磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法及磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法及磁記錄介質(zhì)用玻璃基板。即提供一種在磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的主表面中能夠使短波長的表面波紋度和中波長的表面波紋度足夠小的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法。該磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法包含研磨工序：使用具有研磨面的軟質(zhì)研磨墊，對玻璃基板的主表面進(jìn)行研磨，所述研磨面在測定波長2.5～80μm時(shí)的表面粗糙度Ra為0.40～1.40μm、且在測定波長2.5～800μm時(shí)的表面粗糙度Ra為0.40～2.00μm。
【專利說明】磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法及磁記錄介質(zhì)用玻璃基板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法及磁記錄介質(zhì)用玻璃基板。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，隨著磁盤(以下，也稱為磁記錄介質(zhì)。)的高記錄密度化的要求，磁記錄介質(zhì)上的比特尺寸正逐漸微型化。因此，要求能夠?qū)⑴c更小的比特尺寸對應(yīng)的微弱的磁信號(hào)正確地記錄和/或再生。
[0003]為了將微弱的磁信號(hào)正確地記錄和/或再生，需要盡量減小磁記錄介質(zhì)與磁頭的距離(磁頭的浮起量)。磁頭一定程度地追隨磁記錄介質(zhì)的主表面的表面波紋度，但磁記錄介質(zhì)的主表面的表面波紋度過大時(shí)，難以使磁頭穩(wěn)定地浮起。為了在磁頭的浮起量小的狀態(tài)下穩(wěn)定地進(jìn)行記錄的讀寫，需要減小作為磁記錄介質(zhì)的基板的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的主表面的表面波紋度。
[0004]為了減小表面波紋度，使用表面粗糙度小的軟質(zhì)研磨墊對磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的主表面進(jìn)行精研磨。具體而言，在專利文獻(xiàn)I中，首先，將軟質(zhì)研磨墊安裝于研磨平臺(tái)后，使用具有金剛石粒子等作為磨粒的修整器對其表面實(shí)施修整處理。然后，使用經(jīng)修整處理的軟質(zhì)研磨墊對磁記錄介質(zhì)用玻璃基板進(jìn)行研磨，制造表面波紋度小的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板。對于軟質(zhì)研磨墊，由于通過除去由研磨平臺(tái)的表面的凹凸形狀產(chǎn)生的軟質(zhì)研磨墊的表面的波紋度等而使研磨面更平滑，因此在安裝于研磨平臺(tái)后實(shí)施修整處理。
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本特開2008-112572號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]然而，即使使用由專利文獻(xiàn)I中記載的方法實(shí)施了修整處理的軟質(zhì)研磨墊，也難以提供與滿足近年的高記錄密度化要求的磁記錄介質(zhì)對應(yīng)的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板。
[0007]隨著磁記錄介質(zhì)的高記錄密度化，磁頭滑塊的尺寸變小，對磁頭的浮起量變小。磁頭容易追隨具有比其滑塊的長度長的波長的磁記錄介質(zhì)的主表面的波紋度，但不易追隨具有與滑塊的長度相同程度以下的波長的波紋度。因此，磁頭滑塊的尺寸變小時(shí)，需要減小更短的波長區(qū)域的表面波紋度而使磁頭能夠穩(wěn)定地在磁記錄介質(zhì)上浮起。而且，對于作為磁記錄介質(zhì)的基板的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的主表面，也開始要求減小更短的波長區(qū)域的表面波紋度。
