磁記錄介質(zhì)及磁存儲(chǔ)裝置制造方法
【專利摘要】一種磁記錄介質(zhì)及磁存儲(chǔ)裝置。一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，具有：基板；多個(gè)襯底層，其形成在所述基板上；以及磁性層，其以具有L10結(jié)構(gòu)的合金為主成分，所述多個(gè)襯底層至少包括第一襯底層，其含有選自Ta、Nb、Ti、V的兩種以上的元素，并且含有選自W、Mo的一種以上的元素，以及第二襯底層，其含有MgO，所述第一襯底層和所述第二襯底層連續(xù)積層。
【專利說明】磁記錄介質(zhì)及磁存儲(chǔ)裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種磁記錄介質(zhì)及磁存儲(chǔ)裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 近些年，對(duì)于硬盤驅(qū)動(dòng)器HDD的大容量化的需求日益增強(qiáng)。作為滿足該需要的手 段，提出了一種熱輔助記錄方式，其利用搭載有激光光源的磁頭對(duì)磁記錄介質(zhì)進(jìn)行加熱并 進(jìn)行記錄。在熱輔助記錄方式中，由于可通過對(duì)磁記錄介質(zhì)進(jìn)行加熱而大幅降低矯頑力，因 此對(duì)于記錄介質(zhì)的磁性層可以使用晶體磁各向異性常數(shù)Ku高的材料。因此，能夠仍維持熱 穩(wěn)定性的同時(shí)使磁性粒徑的細(xì)小化成為可能，并實(shí)現(xiàn)lTbit/inch 2級(jí)的面密度。
[0003] 另外，作為下一代記錄方式而被關(guān)注的其他的技術(shù)，還有一種微波輔助磁記錄方 式。微波輔助磁記錄方式是對(duì)磁記錄介質(zhì)的磁性層照射微波而使磁化方向從易磁化軸傾 斜，使磁性層的磁化局部地反轉(zhuǎn)來記錄磁信息的方式。
[0004] 與熱輔助磁記錄方式相同，在微波輔助磁記錄方式中，作為磁性層的材料，可以使 用由具有LL型結(jié)晶結(jié)構(gòu)的合金所構(gòu)成的高Ku磁性材料。
[0005] 作為高Ku磁性材料，提出了 L1。型FePt合金、L1。型CoPt合金、仏型CoPt合金 等規(guī)則合金等。另外，在磁性層中，為了將由上述規(guī)則合金構(gòu)成的結(jié)晶粒隔斷，作為晶界相 材料添加有Si02、Ti02等氧化物、或C、BN等。通過使其成為利用晶界相來分離磁性磁晶粒 的粒狀結(jié)構(gòu)，從而能夠降低磁粒子間的交換耦合，并能夠?qū)崿F(xiàn)高介質(zhì)SN比。
[0006] 近些年，有需求進(jìn)一步的高記錄密度化，為了提高記錄密度，關(guān)于最佳的襯底層 (基底層）的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究。
[0007] 作為進(jìn)一步提高記錄密度的方法，例如可舉出設(shè)成垂直磁各向異性高的磁記錄介 質(zhì)的方法。并且，作為設(shè)成垂直磁各向異性高的磁記錄介質(zhì)的方法，可舉出使磁性層中的 匕^型規(guī)則合金取得良好的（001)取向的方法。對(duì)于磁性層的取向，由于可以通過襯底層來 控制，因此通過使用適當(dāng)?shù)囊r底層，能夠使以^型規(guī)則合金取得良好的（001)取向。
[0008] 在專利文獻(xiàn)1中記載了通過在以（100)的結(jié)晶面平行于基板的方式而被控制的襯 底層上形成L10型FePt合金而使該FePt合金取得（001)取向，其中該襯底層以MgO等為 主成分。
[0009] 另外，作為進(jìn)一步提高記錄密度的其他的方法，可舉出縮小磁性層的粒徑的方法， 此時(shí)，需要一種具有即便使磁性層的磁性粒子的粒徑微小化也可維持熱穩(wěn)定性的型晶 體結(jié)構(gòu)的合金。
[0010] 例如，在專利文獻(xiàn)2中記載了通過在由以Cr為主成分且含有Ti等的BCC結(jié)構(gòu)的 合金所構(gòu)成的襯底層中添加B、Si、C，從而能夠降低磁性層的磁耦合，并減小簇尺寸。
[0011] 〈現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)〉
