Nand-flash燒錄拷貝電路及Nand-flash燒錄設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種Nand-flash燒錄拷貝電路及Nand-flash燒錄設(shè)備，該Nand-flash燒錄拷貝電路包括電源輸入端及分別與電源輸入端連的MCU、源Nand-flash和至少一個(gè)目標(biāo)Nand-flash，MCU讀取源Nand-flash中的數(shù)據(jù)，并將讀取到的數(shù)據(jù)寫(xiě)入到目標(biāo)Nand-flash中。本實(shí)用新型的Nand-flash燒錄拷貝電路及Nand-flash燒錄設(shè)備，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、器件少，成本低，降低了數(shù)字電視開(kāi)發(fā)調(diào)試、生產(chǎn)和維修的成本；并且體積小，操作、攜帶方便且適用于手持操作。Nand-flash燒錄拷貝的同時(shí)就完成了頻道預(yù)置用戶數(shù)據(jù)一起拷貝，省去了做頻道預(yù)置用戶數(shù)據(jù)調(diào)整的工位，減少了Nand-flash的生產(chǎn)工序，降低了成本，提高了生產(chǎn)效率。
【專利說(shuō)明】Nand-f I ash燒錄拷貝電路及Nand-f I ash燒錄設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電子【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種Nand-flash燒錄拷貝電路及Nand-flash燒錄設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著數(shù)字電視技術(shù)在近十幾年的發(fā)展，數(shù)字電視的功能越來(lái)越豐富。存儲(chǔ)器的容量也隨之增大，Nand-flash作為flash內(nèi)存的一種，在電視機(jī)軟硬件系統(tǒng)中占據(jù)越來(lái)越重要的地位，數(shù)字電視的操作系統(tǒng)、應(yīng)用軟件、相關(guān)參數(shù)數(shù)據(jù)等都以Nand-flash為存儲(chǔ)載體。軟件工程師編寫(xiě)的代碼最后也都要轉(zhuǎn)換成二進(jìn)制數(shù)據(jù)固化到Nand-flash上。目前，將程序固化到Nand-flash上可以通過(guò)燒錄器燒錄，也可以采用在線編程器或應(yīng)用編程器的方式。
[0003]但是由于在線編程器和應(yīng)用編程器方式都需要基于嵌入式系統(tǒng)上實(shí)現(xiàn)對(duì)Nand-flash的程序燒錄，操作復(fù)雜、不方便，因此，這種采用在線編程器或應(yīng)用編程器的方式通常不被數(shù)字電視廠商所采納；而采用燒錄器可以直接燒錄空的Nand-f lash，所以在電視開(kāi)發(fā)調(diào)試、生產(chǎn)和維修時(shí)，數(shù)字電視廠商通常采用的是通過(guò)燒錄器燒錄方式將數(shù)據(jù)固化到Nand-flash上,然而，由于燒錄器的價(jià)格高，導(dǎo)致生產(chǎn)、維修和開(kāi)發(fā)調(diào)試的成本過(guò)高，并且通過(guò)燒錄器燒錄后的Nand-flash還需在相應(yīng)的工位做頻道預(yù)置用戶數(shù)據(jù)調(diào)整，工序麻煩，生產(chǎn)效率低。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型的主要目的為提供一種成本低、體積小、操作方便且生產(chǎn)效率高的Nand-flash燒錄拷貝電路及Nand-flash燒錄設(shè)備。
[0005]本實(shí)用新型提出一種Nand-flash燒錄拷貝電路，包括電源輸入端及分別與所述電源輸入端連的MCU、源Nand-flash和至少一個(gè)目標(biāo)Nand-flash,所述MCU讀取所述源Nand-flash中的數(shù)據(jù),并將讀取到的數(shù)據(jù)寫(xiě)入到所述目標(biāo)Nand-flash中,其中，
[0006]所述MCU的數(shù)據(jù)傳輸口分別對(duì)應(yīng)連接所述源Nand-flash的數(shù)據(jù)接口和所述目標(biāo)Nand-flash的數(shù)據(jù)接口 ；
[0007]所述MCU的第一啟動(dòng)控制端連接所述源Nand-flash的啟動(dòng)端,所述MCU的第二啟動(dòng)控制端連接所述目標(biāo)Nand-flash的啟動(dòng)端；
[0008]所述MCU的第一使能控制端連接所述源Nand-f I ash的寫(xiě)使能端和所述目標(biāo)Nand-flash的寫(xiě)使能端,所述MCU的第二使能控制端連接所述源Nand-flash的讀使能端和所述目標(biāo)Nand-flash的讀使能端；