[0008]本申請發(fā)明的目的在于，提供在磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的主表面能夠充分減小短波長的表面波紋度和中波長的表面波紋度的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法。
[0009]本申請發(fā)明提供一種磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法，該方法包含研磨工序:使用具有研磨面的軟質(zhì)研磨墊，對玻璃基板的主表面進(jìn)行研磨，所述研磨面在測定波長
2.5?80 μ m時(shí)的表面粗糙度Ra為0.40?1.40 μ m、且在測定波長2.5?800 μ m時(shí)的表面粗糙度Ra為0.40?2.00 μ m。[0010]根據(jù)本發(fā)明，能夠提供在磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的主表面，能夠充分減小短波長的表面波紋度和中波長的表面波紋度的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1是本實(shí)施方式涉及的修整器的一個(gè)例子的概略構(gòu)成圖。
[0012]圖2是雙面研磨裝置的一個(gè)例子的示意縱截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]以下，參照【專利附圖】

【附圖說明】本發(fā)明涉及的實(shí)施方式。
[0014][磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法的概要]
[0015]對本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法的概要進(jìn)行說明。
[0016]首先，在本發(fā)明中，磁記錄介質(zhì)用玻璃基板可以是非晶玻璃，也可以是結(jié)晶化玻璃，還可是在玻璃基板的表層具有強(qiáng)化層的強(qiáng)化玻璃(例如，化學(xué)強(qiáng)化玻璃)。舉一個(gè)例子:對磁記錄介質(zhì)用玻璃基板要求高機(jī)械強(qiáng)度時(shí)，實(shí)施在玻璃基板的表層形成強(qiáng)化層的強(qiáng)化工序(例如，化學(xué)強(qiáng)化工序)。強(qiáng)化工序可以在最初的研磨工序之前、最后的研磨工序之后、或者各研磨工序之間的任意時(shí)刻實(shí)施。
[0017]本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的原材料玻璃基板利用浮式法、熔融法、沖壓成型法、下拉法或者再拉法等方法成型，但本發(fā)明不限于此。
[0018]磁記錄介質(zhì)用玻璃基板通過對上述方法中成型的玻璃素板實(shí)施包含下述工序的工序來制造，即，
[0019](工序I)形狀賦予工序，將原材料玻璃基板加工成在中央部具有圓形孔的圓盤形狀后，對內(nèi)周側(cè)面和外周側(cè)面實(shí)施倒角加工；
[0020](工序2)端面研磨工序，對玻璃基板的端面(內(nèi)周端面和外周端面)進(jìn)行研磨；
[0021](工序3)主表面研磨工序，對研磨玻璃基板的上下兩個(gè)主表面進(jìn)行研磨；
[0022](工序4)清洗工序，對玻璃基板進(jìn)行精密清洗并干燥。
[0023]然后，利用包含上述工序的制造方法得到的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板經(jīng)由形成磁性層等薄膜的工序而成為磁記錄介質(zhì)。
[0024]可以在主表面研磨工序之前實(shí)施主表面的打磨(9 'y 7°)(例如，游離磨粒打磨、固定磨粒打磨等)，另外，可以在各工序間實(shí)施玻璃基板的清洗(工序間清洗)、玻璃基板表面的蝕刻(工序間蝕刻)。應(yīng)予說明，這里所說的主表面的打磨是廣義的主表面的研磨。另外，研磨工序可以僅進(jìn)行一級(jí)研磨，也可以進(jìn)行一級(jí)研磨和二級(jí)研磨，還可以在二級(jí)研磨之后進(jìn)行三級(jí)研磨。
