具有可變碼率的存儲(chǔ)設(shè)備的制作方法
【專利摘要】用于在存儲(chǔ)器(諸如閃速存儲(chǔ)器)中管理數(shù)據(jù)的方法和裝置。根據(jù)一些實(shí)施例，裝置具有固態(tài)非易失性存儲(chǔ)器和處理電路，所述處理電路經(jīng)配置以將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器的選定位置。數(shù)據(jù)以多位碼字的形式配置，每個(gè)碼字包括用戶數(shù)據(jù)有效載荷和相關(guān)的奇偶性數(shù)據(jù)，所述奇偶性數(shù)據(jù)用于校正用戶數(shù)據(jù)有效載荷中的一個(gè)或多個(gè)位錯(cuò)誤。響應(yīng)于對(duì)所選位置的訪問操作的累積數(shù)量或和所選位置相關(guān)的錯(cuò)誤率中的至少所選一個(gè)，所述處理電路調(diào)整碼字的尺寸、用戶數(shù)據(jù)有效載荷的尺寸或奇偶性數(shù)據(jù)的尺寸的至少所選一個(gè)。
【專利說明】具有可變碼率的存儲(chǔ)設(shè)備
[0001] 發(fā)明概述
[0002] 本公開的各種實(shí)施例一般針對(duì)存儲(chǔ)器（諸如但不限于閃存）中的數(shù)據(jù)管理。
[0003] 根據(jù)一些實(shí)施例，裝置具有固態(tài)非易失性存儲(chǔ)器和處理電路，所述處理電路經(jīng)配 置以將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器的選定位置。數(shù)據(jù)以多位碼字的形式配置，每個(gè)碼字包括用戶數(shù)據(jù) 有效載荷和相關(guān)的奇偶性數(shù)據(jù)，所述奇偶性數(shù)據(jù)用于校正用戶數(shù)據(jù)有效載荷中的一個(gè)或多 個(gè)位錯(cuò)誤。響應(yīng)于對(duì)所選位置的訪問操作的累積數(shù)量或和所選位置相關(guān)的錯(cuò)誤率中的至少 選擇一個(gè)，處理電路調(diào)整碼字的尺寸、用戶數(shù)據(jù)有效載荷的尺寸或奇偶性數(shù)據(jù)的尺寸中的 至少所選一個(gè)。
[0004] 根據(jù)如下詳細(xì)討論和附圖，可以理解表征各個(gè)實(shí)施例的這些和其他特點(diǎn)。
[0005] 附圖描述
[0006] 圖1提供根據(jù)各種實(shí)施例的經(jīng)配置以與主機(jī)設(shè)備進(jìn)行通信的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的功 能框圖表示。
[0007] 圖2是圖1的閃存陣列的部分的示意描述。
[0008] 圖3示出閃存陣列的擦除塊的示例性格式。
[0009] 圖4示出經(jīng)配置成碎片收集單元（GCU)的多個(gè)擦除塊。
[0010] 圖5表示在根據(jù)一些實(shí)施例格式化的碼字中，將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到圖3-4的擦除塊。
[0011] 圖6示出在圖5中具有奇偶性數(shù)據(jù)和用戶數(shù)據(jù)有效載荷的不同的各自量的碼字的 不同編碼索引。
[0012] 圖7是根據(jù)一些實(shí)施例可操作的碼字控制電路以將數(shù)據(jù)配置為圖5-6提出的碼字 的功能框圖表示。
[0013] 圖8圖形化地示出在圖1的設(shè)備的工作壽命期間的誤碼率（BER)和碼索引。
[0014] 圖9圖形化地示出在設(shè)備的工作壽命期間寫入放大（WA)數(shù)據(jù)。
[0015] 圖10顯示多級(jí)單元（MLC)的不同種群。
[0016] 圖11表示了寫入到圖2的陣列中的閃存單元的同一行的數(shù)據(jù)的兩個(gè)不同頁面。
[0017] 圖12示出用于另一個(gè)實(shí)施例的不同編碼索引，其中奇偶性數(shù)據(jù)尺寸增加，并且用 戶數(shù)據(jù)有效載荷尺寸保持恒定。
[0018] 圖13示出用于另一個(gè)實(shí)施例的不同編碼索引，其中用戶數(shù)據(jù)有效載荷減少，并且 奇偶性數(shù)據(jù)尺寸保持恒定。
