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      基于操作參數(shù)的電流調(diào)節(jié)技術(shù)的制作方法

      文檔序號(hào):40320885發(fā)布日期:2024-12-18 12:57閱讀:9來(lái)源:國(guó)知局
      基于操作參數(shù)的電流調(diào)節(jié)技術(shù)的制作方法

      本涉及基于操作參數(shù)來(lái)調(diào)節(jié)電流的技術(shù)。


      背景技術(shù):

      1、存儲(chǔ)器裝置廣泛用于將信息存儲(chǔ)在例如計(jì)算機(jī)、無(wú)線通信裝置、相機(jī)、數(shù)字顯示器等各種電子裝置中。通過(guò)將存儲(chǔ)器裝置內(nèi)的存儲(chǔ)器單元編程到不同狀態(tài)來(lái)存儲(chǔ)信息。為了存取所存儲(chǔ)信息,部件可以讀取或感測(cè)存儲(chǔ)器裝置中的至少一個(gè)所存儲(chǔ)狀態(tài)。為了存儲(chǔ)信息,部件可以在存儲(chǔ)器裝置中寫(xiě)入狀態(tài)或?qū)顟B(tài)進(jìn)行編程。

      2、存在各種類(lèi)型的存儲(chǔ)器裝置及存儲(chǔ)器單元,包含磁性硬盤(pán)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram)、只讀存儲(chǔ)器(rom)、動(dòng)態(tài)ram(dram)、同步動(dòng)態(tài)ram(sdram)、鐵電ram(feram)、磁性ram(mram)、電阻性ram(rram)、快閃存儲(chǔ)器、相變存儲(chǔ)器(pcm)、自選存儲(chǔ)器、硫族化物存儲(chǔ)器技術(shù)等。存儲(chǔ)器單元可以是易失性或非易失性的。例如feram的非易失性存儲(chǔ)器即使在無(wú)外部電源存在的情況下仍可維持所存儲(chǔ)邏輯狀態(tài)很長(zhǎng)一段時(shí)間。例如dram的易失性存儲(chǔ)器裝置在與外部電源斷開(kāi)連接時(shí)可能會(huì)丟失它們所存儲(chǔ)狀態(tài)。


      技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

      1、描述一種設(shè)備。所述設(shè)備可以包含:放大器,所述放大器包括用于接收第一電壓的輸入和用于輸出至少部分地基于所述第一電壓的第二電壓的輸出;第一電流發(fā)生器,所述第一電流發(fā)生器與所述放大器的所述輸出耦合,并用于至少部分地基于由所述放大器輸出的所述第二電壓產(chǎn)生第一電流;反饋部件,所述反饋部件與所述第一電流發(fā)生器耦合,并用于至少部分地基于與所述設(shè)備相關(guān)聯(lián)的工作溫度修改所述第一電流,所述第一電流與所述工作溫度成比例;以及第二電流發(fā)生器,所述第二電流發(fā)生器與所述第一電流發(fā)生器耦合,并用于至少部分地基于由所述反饋部件修改的所述第一電流產(chǎn)生第二電流。

      2、描述一種設(shè)備。所述設(shè)備可以包含:放大器,所述放大器包括用于接收第一電壓的第一輸入、第二輸入和輸出;第一晶體管,所述第一晶體管具有柵極和源極,所述柵極與所述放大器的所述輸出耦合;電阻部件,所述電阻部件具有與所述第一晶體管的所述源極耦合的輸入,所述電阻部件還與所述放大器的所述第二輸入耦合;跟蹤部件,所述跟蹤部件具有與所述第一晶體管的所述源極耦合的輸入,所述跟蹤部件包括以二極管配置彼此耦合的一對(duì)晶體管;以及第二晶體管,所述第二晶體管具有柵極和源極,所述柵極與所述放大器的所述輸出耦合,所述第二晶體管經(jīng)配置以在所述第二晶體管的所述源極上產(chǎn)生第一電流,所述第一電流鏡射在所述第一晶體管的所述源極上產(chǎn)生的第二電流。

      3、描述一種方法。所述方法可以包含:在放大器的輸入處接收輸入電壓;識(shí)別與所述輸入電壓相關(guān)聯(lián)的存儲(chǔ)器裝置的工作溫度;至少部分地基于所述放大器的輸出處的電壓,通過(guò)第一電流發(fā)生器來(lái)產(chǎn)生第一電流,所述第一電流與所述工作溫度成比例;通過(guò)反饋部件汲取由所述第一電流發(fā)生器產(chǎn)生的所述第一電流;至少部分地基于通過(guò)所述反饋部件汲取所述第一電流,通過(guò)第二電流發(fā)生器產(chǎn)生用于存儲(chǔ)器單元陣列的第二電流,所述第二電流鏡射所述第一電流并且與所述工作溫度成比例;以及將由所述第二電流發(fā)生器產(chǎn)生的所述第二電流輸出到所述存儲(chǔ)器單元陣列。



      技術(shù)特征:

      1.一種設(shè)備,其包括:

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其進(jìn)一步包括:

      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中:

      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述反饋部件包括:

      5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備,其中所述跟蹤部件包括:

      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備,其中:

      7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備,其中至少部分地基于與一或多個(gè)相應(yīng)開(kāi)關(guān)相關(guān)聯(lián)的一或多個(gè)保險(xiǎn)絲而對(duì)所述第一開(kāi)關(guān)、所述第二開(kāi)關(guān)、所述第三開(kāi)關(guān)、所述第四開(kāi)關(guān)或者上述各者的任意組合進(jìn)行激活。

      8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中:

      9.一種設(shè)備,其包括:

      10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備,其進(jìn)一步包括:

      11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備,其中所述跟蹤部件包括:

      12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備,其中:

      13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備,其進(jìn)一步包括:

      14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備,其中所述第三晶體管經(jīng)配置以至少部分地基于經(jīng)過(guò)所述電阻部件的與所述設(shè)備的溫度成比例的所述第一電流而輸出與所述設(shè)備的所述溫度成比例的所述第二電流。

      15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備,其中:

      16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備,其中所述第三電壓是接地電壓。

      17.一種方法,其包括:

      18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法,其進(jìn)一步包括:

      19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法,其進(jìn)一步包括:

      20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法,其中至少部分地基于閉合所述開(kāi)關(guān)而將所述輸入電壓維持在閾值范圍內(nèi)。


      技術(shù)總結(jié)
      本申請(qǐng)涉及基于操作參數(shù)來(lái)調(diào)節(jié)電流的技術(shù)。一種設(shè)備可以包含放大器、反饋部件以及第一和第二電流發(fā)生器。所述放大器可以包含用于接收第一電壓的輸入和用于輸出第二電壓的輸出。所述第一電流發(fā)生器可以與所述放大器的所述輸出耦合,并且至少部分地基于所述第二電壓產(chǎn)生第一電流。所述反饋部件可以與所述第一電流發(fā)生器耦合,以至少部分地基于與存儲(chǔ)器裝置相關(guān)聯(lián)的工作溫度修改所述第一電流。所述第一電流可以與所述工作溫度成比例。所述第二電流發(fā)生器可以與所述第一電流發(fā)生器耦合,以至少部分地基于由所述反饋部件修改的所述第一電流產(chǎn)生第二電流。

      技術(shù)研發(fā)人員:褚煒路,潘棟
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:美光科技公司
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2024/12/17
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