專(zhuān)利名稱(chēng)：記錄介質(zhì)的制作方法
本申請(qǐng)是1989年5月25日遞交的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)第07/357377號(hào)的部分繼續(xù)申請(qǐng)，美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)第07/357377號(hào)是1989年1月10遞交的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)第07/294723號(hào)的部分繼續(xù)申請(qǐng)，美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)第07/294723號(hào)是1988年2月5日遞交的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)第07/153288號(hào)的部分繼續(xù)申請(qǐng);本申請(qǐng)也是1989年11月28日同時(shí)遞交的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)第07/414041號(hào)和第07/414044號(hào)的部分繼續(xù)申請(qǐng)。上述申請(qǐng)由此依據(jù)實(shí)際的應(yīng)用而使每一申請(qǐng)相互聯(lián)系。
本發(fā)明一般涉及記錄介質(zhì)領(lǐng)域，尤其是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供一種可抹去的光存儲(chǔ)介質(zhì)和可以記錄數(shù)據(jù)且在一些實(shí)施例中可以用熱，尤其是光抹去所記錄的數(shù)據(jù)的寫(xiě)/讀/抹機(jī)理。
眾所周知激光唱片形式的光數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)作為一種替代物，以替代慢轉(zhuǎn)密紋唱片和盒式磁帶。消費(fèi)者熟悉的唱片是光只讀唱片，而且普通的唱機(jī)是為這種唱片而特別設(shè)計(jì)的。這些唱片具有一包含以二進(jìn)制形式表示數(shù)據(jù)的凹槽的反射表面，這些凹槽的描述和它們工作方法由Watkinson的“數(shù)字聲頻技術(shù)”一書(shū)的第13章“聚焦”所揭示。
凹槽增加了等于半波長(zhǎng)的激光束的光路，由此當(dāng)與其他(沒(méi)有偏移的)反射光束混合時(shí)產(chǎn)生相消干涉，這樣數(shù)據(jù)的出現(xiàn)使反射光的強(qiáng)度下降，因此當(dāng)不產(chǎn)生相消干涉時(shí)，在標(biāo)準(zhǔn)唱機(jī)上的檢測(cè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)成需要大于70%的反射光，當(dāng)數(shù)據(jù)出現(xiàn)時(shí)調(diào)節(jié)幅度大于30%，這些強(qiáng)度限制與聚焦參數(shù)組合，為在這種唱機(jī)上可讀或放的激光唱片和其他光數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)建立標(biāo)準(zhǔn)。
待批專(zhuān)利申請(qǐng)第294723號(hào)(轉(zhuǎn)讓給本申請(qǐng)的受讓人)描述一種改進(jìn)的光記錄方法和裝置。在一實(shí)施例中，本發(fā)明包括一膨脹層、一反射層和一記憶層，當(dāng)膨脹層受熱膨脹時(shí)，凸入薄反射層且可能凸入記憶層，記憶層一般由保護(hù)層包住。在另一實(shí)施例中，記憶層設(shè)置在反射層和膨脹層之間，在任何情況下，例如記憶層凸入足夠柔順以允許變形的保護(hù)層，反射層例如描述成由鎵、鋁、銅、銀、金和銦制成。
雖然上述的光介質(zhì)基本上是成功的，但有一個(gè)或多個(gè)限制，例如，在一些實(shí)施例中需要二種激光，每種產(chǎn)生各自的波長(zhǎng)一“記錄激光”，它發(fā)出波長(zhǎng)相應(yīng)于膨脹層中染料的吸收頻率的光束;和一“抹去激光”，它發(fā)出波長(zhǎng)相應(yīng)于記憶層中染料的吸收頻率的光束。第二，這些介質(zhì)的生產(chǎn)需要幾步分開(kāi)的鍍覆操作，因此由于如鍍層缺陷、粉塵和整理，增加了缺陷的產(chǎn)生，而且生產(chǎn)費(fèi)用也隨每一附加的鍍覆操作而增加。
而且，上述光記錄方法和介質(zhì)要求反射層能經(jīng)得起反復(fù)彎曲和/或如記憶層之類(lèi)的聚合物層之間有足夠的粘合力以避免兩層之間的界面分離。而且，需要大量的能量以在固體或有延伸性的保護(hù)層上產(chǎn)生凸緣。
從上述可以看到，改進(jìn)的光記錄介質(zhì)和在其上寫(xiě)和抹數(shù)據(jù)的改進(jìn)的方法一直是所期望的。
本發(fā)明揭示一種光記錄方法和裝置。在一實(shí)施例中，一軟材料層，一般高于其熔點(diǎn)或一過(guò)冷液體，在一光記錄介質(zhì)中與一記憶層或膨脹層毗連。在第一實(shí)施例中，軟層與形成在膨脹層上或替代軟層中的容積的凸緣相比較最好相當(dāng)厚，因此由凸緣替代的軟材料通過(guò)增加的壓力在如一保護(hù)層中的大面積上調(diào)整，從而由于凸緣形變遇到更少的阻礙，使凸緣更容易形成。而且，軟化區(qū)能較好地經(jīng)得起反復(fù)彎曲且保證限制軟化層從膨脹層上分開(kāi)。
根據(jù)第一實(shí)施例，本發(fā)明包括一基片;一膨脹區(qū)，一般毗連基片，在一寫(xiě)波長(zhǎng)光照射下膨脹區(qū)膨脹;和用于接納由膨脹區(qū)膨脹引起的一容積的裝置，接納裝置包括在記錄介質(zhì)的操作溫度上的一很軟的材料、一液體或一蒸汽層，接納裝置最好是一液體金屬。
本發(fā)明也揭示一種在介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的方法。在第一實(shí)施例中，該方法包括下述步驟將光照射在介質(zhì)上，介質(zhì)包括一膨脹區(qū)，膨脹區(qū)在光的照射下膨脹;在一液體或蒸汽層內(nèi)接納一膨脹區(qū)的膨脹容積;和在膨脹狀態(tài)下保持膨脹區(qū)。記憶功能可以由一在軟層的一側(cè)的分開(kāi)的記憶層或通過(guò)將記憶性能加入膨脹層由此形成一單活性或膨脹/記憶層而得到。
在第二實(shí)施例中，本發(fā)明包括一基片;一膨脹區(qū)，一般毗連基片，在一寫(xiě)波長(zhǎng)光照射下膨脹區(qū)膨脹;和用于接納由膨脹區(qū)膨脹引起的一容積的裝置，接納裝置包括在記錄介質(zhì)的操作溫度上的一很軟的材料、一液體或一蒸氣層。然而，與前述的第一實(shí)施例相比較，反射材料層，一般為高于其熔點(diǎn)或過(guò)冷液體的軟金屬，相對(duì)于從膨脹層上形成的凸緣的高度是相當(dāng)薄的。該實(shí)施例部分基于對(duì)很薄的膜的反射性能很大程度上根據(jù)層的厚度的觀察，很薄的膜的反射率比較厚的膜低得多。在一特別的實(shí)施例中，凸緣完全穿透軟材料，記憶功能可以從一在軟材料的一側(cè)或另一側(cè)的記憶層或通過(guò)將記憶性能加入膨脹層由此形成一單活性層或膨脹/記憶層而得到。在這種介質(zhì)上記錄和抹去數(shù)據(jù)的方法也被提供。
在第三實(shí)施例中，本發(fā)明一般包括一基片;一膨脹區(qū)，一般毗連基片，在一寫(xiě)波長(zhǎng)光照射下所述膨脹區(qū)膨脹;和用于接納由膨脹區(qū)膨脹引起的一容積的裝置，接納裝置包括在記錄介質(zhì)的操作溫度上的一反射材料(最好為一很軟的材料)、一液體或一蒸氣層。然而，與前述第一和第二實(shí)施例相比較，反射材料層的厚度與從膨脹層上形成的凸緣的高度相差不大。該實(shí)施例部分基于如這里所述的對(duì)很薄的膜的反射性能對(duì)層厚很敏感的觀察，很薄的層的反射率比厚的層低得多。在一特別的實(shí)施例中，凸緣幾乎但不完全穿透材料，該材料最好是流體，因而薄層部分相對(duì)于層的其余部分大大改變了其反射性能。記憶功能可以從一分開(kāi)的記憶層、或通過(guò)將記憶性能加入膨脹層由此形成一單活性層或膨脹/記憶層、或通過(guò)將記憶性能加入反射層由此形成一單反射/記憶層而得到。