[0012] 〈專利文獻(xiàn)〉
[0013] 專利文獻(xiàn)1 :(日本）特開平11-353648號(hào)公報(bào)
[0014] 專利文獻(xiàn)2 :國際公布第2011/021652號(hào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0015] 〈本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題〉
[0016] 然而，當(dāng)使用上述專利文獻(xiàn)1、2所公開的襯底層時(shí)，有時(shí)會(huì)在襯底層之間、襯底層 與磁性層之間發(fā)生應(yīng)力剝離，因此存在耐腐蝕性不足、可靠性低的問題。
[0017] 鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種耐腐蝕性高的磁記 錄介質(zhì)。
[0018] 〈用于解決技術(shù)問題的方案〉
[0019] 本發(fā)明提供一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，具有：基板；多個(gè)襯底層，其形成在所 述基板上；以及磁性層，其以具有LL結(jié)構(gòu)的合金為主成分，所述多個(gè)襯底層至少包括第一 襯底層，其含有選自Ta、Nb、Ti、V的兩種以上的元素，并且含有選自W、Mo的一種以上的元 素，以及第二襯底層，其含有MgO,所述第一襯底層和所述第二襯底層連續(xù)積層。
[0020] 〈發(fā)明的效果〉
[0021] 根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種耐腐蝕性高的磁記錄介質(zhì)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022] 圖1是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的磁存儲(chǔ)裝置的結(jié)構(gòu)圖。
[0023] 圖2是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的磁頭的結(jié)構(gòu)圖。
[0024] 圖3是實(shí)施例1中制作的熱輔助磁記錄介質(zhì)的層結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0025] 圖4是實(shí)施例2中制作的熱輔助磁記錄介質(zhì)的層結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0026] 符號(hào)說明
[0027] 101、212磁記錄介質(zhì)
[0028] 100磁存儲(chǔ)裝置
[0029] 301、401 基板
[0030] 304、404第三襯底層
[0031] 305、405 第一襯底層
[0032] 3〇6、406 第二襯底層
[0033] 307、407 磁性層

【具體實(shí)施方式】
[0034] 以下，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明，本發(fā)明并不限定于以下實(shí)施方式，在不脫離 本發(fā)明的范圍的情況下，可對(duì)以下實(shí)施方式施加各種變形及置換。
[0035] 〈第1實(shí)施方式〉
[0036] 對(duì)本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)例子進(jìn)行說明。
[0037] 本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)具有基板、形成在基板上的多個(gè)襯底層、以及以具有LL 結(jié)構(gòu)的合金為主成分的磁性層。
[0038] 并且，多個(gè)襯底層至少包括第一襯底層、以及第二襯底層。
[0039] 在此，第一襯底層可含有選自Ta、Nb、Ti、V的兩種以上的元素，并且含有選自W、Mo 的一種以上的元素。
[0040] 第二襯底層可由含有MgO的層構(gòu)成。
[0041] 第一襯底層和第二襯底層連續(xù)積層。換言之，第一襯底層和第二襯底層可以接觸 地設(shè)置。
