Nand陣列的操作方法及計算機可讀取的非暫時性儲存媒體的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種NAND陣列的操作方法及計算機可讀取的非暫時性儲存媒體，是說明支持非易失性存儲器的減少編程干擾的技術。一種三維/二維NAND陣列包括多個分頁，其分為多個分頁組。允許存取在三維NAND陣列的一擦除區(qū)塊中的多個分頁組的一第一分頁組之內(nèi)的存儲單元，但使存取在三維/二維NAND陣列的擦除區(qū)塊中的多個分頁組的一第二分頁組之內(nèi)的存儲單元的存取最少化。相同分頁組中的分頁在三維/二維NAND陣列中彼此不相鄰。
【專利說明】NAND陣列的操作方法及計算機可讀取的非暫時性儲存媒 體
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明是有關于包括存儲器管理的存儲器裝置及系統(tǒng)，尤其是一種NAND陣列的 操作方法及計算機可讀取的非暫時性儲存媒體。
【背景技術】
[0002] 閃存是非易失性集成電路存儲器技術的一種。傳統(tǒng)的閃存采用浮接柵極存儲單 元。隨著存儲器裝置的密度增加且浮接柵極存儲單元間變得越來越緊密，儲存于鄰近浮接 柵極的電荷間的干擾變成一項問題。這限制了基于浮接柵極存儲單元的閃存增加密度的能 力。用于閃存的另一種型式的存儲單元可被稱為一電荷捕捉存儲單元，其使用一介電電荷 捕捉層來取代浮接柵極。
[0003] 典型的快閃存儲單元由一場效晶體管FET構造所組成，其具有由一通道所隔開的 源極及漏極，以及一個與此通道間隔一電荷儲存構造的柵極，電荷儲存構造包括一隧穿介 電層、電荷儲存層（浮接柵極或介電材料）以及一阻擋介電層。依據(jù)早期被稱為S0N0S裝 置的已知電荷捕捉存儲器設計，源極、漏極及通道是形成于一可以是條狀的硅本體（S)中， 隧穿介電層是由氧化硅（〇)所組成，電荷儲存層是由氮化硅（N)所組成，阻擋介電層是由氧 化硅（〇)所組成，而柵極包括多晶硅（S)。
[0004] 雖然其他架構是已知的，但是閃存裝置通常是通過使用包括AND架構的NAND或 N0R架構來實現(xiàn)。NAND架構因其高密度且高速，使其在被應用至數(shù)據(jù)儲存應用時備受歡迎。 N0R架構是較適合于其他應用，例如編碼儲存，其中的隨機字節(jié)存取是重要的。在一種NAND 架構中，編程過程一般依靠福勒-諾德漢隧穿（Fowler-Nordheim(FN) tunneling)，并需要 例如大約20伏特的高電壓，且需要高電壓晶體管以操控它們。集成電路上的額外高電壓晶 體管與用于邏輯及其他數(shù)據(jù)流的晶體管相結合，會導致工藝的復雜性。而此增加的復雜性 反會增加裝置的成本。
[0005] 三維陣列的NAND存儲器素以在一相對小的容積中具有更大的存儲器容量為特 征。但在編程NAND陣列的一選定存儲單元時，附近的存儲單元仍受到編程干擾。受到編 程干擾的存儲單元包括：在同一 NAND串中的存儲單元、被相同的字線所存取且在相同疊層 (但不同層）的半導體條中的存儲單元、被相同的字線所存取且在相同層（但在鄰近疊層） 的半導體條中的存儲單元；以及被相同的字線所存取但是在鄰近疊層（且不同層）的半導 體條中的存儲單元。
[0006] -種減少編程干擾的方法為熱載子注入（一項適合低電壓編程操作的存儲器技 術），且熱載子注入可配置在一 NAND架構中。一 NAND架構中的熱載子注入先前已在下述申 請案號中作說明：美國申請案號12/797,994,申請日為2010年6月10日，其是于2011年12 月15日公開為美國專利申請公開第2011/0305088號；以及美國申請案號12/898, 979,申 請日為2010年10月6日，其是于2012年4月5日公開為美國專利申請公開第2012/0081962 號，其全部并入本文作參考。
[0007] 無論熱載子注入為何，編程干擾在高密度存儲器中依舊是一項問題。吾人期望更 進一步改善編程干擾。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0008] -種支持非易失性存儲器的減少編程干擾的技術。
[0009] 此技術的一實施樣態(tài)為一種包括多個分頁（page)的三維/二維NAND陣列的操作 方法，多個分頁被分為多個分頁組。此方法包括：
[0010] 允許存取在三維/二維NAND陣列的一擦除區(qū)塊中的多個分頁組的一第一分頁組 之內(nèi)的存儲單元，但使存取在三維NAND陣列的擦除區(qū)塊中的多個分頁組的一第二分頁組 之內(nèi)的存儲單元的存取最少化。
[0011] 其中分頁組中的分頁在三維/二維NAND陣列中是實體上彼此不相鄰。
[0012] 于一實施例中，第一分頁組及第二分頁組具有相對于彼此偏移的棋盤圖案。藉此， 不會針對實體上鄰近的分頁執(zhí)行編程操作。
[0013] 允許存取及使存取最少化的例子為編程及讀取操作。于一實施例中，在三維NAND 陣列的擦除區(qū)塊中的第一分頁組之內(nèi)的存儲單元允許編程操作，且在此陣列的擦除區(qū)塊中 的第二分頁組之內(nèi)的存儲單元的編程操作是最少化。在另一實施例中，在三維NAND陣列的 擦除區(qū)塊中的第一分頁組之內(nèi)的存儲單元上允許讀取操作，且在此陣列的擦除區(qū)塊中的第 二分頁組之內(nèi)的存儲單元的讀取操作是最少化。
[0014] 通過以一邏輯擦除而非一實體擦除來響應一分頁的一擦除命令，并于之后集體擦 除此種分頁，此技術的各種實施例減少了針對擦除區(qū)塊所執(zhí)行的擦除操作的總數(shù)。通過依 此方式來降低擦除操作的總數(shù)，可延長裝置的壽命。在此技術的實施例中，供第一分頁組所 用的一擦除指令是導致具有一無效狀態(tài)的分頁，此無效狀態(tài)是指示（i)分頁的延遲擦除以 及（ii)分頁對于讀取及寫入存儲器操作的無法使用，直到分頁的至少延遲擦除為止。在此 技術的另一種實施例中，當?shù)谝慌c第二分頁組兩者已接收到擦除指令時，包括這兩個分頁 組的擦除區(qū)塊是被擦除，且對于所有多個分頁組的無效狀態(tài)是被移除。在移除無效狀態(tài)之 后，讀取及編程操作為了至少這個理由不再被實時阻止。