本發(fā)明也揭示改進(jìn)的光記錄介質(zhì)材料。在一實(shí)施例中，介質(zhì)包括一膨脹層，膨脹層在至少具有一種波長(zhǎng)的光照射下膨脹，膨脹層由一第一環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成;一記憶層，記憶層適于保持處于膨脹狀態(tài)的膨脹層，記憶層由一第二環(huán)氧樹(shù)脂構(gòu)成，第二環(huán)氧樹(shù)脂的玻璃化溫度高于第一環(huán)氧樹(shù)脂。在較佳實(shí)施例中，膨脹層的玻璃化溫度低于約50℃，記憶層的玻璃化溫度約為80℃至120℃。另外，記憶功能可以加入膨脹層，以提供一單組合的膨脹/記憶層或活性層。
在另一些實(shí)施例中，介質(zhì)由特別排列的層組成。例如，在各實(shí)施例中，膨脹層毗連基片;夾在膨脹層和一記憶層中間的是一用作反射層的液體或蒸汽“流體”層。其他各實(shí)施例重新對(duì)層進(jìn)行排列，以將一記憶層夾在膨脹層和用作反射層的軟固體、液體或蒸汽層中。其他各實(shí)施例對(duì)層進(jìn)行重新排列以在膨脹層和軟的、液體或蒸汽層之間提供一記憶夾層，或?qū)⑴蛎浐陀洃浌δ芙M成一單活性層，一般是一均質(zhì)層。


圖1是說(shuō)明本發(fā)明的一實(shí)施例的一記錄介質(zhì)的剖視圖。這種形式具有分開(kāi)的膨脹層和記憶層，排列順序?yàn)?基片)-膨脹層-記憶層-反射層-(保護(hù)層)，其中在括號(hào)內(nèi)的那些層可任意選擇的;
圖2是圖1中所說(shuō)明的介質(zhì)的俯視圖;
圖3說(shuō)明本發(fā)明的另一實(shí)施例，這種形式具有一單活性層，其中活性層綜合了膨脹層和記憶層的性能，排列順序?yàn)?基片)-活性層-反射層-(保護(hù)層);
圖4A和4B說(shuō)明各個(gè)實(shí)施例所記錄的凸緣(bump)，圖4A說(shuō)明圖1中具有一記錄的“凸緣”的基片的一部分，圖4B說(shuō)明圖3中具有一記錄的“凸緣”的基片的一部分;
圖5說(shuō)明一用于記錄、抹去和閱讀介質(zhì)的電-光系統(tǒng);
圖6說(shuō)明一具有很薄反射層的光介質(zhì)的實(shí)施例，這種形式在反射層的相對(duì)側(cè)具有分開(kāi)的膨脹層和記憶層，排列順序?yàn)?基片)-膨脹層-反射層-記憶層-(保護(hù)層);
圖7說(shuō)明具有很薄的軟反射層的另一實(shí)施例，這種形式在反射層的任一側(cè)具有分開(kāi)的膨脹層和記憶層，排列順序?yàn)?基片)-膨脹層-記憶層-反射層-(保護(hù)層);
圖8說(shuō)明具有很薄的軟反射層的一個(gè)實(shí)施例，這種形式具有一單活性層，其中活性層綜合了膨脹層和記憶層的性能，排列順序?yàn)?基片)-活性層-反射層-(保護(hù)層);
圖9A至9C說(shuō)明在圖6所示的光介質(zhì)上寫(xiě)、讀和抹的方法;
圖10說(shuō)明具有薄反射層和形成于其上的數(shù)據(jù)凸緣的一特別實(shí)施例，這種形式在反射層的同側(cè)具有分開(kāi)的膨脹層和記憶層，排列順序?yàn)?基片)-膨脹層-記憶層-反射層-(保護(hù)層);
圖11說(shuō)明具有薄反射層和形成于其上的數(shù)據(jù)凸緣的一特別實(shí)施例，這種形式具有一單活性層，其中活性層綜合了膨脹層和記憶層的性能，排列順序?yàn)?基片)-活性層-反射層-(保護(hù)層);
圖12A至12D說(shuō)明780nm光的反射或透射與各種金屬的薄層厚度之間的關(guān)系，所用的金屬在小于約1×10-5毫米汞柱的低壓下通過(guò)熱蒸發(fā)淀積在聚碳酸酯盤(pán)片上。對(duì)于下列材料測(cè)量780nm光的反射和透射A.鋁B.銦C.錫D.金最佳實(shí)施例的詳細(xì)描述內(nèi)容A.第一實(shí)施例(具有厚、軟反射層)1.介質(zhì)2.操作3.記錄系統(tǒng)B.第二實(shí)施例(具有薄、軟反射層)1.介質(zhì)2.操作C.第三實(shí)施例(通過(guò)反射層厚度的變化調(diào)節(jié)讀光束)1.介質(zhì)2.操作D.結(jié)論A.第一實(shí)施例所描述的第一實(shí)施例特征在于具有一軟的、液體或蒸汽反射層，它相對(duì)于由膨脹區(qū)形成的數(shù)據(jù)凸緣的高度來(lái)說(shuō)是相當(dāng)厚的。
1.介質(zhì)圖1和2以剖視和俯視圖分別說(shuō)明光記錄介質(zhì)或盤(pán)片2的一個(gè)實(shí)施例，盤(pán)片包括一基片4，在基片上具有一膨脹層6，一記憶層8毗鄰膨脹層且與基片相對(duì)。
反射層10毗連記憶層且與膨脹層相對(duì)，在本發(fā)明一實(shí)施例中的反射層是這樣一種反射材料，即在一有意義的操作溫度上，如在盤(pán)片期望的操作溫度上，反射材料處于高于其熔點(diǎn)或沸點(diǎn)。在大多數(shù)實(shí)施例，盤(pán)片的操作溫度約為室溫，即大約20℃±5℃。另外，在盤(pán)片的操作溫度上反射層可以是軟固體或過(guò)冷液體，因此，反射層在寫(xiě)、讀和抹光束的一個(gè)波長(zhǎng)上反射大于約25%的入射光，以用于與介質(zhì)接合?？梢允褂玫能洸牧习ㄤX、銦、錫、金、鉍、汞、鎵、銫、銣和如由Indalloy公司生產(chǎn)的那些鎵和銦合金以及上述材料的混合物，其他材料例如可以包括汞齊，汞齊可以包括鈉、鋰、鎂、鉀、鈣、鈧、銣、鍶、釔、銫、鋇、鑭和/或鋅。在最佳實(shí)施例中，反射層是鎵和銦合金;在一些實(shí)施例中，合金包含約0至30%的銦、70至100%的鎵和0至20%的錫;在大多數(shù)最佳實(shí)施例中，反射層由約5至25%的銦、75至95%的鎵和0至20%的錫組成。
根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，反射層10有足夠的厚度，這樣形成于記憶層上的數(shù)據(jù)凸緣完全或幾乎完全包含在反射層內(nèi)，記錄在光盤(pán)上的數(shù)據(jù)凸緣的高度一般為0.06微米至1.5微米。因此，在一較佳實(shí)施例中，反射層的厚度約為0.5至1.5微米，在一最佳實(shí)施例中，反射層的厚度約為1.0微米。
在另一些實(shí)施例中，軟的或液體層作為反射層，因?yàn)樗哂凶阋圆煌谟洃泴拥恼凵渲笖?shù)，這樣射在反射層上的大部分的入射光被反射。例如，在一些實(shí)施例中折射指數(shù)的差量約為5%以上是足夠了，“反射層”這一術(shù)語(yǔ)一般也包含這種實(shí)施例。
在反射層上面且封閉其內(nèi)的材料是保護(hù)層12，為了包住反射層，保護(hù)層具有延伸至記憶層8且與記憶層8接觸的內(nèi)環(huán)14和外環(huán)16。在一較佳實(shí)施例中，環(huán)14和16的寬度約在1毫米和4毫米之間，內(nèi)、外環(huán)的厚度根據(jù)所期望的反射層10的厚度進(jìn)行選擇。
雖然本發(fā)明已對(duì)用于形成如圖1和2所示的環(huán)14和16的保護(hù)材料12作了描述，但對(duì)該技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，顯然各種其他的構(gòu)造也可使用，例如，記憶層8可以具有向上延伸的環(huán)，以與保護(hù)層接觸。另外，如環(huán)氧樹(shù)脂之類(lèi)的其他材料也可用于形成保護(hù)層和記憶層之間的環(huán)14和16。在一較佳實(shí)施例中，液體層設(shè)置在記憶層上，然后保護(hù)層設(shè)置在液體層上。
基片和保護(hù)層可以由各種現(xiàn)有的材料制成。一般來(lái)說(shuō)，基片4由基本允許用于記錄、讀和抹的光完全透過(guò)的硬透明材料形成，基片應(yīng)足夠厚和硬以便對(duì)光介質(zhì)提供完善的結(jié)構(gòu)，這樣它不會(huì)因由鄰近層的膨脹力所產(chǎn)生的壓力而變形。在膨脹層上的記錄凸緣，這是由吸收寫(xiě)光束的光能而引起熱膨脹所產(chǎn)生的，由于基片的剛性而從基層上凸出。用這種層結(jié)構(gòu)，如果出現(xiàn)凸緣，它會(huì)凸入反射層，描述如下。