[0009]所述MCU的指令鎖存使能控制端連接所述源Nand-flash的指令鎖存使能端和所述目標(biāo)Nand-flash的指令鎖存使能端；
[0010]所述MCU的地址鎖存使能控制端連接所述源Nand-flash的地址鎖存使能端和所述目標(biāo)Nand-flash的地址鎖存使能端；
[0011]所述MCU的就緒/忙控制接口連接所述源Nand-flash的就緒/忙接口和所述目標(biāo)Nand-flash的就緒/忙接口。
[0012]優(yōu)選地，還包括發(fā)光二極管，所述MCU的提示接口端連接所述發(fā)光二極管的正極，所述發(fā)光二極管的負(fù)極經(jīng)一電阻接地。
[0013]優(yōu)選地，所述MCU為宏晶STC15W4K60S4芯片。
[0014]優(yōu)選地，所述源Nand-flash為多個(gè)，所述MCU的第一啟動(dòng)控制端的數(shù)量與所述源Nand-flash的數(shù)量相同并——對(duì)應(yīng)，所述MCU的各個(gè)第一啟動(dòng)控制端與對(duì)應(yīng)的源Nand-flash的啟動(dòng)端對(duì)應(yīng)連接。
[0015]本實(shí)用新型進(jìn)一步提出一種Nand-flash燒錄設(shè)備,包括如上所述的Nand-flash燒錄拷貝電路。
[0016]本實(shí)用新型的Nand-flash燒錄拷貝電路及Nand-flash燒錄設(shè)備，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、器件少，成本低，降低了數(shù)字電視開(kāi)發(fā)調(diào)試、生產(chǎn)和維修的成本；并且體積小，操作、攜帶方便且適用于手持操作。同時(shí)，Nand-flash燒錄拷貝電路將已燒錄好的Nand-flash (也就是源Nand-flash)中的數(shù)據(jù)完全拷貝到空的Nand-flash (也就是目標(biāo)Nand-f lash)中，頻道預(yù)置用戶數(shù)據(jù)一起拷貝，省去了做頻道預(yù)置用戶數(shù)據(jù)調(diào)整的工位，減少了 Nand-flash的生產(chǎn)工序，降低了成本，提高了生產(chǎn)效率。目標(biāo)Nand-flash可以為多個(gè)，可實(shí)現(xiàn)一次性燒錄多個(gè)目標(biāo)Nand-flash,更進(jìn)一步提高了燒錄效率。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1是本實(shí)用新型Nand-f Iash燒錄拷貝電路較佳實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]本實(shí)用新型目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例，參照附圖做進(jìn)一步說(shuō)明。
【具體實(shí)施方式】
[0019]應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0020]如圖1所示，圖1為本實(shí)用新型Nand-flash燒錄拷貝電路較佳實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]該實(shí)施例提出的Nand-flash燒錄拷貝電路，包括電源輸入端DVCC及分別與電源輸入端DVCC連的MCU10、源Nand-f lash20和至少一個(gè)目標(biāo)Nand-f lash30，電源輸入端DVCC為 MCUlO、源 Nand-flash20 和目標(biāo) Nand-flash30 供電。MCUlO 讀取源 Nand-flash20 中的數(shù)據(jù)，并將讀取到的數(shù)據(jù)寫(xiě)入到目標(biāo)Nand-flash30中，其中:
[0022]MCUlO的數(shù)據(jù)傳輸口 11分別對(duì)應(yīng)連接源Nand_flash20的數(shù)據(jù)接口 21和目標(biāo)Nand-flash30的數(shù)據(jù)接口 31 ；MCU10的第一啟動(dòng)控制端12連接源Nand-flash20的啟動(dòng)端22，MCUlO的第二啟動(dòng)控制端13連接目標(biāo)Nand-flash30的啟動(dòng)端32 ；
[0023]MCUlO的第一使能控制端14連接源Nand-f lash20的寫(xiě)使能端23和目標(biāo)Nand-f lash30的寫(xiě)使能端33，MCUlO的第二使能控制端15連接源Nand-f lash20的讀使能端24和目標(biāo)Nand-f lash30的讀使能端34 ；
