本公開涉及非線性光吸收材料、記錄介質(zhì)、信息的記錄方法和信息的讀取方法。

背景技術(shù)：

1、在光吸收材料等光學(xué)材料中，具有非線性光學(xué)(non-linear?optical)效果的材料被稱為非線性光學(xué)材料。非線性光學(xué)效應(yīng)意指在對物質(zhì)照射激光等強(qiáng)光的情況下在該物質(zhì)中發(fā)生與照射光的電場的平方或更高次方成比例的光學(xué)現(xiàn)象。作為光學(xué)現(xiàn)象，可以舉出吸收、反射、散射、發(fā)光等。作為與照射光的電場的平方成比例的二階非線性光學(xué)效應(yīng)，可以舉出二次諧波產(chǎn)生(shg)、普克爾效應(yīng)、參量效應(yīng)等。作為與照射光的電場的三次方成比例的三階非線性光學(xué)效應(yīng)，可以舉出雙光子吸收、多光子吸收、三次諧波產(chǎn)生(thg)、克爾效應(yīng)等。在本說明書中，有時將雙光子吸收等多光子吸收稱為非線性光吸收。有時將能夠進(jìn)行非線性光吸收的材料稱為非線性光吸收材料。特別地，有時將能夠進(jìn)行雙光子吸收的材料稱為雙光子吸收材料。需要說明的是，有時也將非線性光吸收稱為非線性吸收。

2、對于非線性光學(xué)材料，目前為止，積極地進(jìn)行了大量的研究。特別地，作為非線性光學(xué)材料，開發(fā)著能夠容易地制備單晶的無機(jī)材料。近年來，期待著由有機(jī)材料制成的非線性光學(xué)材料的開發(fā)。有機(jī)材料與無機(jī)材料相比，不僅具有高設(shè)計自由度，而且具有大的非線性光學(xué)常數(shù)。進(jìn)而，對于有機(jī)材料而言，以高速進(jìn)行非線性響應(yīng)。在本說明書中，有時將包含有機(jī)材料的非線性光學(xué)材料稱為有機(jī)非線性光學(xué)材料。

3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)

5、專利文獻(xiàn)1：日本專利第6448042號公報

6、專利文獻(xiàn)2：日本專利第5738554號公報

7、非專利文獻(xiàn)

8、非專利文獻(xiàn)1：harry?l.anderson,et?al.,“two-photon?absorption?and?thedesign?of?two-photon?dyes”,angew.chem.int.ed.2009,vol.48,p.3244-3266.

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的課題

2、需要對于具有短波長范圍的波長的光具有非線性光吸收特性的新型化合物。

3、用于解決課題的手段

4、本公開的一方案中的非線性光吸收材料包含由下述式(1)表示的化合物。

5、[化學(xué)式編號1]

6、

7、上述式(1)中，r1至r12相互獨(dú)立地表示包含選自h、b、c、n、o、f、si、p、s、cl、i和br中的至少一個原子的基團(tuán)。

8、發(fā)明的效果

9、本公開提供對于具有短波長范圍的波長的光具有非線性光吸收特性的新化合物。

技術(shù)特征：

1.一種非線性光吸收材料，其包含由下述式(1)表示的化合物，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非線性光吸收材料，其中，所述r5至所述r12各自為氫原子。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非線性光吸收材料，其中，所述r1和所述r2為相同的基團(tuán)，或者所述r1和所述r3為相同的基團(tuán)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非線性光吸收材料，其中，所述r1至所述r4為相同的基團(tuán)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非線性光吸收材料，其中，所述r1至所述r4各自為甲基。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非線性光吸收材料，其用于利用具有390nm以上且420nm以下的波長的光的器件。

7.一種記錄介質(zhì)，其包含權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的非線性光吸收材料。

8.一種信息的記錄方法，其包括：

9.一種信息的讀取方法，其是采用權(quán)利要求8所述的記錄方法記錄的信息的讀取方法，所述讀取方法包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的讀取方法，其中，所述光學(xué)特性為在所述記錄層反射的光的強(qiáng)度。

技術(shù)總結(jié)
本公開的一方案中的非線性吸收材料包含由下述式(1)表示的化合物。式(1)中，R<supgt;1</supgt;至R<supgt;12</supgt;相互獨(dú)立地表示包含選自H、B、C、N、O、F、Si、P、S、Cl、I和Br中的至少一個的原子的基團(tuán)。

技術(shù)研發(fā)人員：橫山麻紗子,安藤康太,坂田直彌,田頭健司,荒瀨秀和
受保護(hù)的技術(shù)使用者：松下知識產(chǎn)權(quán)經(jīng)營株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19