專利名稱：信息記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有金屬層的信息記錄介質(zhì)，特別是涉及具有優(yōu)良的耐腐蝕性或穩(wěn)定性的信息記錄介質(zhì)，它們的記錄功率與線速度的相關(guān)性小。
在諸如磁光記錄盤的信息記錄介質(zhì)中，有基片，在基片上有記錄層和金屬層，它能重寫信息，要求記錄功率與線速度的相關(guān)性小，以致用在所述介質(zhì)中再現(xiàn)信息的記錄功率不會(huì)在介質(zhì)的內(nèi)緣部分和外緣部分有很大的變化。
通常，在諸如磁光記錄盤的信息記錄介質(zhì)中，除了在基片上有磁光記錄層外還形成了一層金屬層。目前在諸如磁光記錄盤的信息記錄介質(zhì)中使用的金屬層由鎳合金、鋁金屬或含有0.1-10%(重量)鈦的鋁合金所組成。但是，由鋁金屬或鋁-鈦合金組成的金屬層有這樣的缺點(diǎn)，即它們的耐腐蝕性不良并且不能經(jīng)受長(zhǎng)期使用。
由鎳合金組成的金屬層也有這樣一系列的缺點(diǎn)，即在盤中記錄信息時(shí)，所要求記錄功率隨所述盤的內(nèi)緣和外緣部分而有很大變化，其結(jié)果是記錄功率與線速度的相關(guān)性仍然是很大的。
為了開發(fā)出具有優(yōu)良的耐腐蝕性或穩(wěn)定性以及記錄功率與線速度相關(guān)性小的信息記錄介質(zhì)，本發(fā)明者進(jìn)行了大量研究后發(fā)現(xiàn)，具有以下金屬層的信息記錄介質(zhì)具有優(yōu)良的耐腐蝕性并且其記錄功率與線速度的相關(guān)性小，即金屬層由包含(ⅰ)鈦和(ⅱ)至少一種選自鉻、鈮和鎂的鋁合金所組成的。這樣，本發(fā)明者完成了本發(fā)明。
本發(fā)明旨在解決上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供具有優(yōu)良耐腐蝕性且其記錄功率與線速度相關(guān)性小的信息記錄介質(zhì)。
本發(fā)明的第一種信息記錄介質(zhì)有一基片以及在基片上有記錄層和金屬層，其特征在于該金屬層由鋁合金組成，鋁合金含有以構(gòu)成鋁合金層的所有原子為基礎(chǔ)計(jì)算的0.1-9.5%(原子)鈦和0.1-5%(原子)鉻，所述鈦和鉻的總含量不超過10%(原子)。
本發(fā)明的第二種信息記錄介質(zhì)有一基片及其上有記錄層和金屬層，其特征在于金屬層由鋁合金組成，鋁合金含有以構(gòu)成鋁合金層的所有原子為基礎(chǔ)計(jì)算的0.5-5%(原子)鈦和0.5-5%(原子)鈮，所述的鈦和鈮的總含量為1-5.5%(原子)。
本發(fā)明的第三種信息記錄介質(zhì)有一基片及其上有記錄層和金屬層，其特征在于金屬層由鋁合金組成，鋁合金含有以構(gòu)成鋁合金層的所有原子為基礎(chǔ)計(jì)算的0.1-10%(原子)鈦和0.1-10%(原子)鎂，所述的鈦和鎂的總含量不超過15%(原子)。
本發(fā)明的第四種信息記錄介質(zhì)有一基片及其上有記錄層和金屬層，其特征在于金屬層由鋁合金組成，鋁合金含有以構(gòu)成鋁合金層的所有原子為基礎(chǔ)計(jì)算的0.1-10%(原子)鈦、0.1-10%(原子)鎂以及不超過10%(原子)鉻，所述的鈦、鎂和鉻的總量不超過15%(原子)。
如上所述本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)各自有一層由鋁合金組成的金屬層，該鋁合金含有(ⅰ)鈦和(ⅱ)至少一種從鉻、鈮和鎂中選出來(lái)的金屬，該信息記錄介質(zhì)具有優(yōu)良的耐腐蝕性，其記錄功率與線速度相關(guān)性小，它也具有保護(hù)記錄層的優(yōu)良性能。


圖1是本發(fā)明信息記錄介質(zhì)實(shí)例的一個(gè)橫剖面略圖。
圖2是本發(fā)明信息記錄介質(zhì)另一個(gè)實(shí)例的橫剖面略圖。
1……信息記錄介質(zhì)2……基片3……記錄層
4……金屬層5……保護(hù)膜下面對(duì)本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)作詳細(xì)的闡述。
圖1是本發(fā)明一個(gè)實(shí)例的信息記錄介質(zhì)橫剖面略圖。圖2也是本發(fā)明信息記錄介質(zhì)另一個(gè)實(shí)例的橫剖面略圖。
在本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)中，通過諸如激光束的光將貯存在所述信息記錄介質(zhì)中的信息讀出。這種類型的信息記錄介質(zhì)具體地包括能附加記錄但不能消除所記錄信息的附錄型光盤、能記錄信息及消除和再現(xiàn)所記錄的信息的磁光記錄盤以及諸如相變盤的重寫型光盤。
例如，從圖1中可見，在本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)1中，在基片2上依次形成了記錄層3和金屬層4。
