數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置及其制作與控制方法
【專利摘要】本發(fā)明有關(guān)于一種數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置及其制作與控制方法。所述數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置具有一第一次區(qū)塊、一第二次區(qū)塊、一第一井開關(guān)、一第二井開關(guān)以及一第一字線群。該第一井開關(guān)用于傳遞一第一井偏壓作該第一次區(qū)塊的偏壓。該第二井開關(guān)用以傳遞一第二井偏壓作該第二次區(qū)塊的偏壓。該第一次區(qū)塊以及該第二次區(qū)塊共同由該第一字線群控制。本發(fā)明所揭露的技術(shù)可有效降低前程序化、抹除以及后程序化步驟中所干擾的次區(qū)塊數(shù)量，并進(jìn)一步減少重刷新程序化步驟修復(fù)受干擾次區(qū)塊的時(shí)間。
【專利說明】數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置及其制作與控制方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明是有關(guān)于數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，且特別有關(guān)于快閃存儲(chǔ)器技術(shù)的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置及 其制作與控制方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 快閃存儲(chǔ)器為常見的非揮發(fā)性儲(chǔ)存媒體，且主要用來實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，如，存儲(chǔ) 卡、通用串行總線快閃存儲(chǔ)器裝置、固態(tài)硬盤等。
[0003] 傳統(tǒng)快閃存儲(chǔ)器包括多個(gè)存儲(chǔ)器區(qū)塊（blocks)。一物理區(qū)塊（physical block) 中的所有存儲(chǔ)單元設(shè)置在一井結(jié)構(gòu)（well)中，共享井控制信號(hào)。各物理區(qū)塊有專用的多條 位線（bit lines)以及字線（word lines)。各存儲(chǔ)單元坐落在位線與字線交錯(cuò)處，以進(jìn)行 編址。存儲(chǔ)器密度越高，對(duì)應(yīng)的陣列解碼器會(huì)占據(jù)整體芯片更高比例的空間。降低陣列解 碼器所占空間的一方式是提升物理區(qū)塊尺寸，以求減少解碼器數(shù)量。然而，以上方式涉及多 種技術(shù)問題，包括：次區(qū)塊（sub-block)抹除時(shí)間會(huì)增加；各物理區(qū)塊內(nèi)的存儲(chǔ)單元均一性 不易控制；且解碼器內(nèi)部布局擁擠。此外，寫入與抹除干擾（program/erase disturbance) 也是電路設(shè)計(jì)中需考量的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明揭露一種數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置、以及該種類數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置的制作以及控制方法， 用于解決在進(jìn)行抹除步驟時(shí)，次區(qū)塊會(huì)被目標(biāo)次區(qū)塊所干擾的問題。
[0005] 根據(jù)本發(fā)明一種實(shí)施方式所實(shí)現(xiàn)的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置包括一第一次區(qū)塊、一第二次區(qū) 塊、一第一井開關(guān)、一第二井開關(guān)以及一第一字線群。該第一井開關(guān)用于傳遞一第一井偏壓 作該第一次區(qū)塊的偏壓。該第二井開關(guān)用以傳遞一第二井偏壓作該第二次區(qū)塊的偏壓。該 第一次區(qū)塊以及該第二次區(qū)塊共同由該第一字線群控制。
