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      用于電阻式隨機(jī)存取存儲器的兩步讀取的裝置和方法與流程

      文檔序號:40236418發(fā)布日期:2024-12-06 16:58閱讀:35來源:國知局
      用于電阻式隨機(jī)存取存儲器的兩步讀取的裝置和方法與流程


      背景技術(shù):

      1、存儲器廣泛用于各種電子設(shè)備,諸如蜂窩電話、數(shù)字相機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理、醫(yī)療電子器件、移動計(jì)算設(shè)備、非移動計(jì)算設(shè)備和數(shù)據(jù)服務(wù)器。存儲器可以是非易失性存儲器或易失性存儲器。即使當(dāng)非易失性存儲器未連接至電源(例如,電池)時(shí),非易失性存儲器也允許存儲和保留信息。

      2、非易失性存儲器的一個(gè)示例是磁阻式隨機(jī)存取存儲器(mram),其使用磁化來表示所存儲的數(shù)據(jù),這與使用電荷來存儲數(shù)據(jù)的某些其它存儲器技術(shù)相反。一般來講,mram包括在半導(dǎo)體襯底上形成的大量磁存儲器單元,其中每個(gè)存儲器單元都代表一個(gè)數(shù)據(jù)位。通過改變存儲器單元內(nèi)的磁性元件的磁化方向?qū)?shù)據(jù)位寫入存儲器單元,并且通過測量存儲器單元的電阻來讀取位(低電阻通常表示“0”位且高電阻通常表示“1”位)。如本文所使用的,磁化方向是磁矩的取向方向。

      3、盡管mram是一項(xiàng)前景廣闊的技術(shù),但仍存在許多挑戰(zhàn)。


      技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路



      技術(shù)特征:

      1.一種裝置,所述裝置包括:

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中所述第一預(yù)定讀取參考值是從多個(gè)候選讀取參考值中選擇的。

      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中:

      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置,其中所述第一預(yù)定讀取參考值是通過以下方式選擇的:

      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中所述第二預(yù)定讀取參考值是從多個(gè)候選讀取參考值中選擇的。

      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中:

      7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置,其中所述第二預(yù)定讀取參考值是通過以下方式選擇的:

      8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中所述電阻式隨機(jī)存取存儲器元件包括磁阻式隨機(jī)存取存儲器元件。

      9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中所述存儲器陣列包括:

      10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中所述存儲器包括查找表,所述查找表被配置為存儲地址和對應(yīng)的第二預(yù)定讀取參考值。

      11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中所述存儲器包括內(nèi)容可尋址存儲器。

      12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中:

      13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置,其中所述設(shè)備包括糾錯(cuò)編碼引擎。

      14.一種方法,所述方法包括:

      15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,所述方法還包括:

      16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其中所述查找表包括內(nèi)容可尋址存儲器。

      17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其中從所述查找表中檢索所述第二預(yù)定讀取參考值所需的時(shí)間小于或等于完成讀取所述第一碼字所需的時(shí)間。

      18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其中所述存儲器陣列包括多個(gè)非易失性存儲器單元,每個(gè)非易失性存儲器單元包括磁阻式隨機(jī)存取存儲器元件。

      19.一種系統(tǒng),所述系統(tǒng)包括:

      20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的系統(tǒng),其中所述非易失性存儲器單元中的每個(gè)非易失性存儲器單元包括磁阻式隨機(jī)存取存儲器元件。


      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明的名稱為“用于電阻式隨機(jī)存取存儲器的兩步讀取的裝置和方法”。提供了一種裝置,該裝置包括存儲器陣列和控制電路。該存儲器陣列包括非易失性存儲器單元,每個(gè)非易失性存儲器單元包括電阻式隨機(jī)存取存儲器元件。該控制電路被配置為接收讀取命令,該讀取命令指定第一組非易失性存儲器單元的地址;使用第一預(yù)定讀取參考值來執(zhí)行對該第一組非易失性存儲器單元的第一次讀取以提供第一讀取數(shù)據(jù);當(dāng)執(zhí)行該第一次讀取時(shí),從存儲器中檢索與所指定的地址對應(yīng)的第二預(yù)定讀取參考值;以及響應(yīng)于滿足關(guān)于該第一讀取數(shù)據(jù)的條件,使用該第二預(yù)定讀取參考值來執(zhí)行對該第一組非易失性存儲器單元的第二次讀取以提供第二讀取數(shù)據(jù)。

      技術(shù)研發(fā)人員:D·波茲達(dá)格,D·侯賽梅丁,J·P·薩恩斯,M·林
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:閃迪技術(shù)公司
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2024/12/5
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