包含用于放大讀取信號(hào)的ac耦合感測(cè)放大器的磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路的制作方法
【專利摘要】本申請(qǐng)公開(kāi)一種磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路，其包含用于生成讀取信號(hào)的讀取元件以及感測(cè)放大器，該感測(cè)放大器包含通過(guò)第一電容器耦合至該讀取元件的輸入終端和通過(guò)第二電容器耦合至傳輸線的輸出終端，其中該感測(cè)放大器用于放大該讀取信號(hào)。
【專利說(shuō)明】包含用于放大讀取信號(hào)的AC耦合感測(cè)放大器的磁盤驅(qū)動(dòng) 器讀取電路

【背景技術(shù)】
[0001] 磁盤驅(qū)動(dòng)器包含磁盤和連接到致動(dòng)器臂遠(yuǎn)端的磁頭，該致動(dòng)器臂圍繞樞軸由音圈 馬達(dá)（VCM)旋轉(zhuǎn)，以在磁盤上方徑向地定位該磁頭。該磁盤包含多個(gè)徑向間隔開(kāi)的同心磁 道，用于記錄用戶數(shù)據(jù)扇區(qū)和嵌入式伺服扇區(qū)。嵌入式伺服扇區(qū)包含磁頭定位信息（例如 磁道地址），該磁頭定位信息由磁頭讀取并由伺服控制器處理，以在其逐磁道搜尋磁道時(shí)控 制致動(dòng)器臂。
[0002] 多個(gè)磁頭通常制造于晶片（例如鋁鈦碳化物（ALTiC)晶片）的襯底上，然后晶片 被切割以形成滑塊。每個(gè)滑塊通過(guò)將滑塊朝磁盤表面偏置的懸置件耦合于致動(dòng)臂之一。該 滑塊包含空氣軸承表面（ABS)，其中隨著磁盤旋轉(zhuǎn)，在滑塊和磁盤之間形成抵消懸置件的偏 置力的空氣軸承。因此，在寫/讀操作期間，磁頭實(shí)質(zhì)上剛好在磁盤表面上方飛行。通常通 過(guò)調(diào)制磁頭的感應(yīng)線圈中的寫電流將數(shù)據(jù)寫入磁盤，以在被稱為飽和記錄的過(guò)程中將磁轉(zhuǎn) 變記錄至磁盤表面。在讀回期間，通過(guò)磁頭的讀取元件（例如磁阻元件）以及通過(guò)合適的 讀取通道解調(diào)得到的讀取信號(hào)來(lái)感測(cè)這些磁轉(zhuǎn)變。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0003] 圖1A示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其包含在磁盤上方被致動(dòng)的滑塊以及 安裝在致動(dòng)器臂上的前置放大器，其中該滑塊包含可操作以生成讀取信號(hào)的讀取元件。
[0004] 圖1B示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例用于將滑塊連接到前置放大器的互連。
[0005] 圖1C示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的包含感測(cè)放大器的磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路，該感測(cè)放 大器具有通過(guò)第一電容器耦合至讀取元件的輸入終端以及通過(guò)第二電容器耦合至傳輸線 的輸出終端，其中該感測(cè)放大器用于放大該讀取信號(hào)。
[0006] 圖2示出磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路的一個(gè)實(shí)施例，其中該傳輸線提供偏置信號(hào)至讀取 元件并且對(duì)感測(cè)放大器供電。
[0007] 圖3示出磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路的一個(gè)實(shí)施例，其中該感測(cè)放大器包含AC耦合的發(fā) 射極跟隨器。
[0008] 圖4A-4C示出一個(gè)實(shí)施例，其中至少部分的磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路焊接至該滑塊。
[0009] 圖5為根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的流程圖，其中該讀取元件制造于第一晶片的襯底上，且 該感測(cè)放大器在切割第一晶片之前耦合于讀取元件。
[0010] 圖6為根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的流程圖，其中滑塊和磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路的電阻器和/ 或電容器的至少之一制造于第一晶片上，且該感測(cè)放大器的晶體管制造于第二晶片上。 [0011] 圖7示出一個(gè)實(shí)施例，其中該感測(cè)放大器通過(guò)第一柔性電路被AC耦合于滑塊，并 且該感測(cè)放大器通過(guò)第二柔性電路被AC耦合于前置放大器。
[0012] 圖8示出一個(gè)實(shí)施例，其中該感測(cè)放大器包含AC耦合的差分放大器。

【具體實(shí)施方式】
[0013] 圖1C示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路，其包含用于生成讀取信號(hào)4的 讀取元件2以及感測(cè)放大器6,該感測(cè)放大器包含通過(guò)第一電容器10A耦合至讀取元件2的 輸入終端8和通過(guò)第二電容器10B耦合至傳輸線14的輸出終端12,其中感測(cè)放大器6用于 放大讀取信號(hào)4。
