shè)在多個(gè)通道通道A至通道D之中，通道A和通道B處于存儲器單元中已經(jīng)記錄數(shù)據(jù)的狀態(tài)，而通道C和通道D處于存儲器單元中沒有記錄數(shù)據(jù)的狀態(tài)。
[0087]S卩，自動(dòng)刷新操作對于通道C和通道D是不必要的。
[0088]存儲器控制器200可以激活自動(dòng)刷新命令A(yù)REF〈A:B>，并且將激活的自動(dòng)刷新命令A(yù)REF〈A:B>提供給半導(dǎo)體存儲器300。存儲器控制器200可以不激活其它的自動(dòng)刷新命令A(yù)REF〈C:D>。
[0089]因此，半導(dǎo)體存儲器300可以不執(zhí)行用于通道C和通道D的自動(dòng)刷新操作。
[0090]此外，存儲器控制器200能夠根據(jù)通道使用信息來選擇性地激活并輸出自我刷新停止命令 DIS_SREF〈A: D>。
[0091 ] 例如，假設(shè)在多個(gè)通道通道A至通道D之中，通道A和通道B處于存儲器單元中已經(jīng)記錄數(shù)據(jù)的狀態(tài)，而通道C和通道D處于存儲器單元中沒有記錄數(shù)據(jù)的狀態(tài)。
[0092]S卩，自我刷新操作對于通道C和通道D是不必要的。
[0093]存儲器控制器200可以激活自我刷新停止命令DIS_SREF〈C:D>，并且將激活的自我刷新停止命令DIS_SREF〈C:D>提供給半導(dǎo)體存儲器300。
[0094]半導(dǎo)體存儲器300將與通道C和通道D相對應(yīng)的自我刷新周期信號SPER10D_<C:D>去激活，由此停止用于通道C和通道D的自我刷新操作。
[0095]圖6是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的存儲系統(tǒng)的框圖。
[0096]在圖6中，本實(shí)施例的存儲系統(tǒng)900可以包括:半導(dǎo)體存儲器920、存儲器控制器910 以及 CPU912。
[0097]半導(dǎo)體存儲器920可以用作諸如DRAM的易失性存儲器件。存儲器控制器910可以控制半導(dǎo)體存儲器920，并且可以包括:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM) 911、主機(jī)接口 913、錯(cuò)誤校正碼塊(ECC) 914、以及存儲器接口 915。SRAM911可以用作CPU912的操作存儲器。CPU912可以執(zhí)行用于存儲器控制器910的數(shù)據(jù)交換的控制操作，主機(jī)接口 913可以具有訪問存儲系統(tǒng)900的主機(jī)的數(shù)據(jù)交換協(xié)議。ECC914可以檢測并校正從半導(dǎo)體存儲器920中讀取的數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤，存儲器接口 915可以與半導(dǎo)體存儲器920接口。存儲器控制器910還可以包括R0M，所述ROM用于儲存與主機(jī)等接口的數(shù)據(jù)。
[0098]圖7是說明根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電子設(shè)備或計(jì)算系統(tǒng)的圖。
[0099]在圖7中，本實(shí)施例的計(jì)算系統(tǒng)1000可以包括與系統(tǒng)總線1060連接的CPU1020、RAM1030、用戶接口 1040、輸入設(shè)備1050以及包括存儲器控制器1011和半導(dǎo)體存儲器1012的存儲系統(tǒng)1010。在計(jì)算系統(tǒng)1000是移動(dòng)設(shè)備的情況下，還可以提供用于將操作電壓供應(yīng)給計(jì)算系統(tǒng)1000的電池(未示出)。本發(fā)明的計(jì)算系統(tǒng)1000還可以包括應(yīng)用芯片組、CMOS圖像處理器Cl S、移動(dòng)DRAM等。
[0100]在便攜式電子設(shè)備的情況下，用戶接口 1040可以是自含式顯示器。在便攜式電子設(shè)備的情況下，輸入設(shè)備1050可以是物理鍵盤或虛擬鍵盤，并且還可以包括而不限制于:軌跡球、觸摸板、或結(jié)合了選擇控制的其它光標(biāo)控制設(shè)備(諸如，按鈕)，以選擇由光標(biāo)操控而突出的項(xiàng)目。存儲系統(tǒng)1010可以包括如圖6中所描述的半導(dǎo)體存儲器。
[0101]因此，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，可以減小由于不必要的自我刷新和自動(dòng)刷新操作而導(dǎo)致的電流消耗。
