本發(fā)明涉及存儲器后端應(yīng)用，特別是涉及一種重讀電壓糾正方法、裝置、可讀存儲介質(zhì)及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、目前主流的閃存類存儲產(chǎn)品例如emmc，ufs等產(chǎn)品，其內(nèi)部均包含一種read?retry糾錯(cuò)機(jī)制。當(dāng)閃存類存儲產(chǎn)品在數(shù)據(jù)讀取過程中發(fā)生ecc(error?control?coding，糾錯(cuò)碼)無法糾正的錯(cuò)誤時(shí)，通過read?retry糾錯(cuò)機(jī)制找到合適的電壓偏移值進(jìn)行重讀糾正。

2、通常在read?retry流程中，廠商會提供經(jīng)過實(shí)驗(yàn)測試的重讀電壓偏移糾正值，并將它們以矩陣數(shù)組的方式進(jìn)行存放。但由于read?retry過程需要遍歷整個(gè)數(shù)組才能夠找到合適的電壓偏移值執(zhí)行重讀糾正，同時(shí)閃存類存儲產(chǎn)品讀取數(shù)據(jù)的過程中存在較多的重讀操作，導(dǎo)致閃存類存儲產(chǎn)品讀取效率降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：提供一種重讀電壓糾正方法、裝置、可讀存儲介質(zhì)及電子設(shè)備，提高閃存類存儲產(chǎn)品read?retry流程的效率，從而提高產(chǎn)品的數(shù)據(jù)讀取效率和性能。

2、為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：

3、一種重讀電壓糾正方法，包括：

4、獲取待重讀目標(biāo)數(shù)據(jù)頁的數(shù)據(jù)頁類型；

5、根據(jù)所述數(shù)據(jù)頁類型得到對應(yīng)的目標(biāo)電壓偏移區(qū)間；

6、獲取重讀電壓區(qū)間表，判斷所述目標(biāo)電壓偏移區(qū)間是否位于所述重讀電壓區(qū)間表的首位，若否，則將所述目標(biāo)電壓偏移區(qū)間置于所述重讀電壓區(qū)間表的首位；

7、依次遍歷所述重讀電壓區(qū)間表內(nèi)每一電壓偏移區(qū)間中的每一糾正電壓，并根據(jù)當(dāng)前遍歷到的糾正電壓對所述待重讀目標(biāo)數(shù)據(jù)頁進(jìn)行重讀操作，直至重讀成功。

8、為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一技術(shù)方案為：

9、一種重讀電壓糾正裝置，包括：

10、第一獲取模塊，用于獲取待重讀目標(biāo)數(shù)據(jù)頁的數(shù)據(jù)頁類型；

11、第二獲取模塊，用于根據(jù)所述數(shù)據(jù)頁類型得到對應(yīng)的目標(biāo)電壓偏移區(qū)間；

12、判斷模塊，用于獲取重讀電壓區(qū)間表，判斷所述目標(biāo)電壓偏移區(qū)間是否位于所述重讀電壓區(qū)間表的首位，若否，則將所述目標(biāo)電壓偏移區(qū)間置于所述重讀電壓區(qū)間表的首位；

13、遍歷模塊，用于依次遍歷所述重讀電壓區(qū)間表內(nèi)每一電壓偏移區(qū)間中的每一糾正電壓，并根據(jù)當(dāng)前遍歷到的糾正電壓對所述待重讀目標(biāo)數(shù)據(jù)頁進(jìn)行重讀操作，直至重讀成功。

14、為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一技術(shù)方案為：

15、一種計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其上存儲有計(jì)算機(jī)程序，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如上述的一種重讀電壓糾正方法各個(gè)步驟。

16、為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的另一技術(shù)方案為：

17、一種電子設(shè)備，包括存儲器、處理器及存儲在存儲器上并可在處理器上運(yùn)行的計(jì)算機(jī)程序，其特征在于，所述處理器執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序時(shí)實(shí)現(xiàn)如上述的一種重讀電壓糾正方法各個(gè)步驟。