基層可以由各種現(xiàn)有的材料制成，僅通過(guò)舉例的方式，基片由玻璃、聚合物和非晶形聚合物制造。在一較佳實(shí)施例中，基片由聚碳酸酯制成，它具有所需的透光性能。在大多數(shù)實(shí)施例中，基片是最厚的一層，厚度約為1毫米以上。
膨脹層通常由一種材料形成，這種材料(a)吸收通過(guò)它的1%光能;(b)具有高的熱膨脹系數(shù)，尤其是與介質(zhì)的其他層相對(duì)比;和(c)具有高的彈性系數(shù)，其程度為當(dāng)在記錄過(guò)程中所遇到的溫度加熱但不超出其膨脹上限時(shí)，它很容易地膨脹。在冷卻條件下，膨脹層通常也應(yīng)該回縮到其原始平整條件。在室溫下，膨脹層材料應(yīng)該接近或高于其玻璃化溫度，最好低于30℃或50℃。熱膨脹系數(shù)大于約1×10-4/℃較好，大于約5×10-4/℃更好，大于7.5×10-4/℃最好。光能的吸收程度在約850nm至650nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)為在20%和40%之間。這樣，膨脹層可以用寫(xiě)光束加熱。對(duì)于與該層相配的合適染料包括苯胺黑藍(lán)、苯胺藍(lán)、印花油藍(lán)、深藍(lán)、亞甲藍(lán)氯化物、savinal藍(lán)、酞菁藍(lán)、孔雀綠草酸鹽、蘇丹黑BM、Tricon藍(lán)、Macrolex綠G、DDCI-4和IR26。為了保持在標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)裝置(如在常用激光唱機(jī)上可看到的)讀記錄在光介質(zhì)上的數(shù)據(jù)的能力，在標(biāo)準(zhǔn)激光唱盤(pán)讀波長(zhǎng)780nm上最大的雙通道吸收最好是10%。因此，膨脹層可以從環(huán)氧樹(shù)脂、聚氨基甲酸(乙)酯、聚合物、非晶形聚合物、橡膠、天然橡膠、丁基橡膠、硅橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠、醋酸纖維素、醋酸-丁酸纖維素、聚苯乙烯、聚磺酰胺、聚碳酸酯、硝酸纖維素、聚甲基丙烯酸乙酯、聚乙烯醇縮丁醛、芳族聚酯、聚酰胺、丙烯酸聚合物、聚醋酸乙烯酯、硅樹(shù)脂、醇酸樹(shù)脂、丁苯共聚物、氯乙烯-乙酸乙烯共聚物、硝化纖維素、乙基纖維素和它們的混合物。在一較佳實(shí)施例中，膨脹層是具有低于50℃的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和每平方英寸至少40000磅的揚(yáng)氏模量的環(huán)氧樹(shù)脂。在一實(shí)施例中，膨脹層約為1微米或更厚。
記憶層通常是由一種材料形成的，這種材料(a)吸收通過(guò)它的1%光能;(b)具有高于室溫且最好約同膨脹層的玻璃化溫度;(c)當(dāng)高于其玻璃化溫度時(shí)會(huì)似橡膠一樣具有足夠的彈性以當(dāng)膨脹層加熱時(shí)允許其適應(yīng)由第一層的膨脹在第二層上形成的變形形狀;和(d)在其玻璃化溫度之下具有足夠的剛性和強(qiáng)度，這樣它在膨脹情況下將夾住膨脹層，即使第一層冷卻至環(huán)境溫度。在較佳實(shí)施例中，記憶層8由在抹光束的波長(zhǎng)上至少吸收一些光的材料或材料的混合物形成，抹光束的波長(zhǎng)可以從現(xiàn)有的光波長(zhǎng)的波譜中進(jìn)行選擇，吸收程度可以從波長(zhǎng)至波長(zhǎng)和從記憶材料至記憶材料而變化，但例如在約650nm和860nm之間的波長(zhǎng)上吸收約為30%至45%。對(duì)于與該層相配的合適染料包括膨脹層所描述的那些染料。
因此，記憶層可以由下列材料的一種或多種制成環(huán)氧樹(shù)脂、聚氨酯、聚合物、非晶形聚合物、橡膠、天然橡膠、丁基橡膠、硅橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠、醋酸纖維素、醋酸-丁酸纖維素、聚苯乙烯、聚磺酰胺、聚碳酸酯、硝酸纖維素、聚甲基丙烯酸乙酯、聚乙烯醇縮丁醛、芳族聚酯、聚酰胺、丙烯酸聚合物、聚醋酸乙烯酯、硅樹(shù)脂、醇酸樹(shù)脂、丁苯共聚物、氯乙烯-乙酸乙烯共聚物、硝化纖維素、乙基纖維素和它們的混合物。在一較佳實(shí)施例中，記憶層是具有約80至120℃的玻璃化溫度的環(huán)氧樹(shù)脂，例如可以是約105℃。在一實(shí)施例中記憶層的厚度約為0.5至1.5微米，記憶層的揚(yáng)氏模量一般每平方英寸至少約400，000磅。在一較佳實(shí)施例中，記憶層的厚度在0.5和1.0微米之間。
為了制造膨脹層，基體樹(shù)脂與合適的處理劑混合，實(shí)際上，在一實(shí)施例中約等量的Shell 828和871與非化學(xué)計(jì)量(例如2.6倍)的固化劑(如低分子聚酰胺V150)混合。為了制造記憶層，約等量的Shell828和Dow DEH52與非化學(xué)計(jì)量(例如1.5倍)的固化劑混合。
圖3說(shuō)明另一實(shí)施例，毗鄰基片的是一單聚合物層，稱(chēng)作“活性”區(qū)或?qū)?，它不需要分開(kāi)的膨脹層和記憶層。操作該層的機(jī)理是活性層內(nèi)所產(chǎn)生的熱梯度以及層材料的粘彈性能的結(jié)果。如下所述描述的，這樣用一單激光束可以完成記錄和抹去。另外，必定減少了包含在本發(fā)明的該實(shí)施例的介質(zhì)的制造中的分開(kāi)的涂覆操作。
活性層由軟化溫度高于室溫(20℃)且在其軟化溫度之上具有相當(dāng)大的膨脹系數(shù)的聚合物組成，“軟化溫度”是指活性層材料的彈性模量降至其室溫時(shí)的模量或最大模量的25%至50%時(shí)的溫度，軟化溫度至少約30℃(最好是至少約90℃)且小于約175℃(最好是小于約130℃)。膨脹系數(shù)應(yīng)大于約200×10-6/℃，較好是大于約250×10-6/℃，最好是大于300×10-6/℃。
活性層材料可以包括基體樹(shù)脂，它是從由環(huán)氧樹(shù)脂、聚氨基甲酸(乙)酯、聚合物、非晶形聚合物、醋酸纖維素、醋酸-丁酸纖維素、聚苯乙烯、聚磺酰胺、聚碳酸酯、硝酸纖維素、聚甲基丙烯酸乙酯、聚乙烯醇縮丁醛、芳族聚酯、聚酰胺、丙烯酸聚合物、聚醋酸乙烯酯、硅樹(shù)脂、醇酸樹(shù)脂、丁苯共聚物、氯乙烯-乙酸乙烯共聚物、硝化纖維素、乙基纖維素和它們的混合物組成的組中選擇出的。在一較佳實(shí)施例中，活性層是具有約80℃至120℃軟化溫度的環(huán)氧樹(shù)脂，例如可以是105℃左右。
在更佳的實(shí)施例中，基體樹(shù)脂或樹(shù)脂混合物可以與合適的固化劑混和，以形成活性層或區(qū)，實(shí)際上，約等量的雙酚A-3-氯-1，2-環(huán)氧丙烷環(huán)氧樹(shù)脂(由殼牌化學(xué)公司生產(chǎn)的Shell828)和3-氯-1，2-環(huán)氧丙烷-二聚脂肪酸-基的環(huán)氧樹(shù)脂(由殼牌化學(xué)公司生產(chǎn)的Shell871)可以與非化學(xué)計(jì)量(例如2.6倍)的如聚酰胺V150(一種由Henkel公司生產(chǎn)的具有二元脂肪酸的聚酰胺加合物的聚酰胺樹(shù)脂)的固化劑。另外，Shell 828可以與非化學(xué)計(jì)量(例如1.5倍)的如DowDEH52(一種由道氏化學(xué)公司生產(chǎn)的脂族聚酰胺-環(huán)氧樹(shù)脂加合物)的固化劑混合。
活性層的厚度一般至少約為0.5微米，最好至少約1.0微米，且小于約3.0微米，最好小于約2.0微米?；钚詫右话阏澈系交?，如果有反射層，還粘合到反射層上，這可以由現(xiàn)有技術(shù)中已知的方法來(lái)完成，例如，在基片上的活性層涂層可以由如旋涂或卷涂之類(lèi)的濕化學(xué)工藝來(lái)完成。然后反射層淀積在活性層上，反射層淀積工藝依據(jù)層所選擇的材料而定，例如，模片層可用如旋涂之類(lèi)的濕化學(xué)工藝，金屬層可用真空淀積或陰極真空噴鍍，其他類(lèi)型的聚合物可用等離子體淀積，所有這些涂覆工藝都是現(xiàn)有技術(shù)，某些技術(shù)在加利福尼亞州門(mén)洛帕克艾迪生-威斯力(Addison-Wesley，Menlo Park，CA.)的馬爾尚的“光記錄、技術(shù)綜述(1990)”一文中作了詳盡地描述，它是參照本文所有的實(shí)際的應(yīng)用而完全相互聯(lián)系。