[0025]接著，對各工序進(jìn)行說明。
[0026](工序I)形狀賦予工序
[0027]在形狀賦予工序中，將原材料玻璃基板加工成中央部具有圓形孔的圓盤形狀后，對內(nèi)周側(cè)面和外周側(cè)面實(shí)施倒角加工。形狀賦予工序中的內(nèi)周和外周側(cè)面部的倒角加工通常使用固定有金剛石磨粒的磨具進(jìn)行。
[0028](工序2)端面研磨工序
[0029]在端面研磨工序中，對玻璃基板的內(nèi)周端面和外周端面進(jìn)行端面研磨。[0030]外周端面和內(nèi)周端面的研磨先實(shí)施哪個(gè)都可以。
[0031 ](工序3)主表面研磨工序
[0032]在主表面研磨工序中，使用雙面研磨裝置，邊對玻璃基板的主表面供給研磨液邊研磨玻璃基板的上下主表面。應(yīng)予說明，作為雙面研磨裝置，沒有特別限定，例如可以使用16B型雙面研磨裝置、20B型雙面研磨裝置、22B型雙面研磨裝置等。
[0033]研磨工序可以是僅為一級(jí)研磨(精研磨)的一步研磨，也可以是進(jìn)行一級(jí)研磨和二級(jí)研磨(精研磨)的二步研磨，還可以是經(jīng)過一級(jí)研磨、二級(jí)研磨后再進(jìn)行三級(jí)研磨(精研磨)的三步研磨。通?？梢栽诟餮心スば蛑g設(shè)置清洗工序(工序間清洗)。
[0034]本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法通過在該精研磨工序中實(shí)施后述的特定方法，從而制造主表面的表面波紋度足夠小的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板。后述精研磨的詳細(xì)內(nèi)容。
[0035](工序4)清洗工序
[0036]在清洗工序中，對精研磨后的玻璃基板依次進(jìn)行例如使用了洗劑的擦洗、在浸潰于洗劑溶液的狀態(tài)下進(jìn)行的超聲波清洗、在浸潰于純水的狀態(tài)下進(jìn)行的超聲波清洗等，并利用異丙醇等的蒸氣進(jìn)行干燥。
[0037][本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法]
[0038]在本實(shí)施方式中，作為上述(工序3)中的精研磨的研磨工具，使用具有后述的研磨面特性的軟質(zhì)研磨墊并使用含有膠態(tài)二氧化硅的研磨液，利用雙面研磨裝置對上下主表面進(jìn)行研磨。
[0039]軟質(zhì)研磨墊通常是指具有基礎(chǔ)層和由泡沫塑料等制作的表面層(通常被稱為NAP層)的研磨墊。在本實(shí)施方式中，通過修整處理而將軟質(zhì)研磨墊表面層的表皮磨削除去。由此，使泡沫塑料所含的氣泡開口，形成研磨玻璃基板的研磨面。這樣，將表面層的表皮磨削除去而使泡沫塑料的氣泡開口的狀態(tài)的軟質(zhì)研磨墊也可以稱為絨面型的研磨墊。軟質(zhì)研磨墊常被用于玻璃基板的精研磨。
[0040]作為含有膠態(tài)二氧化硅的研磨液，優(yōu)選使用以一次粒子的平均粒子直徑為I?50nm、優(yōu)選為5?30η、，進(jìn)一步優(yōu)選為10?30nm的膠態(tài)二氧化娃為主成分的研磨液。
[0041]軟質(zhì)研磨墊在研磨玻璃基板之前，預(yù)先使用修整器實(shí)施修整處理，調(diào)整研磨墊的研磨面的形狀和表面粗糙度。
[0042]例如聚氨酯制的軟質(zhì)研磨墊在內(nèi)部具有發(fā)泡層，其中具有暫時(shí)保持研磨劑粒子的構(gòu)成。因此，為了使該發(fā)泡層開口，需要使用修整器對軟質(zhì)研磨墊的研磨面實(shí)施修整處理，將研磨墊的表面層磨削除去，形成研磨面。作為修整處理，將研磨墊安裝于后述的研磨裝置的平臺(tái)后，使用后述的修整器將研磨墊的表面層磨削除去。
[0043]圖1中示出本實(shí)施方式涉及的修整器的一個(gè)例子的概略構(gòu)成圖。