18、本發(fā)明的有益效果在于：通過在對待重讀目標(biāo)數(shù)據(jù)頁進(jìn)行重讀時(shí)，獲取其對應(yīng)的數(shù)據(jù)頁類型以及目標(biāo)電壓偏移區(qū)間，并將目標(biāo)電壓偏移區(qū)間調(diào)整至重讀電壓區(qū)間表的首位，使得通過重讀電壓區(qū)間表對待重讀目標(biāo)數(shù)據(jù)頁進(jìn)行重讀操作時(shí)，能夠先獲取目標(biāo)電壓偏移區(qū)間中的糾正電壓對待重讀目標(biāo)數(shù)據(jù)頁進(jìn)行重讀操作，由于目標(biāo)電壓偏移區(qū)間中的糾正電壓與待重讀目標(biāo)數(shù)據(jù)頁的數(shù)據(jù)頁類型相對應(yīng)，從而能更快速的遍歷到相應(yīng)的糾正電壓并完成重讀操作，進(jìn)而提高重讀流程的效率，提高產(chǎn)品的數(shù)據(jù)讀取效率和性能。

技術(shù)特征：

1.一種重讀電壓糾正方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種重讀電壓糾正方法，其特征在于，所述獲取重讀電壓區(qū)間表之前包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種重讀電壓糾正方法，其特征在于，所述直至重讀成功之后還包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種重讀電壓糾正方法，其特征在于，所述將重讀成功的所述糾正電壓作為目標(biāo)糾正電壓之后還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種重讀電壓糾正方法，其特征在于，所述判斷所述目標(biāo)糾正電壓是否屬于所述目標(biāo)電壓偏移區(qū)間還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種重讀電壓糾正方法，其特征在于，所述將所述目標(biāo)糾正電壓置于對應(yīng)的所述電壓偏移區(qū)間的首位還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種重讀電壓糾正方法，其特征在于，電壓偏移值包括左偏移、右偏移以及雜亂偏移；

8.一種重讀電壓糾正裝置，其特征在于，包括：

9.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其上存儲有計(jì)算機(jī)程序，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述的一種重讀電壓糾正方法各個(gè)步驟。

10.一種電子設(shè)備，包括存儲器、處理器及存儲在存儲器上并可在處理器上運(yùn)行的計(jì)算機(jī)程序，其特征在于，所述處理器執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1-7任意一項(xiàng)所述的一種重讀電壓糾正方法中的各個(gè)步驟。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種重讀電壓糾正方法、裝置、可讀存儲介質(zhì)及電子設(shè)備，包括：獲取待重讀目標(biāo)數(shù)據(jù)頁的數(shù)據(jù)頁類型；根據(jù)所述數(shù)據(jù)頁類型得到對應(yīng)的目標(biāo)電壓偏移區(qū)間；獲取重讀電壓區(qū)間表，判斷所述目標(biāo)電壓偏移區(qū)間是否位于所述重讀電壓區(qū)間表的首位，若否，則將所述目標(biāo)電壓偏移區(qū)間置于所述重讀電壓區(qū)間表的首位；依次遍歷所述重讀電壓區(qū)間表內(nèi)每一電壓偏移區(qū)間中的每一糾正電壓，并根據(jù)當(dāng)前遍歷到的糾正電壓對所述待重讀目標(biāo)數(shù)據(jù)頁進(jìn)行重讀操作，直至重讀成功。即能夠先獲取目標(biāo)電壓偏移區(qū)間中的糾正電壓對待重讀目標(biāo)數(shù)據(jù)頁進(jìn)行重讀操作，從而更快速的遍歷到相應(yīng)的糾正電壓并完成重讀操作，進(jìn)而提高重讀流程的效率。

技術(shù)研發(fā)人員：王燦,孫成思,何瀚,周靖堤
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳佰維存儲科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/5