[0024]MCUlO的指令鎖存使能控制端16連接源Nand-f lash20的指令鎖存使能端25和目標(biāo)Nand-f lash30的指令鎖存使能端35 ；
[0025]MCUlO的地址鎖存使能控制端17連接源Nand-f lash20的地址鎖存使能端26和目標(biāo)Nand-f lash30的地址鎖存使能端36 ；
[0026]MCUlO的就緒/忙控制接口 18連接源Nand-f lash20的就緒/忙接口 27和目標(biāo)Nand-f lash30 的就緒 / 忙接口 37。
[0027]Nand-flash的各個(gè)信號(hào)端口的功能介紹:
[0028]啟動(dòng)端:如果沒(méi)有檢測(cè)到啟動(dòng)信號(hào)，則Nand-flash就保持待機(jī)模式，不對(duì)任何控制信號(hào)做出響應(yīng)，即Nand-flash的其他端口都不工作響應(yīng)；
[0029]寫(xiě)使能端:負(fù)責(zé)將數(shù)據(jù)、地址或指令寫(xiě)入Nand-flash中；
[0030]讀使能端:允許輸出數(shù)據(jù)緩沖器；
[0031]指令鎖存使能端:當(dāng)為高電平時(shí)，在寫(xiě)使能端的時(shí)序信號(hào)為上升沿時(shí)，指令被鎖存到Nand-flash的指令寄存器中；
[0032]地址鎖存使能端:當(dāng)為高電平時(shí)，在寫(xiě)使能端的時(shí)序信號(hào)為上升沿時(shí)，地址被鎖存到Nand-flash的地址寄存器中；
[0033]就緒/忙接口:在Nand-flash忙時(shí)，則就緒/忙信號(hào)將變?yōu)榈碗娖健?br> [0034]本實(shí)施例的Nand-flash燒錄拷貝電路的工作流程為=MCUlO上電完成初始化后，MCUlO第一啟動(dòng)控制端12置高電平以選中源Nand-flash20，MCUlO發(fā)出讀命令和讀取地址，讀取源Nand-flash20 —頁(yè)的數(shù)據(jù)到MCUlO的內(nèi)部RAM中。然后MCUlO的第一啟動(dòng)控制端12置低電平以使源Nand-flash20待機(jī)，且MCUlO的第二啟動(dòng)控制13端置高電平以選中目標(biāo)Nand-flash30，MCUlO發(fā)出寫(xiě)命令和寫(xiě)入地址，將MCUlO讀取到的數(shù)據(jù)寫(xiě)入到目標(biāo)Nand-f lash30對(duì)應(yīng)的地址中。MCUlO判斷是否讀取到源Nand-f lash20的最后一頁(yè)，若否，則繼續(xù)讀取下一頁(yè)數(shù)據(jù)，并重復(fù)寫(xiě)入操作；若是，則結(jié)束讀取，說(shuō)明已將源Nand-flash20中的所有數(shù)據(jù)全部拷貝到目標(biāo)Nand-flash30中，即完成目標(biāo)Nand-flash30的燒錄。
[0035]本實(shí)施例的Nand-flash燒錄拷貝電路，MCUlO優(yōu)選采用宏晶STC15W4K60S4芯片，當(dāng)然MCUlO還可以采用具有相同的作用的其他芯片，并不僅僅局限于宏晶STC15W4K60S4芯片。
[0036]本實(shí)施例提出的Nand-flash燒錄拷貝電路，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、器件少，成本低，降低了數(shù)字電視開(kāi)發(fā)調(diào)試、生產(chǎn)和維修的成本；而且體積小，操作、攜帶方便且適用于手持操作。同時(shí)，本實(shí)施例的Nand-flash燒錄拷貝電路將已燒錄好的Nand-flash (也就是源Nand-flash20)中的數(shù)據(jù)完全拷貝到空的Nand-flash (也就是目標(biāo)Nand-flash30)中，頻道預(yù)置用戶數(shù)據(jù)一起拷貝，省去了做頻道預(yù)置用戶數(shù)據(jù)調(diào)整的工位，減少了 Nand-flash的生產(chǎn)工序，降低了成本，提高了生產(chǎn)效率。本實(shí)施例的目標(biāo)Nand-flash30可以為多個(gè)，可實(shí)現(xiàn)一次性燒錄多個(gè)目標(biāo)Nand-f lash30,更進(jìn)一步提高了燒錄效率。
[0037]進(jìn)一步地，本實(shí)施例的Nand-flash燒錄拷貝電路還包括發(fā)光二極管LED，MCUlO的提示接口端19連接發(fā)光二極管LED的正極，發(fā)光二極管LED的負(fù)極經(jīng)一電阻Rl接地。MCUlO在目標(biāo)Nand-f lash30拷貝完成后控制發(fā)光二極管LED導(dǎo)通發(fā)光以提示用戶目標(biāo)Nand-f lash30 拷貝完成。
