磁記錄介質(zhì)和磁存儲(chǔ)裝置制造方法
【專利摘要】一種磁記錄介質(zhì)，包含：基板；在所述基板上形成的多個(gè)底層；及在所述多個(gè)底層上形成的磁性層。其中，所述磁性層的主成分是具有Ｌ10結(jié)構(gòu)的合金；所述多個(gè)底層中的至少1層是含有Ｗ的結(jié)晶質(zhì)底層；所述Ｗ是所述結(jié)晶質(zhì)底層的主成分；所述結(jié)晶質(zhì)底層還包含從Ｂ、Ｓｉ、及Ｃ中所選擇的1種以上的元素，該元素的含有量為1ｍｏｌ％以上、20ｍｏｌ％以下；及在所述結(jié)晶質(zhì)底層和所述磁性層之間形成了阻擋層，該阻擋層包含具有ＮａＣｌ結(jié)構(gòu)的材料。
【專利說(shuō)明】磁記錄介質(zhì)和磁存儲(chǔ)裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種磁記錄介質(zhì)和磁存儲(chǔ)裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 近年，硬盤驅(qū)動(dòng)器H D D的大容量化的需求日益提高。作為滿足這種需求的手段， 提出了一種采用安裝了激光光源的磁頭對(duì)磁記錄介質(zhì)進(jìn)行加熱以進(jìn)行記錄的熱輔助磁記 錄方式。
[0003] 采用熱輔助磁記錄方式，藉由對(duì)磁記錄介質(zhì)進(jìn)行加熱，可大幅降低保磁力，所以， 可在磁記錄介質(zhì)的磁性層使用磁晶異方性常數(shù)K u較高的材料。為此，可在對(duì)熱穩(wěn)定性進(jìn) 行維持的同時(shí)進(jìn)行磁粒粒徑的微細(xì)化，并可實(shí)現(xiàn)1 T b i t / i n c h 2級(jí)別的面密度。作 為高Ku磁性材料，提出了 L 1。型F e P t合金、L 1。型C ο P t合金、L 11型0 ο P t 合金等的有序合金等。
[0004] 另外，在磁性層中，為了對(duì)由上述有序合金組成的結(jié)晶粒進(jìn)行隔離（isolate)，添 加了作為粒界相材料（grain boundary phase material)的S i 0 2、T i 0 2等的氧化物 或C、B N等。藉由具有在粒界相所分離的磁性結(jié)晶粒的粒狀結(jié)構(gòu)，可降低磁性粒子間的交 換結(jié)合，并可實(shí)現(xiàn)較高的介質(zhì)S N比。
[0005] 非專利文獻(xiàn)1中記載了，通過(guò)在F e P t添加38%的S i 0 2，可將磁粒粒徑降低 至5 nm。再有，在該文獻(xiàn)還記載了，通過(guò)將S i 02的添加量再增加至50%，可將粒徑降 低至2. 9 n m。
[0006] 另外，為了獲得具有較高垂直磁氣異方性的熱輔助磁記錄介質(zhì)，優(yōu)選為，使磁性層 中的L 1。型有序合金中具有良好的（001)密排方向（orientation)。由于磁性層的密排方 向可由底層進(jìn)行控制，所以，需要使用適當(dāng)?shù)牡讓印?br> [0007] 關(guān)于底層，例如，專利文獻(xiàn)1中示出了，通過(guò)使用M g 0底層，L ^型？ e P t磁 性層可具有良好的（001)密排方向。
[0008] 另外，專利文獻(xiàn)2中記載了，通過(guò)在C r - T i - B合金等的具有B C C結(jié)構(gòu)的結(jié) 晶粒徑控制層之上形成作為"結(jié)晶密排方向性控制兼低熱傳導(dǎo)中間層"的M g 0層，L ^型 F e P t磁性層可具有更好的（001)密排方向。
[0009] 專利文獻(xiàn)3的實(shí)施例2. 3中記載了，作為底層可使用W -5 a t % Μ 〇 / C r的例 子。
[0010] 另外，作為次世代的記錄方式而被注目的其它技術(shù)，還具有微波輔助磁記錄方式。 微波輔助磁記錄方式是一種通過(guò)向磁記錄介質(zhì)的磁性層照射微波，使磁化方向從磁化容易 軸傾斜，并使磁性層的磁化局部反轉(zhuǎn)(翻轉(zhuǎn))，以對(duì)磁性信息進(jìn)行記錄的方式。
[0011] 在微波輔助磁記錄方式中也與熱輔助磁記錄方式同樣地，作為磁性層的材料，可 使用由具有L ^型結(jié)晶結(jié)構(gòu)的合金所組成的高Ku材料。為此，可在對(duì)熱穩(wěn)定性進(jìn)行維持 的同時(shí)進(jìn)行磁粒粒徑的微細(xì)化。
[0012] 同時(shí)，在使用上述熱輔助磁記錄方式或微波輔助磁記錄方式的磁記錄介質(zhì)的磁存 儲(chǔ)裝置中，為了實(shí)現(xiàn)較高的介質(zhì)SN比，還需要在磁記錄介質(zhì)中進(jìn)行磁性結(jié)晶粒的微細(xì)化 的同時(shí)，也要充分地降低磁性結(jié)晶粒間的交換結(jié)合。作為實(shí)現(xiàn)該目的的方法，如上所述，可 向磁性層中添加 S i 02或C等的粒界相材料。