[0044]如圖1所示，修整器10具有將不銹鋼或者鋁合金等金屬加工成圓盤形狀而成的底座12、和形成于底座12的上平面14的金剛石磨粒等的磨粒層16。磨粒層16利用例如電沉積法或者釬焊法等方法形成規(guī)定的圖案。作為磨粒層16的層疊圖案的一個(gè)例子，圖1中示出了沿底座12的周向形成有多個(gè)扇形的磨粒層16的構(gòu)成，但本發(fā)明不局限于此。
[0045]應(yīng)予說明，作為磨粒的形成方法的一個(gè)例子的釬焊法是指利用釬焊形成保持(固定)金剛石磨粒等磨粒的磨粒層的方法。更具體而言，是通過使高溫的熔融狀態(tài)的釬焊料附著于金剛石磨粒等磨粒的表面后使其固化來固定磨粒的方法。
[0046]用釬焊法形成磨粒層的修整器的磨粒層的表面與用后述的電沉積法形成磨粒層的修整器的磨粒層的表面相比，磨粒的突出量多，且磨粒上部的高度均勻。因此，如果使用由釬焊法形成磨粒層的修整器對研磨墊的表面實(shí)施修整處理，則能夠得到更平滑的研磨面。
[0047]另一方面，用電沉積法形成磨粒層時(shí)，由于通過鍍覆等在底座的上平面形成固定(保持)磨粒的磨粒層的金屬而將磨粒埋入磨粒層，所以磨粒直徑的一半以上被埋入金屬的磨粒層中。因此，用電沉積法形成磨粒層的修整器的磨粒層的表面與釬焊法的修整器的表面相比，磨粒的突出量變小。另外，為了防止修整處理中磨粒從磨粒層脫落，要混合粒徑不同的磨粒，成為粒徑小的磨粒進(jìn)入粒徑大的磨粒之間的構(gòu)成。因此，用電沉積法形成磨粒層的修整器的表面與用釬焊法形成的修整器的表面相比，不均勻。因此，如果使用由電沉積法形成磨粒層的修整器對研磨墊實(shí)施修整處理，則有研磨墊的研磨面的表面粗糙度變大的趨勢。然而，利用由電沉積法形成磨粒層的修整器進(jìn)行的修整處理與利用由釬焊法形成磨粒層的修整器進(jìn)行的修整處理相比，修整處理速度快、且研磨墊的磨削時(shí)的阻力小。
[0048]修整處理可以使用上述主表面研磨工序中的雙面研磨裝置實(shí)施。圖2中示出在主表面研磨工序、修整處理工序中可使用的雙面研磨裝置的一個(gè)例子的示意縱截面圖。如圖2所示，雙面研磨裝置100以同時(shí)研磨多個(gè)玻璃基板的兩個(gè)主表面的方式被構(gòu)成。雙面研磨裝置100具有基座200、下平臺(tái)300、上平臺(tái)400、升降機(jī)構(gòu)500和旋轉(zhuǎn)傳遞機(jī)構(gòu)600。下平臺(tái)300被可旋轉(zhuǎn)地支撐于基座200的上部，基座200的內(nèi)部安裝有作為后述的驅(qū)動(dòng)部的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)上平臺(tái)400等的驅(qū)動(dòng)馬達(dá)。
[0049]下平臺(tái)300具有下側(cè)研磨墊，該下側(cè)研磨墊對保持于未圖示的載體上的多個(gè)玻璃基板的下表面進(jìn)行研磨。另外，上平臺(tái)400具有上側(cè)研磨墊，該上側(cè)研磨墊與下平臺(tái)300的上方對置配置并對多個(gè)玻璃基板的上表面進(jìn)行研磨。
[0050]升降機(jī)構(gòu)500被豎立于基座200的上方的圓形框架700支撐，具有在載體交換時(shí)使上平臺(tái)400升降的升降用汽缸裝置520。升降用汽缸裝置520以沿垂直向下的方向進(jìn)行伸縮動(dòng)作的方式被安裝于框架700的橫梁720的中央。升降用汽缸裝置520的活塞桿540延伸至下方。
[0051]活塞桿540的下側(cè)前端部與懸掛部件800的中央部結(jié)合。懸掛部件800以懸掛上平臺(tái)400的方式被安裝。懸掛部件800具備在上下方向延伸的多個(gè)支柱800a、被固定在支柱800a的下端部的圓環(huán)狀安裝部件800b、和被固定在支柱800a的上端部的板狀安裝部件800c。上平臺(tái)400的上表面被固定在圓環(huán)狀安裝部件800b的下表面。因此，向上方或者下方驅(qū)動(dòng)升降用汽缸裝置520的活塞桿540時(shí)，活塞桿540與介由懸掛部件800連接的上平臺(tái)400也同時(shí)被驅(qū)動(dòng)，從而上升或者下降。