2.操作圖4A說(shuō)明數(shù)據(jù)“凸緣”18寫(xiě)的期間和以后的本發(fā)明的一實(shí)施例。如圖所示，寫(xiě)光束(由hν表示)進(jìn)入基片4且通過(guò)膨脹層6，膨脹層在寫(xiě)光束的波長(zhǎng)上吸收大量的能量，因此膨脹層受熱且膨脹凸入記憶層8。
大部分光通過(guò)記憶層8，它也受熱且軟化，由此更容易接納膨脹層，數(shù)據(jù)凸緣18膨脹凸入反射層10。在一實(shí)施例中，膨脹層在第一“寫(xiě)”波長(zhǎng)(例如680nm)上吸收光，而記憶層在第二“抹”波長(zhǎng)(例如830nm)上吸收光。在一實(shí)施例中寫(xiě)光束包括對(duì)于寫(xiě)數(shù)據(jù)凸緣而同時(shí)加熱兩層的兩波長(zhǎng);相反，對(duì)于抹去，只有抹波長(zhǎng)給予介質(zhì)，由此加熱、軟化和釋放縮小至其初始平直情況的膨脹層。在另一實(shí)施例中，記憶層不吸收大量的寫(xiě)光束，僅靠從膨脹層傳來(lái)的熱量加熱。在一較佳實(shí)施例中，膨脹層用savinal藍(lán)(Mobay公司生產(chǎn)的)染色，記憶層用savinal藍(lán)和trion藍(lán)或DDCI-4染色。
對(duì)于一單活性層介質(zhì)，當(dāng)層受足夠的熱軟化和膨脹時(shí)，形成數(shù)據(jù)凸緣，下面將詳細(xì)描述。
在圖4B所說(shuō)明的另一實(shí)施例中，反射層10毗鄰活性層，該反射層將光向后反射通過(guò)活性層7，用于記錄和數(shù)據(jù)檢測(cè)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，該層具有高反射性，在記錄和讀時(shí)最好反射照在其上至少約70%的光。如圖所示，反射層中的液體體積遠(yuǎn)大于由數(shù)據(jù)凸緣所代替的液體體積，因此，數(shù)據(jù)凸緣18在軟材料、液體或蒸汽所充滿(mǎn)的區(qū)域中通過(guò)小的增壓而得到，而且也可使保護(hù)層12的表面產(chǎn)生相應(yīng)的微變形。相反，當(dāng)數(shù)據(jù)凸緣抹去時(shí)，液體充滿(mǎn)區(qū)域的壓力略微減小，保護(hù)層回到其初始位置。
圖4B說(shuō)明記錄凸緣18寫(xiě)入(或者初始記錄或者后來(lái)記錄)時(shí)/后本發(fā)明的這特定的形式。為了寫(xiě)，激光束(用“hν”表示)進(jìn)入基片4且通過(guò)激光束在稱(chēng)作“寫(xiě)”波長(zhǎng)的特定的波長(zhǎng)上被吸收的活性層7。層的吸收特性可以用在現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯見(jiàn)的方法而給予，如通過(guò)添加光吸收染料或顏料。由于本發(fā)明的介質(zhì)不需要特別的波長(zhǎng)，因此各種染料或顏料都可使用。另外，除了通過(guò)用于讀所記錄的數(shù)據(jù)的一部分波長(zhǎng)能量的能力外，這些染料或顏料不需要特別的波長(zhǎng)，而且可以吸收各種波譜的光能量。這樣，在記錄時(shí)，激光束由包含在活性層內(nèi)的染料或顏料吸收，活性層將吸收激光中寫(xiě)波長(zhǎng)的光，使活性層從基片中膨脹凸出并形成伸入反射層的記錄凸緣。可以單獨(dú)或混合使用的染料或顏料是苯胺黑藍(lán)、苯胺藍(lán)、印花油藍(lán)、深藍(lán)、亞甲藍(lán)氯化物、savinal藍(lán)、酞菁藍(lán)、孔雀綠草酸鹽、蘇丹黑BM、Tricon藍(lán)、Mmcrolex綠G、DDCI-4和IR26，在這些染料中最好的是savinal藍(lán)、Tricon藍(lán)、Macrolex綠G和DDCI-4。
因?yàn)橛扇玖匣蝾伭衔盏墓庵饾u地穿過(guò)活性層的整個(gè)厚度，因此在層內(nèi)形成熱梯度。該梯度取決于在層內(nèi)的給定深度所吸收的能量的數(shù)量?；钚詫拥娜肷浔砻姹仨毐患訜嶂粮哂谄湎鄬?duì)表面的溫度，這樣通過(guò)層逐漸地吸收，在兩表面之間形成熱梯度。
聚合物的活性層的受熱點(diǎn)由周?chē)牡蜏貐^(qū)確定，僅在基片上產(chǎn)生膨脹。如果具有反射層10，它將用作一被動(dòng)元件，這樣當(dāng)形成記錄凸緣18時(shí)，凸緣將伸入反射層，反射層與凸緣周?chē)螤钕嘁恢?。除了改進(jìn)反射性能外，金屬反射層在記錄時(shí)用作一散熱片，使活性層在其相對(duì)表面更快地冷卻。如果反射層反射率較低，將形成記錄凸緣，而且所記錄的東西可以在所設(shè)計(jì)的唱機(jī)上播放，以檢測(cè)活性層的變形，而不帶有由反射層產(chǎn)生的高反射。
不管是否具有反射層，當(dāng)激光束不照射時(shí)，活性層的相對(duì)表面比其入射表面冷卻得快得多，導(dǎo)致相對(duì)表面的溫度低于聚合物的軟化溫度，這樣相對(duì)表面變硬且將記錄凸緣固定在其位置上，而較熱的入射表面區(qū)仍在膨脹。
另外，由于活性層的聚合物材料的粘彈力使記錄凸緣的結(jié)構(gòu)得到增強(qiáng)。在記錄工序時(shí)，活性層的材料很快加熱至相當(dāng)高的溫度，這允許膨脹力使凸緣形成。當(dāng)不照射激光束時(shí)，由于材料受較冷區(qū)域的包圍，使其很快冷卻。遠(yuǎn)離受熱區(qū)產(chǎn)生的熱傳導(dǎo)比材料的粘彈性回復(fù)力更快產(chǎn)生，這使記錄凸緣固定在其位置上。
如上所述，光介質(zhì)經(jīng)記錄之后，可以得到抹去，例如，這可以由“光點(diǎn)”抹去來(lái)完成，其中或者是用具有較大聚焦點(diǎn)的不同激光或者是用于在介質(zhì)上記錄但散成略大光點(diǎn)的相同激光用于通過(guò)基片4和活性層7聚焦的光束來(lái)完成。當(dāng)活性層的記錄區(qū)緩慢被加熱至活性層的軟化溫度，然后慢慢冷卻以致活性層回復(fù)到其初始未寫(xiě)狀態(tài)時(shí)，發(fā)生了抹去。通過(guò)慢慢地加熱活性層，不會(huì)在層的厚度方向上形成大的溫度梯度，就象記錄時(shí)形成的那樣，活性層的冷卻速率現(xiàn)在比其粘彈性回復(fù)力更慢，這樣層的聚合物材料回復(fù)到其初始空間排列。
不象許多現(xiàn)有技術(shù)那樣，沒(méi)有理由要求寫(xiě)或記錄的波長(zhǎng)不同于抹的波長(zhǎng)，所選擇的寫(xiě)波長(zhǎng)可以且最好是與抹波長(zhǎng)一樣，以前需要兩種激光用于記錄和抹去，它們相應(yīng)于分開(kāi)的膨脹和記憶層內(nèi)的不同染料的吸收頻率具有不同的波長(zhǎng)，而本發(fā)明消除了這種需要。
從光盤(pán)中讀所記錄的數(shù)據(jù)(凸緣)是通過(guò)會(huì)聚光束通過(guò)基片4和活性層7而得到的，光束是從現(xiàn)有的光波長(zhǎng)的寬波譜中選出的。在出現(xiàn)高反射層10之處，即層對(duì)讀波長(zhǎng)具有70%或更大的反射率，通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)激光唱機(jī)讀裝置用與讀光束和干涉光束產(chǎn)生干涉或允許透射產(chǎn)生的記錄凸緣，然后由讀或播放系統(tǒng)進(jìn)行檢測(cè)來(lái)完成讀。如果不出現(xiàn)反射層或反射層的反射率較低，記錄可以在所設(shè)計(jì)的唱機(jī)上播放，以檢測(cè)活性層的變形，而不會(huì)由反射層產(chǎn)生高反射。
在抹去步驟中，對(duì)于所述形式的任一種，即膨脹和記憶雙層形式或單活性層形式，軟的、充滿(mǎn)液體或蒸汽的反射層當(dāng)它收縮時(shí)能立刻充滿(mǎn)由數(shù)據(jù)凸緣留出的空隙，因此層的分離不成問(wèn)題。而且，如上所述液體反射層的使用將允許具有較小能量的數(shù)據(jù)凸緣結(jié)構(gòu)，該能量小于如果數(shù)據(jù)凸緣在低于其熔點(diǎn)時(shí)壓入較硬層所需的能量，一般約小15%，這是本發(fā)明提供的重要優(yōu)點(diǎn)。