[0019] 圖14示出用于另一個(gè)實(shí)施例的不同編碼索引，其中用戶數(shù)據(jù)有效載荷和奇偶性 數(shù)據(jù)尺寸經(jīng)過調(diào)整。
[0020] 圖15是示出根據(jù)各種實(shí)施例的由圖1的設(shè)備執(zhí)行的步驟的VARIABLE CODE RATE (可變碼率）例程的流程圖。
[0021] 詳細(xì)描述
[0022] 本發(fā)明一般涉及管理在存儲(chǔ)模塊中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，諸如但不限于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的閃 速存儲(chǔ)器。
[0023] 各種各樣的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器在本領(lǐng)域中已知。一些存儲(chǔ)器采用固態(tài)存儲(chǔ)器單元的 形式，其與浮置柵極結(jié)構(gòu)上的累積電荷量相關(guān)地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，諸如閃存。在新數(shù)據(jù)可以被寫入 到給定的閃存存儲(chǔ)器位置之前通常需要擦除操作。
[0024] 閃存存儲(chǔ)器單元可以被配置為單層單元（SLC)，以便每個(gè)單元存儲(chǔ)單個(gè)位（例如， 邏輯0或1)，或作為多層單元（MLC)，以便每個(gè)單元存儲(chǔ)多個(gè)位（2位或更多）。MLC在單元 的相同分組（例如，行）中存儲(chǔ)不同的數(shù)據(jù)塊。沿行的單元的編程狀態(tài)的最低有效位（LSB) 可以表示數(shù)據(jù)的第一個(gè)塊（頁面），以及沿行的單元的編程狀態(tài)的最高有效位（MSB)可代表 第二頁數(shù)據(jù)。
[0025] 數(shù)據(jù)可以用戶數(shù)據(jù)有效載荷和相關(guān)聯(lián)的奇偶性數(shù)據(jù)的形式存儲(chǔ)在閃存存儲(chǔ)器中。 奇偶性數(shù)據(jù)（有時(shí)一般被稱為糾錯(cuò)碼（ECC))使得能在讀取操作期間在有效載荷中檢測(cè)和 校正直到所選數(shù)量的位錯(cuò)誤。奇偶性數(shù)據(jù)可以采取各種形式，諸如BCH (博斯-喬赫里-霍 克文黑姆（bose、Chaudhuri 和 hocquenghem))碼、里德-所羅門（Reed Solomon)ECC 碼、 LDPC(低密度奇偶校驗(yàn)）碼、海明碼、校驗(yàn)和等。
[0026] 當(dāng)存儲(chǔ)器隨著時(shí)間經(jīng)歷越來越多的編程/擦除（PE)周期時(shí)，閃存存儲(chǔ)器傾向于具 有相對(duì)有限的使用壽命，并且可以表現(xiàn)出增加的誤碼率（BER)。在一些情況下，確定預(yù)計(jì)出 現(xiàn)在存儲(chǔ)器的運(yùn)行壽命結(jié)束時(shí)的最壞情況的BER率。采用的奇偶方案能檢測(cè)并校正最壞情 況的BER水平，并且該奇偶校驗(yàn)方案用于存儲(chǔ)器的整個(gè)操作壽命。
[0027] 雖然可操作，但該方案從資源的角度來看浪費(fèi)的，因?yàn)榇鎯?chǔ)器的操作壽命的早期 和中期部分將傾向于具有比奇偶性方案的能力大大降低的BER水平。此外，存儲(chǔ)器的總體 數(shù)據(jù)容量減少，因?yàn)槠媾夹詳?shù)據(jù)存儲(chǔ)空間大于絕對(duì)必要的存儲(chǔ)空間，這減少了存儲(chǔ)用戶有 效載荷數(shù)據(jù)的可用空間。
[0028] 因此，本發(fā)明的各種實(shí)施例一般針對(duì)用于管理存儲(chǔ)器（諸如但不一定限于閃速存 儲(chǔ)器）中的數(shù)據(jù)的裝置和方法。