[0015] 在某些實施例中，分頁包括在三維/二維NAND陣列中的多串的實體上鄰近的存儲 單元。
[0016] 以下的三個/兩個實施例改變了在三個/兩個不同空間軸之間的一分頁的存儲單 元的物理方向。
[0017] 于一實施例中，多串的實體上鄰近的存儲單元是被配置成使多個分頁中的一分頁 包括在此陣列的一相同存儲單元層中的多個存儲單元，被一相同字線所存取，且被不同位 線所存取，其中多個分頁組的第一個分頁組的任何兩個分頁是實體上互不相鄰，起因于下 述的至少一者：
[0018] (i)至少一中介字線位在兩個分頁之間，
[0019] (ii)至少一中介存儲單元層位在兩個分頁之間，以及
[0020] (iii)兩個分頁被安置在不同的存儲單元層中且被不同的字線所存取。
[0021] 在另一實施例中，多串的實體上鄰近的存儲單元是被配置成使多個分頁中的一分 頁包括在此陣列的不同層中的多個存儲單元被一相同字線所存取，
[0022] 其中多個分頁組的第一個分頁組的任何兩個分頁是實體上互不相鄰，起因于下述 的至少一者：
[0023] (i)至少一中介字線位在兩個分頁之間，
[0024] (ii)至少一中介存儲器串疊層位在兩個分頁之間，以及
[0025] (iii)兩個分頁共享無存儲器串及被不同字線所存取。
[0026] 在更進一步的實施例中，多串的實體上鄰近的存儲單元是被配置成使多個分頁中 的一分頁包括在此陣列的一相同層中的多個存儲單元被不同字線所存取。
[0027] 其中多個分頁組的第一個分頁組的任何兩個分頁是實體上互不相鄰，起因于下述 的至少一者：
[0028] (i)至少一中介存儲單元層位在兩個分頁之間，
[0029] (ii)至少一中介存儲器串疊層位在兩個分頁之間，以及
[0030] (iii)兩個分頁被安置在不同的存儲單元層中并被安置在不同的存儲器串疊層 中。
[0031] 另一實施樣態(tài)的技術為一計算裝置，其包括一處理器、一三維/二維NAND陣列及 控制電路。此存儲器包括多個分頁，其被分為多個分頁組。耦接至處理器與此陣列的至少 一者的控制電路允許存取在三維/二維NAND陣列的一擦除區(qū)塊中的多個分頁組的一第一 分頁組之內(nèi)的多個存儲單元，但使存取在三維/二維NAND陣列的擦除區(qū)塊中的多個分頁組 的一第二分頁組之內(nèi)的多個存儲單元的存取最少化。多個虛擬擦除區(qū)塊中的虛擬擦除區(qū)塊 是被映像成多個分頁組的其中一個。這些分頁組中的多個分頁組包括來自三維/二維NAND 陣列中實體上互不相鄰的這些分頁的多個分頁。分頁組中的分頁在三維/二維NAND陣列 中是實體上彼此不相鄰。
[0032] 進一步的實施樣態(tài)的技術為一計算機可讀取的非暫時性儲存媒體，其實施對于包 括多個分頁的一三維/二維NAND陣列的多個指令。三維/二維NAND陣列被分為多個分頁 組。指令在被執(zhí)彳了時完成：
[0033] 允許存取在三維/二維NAND陣列的一擦除區(qū)塊中的多個分頁組的一第一分頁組 之內(nèi)的多個存儲單元，但使存取在三維/二維NAND陣列的擦除區(qū)塊中的多個分頁組的一第 二分頁組之內(nèi)的多個存儲單元的存取最少化，
[0034] 其中分頁組中的分頁在三維/二維NAND陣列中是實體上彼此不相鄰。本發(fā)明的 其他實施樣態(tài)及優(yōu)點可以在檢閱隨附的圖式、詳細說明與權利要求范圍而了解到。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0035] 圖1為存儲器管理系統(tǒng)的一例的方塊圖。
[0036] 圖2顯示多個分頁的一擦除區(qū)塊，其被映射至一個分為多個分頁組的擦除區(qū)塊。
[0037] 圖3顯示在與一字線平行的一三維存儲器陣列中的一存儲器頁的配置。
[0038] 圖4顯示在延伸穿過NAND串的多層的一三維存儲器陣列中的一存儲器頁的配置。
[0039] 圖5顯示在沿著一 NAND串運行的一三維存儲器陣列中的一存儲器頁的配置。 [0040] 圖6顯示空閑的NAND擦除區(qū)塊，以使擦除區(qū)塊的所有子區(qū)塊皆是空閑的。
[0041] 圖7-圖8顯示半空閑的NAND擦除區(qū)塊，以使至少一子區(qū)塊成為無效，而剩下的子 區(qū)塊是空閑的。
[0042] 圖9-圖12顯示在使用中的NAND擦除區(qū)塊，以使子區(qū)塊的至少一者是在使用中， 而其他子區(qū)塊是空閑及/或無效的。
[0043] 圖13-圖16顯示在使用中的NAND擦除區(qū)塊，以使子區(qū)塊的至少一者是在使用中， 而其他子區(qū)塊是空閑及/或無效的；但不像圖9-圖12,一個不同的子區(qū)塊是在使用中。
[0044] 圖17顯示一擦除區(qū)塊的簡化的壽命周期。
[0045] 圖18顯示一擦除區(qū)塊的簡化的壽命周期；不像圖17,使用中的子區(qū)塊的不同的順 序如下。
[0046] 圖19為計算機系統(tǒng)的一例的方塊圖。
[0047] 【符號說明】
[0048] 100 :系統(tǒng)
[0049] 110:應用程序
[0050] 120 :磁盤文件系統(tǒng)
[0051] 125:快閃轉換層
[0052] 130 :原生性文件系統(tǒng)
[0053] 140 :存儲器技術裝置檔案
[0054] 150 :存儲器/高容量3D NAND快閃陣列
[0055] 210 :擦除區(qū)塊
[0056] 212、612、712、812、912 :子區(qū)塊 1
[0057] 214、614、714、 814、914 :子區(qū)塊 2
[0058] 300、400、500 :三維存儲器陣列/NAND陣列
[0059] 610 :NAND 擦除區(qū)塊
[0060] 710 :NAND 擦除區(qū)塊
[0061] 810:NAND 擦除區(qū)塊
[0062] 910 :NAND 擦除區(qū)塊
[0063] 1010 :NAND 擦除區(qū)塊
[0064] 1012、1112、1212、1312、1412、1512、1612、1712、1722、1732、1742 :子區(qū)塊 1