本發(fā)明中用于上述基片2的材料不限于特定的幾種。但是，當(dāng)激光束對(duì)基片2入射時(shí)(從箭頭A方向入射)，所使用的材料較好地是透明的。除了諸如玻璃、鋁之類的無(wú)機(jī)物質(zhì)之外，這類透明物質(zhì)還包括，例如諸如聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚碳酸酯、聚碳酸酯與聚苯乙烯的聚合物合金、如在美國(guó)專利第4，614，778中揭示的環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物、下述的環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物(A)、聚-4-甲基-1-戊烯、環(huán)氧樹脂、聚醚砜、聚砜、聚醚亞酰胺等的有機(jī)物質(zhì)。在這些有機(jī)物質(zhì)中，較好地是聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚碳酸酯、如在美國(guó)專利第4，614，778中揭示的環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物以及下述的環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物(A)。
從對(duì)記錄層特別良好粘附性和小的雙折射指數(shù)來(lái)看，本發(fā)明中供基片使用的最希求物質(zhì)是由以下通式[Ⅰ]、[Ⅰ-a]或[Ⅰ-b]表示的乙烯和環(huán)烯烴的環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物(A)。
其中n是0或正整數(shù)，R1-R12可相同或不同，各自表示氫原子、鹵原子或烴基，R9-R12結(jié)合在一起時(shí)，可以形成可任意地具有雙鍵或多鍵的單環(huán)或多環(huán)烴環(huán)，或者R9和R10或R11和R12結(jié)合在一起可形成亞烷基。
下面對(duì)由通式[Ⅰ]表示的環(huán)烯烴作進(jìn)一步解釋。由通式[Ⅰ]表示的環(huán)烯烴也可由以下通式[Ⅰ-a]表示
在通式[Ⅰ-a]中，n是0或1，m是0或正整數(shù)，R1-R18各自表示選自由氫原子、鹵原子和烴基所組成組的一個(gè)原子或基團(tuán)。
R15-R18結(jié)合在一起時(shí)可形成可任意地具有雙鍵或多鍵的單環(huán)或多環(huán)烴環(huán)。
此外，R15和R16，或R17和R18結(jié)合在一起可形成亞烷基。
其中P是至少為0的整數(shù)，q和r各自為0、1或2，R1-R15各自表示選自由氫原子、鹵原子、脂族烴基、芳族烴基和烷氧基所組成組中的一個(gè)原子或基團(tuán)，R5(或R6)和R8(或R7)可直接鍵合在一起而不需中間基團(tuán)，或通過有1-3個(gè)碳原子的亞烷基。
由通式[Ⅰ]表示的環(huán)烯烴的具體例子包括1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘，這類八氫化萘類是諸如2-甲基1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘、2-乙基-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘、2-丙基-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘、2-己基-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘、2，3-二甲基-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘、2-甲基-3-乙基-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘、2-氯-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘、2-溴-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘、2-氟-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘、2，3-二氯-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘、2-環(huán)己基-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘、2-正丁基-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘、2-異丁基-1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘等。
