本申請涉及數(shù)據(jù)存儲，具體涉及一種電壓確定方法、裝置、設(shè)備和可讀存儲介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、閃存顆粒(nand)目前有四種類型，不同類型的閃存顆粒一個存儲單元存儲的數(shù)據(jù)量不同，存儲單元中存儲的數(shù)據(jù)比特越來越多。為了保證數(shù)據(jù)的讀取完整性，需要查找得到最優(yōu)閾值電壓作為讀取電壓，以實現(xiàn)從存儲單元中讀取得到最優(yōu)讀取數(shù)據(jù)。

2、現(xiàn)有技術(shù)中，通常是采用遍歷的方式，即對電壓閾值進(jìn)行逐個的遍歷，以此來找到最優(yōu)閾值電壓。

3、但是，現(xiàn)有的這種方式增加的搜索電壓閾值的次數(shù)，效率低。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請?zhí)峁┮环N電壓確定方法、裝置、設(shè)備和可讀存儲介質(zhì)，用于解決現(xiàn)有最優(yōu)讀電壓搜索效率低的問題。

2、第一方面，本申請實施例提供一種電壓確定方法，包括：

3、獲取存儲設(shè)備的狀態(tài)參數(shù)和所述狀態(tài)參數(shù)的參數(shù)值；

4、以所述參數(shù)值作為預(yù)先構(gòu)建的映射關(guān)系的輸入值，獲得輸出的分布參數(shù)，所述映射關(guān)系用于表征所述參數(shù)值與所述分布參數(shù)之間的對應(yīng)關(guān)系，所述分布參數(shù)用于表征存儲設(shè)備的讀電壓與在所述讀電壓下存儲單元中二進(jìn)制數(shù)1或者0的個數(shù)的對應(yīng)關(guān)系；

5、基于所述分布參數(shù)，構(gòu)建參數(shù)曲線；

6、獲取電壓采樣初始值和電壓采樣間隔；

7、以所述電壓采樣初始值和電壓采樣間隔作為采樣數(shù)據(jù)，在所述參數(shù)曲線中采樣得到至少兩個位置點；

8、在所述至少兩個位置點中選取出目標(biāo)位置點，并基于所述目標(biāo)位置點，在所述參數(shù)曲線中查找出最優(yōu)位置點并獲取所述最優(yōu)位置點的讀電壓，作為最優(yōu)讀電壓。

9、在第一方面的一種可能設(shè)計中，在所述至少兩個位置點中選取出目標(biāo)位置點，包括：

10、在所述參數(shù)曲線中獲取每個位置點的讀電壓和所述讀電壓對應(yīng)的取值；

11、在所有位置點中選取出所述讀電壓對應(yīng)的取值最小的位置點，作為所述目標(biāo)位置點。

12、在第一方面的另一種可能設(shè)計中，所述基于所述分布參數(shù)，構(gòu)建所述參數(shù)曲線，包括：

13、根據(jù)所述分布參數(shù)，獲取每個讀電壓下存儲單元中二進(jìn)制數(shù)1或者0的個數(shù)、與所述讀電壓相鄰的相鄰電壓下存儲單元中二進(jìn)制數(shù)1或者0的個數(shù)；

14、計算所述讀電壓下存儲單元中二進(jìn)制數(shù)1或者0的個數(shù)與所述相鄰電壓下存儲單元中二進(jìn)制數(shù)1或者0的個數(shù)差值；

15、基于所述讀電壓與所述個數(shù)差值之間的對應(yīng)關(guān)系，構(gòu)建所述參數(shù)曲線。

16、在第一方面的再一種可能設(shè)計中，所述基于所述目標(biāo)位置點，在所述參數(shù)曲線中查找出最優(yōu)位置點，包括：

17、基于所述目標(biāo)位置點的讀電壓，確定搜索范圍；

18、對在所述參數(shù)曲線上處于所述搜索范圍內(nèi)的所有位置點進(jìn)行遍歷，查找所有位置點中讀電壓對應(yīng)的取值滿足預(yù)設(shè)條件時的位置點，作為所述最優(yōu)位置點。

19、在第一方面的又一種可能設(shè)計中，所述獲取電壓采樣初始值和電壓采樣間隔，包括：基于所述參數(shù)曲線上不同位置點之間的斜率變化，獲取電壓采樣初始值和電壓采樣間隔。

20、在第一方面的又一種可能設(shè)計中，所述獲取電壓采樣初始值和電壓采樣間隔，包括：

21、以所述分布參數(shù)作為預(yù)設(shè)第一對應(yīng)關(guān)系的輸入值，獲取第一輸出值作為所述電壓采樣初始值，所述預(yù)設(shè)第一對應(yīng)關(guān)系用于表征分布參數(shù)與電壓采樣初始值之間的對應(yīng)關(guān)系；

22、以所述分布參數(shù)作為預(yù)設(shè)第二對應(yīng)關(guān)系的輸入值，獲取第二輸出值作為所述電壓采樣間隔，所述預(yù)設(shè)第二對應(yīng)關(guān)系用于表征分布參數(shù)與電壓采樣間隔之間的對應(yīng)關(guān)系。

23、在第一方面的又一種可能設(shè)計中，所述預(yù)設(shè)第一對應(yīng)關(guān)系和預(yù)設(shè)第二對應(yīng)關(guān)系為基于樣本分布參數(shù)和最優(yōu)樣本數(shù)據(jù)構(gòu)建得到的，所述最優(yōu)樣本數(shù)據(jù)為從至少兩組不同的樣本數(shù)據(jù)中挑選得到的，每組樣本數(shù)據(jù)中均包括樣本電壓采樣初始值和樣本電壓采樣間隔。