[0065] 1014、1114、1214、1314、1414、1514、1614、1714、1724、1734、1744 :子區(qū)塊 2
[0066] 1110、1210、1310、1410、1510、1610、1710 :NAND 擦除區(qū)塊
[0067] 1720、1740、1840 :使用中的擦除區(qū)塊
[0068] 1730、1830 :半空閑的擦除區(qū)塊
[0069] 175〇 :分配子區(qū)塊1
[0070] 1760 :虛擬擦除子區(qū)塊1
[0071] 1770:分配子區(qū)塊2
[0072] 1780 :實體擦除子區(qū)塊1及2
[0073] 1810:空閑的擦除區(qū)塊
[0074] 1820 :擦除區(qū)塊
[0075] 1850 :分配子區(qū)塊2
[0076] 1860 :虛擬擦除子區(qū)塊2
[0077] 1870 :分配子區(qū)塊1
[0078] 1880 :實體擦除子區(qū)塊1及2
[0079] 1910 :計算機系統(tǒng)
[0080] 1912 :總線子系統(tǒng)
[0081] 1914:處理器子系統(tǒng)
[0082] 1916:網(wǎng)絡接口子系統(tǒng)
[0083] 1918 :通訊網(wǎng)絡/計算機網(wǎng)絡
[0084] 1920 :用戶接口輸出裝置
[0085] 1922 :用戶接口輸入設備
[0086] 1924 :儲存子系統(tǒng)
[0087] 1926 :存儲器子系統(tǒng)
[0088] 1928 :檔案儲存子系統(tǒng)
[0089] 1930 :主要隨機存取存儲器（RAM)
[0090] 1931 :閃存
[0091] 1932 :只讀存儲器（ROM)
【具體實施方式】
[0092] 參考附圖提供實施例的詳細說明。
[0093] 圖1是一結合存儲器（例如高容量的3D NAND快閃陣列150)的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)100 的功能層方塊圖。存儲器亦可是各種不同的NAND閃存、N0R閃存或任何具有擦除區(qū)塊的適 當存儲器裝置。此存儲器實體上可以分成為多個區(qū)段，以使每個實體區(qū)段為存儲器所支持 之區(qū)塊擦除操作的最小尺寸單元。存儲器的一擦除區(qū)塊可對應至一個或多個實體區(qū)段。舉 例而言，存儲器的每個實體區(qū)段的容量可以是16KB。在某些例子中，存儲器150的一擦除區(qū) 塊可包括一個實體區(qū)段，并具有與實體區(qū)段，或多個實體區(qū)段相同的16KB的容量，例如4個 實體區(qū)段具有64KB的總容量，或8個實體區(qū)段具有128KB的總容量。
[0094] 在用以進行分頁模式操作的存儲器中，存儲器的每一擦除區(qū)塊可包括多個分頁 (page)，且每一分頁可通過被存儲器所支持的分頁編程及分頁讀取操作而被編程或讀取。 舉例而言，一 Ι-Gbit單層式儲存存儲單元（Single-Level-Cell，SLC)架構的NAND閃存裝 置可包括1K個擦除區(qū)塊，每個擦除區(qū)塊大小為128KB，且每個擦除區(qū)塊可包括64個分頁， 每個分頁大小為2KB。每個分頁可包括供錯誤校正碼（ECC)或其他功能用的額外儲存空間 (例如64字節(jié)）。每個擦除區(qū)塊可包括額外儲存空間（例如4KB)來記錄壞損分頁、擦除次 數(shù)或其他數(shù)據(jù)。
[0095] 通過提供一分頁編程命令或分頁讀取命令、以及確認分頁的一地址給存儲器，閃 存可被規(guī)劃而使得存儲器的一分頁可被編程或讀取。又，通過提供一區(qū)塊擦除命令以及確 認此區(qū)塊的一地址給存儲器，閃存可被規(guī)劃而使得存儲器的每個區(qū)塊可而被擦除。舉例而 言，一例的1-Gbit SLC NAND閃存裝置的每個特定分頁可利用16位的地址來尋址，16位地址 中的10個最高有效位為包括特定分頁的區(qū)塊的地址。于此1-Gbit SLC NAND例子中，通過 提供一分頁讀取命令或分頁編程命令、以及確認此分頁的16位地址給1-Gbit SLC NAND閃 存裝置，一分頁可被編程或讀取。于此1-GbitSLC NAND例子中，通過提供一區(qū)塊擦除命令 與確認此擦除區(qū)塊的10個最高有效位（在16位地址格式中）給1-Gbit SLC NAND閃存裝 置，一擦除區(qū)塊可被擦除。
[0096] 系統(tǒng)100包括一個或多個文件系統(tǒng)，其基于來自一應用程序110的多個請求來儲 存、擷取并更新儲存于存儲器150中的數(shù)據(jù)。于此實施例中的文件系統(tǒng)包括磁盤文件系 統(tǒng)120,其例如為文件分配表（File Allocation Table，F(xiàn)AT)文件系統(tǒng)、第三延伸文件系統(tǒng) (Third Extended File System，EXT3)或新技術文件系統(tǒng)（New Technology File System， NTFS)。于此實施例中的文件系統(tǒng)亦包括一種為閃存而設計的原生性（native)文件系統(tǒng) 130,例如日志式快閃文件系統(tǒng)版本 2 (Journaling Flash File System Version2, JFFS2)，無 排序區(qū)塊圖像文件系統(tǒng)（Unsorted Block Image File System, UBIFS)或又另一種快閃文件 系統(tǒng)（Yet Another Flash File System, YAFFS)。文件系統(tǒng)120或130經(jīng)由例如一讀取驅動器 (用以分頁讀取操作）、一程序驅動器（用以分頁編程操作）以及一擦除驅動器（用于區(qū)塊 擦除操作）的裝置驅動器來存取存儲器150。一軟件層，例如存儲器技術裝置檔案（Memory Technology Device file) 140,可提供作為在文件系統(tǒng)120或130與存儲器150之間，具有裝 置驅動器的接口。存儲器技術裝置檔案140包括一擦除區(qū)塊及子區(qū)塊管理模塊以及相關的 狀態(tài)數(shù)據(jù)。擦除區(qū)塊及子區(qū)塊管理模塊將擦除區(qū)塊看成分為多個子區(qū)塊，并在執(zhí)行擦除區(qū) 塊之一實體擦除之前，管理在擦除區(qū)塊內(nèi)的此些子區(qū)塊的無效性（invalidation)。如以下 所討論的，無效為一軟件擦除或虛擬擦除，其延遲實體擦除，直到多個子區(qū)塊可以實體上一 起被擦除為止。存儲器技術裝置檔案140包括一操作處理機及空閑空間（free space)管理 器。操作處理機攔截由快閃轉換層125所請求的所有操作，并通過援用由既存的存儲器技 術裝置檔案140所提供的原始功能，重新建立對于其下的實體區(qū)塊的操作。當不存在有足 夠空閑空間以完成來自快閃轉換層125的新的編程操作時，空閑空間管理器管理、分配并 重新分配空閑空間。