[0013] [現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[0014] [專利文獻(xiàn)]
[0015] [專利文獻(xiàn)1]特開平11-353648號(hào)公報(bào)
[0016] [專利文獻(xiàn)2]特開2009-158054號(hào)公報(bào)
[0017] [專利文獻(xiàn)3]特開2012-48792號(hào)公報(bào)
[0018] [非專利文獻(xiàn)]
[0019] [非專利文獻(xiàn) l]J.Appl. Phys. 104,023904 (2008)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0020][發(fā)明要解決的課題]
[0021] 然而，在使用為磁存儲(chǔ)裝置的情況下，如果為了獲得足夠高的介質(zhì)S N比而添加 了多量的粒界相材料，則存在著，磁性層中所含的具有L L結(jié)構(gòu)的合金的結(jié)晶粒（以下，也 稱「磁性層結(jié)晶?！梗⒗?、F e P t合金結(jié)晶粒的有序度惡化，K u降低的問(wèn)題。
[0022] 本發(fā)明是鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)所存在的問(wèn)題而提出的，其目的在于提供一種磁記錄 介質(zhì)，可在不使磁性層中所含的具有L L結(jié)構(gòu)的合金結(jié)晶粒的有序度降低的同時(shí)，提高在 使用為磁存儲(chǔ)裝置的情況下的介質(zhì)S N比。
[0023][用于解決課題的手段]
[0024] 根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種磁記錄介質(zhì)，包含：
[0025] 基板；
[0026] 在所述基板上形成的多個(gè)底層；及
[0027] 在所述多個(gè)底層上形成的磁性層，
[0028] 其中，
[0029] 所述磁性層的主成分是具有L L結(jié)構(gòu)的合金；
[0030] 所述多個(gè)底層中的至少1層是含有w的結(jié)晶質(zhì)底層；
[0031] 所述W是所述結(jié)晶質(zhì)底層的主成分；
[0032] 所述結(jié)晶質(zhì)底層還包含從B、S i、及C中所選擇的1種以上的元素，該元素的含 有量為lmo 1 %以上、20 mo 1 %以下；及
[0033] 在所述結(jié)晶質(zhì)底層和所述磁性層之間形成了阻擋層，該阻擋層包含具有N a C 1 結(jié)構(gòu)的材料。
[0034] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供一種磁記錄介質(zhì)，包含：
[0035] 基板；
[0036] 在所述基板上形成的多個(gè)底層；及
[0037] 在所述多個(gè)底層上形成的磁性層，
[0038] 其中，
[0039] 所述磁性層的主成分是具有L L結(jié)構(gòu)的合金；
[0040] 所述多個(gè)底層中的至少1層是含有W的結(jié)晶質(zhì)底層；
[0041] 所述W是所述結(jié)晶質(zhì)底層的主成分；
[0042] 所述結(jié)晶質(zhì)底層還包含1 v 0 1 %以上、50 v 0 1 %以下的氧化物；及
[0043] 在所述結(jié)晶質(zhì)底層和所述磁性層之間形成了阻擋層，該阻擋層包含具有N a C 1 結(jié)構(gòu)的材料。
[0044][發(fā)明的效果]
[0045] 根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種磁記錄介質(zhì)，可在不使磁性層中所含的具有L ^結(jié)構(gòu) 的合金結(jié)晶粒的有序度降低的同時(shí)，提高在使用為磁存儲(chǔ)裝置的情況下的介質(zhì)S N比。
[0046] 附圖概述
[0047] [圖1]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的磁記錄裝置的圖。
[0048] [圖2]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的磁頭的結(jié)構(gòu)圖。
[0049] [圖3]實(shí)驗(yàn)例1所制作的磁記錄介質(zhì)的層結(jié)構(gòu)的截面模式圖。
[0050] [圖4]實(shí)驗(yàn)例2所制作的磁記錄介質(zhì)的層結(jié)構(gòu)的截面模式圖。