[0006] 本發(fā)明一種實(shí)施方式所揭露的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置制作方法包括以下步驟：于一第一井 結(jié)構(gòu)制作一第一次區(qū)塊；于有別于該第一井結(jié)構(gòu)的一第二井結(jié)構(gòu)制作一第二次區(qū)塊；制作 一第一井開關(guān)，用以傳遞一第一井偏壓作該第一次區(qū)塊的偏壓；制作一第二井開關(guān)，用以傳 遞一第二井偏壓作該第二次區(qū)塊的偏壓；以及，制作一第一字線群。該第一次區(qū)塊以及該第 二次區(qū)塊共同由該第一字線群控制。
[0007] 根據(jù)本發(fā)明一種實(shí)施方式，一數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置控制方法包括以下步驟：在對(duì)一數(shù)據(jù) 儲(chǔ)存裝置內(nèi)的一第一次區(qū)塊執(zhí)行一抹除步驟時(shí)，以一抹除用柵極電位控制一第一字線群， 且以一抹除用井電位控制一第一井偏壓，其中，該第一次區(qū)塊是由該第一字線群控制且由 該第一井偏壓作偏壓；且，在對(duì)該第一次區(qū)塊執(zhí)行該抹除步驟時(shí)，還以一抹除保護(hù)電位控制 一第二井偏壓。該第二井偏壓用于偏壓該數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置內(nèi)的一第二次區(qū)塊，并且，該第二次 區(qū)塊與該第一次區(qū)塊共同由該第一字線群控制。
[0008] 就采用相同尺寸位元解碼器的相同尺寸存儲(chǔ)器來說，相較于傳統(tǒng)井結(jié)構(gòu)，本案所 揭露的井結(jié)構(gòu)在進(jìn)行抹除操作時(shí)只有少量的次區(qū)塊受到干擾。因此，本發(fā)明所揭露技術(shù)可 有效降低前程序化、抹除以及后程序化步驟中所干擾的次區(qū)塊數(shù)量，并進(jìn)一步減少重刷新 程序化步驟修復(fù)受干擾次區(qū)塊的時(shí)間。
[0009] 下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖示，詳細(xì)說明本
【發(fā)明內(nèi)容】
。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010] 圖1圖解根據(jù)本發(fā)明一種實(shí)施方式所實(shí)現(xiàn)的一數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置100 ;
[0011] 圖2為根據(jù)本發(fā)明的存儲(chǔ)器次區(qū)塊的抹除操作的流程圖；
[0012] 圖3為依照?qǐng)D2所示的抹除步驟S204操作的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置100的操作狀態(tài)示意 圖；
[0013] 圖4為依照?qǐng)D2所示的前程序化步驟S202操作的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置100的操作狀態(tài) 示意圖；且
[0014] 圖5為依照第2圖所示的后程序化步驟S206操作的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置100的操作狀 態(tài)示意圖。
[0015] 符號(hào)說明：
[0016] 100?數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置；
[0017] 102?字線解碼器；
[0018] 104?位線解碼器；
[0019] 302、304、306、308?抹除步驟下，不同存儲(chǔ)單元的受壓狀況；
[0020] 402、404?前程序化步驟下，不同存儲(chǔ)單元的受壓狀況；
[0021] 502、504?后程序化步驟下，不同存儲(chǔ)單元的受壓狀況；
[0022] BL1、BL2 ?位線群；
[0023] Sub_Block_ll …Sub_Block_24 ?次區(qū)塊；
[0024] S202…S208 ?步驟；
[0025] Vwell_l、Vwell_2 ?井偏壓；