[0102]盡管以上已經(jīng)描述了某些實(shí)施例，但是對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會理解的是描述的實(shí)施例僅僅是實(shí)例。因此，不應(yīng)基于所描述的實(shí)施例來限定本文描述的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)。更確切地說，應(yīng)當(dāng)僅根據(jù)所附權(quán)利要求并結(jié)合以上描述和附圖來限定本文描述的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)。
[0103]通過以上實(shí)施例可以看出，本申請?zhí)峁┝艘韵碌募夹g(shù)方案。
[0104]1.一種半導(dǎo)體存儲系統(tǒng),包括:
[0105]半導(dǎo)體存儲器，所述半導(dǎo)體存儲器被配置成:將多個(gè)刷新特性信息提供給外部電路，以及響應(yīng)于多個(gè)自動(dòng)刷新命令來執(zhí)行自動(dòng)刷新操作；以及
[0106]存儲器控制器，所述存儲器控制器被配置成:將根據(jù)所述多個(gè)刷新特性信息而產(chǎn)生的所述多個(gè)自動(dòng)刷新命令提供給所述半導(dǎo)體存儲器。
[0107]2.如技術(shù)方案I所述的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)，其中，所述半導(dǎo)體存儲器包括:
[0108]多個(gè)通道，所述多個(gè)通道被配置成:將所述多個(gè)刷新特性信息提供給所述存儲器控制器、響應(yīng)于所述多個(gè)自動(dòng)刷新命令來執(zhí)行所述自動(dòng)刷新操作、以及響應(yīng)于多個(gè)自我刷新周期信號而執(zhí)行自我刷新操作；以及
[0109]自我刷新周期控制單元，所述自我刷新周期控制單元被配置成:根據(jù)內(nèi)部設(shè)定信息來產(chǎn)生具有獨(dú)立周期的所述多個(gè)自我刷新周期信號。
[0110]3.如技術(shù)方案2所述的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)，其中，所述多個(gè)刷新特性信息在所述通道的測試過程中確定。
[0111]4.如技術(shù)方案2所述的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)，其中，所述通道中的每個(gè)包括:
[0112]核心塊，所述核心塊包括存儲區(qū)和輸入/輸出電路；以及
[0113]外圍電路塊，所述外圍電路塊被配置成:將所述多個(gè)刷新特性信息中的一個(gè)提供給所述存儲器控制器、響應(yīng)于所述多個(gè)自動(dòng)刷新命令中的一個(gè)來執(zhí)行所述自動(dòng)刷新操作、以及響應(yīng)于所述多個(gè)自我刷新周期信號中的一個(gè)來執(zhí)行所述自我刷新操作。
[0114]5.如技術(shù)方案2所述的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)，其中，所述自我刷新周期控制單元包括:
[0115]振蕩器，所述振蕩器被配置成產(chǎn)生振蕩信號；
[0116]初步周期信號發(fā)生部，所述初步周期信號發(fā)生部被配置成響應(yīng)于所述振蕩信號而產(chǎn)生多個(gè)初步周期信號；以及
[0117]多個(gè)周期信號發(fā)生部，所述多個(gè)周期信號發(fā)生部被配置成:根據(jù)所述內(nèi)部設(shè)定信息來選擇所述多個(gè)初步周期信號中的一個(gè)，以及輸出所述多個(gè)自我刷新周期信號。[0118]6.如技術(shù)方案5所述的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)，其中，所述多個(gè)周期信號發(fā)生部中的每個(gè)包括:
[0119]熔絲塊，所述熔絲塊被配置成輸出熔絲信號作為所述內(nèi)部設(shè)定信息；
[0120]譯碼塊，所述譯碼塊被配置成:將所述熔絲信號譯碼以及產(chǎn)生多個(gè)使能信號；以及
[0121]選擇部分，所述選擇部分被配置成:響應(yīng)于所述多個(gè)使能信號來選擇所述多個(gè)初步周期信號中的一個(gè)，以及輸出所述多個(gè)自我刷新周期信號中的一個(gè)。
[0122]7.如技術(shù)方案I所述的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)，其中，所述多個(gè)刷新特性信息用作所述內(nèi)部設(shè)定信息。
[0123]8.如技術(shù)方案I所述的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)，其中，所述存儲器控制器被配置成根據(jù)所述多個(gè)刷新特性信息來獨(dú)立地設(shè)定所述多個(gè)自動(dòng)刷新命令的周期。
[0124]9.一種半導(dǎo)體存儲系統(tǒng),包括:
