專(zhuān)利名稱(chēng):盤(pán)片裝置的讀寫(xiě)頭滑塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及盤(pán)片裝置的讀寫(xiě)頭滑塊，更具體地，涉及下述盤(pán)片裝置的讀寫(xiě)頭滑塊，該讀寫(xiě)頭滑塊包括磁性元件，該磁性元件適合于在盤(pán)狀磁記錄介質(zhì)上方飛行，以在磁性元件與磁記錄介質(zhì)之間記錄或再生磁信息，其中相對(duì)于該介質(zhì)運(yùn)轉(zhuǎn)的方向，在該讀寫(xiě)頭滑塊的與該介質(zhì)相對(duì)的表面上形成有位于上游端的流入墊(pad)部分和從該流入墊部分向下游延伸的一對(duì)側(cè)軌(side rail)部分；以及在讀寫(xiě)頭滑塊的下游端位于中心部分的中心墊和位于該中心墊的兩側(cè)并且在該中心墊上游的一對(duì)側(cè)墊。
背景技術(shù)：
首先，參照?qǐng)D15說(shuō)明其上安裝有磁性滑動(dòng)讀寫(xiě)頭的傳統(tǒng)盤(pán)片裝置。圖15是傳統(tǒng)盤(pán)片裝置1的平面圖，其中以預(yù)定的間隔在可旋轉(zhuǎn)心軸上安裝有一個(gè)或多個(gè)盤(pán)狀磁記錄介質(zhì)3。
為各個(gè)旋轉(zhuǎn)磁記錄介質(zhì)3的正面和反面均設(shè)置讀寫(xiě)頭滑塊10，各個(gè)讀寫(xiě)頭滑塊10通過(guò)位于可擺動(dòng)地支撐在樞軸上的執(zhí)行器的臂4的端部的懸架5來(lái)支撐。通過(guò)音圈電機(jī)6使讀寫(xiě)頭滑塊10在各個(gè)介質(zhì)表面上沿徑向移動(dòng)(以進(jìn)行尋道操作)。
如圖16所示，具有上述結(jié)構(gòu)的盤(pán)片裝置1的讀寫(xiě)頭滑塊10在盤(pán)狀記錄介質(zhì)上基本上沿徑向向外或向內(nèi)移動(dòng)，同時(shí)在由高速旋轉(zhuǎn)的盤(pán)狀記錄介質(zhì)3產(chǎn)生的正壓或負(fù)壓的作用下在介質(zhì)表面上方飛行。
在圖16中，通過(guò)磁記錄介質(zhì)3在沿箭頭P的方向上的高速旋轉(zhuǎn)，在磁記錄介質(zhì)3和讀寫(xiě)頭滑塊10之間沿箭頭P的方向產(chǎn)生如圖所示的氣流。通過(guò)該氣膜，在正壓或負(fù)壓的作用下，讀寫(xiě)頭滑塊10距離磁記錄介質(zhì)3的表面預(yù)定的高度飛行，并且與磁記錄介質(zhì)3的表面保持預(yù)定的間隔關(guān)系。
為了實(shí)現(xiàn)磁記錄介質(zhì)3的高密度封裝，希望將讀寫(xiě)頭滑塊10設(shè)置得盡可能接近盤(pán)狀記錄介質(zhì)3。然而，在各種條件下，希望在介質(zhì)表面和讀寫(xiě)頭滑塊之間保持預(yù)定的間隔。如果讀寫(xiě)頭滑塊10的總長(zhǎng)度為1.25nm，則讀寫(xiě)頭滑塊10的安裝有記錄/再生磁性元件7的離介質(zhì)表面最近的部分距離介質(zhì)表面的飛行高度t為幾十和幾nm，或者大約15nm。
在圖17中，具有上述結(jié)構(gòu)的盤(pán)片裝置的讀寫(xiě)頭滑塊10由于由沿箭頭P的方向高速旋轉(zhuǎn)的盤(pán)狀記錄介質(zhì)3產(chǎn)生的力而在介質(zhì)表面上方飛行，同時(shí)該讀寫(xiě)頭滑塊10在盤(pán)狀記錄介質(zhì)上方基本上沿徑向向外或向內(nèi)移動(dòng)(尋道操作)。
結(jié)果，盤(pán)狀記錄介質(zhì)3相對(duì)于讀寫(xiě)頭滑塊10的運(yùn)轉(zhuǎn)速度根據(jù)讀寫(xiě)頭滑塊10是沿盤(pán)狀記錄介質(zhì)3的內(nèi)周側(cè)、中間周側(cè)還是外周側(cè)運(yùn)動(dòng)而變化。同時(shí)，磁記錄介質(zhì)3相對(duì)于讀寫(xiě)頭滑塊10的運(yùn)轉(zhuǎn)方向，即，速度矢量V1、V2、V3及其方向也發(fā)生變化。具體地，在最內(nèi)周和最外周之間，運(yùn)轉(zhuǎn)速度變化了大約兩倍，而速度矢量變化了大約25度。
因此，在設(shè)計(jì)盤(pán)片裝置的讀寫(xiě)頭滑塊10時(shí)，在盤(pán)狀記錄介質(zhì)3的整個(gè)圓周上盡可能保持讀寫(xiě)頭滑塊的飛行高度t(圖16)一致是很重要的，甚至允許存在速度的變化或速度矢量的變化。
通過(guò)類(lèi)似的方式，在支撐讀寫(xiě)頭滑塊10的執(zhí)行器的臂4(圖15)進(jìn)行尋道操作的情況下，安裝在臂4前端的讀寫(xiě)頭滑塊10在某些定時(shí)沿盤(pán)狀記錄介質(zhì)3的徑向向內(nèi)移動(dòng)，而在其它定時(shí)向外移動(dòng)。在該過(guò)程中，尋道操作與讀寫(xiě)頭滑塊10相對(duì)于記錄介質(zhì)3的速度矢量的合成使速度矢量(V4和V5)的方向改變了大約15度。
因此，對(duì)于氣流的這種方向變化，要求讀寫(xiě)頭滑塊在記錄介質(zhì)上方的飛行高度盡可能保持一致。
此外，要求攜帶該盤(pán)片裝置的設(shè)備(無(wú)論是固定計(jì)算機(jī)還是移動(dòng)個(gè)人計(jì)算機(jī))能夠承受包括低氣壓在內(nèi)的多種工作條件。通常，HDD(硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器)要求考慮在高的海拔高度使用，因此，HDD即使在海平面以上3000m的高度也必須保證能夠工作。
此外，考慮到諸如加工誤差和裝配誤差等制造問(wèn)題而需要魯棒的設(shè)計(jì)。
在上述盤(pán)片裝置的讀寫(xiě)頭滑塊的所有設(shè)計(jì)問(wèn)題中，本發(fā)明特別傾向于提供一種可以在低氣壓下使用的盤(pán)片裝置的讀寫(xiě)頭滑塊。
具體地，傳統(tǒng)盤(pán)片裝置的讀寫(xiě)頭滑塊產(chǎn)生的問(wèn)題在于在低氣壓下讀寫(xiě)頭滑塊的飛行高度降低。尤其在支撐于執(zhí)行器的臂的自由端處的讀寫(xiě)頭滑塊位于盤(pán)片介質(zhì)的內(nèi)側(cè)(內(nèi)側(cè))，同時(shí)沿旋轉(zhuǎn)磁介質(zhì)的徑向進(jìn)行尋道操作的情況下，盤(pán)狀記錄介質(zhì)相對(duì)于讀寫(xiě)頭滑塊的圓周速度很低，以至于不能確保向讀寫(xiě)頭滑塊提供足夠的空氣支承(air-bearing)壓力。結(jié)果，隨著氣壓的下降飛行高度大大降低。