[0029] 如下面說明地，形成具有用戶數(shù)據(jù)有效載荷和相關(guān)聯(lián)的奇偶性數(shù)據(jù)的碼字。對(duì)于 每個(gè)碼字，基于其中存儲(chǔ)碼字的存儲(chǔ)器位置的當(dāng)時(shí)存在的BER特性提供奇偶性數(shù)據(jù)的適當(dāng) 強(qiáng)度。奇偶性數(shù)據(jù)（ECC)的強(qiáng)度越低，一般碼字內(nèi)的ECC的覆蓋區(qū)越小，而ECC的強(qiáng)度越高， 一般碼字內(nèi)的ECC的覆蓋區(qū)越大。
[0030] 在一些實(shí)施例中，碼字的整體尺寸保持在恒定值，從而對(duì)于較低強(qiáng)度的ECC方案， 更多的用戶數(shù)據(jù)有效載荷存儲(chǔ)在每個(gè)碼字中，而對(duì)于較高強(qiáng)度的ECC方案，較少的用戶數(shù) 據(jù)有效載荷存儲(chǔ)在每個(gè)碼字中。這種方法可以將整數(shù)數(shù)量η的碼字存儲(chǔ)到存儲(chǔ)單元的每一 行，諸如每個(gè)頁面十六個(gè)碼字（η = 16)。
[0031] 在其他實(shí)施例中，在每個(gè)碼字中的用戶數(shù)據(jù)有效載荷的總尺寸被保持在恒定值， 以便隨著實(shí)施較高強(qiáng)度的ECC方案，碼字變得較大。在后一種情況下，取決于行和碼字的相 對(duì)尺寸，碼字可以跨越存儲(chǔ)器單元的多個(gè)行。
[0032] 元數(shù)據(jù)被產(chǎn)生并用于跟蹤相應(yīng)碼字的位置和狀態(tài)。誤碼率（BER)、編程/擦除（PE) 計(jì)數(shù)和其他性能參數(shù)被累積并用于為不同位置選擇合適的碼字?？梢栽O(shè)想，盡管不是必需 的，損耗均衡會(huì)被執(zhí)行，以便閃存存儲(chǔ)器中的所有存儲(chǔ)器塊具有基本類似數(shù)量的PE計(jì)數(shù) (更一般地，存取操作）。在這樣的情況下，ECC強(qiáng)度中的逐級(jí)變化（新編碼索引）可以在 全局實(shí)施。然而，在其他情況下，不同的存儲(chǔ)單元可在不同的時(shí)間使用不同的編碼索引。
[0033] 開始瀏覽圖1可理解各種實(shí)施例的這些和其他特征，其提供了具有控制器102和 固態(tài)存儲(chǔ)器模塊104的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備100的簡(jiǎn)化框圖。控制器102可以是基于硬件的或可 編程的處理器。存儲(chǔ)器模塊104可以采取各種形式。為了提供具體的例子，設(shè)備100將考 慮為包括固態(tài)驅(qū)動(dòng)器（SSD)，以及存儲(chǔ)器模塊104將包括閃速存儲(chǔ)器。其他構(gòu)造可以被使 用。
[0034] 模塊104的閃速存儲(chǔ)器包含各個(gè)閃速存儲(chǔ)單元106,如圖2所示。圖2中的閃速 存儲(chǔ)器單元被配置為NAND配置，以便單元的列108經(jīng)由位線（BL) 110連接，以及單元的行 112通過字線（WL) 114連接。
[0035] 每個(gè)閃存存儲(chǔ)單元106采用N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET)的 一般形式，具有漏極、源極和控制柵極端子。每個(gè)單元包括隔離的浮柵結(jié)構(gòu)，其經(jīng)由BL和WL 控制線110、114在編程（寫入）操作期間將通過適當(dāng)電壓的所選擇應(yīng)用的電荷累積到各個(gè) 漏極、源極和控制柵極端子。擦除（擦）操作從單元分組的浮動(dòng)?xùn)沤Y(jié)構(gòu)去除電荷并使單元 返回到初始擦除狀態(tài)。
[0036] 在最初的擦除狀態(tài)，在沒有施加電壓到控制柵極的情況下，單元通常傾向于在中 間通道顯示出漏極-源極導(dǎo)通。一旦電荷已經(jīng)積累在浮置柵極，漏極-源極路徑將是不導(dǎo) 通的，除非具有足夠高的柵極控制電壓被施加到控制柵極，在該點(diǎn)單元變成導(dǎo)通。該單元的 編程狀態(tài)可通過感測(cè)允許漏極-源極電流流經(jīng)單元所需用的控制柵極電壓電平來確定，其 通常關(guān)聯(lián)于浮置柵極上的積累電荷量。