[0052]旋轉(zhuǎn)傳遞機(jī)構(gòu)600在上平臺(tái)400的驅(qū)動(dòng)馬達(dá)的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)軸610的上端具有形成為圓筒形狀的結(jié)合部620。另外，旋轉(zhuǎn)傳遞機(jī)構(gòu)600具有可與形成于貫穿上平臺(tái)400的中心孔的結(jié)合部620的上側(cè)側(cè)面的鍵槽(凹部)620a嵌合的鍵(爪)810。在上平臺(tái)400的內(nèi)周側(cè)突出的鍵810以支軸820為擺動(dòng)中心，通過支軸820被可擺動(dòng)地安裝于圓環(huán)狀安裝部件
800b ο
[0053]雙面研磨裝置100具有控制上平臺(tái)400、升降機(jī)構(gòu)500、和旋轉(zhuǎn)傳遞機(jī)構(gòu)600的控制部900。控制部900具備CPU等運(yùn)算處理裝置，根據(jù)由運(yùn)算處理裝置處理的規(guī)定的程序，能夠執(zhí)行規(guī)定的處理。
[0054]作為使用了圖2所示的雙面研磨裝置的修整處理的方法，首先，將軟質(zhì)研磨墊安裝于雙面研磨裝置的平臺(tái)表面。然后，使用預(yù)先制作的修整器，邊流通水邊以規(guī)定的壓力、規(guī)定的時(shí)間實(shí)施修整處理。由此，將軟質(zhì)研磨墊的表面層細(xì)致地磨削除去，使微小的開口部出現(xiàn)在研磨面，并且將軟質(zhì)研磨墊的研磨面調(diào)整至規(guī)定的表面粗糙度。應(yīng)予說明，修整處理可以使用I種修整器實(shí)施一級(jí)修整處理，也可以使用2種以上的修整器實(shí)施二級(jí)以上的修整處理。
[0055]在本實(shí)施方式中，使用如下的軟質(zhì)研磨墊對玻璃基板的主表面進(jìn)行精研磨，即，修整處理后的軟質(zhì)研磨墊的研磨面
[0056](a)在測定波長2.5?80 μ m時(shí)的表面粗糙度Ra為0.40?1.40 μ m,更優(yōu)選為
0.40?1.34 μ m，進(jìn)一步優(yōu)選為0.40?1.24 μ m，且(b)在測定波長2.5?800 μ m時(shí)的表面粗糙度Ra為0.40?2.00 μ m,更優(yōu)選為0.40?1.80 μ m,進(jìn)一步優(yōu)選為0.40?1.75 μ m。
[0057]通過使用上述軟質(zhì)研磨墊進(jìn)行精研磨，從而能夠制造在測定波長40?200μηι時(shí)的表面波紋度Wa (短波長的表面波紋度)為0.06nm以下、且在測定波長200?1250 μ m時(shí)的表面波紋度Wa (中波長的表面波紋度)為0.08nm以下的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板。即，利用本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法，能夠制造從短波長區(qū)域直到中波長區(qū)域的表面波紋度足夠小的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板。
[0058]近年來，隨著磁記錄介質(zhì)的高記錄密度化，磁頭滑塊的大小變小，滑塊的浮起量變小。在與磁頭滑塊的長度相同程度的波長區(qū)域的磁記錄介質(zhì)的主表面的波紋度大時(shí)，滑塊難以追隨該波紋度，滑塊的浮起姿態(tài)變得不穩(wěn)定，難以使滑塊穩(wěn)定地浮起于磁記錄介質(zhì)的主表面。
[0059]另外，磁記錄介質(zhì)的主表面的波紋度受到作為磁記錄介質(zhì)的基板的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的主表面的波紋度很大的影響。因此，為了使滑塊的浮起姿態(tài)穩(wěn)定化，重要的是使在與滑塊的長度相同程度的波長區(qū)域的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的主表面的波紋度足夠小。
[0060]應(yīng)予說明，使用采用表面粗糙度大的修整器實(shí)施了修整處理的軟質(zhì)研磨墊對玻璃基板的主表面進(jìn)行研磨時(shí)，能夠減小主表面的長波長區(qū)域的表面波紋度，但難以減小短波長區(qū)域的表面波紋度。另一方面，使用采用表面粗糙度小的修整器實(shí)施了修整處理的軟質(zhì)研磨墊對玻璃基板的主表面進(jìn)行研磨時(shí)，能夠減小主表面的短波長區(qū)域的表面波紋度，但難以減小長波長區(qū)域的表面波紋度。