確保讀寫(xiě)頭滑塊幾乎不依賴(lài)于氣壓，即，具有能夠可靠地克服低氣壓的特性的嘗試會(huì)遇到克服圓周速度變化的魯棒性下降的問(wèn)題。此外，如同讀寫(xiě)頭滑塊的飛行高度一樣，隨著氣壓的下降，提供轉(zhuǎn)動(dòng)讀寫(xiě)頭滑塊相對(duì)于介質(zhì)的上游或下游方向的傾角的“俯仰角(pitch angle)”減小。
在與本發(fā)明相關(guān)的日本未審專(zhuān)利公報(bào)No.2003-323706中公開(kāi)的傳統(tǒng)技術(shù)提出了下述的讀寫(xiě)頭，其中在滑塊體在磁記錄介質(zhì)上方飛行的情況下，通過(guò)減小氣壓對(duì)磁芯和磁記錄介質(zhì)之間的間隔的影響來(lái)防止磁芯與磁記錄介質(zhì)相接觸。
JP-A 2003-323706公開(kāi)了一種磁記錄裝置的讀寫(xiě)頭滑塊，其中在與介質(zhì)相對(duì)的滑塊體表面的流出端(尾端部分)的中部形成有具有磁芯的中心墊部分，并且在比中心墊部分更接近流入端(前端)的橫向端部形成有多個(gè)側(cè)墊部分。與介質(zhì)相對(duì)的兩個(gè)側(cè)墊部分的表面的總面積大于與介質(zhì)相對(duì)的中心墊部分的表面的面積。各個(gè)墊部分形成有低于前端上的其它部分的前臺(tái)階面。
如上所述，已對(duì)通過(guò)調(diào)整與介質(zhì)相對(duì)的中心墊部分和側(cè)墊部分的表面面積來(lái)提高讀寫(xiě)頭滑塊克服氣壓變化的魯棒性進(jìn)行了嘗試。然而，在專(zhuān)利參考文獻(xiàn)1中公開(kāi)的方法只考慮了與介質(zhì)呈相對(duì)關(guān)系的中心墊部分和側(cè)墊部分的表面面積，并沒(méi)有充分考慮中心墊和側(cè)墊產(chǎn)生的壓力的大小。
鑒于此，根據(jù)本發(fā)明，不論與介質(zhì)相對(duì)的中心墊部分和側(cè)墊部分的表面面積如何，側(cè)墊部分中產(chǎn)生的正壓增大至超過(guò)中心墊部分中產(chǎn)生的正壓，從而確?？朔鈮鹤兓聂敯粜浴４送?，可以通過(guò)適當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)側(cè)墊部分的形狀來(lái)進(jìn)一步提高克服更大的氣壓變化的魯棒性。

發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的是提供一種盤(pán)片裝置的讀寫(xiě)頭滑塊，該讀寫(xiě)頭滑塊在旋轉(zhuǎn)的盤(pán)狀磁記錄介質(zhì)上方飛行，并且具有對(duì)氣壓的依賴(lài)性較小的特性，即，能夠可靠克服氣壓變化，并且即使在低氣壓下也能使讀寫(xiě)頭滑塊的飛行高度變化最小。
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種盤(pán)片裝置的讀寫(xiě)頭滑塊，該讀寫(xiě)頭滑塊包括磁性元件，其適于在盤(pán)狀磁記錄介質(zhì)上方飛行以在該磁性元件與該磁記錄介質(zhì)之間記錄或再生磁信息；該讀寫(xiě)頭滑塊的與該介質(zhì)相對(duì)的表面，相對(duì)于介質(zhì)運(yùn)轉(zhuǎn)的方向，該表面形成有位于上游端的流入墊部分和從該流入墊部分向下游延伸的一對(duì)側(cè)軌部分，以及在讀寫(xiě)頭滑塊的下游端位于中部的中心墊和位于該中心墊兩側(cè)并且在該中心墊的上游的一對(duì)側(cè)墊；其中當(dāng)讀寫(xiě)頭滑塊位于磁記錄介質(zhì)的內(nèi)周區(qū)域時(shí)，由側(cè)墊產(chǎn)生的正壓大于由中心墊產(chǎn)生的正壓。
在如上所述的盤(pán)片裝置的讀寫(xiě)頭滑塊中，至少一個(gè)側(cè)墊具有空氣支承面和臺(tái)階面，該臺(tái)階面的高度小于該空氣支承面的高度，空氣支承面和臺(tái)階面之一具有縱向延伸部分和橫向延伸部分以限定一大致L形的結(jié)構(gòu)，其中，所述一對(duì)側(cè)墊的外側(cè)邊緣不相對(duì)于所述一對(duì)側(cè)軌部分的外側(cè)邊緣突出，而是基本上與所述一對(duì)側(cè)軌部分的外側(cè)邊緣一致。
該對(duì)側(cè)墊中的至少一個(gè)具有該大致L形結(jié)構(gòu)的縱向延伸部分，并且該縱向延伸部分相對(duì)于磁記錄介質(zhì)位于外周側(cè)，以使該大致L形的結(jié)構(gòu)相對(duì)于磁記錄介質(zhì)向內(nèi)周側(cè)開(kāi)口。
如上所述，在盤(pán)片裝置的讀寫(xiě)頭滑塊中，流入墊部分、中心墊和側(cè)墊中的每一個(gè)都具有空氣支承面和臺(tái)階面，臺(tái)階面的高度小于空氣支承面的高度，多個(gè)側(cè)軌部分中的至少一個(gè)側(cè)軌部分與對(duì)應(yīng)的側(cè)墊相連，并且至少將該側(cè)軌部分設(shè)置得比讀寫(xiě)頭滑塊的相應(yīng)側(cè)緣更接近讀寫(xiě)頭滑塊的橫向中心10μm或更多。
將這些側(cè)軌部分構(gòu)造為通過(guò)一鈍角來(lái)限定與流入墊部分相連的部分或者與側(cè)墊相連的部分。
在如上所述的盤(pán)片裝置的讀寫(xiě)頭滑塊中，中心墊具有空氣支承面和位于空氣支承面的流出側(cè)并且高度小于空氣支承面高度的臺(tái)階面，空氣支承面在中心墊的流出區(qū)域具有橫向延伸部分并且在中心墊的各個(gè)側(cè)面具有前部縱向延伸部分，以限定一大致U形的結(jié)構(gòu)，并且臺(tái)階面具有空氣支承面的正前方區(qū)域(immediately front area)以及從該正前方區(qū)域向讀寫(xiě)頭滑塊的上游延伸的中心突起。
相對(duì)于該正前方區(qū)域，臺(tái)階面的中心突起的連接部分具有相對(duì)于記錄介質(zhì)位于外側(cè)的斜面部分。
在如上所述的盤(pán)片裝置的讀寫(xiě)頭滑塊中，將負(fù)壓區(qū)域限定為由流入墊部分和側(cè)軌部分包圍的區(qū)域；該負(fù)壓區(qū)域包括相對(duì)于記錄介質(zhì)的內(nèi)周負(fù)壓區(qū)域和外周負(fù)壓區(qū)域，并且內(nèi)周負(fù)壓區(qū)域比外周負(fù)壓區(qū)域向讀寫(xiě)頭滑塊的流入邊緣延伸更多。