[0037] 存儲(chǔ)器單元106可以被配置為單層單元（SLC)或者多層單元（MLC)。一個(gè)SLC存 儲(chǔ)單個(gè)位；常見的慣例是分配邏輯位值1到擦除單元（基本沒有積累的電荷）和邏輯位值 0到編程單元（存在積累電荷的選定閾值）。MLC存儲(chǔ)多位，諸如兩位。一般來說，可以用2 n 個(gè)存儲(chǔ)狀態(tài)存儲(chǔ)η位。常見的慣例是分配多位邏輯值11到具有電荷CO的擦除單元（基本 上沒有積累電荷），然后順序地分配剩余的多位邏輯值01、〇〇和10到越來越高的電荷水平 CI、C2 和 C3〇
[0038] 存儲(chǔ)單元可以被分成擦除塊120,如在圖3和4中描繪。每個(gè)擦除塊120可以是存 儲(chǔ)器的獨(dú)立可尋址的塊并表示可以同時(shí)被擦除的存儲(chǔ)器的最小單元。每個(gè)擦除塊120可以 被配置成存儲(chǔ)器單元的多個(gè)行122,每行共享共同的字線（圖2)并容納所選擇的用戶數(shù)據(jù) 的存儲(chǔ)量。當(dāng)需要時(shí)，也可以使用其他內(nèi)部配置和單元的互連。一個(gè)示例性的擦除塊尺寸 是按照，分為128行的8192個(gè)字節(jié)（B)。其他尺寸都可以使用。
[0039] 塊級(jí)磨損均勻化可以被采用以跟蹤各種塊120的擦除和寫入狀態(tài)。當(dāng)需用容納新 接收的數(shù)據(jù)時(shí)，新的塊將被分配用于使用。在一些實(shí)施例中，塊120的分組被累積到較大的 碎片收集單元（GCU) 124,其作為單元被分配、使用和擦除。GCU 124可采取任何合適的尺 寸。
[0040] 圖4進(jìn)一步顯示讀/寫/擦除（R/W/E)電路126,它可以形成存儲(chǔ)器模塊104(圖 1)的部分。R/W/E電路126包括各種列和行解碼器、驅(qū)動(dòng)器、傳感器等，以使系統(tǒng)能夠?qū)?shù)據(jù) 寫入到相應(yīng)的擦除塊122。在一些實(shí)施例中，數(shù)據(jù)的一整行被一次寫入（例如，8192B等）， 并且數(shù)據(jù)的一整行可被一次讀回。這種數(shù)據(jù)塊被稱為頁。
[0041] 元數(shù)據(jù)可以在設(shè)備運(yùn)行期間被加載到本地存儲(chǔ)器128,供R/W/E電路126使用。元 數(shù)據(jù)通常描述存儲(chǔ)器104中數(shù)據(jù)的位置，以及提供其他控制信息，諸如性能參數(shù)、累積計(jì)數(shù) 等等。元數(shù)據(jù)使得從在主機(jī)級(jí)別使用的邏輯地址（諸如邏輯塊地址，LBA)轉(zhuǎn)換為在存儲(chǔ)器 模塊級(jí)別使用的物理地址（諸如物理塊地址，PBA)。
[0042] 每當(dāng)提供給定的LBA集合用于存儲(chǔ)到存儲(chǔ)器模塊104時(shí)，R/W/E電路126將數(shù)據(jù) 寫入到新的位置，以及LBA的舊版本被標(biāo)記為過時(shí)。前進(jìn)指針將被添加到元數(shù)據(jù)，以使得R/ W/E電路126能在隨后的讀操作期間定位數(shù)據(jù)的最新版本。一旦給定GCU中足夠的數(shù)據(jù)量 是陳舊的，碎片收集操作可被執(zhí)行以將剩余當(dāng)前數(shù)據(jù)迀移到新地點(diǎn)，擦除在GCU中的擦除 塊并返回GCU到分配池有待后續(xù)分配，以用于新數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。
[0043] 圖4進(jìn)一步顯示碼字（CW)控制電路130。CW控制電路130操作以建立適用的碼 字計(jì)劃（編碼索引），用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)到存儲(chǔ)器模塊104?？梢灶A(yù)期的是至少一部分的CW控 制電路130將被并入控制器102 (圖1)中，雖然這樣不是必需的。