[0097] 所示的系統(tǒng)100亦包括一個作為在磁盤文件系統(tǒng)120與裝置驅動器（或存儲器技 術裝置檔案140)之間的接口的快閃轉換層（Flash Translation Layer) 125。快閃轉換層 125可執(zhí)行在磁盤文件系統(tǒng)120的邏輯地址與存儲器150的實體地址之間的地址轉換。
[0098] 在某些實施例中，快閃轉換層125及存儲器技術裝置檔案140是作為固件而被置 于一儲存系統(tǒng)（例如一可移式存儲器卡）中。這種固件可移除對更高階的文件系統(tǒng)的修改 需求，藉以完成與舊有系統(tǒng)兼容的儲存系統(tǒng)，并同時享有本發(fā)明中的改良。在其他實施例 中，存儲器技術裝置檔案140是被并入快閃轉換層125及/或原生性文件系統(tǒng)130中。 [0099] 圖2顯示多個分頁的一擦除區(qū)塊，其被映射至一個分為多個分頁組的擦除區(qū)塊。
[0100] 三維/二維存儲器陣列中的一擦除區(qū)塊210包括存儲器頁（分頁0、分頁1、分頁 2、分頁3、…、分頁N)。擦除區(qū)塊的存儲器頁是邏輯地被映像成不同分頁組的多個子區(qū)塊。 圖中所示為具有實體上不相鄰的分頁的分頁組1的子區(qū)塊1212,以及具有實體上不相鄰的 分頁的分頁組2的子區(qū)塊2214。分頁組1的分頁（例如分頁1、分頁3、分頁4、分頁6等） 在三維存儲器陣列中是實體上彼此不相鄰。分頁組2的分頁（例如分頁0、分頁2、分頁5、 分頁7等）在三維存儲器陣列中實體上彼此不相鄰。實體上不相鄰意味著，沿著X軸、y軸 及z軸被配置在三維存儲器陣列中的分頁并未沿著X軸或y軸或z軸之任一而直接彼此鄰 接。實體上不相鄰并未排除沿著X軸、y軸及z軸被配置在三維存儲器陣列中的分頁是接 近對角線的配置，以使同一分頁組中的任何兩個分頁的位置在X軸、y軸及z軸的任兩者之 間相差1。因為相同群組中的分頁相對于彼此實體上是不相鄰的，故一分頁組中的任何分頁 上的一編程操作所導致對于相同分頁組中的任何其他分頁的編程干擾為最小或無。
[0101] 雖然此圖僅顯示兩個子區(qū)塊，但其他實施例可將一擦除區(qū)塊分成兩個以上的子區(qū) 塊，每個子區(qū)塊包括一分頁組的分頁，其在三維存儲器陣列中是實體上彼此不相鄰。
[0102] 圖3顯示在與一字線平行的一種三維存儲器陣列300中的一存儲器頁的配置。
[0103] 在所示的NAND陣列300中，一分頁中多串的實體上鄰近的存儲單元是被配置成： 使一分頁包括在此陣列的一相同存儲單元層中的存儲單元由相同字線以及不同位線所存 取。不同的子區(qū)塊（例如圖2所示的子區(qū)塊）的每一者是被配置在圖3中的棋盤圖案。
[0104] 舉例而言，分頁0中的存儲單元是在相同的存儲單元層中被字線0所存取，且是被 不同的位線（未顯示，延伸進入并伸出此圖）所存取。
[0105] 由于下述原因的至少一者，一分頁組的任兩個分頁是實體上互不相鄰：
[0106] (i)至少一中介（intervening)字線位在兩個分頁（例如被字線1隔開的分頁1 及分頁9)之間，
[0107] (ii)至少一中介存儲單元層位在兩個分頁（例如被包括分頁2的存儲單元層隔開 的分頁1及分頁3)之間，以及
[0108] (iii)此兩個分頁被安置在不同的存儲單元層中且被不同的字線所存?。ɡ绶?頁1及分頁4,其中分頁1位在比分頁4下一個更高的存儲單元層中，且分頁1及分頁4分 別被字線〇及字線1所存?。?br>
[0109] 圖4顯示三維存儲器陣列400中存儲器頁的配置，其延伸穿過NAND串的多層。
[0110] 在所示的NAND陣列400中，一分頁中多串的實體上鄰近的存儲單元是被配置成： 使一分頁包括在此陣列的不同層中的存儲單元由一相同字線所存取。不同的子區(qū)塊（例如 圖2所示的子區(qū)塊）的每一者是配置在圖4中的棋盤圖案。
[0111] 舉例而言，分頁〇中的存儲單元是在此陣列的不同層中被字線〇所存取。
[0112] 由于下述原因的至少一者，一分頁組的任何兩個分頁是實體上互不相鄰：
[0113] (i)至少一中介字線位在兩個分頁（例如被字線1隔開的分頁1及分頁9)之間，
[0114] (ii)至少一中介存儲器串疊層位在兩個分頁（例如被包括分頁2、分頁6、分頁 10、分頁M-1的存儲器串疊層隔開的分頁1及分頁3)之間，以及
[0115] (iii)此兩個分頁不共享存儲器串且被不同的字線所存?。ɡ绶猪?及分頁4， 其中分頁1及分頁4位在不同的鄰近的存儲器串疊層中；且分頁1及分頁4分別被字線0 及字線1所存?。?。分頁1共享具有分頁5、分頁9以及分頁M-2的相同的存儲器串疊層。 分頁4共享具有分頁0、分頁8以及分頁M-3的相同的存儲器串疊層。
[0116] 圖5顯示在沿著一 NAND串運行的一種三維存儲器陣列500中的一存儲器頁的配 置。
[0117] 在所示的NAND陣列500中，一分頁中多串的實體上鄰近的存儲單元是被配置成： 使一分頁包括在此陣列的一相同層中的存儲單元由不同的字線所存取。不同的子區(qū)塊（例 如圖2所示之子區(qū)塊）的每一者被配置在圖5中的棋盤圖案。
[0118] 舉例而言，分頁0中的存儲單元是位在此陣列的一相同層中，被字線0所存取。
[0119] 由于下述原因的至少一者，一分頁組的任伺兩個分頁是實體上互不相鄰：
