數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置及其錯(cuò)誤校正方法以及數(shù)據(jù)讀取方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置及其錯(cuò)誤校正方法以及數(shù)據(jù)讀取方法。該數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置包括一快閃存儲(chǔ)器以及一控制器?？扉W存儲(chǔ)器用以操作于一單階儲(chǔ)存單元模式以及一非單階儲(chǔ)存單元模式?？刂破饔靡栽趩坞A儲(chǔ)存單元模式下，根據(jù)一主機(jī)的一讀取命令對(duì)快閃存儲(chǔ)器中相應(yīng)于一第一字符線(xiàn)的一頁(yè)面進(jìn)行一第一次讀取動(dòng)作，并且當(dāng)?shù)谝淮巫x取動(dòng)作讀取相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的頁(yè)面發(fā)生無(wú)法借由編解碼進(jìn)行修復(fù)的錯(cuò)誤時(shí)，用以執(zhí)行一校正電壓分布程序，其中在校正電壓分布程序中，控制器致使快閃存儲(chǔ)器切換至非單階儲(chǔ)存單元模式，并且在非單階儲(chǔ)存單元模式下，將一數(shù)字邏輯1寫(xiě)入相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的一最高有效比特頁(yè)面，以校正相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元的電壓分布。
【專(zhuān)利說(shuō)明】數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置及其錯(cuò)誤校正方法以及數(shù)據(jù)讀取方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明是關(guān)于一種數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置的錯(cuò)誤校正方法；特別是關(guān)于一種校正電壓分布 的錯(cuò)誤校正方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 快閃存儲(chǔ)器為一種普遍的非揮發(fā)性數(shù)據(jù)儲(chǔ)存媒體，是以電性方式抹除與程序化。 以與非門(mén)型的快閃存儲(chǔ)器（即NAND FLASH)為例，常用作存儲(chǔ)卡（memory card)、通用序列 總線(xiàn)閃存裝置（USB flash device)、固態(tài)硬盤(pán)（SSD)、嵌入式快閃存儲(chǔ)器模塊（eMMC)…等的 儲(chǔ)存媒體。
[0003] 快閃存儲(chǔ)器（如，NAND FLASH)的儲(chǔ)存陣列包括多個(gè)區(qū)塊（blocks)，而各區(qū)塊包括 多個(gè)頁(yè)（pages)。由于快閃存儲(chǔ)器的存取過(guò)程中可能會(huì)發(fā)生數(shù)據(jù)內(nèi)容的錯(cuò)誤，所以目前在存 入數(shù)據(jù)時(shí)是將原始的數(shù)據(jù)進(jìn)行編碼以及產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的校驗(yàn)碼后，再儲(chǔ)存編碼后的數(shù)據(jù)及校驗(yàn) 碼至快閃存儲(chǔ)器中，而數(shù)據(jù)讀取時(shí)則將編碼的數(shù)據(jù)及校驗(yàn)碼讀出，再解碼所讀出的編碼數(shù) 據(jù)來(lái)得到原先的數(shù)據(jù)。編/解碼操作雖然能夠進(jìn)行除錯(cuò)，然而更正能力仍是有個(gè)上限。而 當(dāng)發(fā)生超過(guò)一定程度以上的錯(cuò)誤時(shí)，快閃存儲(chǔ)器控制器在執(zhí)行完解碼操作后將發(fā)現(xiàn)無(wú)法對(duì) 編碼數(shù)據(jù)進(jìn)行有效解碼，即發(fā)生無(wú)法完全更正成原始數(shù)據(jù)，而造成數(shù)據(jù)毀損的情況。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明所提供的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置以及錯(cuò)誤校正方法可借由校正電壓分布程序，以非 單階儲(chǔ)存單元模式校正目標(biāo)頁(yè)面的電壓分布。另外，重復(fù)讀取程序可對(duì)目標(biāo)頁(yè)面進(jìn)行重復(fù) 讀取，以根據(jù)不同的讀取電壓讀取目標(biāo)頁(yè)面的數(shù)據(jù)。
[0005] 本發(fā)明提供一種數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置。數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置包括一快閃存儲(chǔ)器以及一控制器。 快閃存儲(chǔ)器用以操作于一單階儲(chǔ)存單元模式以及一非單階儲(chǔ)存單元模式?？刂破饔靡栽趩?階儲(chǔ)存單元模式下，根據(jù)一主機(jī)的一讀取命令對(duì)快閃存儲(chǔ)器中相應(yīng)于一第一字符線(xiàn)的一頁(yè) 面進(jìn)行一第一次讀取動(dòng)作，并且當(dāng)?shù)谝淮巫x取動(dòng)作讀取相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的頁(yè)面發(fā)生無(wú)法 借由編解碼進(jìn)行修復(fù)的錯(cuò)誤時(shí)，用以執(zhí)行一校正電壓分布程序，其中在校正電壓分布程序 中，控制器致使快閃存儲(chǔ)器切換至非單階儲(chǔ)存單元模式，并且在非單階儲(chǔ)存單元模式下，將 一數(shù)字邏輯1寫(xiě)入相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的一最高有效比特頁(yè)面，以校正相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的 存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元的電壓分布。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，非單階儲(chǔ)存單元模式為一二階儲(chǔ)存 單元模式。
[0006] 當(dāng)非單階儲(chǔ)存單元模式為二階儲(chǔ)存單元模式時(shí)，控制器更用以在校正電壓分布程 序中，在數(shù)字邏輯1寫(xiě)入最高有效比特頁(yè)面后，致使快閃存儲(chǔ)器回復(fù)至單階儲(chǔ)存單元模式， 并且在單階儲(chǔ)存單元模式下，再對(duì)相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的頁(yè)面進(jìn)行一第二次讀取動(dòng)作。當(dāng)?shù)?二次讀取動(dòng)作讀取相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的頁(yè)面發(fā)生無(wú)法借由編解碼進(jìn)行修復(fù)的錯(cuò)誤時(shí)，控制 器將相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的頁(yè)面標(biāo)記為一損壞頁(yè)面。
[0007] 在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，非單階儲(chǔ)存單元模式為一三階儲(chǔ)存單元模式。當(dāng)非單 階儲(chǔ)存單元模式為三階儲(chǔ)存單元模式時(shí)，控制器更用以在校正電壓分布程序中，在三階儲(chǔ) 存單元模式下，將一數(shù)字邏輯1寫(xiě)入相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的一中央有效比特頁(yè)面，以校正相 應(yīng)于第一字符線(xiàn)的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元的電壓分布?？刂破鞲靡栽谛Ｕ妷悍植汲绦蛑校?數(shù)字邏輯1寫(xiě)入最高有效比特頁(yè)面以及中央有效比特頁(yè)面后，致使快閃存儲(chǔ)器回復(fù)至單階 儲(chǔ)存單元模式，并且在單階儲(chǔ)存單元模式下，再對(duì)相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的頁(yè)面進(jìn)行一第二次 讀取動(dòng)作。當(dāng)?shù)诙巫x取動(dòng)作讀取相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的頁(yè)面發(fā)生無(wú)法借由編解碼進(jìn)行修復(fù) 的錯(cuò)誤時(shí)，控制器將相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的頁(yè)面標(biāo)記為一損壞頁(yè)面。