[0044] 圖5表示由圖4的CW控制電路130建立的碼字的示例性格式。在圖5中，一共有 N個(gè)碼字132 (CW 1至CW N)被存儲(chǔ)到每行122 (圖3)。每一行具有A字節(jié)⑶的行長(zhǎng)度， 以及每個(gè)碼字具有X字節(jié)的碼字長(zhǎng)度，因此X = A/N。每個(gè)碼字132包括用戶數(shù)據(jù)有效載荷 134 (K字節(jié)）和奇偶性數(shù)據(jù)136 (R字節(jié)，因此X = K+R)。在圖5的例子中，碼字長(zhǎng)度X被設(shè) 置為固定值，在設(shè)備100的整個(gè)操作壽命期間對(duì)所有碼字保持該值。
[0045] 諸如104的一些閃速存儲(chǔ)器沿每一行122(圖3)提供有用戶數(shù)據(jù)區(qū)域和關(guān)聯(lián)的 ECC區(qū)域。ECC區(qū)域被設(shè)計(jì)為容納ECC數(shù)據(jù)，以糾正在用戶數(shù)據(jù)區(qū)中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。一個(gè)目前 使用的配置提供8192B的用戶數(shù)據(jù)區(qū)和1024字節(jié)的ECC數(shù)據(jù)區(qū)。因?yàn)橛脩魯?shù)據(jù)區(qū)和ECC 數(shù)據(jù)區(qū)都可用于存儲(chǔ)碼字132,這提供了 9216B(A = 8192B+1024B)的總的行長(zhǎng)度。假設(shè)總 共16個(gè)碼字被提供給各行（頁），則碼字長(zhǎng)度也可以指定為1152B(X = 1152B)。
[0046] 如在圖6中所示，有效載荷（K字節(jié)）和奇偶性數(shù)據(jù)（R字節(jié)）的相對(duì)尺寸可以變 化。更具體地說，圖6示出六（6)個(gè)不同的碼字方案，稱為編碼索引（CI-1至CI-6)。其它 的配置也可以被使用。該編碼索引的范圍從低強(qiáng)度ECC方案（CI-I)到高強(qiáng)度的ECC方案 (CI-6)〇
[0047] 如圖6所示，奇偶性數(shù)據(jù)的尺寸（圖5的R字節(jié)）范圍可以從48B到112B，以及用 戶數(shù)據(jù)有效載荷的尺寸（圖5的K字節(jié)）范圍可以從1104B到1040B。在每一種情況下，碼 字的總尺寸保持恒定在1152B。當(dāng)ECC強(qiáng)度增加時(shí)，奇偶性數(shù)據(jù)的覆蓋區(qū)增加，以及用戶數(shù) 據(jù)有效載荷的覆蓋區(qū)減少。碼率（CR)可以被定義為：
[0048]
【權(quán)利要求】
1. 一種裝置，包括： 固態(tài)非易失性存儲(chǔ)器；以及 處理電路，經(jīng)配置將數(shù)據(jù)以多位碼字的形式寫入所述存儲(chǔ)器的選定位置，每個(gè)碼字包 括用戶數(shù)據(jù)有效載荷和相關(guān)的奇偶性數(shù)據(jù)，所述奇偶性數(shù)據(jù)用于校正所述用戶數(shù)據(jù)有效載 荷中的一個(gè)或多個(gè)位錯(cuò)誤，其中響應(yīng)于對(duì)所選位置的訪問操作的累積數(shù)量或與所選位置相 關(guān)聯(lián)的錯(cuò)誤率中的至少所選一個(gè)，所述處理電路調(diào)整碼字的尺寸、用戶數(shù)據(jù)有效載荷的尺 寸或奇偶性數(shù)據(jù)的尺寸中的至少所選一個(gè)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述存儲(chǔ)器被布置成多個(gè)擦除塊，每個(gè)存儲(chǔ)塊包 括存儲(chǔ)器單元的多個(gè)行，每行具有選定的數(shù)據(jù)容量，其中所述處理電路存儲(chǔ)整數(shù)的碼字到 每一行。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述處理電路將第一組數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在第一組碼字中 并將第二組數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在第二組碼字中，所述第一組碼字具有用戶數(shù)據(jù)有效載荷與奇偶性數(shù) 據(jù)的第一比例，所述第二組碼字具有用戶數(shù)據(jù)有效載荷與奇偶性數(shù)據(jù)的不同的第二比例， 其中在各個(gè)第一和第二組碼字中的每個(gè)碼字具有共同的整體長(zhǎng)度。