[0061]在本實(shí)施方式涉及的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法中，為了應(yīng)對隨著近年來的磁記錄介質(zhì)的高記錄密度化而尺寸逐漸減小的磁頭滑塊，通過使用具有滿足上述特性的研磨面的軟質(zhì)研磨墊進(jìn)行精研磨，從而能夠充分減小磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的主表面的短波長區(qū)域的表面波紋度(在測定波長40?200 μ m時(shí)的表面波紋度Wa)，以及中波長區(qū)域的表面波紋度(在測定波長200?1250 μ m時(shí)的表面波紋度Wa)。
[0062]另外，近年來，為了提高磁記錄裝置的讀取速度，有在硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)中使磁記錄介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)速度高速化的趨勢，但被指出存在如下問題，即，由于在使磁記錄介質(zhì)在HDD中高速旋轉(zhuǎn)時(shí)產(chǎn)生的稱為顫振的磁盤的振動(dòng)，使磁頭的浮起姿態(tài)變得不穩(wěn)定。
[0063]產(chǎn)生顫振的原因有多種，認(rèn)為數(shù)mm級(jí)的表面的波紋度也是原因之一。通過減小這樣的長波長區(qū)域的表面波紋度，從而能夠抑制高速旋轉(zhuǎn)時(shí)的顫振，有望使磁頭的浮起姿態(tài)更穩(wěn)定化。因此，作為磁記錄介質(zhì)的基板的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的主表面也被要求減小長波長區(qū)域的表面波紋度。
[0064]在本實(shí)施方式中，優(yōu)選使用在測定波長8.3?2500 μπι時(shí)的表面粗糙度Ra為
0.60?2.30 μ m的軟質(zhì)研磨墊進(jìn)行精研磨。由此，能夠制造測定波長1250?5000 μ m之類的長波長區(qū)域的表面波紋度Wa為0.13nm以下的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板。
[0065]通過減小磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的從短波長區(qū)域直到中波長區(qū)域的表面波紋度，并且也減小長波長區(qū)域的表面波紋度，從而可期待使磁記錄介質(zhì)在HDD中高速旋轉(zhuǎn)時(shí)的磁頭的浮起姿態(tài)更穩(wěn)定化。
[0066]另外，通過減小磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的從短波長區(qū)域直到中波長區(qū)域的表面波紋度，且減小長波長區(qū)域的表面波紋度，從而即使是作為最精密的(小的)磁頭滑塊的“飛米滑塊”(長度約0.85mm)、或者比它大的滑塊，也可成為可適用的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板。
[0067]因此，能夠同時(shí)制造使用了不同尺寸的滑塊的不同品種的HDD用的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板，能夠生產(chǎn)率良好地制造面向多品種的HDD的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板。
[0068]應(yīng)予說明，研磨墊的研磨面的表面粗糙度Ra可以根據(jù)JIS B0651-2001，使用探針式的表面粗糙度儀測定。
[0069]另外，磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的主表面的表面波紋度Wa可以使用光散射方式表面觀察機(jī)來測定。作為測定方法，將激光入射到測定對象物的表面，檢測從測定對象物反射的光，從而得到主表面的高度信息。
[0070](磁盤的制造方法)