[0008] 在本發(fā)明的又另一實(shí)施例中，當(dāng)?shù)谝淮巫x取動(dòng)作讀取相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的頁(yè)面發(fā) 生無(wú)法借由編解碼進(jìn)行修復(fù)的錯(cuò)誤時(shí)，控制器更用以在校正電壓分布程序前執(zhí)行一重復(fù)讀 取程序，其中在重復(fù)讀取程序中，控制器用以根據(jù)一重復(fù)讀取表，對(duì)快閃存儲(chǔ)器中的一寄存 器進(jìn)行一電壓設(shè)定動(dòng)作，以將寄存器中的數(shù)值，作為快閃存儲(chǔ)器的讀取電壓。
[0009] 本發(fā)明亦提供一種錯(cuò)誤校正方法，適用于一數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置。數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置包含一 快閃存儲(chǔ)器用以操作于一單階儲(chǔ)存單元模式以及一非單階儲(chǔ)存單元模式。錯(cuò)誤校正方法包 括：根據(jù)一主機(jī)的一讀取命令對(duì)快閃存儲(chǔ)器中相應(yīng)于一第一字符線(xiàn)的一頁(yè)面進(jìn)行一第一次 讀取動(dòng)作；判斷第一次讀取動(dòng)作讀取第一頁(yè)面時(shí)，是否發(fā)生無(wú)法借由編解碼進(jìn)行修復(fù)的錯(cuò) 誤；以及當(dāng)?shù)谝淮巫x取動(dòng)作讀取相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的頁(yè)面發(fā)生無(wú)法借由編解碼進(jìn)行修復(fù)的 錯(cuò)誤時(shí)，執(zhí)行一校正電壓分布程序。校正電壓分布程序包括：致使快閃存儲(chǔ)器切換至非單階 儲(chǔ)存單元模式；以及在非單階儲(chǔ)存單元模式下，將一數(shù)字邏輯1寫(xiě)入相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的 一最高有效比特頁(yè)面，以校正相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元的電壓分布。
[0010] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，非單階儲(chǔ)存單元模式為一二階儲(chǔ)存單元模式。在二階儲(chǔ) 存單元模式中，校正電壓分布程序的步驟更包括：在數(shù)字邏輯1寫(xiě)入最高有效比特頁(yè)面后， 致使快閃存儲(chǔ)器回復(fù)至單階儲(chǔ)存單元模式；在單階儲(chǔ)存單元模式下，再對(duì)相應(yīng)于第一字符 線(xiàn)的頁(yè)面進(jìn)行一第二次讀取動(dòng)作；當(dāng)?shù)诙巫x取動(dòng)作讀取相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的頁(yè)面發(fā)生無(wú) 法借由編解碼進(jìn)行修復(fù)的錯(cuò)誤時(shí)，將相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的頁(yè)面標(biāo)記為一損壞頁(yè)面。
[0011] 在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，非單階儲(chǔ)存單元模式為一三階儲(chǔ)存單元模式。在非單 階儲(chǔ)存單元模式中校正電壓分布程序的步驟更包括在三階儲(chǔ)存單元模式下，將一數(shù)字邏輯 1寫(xiě)入相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的一中央有效比特頁(yè)面，以校正相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存 單元的電壓分布；在數(shù)字邏輯1寫(xiě)入最高有效比特頁(yè)面以及中央有效比特頁(yè)面后，致使快 閃存儲(chǔ)器回復(fù)至單階儲(chǔ)存單元模式；在單階儲(chǔ)存單元模式下，再對(duì)相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的頁(yè) 面進(jìn)行一第二次讀取動(dòng)作；以及當(dāng)?shù)诙巫x取動(dòng)作讀取相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的頁(yè)面發(fā)生無(wú)法 借由編解碼進(jìn)行修復(fù)的錯(cuò)誤時(shí)，將相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的頁(yè)面標(biāo)記為一損壞頁(yè)面。
[0012] 另外，當(dāng)?shù)谝淮巫x取動(dòng)作讀取相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的頁(yè)面發(fā)生無(wú)法借由編解碼進(jìn) 行修復(fù)的錯(cuò)誤時(shí)，本發(fā)明的一實(shí)施例更用以在校正電壓分布程序前執(zhí)行一重復(fù)讀取程序， 其中重復(fù)讀取程序包括根據(jù)一重復(fù)讀取表，對(duì)快閃存儲(chǔ)器中的一寄存器進(jìn)行一電壓設(shè)定動(dòng) 作，以將寄存器中的數(shù)值，作為快閃存儲(chǔ)器的讀取電壓。
[0013] 本發(fā)明亦提供一種數(shù)據(jù)讀取方法，適用于一數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其中數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置包 含一快閃存儲(chǔ)器用以操作于一單階儲(chǔ)存單元模式以及一多階儲(chǔ)存單元模式，數(shù)據(jù)讀取方法 包括：在單階儲(chǔ)存單元模式下，根據(jù)一主機(jī)的一讀取命令對(duì)快閃存儲(chǔ)器中相應(yīng)于一第一字 符線(xiàn)的一頁(yè)面進(jìn)行一第一次讀取動(dòng)作以獲取一第一數(shù)據(jù)；當(dāng)?shù)谝粩?shù)據(jù)發(fā)生無(wú)法修復(fù)的錯(cuò)誤 時(shí)，致使快閃存儲(chǔ)器切換至多階儲(chǔ)存單元模式；在多階儲(chǔ)存單元模式下，將一預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)寫(xiě)入 相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的一最高有效比特頁(yè)面；致使快閃存儲(chǔ)器切換至單階儲(chǔ)存單元模式；以 及再次讀取第一字符線(xiàn)的頁(yè)面以獲取一第二數(shù)據(jù)。
[0014] 本發(fā)明亦提供一種數(shù)據(jù)讀取方法，適用于一數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其中數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置包 含一快閃存儲(chǔ)器用以操作于一單階儲(chǔ)存單元模式以及一多階儲(chǔ)存單元模式。數(shù)據(jù)讀取方法 包括：根據(jù)一主機(jī)的一讀取命令對(duì)快閃存儲(chǔ)器中相應(yīng)于一第一字符線(xiàn)的一頁(yè)面進(jìn)行單階儲(chǔ) 存單元模式的一第一次讀取動(dòng)作以獲取一第一數(shù)據(jù)；當(dāng)?shù)谝粩?shù)據(jù)發(fā)生無(wú)法修復(fù)的錯(cuò)誤時(shí)， 將一預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)以多階儲(chǔ)存單元模式寫(xiě)入相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的一最高有效比特頁(yè)面；以單階 儲(chǔ)存單元模式讀取第一字符線(xiàn)的頁(yè)面以獲取一第二數(shù)據(jù)；以及當(dāng)?shù)诙?shù)據(jù)無(wú)錯(cuò)誤或錯(cuò)誤可 更正時(shí)，將第二數(shù)據(jù)傳送予主機(jī)。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015] 圖1是本發(fā)明的一種實(shí)施例的電子系統(tǒng)的方塊圖。
[0016] 圖2是本發(fā)明的快閃存儲(chǔ)器操作于一單階儲(chǔ)存單元模式下，頁(yè)面與字符線(xiàn)的對(duì)應(yīng) 關(guān)系表。
[0017] 圖3是本發(fā)明的快閃存儲(chǔ)器操作于一二階儲(chǔ)存單元模式下，頁(yè)面與字符線(xiàn)的對(duì)應(yīng) 關(guān)系表。
[0018] 圖4是本發(fā)明的快閃存儲(chǔ)器操作于一三階儲(chǔ)存單元模式下，頁(yè)面與字符線(xiàn)的對(duì)應(yīng) 關(guān)系表。
