本公開(kāi)大體涉及測(cè)試存儲(chǔ)器裝置，包含易失性存儲(chǔ)器，例如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram)。

背景技術(shù)：

1、dram可包含在高帶寬存儲(chǔ)器(hbm)中。hbm可包含具有一或多個(gè)核心裸片及一或多個(gè)接口(if)裸片的裸片(例如，芯片)堆疊。每一核心裸片可包含由一或多個(gè)存儲(chǔ)器單元組成的一或多個(gè)存儲(chǔ)器陣列。if裸片及/或一或多個(gè)核心裸片可包含用于檢測(cè)存儲(chǔ)器陣列中的缺陷的自測(cè)電路。可在制造的不同階段(例如，晶片階段、封裝階段)期間使用自測(cè)電路多次測(cè)試裸片，或者在同一階段期間多次測(cè)試裸片。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開(kāi)的一個(gè)方面涉及一種設(shè)備，其包括：比較器，其經(jīng)配置以比較來(lái)自存儲(chǔ)器陣列的內(nèi)部讀取數(shù)據(jù)與預(yù)期讀取數(shù)據(jù)，其中所述比較器經(jīng)配置以基于比較提供錯(cuò)誤信息；及修復(fù)前映射邏輯電路，其經(jīng)配置以接收修復(fù)信息及所述錯(cuò)誤信息，并且當(dāng)所述存儲(chǔ)器陣列已被修復(fù)時(shí)，恢復(fù)所述錯(cuò)誤信息的修復(fù)前映射。

2、本公開(kāi)的另一方面涉及一種設(shè)備，其包括：多個(gè)列平面；全局列冗余電路，其包含冗余列平面；修復(fù)電路，其經(jīng)配置以當(dāng)所述多個(gè)列平面中的至少一者是有缺陷的列平面時(shí)，將所述多個(gè)列平面的邏輯地址從原始物理地址重新映射到新的物理地址；及測(cè)試電路，其包含修復(fù)前映射電路，所述修復(fù)前映射電路經(jīng)配置以從所述多個(gè)列平面的至少一部分接收數(shù)據(jù)及從所述全局列冗余電路接收修復(fù)信息，其中當(dāng)所述修復(fù)信息指示已經(jīng)對(duì)所述有缺陷的列平面執(zhí)行修復(fù)時(shí)，所述測(cè)試電路經(jīng)配置以恢復(fù)所述多個(gè)列平面的修復(fù)前映射。

3、本公開(kāi)的另一方面涉及一種方法，其包括：在測(cè)試電路處接收多個(gè)列平面的修復(fù)信息；當(dāng)所述修復(fù)信息指示所述多個(gè)列平面中的至少一者已被修復(fù)時(shí)，用所述測(cè)試電路恢復(fù)所述多個(gè)列平面的邏輯地址及物理地址的修復(fù)前映射；及當(dāng)所述修復(fù)信息指示沒(méi)有進(jìn)行修復(fù)時(shí)，用所述測(cè)試電路維持所述多個(gè)列平面的所述邏輯地址及所述物理地址的所述修復(fù)前映射。

技術(shù)特征：

1.一種設(shè)備，其包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括編碼器，其經(jīng)配置以對(duì)由所述修復(fù)前映射邏輯電路提供的所述錯(cuò)誤信息進(jìn)行編碼并提供經(jīng)編碼的錯(cuò)誤信息。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括并行串行轉(zhuǎn)換器，其經(jīng)配置以將所述經(jīng)編碼的錯(cuò)誤信息從并行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為串行數(shù)據(jù)，其中所述并行串行轉(zhuǎn)換器進(jìn)一步經(jīng)配置以將串行編碼錯(cuò)誤信息提供給至少一個(gè)探針墊。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述修復(fù)前映射邏輯電路包括多路復(fù)用器，其中所述多路復(fù)用器的狀態(tài)至少部分地基于所述修復(fù)信息。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述修復(fù)前映射邏輯電路包括地址解擾器電路。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述修復(fù)信息是從全局列冗余電路的數(shù)據(jù)路徑接收。

7.一種設(shè)備，其包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其進(jìn)一步包括耦合在所述全局列冗余電路與所述測(cè)試電路之間的數(shù)據(jù)路徑，其中所述全局列冗余電路經(jīng)配置以經(jīng)由所述數(shù)據(jù)路徑向所述測(cè)試電路提供所述修復(fù)信息。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中所述修復(fù)電路包括第一多個(gè)多路復(fù)用器，且所述測(cè)試電路包括第二多個(gè)多路復(fù)用器。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中所述測(cè)試電路經(jīng)配置以至少部分地基于所述修復(fù)前映射及來(lái)自所述多個(gè)列平面的至少所述部分的所述數(shù)據(jù)來(lái)產(chǎn)生錯(cuò)誤信息，且其中所述設(shè)備進(jìn)一步包括經(jīng)配置以接收所述錯(cuò)誤信息的外部端子。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中所述外部端子包括dq墊。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中所述外部端子包括探針墊。

13.一種方法，其包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述修復(fù)信息指示移位式修復(fù)，并且恢復(fù)所述修復(fù)前映射包括重新移位所述多個(gè)列平面的映射。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述修復(fù)信息指示直接式修復(fù)，并且恢復(fù)所述修復(fù)前映射包括對(duì)所述多個(gè)列平面的映射的地址進(jìn)行解擾。

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述修復(fù)信息設(shè)置所述測(cè)試電路的多個(gè)多路復(fù)用器的狀態(tài)，且所述多個(gè)多路復(fù)用器的所述狀態(tài)恢復(fù)所述修復(fù)前映射或維持所述修復(fù)前映射。

17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述修復(fù)信息設(shè)置所述測(cè)試電路的多個(gè)地址解擾器電路的狀態(tài)，且所述多個(gè)地址解擾器電路的所述狀態(tài)恢復(fù)所述修復(fù)前映射或維持所述修復(fù)前映射。

18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其進(jìn)一步包括用修復(fù)邏輯電路修復(fù)所述多個(gè)列平面中的至少一者，其中所述修復(fù)邏輯電路經(jīng)配置以執(zhí)行移位式修復(fù)或直接式修復(fù)。

19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述修復(fù)信息經(jīng)由耦合到全局列冗余電路的數(shù)據(jù)路徑由所述測(cè)試電路接收。

20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其進(jìn)一步包括：

技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)涉及用于測(cè)試存儲(chǔ)器裝置的設(shè)備及方法。本文公開(kāi)的存儲(chǔ)器裝置的自測(cè)電路可包含調(diào)整邏輯地址與物理地址之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系以匹配存儲(chǔ)器位置的修復(fù)前映射的電路系統(tǒng)。即，在一些實(shí)例中，如果已通過(guò)將邏輯地址重新映射到新的物理地址來(lái)修復(fù)存儲(chǔ)器裝置，那么測(cè)試電路的所述電路系統(tǒng)恢復(fù)所述存儲(chǔ)器裝置的所述修復(fù)前映射。在一些實(shí)例中，未使用的全局列冗余數(shù)據(jù)路徑可重新用于向所述自測(cè)電路提供修復(fù)信息，以實(shí)施所述修復(fù)前映射。

技術(shù)研發(fā)人員：鈴木尊雅,松原靖,眞壁晴空
受保護(hù)的技術(shù)使用者：美光科技公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10