[0120] (i)至少一中介存儲單元層位在兩個分頁（例如被包括分頁5的一中介存儲單元 層隔開的分頁1及分頁9)之間，
[0121] (ii)至少一中介存儲器串疊層位在兩個分頁（例如被包括分頁2、分頁6、分頁10 及分頁14的存儲器串疊層隔開的分頁1及分頁3)之間，以及
[0122] (iii)此兩個分頁，被安置在不同的存儲單元層中且被安置在不同的存儲器串疊 層中（例如分頁1及分頁4,其中分頁1位在比分頁4下一個更低的存儲單元層中，且分頁 1及分頁4位在不同的鄰近的存儲器串疊層中）。分頁1共享具有分頁5、分頁9及分頁13 的相同的存儲器串疊層。分頁4共享具有分頁0、分頁8及分頁12的相同的存儲器串疊層。
[0123] 圖6顯示一個空閑（free)的NAND擦除區(qū)塊610,使得擦除區(qū)塊的所有子區(qū)塊皆是 空閑的。
[0124] NAND擦除區(qū)塊610包括子區(qū)塊1612及子區(qū)塊2614。子區(qū)塊1612具有實體上不 相鄰的分頁的分頁組1。子區(qū)塊2614具有實體上不相鄰的分頁的分頁組2。NAND擦除區(qū)塊 610是空閑的，因為子區(qū)塊1612具有只有空閑頁的分頁組1，且子區(qū)塊2614具有只有空閑 頁的分頁組2。
[0125] 圖7-圖8顯示一個半空閑（semi-free)的NAND擦除區(qū)塊，使得至少一子區(qū)塊為 無效，而剩下的子區(qū)塊是空閑的。
[0126] 在圖7中，NAND擦除區(qū)塊710包括子區(qū)塊1712及子區(qū)塊2714。子區(qū)塊1712具有 實體上不相鄰的分頁的分頁組1。子區(qū)塊2714具有實體上不相鄰的分頁的分頁組2。NAND 擦除區(qū)塊710是半空閑的，因為至少一子區(qū)塊只包括空閑頁，且至少一子區(qū)塊只包括無效 頁。子區(qū)塊1712具有只有無效頁的分頁組1，而子區(qū)塊2714具有只有空閑頁的分頁組2。
[0127] 在圖8中，NAND擦除區(qū)塊810包括子區(qū)塊1812及子區(qū)塊2814。除了具有無效頁 的子區(qū)塊與具有空閑頁的子區(qū)塊被互換以外，圖8是類似于圖7。
[0128] 圖9-圖12顯示一個在使用中的NAND擦除區(qū)塊，使得這些子區(qū)塊的至少一者是在 使用中（在這些情況下是子區(qū)塊1)，而其他子區(qū)塊是空閑及/或無效的（在這些情況下是 子區(qū)塊2)。
[0129] 在圖9中，NAND擦除區(qū)塊910包括子區(qū)塊1912及子區(qū)塊2914。子區(qū)塊1912具有 實體上不相鄰的分頁的分頁組1。子區(qū)塊2914具有實體上不相鄰的分頁的分頁組2。NAND 擦除區(qū)塊910是在使用中，因為至少一子區(qū)塊包括一有效頁。子區(qū)塊1912具有有效及無效 頁的分頁組1，而子區(qū)塊2914具有只有空閑頁的分頁組2。
[0130] 在圖10中，NAND擦除區(qū)塊1010包括子區(qū)塊11012及子區(qū)塊21014。除了在使用 中的子區(qū)塊1的各個數(shù)目的有效及無效頁是不同的以外，圖10是類似于圖9。
[0131] 圖9及圖10與圖11及圖12不同之處至少在于：圖9及圖10中非在使用中的子 區(qū)塊（于此情況下，為子區(qū)塊2)為空閑，而在圖11及圖12中是無效的。
[0132] 在圖11中，NAND擦除區(qū)塊1110包括子區(qū)塊11112及子區(qū)塊21114。子區(qū)塊11112 具有實體上不相鄰的分頁的分頁組1。子區(qū)塊21114具有實體上不相鄰的分頁的分頁組2。 NAND擦除區(qū)塊1110是在使用中，這是因為至少一子區(qū)塊包括一有效頁。子區(qū)塊11112具有 有效及空閑頁的分頁組1，而子區(qū)塊21114具有只有無效頁的分頁組2。
[0133] 在圖12中，NAND擦除區(qū)塊1210包括子區(qū)塊11212及子區(qū)塊21214。圖12是類似 于圖10,除了在使用中的子區(qū)塊1的有效及無效頁的位置是不同的，且不在使用中的子區(qū) 塊（于此情況下，子區(qū)塊2)在圖10中是空閑的，而在圖12中是無效的。
[0134] 圖13-圖16顯示一個在使用中的NAND擦除區(qū)塊，以使這些子區(qū)塊的至少一者是 在使用中（在這些情況下是子區(qū)塊2)，而其他子區(qū)塊是空閑及/或無效的（在這些情況下 是子區(qū)塊1)。不像圖9-圖12,一個不同的子區(qū)塊是在使用中。
[0135] 在圖13中，NAND擦除區(qū)塊1310包括子區(qū)塊11312及子區(qū)塊21314。在圖14中， NAND擦除區(qū)塊1410包括子區(qū)塊11412及子區(qū)塊21414。在圖15中，NAND擦除區(qū)塊1510包 括子區(qū)塊11512及子區(qū)塊21514。在圖16中，NAND擦除區(qū)塊1610包括子區(qū)塊11612及子 區(qū)塊21614。除了在使用中的子區(qū)塊與非使用中的子區(qū)塊被互換以外，圖13-圖16是分別 類似于圖9-圖12。
[0136] 圖17顯示一擦除區(qū)塊的簡化的壽命周期。
[0137] 關于圖17的概要，壽命周期依下述順序進行：空閑的擦除區(qū)塊（子區(qū)塊1及2空 閑）1710 ;使用中的擦除區(qū)塊（子區(qū)塊1在使用中、子區(qū)塊2空閑）1720 ;半空閑的擦除區(qū)塊 (子區(qū)塊1無效、子區(qū)塊2空閑）1730 ;使用中的擦除區(qū)塊（子區(qū)塊1無效、子區(qū)塊2在使用 中）1740 ;以及回到空閑的擦除區(qū)塊（子區(qū)塊1及2空閑）1710。
[0138] 圖17的更詳細的討論如下。
[0139] 空閑的NAND擦除區(qū)塊1710包括子區(qū)塊11712及子區(qū)塊21714。子區(qū)塊11712具 有實體上不相鄰的分頁的分頁組1。子區(qū)塊21714具有實體上不相鄰的分頁的分頁組2。 NAND擦除區(qū)塊1710是空閑的，這是因為所有子區(qū)塊只包括空閑頁。子區(qū)塊11712具有只有 空閑頁的分頁組1，而子區(qū)塊21714具有只有空閑頁的分頁組2。