[0019] 圖5是本發(fā)明的一種實(shí)施例的錯(cuò)誤校正方法的流程圖。
[0020] 圖6A-6B是本發(fā)明的另一種實(shí)施例的錯(cuò)誤校正方法的流程圖。
[0021] 圖7是本發(fā)明的另一種實(shí)施例的錯(cuò)誤校正方法的流程圖。
[0022] 圖8A-8B是本發(fā)明的另一種實(shí)施例的錯(cuò)誤校正方法的流程圖。
[0023] 圖9是本發(fā)明的一種實(shí)施例的數(shù)據(jù)讀取方法的流程圖。
[0024] 圖10是本發(fā)明的另一種實(shí)施例的數(shù)據(jù)讀取方法的流程圖。
[0025] 圖11是目標(biāo)頁(yè)面未經(jīng)由本發(fā)明所揭露的錯(cuò)誤校正方法讀取前的錯(cuò)誤率模擬圖。
[0026] 圖12是目標(biāo)頁(yè)面經(jīng)由本發(fā)明所揭露的錯(cuò)誤校正方法讀取后的錯(cuò)誤率模擬圖。 [0027]【附圖標(biāo)記說(shuō)明】
[0028] 100電子系統(tǒng)；
[0029] 120 主機(jī)；
[0030] 140數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置；
[0031] 160 控制器；
[0032] 162運(yùn)算單元；
[0033] 164永久存儲(chǔ)器；
[0034] 180快閃存儲(chǔ)器；
[0035] 1102、1104、1202、1204 曲線(xiàn)；
[0036] S500-S516、S600-S624、S700-S716、S800-S824、S900-S910 步驟。

【具體實(shí)施方式】
[0037] 以下將詳細(xì)討論本發(fā)明各種實(shí)施例的裝置及使用方法。然而值得注意的是，本發(fā) 明所提供的許多可行的發(fā)明概念可實(shí)施在各種特定范圍中。這些特定實(shí)施例僅用于舉例說(shuō) 明本發(fā)明的裝置及使用方法，但非用于限定本發(fā)明的范圍。
[0038] 圖1是本發(fā)明的一種實(shí)施例的電子系統(tǒng)的方塊圖。電子系統(tǒng)100包括一主機(jī)120 以及一數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置140。數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置140包括一快閃存儲(chǔ)器180以及一控制器160,且 可根據(jù)主機(jī)110所下達(dá)的命令操作?？刂破?60包括一運(yùn)算單元162以及一永久存儲(chǔ)器 (如，只讀存儲(chǔ)器ROM) 164。永久存儲(chǔ)器164與所載的程序碼、數(shù)據(jù)組成固件（firmware)，由 運(yùn)算單元162執(zhí)行，使控制器160基于該固件控制該快閃存儲(chǔ)器180?？扉W存儲(chǔ)器180包括 多個(gè)頁(yè)面以及多個(gè)字符線(xiàn)與多個(gè)比特線(xiàn)，其中每一字符線(xiàn)用以控制至少一頁(yè)面，以選擇所 欲讀取的頁(yè)面。值得注意的是，本發(fā)明的快閃存儲(chǔ)器180可操作于不同的存儲(chǔ)器存取模式， 例如單階儲(chǔ)存單元（Single-Level Cell，SLC)模式以及非單階儲(chǔ)存單元模式，其中非單階 (或多階）儲(chǔ)存單元模式包括二階儲(chǔ)存單元（Multi-Level Cell，MLC)模式以及三階儲(chǔ)存 單兀（Triple-Level Cell，TLC)模式。
[0039] 舉例而言，當(dāng)快閃存儲(chǔ)器180操作于單階儲(chǔ)存單元模式時(shí)，快閃存儲(chǔ)器180中的一 個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元（cell)用以存放1比特（bit)的數(shù)據(jù)，并且一條字比特線(xiàn)用以控制至一 個(gè)頁(yè)面，其中字符線(xiàn)與頁(yè)面的對(duì)應(yīng)關(guān)系如圖2所示。圖2是本發(fā)明的快閃存儲(chǔ)器操作于單階 儲(chǔ)存單元模式下，頁(yè)面與字符線(xiàn)的對(duì)應(yīng)關(guān)系表。由圖2可知，快閃存儲(chǔ)器180中的每一字符 線(xiàn)相應(yīng)于一個(gè)頁(yè)面。換言之，在單階儲(chǔ)存單元模式中，一個(gè)字符線(xiàn)相應(yīng)于一個(gè)頁(yè)面。另外， 由于快閃存儲(chǔ)器180在操作于單階儲(chǔ)存單元模式時(shí)，一個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元需要存放1比特。 因此，快閃存儲(chǔ)器180在電壓分布中，需要兩個(gè)信息狀態(tài)（level)來(lái)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)，其中該兩個(gè) 信息狀態(tài)分別相應(yīng)于〇和1。
[0040] 當(dāng)快閃存儲(chǔ)器180操作于二階儲(chǔ)存單元模式時(shí)，快閃存儲(chǔ)器180中的一個(gè)存儲(chǔ) 器儲(chǔ)存單元（cell)用以存放2比特（bit)的數(shù)據(jù)，并且一條字比特線(xiàn)用以控制至兩個(gè)頁(yè) 面，其中字符線(xiàn)與頁(yè)面的對(duì)應(yīng)關(guān)系如圖3所示。圖3是本發(fā)明的快閃存儲(chǔ)器操作于二階 儲(chǔ)存單元模式下，頁(yè)面與字符線(xiàn)的對(duì)應(yīng)關(guān)系表。由圖3可知，每一字符線(xiàn)分別用以控制一 最低有效比特頁(yè)面（Least-Significant Bit page, LSB page)以及一最高有效比特頁(yè)面 (Most-Significant Bit page,MSB page)。換言之，在二階儲(chǔ)存單元模式中，一個(gè)字符線(xiàn)相 應(yīng)于兩個(gè)頁(yè)面。另外，由于快閃存儲(chǔ)器180在操作于二階儲(chǔ)存單元模式時(shí)，一個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存 單元需要存放2比特。因此，快閃存儲(chǔ)器180在電壓分布中，需要四個(gè)信息狀態(tài)（level)來(lái) 儲(chǔ)存數(shù)據(jù)，其中該兩個(gè)信息狀態(tài)分別相應(yīng)于〇〇、〇1、1〇和11，并且該四個(gè)信息狀態(tài)是由單階 儲(chǔ)存單元模式中的兩個(gè)信息狀態(tài)中，分別分出來(lái)的。
[0041] 當(dāng)快閃存儲(chǔ)器180操作于三階儲(chǔ)存單元模式時(shí)，快閃存儲(chǔ)器180中的一個(gè)存儲(chǔ)器 儲(chǔ)存單元（cell)用以存放3比特（bit)的數(shù)據(jù)，并且一條字比特線(xiàn)用以控制至三個(gè)頁(yè)面， 其中字符線(xiàn)與頁(yè)面的對(duì)應(yīng)關(guān)系如圖4所示。圖4是本發(fā)明的快閃存儲(chǔ)器操作于二階儲(chǔ)存單 元模式下，頁(yè)面與字符線(xiàn)的對(duì)應(yīng)關(guān)系表。由圖4可知，每一字符線(xiàn)分別用以控制一最低有效 比特頁(yè)面、一中央有效比特（Central Significant Bit page, CSB page)以及一最高有效 比特頁(yè)面。換言之，在三階儲(chǔ)存單元模式中，一個(gè)字符線(xiàn)相應(yīng)于三個(gè)頁(yè)面。另外，由于快閃 存儲(chǔ)器180在操作于三階儲(chǔ)存單元模式時(shí)，一個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元需要存放3比特。因此，快 閃存儲(chǔ)器180在電壓分布中，需要八個(gè)信息狀態(tài)（level)來(lái)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)，其中該兩個(gè)信息狀態(tài) 分別相應(yīng)于〇〇〇、〇〇1、〇1〇、〇11、1〇〇、1〇1、11〇和111，并且該八個(gè)信息狀態(tài)是由二階儲(chǔ)存單 元模式中的四個(gè)信息狀態(tài)中，分別分出來(lái)的。
[0042] 根據(jù)本案所揭露的技術(shù)，固件是設(shè)計(jì)來(lái)提供主機(jī)120對(duì)快閃存儲(chǔ)器180進(jìn)行 讀取發(fā)生錯(cuò)誤時(shí)，所需的錯(cuò)誤校正方法，用以補(bǔ)救無(wú)法依正常程序讀取的數(shù)據(jù)。舉例而 言，當(dāng)控制器160對(duì)快閃存儲(chǔ)器180進(jìn)行讀取發(fā)生數(shù)據(jù)錯(cuò)誤，并且無(wú)法借錯(cuò)誤校驗(yàn)碼 (Error-correcting code, ECC)成功進(jìn)行更正時(shí)，控制器160可借由本發(fā)明所揭露的錯(cuò)誤 校正方法，校正無(wú)法讀取的數(shù)據(jù)。本發(fā)明所揭露的錯(cuò)誤校正方法包括一校正電壓分布程序， 但本發(fā)明不限于此。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，錯(cuò)誤校正方法包括一校正電壓分布程序以 及一重復(fù)讀取程序。本發(fā)明所揭露的校正電壓分布程序是借由切換存儲(chǔ)器存取模式，校正 相應(yīng)的比特線(xiàn)中的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元（Cell)的電壓分布。