此外，由通式[Ⅰ]表示的環(huán)烯烴還包括二環(huán)[2，2，1]庚-2-烯衍生物，四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯衍生物，六環(huán)[6，6，1，13.6，110.13，02.7，09.14]-4-十七碳烯衍生物，八環(huán)[8，8，0，12.9，14.7，111.18，11316，03.8，012.17]-5-二十二碳烯衍生物，五環(huán)[8，8，0，12.9，14.7，111.18，113.16，03.8，012.17]-5-二十二碳烯衍生物，五環(huán)[6，6，1，13.6，02.7，09.14]-4-十六碳烯衍生物，七環(huán)-5-二十碳烯衍生物，七環(huán)-5-二十一碳烯衍生物，三環(huán)[4，3，0，12.5]-3-癸烯衍生物，三環(huán)[4，3，0，12.5]-3-十一碳烯衍生物，五環(huán)[6，5，1，13.6，02.7，09.13]-4-十五碳烯衍生物，五環(huán)十五碳二烯衍生物，五環(huán)[4，7，0，12.5，08.13，19.12]-3-十五碳烯衍生物，七環(huán)[8.7.0.13.6，02.7，110.17，011.16，112.15]-4-二十碳烯衍生物以及九環(huán)[10，9，1，14.7，03.8，02.10，012.21，113.20，014.19，115.18]-5-二十五碳烯衍生物。
將上述的這類化合物的具體實(shí)例作如下描述。
二環(huán)[2，2，1]庚-2-烯衍生物，諸如
四環(huán)[4，4，0，12.5，17.10]-3-十二碳烯衍生物，諸如

五環(huán)[7，4，0，12.5，08.13，19.12]-3-十五碳烯衍生物，例如
七環(huán)[8，7，0，13.6，02.7，110.17，011.16，112.15]-4-二十碳烯衍物物，例如
九環(huán)[10，9，1，14.7，03.8，02.10，012.21，113.20，014.19，115.18]-5-二十五碳烯衍生物，例如
下列化合物可作為式[Ⅰ-b]表示的環(huán)烯烴的具體實(shí)例
環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物(A)包含乙烯單元和上述環(huán)烯烴單元作為前述必需的組份，但是，如果需要，除了這兩種必需組分外，所述的共聚物可含有其它可共聚的不飽和單體組份，只要它們不妨礙實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的。如果需要，可與共聚物(A)共聚化的不飽和單體包括，例如有3-20個(gè)碳原子的α-烯烴，諸如丙烯、1-丁烯、4-甲基-1-戊烯、1-己烯、1-辛烯、1-癸烯、1-十二碳烯、1-十四碳烯、1-十六碳烯、1-十八碳烯和1-二十碳烯、其用量可直到與在結(jié)果所得的無(wú)規(guī)共聚物中的乙烯組份單元等摩爾。
在具有軟化點(diǎn)(TMA)至少為70℃的環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物[A]中，從乙烯中衍生出來(lái)的重復(fù)單元[a]的存在量為40-85%(摩爾)，較好地是50-75%(摩爾)，而從環(huán)烯烴中衍生出來(lái)的重復(fù)單元[b]的存在量為15-60%(摩爾)，較好地是25-50%(摩爾)，這些重復(fù)單元[a]和[b]在共聚物[A]的直鏈中基本上作無(wú)規(guī)排列。用13C-NMR測(cè)定重復(fù)單元[a]和[b]的摩爾百分?jǐn)?shù)。環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物[A]在135℃下完全溶于萘烷中這一事實(shí)證明該物質(zhì)基本上是線性的且無(wú)膠凝形成交聯(lián)的結(jié)構(gòu)。
環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物[A]的特性粘度[η]在135℃萘烷中測(cè)得為0.05-10dl/g，較好地是0.08-5dl/g。
用熱力學(xué)分析儀測(cè)得環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物[A]的軟化溫度(TMA)至少為70℃，較好地為90-250℃，最好是100-200℃。上述的軟化溫度(TMA)是用熱力學(xué)分析儀(由杜邦公司制備和出售)通過對(duì)1毫米共聚物[A]薄片熱變形特性的監(jiān)測(cè)來(lái)測(cè)定的。更具體地說(shuō)在49克負(fù)載下將石英針垂直放在薄片上，以5℃/分鐘的速率對(duì)之進(jìn)行加熱，針刺入到薄片中達(dá)0.635毫米深度時(shí)的溫度取作為TMA。該環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物[A]的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)通常為50-230℃，較好地是70-210℃。