[0140] 在1750中，分配子區(qū)塊1?？臻e的NAND擦除區(qū)塊1710變成使用中的NAND擦除區(qū) 塊 1720。
[0141] 使用中的NAND擦除區(qū)塊1720包括子區(qū)塊11722及子區(qū)塊21724。NAND擦除區(qū)塊 1720是在使用中，這是因為至少一子區(qū)塊包括一有效頁。子區(qū)塊11722已被分配并包括至 少1有效頁。子區(qū)塊21724仍然具有只有空閑頁的分頁組2。
[0142] 在1760中，子區(qū)塊1虛擬地被擦除。使用中的擦除區(qū)塊1720變成半空閑的擦除 區(qū)塊1730。由于虛擬擦除，子區(qū)塊1具有一無效狀態(tài)，此無效狀態(tài)是指示（i)子區(qū)塊1中的 分頁的延遲擦除以及（ii)子區(qū)塊1中的分頁對于讀取及寫入存儲器操作的無法使用，直到 至少子區(qū)塊1中的分頁的延遲擦除為止。
[0143] 半空閑的NAND擦除區(qū)塊1730包括子區(qū)塊11732及子區(qū)塊21734。NAND擦除區(qū) 塊1730是半空閑的，這是因為至少一子區(qū)塊是無效的，而剩下的子區(qū)塊是空閑的。子區(qū)塊 11732具有只有無效頁的分頁組1，而子區(qū)塊21734具有只有空閑頁的分頁組2。
[0144] 在1770中，分配子區(qū)塊2。半空閑的NAND擦除區(qū)塊1730變成使用中的NAND擦除 區(qū)塊1740。
[0145] 使用中的NAND擦除區(qū)塊1740包括子區(qū)塊11742及子區(qū)塊21744。NAND擦除區(qū)塊 1740是在使用中，這是因為至少一子區(qū)塊包括一有效頁。子區(qū)塊11742是無效的。子區(qū)塊 21744已被分配并包括至少1有效頁。
[0146] 在1780中，子區(qū)塊1及2實體上被擦除，包括一直無效的子區(qū)塊1的延遲擦除。使 用中的NAND擦除區(qū)塊1740回復至空閑的NAND擦除區(qū)塊1710。
[0147] 圖18顯示一擦除區(qū)塊的簡化的壽命周期；不像圖17,使用中的子區(qū)塊的不同的順 序如下：在子區(qū)塊1被分配成具有有效頁之前，首先將子區(qū)塊2分配成具有有效頁。在將子 區(qū)塊2分配成具有有效頁之后，子區(qū)塊2虛擬地被擦除成為無效頁且子區(qū)塊1是被分配成 具有有效頁。
[0148] 關于圖18的概要，壽命周期依下述順序進行：空閑的擦除區(qū)塊（子區(qū)塊1及2空 閑）1810 ;分配子區(qū)塊21850 ;使用中的擦除區(qū)塊（子區(qū)塊1空閑、子區(qū)塊2在使用中）1820 ; 虛擬擦除子區(qū)塊21860 ;半空閑的擦除區(qū)塊（子區(qū)塊1空閑、子區(qū)塊2無效）1830 ;分配子區(qū) 塊11870 ;使用中的擦除區(qū)塊（子區(qū)塊1在使用中、子區(qū)塊2無效）1840 ;實體擦除子區(qū)塊1 及21880 ;以及回到空閑的擦除區(qū)塊（子區(qū)塊1及2空閑）1810。
[0149] 在圖17及圖18所示的周期中，通常，同一區(qū)塊中的兩個子區(qū)塊并不會同時在使用 中。然而，在圖17中，如果使用所有子區(qū)塊1，則響應于一分配新區(qū)塊的要求，子區(qū)塊2可被 選擇并分配作為此新區(qū)塊。同樣地，在圖18中，如果使用所有子區(qū)塊2,則為響應于一分配 新區(qū)塊的要求，子區(qū)塊1可被選擇并分配作為此新區(qū)塊。
[0150] 圖19是計算機系統(tǒng)1910的方塊圖，其可包括圖1所示的一擦除區(qū)塊及子區(qū)塊管 理模塊。
[0151] 計算機系統(tǒng)1910 -般包括一處理器子系統(tǒng)1914,其經(jīng)由總線子系統(tǒng)1912而與一 些周邊裝置溝通。這些周邊裝置可包括一儲存子系統(tǒng)1924(其包括一存儲器子系統(tǒng)1926 及一檔案儲存子系統(tǒng)1928)、用戶接口輸入設備1922、用戶接口輸出裝置1920以及一網(wǎng)絡 接口子系統(tǒng)1916。輸入及輸出裝置允許用戶與計算機系統(tǒng)1910進行互動。網(wǎng)絡接口子系 統(tǒng)1916提供一接口至外部網(wǎng)絡（包括一接口至通訊網(wǎng)絡1918)，并經(jīng)由通訊網(wǎng)絡1918耦 接至其他計算機系統(tǒng)中的對應的接口裝置。通訊網(wǎng)絡1918可包括許多互連的計算機系統(tǒng) 及通信鏈接（link)。這些通信鏈接可能是有線鏈接、光學鏈接、無線鏈接，或任何其他關于 信息的通訊機制，但一般其為一種IP地址對應（IP-based)的通訊網(wǎng)絡。雖然在一實施例 中，通訊網(wǎng)絡1918為因特網(wǎng)（Internet)，但在其他實施例中，通訊網(wǎng)絡1918可以是任何適 當?shù)挠嬎銠C網(wǎng)絡。
[0152] 網(wǎng)絡接口的實體硬件元件有時被稱為網(wǎng)絡適配器（Network Interface Cards, NIC)，雖然它們不需以卡的型式存在：例如，它們可以是集成電路（1C)與連接器的形式，直 接地安設在主板之上，或者是巨型胞（macrocell)的型式，制作在具有計算機系統(tǒng)的其他 元件的單一集成電路芯片上。
[0153] 用戶接口輸入設備1922可包括一鍵盤、指向裝置（例如一鼠標、軌跡球、觸摸板 或繪圖板）、一掃描儀、一并入顯示器的觸控屏幕、音頻輸入設備（例如語音識別系統(tǒng)、麥克 風）以及其他型式的輸入設備。一般而言，用語"輸入設備"的使用是意圖包括將信息輸 入至計算機系統(tǒng)1910中或至計算機網(wǎng)絡1918上的所有可能型式的裝置及方法。