[0042] 以下，對(duì)本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)中所包括的各部件進(jìn)行說明。
[0043] 首先，作為基板并無特別的限定，例如優(yōu)選使用具有非晶質(zhì)、或微晶體結(jié)構(gòu)的耐熱 玻璃基板。對(duì)于本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)，由于有時(shí)會(huì)在磁性層形成時(shí)進(jìn)行400°C以上的 基板加熱，因此作為基板當(dāng)使用耐熱玻璃基板時(shí)，優(yōu)選使用玻璃轉(zhuǎn)變溫度為400°C以上的材 質(zhì)。
[0044] 接著，對(duì)多個(gè)襯底層進(jìn)行說明。
[0045] 多個(gè)襯底層中至少包括第一襯底層和第二襯底層，第一襯底層和第二襯底層優(yōu)選 連續(xù)積層的多層結(jié)構(gòu)。
[0046] 對(duì)第一襯底層進(jìn)行說明。
[0047] 第一襯底層含有選自Ta、Nb、Ti、V的兩種以上的元素，并且含有選自W、Mo的一種 以上的元素。
[0048] 此時(shí)，第一襯底層例如可由含有選自Ta、Nb、Ti、V的兩種以上的元素，并且含有選 自W、Mo的一種以上的元素的合金構(gòu)成。具體來說，第一襯底層例如可由W-Ta-Ti、W-Ta-V、 W-Nb-Ti、W-Nb-V、W-Ti-V、Mo-Ta-Ti、Mo-Ta-V、Mo-Nb-Ti、Mo-Nb-V、Mo-Ti-V 等合金構(gòu)成。 另外，優(yōu)選含有20原子％以上80原子％以下的選自Ta、Nb、Ti、V的兩種以上的元素，更優(yōu) 選含有30原子％以上70原子％以下的選自Ta、Nb、Ti、V的兩種以上的元素。此時(shí)，第一 襯底層的晶格常數(shù)例如可以設(shè)為從〇? 304nm(M〇-70原子％ V時(shí)）到0? 329nm(W-70原子％ Ta時(shí)）的范圍。
[0049] 另外，優(yōu)選第一襯底層還含有選自 B、Si、C、B203、Si02、Cr20 3、A1203、Ta205、Nb 205、 Zr02、Y203、Ce0 2、MnO、Ti02、TiO、ZnO、La203、NiO、FeO、CoO的一種以上的物質(zhì)。通過含有上 述物質(zhì)，能夠改善第一襯底層的晶體粒子尺寸和分散度。因此，能夠提高磁性層的例子分散 度，與未添加該物質(zhì)的情況相比，能夠提高磁記錄介質(zhì)的矯頑力，并能夠進(jìn)一步提高介質(zhì)SN 比。
[0050] 對(duì)第二襯底層進(jìn)行說明。第二襯底層可由含有MgO的層構(gòu)成，特別優(yōu)選由MgO構(gòu) 成。第二襯底層優(yōu)選在（100)取向的第一襯底層上外延生長。此時(shí)，第一襯底層的（100) 面的〈11〇>方向與MgO的（100)面的〈100>方向平行。因此，如果設(shè)第一襯底層的晶格常 數(shù)為ai、第二襯底層的晶格常數(shù)為a2，則第一襯底層與第二襯底層的晶格錯(cuò)配度被定義為 (a2-V2aJ/ (a2)。
[0051] 作為第二襯底層，例如當(dāng)在第一襯底層上外延生長MgO層時(shí)，優(yōu)選在MgO的膜面內(nèi) 導(dǎo)入拉伸應(yīng)力。由此，能夠在用于磁性層的具有LL型結(jié)構(gòu)的合金中導(dǎo)入拉伸應(yīng)力并促進(jìn) 規(guī)則化。
[0052] 如上所述作為第二襯底層當(dāng)在上述第一襯底層之上外延生長MgO層時(shí)，由于晶格 錯(cuò)配，優(yōu)選MgO層包括2?10%的拉伸應(yīng)力。此時(shí)，第二襯底層容易引起應(yīng)力剝離，但由于 在第一襯底層中添加了 Ta、Nb、Ti、V等易氧化的元素，因此能夠提高構(gòu)成第二襯底層的MgO 層與第一襯底層之間的界面的粘接強(qiáng)度。因此，由于能夠抑制應(yīng)力剝離的發(fā)生，因此能夠提 高磁記錄介質(zhì)的耐腐蝕性，并能夠提高可靠性。