用X-射線衍射儀測(cè)得的該環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物[A]的結(jié)晶度通常為0-10%，較好地是0-7%，最好是0-5%。
構(gòu)成在本發(fā)明中用來(lái)形成基片的環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物組成的環(huán)烯烴共聚物[A]均可通過本發(fā)明者在日本專利特開昭第168708/1985號(hào)、第120816/1986號(hào)、第115912/1986號(hào)和115916/1986號(hào)、第252406/1987號(hào)、第252406/1987號(hào)、第271308/1986號(hào)和第272216/1986號(hào)中提出的方法進(jìn)行制備，其條件可適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行選擇。
此外，在本發(fā)明中，也可采用環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物組成作為基片物質(zhì)，它包括環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物[A]，即由乙烯與由式[Ⅰ]、[Ⅰ-a]或[Ⅰ-b]表示的環(huán)烯烴共聚而制得環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物[A]，具有在135℃的萘烷中測(cè)得其特性粘度[η]為0.05-10dl/g，軟化溫度(TMA)至少為70℃，以及環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物[B]，即由乙烯與由式[Ⅰ]、[Ⅰ-a]、或[Ⅰ-b]表示的環(huán)烯烴共聚而制得環(huán)烯烴無(wú)規(guī)共聚物[B]具有在135℃的萘烷中測(cè)得其特性粘度[η]為0.05-5dl/g，軟化溫度(TMA)小于70℃。
此外，用具有從環(huán)烯烴單體[Ⅰ]中開環(huán)得到的通式[Ⅲ]的重復(fù)單元的聚合物或具有從單元[Ⅲ]氫化得到的通式[Ⅳ]的重復(fù)單元的聚合物可制成本發(fā)明磁光記錄介質(zhì)的基片。
在通式[Ⅲ]或[Ⅳ]中，n和R1-R12的定義與通式[Ⅰ]中的相同。
雖然對(duì)基片的厚度無(wú)特定限制，但較好地是0.5-5毫米，最好是1-2毫米。
在本發(fā)明中，對(duì)記錄層3的物質(zhì)無(wú)特定限制。但是，當(dāng)所使用的基片3是具有垂直于層表面的單軸偏光(monoaxialanosotropy)的磁光記錄層時(shí)，該記錄層3較好地由至少一員選自(ⅰ)3d過渡金屬和至少一種選自(ⅲ)稀土元素的元素所組成，或者由至少一員選自(ⅰ)3d過渡金屬、(ⅱ)耐腐蝕金屬和至少一種選自(ⅲ)稀土元素的元素所組成。
所用的3d過渡金屬包括Fe、Co、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu和Zn。在這些金屬中，較好地是Fe或Co或者Fe和Co二者。
如果將所述的耐腐蝕金屬摻入記錄層3，則耐腐蝕金屬(ⅱ)能增加該磁光記錄層的抗氧化性。所使用的這類耐腐蝕金屬包括Pt、Pd、Ti、Zr、Ta、Mo、Nb和Hf。在這些金屬中，較好地是Pt、Pd和Ti，且最好是Pt或Pd或者Pt和Pd二者。
所使用的稀土元素(ⅲ)包括例如Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm和Eu。在這些元素中，較好地是Gd、Tb、Dy、Ho、Nd、Sm和Pr。
上述的這類磁光記錄層合乎要求地含有3d過渡金屬(ⅰ)其量為30-85%(原子)，較好地是40-70%(原子);耐腐蝕金屬(ⅱ)其量為少于30%(原子)，較好地是5-25%(原子);及稀土元素(ⅲ)其量為5-50%(原子)，較好地是25-45%(原子)。
當(dāng)所用記錄層3不是磁光記錄層時(shí)，例如，所述的記錄層是相變型記錄層，該記錄層3是由這樣一類合金膜所組成，例如，主要由Te或Se構(gòu)成的合金膜，以及Te-Ge-Sb合金膜，In-Sb-Te合金膜、Te-Ge-Cr合金膜或Te-Ge-Zn，合金膜所組成。進(jìn)一步地，由聚甲炔化合物或花青化合物組成的有機(jī)染料薄膜也可用作相度型記錄層。
