本技術(shù)屬于硬盤加熱，更具體的說，尤其涉及一種固態(tài)硬盤及其加熱裝置。

背景技術(shù)：

1、目前，如果相應(yīng)的設(shè)備需要在南極、臨近太空或外太空工作，其環(huán)境溫度會非常低，例如低于-60℃，這個環(huán)境溫度低于當(dāng)前電子行業(yè)器件所能承受的最低溫度，此時需要對設(shè)備進(jìn)行加熱，當(dāng)達(dá)到設(shè)備的工作溫度之后，設(shè)備可以正常工作。

2、固態(tài)硬盤作為數(shù)據(jù)存儲部件，通常與設(shè)備一起封在一個密閉的空間，在極低溫環(huán)境下，采用設(shè)備級的空調(diào)系統(tǒng)對設(shè)備整體進(jìn)行加熱，來提高設(shè)備內(nèi)部的環(huán)境溫度，進(jìn)而提高固態(tài)硬盤的工作溫度，使固態(tài)硬盤正常工作；但是，設(shè)備級的空調(diào)系統(tǒng)對整體加熱的效能低，升溫速度慢，導(dǎo)致開機到固態(tài)硬盤進(jìn)入正常工作的時間間隔較長。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本實用新型的目的在于提供一種固態(tài)硬盤及其加熱裝置，用于通過為陶瓷加熱片供電，實現(xiàn)對固態(tài)硬盤的加熱。

2、本申請第一方面公開了一種固態(tài)硬盤的加熱裝置，包括：延時開關(guān)和陶瓷加熱片；

3、所述固態(tài)硬盤的金手指通過第一供電線路連接所述延時開關(guān)的第一端；

4、所述延時開關(guān)的第二端通過第二供電線路連接所述陶瓷加熱片；

5、所述延時開關(guān)上電后，先延遲預(yù)設(shè)時間再導(dǎo)通；并且，所述延時開關(guān)受控于所述固態(tài)硬盤中的主控芯片；所述預(yù)設(shè)時間大于等于所述主控芯片在工作環(huán)境溫度下上電后初始化所需時間。