[0026] Well_l、Well_2 ?井結(jié)構(gòu)；
[0027] Well_Switch_l、Well_Switch_2 ?井開關(guān)；
[0028] WL1...WL4 ?字線群。

【具體實(shí)施方式】
[0029] 以下敘述列舉本發(fā)明的多種實(shí)施例。以下敘述介紹本發(fā)明的基本概念，且并非意 圖限制本
【發(fā)明內(nèi)容】
。實(shí)際發(fā)明范圍應(yīng)依照權(quán)利要求書來界定。
[0030] 圖1圖解根據(jù)本發(fā)明一種實(shí)施方式所實(shí)現(xiàn)的一數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置100。請(qǐng)參照?qǐng)D1， 井結(jié)構(gòu)Well_l包括以井開關(guān)Well_Swit Ch_l所傳遞的井偏壓Vwell_l作為偏壓的次區(qū)塊 Sub_Block_ll、Sub_Block_12、Sub_Block_13、Sub_Block_14。井結(jié)構(gòu) Well_2 包括以井開關(guān) Well_Switch_2 所傳遞的井偏壓 Vwell_2 作為偏壓的次區(qū)塊 Sub_Block_21、Sub_Block_22、 Sub_Block_23、Sub_Block_24。井結(jié)構(gòu)Well_l與Well_2中的存儲(chǔ)單元是以字線群（word lines groups)WL1、WL2、WL3 與 WL4 以及位線群（bit lines groups)BL1 與 BL2 進(jìn)行編址。 字線解碼器102制作于數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置100中，用以控制字線群WL1、WL2、WL3與WL4。位線 解碼器104制作于數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置100中，用以控制位線群BL1與BL2。
[0031] 特別說明的是，井結(jié)構(gòu)Well_l與Well_2中的次區(qū)塊共享字線群。具體而言，井結(jié) 構(gòu)Well_l中的次區(qū)塊Sub_Blockll與井結(jié)構(gòu)Well_2中的次區(qū)塊Sub_Block21同樣由字線 群WL1使能。井結(jié)構(gòu)Well_l中的次區(qū)塊Sub_Blockl2與井結(jié)構(gòu)Well_2中的次區(qū)塊Sub_ Block22同樣由字線群WL2使能。井結(jié)構(gòu)Well_l中的次區(qū)塊Sub_Blockl3與井結(jié)構(gòu)Well_2 中的次區(qū)塊Sub_Block23同樣由字線群WL3使能。井結(jié)構(gòu)Well_l中的次區(qū)塊Sub_Blockl4 與井結(jié)構(gòu)Well_2中的次區(qū)塊Sub_Block24同樣由字線群WL4使能。
[0032] 此外，同一井結(jié)構(gòu)中的次區(qū)塊可輪流利用同一位線群。如圖所示，井結(jié)構(gòu)Well_l 中的次區(qū)塊 Sub_Block_ll、Sub_Block_12、Sub_Block_13 以及 Sub_Block_14 皆耦接至位線 群 BL1。井結(jié)構(gòu) Well_2 中的次區(qū)塊 Sub_Block_21、Sub_Block_22、Sub_Block_23 以及 Sub_ Block_24皆耦接至位線群BL2。
[0033] 特別聲明的是，共用字線群的井結(jié)構(gòu)數(shù)量不限定為兩個(gè)，且各井結(jié)構(gòu)中輪流利用 同一位線群的次區(qū)塊不限定為四個(gè)。
[0034] 以下段落討論數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置100的一種控制方法。圖2為根據(jù)本發(fā)明存儲(chǔ)器次區(qū) 塊的抹除操作的流程圖。首先，步驟S202于目標(biāo)次區(qū)塊執(zhí)行一前程序化（pre-program)步 驟。前程序化步驟之后以步驟S204執(zhí)行一抹除（erase)步驟。抹除步驟之后以步驟S206 執(zhí)行一后程序化（post-program)步驟，以訂正過抹除（over erased)的存儲(chǔ)單元。之后， 因?yàn)猷徑撃繕?biāo)次區(qū)塊的次區(qū)塊可能會(huì)被步驟S202、S204、S206所干擾（disturb)，故需再 進(jìn)行一重刷新程序化（refresh)步驟（步驟S208)，以復(fù)原受干擾的存儲(chǔ)單元。