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述處理電路將第一組數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在第一組碼字中 并將第二組數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在第二組碼字中，所述第一組碼字具有用戶數(shù)據(jù)有效載荷與奇偶性數(shù) 據(jù)的第一比例，所述第二組碼字具有用戶數(shù)據(jù)有效載荷與奇偶性數(shù)據(jù)的不同的第二比例， 其中在各個(gè)第一和第二組碼字中的每個(gè)碼字具有用戶數(shù)據(jù)有效載荷的共同整體數(shù)量的位。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述處理電路將第一組數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在第一組碼字中 并將第二組數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在第二組碼字中，所述第一組碼字具有用戶數(shù)據(jù)有效載荷與奇偶性數(shù) 據(jù)的第一比例，所述第二組碼字具有用戶數(shù)據(jù)有效載荷與奇偶性數(shù)據(jù)的不同的第二比例， 其中在各個(gè)第一和第二組碼字中的每個(gè)碼字具有奇偶性數(shù)據(jù)的共同整體數(shù)量的位。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述處理電路進(jìn)一步包括誤碼率（BER)測(cè)量電路， 所述誤碼率（BER)測(cè)量電路在對(duì)所選擇的存儲(chǔ)器位置的讀回期間測(cè)量BER，并且其中所述 處理電路響應(yīng)于所測(cè)量的BER來調(diào)整碼字的尺寸、用戶數(shù)據(jù)有效載荷的尺寸或奇偶性數(shù)據(jù) 的尺寸中的至少所選一個(gè)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述存儲(chǔ)器包含閃速存儲(chǔ)器，所述閃速存儲(chǔ)器具 有沿著擦除塊中存儲(chǔ)單元行的多個(gè)數(shù)量的A個(gè)存儲(chǔ)單元，以及其中所述處理電路存儲(chǔ)多個(gè) 數(shù)量的N個(gè)碼字到所選行的A個(gè)存儲(chǔ)單元，N個(gè)碼字的每一個(gè)具有共同的位長(zhǎng)度。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中沿所選行的A個(gè)存儲(chǔ)器單元被配置為多級(jí)單元 (MLC)，其將第一頁和第二頁數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到相同的單元，其中所述第一頁面包括第一組碼字， 每個(gè)碼字具有第一總數(shù)的奇偶性數(shù)據(jù)位，并且所述第二頁面包含第二組碼字，每個(gè)碼字具 有不同的第二總數(shù)的奇偶性數(shù)據(jù)位。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，響應(yīng)于與所選擇的位置相關(guān)的相對(duì)低的訪問計(jì) 數(shù)，所述處理電路將第一輸入數(shù)據(jù)配置成具有在奇偶性數(shù)據(jù)中的第一、相對(duì)低的錯(cuò)誤校正 碼（ECC)強(qiáng)度的碼字，并且其中響應(yīng)于與所選擇的位置相關(guān)聯(lián)的相對(duì)高的訪問計(jì)數(shù)，所述 處理電路隨后將第二輸入數(shù)據(jù)配置成具有在奇偶性數(shù)據(jù)中的第二、相對(duì)高的ECC強(qiáng)度的碼 字。