6、可選的，所述陶瓷加熱片和所述延時開關(guān)均設(shè)置于所述固態(tài)硬盤中印制電路pcb板的背面。

7、可選的，還包括：金屬固定裝置；

8、所述金屬固定裝置用于將所述陶瓷加熱片固定在所述固態(tài)硬盤中pcb板的背面。

9、可選的，所述金屬固定裝置的數(shù)量為4個。

10、可選的，所述陶瓷加熱片與pcb板的接觸面為長方形；

11、4個所述金屬固定裝置與所述陶瓷加熱片對應(yīng)接觸面的4個角一一對應(yīng)；

12、所述金屬固定裝置用于將所述陶瓷加熱片對應(yīng)接觸面的相應(yīng)角固定在pcb板的背面。

13、可選的，所述陶瓷加熱片與pcb板之間涂有導(dǎo)熱硅脂。

14、可選的，還包括：溫度傳感器；

15、所述溫度傳感器用于檢測所述固態(tài)硬盤的環(huán)境溫度并輸出至所述主控芯片。

16、可選的，所述陶瓷加熱片的尺寸小于所述固態(tài)硬盤的尺寸。

17、可選的，所述陶瓷加熱片的長度為60mm，所述陶瓷加熱片的寬度為15mm；所述陶瓷加熱片的厚度為1.5mm；

18、所述固態(tài)硬盤的長度為80mm，所述固態(tài)硬盤的寬度為22mm，所述固態(tài)硬盤的厚度不超過2.5mm。

19、本申請第二方面公開了一種固態(tài)硬盤，包括：主控芯片、pcb板、金手指，多個存儲單元、電源模塊和如本申請第一方面中任一項所述的加熱裝置；

20、所述金手指與固態(tài)硬盤所在裝置的主板之間采用物理連接，所述金手指接收所述主板的供電；

21、所述金手指通過第一供電線路分別與所述電源模塊的一端和所述加熱裝置一端相連；

22、所述電源模塊的另一端分別與所述主控芯片的供電端和所述存儲單元的供電端相連；

23、所述主控芯片用于控制所述加熱裝置中的延時開關(guān)斷開；

24、所述金手指設(shè)置于所述pcb板的一側(cè)；

25、所述存儲單元和所述電源模塊設(shè)置于所述pcb板的正面；

26、所述加熱裝置設(shè)置于所述pcb板的背面。

27、從上述技術(shù)方案可知，本實用新型提供的一種固態(tài)硬盤的加熱裝置，包括：延時開關(guān)和陶瓷加熱片；固態(tài)硬盤的金手指通過第一供電線路連接延時開關(guān)的第一端；延時開關(guān)的第二端通過第二供電線路連接陶瓷加熱片；延時開關(guān)上電后，先延遲預(yù)設(shè)時間再導(dǎo)通；并且，延時開關(guān)受控于固態(tài)硬盤中的主控芯片；也就是說，主控芯片可以控制延時開關(guān)的通斷來實現(xiàn)對延時開關(guān)的控制，延時開關(guān)也可以自動導(dǎo)通；進(jìn)而在由于主控單元因環(huán)境溫度較低無法正常運行時，延時開關(guān)自動導(dǎo)通為陶瓷加熱片供電，陶瓷加熱片開始加熱，提高固態(tài)硬盤的環(huán)境溫度；同時，陶瓷加熱片具備升溫迅速、加熱溫度高等優(yōu)點，進(jìn)一步加快了固態(tài)硬盤的升溫速度；另外，通過陶瓷加熱片單獨對固態(tài)硬盤進(jìn)行加熱，無需依靠外部傳導(dǎo)加熱、無需整機加熱，提高加熱效率，加熱裝置結(jié)構(gòu)設(shè)計簡單且加工簡單，能在很短的時間內(nèi)起加熱效果，縮短固態(tài)硬盤的加熱時間。

技術(shù)特征：

1.一種固態(tài)硬盤的加熱裝置，其特征在于，包括：延時開關(guān)和陶瓷加熱片；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)硬盤的加熱裝置，其特征在于，所述陶瓷加熱片和所述延時開關(guān)均設(shè)置于所述固態(tài)硬盤中印制電路pcb板的背面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)硬盤的加熱裝置，其特征在于，還包括：金屬固定裝置；

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的固態(tài)硬盤的加熱裝置，其特征在于，所述金屬固定裝置的數(shù)量為4個。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的固態(tài)硬盤的加熱裝置，其特征在于，所述陶瓷加熱片與pcb板的接觸面為長方形；

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固態(tài)硬盤的加熱裝置，其特征在于，所述陶瓷加熱片與pcb板之間涂有導(dǎo)熱硅脂。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固態(tài)硬盤的加熱裝置，其特征在于，還包括：溫度傳感器；

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)硬盤的加熱裝置，其特征在于，所述陶瓷加熱片的尺寸小于所述固態(tài)硬盤的尺寸。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)硬盤的加熱裝置，其特征在于，所述陶瓷加熱片的長度為60mm，所述陶瓷加熱片的寬度為15mm；所述陶瓷加熱片的厚度為1.5mm；

10.一種固態(tài)硬盤，其特征在于，包括：主控芯片、pcb板、金手指，多個存儲單元、電源模塊和如權(quán)利要求1-9中任一項所述的加熱裝置；

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供一種固態(tài)硬盤及其加熱裝置，該加熱裝置包括：延時開關(guān)和陶瓷加熱片；固態(tài)硬盤的金手指通過第一供電線路連接延時開關(guān)的第一端；延時開關(guān)的第二端通過第二供電線路連接陶瓷加熱片；延時開關(guān)上電后，先延遲預(yù)設(shè)時間再導(dǎo)通；并且，延時開關(guān)受控于固態(tài)硬盤中的主控芯片；也就是說，主控芯片可以控制延時開關(guān)的通斷來實現(xiàn)對延時開關(guān)的控制，延時開關(guān)也可以自動導(dǎo)通；進(jìn)而在由于主控單元因環(huán)境溫度較低無法正常運行時，延時開關(guān)自動導(dǎo)通為陶瓷加熱片供電，陶瓷加熱片開始加熱，提高固態(tài)硬盤的環(huán)境溫度；同時，陶瓷加熱片具備升溫迅速、加熱溫度高等優(yōu)點，進(jìn)一步加快了固態(tài)硬盤的升溫速度；另外，通過陶瓷加熱片單獨對固態(tài)硬盤進(jìn)行加熱，無需依靠外部傳導(dǎo)加熱、無需整機加熱，提高加熱效率，加熱裝置結(jié)構(gòu)設(shè)計簡單且加工簡單，能在很短的時間內(nèi)起加熱效果，縮短固態(tài)硬盤的加熱時間。

技術(shù)研發(fā)人員：曹楨
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京傲星科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240305
技術(shù)公布日：2024/12/17