[0051] [圖5]實(shí)驗(yàn)例5所制作的磁記錄介質(zhì)的層結(jié)構(gòu)的截面模式圖。
[0052] [符號(hào)說(shuō)明]
[0053] 100、212磁記錄介質(zhì)
[0054] 101磁記錄介質(zhì)驅(qū)動(dòng)部
[0055] 102 磁頭
[0056] 103磁頭驅(qū)動(dòng)部
[0057] 104記錄和再生信號(hào)處理系統(tǒng)
[0058] 301、401、501 基板（玻璃基板）
[0059] 304、404、506 底層
[0060] 305、405、507 阻擋層
[0061] 306、406、508 磁性層
[0062] 本發(fā)明的實(shí)施方式
[0063] 本申請(qǐng)主張基于2013年4月12日申請(qǐng)的日本國(guó)專利申請(qǐng)第2013-084285號(hào)（以 下簡(jiǎn)稱"第1基礎(chǔ)申請(qǐng)")和2013年6月13日申請(qǐng)的日本國(guó)專利申請(qǐng)第2013-124791號(hào)（以 下簡(jiǎn)稱"第2基礎(chǔ)申請(qǐng)"）的優(yōu)先權(quán)，并將這兩個(gè)申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容引用于此。
[0064] 以下，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。然而，本發(fā)明并不限定于下述的實(shí)施方式， 只要不脫離本發(fā)明的范圍，可對(duì)下述實(shí)施方式進(jìn)行各種各樣的變形或置換。
[0065] 這里需要說(shuō)明的是，下述的第1、第2實(shí)施方式與上述第1基礎(chǔ)申請(qǐng)相對(duì)應(yīng)，下述的 第3、第4實(shí)施方式與上述第2基礎(chǔ)申請(qǐng)相對(duì)應(yīng)。[第1實(shí)施方式]
[0066] 在本實(shí)施方式中，對(duì)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)例進(jìn)行說(shuō)明。
[0067] 本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)具有：基板；該基板上所形成的多個(gè)底層；及以具有L 込結(jié)構(gòu)的合金為主成分的磁性層。另外，多個(gè)底層中的至少1層為含有W的底層。
[0068] 另外，含有W的底層包含W，并且包含從B、S i、C、B 2 〇 3、S i 0 2、C r 2 〇 3、 A1 2〇3、T a2〇5、Nb2〇5、Z r〇2、Y2〇3、Ce〇2、Mn〇、T i 〇2、T i 〇、Z n〇、BN、WN、C r 2N、C rN、T i N、T aN、Nb N、VN中所選擇的1種以上的物 質(zhì)。
[0069] 另外，在含有W的底層與所述磁性層之間，還形成有具有N a C 1型結(jié)構(gòu)的阻擋 層。
[0070] 首先，如上所述，本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)具有基板、基板上所形成的多個(gè)底層、 及磁性層。
[0071] 這里，對(duì)基板并無(wú)特別的限定，可以使用能作為磁記錄介質(zhì)的各種各樣的基板。
[0072] 另外，該基板上形成了多個(gè)底層，多個(gè)底層中的至少1層為含有W (鎢）的底層。
[0073] 含有W的底層包含從上述的B、S i、C、S i 0 2等的氧化物、及B N等的氮化物 中所選擇的1種以上的物質(zhì)。
[0074] 含有L L結(jié)構(gòu)的F e P t合金等的結(jié)晶粒的磁性層形成在底層上，然而，在底層 的結(jié)晶粒徑較大的情況下，可為在1個(gè)結(jié)晶粒上成長(zhǎng)具有多個(gè)L L結(jié)構(gòu)的合金結(jié)晶粒。為 此，現(xiàn)有技術(shù)中存在著，磁性層中所含的具有L L結(jié)構(gòu)的合金的各結(jié)晶粒的粒徑不均，粒徑 分布（即，粒徑不均）較大的問(wèn)題。對(duì)此，在本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)中，通過(guò)設(shè)置含有W的 底層，可對(duì)底層的粒徑進(jìn)行微細(xì)化。通過(guò)對(duì)底層的粒徑進(jìn)行微細(xì)化，可促進(jìn)在1個(gè)底層結(jié) 晶粒上成長(zhǎng)1個(gè)磁性層結(jié)晶粒的"Ο n e t ο ο n e成長(zhǎng)"。據(jù)此，可達(dá)到使磁性層中所含 的具有L L結(jié)構(gòu)的合金的結(jié)晶粒的粒徑均勻化的目的。