[0038]進(jìn)一步地，本實(shí)施例的Nand-flash燒錄拷貝電路，源Nand_flash20可以為多個(gè)，MCUlO的第一啟動(dòng)控制端12的數(shù)量與源Nand-flash20的數(shù)量相同并——對(duì)應(yīng)，MCUlO的各個(gè)第一啟動(dòng)控制端12與對(duì)應(yīng)的源Nand-flash20的啟動(dòng)端22對(duì)應(yīng)連接。各個(gè)源Nand-flash20為不同型號(hào)數(shù)字電視產(chǎn)品內(nèi)的Nand-f lash,本實(shí)施例的Nand-f Iash燒錄拷貝電路集成不同型號(hào)數(shù)字電視產(chǎn)品內(nèi)的Nand-f lash，MCUlO根據(jù)目標(biāo)Nand-f lash30所需拷貝的型號(hào)，控制相應(yīng)的源Nand-flash20的啟動(dòng)端22工作進(jìn)行拷貝，使得Nand-flash燒錄拷貝電路在開(kāi)發(fā)調(diào)試、生產(chǎn)和維修中更通用。
[0039]本實(shí)用新型進(jìn)一步提出一種Nand-flash燒錄設(shè)備,包括Nand-flash燒錄拷貝電路，該Nand-flash燒錄拷貝電路可包括上述任一實(shí)施例中的技術(shù)方案，其詳細(xì)結(jié)構(gòu)可參照上述實(shí)施例和圖1，在此不作贅述。
[0040]以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種Nand-flash燒錄拷貝電路，其特征在于，包括電源輸入端及分別與所述電源輸入端連的MCU、源Nand-flash和至少一個(gè)目標(biāo)Nand-flash,所述MCU讀取所述源Nand-flash中的數(shù)據(jù),并將讀取到的數(shù)據(jù)寫(xiě)入到所述目標(biāo)Nand-flash中,其中， 所述MCU的數(shù)據(jù)傳輸口分別對(duì)應(yīng)連接所述源Nand-f I ash的數(shù)據(jù)接口和所述目標(biāo)Nand-flash的數(shù)據(jù)接口 ； 所述MCU的第一啟動(dòng)控制端連接所述源Nand-flash的啟動(dòng)端，所述MCU的第二啟動(dòng)控制端連接所述目標(biāo)Nand-flash的啟動(dòng)端； 所述MCU的第一使能控制端連接所述源Nand-flash的寫(xiě)使能端和所述目標(biāo)Nand-flash的寫(xiě)使能端,所述MCU的第二使能控制端連接所述源Nand-flash的讀使能端和所述目標(biāo)Nand-flash的讀使能端； 所述MCU的指令鎖存使能控制端連接所述源Nand-flash的指令鎖存使能端和所述目標(biāo)Nand-flash的指令鎖存使能端； 所述MCU的地址鎖存使能控制端連接所述源Nand-flash的地址鎖存使能端和所述目標(biāo)Nand-flash的地址鎖存使能端； 所述MCU的就緒/忙控制接口連接所述源Nand-flash的就緒/忙接口和所述目標(biāo)Nand-flash的就緒/忙接口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Nand-flash燒錄拷貝電路，其特征在于，還包括發(fā)光二極管，所述MCU的提示接口端連接所述發(fā)光二極管的正極，所述發(fā)光二極管的負(fù)極經(jīng)一電阻接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的Nand-flash燒錄拷貝電路，其特征在于，所述MCU為宏晶STC15W4K60S4 芯片。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的Nand-flash燒錄拷貝電路，其特征在于，所述源Nand-f Iash為多個(gè)，所述MCU的第一啟動(dòng)控制端的數(shù)量與所述源Nand-f Iash的數(shù)量相同并——對(duì)應(yīng)，所述MCU的各個(gè)第一啟動(dòng)控制端與對(duì)應(yīng)的源Nand-flash的啟動(dòng)端對(duì)應(yīng)連接。
5.—種Nand-flash燒錄設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求1_4中任一項(xiàng)所述的Nand-flash燒錄拷貝電路。
【文檔編號(hào)】G11C16/10GK203706671SQ201420066817
【公開(kāi)日】2014年7月9日 申請(qǐng)日期:2014年2月14日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月14日
【發(fā)明者】王濤 申請(qǐng)人:深圳創(chuàng)維－Rgb電子有限公司