[0014] 圖1A示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的磁盤驅(qū)動(dòng)器，其包含圖1C的磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路，其 中包含讀取元件2的滑塊16在磁盤18上方被致動(dòng)，以便讀取記錄在磁盤18上的數(shù)據(jù)?；?塊16通過(guò)懸置件22耦合于致動(dòng)器臂20,其中由音圈馬達(dá)（VCM) 24相對(duì)于樞軸旋轉(zhuǎn)致動(dòng)器 臂20以在磁盤18上方徑向地致動(dòng)滑塊16?；瑝K16通過(guò)互連28耦合于前置放大器26,如 圖1B的實(shí)施例所示，其中互連28包含傳輸線14。在一個(gè)實(shí)施例中，傳輸線14包含柔性電 路的跡線，并且在下文公開(kāi)的一個(gè)實(shí)施例中，磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路通過(guò)柔性電路將滑塊16 奉禹合于前置放大器26。
[0015] 滑塊16可以利用任何合適的讀取元件2制造，如磁阻（MR)元件，其在受到源于記 錄在磁盤18上的磁轉(zhuǎn)變的磁場(chǎng)時(shí)表現(xiàn)出變化的阻值。MR元件通常利用偏置電流來(lái)偏置，以 使讀取信號(hào)4表示為由于磁盤18的磁場(chǎng)導(dǎo)致的MR元件兩端的電壓變化。
[0016] 某些讀取元件如某些MR元件可能表現(xiàn)出高阻值R，該高阻值R可能顯著高于柔性 電路和前置放大器26的輸入阻抗Z。R和Z之間的較大失配可能導(dǎo)致顯著的信噪比（SNR) 退化，因?yàn)榍爸梅糯笃?6的輸入端處的讀取信號(hào)電壓以標(biāo)度（scaling)因數(shù)ZAR+Z)降 低。在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)將感測(cè)放大器6緊密耦合于讀取元件2來(lái)基本避免該SNR退化， 例如通過(guò)將感測(cè)放大器6耦合于滑塊16、將感測(cè)放大器6與滑塊16集成或者將感測(cè)放大 器6集成到滑塊16附近的柔性電路中。在圖2示出的實(shí)施例中，感測(cè)放大器的輸入終端8 能夠以不大于2毫米的距離（通過(guò)第一電容器10A)耦合于讀取元件2,并且在另一實(shí)施例 中，以不大于4毫米的距離進(jìn)行耦合。在一個(gè)實(shí)施例中，感測(cè)放大器6具有高輸入阻抗（Zin >R)，其有助于避免由于標(biāo)度因數(shù)ZirV(R+Zin)造成的SNR損耗。此外，在一個(gè)實(shí)施例中， 感測(cè)放大器6具有低輸出阻抗Zout，以使得標(biāo)度因數(shù)ZfpAZfp+Zout)最小化，其中Zfp表 示柔性電路和前置放大器26的輸入阻抗。
[0017] 在一個(gè)實(shí)施例中，讀取信號(hào)4中的信息源自于AC分量而不是DC分量，并且因此 讀取信號(hào)4可以通過(guò)第一電容器10A被AC耦合到感測(cè)放大器的輸入終端8,并且輸出終端 12 (表示放大的讀取信號(hào)）可以通過(guò)第二電容器10B被AC耦合到傳輸線14。圖2示出磁 盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路的一個(gè)實(shí)施例，其中前置放大器26可以施加供電電壓至傳輸線14,以便 對(duì)感測(cè)放大器6供電。同樣在圖2的實(shí)施例中，供電電壓被施加至傳輸線14,以便向讀取兀 件2提供偏置信號(hào)（例如偏置電流）。因?yàn)槭┘又羵鬏斁€14的供電電壓是DC信號(hào)，其不會(huì) 使AC耦合的讀取信號(hào)中的信息失真。在圖3示出的實(shí)施例中，傳輸線14也可以被AC耦合 到前置放大器26,以便抵消在前置放大器26的輸入端處施加至傳輸線14的DC供電電壓。 對(duì)感測(cè)放大器6供電以及通過(guò)與讀取信號(hào)相同的傳輸線提供偏置信號(hào)至讀取元件2降低了 將磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路耦合于前置放大器26所需的傳輸線數(shù)量。
[0018] 圖3示出磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路的一個(gè)實(shí)施例，其中圖1C的感測(cè)放大器6包含AC 耦合的發(fā)射極跟隨器（ACEF)，該ACEF包括晶體管30,該晶體管具有通過(guò)第一電容器10A耦 合到讀取元件2的基極端32以及通過(guò)第二電容器10B耦合到傳輸線14的發(fā)射極端34。可 以采用任何合適的晶體管30,如具有單位（unity)電流增益頻率f t= 17GHz和電流增益為 130的NESG2101m05-ANPN晶體管，其中在一個(gè)實(shí)施例中，集電極面積能夠被縮減到原來(lái)的 1/20。此外，第二電容器10B可以被確定尺寸，以產(chǎn)生在20MHz下-3dB的高通（單極濾波 器）。圖3的實(shí)施例中的磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路采用+5V電源和-3V電源來(lái)方便使用NPN晶 體管30。在另一實(shí)施例，圖3示出的NPN晶體管30可以用PNP晶體管替換，其中+5V電源 可以改成-3V電源，而-3V電源被移除，從而降低磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路的功耗。
