本公開關于一種半導體裝置以及利用半導體裝置執(zhí)行的運算方法，尤其涉及一種存儲器裝置以及利用存儲器裝置處理模型運算的運算方法。

背景技術：

1、在科技蓬勃發(fā)展的今日，日常生活與大數據息息相關；并可根據大數據中的各項參數來建構模型，進而利用模型運算以提供目標問題的解決方案。

2、另一方面，在電子或半導體的技術領域，亦常利用模型運算以調整電子裝置或半導體元件的制程參數或條件因子。然而，復雜的電子裝置或半導體元件涉及大量的參數或因子，因而需要執(zhí)行復雜的模型運算，導致模型運算耗時、耗能或耗費硬件成本。

3、例如，具有多個自旋狀態(tài)(spin?state)的易辛模型(ising?model)可用于執(zhí)行退火(anneal)運算。易辛模型可應用于旅行銷售者題型(travelling?salesman?problem，tsp)，以得到最小旅行距離的最佳解。當易辛模型的退火運算的溫度降低且達到易辛模型的最小能量值時，可得到自旋狀態(tài)的配置的最佳解。

4、對于完全連接(fully-connected)的易辛模型而言，可采用平行方式進行易辛模型的退火運算，能夠較快速的達到易辛模型的最小能量值。在退火運算的過程中，需更新自旋狀態(tài)。然而，當易辛模型的維度較大而具有較多數量的自旋狀態(tài)時，需耗費大量的運算資源及較長的運算時間。并且，執(zhí)行易辛模型的硬件裝置中的缺陷，亦導致退火運算的計算錯誤。

5、因此，本技術領域技術人員致力于更有效率執(zhí)行模型運算的技術方案，以期提升退火運算的速度。

技術實現思路

1、根據本公開的一方面提供了一種存儲器裝置，包括：一存儲器陣列，用于處理一模型運算，該模型運算具有多個輸入值與多個交互系數。該存儲器陣列包括至少一個存儲器子陣列以及至少一個運算單元，耦接至該至少一個存儲器子陣列。該至少一個存儲器子陣列包括：多個存儲單元；以及多條第一信號線、多條第二信號線與多條第三信號線，耦接至所述多個存儲單元。所述多個存儲單元經由所述多條第二信號線與所述多條第三信號線而接收所述多個輸入值，所述多個存儲單元產生多個源極電流，所述多個源極電流流經所述多條第一信號線以產生多個共源極電流，所述多個共源極電流送至該至少一個運算單元，所述多個存儲單元的一第一部分產生所述多個共源極電流的一第一部分，所述多個存儲單元的一第二部分產生所述多個共源極電流的一第二部分；所述多個存儲單元的該第一部分儲存所述多個交互系數的多個第一部分系數，而所述多個存儲單元的該第二部分儲存所述多個交互系數的多個第二部分系數，其中，所述多個存儲單元的該第一部分與所述多個存儲單元的該第二部分以該存儲器陣列的一對角線為基準，被電性隔離；以及該至少一個運算單元根據所述多個共源極電流的該第一部分以計算該模型運算的一局部能量的一第一部分，以及，根據所述多個共源極電流的該第二部分以計算該模型運算的該局部能量的一第二部分。

2、根據本公開的另一方面提供了一種存儲器裝置的操作方法，用于處理一模型運算，該模型運算具有多個輸入值與多個交互系數，該操作方法包括：儲存所述多個交互系數的多個第一部分系數至該存儲器裝置的一存儲器陣列的至少一個存儲器子陣列的多個存儲單元的一第一部分，儲存所述多個交互系數的多個第二部分系數至所述多個存儲單元的一第二部分，其中，所述多個存儲單元的該第一部分與所述多個存儲單元的該第二部分以該存儲器陣列的一對角線為基準，被電性隔離；輸入所述多個輸入值至所述多個存儲單元，所述多個存儲單元產生多個源極電流，所述多個源極電流流經該存儲器裝置的多條第一信號線以產生多個共源極電流，所述多個存儲單元的該第一部分產生所述多個共源極電流的一第一部分，所述多個存儲單元的該第二部分產生所述多個共源極電流的一第二部分；以及根據所述多個共源極電流的該第一部分以計算該模型運算的一局部能量的一第一部分，以及，根據所述多個共源極電流的該第二部分以計算該模型運算的該局部能量的一第二部分。

3、為了對本公開的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉實施例，并配合所附附圖詳細說明如下。

技術特征：

1.一種存儲器裝置，其特征在于，包括：

2.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中，該至少一個存儲器子陣列包括：

3.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中，該至少一個存儲器子陣列包括：

4.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中，該至少一個存儲器子陣列包括：

5.根據權利要求4所述的存儲器裝置，其中，該存儲器裝置包括多個運算單元，耦接至所述多條第一信號線，

6.一種存儲器裝置的操作方法，用于處理一模型運算，該模型運算具有多個輸入值與多個交互系數，該操作方法包括：

7.根據權利要求6所述的存儲器裝置的操作方法，其中，該至少一個存儲器子陣列包括：一第一存儲器子陣列、一第二存儲器子陣列與一第三存儲器子陣列，

8.根據權利要求6所述的存儲器裝置的操作方法，其中，該至少一個存儲器子陣列包括：多個第一存儲器子陣列、多個第二存儲器子陣列與多個第三存儲器子陣列，

9.根據權利要求6所述的存儲器裝置的操作方法，其中，該至少一個存儲器子陣列包括：多個第一存儲器子陣列、多個第二存儲器子陣列與多個第三存儲器子陣列，

10.根據權利要求9所述的存儲器裝置的操作方法，其中，該存儲器裝置包括多個運算單元，耦接至所述多條第一信號線，

技術總結
本公開提供一種存儲器裝置及其運算方法，該存儲器裝置包括：存儲器陣列，用于處理模型運算。該存儲器陣列包括至少一個存儲器子陣列及至少一個運算單元，該至少一個存儲器子陣列包括：多個存儲單元，及多條第一信號線、多條第二信號線與多條第三信號線，多個存儲單元產生多個源極電流，多個源極電流流經多條第一信號線以產生多個共源極電流，多個共源極電流送至至少一個運算單元，多個存儲單元的第一部分產生多個共源極電流的第一部分，多個存儲單元的第二部分產生多個共源極電流的第二部分；至少一個運算單元根據多個共源極電流的第一部分以計算模型運算的局部能量的第一部分，根據多個共源極電流的第二部分以計算模型運算的局部能量的第二部分。

技術研發(fā)人員：王勻遠,呂政憲,李岱螢,李明修,李峯旻
受保護的技術使用者：旺宏電子股份有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/2/19