[0125]半導(dǎo)體存儲器，所述半導(dǎo)體存儲器被配置成:根據(jù)相應(yīng)通道的刷新特性而將多個(gè)刷新特性信息提供給外部電路、響應(yīng)于多個(gè)自動(dòng)刷新命令而執(zhí)行用于相應(yīng)通道的自動(dòng)刷新操作、以及停止與多個(gè)自我刷新停止命令相對應(yīng)的通道的自我刷新操作；以及
[0126]存儲器控制器，所述存儲器控制器被配置成:將所述多個(gè)自動(dòng)刷新命令和所述多個(gè)自我刷新停止命令提供給所述半導(dǎo)體存儲器。
[0127]10.如技術(shù)方案9所述的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)，其中，所述半導(dǎo)體存儲器包括:
[0128]多個(gè)通道，所述多個(gè)通道被配置成:將所述多個(gè)刷新特性信息提供給所述存儲器控制器、響應(yīng)于所述多個(gè)自動(dòng)刷新命令來執(zhí)行所述自動(dòng)刷新操作、以及響應(yīng)于多個(gè)自我刷新周期信號而執(zhí)行自我刷新操作；以及
[0129]自我刷新周期控制單元，所述自我刷新周期控制單元被配置成:根據(jù)內(nèi)部設(shè)定信息來產(chǎn)生具有獨(dú)立周期的所述多個(gè)自我刷新周期信號，以及響應(yīng)于所述多個(gè)自我刷新停止命令來選擇性地去激活所述多個(gè)自我刷新周期信號。
[0130]11.如技術(shù)方案10所述的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)，其中，所述多個(gè)刷新特性信息在所述通道的測試過程中確定。
[0131]12.如技術(shù)方案10所述的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)，其中，所述通道中的每個(gè)包括:
[0132]核心塊，所述核心塊包括存儲區(qū)和輸入/輸出電路；以及
[0133]外圍電路塊，所述外圍電路塊被配置成:將所述多個(gè)刷新特性信息中的一個(gè)提供給所述存儲器控制器、響應(yīng)于所述多個(gè)自動(dòng)刷新命令中的一個(gè)來執(zhí)行所述自動(dòng)刷新操作、以及響應(yīng)于所述多個(gè)自我刷新周期信號中的一個(gè)來執(zhí)行所述自我刷新操作。
[0134]13.如技術(shù)方案10所述的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)，其中，所述自我刷新周期控制單元包括:
[0135]振蕩器，所述振蕩器被配置成產(chǎn)生振蕩信號；
[0136]初步周期信號發(fā)生部，所述初步周期信號發(fā)生部被配置成響應(yīng)于所述振蕩信號而產(chǎn)生多個(gè)初步周期信號；以及
[0137]多個(gè)周期信號發(fā)生部，所述多個(gè)周期信號發(fā)生部被配置成:根據(jù)所述內(nèi)部設(shè)定信息來選擇所述多個(gè)初步周期信號中的一個(gè)、輸出所述多個(gè)自我刷新周期信號、以及響應(yīng)于所述多個(gè)自我刷新停止命令來去激活所述多個(gè)自我刷新周期信號。[0138]14.如技術(shù)方案13所述的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)，其中，所述多個(gè)周期信號發(fā)生部中的每個(gè)包括:
[0139]熔絲塊，所述熔絲塊被配置成輸出熔絲信號作為所述內(nèi)部設(shè)定信息；
[0140]譯碼塊，所述譯碼塊被配置成:將所述熔絲信號譯碼以及產(chǎn)生多個(gè)使能信號；以及
[0141]選擇部分，所述選擇部分被配置成:響應(yīng)于所述多個(gè)使能信號而選擇所述多個(gè)初步周期信號中的一個(gè)、輸出所述多個(gè)自我刷新周期信號中的一個(gè)、以及響應(yīng)于所述多個(gè)自我刷新停止命令中的一個(gè)來去激活所述多個(gè)自我刷新周期信號中的一個(gè)。
[0142]15.如技術(shù)方案9所述的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)，其中，所述多個(gè)刷新特性信息用作所述內(nèi)部設(shè)定信息。
[0143]16.如技術(shù)方案9所述的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)，其中，所述存儲器控制器被配置成:根據(jù)所述多個(gè)刷新特性信息來獨(dú)立地設(shè)定所述多個(gè)自動(dòng)刷新命令的周期。
[0144]17.如技術(shù)方案9所述的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)，其中，所述存儲器控制器被配置成:根據(jù)通道使用信息來選擇性地激活所述多個(gè)自動(dòng)刷新命令和所述多個(gè)自我刷新停止命令。