[0019] 在一個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)滑塊可以制造于第一晶片上，并且每個(gè)磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電 路的至少一部分可以制造于第二晶片上，其中讀取電路可以在切割第一晶片之前或之后焊 接至滑塊。圖4A-4C說(shuō)明一個(gè)實(shí)施例，其中滑塊16可以制造于包含讀/寫換能器34 (包括 讀取元件2)的組件的第一晶片上。至少部分的磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路36 (如在圖3示出）制 造于第二晶片上，并焊接至滑塊16的后沿。圖4A示出用于讀取信號(hào)的焊盤38A和38B以 及用于寫入信號(hào)的焊盤40A和40B，其制造于滑塊16上以便以傳統(tǒng)方式焊接至懸置件22。 圖4A還示出焊盤50A-50D，其用于將磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路36的組件焊接至滑塊16,從而將 磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路36的組件耦合至如圖3所示的讀取元件2。
[0020] 在一個(gè)實(shí)施例中，圖4B示出的磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路36的組件可以在在第一晶片 上制造滑塊16之后但在切割第一晶片之前焊接至滑塊16。以這種方式，磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電 路36的組件可以有助于保護(hù)讀取元件2免受由于制造工藝早期的靜電放電（ESD)造成的 損害。也就是說(shuō)，只要滑塊已被制造于第一晶片上，磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路36的組件就可提 供ESD保護(hù)，然而傳統(tǒng)ESD保護(hù)在切割第一晶片之后被施加至滑塊16,該過(guò)程本身就可能產(chǎn) 生破壞性的ESD。
[0021] 該實(shí)施例由圖5的流程圖示出，其中滑塊制造于第一晶片上，并且磁盤驅(qū)動(dòng)器讀 取電路的組件制造于第二晶片上。當(dāng)制造滑塊時(shí)，第一晶片被制備（框52)，然后寫/讀換 能器利用傳統(tǒng)技術(shù)來(lái)制造（框54)。然后焊料被沉積于焊盤上，包括磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路 的焊盤（框56)。當(dāng)制造磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路的組件時(shí)，第二晶片被制備（框58)，然后讀 取電路組件制造于第二晶片上（框60)。焊料被沉積于焊盤上（框62)，第二晶片被切割成 行（框64)，并且這些行被卡住以選取和放置膠帶（框66)。根據(jù)該實(shí)現(xiàn)方式，第一晶片可 以至少部分地與第二晶片同時(shí)被處理，或者第一晶片和第二晶片可以被串行處理。
[0022] 然后，讀取電路的行被選取并放置在第一晶片的滑塊上（框68)。然后以傳統(tǒng)方式 切割該第一晶片（框70)，例如通過(guò)將晶片切割成行、折疊這些行且然后將這些行切割成滑 塊。然后，如圖4A所示，滑塊16被焊接到懸置件22 (框72)。
[0023] 在一個(gè)實(shí)施例中，磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路的電阻器、電容器以及感測(cè)放大器可以制 造于第二晶片上并焊接到滑塊。在可替換的實(shí)施例中，磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路的一個(gè)或多個(gè) 組件可以與滑塊一起制造于第一晶片上，而磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路的剩余組件制造于第二晶 片上。圖6的流程圖說(shuō)明了該實(shí)施例的示例，其為圖5的流程圖的擴(kuò)展。在該實(shí)施例中，磁 盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路的至少一個(gè)電阻器和/或至少一個(gè)電容器（例如電容器10A或10B)制 造于第一晶片上（框74)，并且至少感測(cè)放大器的晶體管制造于第二晶片上（框76)。在一 個(gè)實(shí)施例中，磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路的組件被制造于第二晶片上，其僅利用三個(gè)焊盤將晶體 管的三個(gè)端子焊接到制造于第一晶片上的滑塊。
[0024] 磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路的電阻器可以通過(guò)沉積電阻性材料如NiCr、Ni-Cr02、Ni_Zr0 2 等的薄膜而制造于第一晶片上，并且電容器可以通過(guò)沉積平滑導(dǎo)體如Ta以及絕緣陶瓷如 SrTi03、Ta205、Si02、Al 203的交替層來(lái)制造。高介電常數(shù)材料如SrTi03的使用可以有助于減 少所需的面積，并且Ta的熱氧化也可以加入絕緣層以提供保險(xiǎn)免于電壓崩潰。
[0025] 在一個(gè)實(shí)施例中，假設(shè)合適的感測(cè)放大器6的制造工藝是可用的（或變得可用）， 磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路可以與滑塊組件一起整體制造于第一晶片上。在該實(shí)施例中，圖3和 4A示出的滑塊16上的焊盤50A-50D將不再需要，這是因?yàn)榘ㄗx取元件2的磁盤驅(qū)動(dòng)器讀 取電路將制造于滑塊16內(nèi)。
[0026] 在一個(gè)實(shí)施例中，磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路的組件可以集成到圖1B示出的互連28的 柔性電路中，而不是將該組件焊接到滑塊16。圖7說(shuō)明了該實(shí)施例，其中感測(cè)放大器6通過(guò) 第一柔性電路14A被AC耦合到滑塊16,并且感測(cè)放大器6通過(guò)第二柔性電路14B被AC耦 合到前置放大器26。在一個(gè)實(shí)施例中，感測(cè)放大器6被緊密地AC耦合到滑塊16,以最小化 由于上述標(biāo)度因數(shù)ZAR+Z)造成的SNR損耗。磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路的組件可以以任何合適 的方式集成到互連28的柔性電路中，其中在一個(gè)實(shí)施例中，這些組件可以被實(shí)現(xiàn)為倒裝晶 片，其橋接滑塊16附近的柔性電路中的間隙。
[0027] 磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路的組件可以焊接到滑塊而不是如圖4A-4C所示焊接到后沿 上。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，這些組件可以焊接到滑塊16的頂表面，而在另一實(shí)施例中，磁 盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路的組件可以與焊接到滑塊的其他元件集成。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，磁盤 驅(qū)動(dòng)器可以采用熱輔助磁記錄（HAMR)，其中激光器（例如激光二極管）可以制造于第二晶 片上并且然后焊接到滑塊（例如在頂表面上）。在該實(shí)施例中，磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路的組件 可以與激光二極管一起制造于第二晶片上，并且得到的復(fù)合電路被鍵合到滑塊。
[0028] 盡管圖3的實(shí)施例示出包含AC耦合的發(fā)射極跟隨器的感測(cè)放大器6,但可以采用 任何合適的感測(cè)放大器6。圖8示出包含AC耦合的差分放大器的感測(cè)放大器6的實(shí)施例。 在一個(gè)實(shí)施例中，與圖3中具有接近1的電壓增益的AC耦合的發(fā)射極跟隨器相比，AC耦合 的差分放大器可以包含大于1的電壓增益。在一個(gè)實(shí)施例中，采用具有大于1的電壓增益的 感測(cè)放大器6能夠改進(jìn)前置放大器26的輸出端處的SNR。在一個(gè)實(shí)施例中，圖8中的-3v 電源可以被移除以降低磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路的功耗。
【權(quán)利要求】
1. 一種磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路，其包含： 用于生成讀取信號(hào)的讀取元件；以及 感測(cè)放大器，其包含通過(guò)第一電容器耦合至所述讀取元件的輸入終端以及通過(guò)第二電 容器耦合至傳輸線的輸出終端，其中所述感測(cè)放大器用于放大所述讀取信號(hào)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路，其中所述感測(cè)放大器的所述輸入終端 緊鄰所述讀取元件通過(guò)所述第一電容器耦合至所述讀取元件。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路，其中所述感測(cè)放大器的所述輸入終端 以不大于2毫米的距離通過(guò)所述第一電容器耦合至所述讀取元件。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路，其中所述感測(cè)放大器的所述輸入終端 以不大于4毫米的距離通過(guò)所述第一電容器耦合至所述讀取元件。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路，其中所述傳輸線耦合于滑塊的焊盤， 且所述滑塊的所述焊盤耦合于柔性電路。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路，其中所述傳輸線向所述讀取元件提供 偏置信號(hào)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路，其中所述傳輸線向所述感測(cè)放大器提 供電力。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路，其中所述感測(cè)放大器包含至少一個(gè)晶 體管和至少一個(gè)電阻器。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路，其中： 所述讀取元件制造于第一晶片的襯底上；以及 所述感測(cè)放大器在切割所述第一晶片之前耦合于所述讀取元件。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路，其中至少所述感測(cè)放大器的所述晶 體管制造于第二晶片的襯底上并且在切割所述第一晶片之前鍵合至所述第一晶片。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路，其中： 所述讀取元件制造于第一晶片的襯底上；以及 至少所述感測(cè)放大器的所述電阻器制造于所述第一晶片的所述襯底上。
12. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路，其中： 所述讀取元件制造于第一晶片的襯底上；以及 所述第一電容器和所述第二電容器中的至少一個(gè)制造于所述第一晶片的所述襯底上。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路，其中： 所述感測(cè)放大器通過(guò)第一柔性電路耦合于滑塊，其中所述滑塊包含所述讀取元件；并 且 所述感測(cè)放大器通過(guò)第二柔性電路耦合于前置放大器。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路，其中所述感測(cè)放大器包含發(fā)射極跟 隨器。
15. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路，其中所述感測(cè)放大器包含差分放大 器。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路，其中所述差分放大器的電壓增益大 于1。
17. -種制造包含用于生成讀取信號(hào)的讀取元件的磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路的方法，該方 法包含： 通過(guò)第一電容器將感測(cè)放大器的輸入終端耦合至所述讀取元件；以及 通過(guò)第二電容器將所述感測(cè)放大器的輸出終端耦合至傳輸線，其中所述感測(cè)放大器用 于放大所述讀取信號(hào)。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述感測(cè)放大器的所述輸入終端緊鄰所述讀取 元件通過(guò)所述第一電容器耦合至所述讀取元件。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述感測(cè)放大器的所述輸入終端以不大于2毫 米的距離通過(guò)所述第一電容器耦合至所述讀取元件。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述感測(cè)放大器的所述輸入終端以不大于4毫 米的距離通過(guò)所述第一電容器耦合至所述讀取元件。
21. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述傳輸線耦合于滑塊的焊盤，且所述滑塊的 所述焊盤耦合于柔性電路。
22. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述傳輸線向所述讀取元件提供偏置信號(hào)。
23. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的磁盤驅(qū)動(dòng)器讀取電路，其中所述傳輸線向所述感測(cè)放大器 提供電力。
24. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述感測(cè)放大器包含至少一個(gè)晶體管和至少一 個(gè)電阻器。
25. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其進(jìn)一步包含： 在第一晶片的襯底上制造所述讀取元件；以及 在切割所述第一晶片之前將所述感測(cè)放大器耦合至所述讀取元件。
26. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其進(jìn)一步包含： 在第二晶片的襯底上至少制造所述感測(cè)放大器的所述晶體管；以及 在切割所述第一晶片之前將所述晶體管鍵合至所述第一晶片。
27. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其進(jìn)一步包含： 在第一晶片的襯底上制造所述讀取元件；以及 在所述第一晶片的所述襯底上至少制造所述感測(cè)放大器的所述電阻器。
28. 根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其進(jìn)一步包含： 在第一晶片的襯底上制造所述讀取元件；以及 在所述第一晶片的所述襯底上制造所述第一電容器和所述第二電容器中的至少一個(gè)。
29. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其進(jìn)一步包含： 通過(guò)第一柔性電路將包含所述讀取元件的滑塊耦合至所述感測(cè)放大器；以及 通過(guò)第二柔性電路將所述感測(cè)放大器耦合至前置放大器。
30. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述感測(cè)放大器包含發(fā)射極跟隨器。
31. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述感測(cè)放大器包含差分放大器。
32. 根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中所述差分放大器的電壓增益大于1。
【文檔編號(hào)】G11B5/02GK104143344SQ201410270216
【公開(kāi)日】2014年11月12日 申請(qǐng)日期:2014年5月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月8日
【發(fā)明者】M·L·馬拉里, Y-T·西亞, W·D·休伯 申請(qǐng)人:西部數(shù)據(jù)技術(shù)公司