10. -種裝置，包括： 閃存存儲(chǔ)器模塊，包括排列成行和列的非易失性閃存存儲(chǔ)器單元的陣列，所述閃速存 儲(chǔ)器單元進(jìn)一步布置成在擦除操作期間每個(gè)可單獨(dú)擦除的擦除塊，每個(gè)擦除塊包括多個(gè) 行，每行具有多個(gè)的A個(gè)單元；以及 處理電路，經(jīng)配置以響應(yīng)于來自主機(jī)設(shè)備的輸入數(shù)據(jù)，將輸入數(shù)據(jù)配置為多個(gè)碼字以 存儲(chǔ)到所選擦除塊的選定行，每個(gè)碼字包括K字節(jié)的用戶數(shù)據(jù)有效載荷和R字節(jié)的關(guān)聯(lián)奇 偶性數(shù)據(jù)，相關(guān)聯(lián)的奇偶性數(shù)據(jù)經(jīng)配置以校正用戶數(shù)據(jù)有效載荷中直達(dá)所選數(shù)量的錯(cuò)誤， 其中，響應(yīng)于與所選行相關(guān)聯(lián)的訪問操作的累積數(shù)量或與所選行相關(guān)聯(lián)的所測(cè)量誤碼率 (BER)中的至少所選一個(gè)，所述處理電路選擇各個(gè)K和R字節(jié)值。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述處理電路存儲(chǔ)第一組數(shù)據(jù)到第一所選行作 為第一組碼字，并存儲(chǔ)第二組數(shù)據(jù)到不同的第二所選行作為第二組碼字，所述第一組碼字 具有用戶數(shù)據(jù)有效載荷與奇偶性數(shù)據(jù)的第一比例，所述第二組碼字具有用戶數(shù)據(jù)有效載荷 與奇偶性數(shù)據(jù)的不同的第二比例，其中在各個(gè)第一和第二組碼字中的每個(gè)碼字具有共同的 整體長(zhǎng)度。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述處理電路存儲(chǔ)第一組數(shù)據(jù)到第一所選行作 為第一組碼字，并存儲(chǔ)第二組數(shù)據(jù)到不同的第二所選行作為第二組碼字，所述第一組碼字 具有用戶數(shù)據(jù)有效載荷與奇偶性數(shù)據(jù)的第一比例，所述第二組碼字具有用戶數(shù)據(jù)有效載荷 與奇偶性數(shù)據(jù)的不同的第二比例，其中在各個(gè)第一和第二組碼字中的每個(gè)碼字具有用戶數(shù) 據(jù)有效載荷的公共整體數(shù)量的位。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述處理電路存儲(chǔ)第一組數(shù)據(jù)到第一選擇行作 為第一組碼字并存儲(chǔ)第二組數(shù)據(jù)到不同的第二所選行作為第二組碼字，所述第一組碼字具 有用戶數(shù)據(jù)有效載荷與奇偶性數(shù)據(jù)的第一比例，所述第二組碼字具有用戶數(shù)據(jù)有效載荷與 奇偶性數(shù)據(jù)的不同的第二比例，其中在各個(gè)第一和第二組碼字中的每個(gè)碼字具有奇偶性數(shù) 據(jù)的共同整體數(shù)量的位。
14. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述處理電路進(jìn)一步包括誤碼率（BER)測(cè)量電 路，其在對(duì)所選擇的存儲(chǔ)器位置的讀回期間測(cè)量BER，并且其中所述處理電路響應(yīng)于所測(cè)量 的BER來調(diào)整碼字的尺寸、用戶數(shù)據(jù)有效載荷的尺寸或奇偶性數(shù)據(jù)的尺寸中的至少所選一 個(gè)。