雖然對(duì)記錄層3的厚度無(wú)特定的限定，但它是50-5000 ，較好地是100-2000 。
在本發(fā)明的第一種信息記錄介層中，金屬層是由按構(gòu)成鋁合金層的所有原子計(jì)算，含0.1-9.5%(原子)，較好地含1-5%(原子)的鈦以及0.1-5%(原子)，較好地含1-3%(原子)的鉻的鋁合金層所形成的。
在該鋁合金中，鈦與鉻的總含量合乎要求地是不超過10%(原子)。上述本發(fā)明的第一種信息記錄介質(zhì)的金屬層可含有少量的至少一種除上述鋁、鈦和鉻之外的其它元素(金屬)。上述的這類其它元素(金屬)包括，例如，硅(Si)、鉭(Ta)、銅(Cu)、鎢(W)、鋯(Zr)、錳(Mn)、礬(V)和鈮(Nb)。在金屬層中其它元素的含量(如果有其它元素的話)通常不超過5%(原子)，較好地不超過2%(原子)。
在本發(fā)明的第二種信息記錄介質(zhì)中，金屬層是由按構(gòu)成鋁合金層的所有原子計(jì)算，含有0.5-5%(原子)，較好地含1-3%(原子)的鈦以及含0.5-5%(原子)，較好地含1-3%(原子)的鈮的鋁合金所形成的。
在該鋁合金中，鈦和鈮的總含量合乎要求地為1-5.5%(原子)，較好地是2-4%(原子)。
上述的本發(fā)明的第二種信息記錄介質(zhì)的金屬層除了含有上述的鋁、鈦和鈮外，還可含有少量的至少一種其它元素(金屬)。上述的這類其它元素(金屬)包括，例如，硅(Si)鉭(Ta)、銅(Cu)、鎢(W)、鋯(Zr)、錳(Mn)、鎂(Mg)、礬(V)和鉻(Cr)。在金屬層中其它元素的含量(如果有其它元素的話，通常不超過5%(原子)，較好地不超過2%(原子)。
在本發(fā)明的第三種信息記錄介質(zhì)中，金屬層是由按構(gòu)成鋁合金層的所有原子計(jì)算，含有0.1-10%(原子)，較好地含有1-5%(原子)的鈦及含有0.1-10%(原子)，較好地含有1-5%(原子)的鎂的鋁合金所形成的。
在該鋁合金中，鈦和鎂的總含量合乎要求地為不超過15%(原子)，較好地為1-10%(原子)。
在本發(fā)明的第四種信息記錄介質(zhì)中，金屬層是由按構(gòu)成鋁合金層的所有原子計(jì)算，含有0.1-10%(原子)，較好地含有1-5%(原子)的鈦，含有0.1-10%(原子)，較好地含有1-5%(原子)的鎂以及不超過10%(原子)，較好地為0.1-10%(原子)，最好為1-5%(原子)的鉻的鋁合金所形成的。
在該鋁合金中，鈦、鎂和鉻的總含量合乎要求地為不超過15%(原子)，較好地是1-10%(原子)。
上述本發(fā)明的第三和第四種信息記錄介質(zhì)的金屬層除了含有上述的鋁、鈦和鎂或鋁、鈦、鎂和鉻之外，還可含有少量的至少一種其它元素(金屬)。上述的這類其它元素(金屬)包括，例如，硅(Si)、鉭(Ta)、銅(Cu)、鎢(W)、鋯(Zr)、錳(Mn)和礬(V)。在金屬層中其它元素的含量(如果有其它元素的話)通常不超過5%(原子)，較好地不超過2%(原子)。
上述的這類金屬層具有膜厚度為100-5000 ，較好地是500-3000 ，最好是700-2000 。
本發(fā)明中使用的金屬層可像良好的導(dǎo)熱層那樣地工作，在這些金屬層存在下，可以使在記錄層中所形成的凹坑中央部位防止由于記錄激光束施加在上面而產(chǎn)生高溫所引起的過熱。結(jié)果，就被認(rèn)為本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)與線速度的相關(guān)性變小了。
在耐腐蝕性方面同樣優(yōu)良的本發(fā)明的金屬層具有這樣的特征即使在長(zhǎng)時(shí)間使用后，信息記錄介質(zhì)與線速度的相關(guān)性很小，以及所述的金屬層在保護(hù)記錄層方面的性能也是優(yōu)良的。
本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，但不僅限于此。例如，在前述的基片2上可有保護(hù)膜(增強(qiáng)膜)5，然后依次再有記錄層3和金屬層4，這樣可制得信息記錄介質(zhì)。保護(hù)膜(增強(qiáng)膜)5若無(wú)特定限制，但合乎要求地是由Si3N4、SiN(0＜X＜4/3)、AlN、ZnSe、ZnS、Si或Cds所形成。該保護(hù)膜的厚度為100-2000 ，較好地約為300-1500 。在這些用來(lái)形成保護(hù)膜的材料中，從抗龜裂性方面來(lái)看，最優(yōu)選地是Si3N4和SiNx(0＜X＜4/3)。
保護(hù)膜的功能是保護(hù)記錄層，同時(shí)它也增加了信息記錄介質(zhì)的敏感性，可作為增強(qiáng)膜使用。這類保護(hù)層合乎要求地具有折射指數(shù)大于基片的折射指數(shù)。
通過在基片上形成記錄層和金屬層，如果需要，利用膜形成法，例如，真空沉積、濺射、電子束沉積或類似方法形成保護(hù)層來(lái)制備本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)。