[0035] 首先討論步驟S204的抹除步驟。一抹除用柵極電位施加在目標(biāo)次區(qū)塊的字線群 上，并對(duì)其他字線群施加一干擾抑制電位。目標(biāo)次區(qū)塊的位線為浮接，且其他位線可同樣為 浮接。傳送一抹除用井電位至包括該目標(biāo)次區(qū)塊的目標(biāo)井結(jié)構(gòu)，作為井偏壓。至于與該目 標(biāo)次區(qū)塊共享字線群的次區(qū)塊所在的其他井結(jié)構(gòu)則是被施加一抹除保護(hù)電位，以保護(hù)其中 的次區(qū)塊不被目標(biāo)次區(qū)塊的抹除步驟干擾。
[0036] 圖3為依照?qǐng)D2所示的抹除步驟S204操作的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置100的操作狀態(tài)示意 圖。其中，數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置1〇〇由ETOX NM0S快閃存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)（并不意圖限定為此元件），對(duì) 應(yīng)的抹除用柵極電位（施加于字線群WL1上）可為-9伏特，干擾抑制電位（施加于其他字 線群WL2?WL4上）可為2伏特，抹除用井電位（偏壓目標(biāo)井結(jié)構(gòu)Well_l)可為9伏特， 且抹除保護(hù)電位（偏壓其他井結(jié)構(gòu)Well_2)可為-6伏特。如302所示，目標(biāo)次區(qū)塊Sub_ Block_ll內(nèi)的存儲(chǔ)單元在其基板以及柵極間具有高電壓差+18伏特，用于產(chǎn)生FN穿隧（FN tunneling)效應(yīng)，抹除這些存儲(chǔ)單元。另外，如304、306所示，井結(jié)構(gòu)Well_2中的次區(qū)塊 Sub_Block_21?Sub_Block_24由該抹除保護(hù)電位-6伏特偏壓，以避免被目標(biāo)次區(qū)塊Sub_ Block_l 1的抹除步驟干擾。如此一來，僅剩與該目標(biāo)次區(qū)塊Sub_Block_l 1位于同一井結(jié)構(gòu) Well_l中的次區(qū)塊Sub_Block_12?Sub_Block_14受井結(jié)構(gòu)Well_l的高偏壓（9伏特）影 響。如308所示，2伏特的干擾抑制電位用于對(duì)抗高達(dá)9伏特的井電壓，以抑制該9伏特的 抹除用井電位對(duì)次區(qū)塊Sub_Blockl2?Sub_Blockl4的干擾。
[0037] 相較于傳統(tǒng)快閃存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)中，各井結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)有專屬的字線群，本發(fā)明所揭露 的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置為多個(gè)井結(jié)構(gòu)共用字線群。就采用同尺寸位址解碼器的同尺寸存儲(chǔ)器來 說，依照本發(fā)明所實(shí)現(xiàn)的井結(jié)構(gòu)的大小會(huì)小于傳統(tǒng)技術(shù)。并且，在進(jìn)行抹除步驟時(shí)，本發(fā)明 的井結(jié)構(gòu)中亦只有較少的次區(qū)塊會(huì)被目標(biāo)次區(qū)塊高井偏壓所干擾。
[0038] 以下段落討論步驟S202的前程序化步驟以及步驟S206的后程序化步驟。在前程 序化步驟中，一前程序化使能電位用于目標(biāo)次區(qū)塊的字線WL控制上，每次有一條字線被使 能。另外，一前程序化電位用于目標(biāo)次區(qū)塊的位線控制上，多條位線分組被使能。在后程序 化步驟中，一后程序化使能電位用于目標(biāo)次區(qū)塊的字線WL控制上，過抹除存儲(chǔ)單元所對(duì)應(yīng) 的字線中，每次有一條字線被使能，另外，一后程序化電位用于目標(biāo)次區(qū)塊的位線控制上， 過抹除存儲(chǔ)單元所對(duì)應(yīng)的多條位線分組被使能。
