本實施方式涉及磁盤裝置。

背景技術(shù)：

1、在一般的磁盤裝置中，在磁盤沿著磁盤的圓周方向空開間隔而設(shè)置有多個寫入了伺服信息的伺服區(qū)域。并且，在磁盤的圓周方向上，伺服區(qū)域之間被作為能夠?qū)懭霐?shù)據(jù)的數(shù)據(jù)區(qū)域。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的實施方式提供性能高的磁盤裝置。

2、根據(jù)一個實施方式，磁盤裝置具備磁盤、磁頭以及控制器。在所述磁盤，在圓周方向上空開間隔而配置有多個第1伺服扇區(qū)。所述磁盤具備分別設(shè)置在沿著圓周方向相鄰的兩個第1伺服扇區(qū)之間的多個數(shù)據(jù)區(qū)域。所述多個第1伺服扇區(qū)各自包括第1區(qū)域和第2區(qū)域。在所述第1區(qū)域?qū)懭胗邪ㄇ皩?dǎo)碼、伺服標(biāo)記以及格雷碼的第1信息。所述第2區(qū)域配置在沿著所述圓周方向的寫入/讀取方向上的第1區(qū)域的后方，被寫入了包括脈沖串模式的第2信息。所述多個第1伺服扇區(qū)包括多個第2伺服扇區(qū)和多個第3伺服扇區(qū)。在所述多個第2伺服扇區(qū)中的相鄰的兩個第2伺服扇區(qū)之間配置有所述多個第3伺服扇區(qū)中的一個以上的第3伺服扇區(qū)。所述多個第3伺服扇區(qū)各自具備的第1區(qū)域的圓周方向上的長度比所述多個第2伺服扇區(qū)各自具備的第1區(qū)域的圓周方向上的長度長。所述控制器在寫入動作中，當(dāng)所述磁頭通過所述多個第2伺服扇區(qū)中的一個第2伺服扇區(qū)時，對所述第1信息和所述第2信息進行解調(diào)，當(dāng)所述磁頭通過所述多個第3伺服扇區(qū)中的一個第3伺服扇區(qū)時，不對所述第1信息進行解調(diào)而對所述第2信息進行解調(diào)。所述寫入動作是使用所述磁頭來對所述多個數(shù)據(jù)區(qū)域中的一個以上的數(shù)據(jù)區(qū)域?qū)懭霐?shù)據(jù)的動作。所述控制器在讀取動作中，當(dāng)所述磁頭通過所述多個第2伺服扇區(qū)中的一個第2伺服扇區(qū)時，對所述第1信息和所述第2信息進行解調(diào)，當(dāng)所述磁頭通過所述多個第3伺服扇區(qū)中的一個第3伺服扇區(qū)時，對所述第1信息和所述第2信息進行解調(diào)。所述讀取動作是使用所述磁頭來從所述多個數(shù)據(jù)區(qū)域中的一個以上的數(shù)據(jù)區(qū)域讀取數(shù)據(jù)的動作。

技術(shù)特征：

1.一種磁盤裝置，具備磁盤、磁頭以及控制器，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁盤裝置，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的磁盤裝置，

4.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的磁盤裝置，

5.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的磁盤裝置，

6.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的磁盤裝置，

技術(shù)總結(jié)
提供性能高的磁盤裝置。在磁盤中，在圓周方向上空開間隔而配置有多個第1伺服扇區(qū)。多個第1伺服扇區(qū)各自包括第1區(qū)域和第2區(qū)域。在第1區(qū)域中寫入有包括前導(dǎo)碼、伺服標(biāo)記以及格雷碼的第1信息。第2區(qū)域配置在沿著圓周方向的寫入/讀取方向上的第1區(qū)域的后方，被寫入有包括脈沖串模式的第2信息。多個第1伺服扇區(qū)包括多個第2伺服扇區(qū)和多個第3伺服扇區(qū)。在多個第2伺服扇區(qū)中的相鄰的兩個第2伺服扇區(qū)之間配置有多個第3伺服扇區(qū)中的一個以上的第3伺服扇區(qū)。多個第3伺服扇區(qū)各自具備的第1區(qū)域的圓周方向上的長度比多個第2伺服扇區(qū)各自具備的第1區(qū)域的圓周方向上的長度長。

技術(shù)研發(fā)人員：田上尚基
受保護的技術(shù)使用者：株式會社 東芝
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/2/19