在如上所述的盤(pán)片裝置的讀寫(xiě)頭滑塊中，將負(fù)壓區(qū)域限定為由流入墊部分和側(cè)軌部分包圍的區(qū)域；將負(fù)壓區(qū)域的起始點(diǎn)限定為到讀寫(xiě)頭滑塊的流入邊緣的距離相對(duì)于讀寫(xiě)頭滑塊的整個(gè)長(zhǎng)度在25％之內(nèi)的點(diǎn)。
在如上所述的盤(pán)片裝置的讀寫(xiě)頭滑塊中，流入墊部分具有沿讀寫(xiě)頭滑塊的上游端部分橫向延伸的空氣支承面以及高度小于該空氣支承面高度并且在該空氣支承面和讀寫(xiě)頭滑塊的上游邊緣之間橫向延伸的臺(tái)階面，該臺(tái)階面具有高度與空氣支承面相當(dāng)?shù)闹辽賰蓚€(gè)凸起。
圖1是表示本發(fā)明第一實(shí)施例的平面圖；圖2是表示本發(fā)明第二實(shí)施例的平面圖圖3是表示本發(fā)明第三實(shí)施例的平面圖；圖4是表示本發(fā)明第四實(shí)施例的平面圖；圖5是表示本發(fā)明第五實(shí)施例的平面圖；圖6是表示本發(fā)明第六實(shí)施例的平面圖；圖7是表示本發(fā)明第七實(shí)施例的平面圖；圖8是表示本發(fā)明第八實(shí)施例的平面圖；圖9是表示本發(fā)明第九實(shí)施例的平面圖；圖10是表示本發(fā)明第十實(shí)施例的平面圖；圖11是表示本發(fā)明第11實(shí)施例的平面圖；圖12是表示本發(fā)明第12實(shí)施例的平面圖；圖13是表示本發(fā)明第13實(shí)施例的平面圖；圖14是表示本發(fā)明第14實(shí)施例的平面圖；圖15是示意性地表示盤(pán)片裝置的平面圖；圖16是盤(pán)片裝置的讀寫(xiě)頭滑塊的側(cè)視圖；圖17是表示讀寫(xiě)頭滑塊的位置與流速矢量之間關(guān)系的簡(jiǎn)圖；圖18是表示讀寫(xiě)頭滑塊的尋道操作與流速矢量之間關(guān)系的簡(jiǎn)圖；以及圖19是從與介質(zhì)相對(duì)的讀寫(xiě)頭滑塊表面觀(guān)察的立體圖。
具體實(shí)施方式下面參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。
圖1到14是根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例，從盤(pán)片裝置的讀寫(xiě)頭滑塊的與介質(zhì)相對(duì)的側(cè)面觀(guān)察的平面圖。圖19是從讀寫(xiě)頭滑塊的與磁記錄介質(zhì)相對(duì)的表面(或者具體地說(shuō)，從讀寫(xiě)頭滑塊的與介質(zhì)相對(duì)的不平整表面)觀(guān)察的根據(jù)本發(fā)明的讀寫(xiě)頭滑塊的立體圖。在圖19中，放大了從底面B到空氣支承面(ABS)的高度以及到臺(tái)階面D的高度。
在圖19中，讀寫(xiě)頭滑塊體10由諸如炭化鋁鈦(AlTiC)的適當(dāng)陶瓷材料形成，并且通過(guò)諸如離子銑削或離子蝕刻的傳統(tǒng)公知方法來(lái)制造。從讀寫(xiě)頭滑塊的與介質(zhì)相對(duì)的側(cè)面觀(guān)察，讀寫(xiě)頭滑塊體10呈大致矩形的平面視圖。相對(duì)于磁記錄介質(zhì)旋轉(zhuǎn)的方向P，讀寫(xiě)頭滑塊體10包括構(gòu)成上游橫向邊緣的流入端10a、構(gòu)成后部橫向邊緣的流出端10b、以及縱向側(cè)邊緣10c、10d。
為了確保在讀寫(xiě)頭滑塊10的與介質(zhì)相對(duì)的表面和旋轉(zhuǎn)磁記錄介質(zhì)之間所需的空氣支承力，在讀寫(xiě)頭滑塊10的特定相對(duì)表面上形成多個(gè)很小的不平整部分，以由此控制壓力。具體地，通過(guò)適當(dāng)?shù)乜刂朴蛇@些很小的不平整部分產(chǎn)生的正壓和負(fù)壓的組合來(lái)實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的空氣支承功能。
如圖19所示，讀寫(xiě)頭滑塊10具有與介質(zhì)相對(duì)的三級(jí)臺(tái)階的不平整表面。在本說(shuō)明書(shū)中，將主要形成離磁記錄介質(zhì)的表面最遠(yuǎn)的負(fù)壓表面的表面B定義為“底面”，將主要形成離磁記錄介質(zhì)的表面最近的正壓表面的表面A定義為“空氣支承面(ABS)”，而將從空氣支承面A略微下降的表面D定義為“臺(tái)階面”。從空氣支承面A到底面B的深度a為大約1到3μm，而從空氣支承面A到臺(tái)階面D的深度b為大約0.1到0.3μm。
空氣支承面A包括流入墊部分A(1)，該流入墊部分A(1)靠近上游端并與上游端稍微間隔開(kāi)，該流入墊部分A(1)與介質(zhì)旋轉(zhuǎn)方向P垂直地延伸到讀寫(xiě)頭滑塊體10的整個(gè)寬度。中心墊部分A(2)位于沿方向P的下游端的中心部分處。此外，側(cè)墊部分A(3)、A(4)位于中心墊部分A(2)的稍微靠上游的兩側(cè)。
另一方面，相對(duì)于介質(zhì)運(yùn)轉(zhuǎn)的方向P，臺(tái)階面D包括在流入墊部分A(1)前方的整個(gè)橫向區(qū)域延伸的流入側(cè)臺(tái)階面D(1)；從流入墊部分A(1)沿讀寫(xiě)頭滑塊的兩側(cè)向下游延伸的側(cè)軌部分D(5)、D(6)；以及設(shè)置在中心墊部分A(2)和側(cè)墊部分A(3)、A(4)前方的中心臺(tái)階面D(2)和側(cè)臺(tái)階面D(3)、D(4)。
讀寫(xiě)頭滑塊10除空氣支承面A和臺(tái)階面D以外的與介質(zhì)相對(duì)的表面區(qū)域構(gòu)成底面B。具體地，與由流入墊部分A(1)限定的介質(zhì)相對(duì)的讀寫(xiě)頭滑塊的底面B的中心區(qū)域、側(cè)軌部分D(5)、D(6)、中心墊部分A(2)、臺(tái)階面D(2)、側(cè)墊部分A(3)、A(4)、以及臺(tái)階面D(3)、D(4)構(gòu)成負(fù)壓部分。
可以通過(guò)改變各種參數(shù)(包括讀寫(xiě)頭滑塊10的與介質(zhì)相對(duì)的空氣支承面A和臺(tái)階面D的形狀和面積)來(lái)控制讀寫(xiě)頭滑塊10對(duì)于記錄介質(zhì)表面的空氣支承力。
接下來(lái)，參照?qǐng)D1到14說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施例的讀寫(xiě)頭滑塊10的與介質(zhì)相對(duì)的空氣支承面A和臺(tái)階面D。如前面所定義的，在這些圖中，空氣支承面A由陰影線(xiàn)表示，臺(tái)階面D由圓點(diǎn)表示，而底面B由框線(xiàn)表示。