即，可降低磁性層中所含的具有L 1〇結(jié)構(gòu)的合金結(jié)晶粒的粒徑分布（即，使粒徑均勻化)。另外，同時(shí)，在使用為磁存儲(chǔ)裝置的 情況下，還可提高介質(zhì)S N比。在本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)中，通過(guò)設(shè)置上述底層，不僅可 降低保磁力的分布(不均)，還可促進(jìn)磁性層結(jié)晶粒間的分離，進(jìn)而降低交換結(jié)合。另外，也 可降低翻轉(zhuǎn)磁場(chǎng)分布（S FD:Swi tchingFieldDi stribut io n )。
[0075] 在含有W的底層包含從Β、S i、C中所選擇的1種以上的物質(zhì)的情況下，含有量 (添加量）優(yōu)選為1 m ο 1 %以上、25 m ο 1 %以下。其原因在于，如果超過(guò)25 m ο 1 %， 則存在著向底層的（100)面的密排方向性降低的情況，不是較好。另外，如果從B、S i、C 中所選擇的1種以上的物質(zhì)的含有量小于1m ο 1 %，則存在著不能充分發(fā)揮添加效果的 情況，所以，含有量?jī)?yōu)選在上述范圍內(nèi)。
[0076] 在含有W的底層包含從Β 2 0 3、S i 0 2、C r 2 Ο 3、Α 1 2 0 3、T a 2 0 5、N b 2 05、Z r02、Y20 3、Ce02、Mn0、T i 02、T i 0、ZnO、BN、WN、C r2N、C rN、T i N、T &1^、1^&1^、￥1^中所選擇的1種以上的物質(zhì)的情況下，含有量?jī)?yōu)選為1 mo 1 %以上、40 mo 1 %以下。
[0077] 其原因在于，如果上述氧化物或氮化物的含有量超過(guò)40 m o 1 %，則存在著向底 層的（100 )面的密排方向性降低的情況，并非較好。另外，在上述氧化物或氮化物的含有量 小于1 mo 1 %的情況下，存在著不能充分發(fā)揮添加效果的情況，所以，含有量?jī)?yōu)選為在上 述范圍內(nèi)。
[0078] 這里，作為含有W的底層中的W的含有量，對(duì)其并無(wú)特別的限定，然而，優(yōu)選為以 W為主成分的方式進(jìn)行添加，具體而言，在除了 B、S i、C元素、上述氧化物、或氮化物之 外的W化合物中，將含有量最多的元素設(shè)為W。特別地，在除了 B、S i、C元素、上述氧化 物、或氮化物的W化合物中，W的含有量?jī)?yōu)選為30 a t %以上,最好為90 a t %以上。這里 需要說(shuō)明的是，并不需要以單體的形態(tài)來(lái)包含W，可為以添加了其它元素的形態(tài)來(lái)包含W， 或者如前所述，以化合物的形態(tài)來(lái)包含W。
[0079] 另外，為了使磁記錄介質(zhì)的性能穩(wěn)定，多個(gè)底層間的晶格錯(cuò)配優(yōu)選為10%以下。為 了對(duì)晶格錯(cuò)配進(jìn)行調(diào)整，含有w的底層還可包含從C r、T i、T a、Nb、V中所選擇的1 種以上的元素。在包含從C r、T i、T a、Nb、V中所選擇的1種以上的元素的情況下， 對(duì)含有量并無(wú)特別限定，可采用能對(duì)上述晶格錯(cuò)配進(jìn)行控制的方式來(lái)對(duì)其添加量進(jìn)行選 擇。
[0080] 為了使上述含有W的底層的密排方向更確實(shí)地為（100)密排方向，含有W的底層 的下面優(yōu)選為形成密排方向控制底層。作為密排方向控制底層的材料，對(duì)其并無(wú)特別的限 定，例如，可使用從c r (C r金屬)、以C r為主成分的B C C結(jié)構(gòu)的合金、及具有B 2結(jié)構(gòu) 的合金中所選擇的1種以上的金屬。另外，在此情況下，含有W的底層優(yōu)選為，形成在由從 C r、以C r為主成分的B C C結(jié)構(gòu)的合金、及具有B 2結(jié)構(gòu)的合金中所選擇的1種以上的 金屬所組成的密排方向控制底層之上。
[0081] 作為以C r為主成分的B C C結(jié)構(gòu)的合金，可列舉出C rMn、C rMo、C r W、CrV、CrTi、CrRu等。另外，作為密排方向控制層，如果在C r或以C r為主 成分的B C C結(jié)構(gòu)的合金中再添加 B、S i、C等，則可以改善底層的結(jié)晶粒子的大小、分 布度等。但是，在進(jìn)行添加的情況下，最好不要使密排方向控制層本身的（1〇〇)密排方向性 惡化。
[0082] 另外，作為具有B 2結(jié)構(gòu)的合金，例如，可列舉出R u A 1、N i A 1等。
[0083] 接下來(lái)對(duì)磁性層進(jìn)行說(shuō)明。