[0071]本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)利用例如如下所述的方法，在磁記錄介質(zhì)用玻璃基板上形成包含磁性層的多層膜而得到。這里舉出一個(gè)例子，但本發(fā)明不局限于下述方法。
[0072]磁記錄介質(zhì)成為例如在玻璃基板的主表面上至少層疊有磁性層(磁記錄層)、保護(hù)層、潤滑層的構(gòu)成。此時(shí)，也可以在磁性層下形成附著層和/或基底層等其他層。
[0073]磁性層可以是水平(長邊方向)記錄方式也可以是垂直記錄方式，但從提高記錄密度的方面考慮，優(yōu)選為垂直記錄方式。
[0074]為垂直記錄方式時(shí)，通常形成CoNiFe、FeCoB, CoCuFe, NiFe, FeAlS1、FeTaN、FeN、FeTaC, CoFeB或者CoZrN等(軟磁性)基底層。通過形成(軟磁性)基底層，從而使由磁頭產(chǎn)生的記錄磁場環(huán)流。
[0075]另外，可以在基底層與磁性層之間形成Ru、Ru合金等的非磁性中間層。通過形成非磁性中間層，從而能夠更容易形成通過外延生長成膜的磁性層。另外，能夠切斷軟磁性基底層與記錄用磁性層的磁交換耦合。
[0076]垂直記錄方式的磁性層是易磁化軸相對于基板面朝向垂直方向的磁性膜，通常使用CoPt系合金。此時(shí)，為了降低導(dǎo)致高固有介質(zhì)噪聲的晶粒間交換耦合，優(yōu)選形成被充分隔離的微粒結(jié)構(gòu)。具體而言，優(yōu)選在CoPt系合金等中添加Si02、SiO、Cr2O3> CoO、Ta2O3或TiO2等氧化物,或者Cr、B、Cu、Ta或Zr等金屬,將CoPt系合金間充分隔離。
[0077]軟磁性基底層、中間層以及磁性層可以通過在對由上述玻璃基板的制造方法得到的玻璃基板進(jìn)行精密清洗(成膜前清洗)，除去表面的粒子之后，利用在線濺射法、DC磁控濺射法等方法連續(xù)地形成。[0078]保護(hù)層是為了防止磁性層的腐蝕而形成的。另外，磁頭與磁記錄介質(zhì)接觸時(shí)，也起到防止磁記錄介質(zhì)表面的損傷的作用。作為具體的保護(hù)層的例子，可舉出含有C、Zr02或SiO2等的材料。作為保護(hù)層的形成方法，例如可舉出在線濺射法、CVD法或者旋涂法等。
[0079]為了減少磁頭與磁記錄介質(zhì)的摩擦，在保護(hù)膜的表面形成潤滑膜。作為潤滑膜的具體例，例如可以使用全氟聚醚、氟化醇或者氟化羧酸等。潤滑膜可以利用浸潰法或者噴霧法等方法形成。
[0080][實(shí)施例]
[0081]以下，舉出實(shí)施例進(jìn)一步詳細(xì)說明本發(fā)明，但本發(fā)明不受這些實(shí)施例任何限制。
[0082][修整處理]
[0083](例I)
[0084]作為修整處理，首先將聚氨酯制的軟質(zhì)研磨墊安裝于研磨裝置的上下平臺(tái)。
[0085]接著，作為第I階段的修整處理，邊對軟質(zhì)研磨墊的研磨面流通水，邊在壓力
3.0kPa、修整處理時(shí)間10分鐘的條件下實(shí)施修整處理。作為修整器，使用利用電沉積法使#800的金剛石磨粒附著于直徑95_的不銹鋼圓盤而成的修整器。
[0086]接著，作為第2階段的修整處理，邊對軟質(zhì)研磨墊的研磨面流通水，邊在壓力
3.0kPa、修整處理時(shí)間30分鐘的條件下實(shí)施修整處理。作為修整器，使用利用釬焊法使#1000的金剛石磨粒附著于直徑95_的不銹鋼制圓盤而成的修整器。
[0087](例2)
[0088]在第2階段的修整處理中，使用利用釬焊法使#800的金剛石磨粒附著于直徑95mm的不銹鋼制圓盤而成的修整器，將修整處理時(shí)間變更為10分鐘，除此之外，采用與例I相同的方法進(jìn)行修整處理。
[0089](例3)
[0090]在第I階段的修整處理中，使用利用釬焊法使#800的金剛石磨粒附著于直徑95mm的不銹鋼制圓盤而成的修整器，將修整處理時(shí)間變更為20分鐘，不實(shí)施第2階段的修整處理，除此之外，采用與例I相同的方法進(jìn)行修整處理。
[0091](例4)
[0092]不實(shí)施第2階段的修整處理，除此之外，采用與例I相同的方法進(jìn)行修整處理。
[0093](例5)
[0094]在第I階段的修整處理中，使用利用釬焊法使#1000的金剛石磨粒附著于直徑95mm的不銹鋼制圓盤而成的修整器，將修整處理時(shí)間變更為30分鐘，不實(shí)施第2階段的修整處理，除此之外，采用與例I相同的方法進(jìn)行修整處理。
