本申請涉及存儲器領(lǐng)域，具體而言，涉及一種mram芯片的寫入電壓的脈寬確定方法、其確定裝置、計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)以及mram芯片的寫入電路。

背景技術(shù)：

1、自旋轉(zhuǎn)移技術(shù)-磁性隨機(jī)存儲器(spin?transfer?torque?magnetoresistiverandom?access?memory，簡稱stt-mram)是一種非易失的新型存儲器，具有高速讀寫能力以及可實現(xiàn)無限次擦寫的特性。

2、stt-mram主要由磁性薄膜組成，其穩(wěn)定性會受到磁場以及溫度等外界因素的干擾，為了允許mram產(chǎn)品在存在外部磁場的情況下操作，目前已經(jīng)提出了的磁屏蔽以及關(guān)閉芯片等解決方案。但是，磁屏蔽方式的價格昂貴且操作復(fù)雜，關(guān)閉芯片則會降低芯片性能。

3、因此，目前亟需一種方式，來提高芯片壽命或可擦寫次數(shù)(endurance)，同時降低寫入錯誤率(word?error?rate，簡稱wer)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請的主要目的在于提供一種mram芯片的寫入電壓的脈寬確定方法、其確定裝置、計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)以及mram芯片的寫入電路，以至少解決現(xiàn)有技術(shù)中的mram由于受到外部環(huán)境的干擾導(dǎo)致性能較差的問題。

2、為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本申請的一個方面，提供了一種mram芯片的寫入電壓的脈寬確定方法，所述方法包括：獲取當(dāng)前寫入脈寬以及預(yù)定時間段內(nèi)的多個預(yù)定參數(shù)，多個所述預(yù)定參數(shù)組成預(yù)定參數(shù)組，所述預(yù)定參數(shù)用于表征芯片所在的環(huán)境參數(shù)，所述當(dāng)前寫入脈寬為所述芯片當(dāng)前的實際脈寬；根據(jù)所述預(yù)定參數(shù)組以及所述當(dāng)前寫入脈寬，確定目標(biāo)寫入脈寬，所述目標(biāo)寫入脈寬為所述芯片的寫入電壓對應(yīng)的脈寬；發(fā)出所述目標(biāo)寫入脈寬至所述芯片，使得所述芯片控制寫入電壓的實際脈寬為所述目標(biāo)寫入脈寬。

3、可選地，所述預(yù)定參數(shù)組中的多個所述預(yù)定參數(shù)按照獲取的時間順序排列，根據(jù)所述預(yù)定參數(shù)組以及所述當(dāng)前寫入脈寬，確定目標(biāo)寫入脈寬，包括：計算所述預(yù)定參數(shù)組中每兩個相鄰的所述預(yù)定參數(shù)的變化率，得到變化率組，確定所述變化率組中的最大值為第一數(shù)值；在所述第一數(shù)值大于第一預(yù)定值的情況下，確定所述芯片位于動態(tài)環(huán)境中，在所述第一數(shù)值不大于所述第一預(yù)定值的情況下，確定所述芯片位于靜態(tài)環(huán)境中；在所述芯片位于所述動態(tài)環(huán)境的情況下，根據(jù)預(yù)定變化率以及所述當(dāng)前寫入脈寬，確定所述目標(biāo)寫入脈寬，所述預(yù)定變化率為所述變化率組中的對應(yīng)的時間最靠近當(dāng)前時刻的所述變化率；在所述芯片位于所述靜態(tài)環(huán)境的情況下，計算所述預(yù)定參數(shù)組中多個所述預(yù)定參數(shù)的平均值，得到第二數(shù)值，并根據(jù)所述第二數(shù)值以及所述當(dāng)前寫入脈寬，確定所述目標(biāo)寫入脈寬。

4、可選地，根據(jù)所述第二數(shù)值以及所述當(dāng)前寫入脈寬，確定所述目標(biāo)寫入脈寬，包括：確定所述第二數(shù)值是否小于第二預(yù)定值；在所述第二數(shù)值小于所述第二預(yù)定值的情況下，確定所述當(dāng)前寫入脈寬為所述目標(biāo)寫入脈寬；在所述第二數(shù)值不小于所述第二預(yù)定值的情況下，根據(jù)所述第二數(shù)值，確定第一脈寬變化值，所述第一脈寬變化值與所述第二數(shù)值成正比；計算所述當(dāng)前寫入脈寬與所述第一脈寬變化值的和，得到所述目標(biāo)寫入脈寬。