15. -種方法，包括： 將固態(tài)非易失性存儲(chǔ)器配置成多個(gè)存儲(chǔ)器位置； 確定對(duì)所選擇的存儲(chǔ)位置的訪問操作的累計(jì)數(shù)； 測(cè)量與所選擇的存儲(chǔ)位置相關(guān)聯(lián)的錯(cuò)誤率；以及 以多位碼字的形式將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器的選定位置，每個(gè)碼字包括用戶數(shù)據(jù)有效載荷和 相關(guān)聯(lián)的奇偶性數(shù)據(jù)，所述奇偶性數(shù)據(jù)被配置用于校正用戶數(shù)據(jù)有效載荷中的至少一個(gè)位 錯(cuò)誤，其中響應(yīng)于訪問操作的累積數(shù)量或和測(cè)量的錯(cuò)誤率中的至少所選一個(gè)，選擇碼字的 尺寸、用戶數(shù)據(jù)有效載荷的尺寸或奇偶性數(shù)據(jù)的尺寸中的至少所選一個(gè)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述存儲(chǔ)器被配置成多個(gè)擦除塊，每個(gè)擦除塊 包括存儲(chǔ)器單元的多個(gè)行，每行具有選定的數(shù)據(jù)容量，并且其中整數(shù)數(shù)量的碼字被寫入到 每行。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中寫入步驟包括：將第一組數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在第一組碼 字中并將第二組數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在第二組碼字中，所述第一組碼字具有用戶數(shù)據(jù)有效載荷與奇偶 性數(shù)據(jù)的第一比例，所述第二組碼字具有用戶數(shù)據(jù)有效載荷與奇偶性數(shù)據(jù)的不同的第二比 例，其中在各個(gè)第一和第二組碼字中的每個(gè)碼字具有共同的整體長(zhǎng)度。
18. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中寫入步驟包括：將第一組數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在第一組碼 字中并將第二組數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在第二組碼字中，所述第一組碼字具有用戶數(shù)據(jù)有效載荷與奇偶 性數(shù)據(jù)的第一比例，所述第二組碼字具有用戶數(shù)據(jù)有效載荷與奇偶性數(shù)據(jù)的不同的第二比 例，其中在各個(gè)第一和第二組碼字中的每個(gè)碼字具有用戶數(shù)據(jù)有效載荷的共同的整體數(shù)量 的位。
19. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中寫入步驟包括：將第一組數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在第一組碼 字中并將第二組數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在第二組碼字中，所述第一組碼字具有用戶數(shù)據(jù)有效載荷與奇偶 性數(shù)據(jù)的第一比例，所述第二組碼字具有用戶數(shù)據(jù)有效載荷與奇偶性數(shù)據(jù)的不同的第二比 例，其中在各個(gè)第一和第二組碼字中的每個(gè)碼字具有奇偶性數(shù)據(jù)的共同整體數(shù)量的位。
20. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，針對(duì)存儲(chǔ)到所選存儲(chǔ)位置的隨后數(shù)據(jù)來調(diào)整 碼字的尺寸、用戶數(shù)據(jù)有效載荷的尺寸和奇偶性數(shù)據(jù)的尺寸中的每一個(gè)，并同時(shí)在所選存 儲(chǔ)位置保持整數(shù)的所述碼字。
【文檔編號(hào)】G11C16/16GK104517649SQ201410667384
【公開日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2014年9月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月12日
【發(fā)明者】A·帕塔波蒂安, R·J·高斯, M·A·蓋爾特納, B·D·布赫, A·斯德哈蘭 申請(qǐng)人:希捷科技有限公司