[0154] 用戶接口輸出裝置1920可包括一顯示子系統(tǒng)、一打印機、一傳真機或非視覺顯示 器（例如音頻輸出裝置）。顯示子系統(tǒng)可包括一陰極射線管（CRT)、例如為一液晶顯示器 (IXD)的一平板裝置、一投影裝置或用以產(chǎn)生一可見影像的某些其他機制。顯示子系統(tǒng)亦可 提供非視覺顯示器，例如經(jīng)由音頻輸出裝置。一般而言，用語"輸出裝置"的使用是意圖包 括將信息從計算機系統(tǒng)1910輸出至用戶或至另一個機器或計算機系統(tǒng)的所有可能型式的 裝置及方法。
[0155] 儲存子系統(tǒng)1924儲存基本程序及數(shù)據(jù)構成，其提供本發(fā)明的某些實施例的功能。 舉例而言，實施本發(fā)明的某些實施例的功能的各種模塊可儲存于儲存子系統(tǒng)1924中。舉例 而言，實施上述技術的擦除區(qū)塊及子區(qū)塊管理模塊可被儲存于儲存子系統(tǒng)1924中。這些軟 件模塊通常是通過處理器子系統(tǒng)1914而執(zhí)行。
[0156] 存儲器子系統(tǒng)1926 -般包括一些存儲器，包括用于在程序執(zhí)行期間儲存指 令及數(shù)據(jù)的主要隨機存取存儲器（RAM) 1930,以及儲存固定指令于其中的只讀存儲器 (ROM) 1932。存儲器子系統(tǒng)1926亦可包括一閃存1931。檔案儲存子系統(tǒng)1928為程序及數(shù) 據(jù)文件提供持久儲存，并可包括一硬式磁盤驅動器、伴隨相關的可移式媒體的軟式磁盤驅 動器、一⑶ROM光驅、一光驅或可移式媒體盒（media cartridge)。實施本發(fā)明的某些實施 例的功能的數(shù)據(jù)庫及模塊，可已被設置于一計算機可讀取媒體（例如一個或多個CD-ROM) 上，且可由檔案儲存子系統(tǒng)1928所儲存。除此之外，主機存儲器子系統(tǒng)1926包括計算機指 令，當其由處理器子系統(tǒng)1914執(zhí)行時，是使計算機系統(tǒng)操作或執(zhí)行所述的功能。如同此處 所使用的，敘述成在"主機"或"計算機"中或在其上執(zhí)行的程序及軟件，是在處理器子 系統(tǒng)1914上執(zhí)行，以響應于主機存儲器子系統(tǒng)1926 (包括任何其他這種指令及數(shù)據(jù)的本地 或遠程儲存區(qū)）中的計算機指令及數(shù)據(jù)。
[0157] 總線子系統(tǒng)1912提供一種用于讓計算機系統(tǒng)1910的各種元件及子系統(tǒng)如預期地 彼此通訊的機制。雖然總線子系統(tǒng)1912是概要地顯示為單一總線，但總線子系統(tǒng)的替代實 施例可使用多個總線。
[0158] 計算機系統(tǒng)1910本身可以是各種型式，包括一個人計算機、一便攜計算機、一工 作站、一計算機終端機、一網(wǎng)絡計算機、一電視機、一大型計算機（mainframe)、一服務器群 (server farm)或任何其他數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)或用戶裝置。由于計算機及網(wǎng)絡的不斷變化的特 性，圖19中所繪示的計算機系統(tǒng)1910的說明只是為了說明本發(fā)明的較佳實施例的目的，而 作為一特定例子。計算機系統(tǒng)1910的很多其他的組態(tài)可能具有比在圖19中所繪示的計算 機系統(tǒng)更多或更少的元件。
[0159] 雖然本發(fā)明是參考上述的較佳實施例及例子而揭露，但吾人應理解到這些例子是 意圖呈現(xiàn)一種說明而非限制的意義。吾人考慮到熟習本項技藝者將輕易地想到多種修改及 組合，這些修改及組合將落在本發(fā)明的精神及隨附權利要求范圍的范疇之內(nèi)。
【權利要求】
1. 一種NAND陣列的操作方法，該NAND陣列包括多個分頁，其中該NAND陣列的這些分 頁被分為多個分頁組，包括以下步驟： 允許對該NAND陣列的一擦除區(qū)塊中的多個分頁組的一第一分頁組內(nèi)的多個存儲單元 作存取，但使在該NAND陣列的該擦除區(qū)塊中的這些分頁組的一第二分頁組之內(nèi)的多個存 儲單元的存取最少化（minimizing); 其中該分頁組中的多個分頁在該NAND陣列中彼此不相鄰。
2. 根據(jù)權利要求1所述的方法， 其中該允許存取的步驟包括：允許對于在該NAND陣列的該擦除區(qū)塊中的這些分頁組 的該第一分頁組之內(nèi)的多個存儲單元的編程操作，且 其中該存取最少化的步驟包括：使對于在該NAND陣列的該擦除區(qū)塊中的這些分頁組 的該第二分頁組之內(nèi)的多個存儲單元的編程操作最少化。
3. 根據(jù)權利要求1所述的方法， 其中該允許存取的步驟包括：允許對于在該NAND陣列的該擦除區(qū)塊中的這些分頁組 的該第一分頁組之內(nèi)的多個存儲單元的讀取操作，且 其中該存取最少化的步驟包括，使在該NAND陣列的該擦除區(qū)塊中的這些分頁組的該 第二分頁組之內(nèi)的多個存儲單元的讀取操作最少化。
4. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中：用于一分頁組的一擦除指令是導致具有一無效 狀態(tài)的該分頁組，該無效狀態(tài)是指示（i)該分頁組的延遲擦除以及（ii)該分頁組的這些分 頁對于讀取及寫入存儲器操作的無法使用，直到該分頁的至少該延遲擦除為止。
5. 根據(jù)權利要求4所述的方法，其中當該第一分頁組與該第二分頁組兩者已接收到該 擦除指令時，包括該第一分頁組與該第二分頁組的該擦除區(qū)塊是被擦除，且對于所有這些 分頁組的該無效狀態(tài)是被移除。
6. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中該第一分頁組及該第二分頁組具有相對于彼此偏 移的棋盤圖案。
7. 根據(jù)權利要求1所述的方法，其中這些分頁中的分頁包括在該NAND陣列中多串的鄰 近的存儲單元。
8. 根據(jù)權利要求7所述的方法， 其中該多串的鄰近的存儲單元是被配置成：使這些分頁中的一分頁包括在該NAND陣 列的一相同存儲單元層中的多個存儲單元，被一相同字線所存取，并被不同的位線所存取， 其中這些分頁組的該第一個分頁組的任何兩個分頁互不相鄰，起因于 (i) 至少一中介字線位在該兩個分頁之間， (ii) 至少一中介存儲單元層位在該兩個分頁之間，以及 (iii) 該兩個分頁被安置在不同的存儲單元層中且被不同的字線所存取至少其中之 〇