[0039] 為了實(shí)現(xiàn)前程序化步驟，目標(biāo)次區(qū)塊對(duì)應(yīng)字線群中的字線可輪流以上述前程序化 使能電位使能，而對(duì)應(yīng)位線群中的位線可分組（例如，每4條、8條或16條位線一同驅(qū)動(dòng)） 由上述前程序化電位使能。未被使能的字線（包括目標(biāo)次區(qū)塊中尚未被使能的字線與非目 標(biāo)次區(qū)塊的字線）應(yīng)當(dāng)以一程序化除能電位偏壓。未被使能的位線（包括目標(biāo)次區(qū)塊中尚 未被使能的位線與非目標(biāo)次區(qū)塊的位線）應(yīng)當(dāng)被接地。此外，包含目標(biāo)次區(qū)塊的井結(jié)構(gòu)可 偏壓為接地電位，而其余的井結(jié)構(gòu)也可同樣偏壓為接地電位。
[0040] 關(guān)于后程序化步驟，目標(biāo)次區(qū)塊應(yīng)當(dāng)先受一驗(yàn)證測(cè)試，以找出過抹除存儲(chǔ)單元。過 抹除存儲(chǔ)單元需要被后程序化（post program)。在后程序化步驟中，對(duì)應(yīng)過抹除存儲(chǔ)單元 的字線可輪流以所述后程序化使能電位使能，而對(duì)應(yīng)的位線是分組（例如，每4條、8條或 16條位線）由所述后程序化電位使能。未被使能的字線（包括目標(biāo)次區(qū)塊中非對(duì)應(yīng)過抹除 存儲(chǔ)單元的字線、對(duì)應(yīng)過抹除存儲(chǔ)單元而尚未被使能的字線以及非目標(biāo)次區(qū)塊的字線）應(yīng) 以一程序化除能電位偏壓。未被使能的位線（包括目標(biāo)次區(qū)塊中非對(duì)應(yīng)過抹除存儲(chǔ)單元的 位線、對(duì)應(yīng)過抹除存儲(chǔ)單元而尚未被使能的位線以及非目標(biāo)次區(qū)塊的位線）應(yīng)當(dāng)接地。此 夕卜，包含目標(biāo)次區(qū)塊的井結(jié)構(gòu)可偏壓為接地電位，而其余的井結(jié)構(gòu)可同樣偏壓為接地電位。
[0041] 圖4為依照?qǐng)D2所示的前程序化步驟S202操作的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置100的操作狀態(tài) 示意圖。以ETOX NM0S快閃存儲(chǔ)器為例，前程序化使能電位可為9伏特（逐條輪流施加于 字線群WL1的字線上），程序化除能電位可為0伏特（施加于字線群WL2?WL4的字線上， 且更施加于字線群WL1中未被使能的字線上），且該前程序化電位可為4伏特（施加于位線 群BL1，位線群BL1內(nèi)的多條位線分組受控制）。如402所示，在前程序化步驟中，一存儲(chǔ)單 元由其字線WL上的前程序化使能電位（9伏特）所使能，以由其位線BL上的前程序化電位 (4伏特）程序化。請(qǐng)注意，被步驟S204的抹除步驟所干擾的次區(qū)塊Sub_Block_12?Sub_ Block_14可能也會(huì)被前程序化電位（4伏特）所干擾，如404所示。
[0042] 圖5為依照?qǐng)D2所示的后程序化步驟S206操作的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置100的操作狀態(tài)示 意圖。以ETOX NM0S快閃存儲(chǔ)器為例，后程序化使能電位可為3伏特（逐條輪流施加于過抹 除存儲(chǔ)單元的字線上），程序化除能電位可為〇伏特（施加于字線群WL2?WL4的字線上， 且施加于字線群WL1中未被使能的字線上），且該后程序化電位可為4伏特（施加于過抹 除存儲(chǔ)單元的位線上，過抹除存儲(chǔ)單元所涉及的位線（需求位線）是分組受控制）。如502 所示，過抹除存儲(chǔ)單元由后程序化使能電位（3伏特）使能，以由該后程序化電位（4伏特） 程序化。請(qǐng)注意，被步驟S204的抹除步驟所干擾的次區(qū)塊Sub_Block_12?Sub_Block_14 可能也會(huì)被后程序化電位（4伏特）所干擾，如504所示。