[0095](例6)
[0096]在第I階段的修整處理中，使用利用電沉積法使#600的金剛石磨粒附著于直徑95mm的不銹鋼制圓盤而成的修整器，將修整處理時(shí)間變更為8分鐘，不實(shí)施第2階段的修整處理，除此之外，采用與例I相同的方法進(jìn)行修整處理。
[0097](例7)
[0098]在第I階段的修整處理中，使用利用電沉積法使#400的金剛石磨粒附著于直徑95mm的不銹鋼制圓盤而成的修整器，將修整處理時(shí)間變更為5分鐘，不實(shí)施第2階段的修整處理，除此之外，采用與例I相同的方法進(jìn)行修整處理。[0099](例8)
[0100]在第I階段的修整處理中，使用利用釬焊法使#800的金剛石磨粒附著于直徑95mm的不銹鋼制圓盤而成的修整器，將修整處理時(shí)間變更為10分鐘，不實(shí)施第2階段的修整處理，除此之外，采用與例I相同的方法進(jìn)行修整處理。
[0101]使用激光顯微鏡(Olympus公司制，型號(hào):LEXT_0LS3500)，對修整器的附著有磨粒的表面測定表面粗糙度(算術(shù)平均粗糙度Ra)。由于在附著有磨粒的修整器的表面磨粒突出，所以在使用探針式表面粗糙度儀的表面粗糙度測定中，有可能無法穩(wěn)定地保持測定中的探針的狀態(tài)。因此，在本實(shí)施方式中，采用使用了上述激光顯微鏡的光學(xué)方法測定表面粗糙度(算術(shù)平均粗糙度Ra)。應(yīng)予說明，采用光學(xué)方法測定的表面粗糙度與使用探針式表面粗糙度儀測定的表面粗糙度的測定方式不同，因此所得表面粗糙度為不同的值。
[0102]修整器的算術(shù)平均粗糙度Ra在將激光顯微鏡的物鏡設(shè)為5倍、變焦設(shè)為I倍、測定視場設(shè)為2560 μ mX 1920 μ m、截止波長設(shè)為853.3 μ m的條件下測定。將測定得到的修整器的算術(shù)平均粗糙度Ra示于表I。另外，將各例中的修整處理的條件示于表I。
[0103]表I
[0104]
【權(quán)利要求】
1.一種磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法，包含研磨工序:使用具有研磨面的軟質(zhì)研磨墊對玻璃基板的主表面進(jìn)行研磨，所述研磨面在測定波長2.5?80 μ m時(shí)的表面粗糙度Ra為0.40?1.40 μπι、且在測定波長2.5?800 μ m時(shí)的表面粗糙度Ra為0.40?2.0Oym0
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法，其中，所述研磨面在測定波長8.3?2500 μ m時(shí)的表面粗糙度Ra為0.60?2.30 μ m。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的制造方法，其中，所述研磨工序包含使用含有平均粒徑為I?50nm的二氧化硅粒子的研磨液對玻璃基板的主表面進(jìn)行研磨的工序。
4.一種磁記錄介質(zhì)用玻璃基板，是在中央部具有圓孔的圓盤形狀的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板， 所述磁記錄介質(zhì)用玻璃基板的主表面在測定波長40?200 μ m時(shí)的表面波紋度Wa為0.06nm以下，且在測定波長200?1250 μ m時(shí)的表面波紋度Wa為0.08nm以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁記錄介質(zhì)用玻璃基板，其中，所述主平面在測定波長1250?5000 μ m時(shí)的表面波紋度Wa為0.13nm以下。
【文檔編號(hào)】G11B5/84GK103978422SQ201410045489
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2014年2月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月8日
【發(fā)明者】玉田稔, 大塚晴彥, 田先雷太 申請人:旭硝子株式會(huì)社