由于記錄凸緣與內(nèi)部物體接觸，因此可以具有保護(hù)層12，用以保護(hù)記錄凸緣免受損傷，一般來(lái)說(shuō)，該層是足夠地柔順以在膨脹區(qū)或活性層內(nèi)允許變形或凸起，這樣凸入其中，由此對(duì)它們的結(jié)構(gòu)產(chǎn)生很小的阻力。另外，與膨脹區(qū)和反射層或活性層和反射層相比，保護(hù)層最好比較厚，這樣凸緣不會(huì)通過(guò)反射層進(jìn)入保護(hù)層，接著通過(guò)保護(hù)層到其外表面。用作保護(hù)層的合適材料包括硅樹(shù)脂和丙烯酸樹(shù)脂。
根據(jù)光盤(pán)的功能、儲(chǔ)藏和/或運(yùn)用情況，保護(hù)層可要或可不要。這樣，當(dāng)盤(pán)在保護(hù)盒或筒中儲(chǔ)藏和操作時(shí)，可不需保護(hù)層;在反射層足夠厚以致記錄凸緣不會(huì)通過(guò)反射層到其外表面時(shí)，也可不需保護(hù)層。
3.記錄系統(tǒng)圖5說(shuō)明用于在根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施例的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的光電系統(tǒng)的一個(gè)例子，記錄系統(tǒng)包括數(shù)字式數(shù)據(jù)處理電路30，在線(xiàn)31上其輸出控制脈沖各種強(qiáng)度的激光器32，從激光器32發(fā)出的激光束33由透鏡34校直，然后由平面鏡32反射，從平面鏡反射的光束傳送通過(guò)光束分離器36。
從光束分離器36發(fā)出的激光束通過(guò)濾光器37，濾光器37可以是一塊四分之一波長(zhǎng)板，然后傳送通過(guò)物鏡38，將激光束會(huì)聚在移動(dòng)的光數(shù)據(jù)儲(chǔ)存介質(zhì)39上。從介質(zhì)39反射回的光由透鏡38會(huì)集，并傳送通過(guò)濾光器39至光束分離器36，光束分離器將反射光傳送至光敏元件40。
激光器32最好是高能量激光器(在介質(zhì)表面上2-15mW)，而且是連續(xù)的或脈沖的。激光束33的波長(zhǎng)是與上述“寫(xiě)”或“記錄”波長(zhǎng)有關(guān)的波長(zhǎng)，而且是連續(xù)的、整形的或脈沖的，一般寫(xiě)光束在基片側(cè)進(jìn)入介質(zhì)(如圖4所示)，并且通過(guò)透明的基片4進(jìn)入膨脹層6，吸收激光波長(zhǎng)的光的膨脹層由于吸收光而使溫度上升，但由硬的基片4和記憶層8(處于其玻璃化狀態(tài))使其只能局部膨脹，這樣產(chǎn)生了膨脹壓力，記憶層一般開(kāi)始變形。同時(shí)，記憶層通過(guò)膨脹層的傳熱且可能吸收光(如上所述)其溫度上升，隨著記憶層的溫度增加，它接近玻璃化溫度，圍繞入射光束軸形成小弱化區(qū)，然后膨脹層局部擠入允許膨脹的該弱化區(qū)，由此產(chǎn)生輪廓分明的凸出部或凸緣18。記憶層8相應(yīng)變成以適應(yīng)凸出部的形狀，并且凸入軟的、液體或蒸汽反射層10。當(dāng)不照射光時(shí)，各種激光器冷卻，反射層10作為散熱片，迅速將熱量從記憶層8上帶走，這樣記憶層冷卻至其玻璃化溫度以下，增加其剪切模量以保持變形，這時(shí)膨脹層6仍處于膨脹狀態(tài)。當(dāng)單活性層使用時(shí)，產(chǎn)生類(lèi)似的過(guò)程。
用不同波長(zhǎng)的激光束達(dá)到抹去功能，該光束主要由記憶層8吸收，膨脹層6在一定程度上也可以吸收該波長(zhǎng)的光，使膨脹層溫度上升不大到足以記錄一記號(hào)。記憶層吸收該光束的光使其溫度上升至其呈橡膠化狀態(tài)，在這種情況下，膨脹層的彈力和記憶層的粘彈性能使記憶層回復(fù)至圖1所示的形狀，反射層自然流回記憶層留出的空隙。
B.第二實(shí)施例(具有薄、軟反射層)在第二組實(shí)施例中，光介質(zhì)的軟的、液體或蒸汽層，通常是反射層制得很薄，如圖6所示的一實(shí)施例。實(shí)際上，反射層薄得足以使膨脹區(qū)凸緣最好橫切反射層，這允許一個(gè)實(shí)施例的記憶層和反射層的相對(duì)位置如圖3所示的那樣。在一些實(shí)施例中，這提供一單波長(zhǎng)介質(zhì)，其中一單波長(zhǎng)光用于所有寫(xiě)、讀和抹功能。在如圖6所示的一實(shí)施例中，介質(zhì)包括夾在基片層4和反射層10之間的膨脹層6，與膨脹層6相對(duì)的且毗鄰反射層10的是記憶層8。一般來(lái)說(shuō)，雖然足夠厚的記憶層可以提供保護(hù)作用，但保護(hù)層12將其他層部分或全部封住。在如圖7所示的另一實(shí)施例中，膨脹層和記憶層在反射層的同側(cè)，雖然在圖1中顯示了類(lèi)似的實(shí)施例，但如下面由圖6所述的實(shí)施例來(lái)說(shuō)反射層更薄。
1.介質(zhì)基片和保護(hù)層可以由各種現(xiàn)有的材料制成，如第一實(shí)施例所描述的那樣。例如，基片可由玻璃、聚合物、非晶形聚合物制造，在一較佳實(shí)施例中，可由聚碳酸酯制造。一般來(lái)說(shuō)，基片是最厚的一層，厚度約為1毫米以上。同樣，膨脹層由第一實(shí)施例所描述的同樣材料形成。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，反射層在一感興趣的操作溫度上，如在盤(pán)片期望的操作溫度上，在高于其熔點(diǎn)或沸點(diǎn)上是一種很軟的、一般為金屬的反射材料。在大多數(shù)實(shí)施例中，盤(pán)片的操作溫度約為室溫，即大約20℃±5℃。另外，在盤(pán)片的操作溫度上反射層可以是過(guò)冷液體，因此，反射層在寫(xiě)、讀和抹光束的一個(gè)波長(zhǎng)上反射大于約25%的入射光，以用于與介質(zhì)接合?？梢允褂玫牟牧系睦影ㄤX、銦、錫、金、鉍、汞、鎵、銫、銣和如由Indalloy公司生產(chǎn)的那些鎵和銦合金以及上述材料的混合物，其他材料例如可以包括汞齊，汞齊可以包括鈉、鋰、鎂、鉀、鈣、鈧、銣、鍶、釔、銫、鋇、鑭和/或鋅。在較佳實(shí)施例中，反射層是鎵和銦合金;在一些實(shí)施例中，合金包含約0至30%的銦、70至100%的鎵和0至20%的錫;在大多數(shù)最佳實(shí)施例中，反射層由約5至25%的銦、75至95%的鎵和0至20%的錫組成。
反射層10通常應(yīng)是這樣一種厚度，一般使形成于記憶層上的數(shù)據(jù)凸緣根據(jù)記憶功能實(shí)施的方法完全或幾乎完全橫切反射層。如果分開(kāi)的記憶層使反射層與膨脹層相對(duì)，凸緣應(yīng)橫切反射層;但如果記憶功能產(chǎn)生于不同的排列結(jié)構(gòu)，數(shù)據(jù)凸緣完全橫切反射層是不必要的。記錄在光盤(pán)上的數(shù)據(jù)凸緣的高度一般在0.06微米至1.5微米的范圍內(nèi)，雖然根據(jù)該第二實(shí)施例，數(shù)據(jù)凸數(shù)的尺寸是較小的臨界值;數(shù)據(jù)凸緣的尺寸可大可小。因此，反射層的厚度通常至少約0.2微米，最好至少約0.5微米;并且小于約1.5微米，最好小于約1.0微米;它具有約1.0微米的更好的厚度。
在另一些實(shí)施例中，軟的或液體層作為反射層，因?yàn)樗哂凶阋圆煌谟洃泴拥恼凵渲笖?shù)，這樣大部分稍有偏離正常光束的入射光被反射。例如，在一些實(shí)施例中折射指數(shù)不同量約為5%以上是足夠了，“反射層”這一術(shù)語(yǔ)一般也包含這些實(shí)施例。
一般來(lái)說(shuō)，如果膨脹層和記憶層是分開(kāi)的，通過(guò)加入合適的染料或顏料而使膨脹層和記憶層具有吸收性能，染料或顏料的單獨(dú)或混和的形式包括但并不限制其使用的是苯胺黑藍(lán)、苯胺藍(lán)、印花油藍(lán)、深藍(lán)、亞甲藍(lán)氯化物、酞菁藍(lán)、孔雀綠草酸鹽、蘇丹黑BM、Tricon藍(lán)、Macrolex綠G、DDCI-4和I.R26。這兩層即膨脹層和記憶層之間的相對(duì)吸收系數(shù)將被選擇以配合各層的熱容和其他特性，膨脹層和記憶層的相對(duì)吸收可以是至少約0.75∶1，最好是約1∶1。在一較佳實(shí)施例中，膨脹層加入約3%的savinal藍(lán)GCS，記憶層加入約等量的同樣染料。