圖1是表示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的與介質(zhì)相對(duì)的讀寫(xiě)頭滑塊表面的平面圖。在圖1中，標(biāo)號(hào)11表示空氣流入的流入端，標(biāo)號(hào)12表示空氣流出的流出端。標(biāo)號(hào)13表示中心墊部分，標(biāo)號(hào)14、15表示側(cè)墊部分。根據(jù)第一實(shí)施例，將由兩個(gè)側(cè)墊部分14、15產(chǎn)生的壓力(正壓)設(shè)定為大于由中心墊部分13產(chǎn)生的壓力(正壓)。結(jié)果，防止了由于氣壓下降而導(dǎo)致的飛行高度極大降低。
具體地，除了中心墊部分13的空氣支承面A的面積和側(cè)墊部分14、15的空氣支承面A的面積外，諸如中心墊部分13和側(cè)墊部分14、15的大小、形狀、和排列以及臺(tái)階面D的對(duì)應(yīng)大小、形狀、排列和其它物理構(gòu)造也是可變地。通過(guò)這種方式，可以將由兩個(gè)側(cè)墊部分14、15產(chǎn)生的壓力設(shè)定為大于由中心墊部分13產(chǎn)生的壓力。通過(guò)計(jì)算機(jī)仿真來(lái)具體確定通過(guò)包括大小、形狀和排列在內(nèi)的多種因素在與介質(zhì)相對(duì)的讀寫(xiě)頭滑塊表面上獲得的壓力的大小。
圖2是表示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的與介質(zhì)相對(duì)的讀寫(xiě)頭滑塊表面的平面圖。標(biāo)號(hào)21表示空氣流入的流入端，標(biāo)號(hào)22表示空氣流出的流出端。標(biāo)號(hào)23表示中心墊部分，標(biāo)號(hào)24、25表示側(cè)墊部分。根據(jù)第二實(shí)施例，在讀寫(xiě)頭滑塊沿徑向位于記錄介質(zhì)的內(nèi)側(cè)的情況下，空氣從圖2的左下部沿箭頭Q的方向流向右上部(與圖17的情況相反)。因此，如圖2所示，側(cè)墊部分24、25的空氣支承面A的前緣向內(nèi)取向以增大由氣流產(chǎn)生的沿箭頭Q的方向的壓力。結(jié)果，只要讀寫(xiě)頭滑塊沿徑向位于磁記錄介質(zhì)的內(nèi)側(cè)，就可以增大由側(cè)墊部分24、25產(chǎn)生的壓力。
具體地，當(dāng)讀寫(xiě)頭滑塊位于內(nèi)周區(qū)域時(shí)由側(cè)墊部分24、25產(chǎn)生的壓力大于讀寫(xiě)頭滑塊位于外周區(qū)域時(shí)由側(cè)墊部分24、25產(chǎn)生的壓力。這防止了在讀寫(xiě)頭滑塊沿徑向位于磁記錄介質(zhì)的內(nèi)側(cè)并且讀寫(xiě)頭滑塊和磁記錄介質(zhì)之間的相對(duì)速度減小的情況下，可能由于氣壓的下降而導(dǎo)致讀寫(xiě)頭滑塊的飛行高度極大降低。
圖3是表示根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的與介質(zhì)相對(duì)的讀寫(xiě)頭滑塊表面的平面圖。標(biāo)號(hào)31表示空氣流入的流入端，標(biāo)號(hào)32表示空氣流出的流出端。標(biāo)號(hào)33表示中心墊部分，標(biāo)號(hào)34、35表示側(cè)墊部分。根據(jù)第三實(shí)施例，通過(guò)后部橫向延伸部分A1和縱向延伸部分A2將各個(gè)側(cè)墊部分34、35的空氣支承面A形成為大致L形的結(jié)構(gòu)。臺(tái)階面D延伸到由大致L形結(jié)構(gòu)的空氣支承面A1、A2限定的中心邊緣和上游邊緣。由此，如圖3所示，臺(tái)階面D的側(cè)墊部分34、35的空氣支承面A共同指向中心。具體地，各個(gè)縱向延伸部分A2比對(duì)應(yīng)的臺(tái)階面更接近滑塊體的側(cè)緣。結(jié)果，通過(guò)作為堤的側(cè)墊部分有效地集中沿箭頭P的方向流入的空氣，由此增大由側(cè)墊部分34、35產(chǎn)生的壓力。因此，防止了可能由于氣壓的下降而導(dǎo)致的讀寫(xiě)頭滑塊的飛行高度極大降低。
圖4表示根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的與介質(zhì)相對(duì)的讀寫(xiě)頭滑塊表面的平面圖。標(biāo)號(hào)41表示空氣流入的流入端，標(biāo)號(hào)42表示空氣流出的流出端。標(biāo)號(hào)43表示中心墊部分，標(biāo)號(hào)44、45表示側(cè)墊部分。根據(jù)與第三實(shí)施例具有類(lèi)似構(gòu)造的第四實(shí)施例，由后部橫向延伸部分A1和縱向延伸部分A2將根據(jù)第三實(shí)施例的側(cè)墊部分34、35的空氣支承面A形成為大致L形的結(jié)構(gòu)。臺(tái)階面D延伸到大致L形結(jié)構(gòu)的空氣支承面A1的中心邊緣和上游邊緣。在讀寫(xiě)頭滑塊位于磁記錄介質(zhì)的內(nèi)周側(cè)的情況下，空氣從圖4中的左下部沿箭頭Q的方向流向右上部。
由此，將位于內(nèi)側(cè)的側(cè)墊部分44的大致L形結(jié)構(gòu)的空氣支承面A的縱向延伸部分A2設(shè)置得更接近記錄介質(zhì)的外部周邊，即，更接近如圖4所示的臺(tái)階面D中的讀寫(xiě)頭滑塊的中心。結(jié)果，尤其在讀寫(xiě)頭滑塊沿徑向位于磁記錄介質(zhì)的內(nèi)側(cè)的情況下，由側(cè)墊部分44、45的大致L形的空氣支承面A接收沿箭頭Q的方向流動(dòng)的空氣，由此增大由側(cè)墊部分44、45產(chǎn)生的壓力。
具體地，在讀寫(xiě)頭滑塊沿徑向位于磁記錄介質(zhì)的內(nèi)側(cè)的情況下，側(cè)墊部分44、45產(chǎn)生的壓力(正壓)高于在讀寫(xiě)頭滑塊位于外側(cè)的情況下所產(chǎn)生的壓力。由此，可以防止在讀寫(xiě)頭滑塊沿徑向位于磁記錄介質(zhì)內(nèi)側(cè)，并且讀寫(xiě)頭滑塊和磁記錄介質(zhì)之間的相對(duì)速度減小的情況下，可能由于氣壓的下降而導(dǎo)致的讀寫(xiě)頭滑塊的飛行高度極大降低。