[0043] 舉例而言，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，控制器160將操作模式由單階儲(chǔ)存單元模式 切換為二階儲(chǔ)存單元模式，并將數(shù)字邏輯1 (例如OxFF)寫(xiě)入一第一比特線(xiàn)所控制的最高有 效比特，以校正在單階儲(chǔ)存單元中，第一比特線(xiàn)所相應(yīng)的頁(yè)面的電壓分布。換言之，控制器 160將操作模式由單階儲(chǔ)存單元模式切換為二階儲(chǔ)存單元模式，并將電壓分布中00和01的 信息狀態(tài)分別移動(dòng)至11和10,以校正在單階儲(chǔ)存單元中，第一比特線(xiàn)所相應(yīng)的頁(yè)面的電壓 分布。
[0044] 在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，控制器160將操作模式由單階儲(chǔ)存單元模式切換為三 階儲(chǔ)存單元模式，并將數(shù)字邏輯1 (例如OxFF)寫(xiě)入一第一比特線(xiàn)所控制的最高有效比特以 及中央有效比特，以校正在單階儲(chǔ)存單元中，第一比特線(xiàn)所相應(yīng)的頁(yè)面的電壓分布。換言 之，控制器160將操作模式由單階儲(chǔ)存單元模式切換為三階儲(chǔ)存單元模式，并將電壓分布 中000、001、010、011、100和101的信息狀態(tài)分別移動(dòng)至111和110,以校正在單階儲(chǔ)存單元 中，第一比特線(xiàn)所相應(yīng)的頁(yè)面的電壓分布。
[0045] 另外，本發(fā)明所揭露的重復(fù)讀取程序是用以根據(jù)一重新讀取表（Read Retry Table)重新設(shè)定在讀取過(guò)程中發(fā)生錯(cuò)誤的目標(biāo)頁(yè)面的讀取電壓，以對(duì)目標(biāo)頁(yè)面進(jìn)行重復(fù)讀 取（Read Retry)。值得注意的是，上述的目標(biāo)頁(yè)面是主機(jī)120傳送至數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置140的 讀取命令，所要求讀取的頁(yè)面。詳細(xì)動(dòng)作如下所述。
[0046] 在本發(fā)明的一實(shí)施例中，控制器160用以在單階儲(chǔ)存單元模式下，根據(jù)主機(jī)120的 一讀取命令對(duì)快閃存儲(chǔ)器180中相應(yīng)于一第一字符線(xiàn)的一頁(yè)面進(jìn)行一第一次讀取動(dòng)作。換 言之，控制器160用以根據(jù)主機(jī)120的一讀取命令對(duì)快閃存儲(chǔ)器180中第一字符線(xiàn)所控制 的頁(yè)面進(jìn)行第一次讀取動(dòng)作。當(dāng)?shù)谝淮巫x取動(dòng)作讀取第一頁(yè)面發(fā)生無(wú)法借由編解碼進(jìn)行修 復(fù)的錯(cuò)誤時(shí)，控制器160執(zhí)行校正電壓分布程序。在校正電壓分布程序中，控制器160致 使快閃存儲(chǔ)器180切換至二階儲(chǔ)存單元模式，并且在二階儲(chǔ)存單元模式下，將一數(shù)字邏輯 1 (例如OxFF)寫(xiě)入相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的一最高有效比特頁(yè)面，以校正相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的 存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元的電壓分布。接著，控制器160更用以在數(shù)字邏輯1(例如OxFF)寫(xiě)入相應(yīng) 于第一字符線(xiàn)的最高有效比特頁(yè)面后，致使快閃存儲(chǔ)器180回復(fù)至單階儲(chǔ)存單元模式，并 且在單階儲(chǔ)存單元模式下，再對(duì)相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的頁(yè)面進(jìn)行一第二次讀取動(dòng)作。當(dāng)控制 器160在第二次讀取動(dòng)作中成功讀取相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的頁(yè)面（即數(shù)據(jù)無(wú)錯(cuò)誤或錯(cuò)誤可更 正）時(shí)，控制器160將成功讀取的相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的頁(yè)面的數(shù)據(jù)傳送至主機(jī)120。當(dāng)控 制器160在第二次讀取動(dòng)作中仍然未成功讀取相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的頁(yè)面（即數(shù)據(jù)仍無(wú)法更 正）時(shí)，控制器160將相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的頁(yè)面標(biāo)記為一損壞頁(yè)面，或?qū)⒌谝蛔址€(xiàn)對(duì)應(yīng)的 區(qū)塊標(biāo)記為一損壞區(qū)塊。
[0047] 在本發(fā)明的另一實(shí)施例的校正電壓分布程序中，控制器160致使快閃存儲(chǔ)器180 切換至三階儲(chǔ)存單元模式，并且在三階儲(chǔ)存單元模式下，將一數(shù)字邏輯1 (例如OxFF)寫(xiě)入 相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的一最高有效比特頁(yè)面以及一中央有效比特頁(yè)面，以校正相應(yīng)于第一字 符線(xiàn)的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元的電壓分布。接著，控制器160更用以在數(shù)字邏輯1(例如OxFF)寫(xiě) 入相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的最高有效比特頁(yè)面以及中央有效比特頁(yè)面后，致使快閃存儲(chǔ)器180 回復(fù)至單階儲(chǔ)存單元模式，并且在單階儲(chǔ)存單元模式下，再對(duì)相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的頁(yè)面進(jìn) 行一第二次讀取動(dòng)作。同樣地，當(dāng)控制器160在第二次讀取動(dòng)作中成功讀取相應(yīng)于第一字 符線(xiàn)的頁(yè)面（即數(shù)據(jù)無(wú)錯(cuò)誤或錯(cuò)誤可更正）時(shí)，控制器160將成功讀取的相應(yīng)于第一字符 線(xiàn)的頁(yè)面的數(shù)據(jù)傳送至主機(jī)120。當(dāng)控制器160在第二次讀取動(dòng)作中仍然未成功讀取相應(yīng) 于第一字符線(xiàn)的頁(yè)面（即數(shù)據(jù)仍無(wú)法更正）時(shí)，控制器160將相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的頁(yè)面標(biāo) 記為一損壞頁(yè)面，或?qū)⒌谝蛔址€(xiàn)對(duì)應(yīng)的區(qū)塊標(biāo)記為一損壞區(qū)塊。
[0048] 在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，當(dāng)?shù)谝淮巫x取動(dòng)作讀取相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的頁(yè)面發(fā)生 無(wú)法借由編解碼進(jìn)行修復(fù)的錯(cuò)誤時(shí)，控制器160更用以在校正電壓分布程序前執(zhí)行一重復(fù) 讀取程序。在重復(fù)讀取程序中，控制器160用以根據(jù)一重復(fù)讀取表，對(duì)快閃存儲(chǔ)器180中的 一寄存器進(jìn)行一電壓設(shè)定動(dòng)作，以將寄存器中的數(shù)值，作為快閃存儲(chǔ)器180的讀取電壓。接 著，控制器160更用以借由所設(shè)定的快閃存儲(chǔ)器180的讀取電壓對(duì)相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的頁(yè) 面進(jìn)行一第二次讀取動(dòng)作，并將一重復(fù)讀取計(jì)數(shù)加一。