9. 根據(jù)權利要求7所述的方法， 其中該多串的鄰近的存儲單元是被配置成：使這些分頁中的一分頁包括在該NAND陣 列的不同層中的多串的存儲單元，被一相同字線所存取， 其中這些分頁組的該第一個分頁組的任何兩個分頁互不相鄰，起因于 (i)至少一中介字線位在該兩個分頁之間， (ii) 至少一中介存儲器串疊層位在該兩個分頁之間，以及 (iii) 該兩個分頁共享無存儲器串并被不同字線所存取至少其中之一。
10. 根據(jù)權利要求7所述的方法， 其中該多串的鄰近的存儲單元是被配置成：使這些分頁中的一分頁包括在該NAND陣 列的一相同層中的多個存儲單元，被不同字線所存取， 其中這些分頁組的該第一個分頁組的任何兩個分頁互不相鄰，起因于 (i) 至少一中介存儲單元層位在該兩個分頁之間， (ii) 至少一中介存儲器串疊層位在該兩個分頁之間，以及 (iii) 該兩個分頁被安置在不同的存儲單元層中并被安置在不同的存儲器串疊層中至 少其中之一。
11. 一種計算機可讀取的非暫時性（non-transitory)儲存媒體，其實施對于包括多個 分頁的一 NAND陣列的多個指令，其中該NAND陣列被分為多個分頁組，這些指令在被執(zhí)行時 進行： 允許存取在該NAND陣列的一擦除區(qū)塊中的多個分頁組的一第一分頁組之內(nèi)的多個存 儲單元，但使在該NAND陣列的該擦除區(qū)塊中的這些分頁組的一第二分頁組之內(nèi)的多個存 儲單元的存取最少化， 其中該分頁組中的多個分頁在該NAND陣列中彼此不相鄰。
12. 根據(jù)權利要求11所述的計算機可讀取的非暫時性儲存媒體， 其中該允許存取的步驟包括：允許對于在該三維NAND陣列的該擦除區(qū)塊中的這些分 頁組的該第一分頁組之內(nèi)的多個存儲單元的編程操作，且 其中該存取最少化的步驟包括：不允許對于在該三維NAND陣列的該擦除區(qū)塊中的這 些分頁組的該第二分頁組之內(nèi)的多個存儲單元的編程操作。
13. 根據(jù)權利要求11所述的計算機可讀取的非暫時性儲存媒體， 其中該允許存取的步驟包括：允許對于在該三維NAND陣列的該擦除區(qū)塊中的這些分 頁組的該第一分頁組之內(nèi)的多個存儲單元的讀取操作，且 其中該存取最少化的步驟包括：不允許對于在該三維NAND陣列的該擦除區(qū)塊中的這 些分頁組的該第二分頁組之內(nèi)的多個存儲單元的讀取操作。
14. 根據(jù)權利要求11所述的計算機可讀取的非暫時性儲存媒體， 其中用于一分頁組的一擦除指令是導致具有一無效狀態(tài)的該分頁組，該無效狀態(tài)是指 示（i)該分頁組的延遲擦除以及（ii)該分頁組的這些分頁對于讀取及寫入存儲器操作的 無法使用，直到該分頁的至少該延遲擦除為止。
15. 根據(jù)權利要求14所述的計算機可讀取的非暫時性儲存媒體， 其中，當該第一分頁組與該第二分頁組兩者已接收到該擦除指令時，包括該第一分頁 組與該第二分頁組的該擦除區(qū)塊被擦除，且對于所有這些分頁組的該無效狀態(tài)是被移除。
16. 根據(jù)權利要求11所述的計算機可讀取的非暫時性儲存媒體，其中該第一分頁組及 該第二分頁組具有相對于彼此偏移的棋盤圖案。
17. 根據(jù)權利要求11所述的計算機可讀取的非暫時性儲存媒體，其中這些分頁中的分 頁包括在該NAND陣列中多串的鄰近的存儲單元。
18. 根據(jù)權利要求17所述的計算機可讀取的非暫時性儲存媒體， 其中該多串的鄰近的存儲單元是被配置成：使這些分頁中的一分頁包括在該NAND陣 列的一相同存儲單元層中的多個存儲單元，被一相同字線所存取，并被不同的位線所存取， 其中這些分頁組的該第一個分頁組的任何兩個分頁互不相鄰，起因于 (i) 至少一中介字線位在該兩個分頁之間， (ii) 至少一中介存儲單元層位在該兩個分頁之間，以及 (iii) 該兩個分頁被安置在不同的存儲單元層中且被不同的字線所存取至少其中之 〇
19. 根據(jù)權利要求17所述的計算機可讀取的非暫時性儲存媒體， 其中多串的鄰近的存儲單元是被配置成：使這些分頁中的一分頁包括在該NAND陣列 的不同層中的多個存儲單元，被一相同字線所存取， 其中這些分頁組的該第一個分頁組的任何兩個分頁互不相鄰，起因于 (i) 至少一中介字線位在該兩個分頁之間， (ii) 至少一中介存儲器串疊層位在該兩個分頁之間，以及 (iii) 該兩個分頁共享無存儲器串并被不同字線所存取至少其中之一。
20. 根據(jù)權利要求17所述的計算機可讀取的非暫時性儲存媒體， 其中多串的鄰近的存儲單元是被配置成：使這些分頁中的一分頁包括在該NAND陣列 的一相同層中的多個存儲單元，被不同字線所存取， 其中這些分頁組的該第一個分頁組的任伺兩個分頁互不相鄰，起因于： (i) 至少一中介存儲單元層位在該兩個分頁之間， (ii) 至少一中介存儲器串疊層位在該兩個分頁之間，以及 (iii) 該兩個分頁被安置在不同的存儲單元層中并被安置在不同的存儲器串疊層中至 少其中之一。
21. -種計算裝置，包括： 一處理器； 一 NAND陣列，包括多個分頁，其中該NAND陣列的這些分頁被分為多個分頁組；以及 控制電路，耦接至該處理器與該NAND陣列的至少一個，該控制電路允許存取在該NAND 陣列的一擦除區(qū)塊中的多個分頁組的一第一分頁組之內(nèi)的多個存儲單元，但使存取在該 NAND陣列的該擦除區(qū)塊中的這些分頁組的一第二分頁組之內(nèi)的多個存儲單元的存取最少 化， 其中多個虛擬擦除區(qū)塊中的虛擬擦除區(qū)塊是被映像成這些分頁組的其中之一，這些分 頁組中的分頁組包括來自在該NAND陣列中相互彼此不相鄰的這些分頁中的分頁，以及 其中這些分頁組中的分頁在該NAND陣列中彼此不相鄰。
【文檔編號】G11C16/04GK104103309SQ201410145612
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年4月11日 優(yōu)先權日:2013年4月15日
【發(fā)明者】張育銘, 李永駿, 盧星辰, 李祥邦, 王成淵, 張原豪, 郭大維 申請人:旺宏電子股份有限公司