[0043] 接著，由于數(shù)據(jù)存取裝置100中的存儲(chǔ)單元可能會(huì)產(chǎn)生例如圖3的308、圖4的 404以及圖5的504所示的干擾現(xiàn)象，故需進(jìn)行圖2中步驟S208所示的重刷新程序化步驟 (refresh-program process)，以修復(fù)與目標(biāo)次區(qū)塊Sub_Block_ll在同一井結(jié)構(gòu)Well_l的 次區(qū)塊Sub_Block_12?Sub_Block_14中受到干擾的存儲(chǔ)單元。如以上討論，相較習(xí)知技 術(shù)，就采用同尺寸位址解碼器的同尺寸存儲(chǔ)器來說，本發(fā)明所揭露的井結(jié)構(gòu)可有效降低前 程序化、抹除以及后程序化步驟中被干擾的次區(qū)塊數(shù)量。因此相較于習(xí)知技術(shù)，本發(fā)明重刷 新程序化步驟修復(fù)受干擾的次區(qū)塊所需的時(shí)間可顯著縮短。
[0044] 以下還基于圖1，討論根據(jù)本發(fā)明一種實(shí)施方式所實(shí)現(xiàn)的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置的制 作方法。該制作方法包括以下步驟：于一第一井結(jié)構(gòu)Well_l形成一第一次區(qū)塊Sub_ Block_ll ;在不同于該第一井結(jié)構(gòu)Well_l的一第二井結(jié)構(gòu)Well_2中形成第二次區(qū)塊Sub_ Block_21 ;形成一第一井開關(guān)Well_Switch_l，第一井開關(guān)Well_Switch_l傳遞一第一井偏 壓Vwell_l，以偏壓該第一次區(qū)塊Sub_Block_ll ;形成一第二井開關(guān)Well_Switch_2，第二 井開關(guān)Well_Switch_2傳遞一第二井偏壓Vwell_2,以偏壓該第二次區(qū)塊Sub_Block_21 ;且 形成第一字線群WL1，其中該第一次區(qū)塊Sub_Block_ll與該第二次區(qū)塊Sub_Block_21皆是 由該第一字線群WL1控制。
[0045] 所揭露的制作方法還可包括：在該第一井結(jié)構(gòu)Well_l形成一第三次區(qū)塊Sub_ Block_12,其中該第三次區(qū)塊Sub_Block_12與該第一次區(qū)塊Sub_Block_ll皆是由第一 井偏壓Vwell_l所偏壓；在該第二井結(jié)構(gòu)Well_2形成一第四次區(qū)塊Sub_Block_22,其中 該第四次區(qū)塊Sub_Block_22與該第二次區(qū)塊Sub_Block_21皆是由第二井偏壓Vwell_2 所偏壓；且形成第二字線群WL2,其中該第三次區(qū)塊Sub_Block_12與該第四次區(qū)塊Sub_ Block_22皆是由該第二字線群WL2控制；形成第一位線群BL1耦接該第一次區(qū)塊Sub_ Block_ll與該第三次區(qū)塊Sub_Block_12 ;以及，形成第二位線群BL2耦接該第二次區(qū)塊 Sub_Block_21與該第四次區(qū)塊Sub_Block_22。借上述方式，一完整存儲(chǔ)器陣列可基于以上 次區(qū)塊 Sub_Block_ll、Sub_Block_12、Sub_Block_21、Sub_Block_22 所組成的基本陣列架 構(gòu)建構(gòu)形成。根據(jù)所述制作方法，不同井結(jié)構(gòu)內(nèi)的次區(qū)塊共享字線群。就采用相同尺寸位 元解碼器的相同尺寸存儲(chǔ)器來說，相較于傳統(tǒng)井結(jié)構(gòu)，本案所揭露的井結(jié)構(gòu)在進(jìn)行抹除操 作時(shí)只有少量的次區(qū)塊受到干擾。因此，本發(fā)明所揭露技術(shù)可有效降低前程序化、抹除以及 后程序化步驟中所干擾的次區(qū)塊數(shù)量，并進(jìn)一步減少重刷新程序化步驟修復(fù)受干擾次區(qū)塊 的時(shí)間。