5、可選地，根據(jù)預(yù)定變化率以及所述當(dāng)前寫入脈寬，確定所述目標(biāo)寫入脈寬，包括：根據(jù)所述預(yù)定變化率，確定第二脈寬變化值，所述第二脈寬變化值與所述預(yù)定變化率成正比；計算所述當(dāng)前寫入脈寬與所述第二脈寬變化值的和，得到所述目標(biāo)寫入脈寬。

6、可選地，在獲取預(yù)定時間段內(nèi)的多個預(yù)定參數(shù)，多個所述預(yù)定參數(shù)組成預(yù)定參數(shù)組之后，所述方法還包括：保存所述預(yù)定參數(shù)組。

7、可選地，所述預(yù)定參數(shù)包括磁場以及溫度中之一。

8、根據(jù)本申請的另一方面，提供了一種mram芯片的寫入電壓的脈寬確定裝置，所述裝置包括獲取單元、確定單元以及發(fā)出單元，其中，所述獲取單元用于獲取當(dāng)前寫入脈寬以及預(yù)定時間段內(nèi)的多個預(yù)定參數(shù)，多個所述預(yù)定參數(shù)組成預(yù)定參數(shù)組，所述預(yù)定參數(shù)用于表征芯片所在的環(huán)境參數(shù)，所述當(dāng)前寫入脈寬為所述芯片當(dāng)前的實際脈寬；所述確定單元用于根據(jù)所述預(yù)定參數(shù)組以及所述當(dāng)前寫入脈寬，確定目標(biāo)寫入脈寬，所述目標(biāo)寫入脈寬為所述芯片的寫入電壓對應(yīng)的脈寬；所述發(fā)出單元用于發(fā)出所述目標(biāo)寫入脈寬至所述芯片，使得所述芯片控制寫入電壓的實際脈寬為所述目標(biāo)寫入脈寬。

9、根據(jù)本申請的再一方面，提供了一種計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，所述計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)包括存儲的程序，其中，在所述程序運行時控制所述計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)所在設(shè)備執(zhí)行任一種所述的mram芯片的寫入電壓的脈寬確定方法。

10、根據(jù)本申請的又一方面，提供了一種mram芯片的寫入電路，所述寫入電路包括傳感元件、處理器以及mram芯片，其中，所述傳感元件用于采集預(yù)定參數(shù)，所述預(yù)定參數(shù)用于表征芯片所在的環(huán)境參數(shù)；所述處理器與所述傳感元件連接，所述處理器用于執(zhí)行任一種所述的mram芯片的寫入電壓的脈寬確定方法；所述mram芯片與所述處理器連接，所述mram芯片用于接收目標(biāo)寫入脈寬，使得所述芯片控制寫入電壓的實際脈寬為所述目標(biāo)寫入脈寬。

11、可選地，所述mram芯片包括控制區(qū)以及陣列區(qū)，其中，所述控制區(qū)用于接收所述目標(biāo)寫入脈寬，所述控制區(qū)還用于調(diào)整所述陣列區(qū)的寫入電壓的實際脈寬為所述目標(biāo)寫入脈寬。