本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)包括金屬層，如上所述，金屬層由含有(ⅰ)鈦和(ⅱ)至少一種選自鉻、鈮和鎂的金屬的鋁合金所組成，該信息記錄介質(zhì)具有優(yōu)良的耐腐蝕性，記錄功率與線速度的相關(guān)性小，并具有保護(hù)記錄層的優(yōu)良性能。
下面參考實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行闡述，但應(yīng)當(dāng)明白本發(fā)明不被這些實(shí)施例所限定。
下列實(shí)施例中使用的術(shù)語(yǔ)“最佳記錄功率”意指在1MHz的頻率和50%的占空因數(shù)下把寫入信號(hào)記錄下來(lái)的記錄功率，它使從記錄信號(hào)中再現(xiàn)信號(hào)的次級(jí)諧波最小。當(dāng)信息記錄介質(zhì)顯示在不同的線速度下所測(cè)定的最佳記錄功率的差異較小時(shí)則信息記錄介質(zhì)展示與線速度的較低程度相關(guān)性。
實(shí)施例1后面，通過下列步驟首先檢查金屬層的耐腐蝕性。
借助濺射方法用鋁-鈦-鉻的復(fù)合靶在玻璃基片上沉積金屬層，它由鋁-鈦-鉻合金組成，其厚度為1000A。在構(gòu)成這樣得到的金屬層的鋁合金中，鈦和鉻的含量各自為2%(原子)。
在60℃下在10%(重量)氯化鈉的水溶液中將金屬層浸漬4小時(shí)，浸4小時(shí)后測(cè)量所述金屬層的反射能力的改變及所述金屬層表面外形的改變，從而評(píng)估出金屬層的耐腐蝕性。
未觀察到所述的金屬層浸漬在氯化鈉水溶液前后反射能力的改變。
浸漬后觀察到的金屬層上的針孔數(shù)不超過50個(gè)/(是40個(gè))金屬層的單位面積(5cm×5cm)。
實(shí)施例2在由乙烯與1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘(結(jié)構(gòu)式
下面簡(jiǎn)稱DMON)的無(wú)定形共聚物所組成的盤狀基片上，該無(wú)定形共聚物通過NMR分析測(cè)得具有59%(摩爾)乙烯單元含量，在135℃萘烷中測(cè)得其特性粘度[η]為0.42dl/g，其軟化溫度(TMA)為154℃，用濺射法依次沉積由Si3N4組成的厚度為1000
保護(hù)膜以及由Pt10Tb29Fe55Co6(原子%)組成的厚度為500
的記錄層，再在其上借助濺射法用Al-Cr-Ti的復(fù)合靶沉積由Al-Cr-Ti合金組成的金屬層(膜厚度為700
)。在構(gòu)成這樣得到的金屬層的鋁合金中，Cr的含量為2%(原子)，Ti的含量為2%(原子)。
將這樣得到的信息記錄介質(zhì)在80℃和相對(duì)濕度85%的環(huán)境下放置約720小時(shí)，并通過測(cè)量所述信息記錄介質(zhì)的反射能力改變從而評(píng)估金屬層的耐腐蝕性。
未觀察到在80℃和相對(duì)濕度85%下放置前后信息記錄介質(zhì)反射能力的改變。
實(shí)施例3在由乙烯與1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘(結(jié)構(gòu)式
下面簡(jiǎn)稱DMON)的無(wú)定形共聚物所組成的盤狀基片上，該無(wú)定形共聚物通過NMR分析測(cè)得具有59%(摩爾)乙烯單元含量，在135℃萘烷中測(cè)得其特性粘度[η]為0.42dl/g，其軟化溫度(TMA)為154℃，用濺射法依次沉積由Si3N4組成的厚度為1100
保護(hù)膜以及由Pt10Tb29Fe55Co6(原子%)組成的厚度為260
的記錄層，再在其上借助濺射法用Al-Cr-Ti的復(fù)合靶沉積由Al-Cr-Ti合金組成的金屬層(膜厚度為500
)。在這樣得到的鋁合金構(gòu)成的金屬層中，Cr的含量為2%(原子)，Ti的含量為2%(原子)。
將這樣得到的信息記錄介質(zhì)在80℃相對(duì)濕度85%的環(huán)境下放置約720小時(shí)，通過測(cè)量所述信息記錄介質(zhì)的反射能力改變從而評(píng)估金屬層的耐腐蝕性。
未觀察到在80℃和相對(duì)濕度85%下放置前后信息記錄介質(zhì)反射能力的改變。
該信息記錄介質(zhì)的最佳記錄功率在5.7米/秒線速度下是3.5mW;在11.3米/秒的線速度下最佳記錄功率是5.1mW。
比較實(shí)施例1在玻璃基片上借助濺射法用鋁-鉻復(fù)合鈀形成由鋁合金組成的金屬層(膜厚度為1000 )。
這樣形成的金屬層的鉻含量為2%(原子)。
將該金屬層在含10%(重量)氯化鈉水溶液中于60℃浸漬4小時(shí)。
在該金屬層浸漬4小時(shí)后，進(jìn)行測(cè)量所述金屬層的反射能力及表面外形的改變。
這樣浸漬后的金屬層反射能力降低約2%。
在金屬層上觀察到的針孔數(shù)為約70個(gè)/單位面積(5cm×5cm)。