圖5是表示根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的與介質(zhì)相對(duì)的讀寫(xiě)頭滑塊表面的平面圖。標(biāo)號(hào)51表示空氣流入的流入端，標(biāo)號(hào)52表示空氣流出的流出端。標(biāo)號(hào)53表示中心墊部分，標(biāo)號(hào)54、55表示側(cè)墊部分。根據(jù)第五實(shí)施例，由后部橫向延伸部分D1和縱向延伸部分D2將在側(cè)墊部分54、55的空氣支承面A的前方延伸的臺(tái)階面D形成為大致L形的結(jié)構(gòu)。將兩個(gè)側(cè)墊部分54、55的臺(tái)階面D的大致L形結(jié)構(gòu)的縱向延伸部分D2設(shè)置在讀寫(xiě)頭滑塊的外周側(cè)。由此，通過(guò)側(cè)墊部分54、55的大致L形結(jié)構(gòu)的臺(tái)階面D將沿箭頭P的方向流動(dòng)并到達(dá)側(cè)墊部分54、55前部的氣流定向?yàn)橄騼?nèi)。還可以控制沿箭頭R的方向流入讀寫(xiě)頭滑塊的氣流。
通過(guò)這種方式，通過(guò)大致L形結(jié)構(gòu)的臺(tái)階面D2(作為堤)有效地集中氣流，由此增大由側(cè)墊部分54、55產(chǎn)生的壓力。結(jié)果，防止了由于氣壓的下降而導(dǎo)致的讀寫(xiě)頭滑塊的飛行高度極大降低。
圖6是表示根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的與介質(zhì)相對(duì)的讀寫(xiě)頭滑塊表面的平面圖。標(biāo)號(hào)61表示空氣流入的流入端，標(biāo)號(hào)62表示空氣流出的流出端。標(biāo)號(hào)63表示中心墊部分，標(biāo)號(hào)64、65表示側(cè)墊部分。第六實(shí)施例與第五實(shí)施例的構(gòu)造的相似之處在于，由后部橫向延伸D1和縱向延伸D2將在各個(gè)側(cè)墊部分64、65的空氣支承面A的前方延伸的臺(tái)階面D形成為大致L形的結(jié)構(gòu)。然而，也可以將兩個(gè)側(cè)墊部分64、65的大致L形結(jié)構(gòu)的臺(tái)階面D的縱向延伸部分D2設(shè)置在磁記錄介質(zhì)的外周側(cè)。
通過(guò)這種結(jié)構(gòu)，在讀寫(xiě)頭滑塊沿徑向位于磁記錄介質(zhì)的內(nèi)側(cè)的情況下，空氣沿箭頭Q的方向從圖6的左下部流向右上部。因此，如圖6所示，通過(guò)在磁記錄介質(zhì)的外周側(cè)的各個(gè)側(cè)墊部分64、65的大致L形臺(tái)階面D的前方設(shè)置縱向延伸部分D2，在讀寫(xiě)頭滑塊沿徑向位于磁記錄介質(zhì)的內(nèi)側(cè)的情況下，由側(cè)墊部分64、65的大致L形臺(tái)階面D接收沿箭頭Q的方向流入的空氣。因此，增大了由側(cè)墊部分64、65產(chǎn)生的壓力。結(jié)果，可以防止在讀寫(xiě)頭滑塊沿徑向位于磁記錄介質(zhì)內(nèi)側(cè)，并且讀寫(xiě)頭滑塊和磁記錄介質(zhì)之間的相對(duì)速度減小的情況下，由于氣壓的下降可能導(dǎo)致的讀寫(xiě)頭滑塊的飛行高度極大降低。
圖7是表示根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的與介質(zhì)相對(duì)的讀寫(xiě)頭滑塊表面的平面圖。標(biāo)號(hào)71表示空氣流入的流入端，標(biāo)號(hào)72表示空氣流出的流出端。標(biāo)號(hào)73表示中心墊部分，標(biāo)號(hào)74、75表示側(cè)墊部分，標(biāo)號(hào)76、77表示側(cè)軌部分。根據(jù)第七實(shí)施例，分別將形成為臺(tái)階面D的側(cè)軌部分76、77設(shè)置得比讀寫(xiě)頭滑塊的側(cè)緣10c、10d更接近讀寫(xiě)頭滑塊的橫向中心約W(例如，10μm或更多)。此外，各個(gè)側(cè)軌76、77的上游端與流入墊部分710的空氣支承面A相連，而其各個(gè)下游端與側(cè)墊部分74、75的臺(tái)階面相連。由此，流入墊部分710的空氣支承面A、側(cè)墊部分76、77和側(cè)墊部分74、75的臺(tái)階面縱向相連。
如上所述，根據(jù)第七實(shí)施例，將側(cè)軌76、77設(shè)置得比讀寫(xiě)頭滑塊的側(cè)緣10c、10d更接近讀寫(xiě)頭滑塊的橫向中心約W(例如，10μm或更多)，而同時(shí)將各個(gè)側(cè)軌與流入墊部分710的空氣支承面A相連，結(jié)果，側(cè)墊部分76、77構(gòu)成堤，從而有效地集中沿箭頭P的方向流動(dòng)的空氣。具體地，該結(jié)構(gòu)能夠更有效地集中圍繞讀寫(xiě)頭滑塊內(nèi)側(cè)的氣流R。結(jié)果，側(cè)墊部分74、75產(chǎn)生更高的壓力，并且防止了由于氣壓的下降而導(dǎo)致的讀寫(xiě)頭滑塊的飛行高度極大降低。
圖8是表示根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的與介質(zhì)相對(duì)的讀寫(xiě)頭滑塊表面的平面圖。標(biāo)號(hào)81表示空氣流入的流入端，標(biāo)號(hào)82表示空氣流出的流出端。標(biāo)號(hào)83表示中心墊部分，標(biāo)號(hào)84、85表示側(cè)墊部分，標(biāo)號(hào)86、87表示側(cè)軌部分，標(biāo)號(hào)88、89表示側(cè)軌和對(duì)應(yīng)的側(cè)墊部分彼此相連的角度。根據(jù)第八實(shí)施例，如在第七實(shí)施例中一樣，分別將被形成為臺(tái)階面D的側(cè)軌部分86、87設(shè)置得比讀寫(xiě)頭滑塊的側(cè)緣10c、10d更接近讀寫(xiě)頭滑塊的橫向中心約W(例如，10μm或更多)。由此，流入墊部分810的空氣支承面A、側(cè)軌部分86、87和側(cè)墊部分84、85的臺(tái)階面連續(xù)地彼此相連。