[0053] 并且，如上所述，優(yōu)選第一襯底層含有20原子％以上（大于等于20原子％ ) 80原 子％以下（小于等于80原子％ )的選自Ta、Nb、Ti、V的兩種以上（大于等于兩種）的元 素。但是，通過使選自Ta、Nb、Ti、V的兩種以上的元素的含有量為30原子％以上，能夠特 別地提高構(gòu)成第二襯底層的MgO層與第一襯底層的界面粘接強(qiáng)度。換言之，能夠特別地提 高耐腐蝕性。另外，如果選自Ta、Nb、Ti、V的兩種以上的元素的含有量超過70原子％，則 有時(shí)磁記錄介質(zhì)的矯頑力會(huì)降低。因此，優(yōu)選第一襯底層含有30原子％以上70原子％以 下的選自Ta、Nb、Ti、V的兩種以上（大于等于兩種）的元素。
[0054] 對(duì)于第二襯底層的膜厚并無特別限定，優(yōu)選為0? 5nm以上5nm以下。當(dāng)?shù)诙r底 層的膜厚小于〇. 5nm時(shí)，由于有時(shí)MgO無法得到良好的NaCl型結(jié)構(gòu)因此并不優(yōu)選。另外， 如果膜厚超過5nm，則Mg的膜面內(nèi)的拉伸應(yīng)力緩和，變得難以在磁性層中的具有LL結(jié)構(gòu)的 合金中導(dǎo)入足夠的拉伸應(yīng)力，因此并不優(yōu)選。
[0055] 另外，優(yōu)選該多個(gè)襯底層還包括第三襯底層，該第三襯底層含有具有BCC結(jié)構(gòu)的 金屬。并且，優(yōu)選第一襯底層形成在第三襯底層上，更優(yōu)選第三襯底層與第一襯底層連續(xù)地 積層。
[0056] 對(duì)第三襯底層進(jìn)行說明。
[0057] 優(yōu)選第三襯底層含有具有BCC結(jié)構(gòu)的金屬。優(yōu)選第三襯底層含有具有BCC結(jié)構(gòu)的 選自W(金屬鎢）、Mo (金屬鑰）的金屬、或者具有BCC結(jié)構(gòu)的選自以W為主成分的合金及以 Mo為主成分的合金的合金。當(dāng)使用以W為主成分的具有BCC結(jié)構(gòu)的合金時(shí)，可用Mo來置換 W的一部分。另外，當(dāng)使用以Mo為主成分的具有BCC結(jié)構(gòu)的合金時(shí)，可用W來置換Mo的一 部分。
[0058] 在此，作為以W為主成分的具有BCC結(jié)構(gòu)的合金，例如可優(yōu)選使用添加了 Ta、Nb、 Ta、V、Cr等元素的以W為主成分的合金。另外，作為以Mo為主成分的具有BCC結(jié)構(gòu)的合金， 例如可優(yōu)選使用添加了 Ta、Nb、Ta、V、Cr等元素的以Mo為主成分的合金。此時(shí)，對(duì)元素添 加量并無特別限定，優(yōu)選在不使BCC結(jié)構(gòu)劣化的范圍內(nèi)進(jìn)行添加。
[0059] 需要說明的是，第三襯底層可以由多個(gè)層來構(gòu)成。例如可以利用由W構(gòu)成的層、和 由以W為主成分的具有BCC結(jié)構(gòu)的合金構(gòu)成的層這兩層來構(gòu)成。另外，可以是由其他材料 構(gòu)成的層的組合，還可以由三層以上來構(gòu)成。
[0060] 對(duì)構(gòu)成第三襯底層的材料的晶格常數(shù)并無特別限定，例如當(dāng)設(shè)置取向控制襯底層 時(shí)，優(yōu)選以取向控制層與第三襯底層的晶格常數(shù)錯(cuò)配度為10%以下的方式來構(gòu)成。特別更 優(yōu)選以取向控制層與第三襯底層的晶格常數(shù)錯(cuò)配度為6%以下的方式來構(gòu)成。
[0061] 還可以在第三襯底層中進(jìn)一步添加選自B、Si、C、B203、Si0 2、Cr203、A1203、Ta 205、 Nb205、Zr02、Y 203、Ce02、MnO、Ti02、TiO、ZnO、La 203、NiO、FeO、CoO 的一種以上的物質(zhì)。如果添 加上述元素或氧化物，則能夠減小第三襯底層的晶體粒子尺寸，能夠進(jìn)一步改善分散度。當(dāng) 在第三襯底層中添加上述元素或氧化物時(shí)，對(duì)添加量并無特別限定，優(yōu)選在不使第三襯底 層本身的（100)取向性劣化的范圍內(nèi)進(jìn)行添加。
[0062] 再有，由于優(yōu)選第一襯底層、第二襯底層具有（100)取向，因此對(duì)于第三襯底層也 優(yōu)選為（100)取向。并且，為了使第三襯底層為（100)取向，優(yōu)選在第三襯底層之下形成取 向控制襯底層。