[0145]18.—種半導(dǎo)體存儲器，包括:
[0146]自我刷新周期控制單元，所述自我刷新周期控制單元被配置成根據(jù)內(nèi)部設(shè)定信息來產(chǎn)生多個(gè)自我刷新周期信號，每個(gè)自我刷新周期信號具有獨(dú)立的周期；以及
[0147]多個(gè)半導(dǎo)體存儲器單元區(qū)，所述多個(gè)半導(dǎo)體存儲器單元區(qū)被配置成具有彼此不同的刷新特性，并且每個(gè)半導(dǎo)體存儲器單元區(qū)響應(yīng)于所述多個(gè)自我刷新周期信號中的一個(gè)而執(zhí)行自我刷新操作。
[0148]19.如技術(shù)方案18所述的半導(dǎo)體存儲器，其中，所述自我刷新周期控制單元包括:
[0149]振蕩器，所述振蕩器被配置成產(chǎn)生振蕩信號；
[0150]初步周期信號發(fā)生部，所述初步周期信號發(fā)生部被配置成響應(yīng)于所述振蕩信號而產(chǎn)生多個(gè)初步周期信號；以及
[0151]多個(gè)周期信號發(fā)生部，所述多個(gè)周期信號發(fā)生部被配置成:根據(jù)所述內(nèi)部設(shè)定信息來選擇所述多個(gè)初步周期信號中的一個(gè)，以及輸出所述多個(gè)自我刷新周期信號。
[0152]20.如技術(shù)方案19所述的半導(dǎo)體存儲器，其中，所述多個(gè)周期信號發(fā)生部中的每個(gè)包括:
[0153]熔絲塊，所述熔絲塊被配置成根據(jù)熔絲狀態(tài)來輸出熔絲信號；
[0154]譯碼塊，所述譯碼塊被配置成:將所述熔絲信號譯碼以及產(chǎn)生多個(gè)使能信號；以及
[0155]選擇部分，所述選擇部分被配置成:選擇所述多個(gè)初步周期信號中的一個(gè)、輸出所述多個(gè)自我刷新周期信號中的一個(gè)、響應(yīng)于自我刷新停止命令而去激活所述多個(gè)自我刷新周期信號中的一個(gè)。
[0156]21.如技術(shù)方案18所述的半導(dǎo)體存儲器，其中，所述自我刷新周期控制單元被配置成:響應(yīng)于多個(gè)自我刷新停止命令而去激活所述多個(gè)自我刷新周期信號。
[0157]22.如技術(shù)方案18所述的半導(dǎo)體存儲器，還包括:
[0158]多個(gè)外圍電路塊，所述多個(gè)外圍電路塊被配置成提供所述內(nèi)部設(shè)定信息。
[0159]23.—種存儲系統(tǒng)，包括:[0160]存儲器控制器，所述存儲器控制器被配置成:根據(jù)多個(gè)刷新特性信息來產(chǎn)生多個(gè)自動(dòng)刷新命令；以及
[0161]半導(dǎo)體存儲器，所述半導(dǎo)體存儲器被配置成:根據(jù)相應(yīng)通道的刷新特性而將所述多個(gè)刷新特性信息提供給外部電路，以及響應(yīng)于所述多個(gè)自動(dòng)刷新命令來執(zhí)行用于相應(yīng)通道的自動(dòng)刷新操作。
[0162]24.—種電子設(shè)備，包括:
[0163]半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)，所述半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)與中央處理單元通信地耦接；所述半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)包括:
[0164]存儲器控制器，所述存儲器控制器被配置成:根據(jù)多個(gè)刷新特性信息來產(chǎn)生多個(gè)自動(dòng)刷新命令；以及
[0165]半導(dǎo)體存儲器，所述半導(dǎo)體存儲器被配置成:根據(jù)相應(yīng)通道的刷新特性而將所述多個(gè)刷新特性信息提供給外部電路、以及響應(yīng)于所述多個(gè)自動(dòng)刷新命令而執(zhí)行用于相應(yīng)通道的自動(dòng)刷新操作。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)，包括: 半導(dǎo)體存儲器，所述半導(dǎo)體存儲器被配置成:將多個(gè)刷新特性信息提供給外部電路，以及響應(yīng)于多個(gè)自動(dòng)刷新命令來執(zhí)行自動(dòng)刷新操作；以及 存儲器控制器，所述存儲器控制器被配置成:將根據(jù)所述多個(gè)刷新特性信息而產(chǎn)生的所述多個(gè)自動(dòng)刷新命令提供給所述半導(dǎo)體存儲器。