然而，根據(jù)第八實(shí)施例，通過(guò)形成斜面部分使得側(cè)軌部分86、87與各個(gè)側(cè)墊部分84、85的臺(tái)階面之間的各個(gè)連接部分的角度在更接近讀寫(xiě)頭滑塊外部周邊的一側(cè)呈鈍角。這些斜面部分也被形成為臺(tái)階面。通過(guò)這種方式，根據(jù)第八實(shí)施例，將側(cè)軌部分86、87設(shè)置得比讀寫(xiě)頭滑塊側(cè)緣10c、10d更接近讀寫(xiě)頭滑塊的橫向中心約W(例如，10μm或更多)，同時(shí)側(cè)軌部分86、87與流入墊部分810的空氣支承表面A相連。此外，各個(gè)側(cè)軌部分86、87和各個(gè)側(cè)墊部分84、85的臺(tái)階面之間的連接部分的角度88、89在更接近讀寫(xiě)頭滑塊的外部周邊的一側(cè)呈鈍角。因此，如在第七實(shí)施例中一樣，側(cè)軌部分86、87構(gòu)成堤，以有效地集中沿箭頭P的方向(或者沿箭頭R的方向指向讀寫(xiě)頭滑塊內(nèi)側(cè))流動(dòng)的空氣。此外，當(dāng)對(duì)讀寫(xiě)頭滑塊進(jìn)行加工，或者讀寫(xiě)頭滑塊等待對(duì)記錄介質(zhì)進(jìn)行操作或者正在飛行時(shí)，減少了灰塵或污垢在側(cè)軌部分86、87上或其周?chē)矸e的可能性。尤其當(dāng)讀寫(xiě)頭滑塊飛行時(shí)，可以有效地防止附著在高速旋轉(zhuǎn)的磁記錄介質(zhì)表面上的灰塵和污垢與沿箭頭R的方向流動(dòng)的空氣一起流入讀寫(xiě)頭滑塊。
圖9是表示根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例的與介質(zhì)相對(duì)的讀寫(xiě)頭滑塊表面的平面圖。標(biāo)號(hào)91表示空氣流入的流入端，標(biāo)號(hào)92表示空氣流出的流出端。標(biāo)號(hào)93表示中心墊部分，標(biāo)號(hào)94、95表示側(cè)墊部分，標(biāo)號(hào)96、97表示側(cè)軌部分，標(biāo)號(hào)98、99表示側(cè)軌部分與流入墊部分910之間的連接部分的角度。根據(jù)第九實(shí)施例，如在第七實(shí)施例中一樣，將被形成為臺(tái)階面D的側(cè)軌部分96、97設(shè)置得比讀寫(xiě)頭滑塊的側(cè)緣10c、10d更接近讀寫(xiě)頭滑塊的橫向中心約W(例如，10μm或更多)，同時(shí)沿縱向連接流入墊部分910的空氣支承面A、側(cè)軌部分96、97和側(cè)墊部分94、95的臺(tái)階面。
然而，在第九實(shí)施例中，形成斜面部分921、922以確保側(cè)軌部分96、97和流入墊部分910的空氣支承面A之間在更接近讀寫(xiě)頭滑塊外部周邊的一側(cè)的連接部分為鈍角。斜面部分921、922也被形成為臺(tái)階面。通過(guò)這種方式，根據(jù)第九實(shí)施例，將側(cè)軌部分86、87設(shè)置得比讀寫(xiě)頭滑塊側(cè)緣10c、10d更接近讀寫(xiě)頭滑塊的橫向中心約W(例如，10μm或更多)，同時(shí)該側(cè)軌部分86、87與流入墊部分810的空氣支承面A相連。此外，側(cè)軌部分86、87與流入墊部分910之間的連接部分的外部角度88、89呈鈍角。因此，與第七實(shí)施例中一樣，側(cè)軌部分86、87構(gòu)成堤，以有效地集中沿箭頭P的方向(或者沿箭頭R的方向指向讀寫(xiě)頭滑塊內(nèi)側(cè))流動(dòng)的空氣。此外，當(dāng)對(duì)讀寫(xiě)頭滑塊進(jìn)行加工，或者讀寫(xiě)頭滑塊等待對(duì)記錄介質(zhì)進(jìn)行操作或者正在飛行時(shí)，減少了灰塵或污垢在側(cè)軌部分86、87或其周?chē)矸e的可能性。尤其當(dāng)讀寫(xiě)頭滑塊飛行時(shí)，可以有效地防止附著在高速旋轉(zhuǎn)的磁記錄介質(zhì)表面上的灰塵和污垢與沿著箭頭R的方向流動(dòng)的空氣一起流入讀寫(xiě)頭滑塊。
在圖7到圖9所示的實(shí)施例中，尺寸W為10μm或更多。例如，根據(jù)讀寫(xiě)頭滑塊的類(lèi)型，讀寫(xiě)頭滑塊優(yōu)選地為總長(zhǎng)度約1.25mm且總寬度約1.0mm，或者總長(zhǎng)度約0.85mm且總寬度約0.70mm。
圖10是表示根據(jù)本發(fā)明第十實(shí)施例的與介質(zhì)相對(duì)的讀寫(xiě)頭滑塊表面的平面圖。標(biāo)號(hào)101表示空氣流入的流入端，標(biāo)號(hào)102表示空氣流出的流出端。標(biāo)號(hào)103表示中心墊部分，標(biāo)號(hào)104、105表示側(cè)墊部分，標(biāo)號(hào)106、107表示被形成為中心墊部分103的空氣支承面A的溝道狀結(jié)構(gòu)部分。該第十實(shí)施例的特征在于中心墊部分103的結(jié)構(gòu)。具體地，將最接近記錄介質(zhì)表面的構(gòu)成空氣支承面A的中心墊部分103的部分形成為溝道形狀，同時(shí)在其前部的兩側(cè)具有后部橫向延伸部分和縱向延伸部分。此外，在中心墊部分103的空氣支承面A前方的區(qū)域中，由空氣支承面A正前方的區(qū)域109和從區(qū)域109向讀寫(xiě)頭滑塊上游延伸的中心突起108構(gòu)成比空氣支承面A低的臺(tái)階面D。
采用這種結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)對(duì)于磁記錄介質(zhì)的圓周速度的魯棒性。此外，在僅將中心墊部分103的空氣支承面A大致形成為具有縱向墊部分106、107的溝道形狀的情況下，讀寫(xiě)頭滑塊可以以其中心部分在輪廓上沿徑向升高的狀態(tài)飛行。然而，根據(jù)本實(shí)施例，提供在臺(tái)階面D前方延伸的中心突起108對(duì)于集中沿箭頭S的方向流入讀寫(xiě)頭滑塊的空氣特別有效，從而使飛行的讀寫(xiě)頭滑塊的徑向輪廓平整。