在一實(shí)施例中，記憶層既用于密封液體金屬反射層，又被敷上一足夠厚的層以起到保護(hù)層的作用。
在如圖8說(shuō)明的另一實(shí)施例中，毗鄰基片的是一單聚合物層，稱(chēng)作“活性”區(qū)或?qū)?，這不需要分開(kāi)的膨脹和記憶層。正如前述的實(shí)施例一樣，反射層足夠薄，以致數(shù)據(jù)凸緣完全橫切反射層。這樣用一單激光束可以完全記錄和抹去。另外，必定減少了包含在本發(fā)明的該實(shí)施例的介質(zhì)的制造中的分開(kāi)的涂覆操作。這些組合的優(yōu)點(diǎn)提供經(jīng)濟(jì)的生產(chǎn)使用這些介質(zhì)的裝置和更高效率的生產(chǎn)介質(zhì)。
活性層由任何聚合物組成，只要其軟化溫度高于室溫(20℃)且在其軟化溫度以上具有相當(dāng)大的膨脹系數(shù)，它可以從第一實(shí)施例所述的各種材料中進(jìn)行選擇。
2.操作圖9A至9C說(shuō)明在寫(xiě)數(shù)據(jù)“凸緣”時(shí)和后的第二較佳實(shí)施例中的一個(gè)，如圖6所示的，它具有分開(kāi)的膨脹層和記憶層，雖然下面的描述具有說(shuō)明目的，但這并不意味著是對(duì)包含介質(zhì)使用的裝置或工藝的限制。如圖9A所示，寫(xiě)光束進(jìn)入基片4，并通過(guò)膨脹層6且從反射層10經(jīng)第二通道通過(guò)膨脹層6反射回來(lái)。在其通過(guò)膨脹層的雙通道中，加入的染料或顏料在寫(xiě)光束的波長(zhǎng)上吸收大量的能量92。因此，如圖9B所示，膨脹層受熱且膨脹出一“凸緣”，凸緣穿過(guò)反射層且與記憶層8接觸。然后記憶層通過(guò)由適當(dāng)加入的染料或顏料吸收的光束和從膨脹層的凸緣處熱傳導(dǎo)而被加熱，這受熱的記憶層允許膨脹層的凸緣擠入其中，然后在膨脹層的凸緣能在收縮前，記憶層比附著的凸緣冷卻得更快，由此將凸緣“鎖”在記憶層中。通過(guò)使用單波長(zhǎng)光，對(duì)于膨脹層和記憶層或在組合的活性層中合適的染料或顏料可以是同樣的。
反射層一般是很軟的，最好是粘度足夠低的流動(dòng)的液體或蒸汽，以便當(dāng)提高溫度或壓力時(shí)容易流動(dòng)，從寫(xiě)波長(zhǎng)光束中吸收增加的光能將導(dǎo)致溫度的提高，來(lái)自形成于膨脹層中的凸緣的壓力使壓力上升。由于膨脹層的凸緣凸入反射層導(dǎo)致形成反射層的反射材料的更換，產(chǎn)生一小孔，這樣，當(dāng)讀光束直接照在小孔上時(shí)，光束沒(méi)有反射，而是通過(guò)小孔進(jìn)入記憶層。這一經(jīng)傳送的讀光束通過(guò)記憶層被吸收，這樣使偏離反射層的光反射，在介質(zhì)相應(yīng)位置94處減少至實(shí)際為零。
光的讀波長(zhǎng)甚至可以選擇與寫(xiě)和抹光束同樣的波長(zhǎng)，由此允許使用一單光源。一般來(lái)說(shuō)，讀光束約是寫(xiě)光束強(qiáng)度的10%，因?yàn)樽x光束比寫(xiě)或抹光束具有更低的能量，所以在讀操作時(shí)記憶層基本上不會(huì)被加熱。
圖9C說(shuō)明在這種介質(zhì)上抹去信息的工序，記憶層的吸能性質(zhì)用于加熱材料。然而，抹去步驟一般用脈沖光束，可能為一散焦的寫(xiě)光束，最好與在寫(xiě)步驟中具有同樣的波長(zhǎng)和大約同樣的能量。記憶層由通過(guò)小孔直接送入反射層的光而加熱。如上所述，可以調(diào)節(jié)染料或顏料的相對(duì)數(shù)量，由此調(diào)節(jié)膨脹層和記憶層吸收的光的數(shù)量，這樣記憶層加熱更快，而且用脈沖抹光束膨脹層將收縮使與記憶層分離且縮回其初始位置96。根據(jù)較佳的實(shí)施例，在寫(xiě)/抹組合光束波長(zhǎng)下記憶層的吸收率小于膨脹層的吸收率約20%和80%之間;在一較佳實(shí)施例中，約在50%和70%之間;在最佳實(shí)施例中約小于膨脹層的吸收率60%。反射層也將回到其初始位置，這樣使膨脹層和記憶層分開(kāi)且如沒(méi)使用過(guò)的介質(zhì)一樣重新反射光。
如圖7和8所示的介質(zhì)除了在這些實(shí)施例中數(shù)據(jù)凸緣完全穿過(guò)反射層以外如相應(yīng)的第一實(shí)施例所描述的基本上一樣操作。
如第一實(shí)施例所述記錄系統(tǒng)可用于讀、寫(xiě)和抹第二實(shí)施例中的光介質(zhì)，當(dāng)然，控制透射而不是反射的另一裝置也可用于這些介質(zhì)。光敏器和讀光束源實(shí)際上位于介質(zhì)平面的相對(duì)側(cè)。
C.第三實(shí)施例(通過(guò)反射層厚度的變化調(diào)節(jié)讀光束)在本發(fā)明的第三實(shí)施例中，光介質(zhì)根據(jù)層厚度使層具有不同性能的優(yōu)點(diǎn)。雖然如第一和第二實(shí)施例所述一樣，一般對(duì)反射性能感興趣，但不同的折射指數(shù)可以提供同樣的功能。下面的描述特別是直接針對(duì)反射的例子。
對(duì)于各種金屬，最好是軟金屬制成的很薄層，其透射和反射性能主要取決于層厚。例如，對(duì)于厚度為0的層，即不存在層，應(yīng)該沒(méi)有反射。然而，對(duì)于小于約200 至1300 (根據(jù)不同的金屬)的很薄的片或?qū)樱瓷渎蚀笥?但大大小于厚層，在反射中損失的一些或也許大多數(shù)光是由于透過(guò)了薄層，這樣，在層厚度的這些范圍內(nèi)，反射率對(duì)層厚度十分敏感。對(duì)于使用在厚度范圍內(nèi)的層，膨脹凸緣可以調(diào)節(jié)反射率，折射率同樣受層厚的影響。
這些特定的實(shí)施例利用特別軟和薄的反射層的優(yōu)點(diǎn)。數(shù)據(jù)凸緣的結(jié)構(gòu)凸入軟反射層，使在這些位置凸緣上的反射層變得足夠薄，這樣反射率急劇下降。一般來(lái)說(shuō)，反射率的下降部分是由光透過(guò)層而引起的。通常，至少5%的入射光應(yīng)透射，較好的至少約10%，更好的至少20%，最好的至少30%。使反射層變薄和反射率下降的數(shù)據(jù)凸緣的最小高度可以異常地小，這樣對(duì)于各種材料或較低能量的寫(xiě)光束在膨脹區(qū)內(nèi)得到足夠的膨脹。
也可以看到，在產(chǎn)生光通過(guò)反射層透射的情況下，可得到寫(xiě)光束從相反方向照射的特別實(shí)施例。
1.介質(zhì)在這些實(shí)施例中，層一般如圖10或11所示排列。例如，在如圖10所示的特別實(shí)施例中，反射層10毗鄰記憶層8且與膨脹層6相對(duì)。反射層可以由各種材料制成，但反射材料最好是軟的、或在一感興趣的操作溫度上，如在盤(pán)片期望的操作溫度上，反射材料高于其熔點(diǎn)或沸點(diǎn)。在大多數(shù)實(shí)施例中，盤(pán)片的操作溫度約為室溫，即大約20℃±5℃。另外，在盤(pán)片的操作溫度上反射層可以是過(guò)冷液體或軟材料，因此，反射層(在其正常厚度上)在寫(xiě)、讀和抹光束的波長(zhǎng)上反射大于約25%的入射光，以用于與介質(zhì)接合。可以使用的軟材料包括鋁、銦、錫、金或其合金、鉍/銦合金、汞、鎵、銫、銣和如由Indalloy公司生產(chǎn)的那些鎵和銦合金以及上述材料的混合物，其他材料例如可以包括汞齊，汞齊可以包括鈉、鋰、鎂、鉀、鈣、鈧、銣、鍶、釔、銫、鋇、鑭和/或鋅。在最佳實(shí)施例中，反射層是鋁、銦、錫、金或其合金;在一些實(shí)施例中，合金包含約0至30%的銦、70至100%的鎵和0至20%的錫;在大多數(shù)最佳實(shí)施例中，反射層由鎵和銦的共晶混合物(75%鎵、25%銦組成。膨脹層6的記憶層8由從第一和第二實(shí)施例所用的材料中選出的材料形成。
根據(jù)第三實(shí)施例，反射層10最好的厚度是形成在記憶層上的數(shù)據(jù)凸緣的高度大于反射層的厚度，記錄在光盤(pán)上的數(shù)據(jù)凸緣的高度一般為0.06微米至1.5微米。因此，在一較佳實(shí)施例中，反射層的厚度約在1和6微米之間;在一最佳實(shí)施例中，反射層約2微米厚。