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)，其中，所述半導(dǎo)體存儲器包括: 多個(gè)通道，所述多個(gè)通道被配置成:將所述多個(gè)刷新特性信息提供給所述存儲器控制器、響應(yīng)于所述多個(gè)自動(dòng)刷新命令來執(zhí)行所述自動(dòng)刷新操作、以及響應(yīng)于多個(gè)自我刷新周期信號而執(zhí)行自我刷新操作；以及 自我刷新周期控制單元，所述自我刷新周期控制單元被配置成:根據(jù)內(nèi)部設(shè)定信息來產(chǎn)生具有獨(dú)立周期的所述多個(gè)自我刷新周期信號。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)，其中，所述多個(gè)刷新特性信息在所述通道的測試過程中確定。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)，其中，所述通道中的每個(gè)包括: 核心塊，所述核心塊包括存儲區(qū)和輸入/輸出電路；以及 外圍電路塊，所述外圍電路塊被配置成:將所述多個(gè)刷新特性信息中的一個(gè)提供給所述存儲器控制器、響應(yīng)于所述多個(gè)自動(dòng)刷新命令中的一個(gè)來執(zhí)行所述自動(dòng)刷新操作、以及響應(yīng)于所述多個(gè)自我刷新周期信號中的一個(gè)來執(zhí)行所述自我刷新操作。
5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)，其中，所述自我刷新周期控制單元包括: 振蕩器，所述振蕩器被配置成產(chǎn)生振蕩信號； 初步周期信號發(fā)生部，所述初步周期信號發(fā)生部被配置成響應(yīng)于所述振蕩信號而產(chǎn)生多個(gè)初步周期信號；以及 多個(gè)周期信號發(fā)生部，所述多個(gè)周期信號發(fā)生部被配置成:根據(jù)所述內(nèi)部設(shè)定信息來選擇所述多個(gè)初步周期信號中的一個(gè)，以及輸出所述多個(gè)自我刷新周期信號。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)，其中，所述多個(gè)周期信號發(fā)生部中的每個(gè)包括: 熔絲塊，所述熔絲塊被配置成輸出熔絲信號作為所述內(nèi)部設(shè)定信息； 譯碼塊，所述譯碼塊被配置成:將所述熔絲信號譯碼以及產(chǎn)生多個(gè)使能信號；以及選擇部分，所述選擇部分被配置成:響應(yīng)于所述多個(gè)使能信號來選擇所述多個(gè)初步周期信號中的一個(gè)，以及輸出所述多個(gè)自我刷新周期信號中的一個(gè)。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)，其中，所述多個(gè)刷新特性信息用作所述內(nèi)部設(shè)定信息。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)，其中，所述存儲器控制器被配置成根據(jù)所述多個(gè)刷新特性信息來獨(dú)立地設(shè)定所述多個(gè)自動(dòng)刷新命令的周期。
9.一種半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)，包括: 半導(dǎo)體存儲器，所述半導(dǎo)體存儲器被配置成:根據(jù)相應(yīng)通道的刷新特性而將多個(gè)刷新特性信息提供給外部電路、響應(yīng)于多個(gè)自動(dòng)刷新命令而執(zhí)行用于相應(yīng)通道的自動(dòng)刷新操作、以及停止與多個(gè)自我刷新停止命令相對應(yīng)的通道的自我刷新操作；以及 存儲器控制器，所述存儲器控制器被配置成:將所述多個(gè)自動(dòng)刷新命令和所述多個(gè)自我刷新停止命令提供給所述半導(dǎo)體存儲器。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體存儲系統(tǒng)，其中，所述半導(dǎo)體存儲器包括: 多個(gè)通道，所述多個(gè)通道被配置成:將所述多個(gè)刷新特性信息提供給所述存儲器控制器、響應(yīng)于所述多個(gè)自動(dòng)刷新命令來執(zhí)行所述自動(dòng)刷新操作、以及響應(yīng)于多個(gè)自我刷新周期信號而執(zhí)行自我刷新操作；以及 自我刷新周期控制單元，所述自我刷新周期控制單元被配置成:根據(jù)內(nèi)部設(shè)定信息來產(chǎn)生具有獨(dú)立周期的所述多個(gè)自我刷新周期信號，以及響應(yīng)于所述多個(gè)自我刷新停止命令來選擇性地去激活所述 多個(gè)自我刷新周期信號。
【文檔編號】G11C11/406GK103996411SQ201310412411
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2013年9月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月20日
【發(fā)明者】全炳得 申請人:愛思開海力士有限公司