圖11是表示根據(jù)本發(fā)明第11實(shí)施例的與介質(zhì)相對(duì)的讀寫(xiě)頭滑塊表面的平面圖。標(biāo)號(hào)111表示空氣流入的流入端，標(biāo)號(hào)112表示空氣流出的流出端。標(biāo)號(hào)113表示中心墊部分，標(biāo)號(hào)114、115表示側(cè)墊部分，標(biāo)號(hào)116、117表示被形成為中心墊部分的空氣支承面A的溝道形狀結(jié)構(gòu)部分。標(biāo)號(hào)118表示被形成為中心墊部分的臺(tái)階面的中心突起，標(biāo)號(hào)119表示被形成為中心突起118下游的外根部處的臺(tái)階面的斜面部分。雖然第11實(shí)施例與圖10中的第十實(shí)施例類(lèi)似，但是其與第十實(shí)施例的不同之處在于，在構(gòu)成中心突起118的下游端的外根部形成作為臺(tái)階面的斜面部分。結(jié)果，在讀寫(xiě)頭滑塊沿徑向位于磁記錄介質(zhì)外側(cè)的情況下可以在某種程度上減小對(duì)氣壓的依賴(lài)性。具體地，該結(jié)構(gòu)防止了在讀寫(xiě)頭滑塊沿徑向位于磁記錄介質(zhì)外側(cè)的情況下，由于讀寫(xiě)頭滑塊對(duì)氣壓的過(guò)度依賴(lài)性而導(dǎo)致的讀寫(xiě)頭滑塊飛行過(guò)高。
圖12是表示根據(jù)本發(fā)明第12實(shí)施例的與介質(zhì)相對(duì)的讀寫(xiě)頭滑塊表面的平面圖。標(biāo)號(hào)121表示空氣流入的流入端，標(biāo)號(hào)122表示空氣流出的流出端。標(biāo)號(hào)123表示中心墊部分，標(biāo)號(hào)124、125表示側(cè)墊部分，標(biāo)號(hào)126表示內(nèi)負(fù)壓區(qū)域，標(biāo)號(hào)127表示外負(fù)壓區(qū)域。根據(jù)第12實(shí)施例，向內(nèi)朝向記錄介質(zhì)的讀寫(xiě)頭滑塊的負(fù)壓區(qū)域126比外負(fù)壓區(qū)域127向讀寫(xiě)頭滑塊的流入端121擴(kuò)展更多。
具體地，使流入墊部分的最端部的流入端側(cè)上的臺(tái)階面129的縱向尺寸的長(zhǎng)度最小，同時(shí)，流入墊部分的空氣支承面A的后緣盡可能地向前設(shè)置。通過(guò)這種方式，盡可能地?cái)U(kuò)大沿徑向位于記錄介質(zhì)內(nèi)側(cè)的讀寫(xiě)頭滑塊的負(fù)壓區(qū)域126。另一方面，為了防止讀寫(xiě)頭滑塊的外周側(cè)的負(fù)壓區(qū)域127過(guò)度擴(kuò)大，使臺(tái)階面128(D)僅在流入墊部分的空氣支承面A的后部上的記錄介質(zhì)的外周側(cè)上延伸。通過(guò)以這種方式擴(kuò)展內(nèi)側(cè)負(fù)壓區(qū)域126，即使在內(nèi)側(cè)墊部分124產(chǎn)生了高壓的情況下，也可以使由于記錄介質(zhì)的徑向位置而引起的讀寫(xiě)頭滑塊的“側(cè)滾(rolling)”方向的變化最小，即，可以使從前面觀(guān)察到的讀寫(xiě)頭滑塊的橫向傾斜最小。
圖13是表示根據(jù)本發(fā)明第13實(shí)施例的與介質(zhì)相對(duì)的讀寫(xiě)頭滑塊表面的平面圖。標(biāo)號(hào)131表示空氣流入的流入端，標(biāo)號(hào)132表示空氣流出的流出端。標(biāo)號(hào)133表示中心墊部分，標(biāo)號(hào)134、135表示側(cè)墊部分，標(biāo)號(hào)136表示負(fù)壓區(qū)域。根據(jù)第13實(shí)施例，負(fù)壓區(qū)域136由從讀寫(xiě)頭滑塊的流入端131開(kāi)始的不大于讀寫(xiě)頭滑塊總縱向長(zhǎng)度的25％的區(qū)域形成。換言之，將從流入端131到負(fù)壓區(qū)域136的起始點(diǎn)的距離L2設(shè)定為不大于從流入端131到流出端132的讀寫(xiě)頭滑塊的長(zhǎng)度L1的25％。
結(jié)果，可以進(jìn)一步使負(fù)壓區(qū)域136變寬，并且可以減小由于氣壓的變化而導(dǎo)致的讀寫(xiě)頭滑塊的俯仰角的變化，以使讀寫(xiě)頭滑塊的位置穩(wěn)定。
圖14是表示根據(jù)本發(fā)明第14實(shí)施例的與介質(zhì)相對(duì)的讀寫(xiě)頭滑塊表面的平面圖。標(biāo)號(hào)141表示空氣流入的流入端，標(biāo)號(hào)142表示空氣流出的流出端。標(biāo)號(hào)143表示中心墊部分，標(biāo)號(hào)144、145表示側(cè)墊部分，標(biāo)號(hào)146、147分別表示流入墊部分中的內(nèi)突起和外突起。根據(jù)第14實(shí)施例，在流入墊部分的空氣支承面A的前臺(tái)階面的內(nèi)側(cè)區(qū)域和外側(cè)區(qū)域中形成構(gòu)成空氣支承面的突起146、147。這些突起146、147接近讀寫(xiě)頭滑塊的側(cè)緣，位于稍微比側(cè)軌部分148、149更接近中心的位置。此外，如圖14所示，突起146、147從被形成為空氣支承面的流入墊部分140向前大致延伸到流入端141。
如上所述，根據(jù)第14實(shí)施例，在流入端141的側(cè)緣附近提供構(gòu)成空氣支承面的突起146、147改善了讀寫(xiě)頭滑塊的俯仰角對(duì)圓周速度的依賴(lài)性。
以上參照了根據(jù)本發(fā)明各種實(shí)施例的盤(pán)片裝置的讀寫(xiě)頭滑塊。然而，本發(fā)明并不限于這些實(shí)施例，而是可以采用各種其它形式，并且可以在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下進(jìn)行各種修改和變化。
因此，從上述說(shuō)明可以理解，根據(jù)本發(fā)明，提供了各種形狀的盤(pán)片裝置的讀寫(xiě)頭滑塊，由此減小了由于氣壓的變化而導(dǎo)致的飛行高度的變化，從而，例如，即使氣壓隨著海拔從零到4200m而變化的情況下，也可以有效地將讀寫(xiě)頭滑塊的飛行高度減小為0nm。此外，可以在零到4200m的海拔范圍內(nèi)增大讀寫(xiě)頭滑塊的飛行高度。此外，可以改善讀寫(xiě)頭滑塊的飛行高度以及俯仰角對(duì)圓周速度的依賴(lài)性。
權(quán)利要求
1.一種盤(pán)片裝置的讀寫(xiě)頭滑塊，其包括磁性元件，該磁性元件適于在盤(pán)狀磁記錄介質(zhì)上方飛行以在該磁性元件和該磁記錄介質(zhì)之間記錄或再生磁信息；所述讀寫(xiě)頭滑塊的與所述介質(zhì)相對(duì)的表面，相對(duì)于所述介質(zhì)運(yùn)轉(zhuǎn)的方向，該表面形成有位于上游端的流入墊部分和從該流入墊部分向下游延伸的一對(duì)側(cè)軌部分，以及在所述讀寫(xiě)頭滑塊的下游端位于中心部分處的中心墊和位于該中心墊的兩側(cè)并且在該中心墊的上游的一對(duì)側(cè)墊；并且所述流入墊部分、所述中心墊和所述一對(duì)側(cè)墊中的每一個(gè)都具有空氣支承面和臺(tái)階面，該臺(tái)階面的高度小于該空氣支承面的高度，所述一對(duì)側(cè)軌部分中的至少一個(gè)側(cè)軌部分與對(duì)應(yīng)的側(cè)墊相連，并且至少將該側(cè)軌部分設(shè)置得比所述讀寫(xiě)頭滑塊的相應(yīng)側(cè)緣更接近所述讀寫(xiě)頭滑塊的橫向中心10μm或更多。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的讀寫(xiě)頭滑塊，其中所述一對(duì)側(cè)軌部分被構(gòu)造為使得通過(guò)一鈍角來(lái)限定與所述流入墊部分的連接部分或者與所述側(cè)墊的連接部分。