[0084] 作為磁性層的材料，對(duì)其并無(wú)特別限定，然而，因?yàn)榫哂休^高的磁晶異方性常數(shù)K u，可優(yōu)選使用以具有L L結(jié)構(gòu)的合金為主成分的材料。作為這樣的具有L ^結(jié)構(gòu)的合 金，例如，可列舉出F e P t合金、C ο P t合金等。
[0085] 如上所述，在形成磁性層時(shí)，為了促進(jìn)磁性層的有序化，優(yōu)選為進(jìn)行加熱處理，然 而，為了降低此時(shí)的加熱溫度(有序化溫度)，可在具有L L結(jié)構(gòu)的合金中添加 A g、A u、 C u、N i等。通過(guò)添加這些成分，可將磁性層形成時(shí)的加熱溫度(基板溫度)降低至400? 500 °C左右。
[0086] 另外，在磁性層中，具有L L結(jié)構(gòu)的合金的結(jié)晶粒優(yōu)選為磁氣隔離。為此，磁性層 優(yōu)選為包含從 S i02、Ti02、Cr2〇3、Al 2〇3、Ta2〇5、Zr02、Y2〇 3、Ce 02、Mn0、T i 0、Zn0、B20 3、C、B、BN中所選擇的1種以上的物質(zhì)。據(jù)此，可對(duì) 結(jié)晶粒間的交換結(jié)合進(jìn)行更確實(shí)地切斷，并可提高介質(zhì)S N比。
[0087] 另外，為了促進(jìn)具有L L結(jié)構(gòu)的磁性層的有序化，在制造本實(shí)施方式的磁記錄介 質(zhì)時(shí)，在形成磁性層時(shí)，優(yōu)選為進(jìn)行600°C左右的加熱。此時(shí)，為了對(duì)底層與磁性層之間的 界面擴(kuò)散進(jìn)行抑制，在含有W的底層與磁性層之間優(yōu)選為形成具有N a C 1型結(jié)構(gòu)的阻擋 層。
[0088] 此時(shí)，對(duì)具有N a C 1型結(jié)構(gòu)的阻擋層的材料并無(wú)特別限定，然而，優(yōu)選為，包含 從MgO、T i 0、Ni 0、T iN、TaN、HfN、NbN、ZrC、HfC、TaC、Nb C中所選擇的1種以上的化合物。
[0089] 以上對(duì)本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)例進(jìn)行了說(shuō)明，然而，就本實(shí)施方式的磁 記錄介質(zhì)而言，還可以設(shè)置任意的各種各樣的部件，例如，可為具有以下的部件的結(jié)構(gòu)。
[0090] 例如，在磁性層上最好形成D L C保護(hù)膜。
[0091] 對(duì)D L C保護(hù)膜的制造方法并無(wú)特別的限定。例如，可采用：對(duì)由碳化氫所組成的 原料氣體由高頻等離子體進(jìn)行分解以形成膜的RF - CVD法、由燈絲所放出的電子對(duì)原 料氣體進(jìn)行離子化以形成膜的I B D法、不使用原料氣體而使用固體C Target以形成膜 的F C VA法等。
[0092] 對(duì)D L C保護(hù)膜的膜厚并無(wú)特別的限定，例如，優(yōu)選為1 n m以上、6 n m以下。其 原因在于，如果低于1 n m，則存在著磁頭的浮上特性惡化的情況，并非較好。另外，如果高 于6 nm，則磁隙（magnetic spacing)變大，存在著介質(zhì)SN比下降的情況，也并非較好。
[0093] 在D L C保護(hù)膜上，還可涂敷由全氟聚醚（PFPE)系氟樹脂所組成潤(rùn)滑劑。
[0094] 另外，為了迅速地對(duì)磁性層進(jìn)行冷卻，優(yōu)選為形成散熱層。散熱層可使用A g、C u、A 1、A u等的熱傳導(dǎo)率的高的金屬、或以A g、C u、A 1、A u等的熱傳導(dǎo)率的高的 金屬為主成分的合金。例如，在熱輔助磁記錄方式中，磁記錄介質(zhì)的磁性層在被激光加熱 后，優(yōu)選為被迅速冷卻，這樣，可對(duì)加熱點(diǎn)的擴(kuò)大進(jìn)行抑制。為此，通過(guò)設(shè)置散熱層，可降低 磁化遷移區(qū)域的寬度，降低介質(zhì)噪音，為較好的。對(duì)散熱層的設(shè)置位置并無(wú)特別的限定，例 如，優(yōu)選為，在密排方向控制層的下面、或、在密排方向控制層與阻擋層之間來(lái)進(jìn)行形成。 [0095] 另外，為了改善寫入特性，也可形成軟磁性底層。作為軟磁性底層的材料，對(duì)其并 無(wú)特別的限定，然而，例如可使用C 〇TaZr、CoFeTaB、CoFeTaS i、Co F e T a Z r等的非晶質(zhì)合金、F e T a C、F e T a N等的微結(jié)晶合金、N i F e等的多 結(jié)晶合金等。軟磁性底層可為由上述合金所組成的單層膜，也可為通過(guò)對(duì)適當(dāng)膜厚的R u 層進(jìn)行夾持而進(jìn)行了反強(qiáng)磁性結(jié)合的積層膜。
[0096] 另外，除了上述的層以外，根據(jù)需要，還可任意地設(shè)置種晶（seed)層、黏接層等。
[0097] 以上所說(shuō)明的本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)可優(yōu)選作為熱輔助磁記錄方式或微波輔 助磁記錄方式的磁記錄介質(zhì)來(lái)使用。
[0098] 根據(jù)以上所述的本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)，通過(guò)在預(yù)定的底層上形成磁性層，可 在不使磁性層中所含的具有L L結(jié)構(gòu)的合金結(jié)晶粒的有序度降低的同時(shí)，提高在使用為磁 存儲(chǔ)裝置的情況下的介質(zhì)SN比。[第2實(shí)施方式]
[0099] 在本實(shí)施方式中，對(duì)本發(fā)明的磁存儲(chǔ)裝置的結(jié)構(gòu)例進(jìn)行說(shuō)明。這里需要說(shuō)明的是， 在本實(shí)施方式中，盡管對(duì)基于熱輔助磁記錄方式的磁存儲(chǔ)裝置的結(jié)構(gòu)例進(jìn)行了說(shuō)明，然而， 并不限定于該方式，也可將第1實(shí)施方式中所說(shuō)明的磁記錄介質(zhì)使用于基于微波輔助磁記 錄方式的磁存儲(chǔ)裝置。
[0100] 本實(shí)施方式的磁存儲(chǔ)裝置可為具有第1實(shí)施方式中所說(shuō)明的磁記錄介質(zhì)的磁存 儲(chǔ)裝置。
[0101] 在磁存儲(chǔ)裝置中，例如，可為還具有用于使磁記錄介質(zhì)旋轉(zhuǎn)的磁記錄介質(zhì)驅(qū)動(dòng)部、 及在前端部具有近場(chǎng)光發(fā)生元件的磁頭的結(jié)構(gòu)。另外，可具有：用于對(duì)磁記錄介質(zhì)進(jìn)行加熱 的激光發(fā)生部；將激光發(fā)生部所發(fā)生的激光導(dǎo)引至近接場(chǎng)光發(fā)生元件的導(dǎo)波路；用于使磁 頭移動(dòng)的磁頭驅(qū)動(dòng)部；及記錄和再生（recording/reproduction)信號(hào)處理系統(tǒng)。
[0102] 磁存儲(chǔ)裝置的具體結(jié)構(gòu)例示于圖1中。
[0103] 例如，本實(shí)施方式的磁存儲(chǔ)裝置可為圖1所示的結(jié)構(gòu)。具體而言，可為由磁記錄介 質(zhì)100、用于使磁記錄介質(zhì)旋轉(zhuǎn)的磁記錄介質(zhì)驅(qū)動(dòng)部101、磁頭102、用于使磁頭移動(dòng)的磁頭 驅(qū)動(dòng)部103、及記錄和再生信號(hào)處理系統(tǒng)104等構(gòu)成的結(jié)構(gòu)。
[0104] 另外，作為磁頭102,例如，可使用圖2所示的記錄用磁頭。該磁頭具有記錄頭208 和再生頭211。記錄頭208具有：主磁極201 ;輔助磁極202 ;用于產(chǎn)生磁場(chǎng)的線圈203 ;作為 激光發(fā)生部的激光二極管（L D ) 204 ;及用于將L D所發(fā)出的激光205引導(dǎo)至近接場(chǎng)光發(fā) 生元件206的導(dǎo)波路207。再生頭211具有由保護(hù)部（shield)209所夾持的再生元件210。
[0105] 另外，作為磁記錄介質(zhì)100,如上所述，使用了第1實(shí)施方式中所說(shuō)明的磁記錄介 質(zhì)。為此，通過(guò)在預(yù)定的底層上形成磁性層，可在不使磁性層中所含的具有L ^結(jié)構(gòu)的合 金結(jié)晶粒的有序度降低的同時(shí)，提高在使用為磁存儲(chǔ)裝置的情況下的介質(zhì)S N比。另外，還 可獲得0W (覆蓋）特性（Over-Write特性）良好的磁記錄裝置。
[0106][實(shí)施例]
[0107] 以下通過(guò)列舉具體的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，然而，本發(fā)明并不限定于這些實(shí)施例。
[0108] [實(shí)驗(yàn)例1]
[0109] (實(shí)施例1-1?1-13、比較例1-1?1-2)
[0110] 在本實(shí)驗(yàn)例中，制作了實(shí)施例1-1?1-13、比較例1-1、1-2的試料，并對(duì)其進(jìn)行了 評(píng)價(jià)。
[0111] 圖3表示本實(shí)驗(yàn)例中所制作的磁記錄介質(zhì)的層結(jié)構(gòu)的截面模式圖。以下對(duì)其制造 步驟進(jìn)行說(shuō)明。
[0112] 在本實(shí)驗(yàn)例中，在2. 5英寸的玻璃基板301上，作為種晶層302,形成了膜厚為25 nm的N i -35 a t %T a層，并進(jìn)行了 300°C的基板加熱。
[0113] 作為密排方向控制底層303,形成了膜厚為20 n m的Ru -50 a t %A 1。
[0114] 接下來(lái)，形成了含有W的底層304,其膜厚為15 n m。
[0115] 另外，作為阻擋層305,形成了膜厚為2 n m的Mg 0層。
[0116] 之后，進(jìn)行580°C的基板加熱,形成了 8 n m的（F e -46 a t % P t )-15m ο 1 % 的S i 0 2磁性層306,再形成了膜厚為3 n m的D L C保護(hù)膜307。
[0117] 含有W的底層304如表1所不，在各實(shí)施例中形成了組成成分不同的層。在實(shí)施 例1-1中形成了 W-8mo 1 %的B層，在實(shí)施例1-2中形成了 W-8mo 1 %的S i層，在 實(shí)施例1-3中形成了W-8mo 1 %的C層，在實(shí)施例1-4中形成了W-8mo 1 %的3 2 0 3層，在實(shí)施例1-5中形成了W-8 mo 1 %的S i 0 2層，在實(shí)施例1-6中形成了W-10 m ο 1 %的C e 0 2層，在實(shí)施例1-7中形成了W-16 mo 1 %的T i 0層，在實(shí)施例1-8中 形成了W-10 mo 1 %的Z r 0 2層，在實(shí)施例1-9中形成了W-10 mo 1 %的A 1 2 0 3 層，在實(shí)施例1-10中形成了W-5 mo 1 %的￥ 2 0 3層，在實(shí)施例1-11中形成了（W-20 a t%Ta)-5mo 1%的 Ta20 5 層，在實(shí)施例 1-12 中形成了（W -20 a t % C r )-8 mo 1 %的C r 2 0 3 層，在實(shí)施例 1-13 中形成了（W -20 a t %T i )-17 mo 1 %的T i Ν層。
[0118] 另外，在比較例1-1U-2中，制作了分別形成了不添加 Β、S i、C、氧化物、及氮 化物的W層及W-20 a t %的T a層的介質(zhì)。
[0119] 通過(guò)對(duì)本實(shí)驗(yàn)例中所制作的試料(介質(zhì)）進(jìn)行X線衍射測(cè)定，從密排方向控制底層 303的R u -50 a t %的A 1觀察到了（100)面的衍射峰值和較弱的（200)面的衍射峰值。
[0120] 從含有W的底層304僅觀察到了（200)面的衍射峰值。
[0121] 從磁性層306觀察到了 L 1Q- F e P t的（001)面的衍射峰值、以及、L 1Q- F e P t的（002)面的衍射峰值和F C C - F e P t的（200)面的衍射峰值的混合峰值。
[0122] 阻擋層305薄為2 n m，所以，沒有看到明顯的衍射峰值，然而，由于磁性層306為 上述的密排方向，所以，也為（100)密排方向。
[0123] 另外，由于從種晶層302沒有看到明顯的衍射峰值，所以，可知該種晶層是非晶質(zhì) (非結(jié)晶）結(jié)構(gòu)。
[0124] 表1示出了，相對(duì)于L 1Q- F e P t的（002)面的衍射峰值和F C C - F e P t的 (200)面的衍射峰值的混合峰值強(qiáng)度（I QQ2 + I 2J的、L 1Q- F e P t的（001)面的衍 射峰值強(qiáng)度I QQ1的比率、即、I QQ1 / ( I QQ2 + I 2QQ)。另外，還示出了保磁力H c和標(biāo)準(zhǔn)化 (正規(guī)化）了的保磁力分布Λ H c / H c。
[0125] 這里，H c是根據(jù)通過(guò)使用S U Q I D (超傳導(dǎo)量子干涉元件）施加7 T的磁場(chǎng) 而在室溫下所測(cè)定的磁化曲線所求得的。另外，Λ H c / H c是采用「I E E E T r a η s.Magn.，vol.27，pp 4975-4977,1991」中所述的方法所測(cè)定的。具體而言，在 通過(guò)施加7 T的最大磁場(chǎng)而在室溫下所測(cè)定的major loop及minor loop中，對(duì)磁化值為 飽和值的50%時(shí)的磁場(chǎng)進(jìn)行測(cè)定，然后，根據(jù)兩者的差，并在假定H c分布為高斯分布的前 提下，算出了 AHc/Hc。AHc/H c是相當(dāng)于反轉(zhuǎn)(翻轉(zhuǎn))磁場(chǎng)分布的參數(shù),該值越 低，表示在使用為磁存儲(chǔ)裝置的情況下所獲得的介質(zhì)S N比越高，是較好的。
[0126] [表 1]
[0127]

【權(quán)利要求】
1. 一種磁記錄介質(zhì)，包含： 基板； 在所述基板上形成的多個(gè)底層；及 在所述多個(gè)底層上形成的磁性層， 其中， 所述磁性層的主成分是具有L L結(jié)構(gòu)的合金； 所述多個(gè)底層中的至少1層是含有W的結(jié)晶質(zhì)底層； 所述W是所述結(jié)晶質(zhì)底層的主成分； 所述結(jié)晶質(zhì)底層還包含1 m ο 1 %以上、20 m ο 1 %以下的從B、S i、及C中所選擇 的1種以上的元素，及 在所述結(jié)晶質(zhì)底層和所述磁性層之間形成了阻擋層，該阻擋層包含具有N a C 1結(jié)構(gòu) 的材料。
2. 如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，還包含： 密排方向控制底層，包含從C r、以C r為主成分的B C C結(jié)構(gòu)的合金、及具有B 2結(jié) 構(gòu)的合金中所選擇的1種以上的金屬， 其中， 所述結(jié)晶質(zhì)底層形成在所述密排方向控制底層上。
3. 如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其中： 所述包含具有N a C 1結(jié)構(gòu)的材料包含從M gO、TiO、NiO、TiN、TiC、T aN、HfN、NbN、Z rC、HfC、Ta C、及N b C中所選擇的1種以上的化合物。
4. 如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其中： 所述磁性層包含從 S i 02、T i 02、Cr2〇3、Al 2〇3、Τ&2〇5、Ζγ02、Υ 2〇 3、Ce02、Mn0、T i 0、Zn0、B20 3、C、B、及BN中所選擇的1種以上的物質(zhì)；及 所述磁性層的主成分是C ο P t合金或具有L L結(jié)構(gòu)的F e P t合金。
5. -種磁存儲(chǔ)裝置，包含： 權(quán)利要求1至4的任1項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)。
6. -種磁記錄介質(zhì)，包含： 基板； 在所述基板上形成的多個(gè)底層；及 在所述多個(gè)底層上形成的磁性層， 其中， 所述磁性層的主成分是具有L L結(jié)構(gòu)的合金； 所述多個(gè)底層中的至少1層是含有W的結(jié)晶質(zhì)底層； 所述W是所述結(jié)晶質(zhì)底層的主成分； 所述結(jié)晶質(zhì)底層還包含1 V ο 1 %以上、50 V ο 1 %以下的氧化物；及 在所述結(jié)晶質(zhì)底層和所述磁性層之間形成了阻擋層，該阻擋層包含具有N a C 1結(jié)構(gòu) 的材料。
7. 如權(quán)利要求6所述的磁記錄介質(zhì)，其中： 所述氧化物包含從 B20 3、s i 02、C r20 3、Al 20 3、T a20 5、Nb20 5、Z r 02、 Y 2 03、C e 02、Mn0、T i 02、T i 0、Zn0、L a 2 03、N i 0、F e 0、及 C 〇 〇中所選擇的1種以上。
8. 如權(quán)利要求6所述的磁記錄介質(zhì)，還包含： 密排方向控制底層，包含從C r、以C r為主成分的B C C結(jié)構(gòu)的合金、及具有B 2結(jié) 構(gòu)的合金中所選擇的1種以上的金屬， 其中， 所述結(jié)晶質(zhì)底層形成在所述密排方向控制底層上。
9. 如權(quán)利要求6所述的磁記錄介質(zhì)，其中： 所述包含具有N a C 1結(jié)構(gòu)的材料包含從M gO、T i 0、Ni 0、T iN、T i C、T aN、HfN、NbN、Z rC、HfC、Ta C、及N b C中所選擇的1種以上的化合物。
10. 如權(quán)利要求6所述的磁記錄介質(zhì)，其中： 所述磁性層包含從 S i 02、T i 02、Cr2〇3、Al 2〇3、Τ&2〇5、Ζγ02、Υ 2〇 3、 Ce02、Mn0、T i 0、Zn0、B20 3、C、B、及BN中所選擇的1種以上的物質(zhì)；及 所述磁性層的主成分是C ο P t合金或具有L L結(jié)構(gòu)的F e P t合金。
11. 一種磁存儲(chǔ)裝置，包含： 權(quán)利要求6至10的任1項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)。
【文檔編號(hào)】G11B5/66GK104103290SQ201410132213
【公開日】2014年10月15日 申請(qǐng)日期:2014年4月2日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月12日
【發(fā)明者】張磊, 神邊哲也, 村上雄二, 丹羽和也 申請(qǐng)人:昭和電工株式會(huì)社