比反射層本身厚度更重要的是在數(shù)據(jù)凸緣上方的殘留反射層98的厚度，對(duì)用許多普通軟金屬作為反射材料的反射層來(lái)說(shuō)，在數(shù)據(jù)凸緣上方的殘留反射層的厚度應(yīng)小于約700 ，較好的小于約500 ，更好的小于約300 。雖然在這些范圍內(nèi)的殘留層厚度將在這些范圍內(nèi)調(diào)節(jié)反射率，但目的就是以合適量來(lái)降低反射率，通常期望反射率降低至少約10%，較好的是至少約20%，降低至少約30%達(dá)到了光盤(pán)的目前商用標(biāo)準(zhǔn)，而最好是降低至少40%。在許多情況下，這里指出的反射率的損失是由于光透射過(guò)薄層，反射率的降低基本上也是由于光透射過(guò)薄層。
也可以看到，對(duì)于使用液體或蒸汽反射層，在數(shù)據(jù)凸緣上層的殘留厚度可以更大，但仍使反射率按需要降低。
如圖11所示的實(shí)施例除了膨脹和記憶的組合功能由活性層7進(jìn)行外用與圖10所述的同樣方法操作，活性層7用與第一和第二實(shí)施例同樣的材料制成。
圖12顯示反射率和層厚之間或透射率和層厚之間關(guān)系的圖形，其中分別對(duì)于金屬鋁、銦、錫和金，層厚在約100 至1800 范圍內(nèi)。圖12A、B、C和D上的圖形是來(lái)自對(duì)于各種金屬在一選擇的波長(zhǎng)上出現(xiàn)在表1、2、3和4中的數(shù)據(jù)。層的反射率對(duì)層厚十分敏感，尤其如果反射層的厚度從大于約500至700 到小于數(shù)據(jù)凸緣上的500至700 作變化。
所有的涂層均在聚碳酸酯盤(pán)上由熱蒸發(fā)制得的，初壓力保持在≤1×10-5毫米，小的、由鎢制成的、開(kāi)口的蒸發(fā)皿用于錫、金和銦的情況，對(duì)于鋁用耐熱氮化硼坩堝。在實(shí)際許可范圍內(nèi)速率盡可能高(約20 /S)，在數(shù)據(jù)表中用密度比率系數(shù)來(lái)調(diào)節(jié)速率檢測(cè)值，密度比率系數(shù)以用鎵預(yù)標(biāo)定為基準(zhǔn)。
圖12A是780nm的光反射和透射與層厚的(光斷面，鋁材料)的關(guān)系圖，反射隨層厚的減少，由550 降至500 ，當(dāng)快速降至70%即約300 ，直至快速降至250 的情況下而降低。透射量與反射減少的量成反比，因此，對(duì)于使用鋁反射層在數(shù)據(jù)記號(hào)區(qū)內(nèi)所期望的金屬層厚通常小于約550 ，較好的小于約500 ，更好的小于300 ，最好的小于約250 。
圖12B是780nm的光反射和透射與層厚的(光斷面、銦材料)關(guān)系圖，反射隨層厚的減少，由低于約1100 ，相當(dāng)快速降至低于約800 ，直到低于其70%即約在600 和快速降至低于約400 的情況下而降低。透射量與反射減少的量成反比，因此，對(duì)于使用銦反射層在數(shù)據(jù)記號(hào)區(qū)內(nèi)所期望的金屬層厚通常小于約1100 ，較好的小于約800 ，更好的小于600 ，最好的小于約400 。
圖12C是780nm的光反射和透射與層厚的(光斷面、錫材料)的關(guān)系圖，反射隨層厚的減少低于約1000 ，相當(dāng)快速減少至低于約700 ，直到低于其70%即約在500 的情況下而降低。透射量與反射減少的量成反比，因此，對(duì)于使用錫反射層在數(shù)據(jù)記號(hào)區(qū)內(nèi)所期望的金屬層厚通常小于約1000 ，更好的小于700 ，最好的小于約500 。
圖12D是780nm的光反射和透射與層厚的(光斷面、金材料)的關(guān)系圖，反射隨層厚的減少低于約600 ，相當(dāng)快速減少至低于約550 ，直到低于其70%即約在250 的情況下而降低。透射量與反射減少的量成反比，因此，對(duì)于使用金反射層在數(shù)據(jù)記號(hào)區(qū)內(nèi)所期望的金屬層厚通常小于約600 ，較好的小于約550 ，更好的小于約250 。
這些實(shí)施例的另一例子具有組合的記憶/反射層，根據(jù)由依實(shí)際的應(yīng)用而相互聯(lián)系的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)第07/414044號(hào)指出的技術(shù)，分開(kāi)的反射和記憶層的功能可以合并在一起成為一單層。
記憶/反射層可以由單金屬、合金或其他反射材料組成，這些材料是軟的，但在室溫下不會(huì)液化且在記錄時(shí)在接近或低于由膨脹層產(chǎn)生的溫度軟化或熔化或兩者兼有以能變形。這樣，材料有一低熔點(diǎn)溫度，一般約在80℃至200℃范圍內(nèi)。在一較佳實(shí)施例中，材料還具有高的反射率?？梢杂糜谥圃鞂拥慕饘侔ㄣG、鋁、錫、鎘、銦、鎵及其合金，純銦產(chǎn)生的結(jié)果最好，但是在某些情況下，銦的大晶粒結(jié)構(gòu)在讀出的如在噪聲方面產(chǎn)生的結(jié)果次于最佳結(jié)果。當(dāng)銦與其他材料結(jié)合后，產(chǎn)生較細(xì)的晶粒結(jié)構(gòu)且降低或消除噪聲，較好的結(jié)合是銦加上鉍，將熔點(diǎn)從156℃降低至約80℃。合金也可使用，尤其是鉍或銦的共晶合金，更特別地是具有其他金屬，如錫、鎘、鉛或銦與鉍的共晶合金，這種合金具有在基本低于層的軟化溫度的所期望的范圍內(nèi)的熔點(diǎn)。
由于膨脹層和記憶/反射層的熱機(jī)械性能之間的關(guān)系，該例子的關(guān)鍵性的特征是對(duì)這兩層材料的選擇，這樣對(duì)記憶/反射層來(lái)說(shuō)選擇低熔點(diǎn)的金屬和合金有助于聚合物膨脹層的膨脹凸入記憶/反射層的受熱、軟化區(qū)，以形成記憶/反射層圍住的記錄凸緣。
由于記憶/反射層具有相當(dāng)高的熱導(dǎo)率，使其比聚合物膨脹層冷卻得更快，因此記錄凸緣的形狀可保持在金屬記憶/反射層內(nèi)，這樣，在光束移去以后，金屬變硬且將記錄凸緣固定在其位置上，而聚合物仍在膨脹。使用金屬記憶/反射層能更好限定或區(qū)別記錄凸緣。
在反射層上且包住其內(nèi)材料的通常是保護(hù)層12，用于生產(chǎn)層的組合物和方法與上述的一樣，尤其與第一實(shí)施例一樣。
2.操作圖10說(shuō)明在寫(xiě)數(shù)據(jù)“凸緣”18時(shí)和后本發(fā)明的第三實(shí)施例中的一個(gè)。如圖所示，寫(xiě)光束(由hν表示)進(jìn)入基片4且通過(guò)膨脹層6，膨脹層在寫(xiě)光束的波長(zhǎng)上吸收大量能量，因此膨脹層受熱且凸入記憶層8，在層冷卻時(shí)記憶層夾持膨脹層凸入的脹大的數(shù)據(jù)凸緣。圖11說(shuō)明具有組合的膨脹和記憶層或活性層的另一實(shí)施例，該層形成且保持有一數(shù)據(jù)凸緣18。對(duì)于形成的數(shù)據(jù)凸緣，如果反射層10足夠軟，反射層將被替代或變形為在數(shù)據(jù)凸緣上留有很薄殘留反射層98。在一些實(shí)施例中，與圖10和11所說(shuō)明的相比較，保護(hù)層也變形，但小于反射層，凸緣變形的機(jī)理如上所述，尤其是如第一實(shí)施例所說(shuō)。
圖12A至12D說(shuō)明對(duì)于各種軟金屬反射率和層厚之間、透射率和厚度之間的關(guān)系。這樣，當(dāng)數(shù)據(jù)凸緣上的殘留反射層的厚度足夠薄時(shí)，一般小于約700 ，較好的小于約500 ，更好的小于約200 ，殘留層的反射率大大降低，這種反射率的減少足以滿(mǎn)足目前激光唱盤(pán)介質(zhì)的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
膨脹層和記憶層或另一種活性層的功能和特性如上面第一和第二實(shí)施例所描述。
反射層10可以或可不毗鄰活性層，該反射層用于將光反射通過(guò)活性層以進(jìn)行記錄和數(shù)據(jù)檢測(cè)。如圖所示，反射層中液體的體積相對(duì)于由數(shù)據(jù)凸緣替代的液體的體積來(lái)說(shuō)是相當(dāng)大的，因此，凸緣由軟材料、充滿(mǎn)液體或蒸汽區(qū)域中的小增壓所調(diào)節(jié)，同時(shí)也引起保護(hù)層的表面產(chǎn)生相應(yīng)的小變形。相反，當(dāng)抹去數(shù)據(jù)凸緣時(shí)，充滿(mǎn)液體區(qū)域中壓力減少很少，保持層回至其初始位置。軟的、充滿(mǎn)液體或蒸汽的反射層能夠立刻充滿(mǎn)數(shù)據(jù)凸緣留出的空隙，由此層的分離不成問(wèn)題。