3.一種盤(pán)片裝置的讀寫(xiě)頭滑塊，其包括磁性元件，該磁性元件適于在盤(pán)狀磁記錄介質(zhì)上方飛行以在該磁性元件和該磁記錄介質(zhì)之間記錄或再生磁信息；所述讀寫(xiě)頭滑塊的與所述介質(zhì)相對(duì)的表面，相對(duì)于所述介質(zhì)運(yùn)轉(zhuǎn)的方向，該表面形成有位于上游端的流入墊部分和從該流入墊部分向下游延伸的一對(duì)側(cè)軌部分，以及在所述讀寫(xiě)頭滑塊的下游端位于中心部分處的中心墊和位于該中心墊的兩側(cè)并且在該中心墊的上游的一對(duì)側(cè)墊；并且所述中心墊具有空氣支承面和位于該空氣支承面的流出側(cè)并且高度小于該空氣支承面高度的臺(tái)階面，該空氣支承面在所述中心墊的流出區(qū)域具有橫向延伸部分并且在所述中心墊的各側(cè)具有前部縱向延伸部分，以限定一大致U形的結(jié)構(gòu)，并且該臺(tái)階面具有該空氣支承面的正前方區(qū)域以及從該正前方區(qū)域向所述讀寫(xiě)頭滑塊的上游延伸的中心突起。
4.根據(jù)權(quán)利要求
3所述的讀寫(xiě)頭滑塊，其中相對(duì)于所述正前方區(qū)域，所述臺(tái)階面的所述中心突起的連接部分具有相對(duì)于所述記錄介質(zhì)位于外側(cè)的斜面部分。
5.一種盤(pán)片裝置的讀寫(xiě)頭滑塊，其包括磁性元件，該磁性元件適于在盤(pán)狀磁記錄介質(zhì)上方飛行以在該磁性元件和該磁記錄介質(zhì)之間記錄或再生磁信息；所述讀寫(xiě)頭滑塊的與所述介質(zhì)相對(duì)的表面，相對(duì)于所述介質(zhì)運(yùn)轉(zhuǎn)的方向，該表面形成有位于上游端的流入墊部分和從該流入墊部分向下游延伸的一對(duì)側(cè)軌部分，以及在所述讀寫(xiě)頭滑塊的下游端位于中心部分處的中心墊和位于該中心墊的兩側(cè)并且在該中心墊的上游的一對(duì)側(cè)墊；負(fù)壓區(qū)域，該負(fù)壓區(qū)域由所述流入墊部分和所述一對(duì)側(cè)軌部分所包圍的區(qū)域限定；所述負(fù)壓區(qū)域包括相對(duì)于所述記錄介質(zhì)的內(nèi)周負(fù)壓區(qū)域和外周負(fù)壓區(qū)域，并且所述內(nèi)周負(fù)壓區(qū)域比所述外周負(fù)壓區(qū)域向所述讀寫(xiě)頭滑塊的流入邊緣延伸更多。
6.一種盤(pán)片裝置的讀寫(xiě)頭滑塊，其包括磁性元件，該磁性元件適于在盤(pán)狀磁記錄介質(zhì)上方飛行以在該磁性元件和該磁記錄介質(zhì)之間記錄或再生磁信息；所述讀寫(xiě)頭滑塊的與所述介質(zhì)相對(duì)的表面，相對(duì)于所述介質(zhì)運(yùn)轉(zhuǎn)的方向，該表面形成有位于上游端的流入墊部分和從該流入墊部分向下游延伸的一對(duì)側(cè)軌部分，以及在所述讀寫(xiě)頭滑塊的下游端位于中心部分處的中心墊和位于該中心墊的兩側(cè)并且在該中心墊的上游的一對(duì)側(cè)墊；負(fù)壓區(qū)域，該負(fù)壓區(qū)域由所述流入墊部分和所述一對(duì)側(cè)軌部分所包圍的區(qū)域限定；將所述負(fù)壓區(qū)域的起始點(diǎn)限定為到所述讀寫(xiě)頭滑塊的流入邊緣的距離相對(duì)于所述讀寫(xiě)頭滑塊的整個(gè)長(zhǎng)度在25％之內(nèi)的點(diǎn)。
7.一種盤(pán)片裝置的讀寫(xiě)頭滑塊，其包括磁性元件，該磁性元件適于在盤(pán)狀磁記錄介質(zhì)上方飛行以在該磁性元件和該磁記錄介質(zhì)之間記錄或再生磁信息；所述讀寫(xiě)頭滑塊的與所述介質(zhì)相對(duì)的表面，相對(duì)于所述介質(zhì)運(yùn)轉(zhuǎn)的方向，該表面形成有位于上游端的流入墊部分和從該流入墊部分向下游延伸的一對(duì)側(cè)軌部分，以及在所述讀寫(xiě)頭滑塊的下游端位于中心部分處的中心墊和位于該中心墊的兩側(cè)并且在該中心墊的上游的一對(duì)側(cè)墊；所述流入墊部分具有沿所述讀寫(xiě)頭滑塊的上游端部分橫向延伸的空氣支承面以及高度小于該空氣支承面并且在該空氣支承面和所述讀寫(xiě)頭滑塊的上游邊緣之間橫向延伸的臺(tái)階面，該臺(tái)階面具有高度與該空氣支承面相當(dāng)?shù)闹辽賰蓚€(gè)凸起。
專(zhuān)利摘要
本發(fā)明提供了一種盤(pán)片裝置的讀寫(xiě)頭滑塊，其包括磁性元件，該磁性元件適于在盤(pán)狀磁記錄介質(zhì)上方飛行以在該磁性元件和該磁記錄介質(zhì)之間記錄或再生磁信息；讀寫(xiě)頭滑塊的與介質(zhì)相對(duì)的表面，相對(duì)于介質(zhì)運(yùn)轉(zhuǎn)的方向，該表面形成有位于上游端的流入墊部分和從流入墊部分向下游延伸的一對(duì)側(cè)軌部分，以及在讀寫(xiě)頭滑塊的下游端位于中心部分處的中心墊和位于中心墊的兩側(cè)并且在中心墊的上游的一對(duì)側(cè)墊；并且流入墊部分、中心墊和一對(duì)側(cè)墊中的每一個(gè)都具有空氣支承面和臺(tái)階面，臺(tái)階面的高度小于空氣支承面的高度，該對(duì)側(cè)軌部分中的至少一個(gè)側(cè)軌部分與對(duì)應(yīng)的側(cè)墊相連，并且至少將側(cè)軌部分設(shè)置得比讀寫(xiě)頭滑塊的相應(yīng)側(cè)緣更接近讀寫(xiě)頭滑塊的橫向中心10μm或更多。
文檔編號(hào)G11B5/60GK1991987SQ200710006969
公開(kāi)日2007年7月4日 申請(qǐng)日期2004年9月20日
發(fā)明者洼寺裕之 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan