背景技術(shù):
1、存儲器廣泛用于各種電子設(shè)備,諸如蜂窩電話、數(shù)字相機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理、醫(yī)療電子器件、移動計(jì)算設(shè)備、非移動計(jì)算設(shè)備和數(shù)據(jù)服務(wù)器。存儲器可以是非易失性存儲器或易失性存儲器。即使當(dāng)非易失性存儲器未連接至電源(例如,電池)時(shí),非易失性存儲器也允許存儲和保留信息。
2、非易失性存儲器的一個(gè)示例是磁阻式隨機(jī)存取存儲器(mram),其使用磁化來表示所存儲的數(shù)據(jù),這與使用電荷來存儲數(shù)據(jù)的某些其它存儲器技術(shù)相反。一般來講,mram包括在半導(dǎo)體襯底上形成的大量磁存儲器單元,其中每個(gè)存儲器單元都代表一個(gè)數(shù)據(jù)位。通過改變存儲器單元內(nèi)的磁性元件的磁化方向?qū)?shù)據(jù)位寫入存儲器單元,并且通過測量存儲器單元的電阻來讀取位(低電阻通常表示“0”位且高電阻通常表示“1”位)。如本文所使用的,磁化方向是磁矩的取向方向。
3、盡管mram是一項(xiàng)前景廣闊的技術(shù),但仍存在許多挑戰(zhàn)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1.一種裝置,所述裝置包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中所述第一預(yù)定讀取參考值是從多個(gè)候選讀取參考值中選擇的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中:
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置,其中所述第一預(yù)定讀取參考值是通過以下方式選擇的:
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中所述第二預(yù)定讀取參考值是從多個(gè)候選讀取參考值中選擇的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中:
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置,其中所述第二預(yù)定讀取參考值是通過以下方式選擇的:
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中所述電阻式隨機(jī)存取存儲器元件包括磁阻式隨機(jī)存取存儲器元件。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中所述存儲器陣列包括:
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中所述存儲器包括查找表,所述查找表被配置為存儲地址和對應(yīng)的第二預(yù)定讀取參考值。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中所述存儲器包括內(nèi)容可尋址存儲器。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中:
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置,其中所述設(shè)備包括糾錯(cuò)編碼引擎。
14.一種方法,所述方法包括:
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,所述方法還包括:
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其中所述查找表包括內(nèi)容可尋址存儲器。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其中從所述查找表中檢索所述第二預(yù)定讀取參考值所需的時(shí)間小于或等于完成讀取所述第一碼字所需的時(shí)間。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其中所述存儲器陣列包括多個(gè)非易失性存儲器單元,每個(gè)非易失性存儲器單元包括磁阻式隨機(jī)存取存儲器元件。
19.一種系統(tǒng),所述系統(tǒng)包括:
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的系統(tǒng),其中所述非易失性存儲器單元中的每個(gè)非易失性存儲器單元包括磁阻式隨機(jī)存取存儲器元件。