[〇〇46] 雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此項(xiàng) 技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可做些許更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍 當(dāng)視所附的權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1. 一種數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其特征在于，所述裝置包括： 一第一次區(qū)塊、以及傳遞一第一井偏壓作該第一次區(qū)塊偏壓的一第一井開關(guān)； 一第二次區(qū)塊、以及傳遞一第二井偏壓作該第二次區(qū)塊偏壓的一第二井開關(guān)；以及 一第一字線群； 其中，該第一次區(qū)塊以及該第二次區(qū)塊共同由該第一字線群控制。
2. 如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其特征在于，所述裝置還包括： 一字線解碼器，控制該第一字線群； 其中，在該第一次區(qū)塊的一抹除步驟中，該字線解碼器將一抹除用柵極電位施加于該 第一字線群上，該第一井偏壓通過一抹除用井電位控制，該第二井偏壓通過一抹除保護(hù)電 位控制，且該抹除保護(hù)電位保護(hù)該第二次區(qū)塊不受該抹除步驟干擾。
3. 如權(quán)利要求2所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其特征在于，所述裝置還包括： 一第三次區(qū)塊； 一第四次區(qū)塊；以及 一第二字線群； 其中，該第三次區(qū)塊以及該第四次區(qū)塊共同由該第二字線群控制；該第三次區(qū)塊與該 第一次區(qū)塊一同由該第一井偏壓作偏壓；且該第四次區(qū)塊與該第二次區(qū)塊一同由該第二井 偏壓作偏壓。
4. 如權(quán)利要求3所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其特征在于： 該字線解碼器還控制該第二字線群；且 在該第一次區(qū)塊的該抹除步驟中，該字線解碼器還以一干擾抑制電位控制該第二字線 群，且該干擾抑制電位抑制該抹除用井電位對(duì)該第三次區(qū)塊產(chǎn)生的干擾。
5. 如權(quán)利要求4所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其特征在于，所述裝置還包括： 一第一位線群；以及 一第二位線群； 其中，該第一次區(qū)塊與該第三次區(qū)塊共用該第一位線群；且該第二次區(qū)塊與該第四次 區(qū)塊共用該第二位線群。
6. 如權(quán)利要求5所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其特征在于，所述裝置還包括： 一位線解碼器，控制該第一與第二位線群； 其中，在該第一次區(qū)塊的該抹除步驟之前的一前程序化步驟中，該字線解碼器以一前 程序化使能電位使該第一字線群逐條輪流使能，且以一程序化除能電位控制未被使能的字 線，并且，該位線解碼器以一前程序化電位控制該第一位線群分組使能，且以一地端電位控 制未被使能的位線；以及 在該第一次區(qū)塊的該抹除步驟之后的一后程序化步驟中，該字線解碼器以一后程序化 使能電位將過抹除存儲(chǔ)單元所對(duì)應(yīng)的字線逐條輪流使能，且以該程序化除能電位控制未被 使能的字線，并且，該位線解碼器以一后程序化電位控制上述過抹除存儲(chǔ)單元所對(duì)應(yīng)的位 線分組使能，且以一地端電位控制未被使能的位線。
7. 如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其特征在于，該第一次區(qū)塊制作于一第一井結(jié) 構(gòu)中，且該第二次區(qū)塊制作于有別于該第一井結(jié)構(gòu)的一第二井結(jié)構(gòu)中。
8. 如權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其特征在于，所述裝置應(yīng)用作為一快閃存儲(chǔ)器。
9. 一種數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置制作方法，其特征在于，所述方法包括： 于一第一井結(jié)構(gòu)制作一第一次區(qū)塊； 于有別于該第一井結(jié)構(gòu)的一第二井結(jié)構(gòu)制作一第二次區(qū)塊； 制作一第一井開關(guān)，用以傳遞一第一井偏壓作該第一次區(qū)塊的偏壓； 制作一第二井開關(guān)，用以傳遞一第二井偏壓作該第二次區(qū)塊的偏壓；以及 制作一第一字線群； 其中，該第一次區(qū)塊以及該第二次區(qū)塊共同由該第一字線群控制。