比較實(shí)施例2用比較實(shí)施例1的相同方法，但是采用的鋁-鉻合金復(fù)合靶在組成上不同于比較實(shí)施例1中所采用的復(fù)合靶，得到了含4%(原子)鉻的金屬層。
用比較實(shí)施例1的相同方法，將該金屬層浸漬在氯化鈉水溶液中，并測(cè)量這樣浸漬后的金屬層的反射能力及表面外形的改變。
未觀察到在氯化鈉水溶液中浸漬前后所述的金屬層反射能力的改變，浸漬后的金屬層上針孔數(shù)是約70個(gè)/單位面積(5×5cm)。
比較實(shí)施例3
用比較實(shí)施例1相同的方法，但采用鋁-鈦復(fù)合靶代替鋁-鉻復(fù)合靶來(lái)制得金屬層。
這樣得到的金屬層的鈦含量是2%(原子)。
用比較實(shí)施例1相同的方法，將該金屬層浸漬在氯化鈉水溶液中，并測(cè)量浸漬后金屬層反射能力和表面外形的改變。
這樣浸漬后的金屬層的反射能力減少約8%。
在金屬層上觀察到的針孔數(shù)是51個(gè)/單位面積(5cm×5cm)。
比較實(shí)施例4用與比較實(shí)施例3相同的方法，但采用的由鋁-鈦合金組成的復(fù)合靶在組成上不同于比較實(shí)施例3采用的復(fù)合靶得到含有4%(原子)鈦的金屬層。
用比較實(shí)施例1相同的方法，將該金屬層浸漬在氯化鈉水溶液中，并測(cè)量浸漬后金屬層反射能力及表面外形的改變。
這樣浸漬后的金屬層反射能力減少約2%。
在這樣浸漬后的金屬層表面上觀察的針孔數(shù)不超過115個(gè)/單位面積(5cm×5cm)。
實(shí)施例4借助濺射法用鋁(Al)-鈦(Ti)-鈮(Nb)的復(fù)合靶在玻璃基片上形成由鋁-鈦-鈮合金組成的金屬層(膜厚度為1100 )。在該鋁合金中，Ti的含量是1.5%(原子)，Nb的含量是1.5%(原子)。
將該金屬層在含10%(重量)NaCl的鹽水溶液中于60℃浸漬4小時(shí)，在浸漬4小時(shí)后，通過測(cè)量所述金屬層的反射能力及外形的改變來(lái)評(píng)估金屬層的耐腐蝕性。結(jié)果，浸漬前后金屬層的反射能力無(wú)改變。
在浸漬后的金屬層表面上觀察到的針孔數(shù)不超過40個(gè)(是38個(gè))/單位(表)面積(5cm×5cm)。
實(shí)施例5通過濺射法在實(shí)施例2中使用的基片上依次沉積由Si3N4組成的保護(hù)膜(膜厚度為1000
)及由Pt10Tb29Fe55Co6組成的記錄層(膜厚度為500
)，在其上借助濺射法用Al-Ti-Nb的復(fù)合靶沉積由Al-Ti-Nb合金組成的金屬層(膜厚度為700
)。在構(gòu)成這樣得到的金屬層的Al合金(層)中，Ti含量是2%(原子)，Nb含量是2%(原子)。
將這樣得到的信息記錄介質(zhì)在80℃和相對(duì)濕度85%環(huán)境下放置約720小時(shí)，并通過測(cè)量所述信息記錄介質(zhì)的反射能力的改變從而評(píng)估金屬層的耐腐蝕性。
未觀察到在80℃和相對(duì)濕度85%環(huán)境下放置前后信息記錄介質(zhì)反射能力的改變。
實(shí)施例6通過濺射法在實(shí)施例2所用的基片上依次沉積由Si3N4組成的保護(hù)膜(膜厚度為1100
)及由Pt10Tb29Fe55Co6組成的記錄層(膜厚度為260
)，再在其上借助濺射法用Al-Ti-Nb的復(fù)合靶沉積由Al-Ti-Nb合金組成的金屬層(膜厚度為500
)。在構(gòu)成這樣得到金屬層的Al合金(層)中，Ti含量是2%(原子)，Nb含量是2%(原子)。
將這樣得到的信息記錄介質(zhì)在80℃和相對(duì)濕度85%環(huán)境下放置約720小時(shí)，并通過測(cè)量所述信息記錄介質(zhì)的反射能力的改變來(lái)評(píng)估金屬層的耐腐蝕性。
未觀察到在80℃和相對(duì)濕度85%環(huán)境下放置前后信息記錄介質(zhì)的反射能力的改變。
在線速度5.7米/秒下，該信息記錄介質(zhì)的最佳記錄功率是3.6mW;在線速度為11.3米/秒下，最佳記錄功率是5.5mW。
實(shí)施例7借助濺射法用鋁(Al)-鈦(Ti)-鎂(Mg)的復(fù)合靶在玻璃基片上形成由鋁-鈦-鎂合金組成的金屬層(膜厚度為1000
)。Ti的含量是2.0%(原子)，鎂含量是4.0%(原子)。
將該金屬層在含有10%(重量)NaCl的鹽水溶液中于60℃浸漬4小時(shí)，并通過測(cè)量所述金屬層的反射能力和表面外形的改變從而評(píng)估金屬層的耐腐蝕性。結(jié)果是，未觀察到浸漬前后反射能力的改變。
在這樣浸漬后的金屬層表面上觀察到的斜孔數(shù)不超過30個(gè)(是27個(gè))/單位面積(5cm×5cm)。
比較實(shí)施例5借助濺射法用鋁-鎂的復(fù)合靶在玻璃基片上形成由鋁-鎂合金組成的金屬層(厚度為1000
)。
在這樣得到的金屬層中，鎂含量為5%(原子)。
將該金屬層在含10%(重量)氯化鈉的水溶液中于60℃浸漬4小時(shí)。