[0049] 當(dāng)控制器160在第二次讀取動(dòng)作中成功讀取相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的頁(yè)面時(shí)，控制器 160將成功讀取的相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的頁(yè)面的數(shù)據(jù)傳送至主機(jī)120?？刂破?60更可在重 復(fù)讀取程序后所執(zhí)行的第二次讀取動(dòng)作依然無(wú)法成功讀取相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的頁(yè)面后，重 復(fù)執(zhí)行重復(fù)讀取程序，直到第一頁(yè)面的數(shù)據(jù)可成功被讀取，或者直到重復(fù)讀取程序被重復(fù) 執(zhí)行的次數(shù)達(dá)到一第一既定值為止。當(dāng)重復(fù)讀取程序被重復(fù)執(zhí)行的次數(shù)達(dá)到第一既定值 時(shí)，控制器160用以執(zhí)行校正電壓分布程序。舉例而言，第一既定值可為1次、5次、10次、 20次、50次、100次或者500次等，經(jīng)由發(fā)明人根據(jù)電壓設(shè)定程序重讀目標(biāo)頁(yè)面后的成功率 的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)所設(shè)計(jì)的數(shù)值，本發(fā)明不限于此。
[0050] 圖5是本發(fā)明的一種實(shí)施例的錯(cuò)誤校正方法的流程圖。錯(cuò)誤校正方法適用于圖1 所示的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置140。流程開(kāi)始于步驟S500。
[0051] 在步驟S500中，控制器160用以在單階儲(chǔ)存單元模式下，根據(jù)主機(jī)120的一讀取 命令對(duì)快閃存儲(chǔ)器180中相應(yīng)于一第一字符線(xiàn)的一頁(yè)面進(jìn)行一第一次讀取動(dòng)作。換言之， 控制器160用以根據(jù)主機(jī)120的一讀取命令對(duì)快閃存儲(chǔ)器180中由第一字符線(xiàn)所控制的第 一頁(yè)面進(jìn)行一讀取動(dòng)作。
[0052] 接著，在步驟S502中，控制器160判斷讀取相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的頁(yè)面時(shí)，是否發(fā)生 無(wú)法借由編解碼進(jìn)行修復(fù)的錯(cuò)誤。當(dāng)沒(méi)有發(fā)生無(wú)法借由編解碼進(jìn)行修復(fù)的錯(cuò)誤時(shí)，流程進(jìn) 行至步驟S504。否則，流程進(jìn)行至步驟S506。
[0053] 在步驟S504中，控制器160將成功讀取的第一字符線(xiàn)的頁(yè)面的數(shù)據(jù)，傳送至主機(jī) 120。流程結(jié)束于步驟S504。
[0054] 在步驟S506中，控制器160致使快閃存儲(chǔ)器180切換至二階儲(chǔ)存單元模式。
[0055] 接著，在步驟S508中，控制器160在二階儲(chǔ)存單元模式下，將一數(shù)字邏輯1 (例如 OxFF)寫(xiě)入相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的一最高有效比特頁(yè)面，以校正相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的存儲(chǔ)器 儲(chǔ)存單元的電壓分布。
[0056] 接著，在步驟S510中，控制器160致使快閃存儲(chǔ)器180回復(fù)至單階儲(chǔ)存單元模式。
[0057] 接著，在步驟S512中，控制器160在單階儲(chǔ)存單元模式下，再對(duì)相應(yīng)于第一字符線(xiàn) 的頁(yè)面進(jìn)行一第二次讀取動(dòng)作。
[0058] 接著，在步驟S514中，控制器160判斷第二次讀取動(dòng)作在讀取相應(yīng)于第一字符線(xiàn) 的頁(yè)面時(shí)，是否發(fā)生無(wú)法借由編解碼進(jìn)行修復(fù)的錯(cuò)誤。當(dāng)沒(méi)有發(fā)生無(wú)法借由編解碼進(jìn)行修 復(fù)的錯(cuò)誤時(shí)，流程進(jìn)行至步驟S504。否則，流程進(jìn)行至步驟S516。
[0059] 在步驟S516中，控制器160將相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的頁(yè)面標(biāo)記為一損壞頁(yè)面或?qū)⒌?一字符線(xiàn)所對(duì)應(yīng)的區(qū)塊標(biāo)記為一損壞區(qū)塊。流程結(jié)束于步驟S516。
[0060] 圖6A-6B是本發(fā)明的一種實(shí)施例的錯(cuò)誤校正方法的流程圖。錯(cuò)誤校正方法適用于 圖1所示的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置140。流程開(kāi)始于步驟S600。值得注意的是，步驟S600-S604相 似于步驟S500-S504,詳細(xì)說(shuō)明請(qǐng)參考圖5的流程，在此不在贅述。
[0061] 在步驟S606中，控制器160判斷相應(yīng)于電壓設(shè)定動(dòng)作的次數(shù)的一重復(fù)讀取計(jì)數(shù)是 否超過(guò)一第一既定值。舉例而言，控制器160可利用實(shí)施于快閃存儲(chǔ)器180或者其它存儲(chǔ) 器中的一存儲(chǔ)器區(qū)塊或者一寄存器，用以對(duì)重復(fù)讀取程序被重復(fù)執(zhí)行的次數(shù)進(jìn)行一重復(fù)讀 取計(jì)數(shù)。當(dāng)重復(fù)讀取計(jì)數(shù)超過(guò)第一既定值時(shí)，流程進(jìn)行至步驟S614。否則，流程進(jìn)行至步驟 S608。
[0062] 在步驟S608中，控制器160用以根據(jù)重復(fù)讀取表，對(duì)快閃存儲(chǔ)器180中的一寄存 器（未圖示）進(jìn)行一電壓設(shè)定動(dòng)作，以將寄存器中的數(shù)值，作為快閃存儲(chǔ)器180的讀取電 壓。舉例而言，重復(fù)讀取表可儲(chǔ)存于永久存儲(chǔ)器164中。
[0063] 接著，在步驟S610中，控制器160用以借由所設(shè)定的快閃存儲(chǔ)器180的讀取電壓 對(duì)相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的頁(yè)面進(jìn)行一第二次讀取動(dòng)作。
[0064] 接著，在步驟S612中，控制器160將重復(fù)讀取計(jì)數(shù)加一。舉例而言，控制器160是 將用以進(jìn)行重復(fù)讀取計(jì)數(shù)的存儲(chǔ)器區(qū)塊或者一寄存器中的數(shù)值加一。接著，流程回到步驟 S602。
[0065] 在步驟S614中，控制器160致使數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置140切換至二階儲(chǔ)存單元模式。 [0066] 接著，在步驟S616中，控制器160在二階儲(chǔ)存單元模式下，將一數(shù)字邏輯1 (例如 OxFF)寫(xiě)入相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的一最高有效比特頁(yè)面，以校正相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的存儲(chǔ)器 儲(chǔ)存單元的電壓分布。
[0067] 接著，在步驟S618中，控制器160致使快閃存儲(chǔ)器180回復(fù)至單階儲(chǔ)存單元模式。
[0068] 接著，在步驟S620中，控制器160在單階儲(chǔ)存單元模式下，再對(duì)相應(yīng)于第一字符線(xiàn) 的頁(yè)面進(jìn)行一第二次讀取動(dòng)作。
[0069] 接著，在步驟S622中，控制器160判斷第二次讀取動(dòng)作在讀取相應(yīng)于第一字符線(xiàn) 的頁(yè)面時(shí)，是否發(fā)生無(wú)法借由編解碼進(jìn)行修復(fù)的錯(cuò)誤。當(dāng)沒(méi)有發(fā)生無(wú)法借由編解碼進(jìn)行修 復(fù)的錯(cuò)誤時(shí)，流程進(jìn)行至步驟S604。否則，流程進(jìn)行至步驟S624。
[0070] 在步驟S624中，控制器160將相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的頁(yè)面標(biāo)記為一損壞頁(yè)面或?qū)⒌?一字符線(xiàn)所對(duì)應(yīng)的區(qū)塊標(biāo)記為一損壞區(qū)塊。流程結(jié)束于步驟S624。
[0071] 圖7是本發(fā)明的一種實(shí)施例的錯(cuò)誤校正方法的流程圖。錯(cuò)誤校正方法適用于 圖1所示的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置140。流程開(kāi)始于步驟S700。值得注意的是，步驟S700-S704、 S710-S716相似于步驟S500-S504、S510-S516,詳細(xì)說(shuō)明請(qǐng)參考圖5的流程，在此不在贅述。
[0072] 在步驟S706中，控制器160致使數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置140切換至三階儲(chǔ)存單元模式。
[0073] 接著，在步驟S708中，控制器160在三階儲(chǔ)存單元模式下，將一數(shù)字邏輯1 (例如 OxFF)寫(xiě)入相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的一最高有效比特頁(yè)面以及一中階有效比特頁(yè)面，以校正相 應(yīng)于第一字符線(xiàn)的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單兀的電壓分布。
[0074] 圖8A-8B是本發(fā)明的一種實(shí)施例的錯(cuò)誤校正方法的流程圖。錯(cuò)誤校正方法適用 于圖1所示的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置140。流程開(kāi)始于步驟S800。值得注意的是，步驟S800-S812、 S818-S824相似于步驟S600-S612、S618-S624，詳細(xì)說(shuō)明請(qǐng)參考圖5的流程，在此不在贅述。
[0075] 在步驟S814中，控制器160致使快閃存儲(chǔ)器180切換至三階儲(chǔ)存單元模式。
[0076] 接著，在步驟S816中，控制器160在三階儲(chǔ)存單元模式下，將一數(shù)字邏輯1 (例如 OxFF)寫(xiě)入相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的一最高有效比特頁(yè)面以及一中階有效比特頁(yè)面，以校正相 應(yīng)于第一字符線(xiàn)的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單兀的電壓分布。
[0077] 圖9是本發(fā)明的一種實(shí)施例的數(shù)據(jù)讀取方法的流程圖。數(shù)據(jù)讀取方法適用于圖1 所示的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置140。流程開(kāi)始于步驟S900。
[0078] 在步驟S900中，控制器160用以在在單階儲(chǔ)存單元模式下，根據(jù)主機(jī)120的一讀 取命令對(duì)快閃存儲(chǔ)器180中相應(yīng)于一第一字符線(xiàn)的一頁(yè)面進(jìn)行一第一次讀取動(dòng)作以獲取 一第一數(shù)據(jù)。換言之，控制器160用以根據(jù)主機(jī)120的一讀取命令對(duì)快閃存儲(chǔ)器180中由 第一字符線(xiàn)所控制的第一頁(yè)面進(jìn)行一讀取動(dòng)作。
[0079] 接著，所讀取的第一數(shù)據(jù)可能有兩種情形，包括第一數(shù)據(jù)發(fā)生無(wú)法修復(fù)的錯(cuò)誤以 及第一數(shù)據(jù)無(wú)錯(cuò)誤或錯(cuò)誤可更正，其中當(dāng)?shù)谝粩?shù)據(jù)無(wú)錯(cuò)誤或錯(cuò)誤可更正時(shí)，控制器160將 第一數(shù)據(jù)傳送予主機(jī)120。另外，步驟S902所示的為另一種情況。在步驟S902中，當(dāng)?shù)谝?數(shù)據(jù)發(fā)生無(wú)法修復(fù)的錯(cuò)誤時(shí)，控制器160致使快閃存儲(chǔ)器180切換至多階儲(chǔ)存單元模式。
[0080] 接著，在步驟S904中，控制器160在多階儲(chǔ)存單元模式下，將一預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)寫(xiě)入相應(yīng) 于第一字符線(xiàn)的一最高有效比特頁(yè)面。在一實(shí)施例中，預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)為OXff，但本發(fā)明不限于 此。
[0081] 接著，在步驟S906中，控制器160致使快閃存儲(chǔ)器180切換至單階儲(chǔ)存單元模式。
[0082] 接著，在步驟S908中，控制器160在單階儲(chǔ)存單元模式下，再次讀取第一字符線(xiàn)的 頁(yè)面以獲取一第二數(shù)據(jù)。
[0083] 接著，所讀取的第二數(shù)據(jù)可能有兩種情形，包括第二數(shù)據(jù)發(fā)生無(wú)法修復(fù)的錯(cuò)誤以 及第二數(shù)據(jù)無(wú)錯(cuò)誤或錯(cuò)誤可更正。在步驟S910中，當(dāng)?shù)诙?shù)據(jù)無(wú)錯(cuò)誤或錯(cuò)誤可更正時(shí)，控 制器160將第二數(shù)據(jù)傳送予主機(jī)120 ;當(dāng)?shù)诙?shù)據(jù)發(fā)生無(wú)法修復(fù)的錯(cuò)誤時(shí)，控制器160將相 應(yīng)于第一字符線(xiàn)的頁(yè)面標(biāo)記為一損壞頁(yè)面或者將相應(yīng)于第一字符線(xiàn)對(duì)應(yīng)的一第一區(qū)塊標(biāo) 記為一損壞區(qū)塊。流程結(jié)束于步驟S910。
[0084] 圖10是本發(fā)明的另一種實(shí)施例的數(shù)據(jù)讀取方法的流程圖。數(shù)據(jù)讀取方法適用于 圖1所示的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置140。流程開(kāi)始于步驟S1000。
[0085] 在步驟S1000中，控制器160根據(jù)一主機(jī)120的一讀取命令對(duì)快閃存儲(chǔ)器180中 相應(yīng)于一第一字符線(xiàn)的一頁(yè)面進(jìn)行單階儲(chǔ)存單元模式的一第一次讀取動(dòng)作以獲取一第一 數(shù)據(jù)。
[0086] 接著，所讀取的第一數(shù)據(jù)可能有兩種情形，包括第一數(shù)據(jù)發(fā)生無(wú)法修復(fù)的錯(cuò)誤以 及第一數(shù)據(jù)無(wú)錯(cuò)誤或錯(cuò)誤可更正，其中當(dāng)?shù)谝粩?shù)據(jù)無(wú)錯(cuò)誤或錯(cuò)誤可更正時(shí)，控制器160將 第一數(shù)據(jù)傳送予主機(jī)120。另外，步驟S1002所示的為另一種情況。在步驟S1002中，當(dāng)?shù)?一數(shù)據(jù)發(fā)生無(wú)法修復(fù)的錯(cuò)誤時(shí)，將一預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)以多階儲(chǔ)存單元模式寫(xiě)入相應(yīng)于第一字符線(xiàn) 的一最高有效比特頁(yè)面。在一實(shí)施例中，預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)為OXff，但本發(fā)明不限于此。
[0087] 接著，在步驟S1004中，控制器160以單階儲(chǔ)存單元模式讀取第一字符線(xiàn)的頁(yè)面以 獲取一第二數(shù)據(jù)。
[0088] 接著，在步驟S1006中，當(dāng)?shù)诙?shù)據(jù)無(wú)錯(cuò)誤或錯(cuò)誤可更正時(shí)，控制器160將第二數(shù) 據(jù)傳送予主機(jī)120 ;當(dāng)?shù)诙?shù)據(jù)發(fā)生無(wú)法修復(fù)的錯(cuò)誤時(shí)，控制器160將相應(yīng)于第一字符線(xiàn)的 頁(yè)面標(biāo)記為一損壞頁(yè)面或者將相應(yīng)于第一字符線(xiàn)對(duì)應(yīng)的一第一區(qū)塊標(biāo)記為一損壞區(qū)塊。流 程結(jié)束于步驟S1006。
[0089] 圖11是目標(biāo)頁(yè)面未經(jīng)由本發(fā)明所揭露的錯(cuò)誤校正方法讀取前的錯(cuò)誤率模擬圖。 在本模擬圖中，曲線(xiàn)1102是頁(yè)面未經(jīng)由本發(fā)明的錯(cuò)誤校正方法讀取前的錯(cuò)誤比特?cái)?shù)，曲線(xiàn) 1104是頁(yè)面僅經(jīng)由重復(fù)讀取程序后的錯(cuò)誤比特?cái)?shù)。由圖11可知，重復(fù)讀取程序僅可降低有 限的錯(cuò)誤率，但仍然無(wú)法將頁(yè)面的錯(cuò)誤比特?cái)?shù)降低至可讀取的程度。
[0090] 圖12是目標(biāo)頁(yè)面經(jīng)由本發(fā)明所揭露的錯(cuò)誤校正方法讀取后的錯(cuò)誤率模擬圖。在 本模擬圖中，曲線(xiàn)1202是頁(yè)面僅經(jīng)由校正電壓分布程序后的錯(cuò)誤比特?cái)?shù)，曲線(xiàn)1204是頁(yè)面 經(jīng)由重復(fù)讀取程序以及校正電壓分布程序后的錯(cuò)誤比特?cái)?shù)。由圖12可知，校正電壓分布程 序可大幅降低頁(yè)面的錯(cuò)誤率。另外，在執(zhí)行校正電壓分布程序以及重復(fù)讀取程序后，可更進(jìn) 一步地降低頁(yè)面的錯(cuò)誤率。
[0091] 由上述可知，本發(fā)明所提供的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置140以及錯(cuò)誤校正方法可借由校正電 壓分布程序，以非單階儲(chǔ)存單元模式校正目標(biāo)頁(yè)面的電壓分布。另外，重復(fù)讀取程序可對(duì)目 標(biāo)頁(yè)面進(jìn)行重復(fù)讀?。≧ead Retry)，以根據(jù)不同的讀取電壓讀取目標(biāo)頁(yè)面的數(shù)據(jù)。