[0063] 作為取向控制襯底層并無特別限定，例如可由具有B2結(jié)構(gòu)的NiAl、RuAl構(gòu)成。另 夕卜，作為取向控制襯底層，也可以由Cr或以Cr為主成分的BCC結(jié)構(gòu)的合金構(gòu)成。
[0064] 作為以Cr為主成分的BCC結(jié)構(gòu)的合金，例如可舉出CrMn、CrMo、CrW、CrV、CrTi、 CrRu 等。
[0065] 取向控制襯底層優(yōu)選形成在非晶質(zhì)晶種層上。非晶質(zhì)晶種層優(yōu)選例如由非晶質(zhì)的 材料構(gòu)成，更優(yōu)選例如由Cr-50原子％ Ti、Ni-40原子％ Ta、Ti-50原子％ A1合金等構(gòu)成。 [0066] 通過在非晶質(zhì)晶種層上以例如150?200°C以上的高溫來形成取向控制襯底層， 從而能夠使該取向控制襯底層為良好的（100)取向。
[0067] 綜上所述，能夠在多個(gè)襯底層上形成以具有LL結(jié)構(gòu)的合金為主成分的磁性層。 由此，能夠使磁性層中所包含的具有[^結(jié)構(gòu)的合金取得良好的（001)取向。并且同時(shí)，能 夠利用來自作為第二襯底層的含有MgO的層的拉伸應(yīng)力來提高具有LL結(jié)構(gòu)的合金的規(guī)則 度。
[0068] 在此，所謂的作為主成分來含有，例如意味著在磁性層中所包含的成分之中，所包 含的具有LL結(jié)構(gòu)的合金的含有量的物質(zhì)量比最多。
[0069] 對(duì)磁性層中作為主成分所含有的具有LL結(jié)構(gòu)的合金并無特別限定，可優(yōu)選使用 具有LL結(jié)構(gòu)的FePt合金或具有LL結(jié)構(gòu)的CoPt合金。
[0070] 此外，優(yōu)選磁性層中的具有LL結(jié)構(gòu)的合金的晶體粒磁性隔離（孤立）。因此，作 為磁性層的晶界相，優(yōu)選含有選自 Si02、Ti02、Cr203、A120 3、Ta205、Zr02、Y20 3、Ce02、MnO、TiO、 Zn0、C、B、B203、BN的至少一種物質(zhì)。由此，具有LL結(jié)構(gòu)的合金的晶體粒間的交換耦合被隔 斷，能夠進(jìn)一步降低介質(zhì)噪聲。
[0071] 并且，為了促進(jìn)磁性層中的具有LL結(jié)構(gòu)的合金的規(guī)則化，優(yōu)選磁性層形成時(shí)的基 板溫度為600°C以上。另外，為了減低規(guī)則化溫度，可以在具有LL結(jié)構(gòu)的合金中添加Ag、 Au、Cu、Ni等。此時(shí)，能夠?qū)⒋判詫有纬蓵r(shí)的基板溫度降低至400?500°C左右。
[0072] 另外，可以在本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)中形成任意的層。
[0073] 例如，優(yōu)選在磁性層上形成DLC保護(hù)膜。對(duì)DLC保護(hù)膜的形成方法并無特別限定， 例如可通過用高頻等離子將由烴構(gòu)成的原料氣體分解而形成膜的RF-CVD法、用從燈絲發(fā) 射的電子將原料氣體離子化而形成膜的IBD法、不使用原料氣體而使用固體C靶來形成膜 的FCVA法等來形成。DLC膜厚優(yōu)選lnm以上6nm以下。當(dāng)膜厚小于lnm時(shí)，由于磁頭的浮 動(dòng)特性惡化因此不優(yōu)選。另外，如果膜厚超過6nm則有時(shí)磁間隔變大、介質(zhì)SN比惡化，不優(yōu) 選。
[0074] 也可以在DLC保護(hù)膜上進(jìn)一步涂布由全氟聚醚類的氟樹脂構(gòu)成的潤滑劑。
[0075] 對(duì)于熱輔助記錄方式用的磁記錄介質(zhì)，優(yōu)選對(duì)磁性層進(jìn)行激光加熱、快速冷卻，抑 制加熱點(diǎn)的擴(kuò)大。通過這樣來構(gòu)成，由于能夠降低磁性過渡區(qū)域的寬度、并降低介質(zhì)噪音， 因此優(yōu)選。為了進(jìn)行磁性層的快速冷卻，優(yōu)選在磁記錄介質(zhì)中形成散熱層。對(duì)于散熱層，可 使用Ag、Cu、Al、Au等熱傳導(dǎo)率高的金屬、或以其為主成分的合金。