12、可選地，所述傳感元件包括磁場傳感器、磁敏感元件、溫度傳感器以及溫度敏感元件中之一。

13、可選地，所述傳感元件位于所述mram芯片內(nèi)部，或者所述傳感元件與所述mram芯片均獨立設(shè)置。

14、應(yīng)用本申請的技術(shù)方案，所述的mram芯片的寫入電壓的脈寬確定方法中，首先，獲取當(dāng)前寫入脈寬以及預(yù)定時間段內(nèi)的多個預(yù)定參數(shù)，多個所述預(yù)定參數(shù)組成預(yù)定參數(shù)組，所述預(yù)定參數(shù)用于表征芯片所在的環(huán)境參數(shù)，所述當(dāng)前寫入脈寬為所述芯片當(dāng)前的實際脈寬；然后，根據(jù)所述預(yù)定參數(shù)組以及所述當(dāng)前寫入脈寬，確定目標(biāo)寫入脈寬，所述目標(biāo)寫入脈寬為所述芯片的寫入電壓對應(yīng)的脈寬；最后，發(fā)出所述目標(biāo)寫入脈寬至所述芯片，使得所述芯片控制寫入電壓的實際脈寬為所述目標(biāo)寫入脈寬。相比現(xiàn)有技術(shù)中的mram由于受到外部環(huán)境的干擾導(dǎo)致性能較差的問題，本申請的所述mram芯片的寫入電壓的脈寬確定方法，通過實時獲取的多個預(yù)定參數(shù)以及所述當(dāng)前寫入脈寬來確定目標(biāo)寫入脈寬，使得可以根據(jù)實時獲取的環(huán)境參數(shù)確定所述當(dāng)前寫入脈寬，保證了芯片的寫入電壓的脈寬可以根據(jù)環(huán)境參數(shù)實時調(diào)整，避免了現(xiàn)有技術(shù)中由于環(huán)境影響導(dǎo)致的寫入的錯誤率較高的問題，解決了現(xiàn)有技術(shù)中mram由于受到外部環(huán)境的干擾導(dǎo)致性能較差的問題，保證了所述mram芯片的性能較好。

技術(shù)特征：

1.一種mram芯片的寫入電壓的脈寬確定方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)定參數(shù)組中的多個所述預(yù)定參數(shù)按照獲取的時間順序排列，根據(jù)所述預(yù)定參數(shù)組以及所述當(dāng)前寫入脈寬，確定目標(biāo)寫入脈寬，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，根據(jù)所述第二數(shù)值以及所述當(dāng)前寫入脈寬，確定所述目標(biāo)寫入脈寬，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，根據(jù)預(yù)定變化率以及所述當(dāng)前寫入脈寬，確定所述目標(biāo)寫入脈寬，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在獲取預(yù)定時間段內(nèi)的多個預(yù)定參數(shù)，多個所述預(yù)定參數(shù)組成預(yù)定參數(shù)組之后，所述方法還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述預(yù)定參數(shù)包括磁場以及溫度中之一。

7.一種mram芯片的寫入電壓的脈寬確定裝置，其特征在于，所述裝置包括：

8.一種計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其特征在于，所述計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)包括存儲的程序，其中，在所述程序運行時控制所述計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)所在設(shè)備執(zhí)行權(quán)利要求1至6中任意一項所述的mram芯片的寫入電壓的脈寬確定方法。

9.一種mram芯片的寫入電路，其特征在于，所述寫入電路包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的mram芯片的寫入電路，其特征在于，所述mram芯片包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的mram芯片的寫入電路，其特征在于，所述傳感元件包括磁場傳感器、磁敏感元件、溫度傳感器以及溫度敏感元件中之一。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的mram芯片的寫入電路，其特征在于，所述傳感元件位于所述mram芯片內(nèi)部，或者所述傳感元件與所述mram芯片均獨立設(shè)置。

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┝艘环NMRAM芯片的寫入電壓的脈寬確定方法及其確定裝置。該方法包括：首先，獲取當(dāng)前寫入脈寬以及預(yù)定時間段內(nèi)的多個預(yù)定參數(shù)，多個預(yù)定參數(shù)組成預(yù)定參數(shù)組，預(yù)定參數(shù)用于表征芯片所在的環(huán)境參數(shù)，當(dāng)前寫入脈寬為芯片當(dāng)前的實際脈寬；然后，根據(jù)預(yù)定參數(shù)組以及當(dāng)前寫入脈寬，確定目標(biāo)寫入脈寬，目標(biāo)寫入脈寬為芯片的寫入電壓對應(yīng)的脈寬；最后，發(fā)出目標(biāo)寫入脈寬至芯片，使得芯片控制寫入電壓的實際脈寬為目標(biāo)寫入脈寬。通過多個預(yù)定參數(shù)以及當(dāng)前寫入脈寬來確定目標(biāo)寫入脈寬，使得可以根據(jù)獲取的環(huán)境參數(shù)確定當(dāng)前寫入脈寬，解決了現(xiàn)有技術(shù)中MRAM由于受到外部環(huán)境的干擾導(dǎo)致性能較差的問題，保證了MRAM芯片的性能較好。

技術(shù)研發(fā)人員：付婷,嚴(yán)政人,楊曉蕾,曹倩,孫娟娟
受保護(hù)的技術(shù)使用者：浙江馳拓科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/5