[0092] 本發(fā)明的方法，或特定型態(tài)或其部分，可以以程序碼的型態(tài)存在。程序碼可儲(chǔ)存于 實(shí)體媒體，如軟盤(pán)、光碟片、硬盤(pán)、或是任何其他機(jī)器可讀取（如電腦可讀?。﹥?chǔ)存媒體，亦 或不限于外在形式的電腦程序產(chǎn)品，其中，當(dāng)程序碼被機(jī)器，如電腦載入且執(zhí)行時(shí)，此機(jī)器 變成用以參與本發(fā)明的裝置。程序碼也可通過(guò)一些傳送媒體，如電線(xiàn)或電纜、光纖、或是任 何傳輸型態(tài)進(jìn)行傳送，其中，當(dāng)程序碼被機(jī)器，如電腦接收、載入且執(zhí)行時(shí)，此機(jī)器變成用以 參與本發(fā)明的裝置。當(dāng)在一般用途處理單元實(shí)作時(shí)，程序碼結(jié)合處理單元提供一操作類(lèi)似 于應(yīng)用特定邏輯電路的獨(dú)特裝置。
[0093] 惟以上所述者，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，當(dāng)不能以此限定本發(fā)明實(shí)施的范 圍，即大凡依本發(fā)明權(quán)利要求書(shū)及發(fā)明說(shuō)明內(nèi)容所作的簡(jiǎn)單的等效變化與修飾，皆仍屬本 發(fā)明專(zhuān)利涵蓋的范圍內(nèi)。另外本發(fā)明的任一實(shí)施例或權(quán)利要求不須達(dá)成本發(fā)明所揭露的全 部目的或優(yōu)點(diǎn)或特點(diǎn)。此外，摘要部分和標(biāo)題僅是用來(lái)輔助專(zhuān)利文件搜尋之用，并非用來(lái)限 制本發(fā)明的權(quán)利范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，包括： 一快閃存儲(chǔ)器，用以操作于一單階儲(chǔ)存單元模式以及一非單階儲(chǔ)存單元模式；以及 一控制器，用以在上述單階儲(chǔ)存單元模式下，根據(jù)一主機(jī)的一讀取命令對(duì)上述快閃存 儲(chǔ)器中相應(yīng)于一第一字符線(xiàn)的一頁(yè)面進(jìn)行一第一次讀取動(dòng)作，并且當(dāng)上述第一次讀取動(dòng)作 讀取相應(yīng)于上述第一字符線(xiàn)的上述頁(yè)面發(fā)生無(wú)法借由編解碼進(jìn)行修復(fù)的錯(cuò)誤時(shí)，用以執(zhí)行 一校正電壓分布程序，其中在上述校正電壓分布程序中，上述控制器致使上述快閃存儲(chǔ)器 切換至上述非單階儲(chǔ)存單元模式，并且在上述非單階儲(chǔ)存單元模式下，將一數(shù)字邏輯1寫(xiě) 入相應(yīng)于上述第一字符線(xiàn)的一最高有效比特頁(yè)面，以校正相應(yīng)于上述第一字符線(xiàn)的存儲(chǔ)器 儲(chǔ)存單元的電壓分布。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其特征在于，上述非單階儲(chǔ)存單元模式為 一二階儲(chǔ)存單元模式。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其特征在于，上述控制器更用以在上述校正 電壓分布程序中，在上述數(shù)字邏輯1寫(xiě)入上述最高有效比特頁(yè)面后，致使上述快閃存儲(chǔ)器 回復(fù)至上述單階儲(chǔ)存單元模式，并且在上述單階儲(chǔ)存單元模式下，再對(duì)相應(yīng)于上述第一字 符線(xiàn)的上述頁(yè)面進(jìn)行一第二次讀取動(dòng)作。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其特征在于，上述控制器更用以當(dāng)上述第二 次讀取動(dòng)作讀取相應(yīng)于上述第一字符線(xiàn)的上述頁(yè)面發(fā)生無(wú)法借由編解碼進(jìn)行修復(fù)的錯(cuò)誤 時(shí)，將相應(yīng)于上述第一字符線(xiàn)的上述頁(yè)面標(biāo)記為一損壞頁(yè)面。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其特征在于，上述非單階儲(chǔ)存單元模式為 一三階儲(chǔ)存單元模式。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其特征在于，上述控制器更用以在上述校正 電壓分布程序中，在上述三階儲(chǔ)存單元模式下，將一數(shù)字邏輯1寫(xiě)入相應(yīng)于上述第一字符 線(xiàn)的一中央有效比特頁(yè)面，以校正相應(yīng)于上述第一字符線(xiàn)的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元的電壓分布。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其特征在于，上述控制器更用以在上述校正 電壓分布程序中，在上述數(shù)字邏輯1寫(xiě)入上述最高有效比特頁(yè)面以及上述中央有效比特頁(yè) 面后，致使上述快閃存儲(chǔ)器回復(fù)至上述單階儲(chǔ)存單元模式，并且在上述單階儲(chǔ)存單元模式 下，再對(duì)相應(yīng)于上述第一字符線(xiàn)的上述頁(yè)面進(jìn)行一第二次讀取動(dòng)作。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其特征在于，上述控制器更用以當(dāng)上述第二 次讀取動(dòng)作讀取相應(yīng)于上述第一字符線(xiàn)的上述頁(yè)面發(fā)生無(wú)法借由編解碼進(jìn)行修復(fù)的錯(cuò)誤 時(shí)，將相應(yīng)于上述第一字符線(xiàn)的上述頁(yè)面標(biāo)記為一損壞頁(yè)面。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其特征在于，當(dāng)上述第一次讀取動(dòng)作讀取相 應(yīng)于上述第一字符線(xiàn)的上述頁(yè)面發(fā)生無(wú)法借由編解碼進(jìn)行修復(fù)的錯(cuò)誤時(shí)，上述控制器更用 以在上述校正電壓分布程序前執(zhí)行一重復(fù)讀取程序，其中在上述重復(fù)讀取程序中，上述控 制器用以根據(jù)一重復(fù)讀取表，對(duì)上述快閃存儲(chǔ)器中的一寄存器進(jìn)行一電壓設(shè)定動(dòng)作，以將 上述寄存器中的數(shù)值，作為上述快閃存儲(chǔ)器的讀取電壓。
10. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其特征在于，上述控制器更用以在上述重復(fù) 讀取程序中，借由所設(shè)定的上述快閃存儲(chǔ)器的讀取電壓對(duì)相應(yīng)于上述第一字符線(xiàn)的上述頁(yè) 面進(jìn)行一第二次讀取動(dòng)作，并將一重復(fù)讀取計(jì)數(shù)加一。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其特征在于，在上述重復(fù)讀取程序中，上述 控制器更用以判斷上述重復(fù)讀取計(jì)數(shù)是否超過(guò)一第一既定值，并當(dāng)上述重復(fù)讀取計(jì)數(shù)超過(guò) 上述第一既定值時(shí)，進(jìn)行上述校正電壓程序。
12. -種錯(cuò)誤校正方法，適用于一數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其中上述數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置包含一快閃 存儲(chǔ)器用以操作于一單階儲(chǔ)存單元模式以及一非單階儲(chǔ)存單元模式，上述錯(cuò)誤校正方法包 括： 在上述單階儲(chǔ)存單元模式下，根據(jù)一主機(jī)的一讀取命令對(duì)上述快閃存儲(chǔ)器中相應(yīng)于一 第一字符線(xiàn)的一頁(yè)面進(jìn)行一第一次讀取動(dòng)作； 判斷上述第一次讀取動(dòng)作讀取上述第一頁(yè)面時(shí)，是否發(fā)生無(wú)法借由編解碼進(jìn)行修復(fù)的 錯(cuò)誤；以及 當(dāng)上述第一次讀取動(dòng)作讀取相應(yīng)于上述第一字符線(xiàn)的上述頁(yè)面發(fā)生無(wú)法借由編解碼 進(jìn)行修復(fù)的錯(cuò)誤時(shí)，執(zhí)行一校正電壓分布程序，其中上述校正電壓分布程序包括： 致使上述快閃存儲(chǔ)器切換至上述非單階儲(chǔ)存單元模式；以及 在上述非單階儲(chǔ)存單元模式下，將一數(shù)字邏輯1寫(xiě)入相應(yīng)于上述第一字符線(xiàn)的一最高 有效比特頁(yè)面，以校正相應(yīng)于上述第一字符線(xiàn)的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元的電壓分布。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的錯(cuò)誤校正方法，其特征在于，上述非單階儲(chǔ)存單元模式為 一二階儲(chǔ)存單元模式。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的錯(cuò)誤校正方法，其特征在于，上述校正電壓分布程序的步 驟更包括： 在上述數(shù)字邏輯1寫(xiě)入上述最高有效比特頁(yè)面后，致使上述快閃存儲(chǔ)器回復(fù)至上述單 階儲(chǔ)存單元模式；以及 在上述單階儲(chǔ)存單元模式下，再對(duì)相應(yīng)于上述第一字符線(xiàn)的上述頁(yè)面進(jìn)行一第二次讀 取動(dòng)作。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的錯(cuò)誤校正方法，其特征在于，上述校正電壓分布程序的步 驟更包括當(dāng)上述第二次讀取動(dòng)作讀取相應(yīng)于上述第一字符線(xiàn)的上述頁(yè)面發(fā)生無(wú)法借由編 解碼進(jìn)行修復(fù)的錯(cuò)誤時(shí)，將相應(yīng)于上述第一字符線(xiàn)的上述頁(yè)面標(biāo)記為一損壞頁(yè)面。
16. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的錯(cuò)誤校正方法，其特征在于，上述非單階儲(chǔ)存單元模式為 一三階儲(chǔ)存單元模式。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的錯(cuò)誤校正方法，其特征在于，上述校正電壓分布程序的步 驟更包括在上述三階儲(chǔ)存單元模式下，將一數(shù)字邏輯1寫(xiě)入相應(yīng)于上述第一字符線(xiàn)的一中 央有效比特頁(yè)面，以校正相應(yīng)于上述第一字符線(xiàn)的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元的電壓分布。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的錯(cuò)誤校正方法，其特征在于，上述校正電壓分布程序的步 驟更包括： 在上述數(shù)字邏輯1寫(xiě)入上述最高有效比特頁(yè)面以及上述中央有效比特頁(yè)面后，致使上 述快閃存儲(chǔ)器回復(fù)至上述單階儲(chǔ)存單元模式；以及 在上述單階儲(chǔ)存單元模式下，再對(duì)相應(yīng)于上述第一字符線(xiàn)的上述頁(yè)面進(jìn)行一第二次讀 取動(dòng)作。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的錯(cuò)誤校正方法，其特征在于，上述校正電壓分布程序的步 驟更包括當(dāng)上述第二次讀取動(dòng)作讀取相應(yīng)于上述第一字符線(xiàn)的上述頁(yè)面發(fā)生無(wú)法借由編 解碼進(jìn)行修復(fù)的錯(cuò)誤時(shí)，將相應(yīng)于上述第一字符線(xiàn)的上述頁(yè)面標(biāo)記為一損壞頁(yè)面。
20. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的錯(cuò)誤校正方法，其特征在于，更包括當(dāng)上述第一次讀取動(dòng) 作讀取相應(yīng)于上述第一字符線(xiàn)的上述頁(yè)面發(fā)生無(wú)法借由編解碼進(jìn)行修復(fù)的錯(cuò)誤時(shí)，在上述 校正電壓分布程序前執(zhí)行一重復(fù)讀取程序，其中上述重復(fù)讀取程序包括根據(jù)一重復(fù)讀取 表，對(duì)上述快閃存儲(chǔ)器中的一寄存器進(jìn)行一電壓設(shè)定動(dòng)作，以將上述寄存器中的數(shù)值，作為 上述快閃存儲(chǔ)器的讀取電壓。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的錯(cuò)誤校正方法，其特征在于，上述重復(fù)讀取程序的步驟更 包括借由所設(shè)定的上述快閃存儲(chǔ)器的讀取電壓對(duì)相應(yīng)于上述第一字符線(xiàn)的上述頁(yè)面進(jìn)行 一第二次讀取動(dòng)作，并將一重復(fù)讀取計(jì)數(shù)加一。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的錯(cuò)誤校正方法，其特征在于，上述重復(fù)讀取程序的步驟更 包括： 判斷上述重復(fù)讀取計(jì)數(shù)是否超過(guò)一第一既定值；以及 當(dāng)上述重復(fù)讀取計(jì)數(shù)超過(guò)上述第一既定值時(shí)，進(jìn)行上述校正電壓程序。
23. -種數(shù)據(jù)讀取方法，適用于一數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其特征在于，上述數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置包含 一快閃存儲(chǔ)器用以操作于一單階儲(chǔ)存單元模式以及一多階儲(chǔ)存單元模式，上述數(shù)據(jù)讀取方 法包括： 在上述單階儲(chǔ)存單元模式下，根據(jù)一主機(jī)的一讀取命令對(duì)上述快閃存儲(chǔ)器中相應(yīng)于一 第一字符線(xiàn)的一頁(yè)面進(jìn)行一第一次讀取動(dòng)作以獲取一第一數(shù)據(jù)； 當(dāng)上述第一數(shù)據(jù)發(fā)生無(wú)法修復(fù)的錯(cuò)誤時(shí)，致使上述快閃存儲(chǔ)器切換至上述多階儲(chǔ)存單 元模式；以及 在上述多階儲(chǔ)存單元模式下，將一預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)寫(xiě)入相應(yīng)于上述第一字符線(xiàn)的一最高有效 比特頁(yè)面； 致使上述快閃存儲(chǔ)器切換至上述單階儲(chǔ)存單元模式；以及 再次讀取上述第一字符線(xiàn)的上述頁(yè)面以獲取一第二數(shù)據(jù)。
24. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的數(shù)據(jù)讀取方法，其特征在于，上述預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)為OxFF。
25. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的數(shù)據(jù)讀取方法，其特征在于，更包含： 當(dāng)上述第二數(shù)據(jù)無(wú)錯(cuò)誤或錯(cuò)誤可更正時(shí)，將上述第二數(shù)據(jù)傳送予上述主機(jī)。
26. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的數(shù)據(jù)讀取方法，其特征在于，更包含： 當(dāng)上述第二數(shù)據(jù)發(fā)生無(wú)法修復(fù)的錯(cuò)誤時(shí)，將相應(yīng)于上述第一字符線(xiàn)的上述頁(yè)面標(biāo)記為 一損壞頁(yè)面。
27. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的數(shù)據(jù)讀取方法，其特征在于，更包含： 當(dāng)上述第二數(shù)據(jù)發(fā)生無(wú)法修復(fù)的錯(cuò)誤時(shí)，將相應(yīng)于上述第一字符線(xiàn)對(duì)應(yīng)的一第一區(qū)塊 標(biāo)記為一損壞區(qū)塊。
28. -種數(shù)據(jù)讀取方法，適用于一數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置，其中上述數(shù)據(jù)儲(chǔ)存裝置包含一快閃存 儲(chǔ)器用以操作于一單階儲(chǔ)存單元模式以及一多階儲(chǔ)存單元模式，上述數(shù)據(jù)讀取方法包括： 根據(jù)一主機(jī)的一讀取命令對(duì)上述快閃存儲(chǔ)器中相應(yīng)于一第一字符線(xiàn)的一頁(yè)面進(jìn)行上 述單階儲(chǔ)存單元模式的一第一次讀取動(dòng)作以獲取一第一數(shù)據(jù)； 當(dāng)上述第一數(shù)據(jù)發(fā)生無(wú)法修復(fù)的錯(cuò)誤時(shí)，將一預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)以上述多階儲(chǔ)存單元模式寫(xiě)入 相應(yīng)于上述第一字符線(xiàn)的一最高有效比特頁(yè)面； 以上述單階儲(chǔ)存單元模式讀取上述第一字符線(xiàn)的上述頁(yè)面以獲取一第二數(shù)據(jù)；以及 當(dāng)上述第二數(shù)據(jù)無(wú)錯(cuò)誤或錯(cuò)誤可更正時(shí)，將上述第二數(shù)據(jù)傳送予上述主機(jī)。
【文檔編號(hào)】G11C16/34GK104217762SQ201410081026
【公開(kāi)日】2014年12月17日 申請(qǐng)日期:2014年3月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月31日
【發(fā)明者】陳俊儀 申請(qǐng)人:慧榮科技股份有限公司