在浸漬4小時(shí)后，進(jìn)行測(cè)量金屬層的反射能力及表面外形的改變。
這樣浸漬后的金屬層反射能力減少2%。
在這樣浸漬后的金屬層表面上觀察到的針孔數(shù)約為70個(gè)/單位面積(5cm×5cm)。
實(shí)施例8在由乙烯與1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘(結(jié)構(gòu)式
下面簡(jiǎn)稱DMON)的無(wú)定形共聚物所組成的盤狀基片上，該無(wú)定形共聚物經(jīng)NMR分析儀測(cè)定具有59%(摩爾)乙烯單元含量，在135℃萘烷中測(cè)得其特性粘度[η]為0.42dl/g，其軟化溫度(TMA)為154℃，通過濺射法依次沉積由Si3N4組成的厚度為1100
保護(hù)膜以及由Pt10Tb29Fe55Co6(原子%)組成的厚度為260
的記錄層，再在其上借助濺射法用Al-Mg-Ti的復(fù)合靶沉積由Al-Mg-Ti合金組成的金屬層(膜厚度為800
)。在構(gòu)成這樣得到的金屬層的鋁合金中，Mg的含量為4%(原子)，Ti的含量為2%(原子)。
在5.7米/秒線速度下，該信息記錄介質(zhì)的最佳記錄功率是4.5mW;在11.3米/秒線速度下，最佳記錄功率是6.0mW。
實(shí)施例9在由乙烯與1，4，5，8-二甲橋-1，2，3，4，4a，5，8，8a-八氫化萘(結(jié)構(gòu)式
下面簡(jiǎn)稱DMON)的無(wú)定形共聚物所組成的盤狀基片上，該無(wú)定形共聚物經(jīng)NMR分析測(cè)得具有59%(摩爾)乙烯單元組分，在135℃萘烷中測(cè)得其特性粘度[η]為0.42dl/g，其軟化溫度(TMA)為154℃，通過濺射法依次沉積由Si3N4組成的厚度為1100
保護(hù)膜以及由Pt10Tb29Fe55Co6(原子%)組成的厚度為260
的記錄層，再在其上借助濺射法用Al-Mg-Ti-Cr的復(fù)合靶沉積由Al-Mg-Ti-Cr合金組成的金屬層(膜厚度為500
)。在構(gòu)成這樣得到的金屬層的鋁合金中，Mg的含量為4%(原子)，Cr的含量是2%(原子)，Ti的含量為1%(原子)。
在5.7米/秒的線速度下，該信息記錄介質(zhì)的最佳記錄功率是4.0mW;在11.3米/秒線速度下，最佳記錄功率是5.7mW。
權(quán)利要求
1.一種信息記錄介質(zhì)，它具有基片，在基片上有記錄層和金屬層，其特征在于該金屬層由鋁合金組成，以構(gòu)成鋁合金的所有原子為基礎(chǔ)計(jì)算，該鋁合金中含有0.1-9.5%(原子)鈦和0.1-5%(原子)鉻，所述的鈦和鉻總含量不超過10%(原子)。
2.一種信息記錄介質(zhì)，它具有一基片，在基片上有記錄層和金屬層，其特征在于該金屬層由鋁合金組成，以構(gòu)成鋁合金的所有原子為基礎(chǔ)計(jì)算，該鋁合金中含有0.5-5%(原子)鈦及0.5-5%(原子)鈮，所述的鈦和鈮的總含量是1-5.5%(原子)。
3.一種信息記錄介質(zhì)，它具有基片，在基片上有記錄層和金屬層，其特征在于該金屬層由鋁合金組成，以構(gòu)成鋁合金的所有原子為基礎(chǔ)計(jì)算，該鋁合金中含有0.1-10%(原子)鈦及0.1-10%(原子)鎂，所述的鈦和鎂的總含量不超過15%(原子)。
4.一種信息記錄介質(zhì)，它具有基片，在基片上有記錄層和金屬層，其特征在于該金屬層由鋁合金組成，以構(gòu)成鋁合金的所有原子為基礎(chǔ)計(jì)算，該鋁合金中含有0.1-10%(原子)鈦，0.1-10%(原子)鎂以及不超過10%(原子)的鉻，所述的鈦、鎂和鉻的總含量不超過15%(原子)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1，2，3或4所述的信息記錄介質(zhì)，其特征在于其中的記錄層是磁光記錄層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1，2，3或4所述的信息記錄介質(zhì)，其特征在于其中金屬層的膜厚度是100-5000 。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種具有基片及其上有記錄層和金屬層的信息記錄介質(zhì)，其中金屬層是由鋁合金所組成的，鋁合金含有(i)鈦和(ii)至少一種選自鉻、鈮和鎂的金屬。這樣的信息記錄介質(zhì)具有優(yōu)良的耐腐蝕性，其記錄功率與線速度的相關(guān)性小。
文檔編號(hào)G11B11/10GK1047585SQ9010389
公開日1990年12月5日 申請(qǐng)日期1990年5月23日 優(yōu)先權(quán)日1989年5月23日
發(fā)明者進(jìn)藤清孝, 五十嵐康一, 水本邦彥, 橋本英彥 申請(qǐng)人:三井石油化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社