[0076] 另外，為了改善寫入特性，還可以形成軟磁性襯底層。對(duì)于軟磁性襯底層，可使用 CoTaZr、CoFeTaB、CoFeTaSi、CoFeTaZr 等非晶質(zhì)合金、FeTaC、FeTaN 等微晶體合金、NiFe 等 多晶體合金。軟磁性襯底層可以是由上述合金構(gòu)成的單層膜，也可以是夾持適當(dāng)膜厚的Ru 層的反強(qiáng)磁性耦合的積層膜。
[0077] 以上對(duì)本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)進(jìn)行了說明，在本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)中，由 于使用了預(yù)定的襯底層，因此能夠成為耐腐蝕性優(yōu)異的磁記錄介質(zhì)。另外，能夠成為同時(shí)在 矯頑力和介質(zhì)SN比上也具有優(yōu)異特性的磁記錄介質(zhì)。
[0078]〈第2實(shí)施方式〉
[0079] 在本實(shí)施方式中，對(duì)本發(fā)明的磁存儲(chǔ)裝置的結(jié)構(gòu)例子進(jìn)行說明。需要說明的是，在 本實(shí)施方式中，對(duì)于根據(jù)熱輔助磁記錄方式的磁存儲(chǔ)裝置的結(jié)構(gòu)例子進(jìn)行說明，但并不限 定于該實(shí)施方式，在第1實(shí)施方式中所說明的磁記錄介質(zhì)也可以為根據(jù)微波輔助磁記錄方 式的磁存儲(chǔ)裝置。
[0080] 本實(shí)施方式的磁存儲(chǔ)裝置可以為具有在第1實(shí)施方式中所說明的磁記錄介質(zhì)的 磁存儲(chǔ)裝置。
[0081] 在磁存儲(chǔ)裝置中，例如還可以具有用于使磁記錄介質(zhì)轉(zhuǎn)動(dòng)的磁記錄介質(zhì)驅(qū)動(dòng)部、 以及在頂端部具有近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的磁頭。另外，可以具有用于加熱磁記錄介質(zhì)的激光產(chǎn) 生部、將從激光產(chǎn)生部所發(fā)射的激光引導(dǎo)至近場(chǎng)光產(chǎn)生元件的導(dǎo)波路、用于移動(dòng)磁頭的磁 頭驅(qū)動(dòng)部、以及記錄再生信號(hào)處理系統(tǒng)。
[0082] 磁存儲(chǔ)裝置的具體結(jié)構(gòu)例子如圖1所示。
[0083] 例如本實(shí)施方式的磁存儲(chǔ)裝置100可以為如圖1所示的結(jié)構(gòu)。具體來說，可以由 磁記錄介質(zhì)101、用于使磁記錄介質(zhì)101轉(zhuǎn)動(dòng)的磁記錄介質(zhì)驅(qū)動(dòng)部102、磁頭103、用于使磁 頭103移動(dòng)的磁頭驅(qū)動(dòng)部104、記錄再生信號(hào)處理系統(tǒng)105等構(gòu)成。
[0084] 并且，作為磁頭103,例如可使用圖2所示的磁頭。該磁頭具有記錄頭208、再生頭 211。記錄頭208具有主磁極201、輔助磁極202、用于產(chǎn)生磁場(chǎng)的線圈203、作為激光產(chǎn)生部 的激光二極管（LD) 204、用于將從LD所產(chǎn)生的激光205傳導(dǎo)至近場(chǎng)光產(chǎn)生元件206的導(dǎo)波 路207。再生頭211具有由護(hù)罩209所夾持的再生元件210。
[0085] 并且，作為磁記錄介質(zhì)101，如上所述由于使用了在第1實(shí)施方式中所說明的磁記 錄介質(zhì)，因此能夠成為耐蝕性優(yōu)異、可靠性高的磁存儲(chǔ)裝置。
[0086] 〈實(shí)施例〉
[0087] 以下，舉出具體的實(shí)施例來進(jìn)行說明，本發(fā)明并不限定于該實(shí)施例。
[0088] (實(shí)施例1)
[0089] 圖3表示出在本實(shí)施例中制作的熱輔助磁記錄介質(zhì)的層結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子。
[0090] 在2. 5英寸的玻璃基板301上，形成30nm的Ni-40原子％Ta晶種層302,在300°C 下對(duì)基板進(jìn)行加熱后，作為取向控制層303,形成10nm的Ru-50原子％ A1。