24、第二方面，本申請實施例提供一種電壓確定裝置，包括：

25、參數(shù)值獲取模塊，用于獲取存儲設(shè)備的狀態(tài)參數(shù)和所述狀態(tài)參數(shù)的參數(shù)值；

26、分布參數(shù)獲取模塊，用于以所述參數(shù)值作為預(yù)先構(gòu)建的映射關(guān)系的輸入值，獲得輸出的分布參數(shù)，所述映射關(guān)系用于表征所述參數(shù)值與所述分布參數(shù)之間的對應(yīng)關(guān)系，所述分布參數(shù)用于表征存儲設(shè)備的讀電壓與在所述讀電壓下存儲單元中二進(jìn)制數(shù)1或者0的個數(shù)的對應(yīng)關(guān)系；

27、參數(shù)曲線構(gòu)建模塊，用于基于所述分布參數(shù)，構(gòu)建參數(shù)曲線；

28、采樣數(shù)據(jù)獲取模塊，用于獲取電壓采樣初始值和電壓采樣間隔；

29、位置點采樣模塊，用于以所述電壓采樣初始值和電壓采樣間隔作為采樣數(shù)據(jù)，在所述參數(shù)曲線中采樣得到至少兩個位置點；

30、最優(yōu)讀電壓獲取模塊，用于在所述至少兩個位置點中選取出目標(biāo)位置點，并基于所述目標(biāo)位置點，在所述參數(shù)曲線中查找出最優(yōu)位置點并獲取所述最優(yōu)位置點的讀電壓，作為最優(yōu)讀電壓。

31、第三方面，本申請實施例提供一種電子設(shè)備，包括：處理器，以及與所述處理器通信連接的存儲器；所述存儲器存儲計算機(jī)執(zhí)行指令；所述處理器執(zhí)行所述存儲器存儲的計算機(jī)執(zhí)行指令，以實現(xiàn)如上述的方法。

32、第四方面，本申請實施例提供一種計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，所述計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)中存儲有計算機(jī)執(zhí)行指令，所述計算機(jī)執(zhí)行指令被處理器執(zhí)行時用于實現(xiàn)如上述的方法。

33、本申請實施例提供的電壓確定方法、裝置、設(shè)備和可讀存儲介質(zhì)，通過利用分布參數(shù)構(gòu)建參數(shù)曲線，并確定存儲設(shè)備在某個狀態(tài)下采樣的初始點以及采樣間隔點，對參數(shù)曲線上的點進(jìn)行間隔采樣，找到目標(biāo)位置點以此確定最優(yōu)讀電壓的大致位置，然后再基于參數(shù)曲線的目標(biāo)位置點查找得到最優(yōu)讀電壓，該方法可以避免對所有讀電壓進(jìn)行遍歷搜索，有效降低讀電壓搜索次數(shù)，提高最優(yōu)讀電壓的搜索效率。

技術(shù)特征：

1.一種電壓確定方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述至少兩個位置點中選取出目標(biāo)位置點，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述分布參數(shù)，構(gòu)建所述參數(shù)曲線，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述目標(biāo)位置點，在所述參數(shù)曲線中查找出最優(yōu)位置點，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述獲取電壓采樣初始值和電壓采樣間隔，包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述獲取電壓采樣初始值和電壓采樣間隔，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)第一對應(yīng)關(guān)系和預(yù)設(shè)第二對應(yīng)關(guān)系為基于樣本分布參數(shù)和最優(yōu)樣本數(shù)據(jù)構(gòu)建得到的，所述最優(yōu)樣本數(shù)據(jù)為從至少兩組不同的樣本數(shù)據(jù)中挑選得到的，每組樣本數(shù)據(jù)中均包括樣本電壓采樣初始值和樣本電壓采樣間隔。

8.一種電壓確定裝置，其特征在于，包括：

9.一種電子設(shè)備，包括：處理器，以及與所述處理器通信連接的存儲器；

10.一種計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其特征在于，所述計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)中存儲有計算機(jī)執(zhí)行指令，所述計算機(jī)執(zhí)行指令被處理器執(zhí)行時用于實現(xiàn)如權(quán)利要求1至7任一項所述的方法。

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┮环N電壓確定方法、裝置、設(shè)備和可讀存儲介質(zhì)，涉及數(shù)據(jù)存儲技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括：獲取存儲設(shè)備的狀態(tài)參數(shù)和狀態(tài)參數(shù)的參數(shù)值；以參數(shù)值作為預(yù)先構(gòu)建的映射關(guān)系的輸入值，獲得輸出的分布參數(shù)；基于分布參數(shù)，構(gòu)建參數(shù)曲線；獲取電壓采樣初始值和電壓采樣間隔；以電壓采樣初始值和電壓采樣間隔作為采樣數(shù)據(jù)，在參數(shù)曲線中采樣得到至少兩個位置點；在至少兩個位置點中選取出目標(biāo)位置點，并基于目標(biāo)位置點，在參數(shù)曲線中查找出最優(yōu)位置點并獲取最優(yōu)位置點的讀電壓，作為最優(yōu)讀電壓。該方案可以提高最優(yōu)閾值電壓的搜索效率。

技術(shù)研發(fā)人員：劉璨,霍文捷,馮星,張航
受保護(hù)的技術(shù)使用者：杭州海康存儲科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/2/21