10. 如權(quán)利要求9所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置制作方法，其特征在于，所述方法還包括： 于該第一井結(jié)構(gòu)制作一第三次區(qū)塊，該第三次區(qū)塊與該第一次區(qū)塊一同由該第一井偏 壓作偏壓； 于該第二井結(jié)構(gòu)制作一第四次區(qū)塊，該第四次區(qū)塊與該第二次區(qū)塊一同由該第二井偏 壓作偏壓；以及 制作一第二字線群； 其中，該第三次區(qū)塊以及該第四次區(qū)塊共同由上述第二字線群控制。
11. 如權(quán)利要求10所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置制作方法，其特征在于，所述方法還包括： 制作第一位線群，該第一位線群耦接該第一次區(qū)塊與該第三次區(qū)塊；以及 制作第二位線群，該第二位線群耦接該第二次區(qū)塊與該第四次區(qū)塊。
12. -種數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置控制方法，其特征在于，所述方法包括： 在對(duì)一數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置內(nèi)的一第一次區(qū)塊執(zhí)行一抹除步驟時(shí)，以一抹除用柵極電位控制 一第一字線群，且以一抹除用井電位控制一第一井偏壓，其中，該第一次區(qū)塊是由該第一字 線群控制且由該第一井偏壓作偏壓；且 在對(duì)該第一次區(qū)塊執(zhí)行該抹除步驟時(shí)，還以一抹除保護(hù)電位控制一第二井偏壓，其中， 該第二井偏壓用于偏壓該數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置內(nèi)的一第二次區(qū)塊，并且，該第二次區(qū)塊與該第一 次區(qū)塊共同由該第一字線群控制。
13. 如權(quán)利要求12所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置控制方法，所述方法還包括： 在對(duì)該第一次區(qū)塊執(zhí)行該抹除步驟時(shí)，還控制一第二字線群為一干擾抑制電位； 其中，該第二字線群用于使能一第三次區(qū)塊以及一第四次區(qū)塊；該第三次區(qū)塊與該第 一次區(qū)塊一同由該第一井偏壓作偏壓；該第四次區(qū)塊與該第二次區(qū)塊一同由該第二井偏壓 作偏壓； 其中，該第二字線群的該干擾抑制電位抑制該抹除用井電位對(duì)該第三次區(qū)塊與該第四 次區(qū)塊產(chǎn)生的干擾。
14. 如權(quán)利要求13所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置控制方法，其特征在于，所述方法還包括： 于該第一次區(qū)塊的該抹除步驟前，還實(shí)施一前程序化步驟，以一前程序化使能電位逐 條輪流使能該第一字線群的字線，且以一程序化除能電位控制未被使能的字線，并且，以一 前程序化電位控制一第一位線群分組使能，且以一地端電位控制未被使能的位線；以及 在該第一次區(qū)塊的該抹除步驟后，還實(shí)施一后程序化步驟，以一后程序化使能電位逐 條輪流使能過抹除存儲(chǔ)單元所對(duì)應(yīng)的字線，且以該程序化除能電位控制未被使能的字線， 并且，以一后程序化電位控制過抹除存儲(chǔ)單元所對(duì)應(yīng)的位線分組使能，且以一地端電位控 制其他未被使能的位線； 其中，該第一次區(qū)塊與該第三次區(qū)塊皆耦接該第一位線群；且該第二次區(qū)塊與該第四 次區(qū)塊皆耦接一第二位線群。
【文檔編號(hào)】G11C16/14GK104103315SQ201310578682
【公開日】2014年10月15日 申請(qǐng)日期:2013年11月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月12日
【發(fā)明者】洪希賢, 樸應(yīng)俊 申請(qǐng)人:華邦電子股份有限公司