[0091] 接著，形成膜厚為10nm的由W-10原子％ Cr構(gòu)成的第三襯底層304。接著，形成膜 厚為15nm的由表1所示的各個(gè)材料所構(gòu)成的第一襯底層305、和膜厚為2nm的由MgO構(gòu)成 的第二襯底層306。
[0092] 之后，在600°C下進(jìn)行基板加熱，形成膜厚為8nm的由（Fe-46原子％ Pt)_15摩 爾％ Si02構(gòu)成的磁性層307、膜厚為3nm的DLC保護(hù)膜308,涂布全氟聚醚類的潤滑劑。
[0093] 對(duì)于本實(shí)施例中所制作的磁記錄介質(zhì)，第一襯底層如上所述由表1所示的各種材 料構(gòu)成，在實(shí)施例1-1?實(shí)施例1-18中，選自Ta、Nb、Ti、V的兩種以上的材料的總含有量為 50原子％。另外，在實(shí)施例1-13?實(shí)施例1-19中，在第一襯底層的材料中，還含有選自B、 Si、C、B 203、Si02、Cr203、A1 203、Ta205、Nb20 5、Zr02、Y203、Ce02、MnO、Ti0 2、TiO、ZnO、La203、NiO、 Fe0、C〇0的一種以上的物質(zhì)。另外，作為比較例1-1，制作了未形成第一襯底層、在第三襯底 層之上直接形成第二襯底層306的磁記錄介質(zhì)。
[0094] 關(guān)于所制作的磁記錄介質(zhì)，進(jìn)行了矯頑力He、規(guī)格化矯頑力分散AHc/Hc、以及耐 腐蝕性（A-〇SA counter)的評(píng)價(jià)。
[0095] 矯頑力He是利用SUQID(超導(dǎo)量子干擾元件），根據(jù)施加7T的磁場(chǎng)在室溫 下進(jìn)行測(cè)定的磁化曲線來求出。另外，規(guī)格化矯頑力A Hc/Hc利用" IEEE Trans. Magn.，vol. 27, pp4975-4977, 1991"中記載的方法來測(cè)定。具體而言，在施加7T的最大磁場(chǎng) 并在室溫下測(cè)定的大磁滯回線（major loop)及小磁滯回線（minor loop)中，對(duì)磁化的值 為飽和值的50%時(shí)的磁場(chǎng)進(jìn)行測(cè)定，根據(jù)兩者之差，假定He分布為高斯分布來計(jì)算出規(guī)格 化矯頑力△ Hc/Hc。規(guī)格化矯頑力△ Hc/Hc為相當(dāng)于反轉(zhuǎn)磁場(chǎng)分散的參數(shù)，該值越低則表示 得到越高的介質(zhì)SN比，越優(yōu)選。
[0096] 對(duì)耐蝕性的評(píng)價(jià)方法進(jìn)行說明。首先，使用Candela公司制造的0SA-6300,對(duì)所制 造的磁記錄介質(zhì)表面全體的顆粒數(shù)進(jìn)行測(cè)量。接著，將磁記錄介質(zhì)在穩(wěn)定為溫度90°C、濕度 90%的高溫爐中放置48小時(shí)。之后，將磁記錄介質(zhì)從高溫爐中取出，再次用上述Candela 公司制造的0SA-6300來測(cè)量顆粒數(shù)。接著，設(shè)高溫爐處理后的磁記錄介質(zhì)表面的顆粒數(shù)的 增加數(shù)為"A-0SA counter"，該值越低則磁記錄介質(zhì)具有越高的耐腐蝕性。為了使其為具 有可靠性高的磁記錄介質(zhì)，" A-0SA counter"為100以下即可，優(yōu)選為15以下，更優(yōu)選為 10以下。
[0097] 表1表示出對(duì)于實(shí)施例1-1?實(shí)施例1-19、比較例1-1的磁記錄介質(zhì)進(jìn)行矯頑力 He、規(guī)格化矯頑力分散A Hc/Hc、以及耐腐蝕性（A-〇SA counter)進(jìn)行評(píng)價(jià)的結(jié)果。
[0098] [表 1]

【權(quán)利要求】
1. 一種磁記錄介質(zhì)，其特征在于，具有： 基板； 多個(gè)襯底層，其形成在所述基板上；W及 磁性層，其W具有L1。結(jié)構(gòu)的合金為主成分， 所述多個(gè)襯底層至少包括 第一襯底層，其含有選自Ta、Nb、Ti、V的兩種W上的元素，并且含有選自W、Mo的一種 W上的元素，W及 第二襯底層，其含有MgO， 所述第一襯底層和所述第二襯底層連續(xù)積層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其中， 所述多個(gè)襯底層還包括第H襯底層，所述第H襯底層含有具有BCC結(jié)構(gòu)的金屬， 所述第一襯底層形成在所述第H襯底層上。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述第H襯底層含有具有BCC結(jié)構(gòu)的選 自W、Mo的金屬、或者具有BCC結(jié)構(gòu)的選自W W為主成分的合金及W Mo為主成分的合金的 A今 口亟〇
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述第一襯底層含有30原 子％^上70原子％^下的選自Ta、Nb、Ti、V的兩種W上的元素。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述第一襯底層還含有選 自 B、Si、C、B2O3、Si〇2、化2〇3、AI2O3、化2〇5、佩2〇5、Zr〇2、Y2O3、Ce〇2、MnO、Ti〇2、TiO、化0、La2〇3、 NiO、化0、C〇0的一種W上的物質(zhì)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)，其中， 所述磁性層W具有L1。結(jié)構(gòu)的化Pt合金或具有11。結(jié)構(gòu)的CoPt合金為主成分，并且含 有選自 Si〇2、Ti〇2、化2〇3、AI2O3、化2〇5、Zr〇2、Y2O3、Ce〇2、MnO、TiO、化0、C、B、B2O3、BN 的至少 一種物質(zhì)。
7. -種磁存儲(chǔ)裝置，其特征在于，包括： 磁記錄介質(zhì)；W及 磁頭，其將信息寫入所述磁記錄介質(zhì)、并從所述磁記錄介質(zhì)讀取信息， 所述磁記錄介質(zhì)具有 基板， 多個(gè)襯底層，其形成在所述基板上，W及 磁性層，其W具有L1。結(jié)構(gòu)的合金為主成分， 所述多個(gè)襯底層至少包括 第一襯底層，其含有選自Ta、Nb、Ti、V的兩種W上的元素，并且含有選自W、Mo的一種 W上的元素，W及 第二襯底層，其含有MgO， 所述第一襯底層和所述第二襯底層連續(xù)積層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁存儲(chǔ)裝置，其中， 所述多個(gè)襯底層還包括第H襯底層，所述第H襯底層含有具有BCC結(jié)構(gòu)的金屬， 所述第一襯底層形成在所述第H襯底層上。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁存儲(chǔ)裝置，其中，所述第H襯底層含有具有BCC結(jié)構(gòu)的選 自W、Mo的金屬、或者具有BCC結(jié)構(gòu)的選自W W為主成分的合金及W Mo為主成分的合金的 A全 口 W. 〇
10. 根據(jù)權(quán)利要求7至9中任一項(xiàng)所述的磁存儲(chǔ)裝置，其中，所述第一襯底層含有30原 子％ ^上70原子％ ^下的選自Ta、Nb、Ti、V的兩種W上的兀素。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7至10中任一項(xiàng)所述的磁存儲(chǔ)裝置，其中，所述第一襯底層還含有選 自 B、Si、C、B2O3、Si〇2、化2〇3、AI2O3、化2〇5、佩2〇5、Zr〇2、Y2O3、Ce〇2、MnO、Ti〇2、TiO、化0、La2〇3、 NiO、化0、C〇0的一種W上的物質(zhì)。
12. 根據(jù)權(quán)利要求7至11中任一項(xiàng)所述的磁存儲(chǔ)裝置，其中， 所述磁性層W具有L1。結(jié)構(gòu)的化Pt合金或具有11。結(jié)構(gòu)的CoPt合金為主成分，并且含 有選自 Si〇2、Ti〇2、化2〇3、AI2O3、化2〇5、Zr〇2、Y2O3、Ce〇2、MnO、TiO、化0、C、B、B2O3、BN 的至少 一種物質(zhì)。
【文檔編號(hào)】G11B5/73GK104347087SQ201410363017
【公開日】2015年2月11日 申請(qǐng)日期:2014年7月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月31日
【發(fā)明者】張磊, 神邊哲也, 村上雄二, 丹羽和也 申請(qǐng)人:昭和電工株式會(huì)社