用于制造這些介質(zhì)的方法和用于使用介質(zhì)的裝置如上面第一和第二實(shí)施例所描述。
D.結(jié)論在以前的系統(tǒng)中，凸緣一般用于散射讀光束，或者用引起相消干涉的方法反射。散射技術(shù)使部分光返回到光敏檢測(cè)器，由此顯示噪聲比的一低信號(hào)。相消干涉在光束波長(zhǎng)的順序上需要非常接近的公差，而且該工藝需要適合于介質(zhì)和讀或?qū)懴到y(tǒng)非常接近的制造公差。
在這里所述的第一實(shí)施例中，反射層制得足夠軟，以便對(duì)膨脹區(qū)內(nèi)的凸緣變形的阻力將明顯下降。這樣，大大擴(kuò)大了用于形成膨脹區(qū)的材料范圍，或者所需的膨脹量，而且也減少在寫(xiě)操作中所需光的強(qiáng)度。
第二實(shí)施例提供一相當(dāng)薄的反射層，凸緣幾乎穿透反射層，這種改進(jìn)也提供一實(shí)施例，其功能層重新排列，使反射層10在膨脹層6和記憶層8之間，如圖6所示，形成在反射層上的小孔94允許光完全通過(guò)反射層，且進(jìn)入該實(shí)施例的記憶層;“凸緣”(反射)和其損耗(透射)之間的信噪比大大增加且突出，記憶層可以有適當(dāng)吸收，由此讀光束基本上沒(méi)有反射。由于反射和透射之間的差異增加，大大擴(kuò)大了介質(zhì)和讀或?qū)懴到y(tǒng)的制造公差。而且，由于反射層中的空隙直徑可以遠(yuǎn)小于一般凸緣的平均直徑，因此磁跡公差可以很細(xì)，可以增加信息密度，或擴(kuò)大制造公差。
在第三實(shí)施例中，薄層在生產(chǎn)和使用中提供寬得多的公差，這樣，凸緣高度的較大變化仍能使在介質(zhì)和使用介質(zhì)的裝置的生產(chǎn)中提供放寬公差的反射率具有足夠的差異。
可以知道上述描述僅是為了說(shuō)明而已，并非是限制，對(duì)本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在研究上述描述的基礎(chǔ)上，許多實(shí)施例將是顯而易見(jiàn)的。通過(guò)舉例的方法，本發(fā)明說(shuō)明了液體反射層，但對(duì)本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)可以清楚看到由任何材料組成的液體或氣體可以靠近記憶層或膨脹層設(shè)置。而且，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在研究本揭示的基礎(chǔ)上，各種其他的排列方式也是顯而易見(jiàn)的。因此，本發(fā)明的范圍并不是由上述描述所決定的，而應(yīng)該由所附的權(quán)項(xiàng)及與等同于這些權(quán)項(xiàng)要求的全部范圍一起決定。
權(quán)利要求
1.一種記錄介質(zhì)，它包括a)一基片；b)一毗連所述基片的膨脹區(qū)，所述膨脹區(qū)在具有一寫(xiě)波長(zhǎng)的寫(xiě)光束照射下膨脹，以在其上形成一可檢測(cè)的凸緣；和c)用于接納由所述膨脹區(qū)膨脹引起的一容積的裝置，接納裝置包括在所述記錄介質(zhì)的操作溫度上的一液體或蒸汽層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種記錄介質(zhì)，其特征在于，所述膨脹區(qū)包括一膨脹層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種記錄介質(zhì)，還包括一記憶層，其特征在于，所述記憶層在抹光束的照射下不再保持所述可檢測(cè)的凸緣。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種記錄介質(zhì)，包括一膨脹層和一記憶層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種記錄介質(zhì)，其特征在于，所述膨脹層包括一活性層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種記錄介質(zhì)，其特征在于，所述接納裝置厚度約在0.5和1.5微米之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種記錄介質(zhì)，其特征在于，所述接納裝置的厚度約為1微米。
8.一種用于記錄和抹去數(shù)據(jù)的光記錄介質(zhì)，它包括，a)一基片;b)一毗連所述基片的膨脹層，所述膨脹層在具有一寫(xiě)波長(zhǎng)的寫(xiě)光束照射而得到局部加熱下膨脹，且在其上形成一可檢測(cè)的凸緣;c)一記憶層，所述記憶層在所述寫(xiě)光束停止照射后保持所述可檢測(cè)的凸緣，且在具有一抹波長(zhǎng)的抹光束照射下消除所述凸緣;和d)一毗連所述記憶層的液體或蒸汽層，所述液體或蒸汽層接納一來(lái)自所述可檢測(cè)的凸緣的膨脹容積。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述液體或蒸汽層毗連所述膨脹層。
10.一種用于記錄和抹去數(shù)據(jù)的光記錄介質(zhì)，它包括a)一基片;b)一毗連所述基片的活性層，所述活性層在具有一寫(xiě)波長(zhǎng)的寫(xiě)光束照射而得到局部加熱下膨脹，且在所述寫(xiě)波長(zhǎng)光停止照射后在其上形成一可檢測(cè)的凸緣，所述活性層在具有一抹波長(zhǎng)的抹光束照射下回縮成一平面狀態(tài);和c)一液體或蒸汽層。
11.一種用于記錄和抹去數(shù)據(jù)的光記錄介質(zhì)，它包括a)一基片;b)一毗連所述基片的活性層，所述活性層在具有一寫(xiě)波長(zhǎng)的寫(xiě)光束照射而得到局部加熱下膨脹，且在所述寫(xiě)波長(zhǎng)光停止照射后在其上形成一可檢測(cè)的凸緣，所述活性層在具有一抹波長(zhǎng)的抹光束照射下回縮成一平面狀態(tài);和c)一液體或蒸汽層，所述層是足夠薄，使所述可檢測(cè)的凸緣穿透所述液體或蒸汽層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的一種記錄介質(zhì)，其特征在于，將所述膨脹層與所述記憶層相比較，吸收所述抹光束的比率約在1∶10和10∶1之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的一種記錄介質(zhì)，其特征在于，將所述膨脹層與所述記憶層相比較，吸收所述抹光束的比率約在1∶5和5∶1之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的一種記錄介質(zhì)，其特征在于，將所述膨脹層與所述記憶層相比較，吸收所述抹光束的比率約在1∶2和2∶1之間。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的一種記錄介質(zhì)，其特征在于，將所述膨脹層與所述記憶層相比較，吸收所述抹光束的比率約為1∶1。
16.根據(jù)權(quán)利要求1、8、9、10或11所述的一種光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述液體或蒸汽層是反射層。
17.根據(jù)權(quán)利要求1、8、9、10或11所述的一種光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述液體或蒸汽層包括一金屬層。
18.根據(jù)權(quán)利要求1、8、9、10或11所述的一種光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述液體或蒸汽層包括一種從由水銀、鎵、銫、銣、鉍、鎵合金、銦合金、鉍合金和其混合物組成的組中選擇的材料。
19.根據(jù)權(quán)利要求1、8、9、10或11所述的一種光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述液體或蒸汽層包括約70至100%鎵、約0至30%銦和約0至20%錫。
20.一種用于記錄和抹去數(shù)據(jù)的光記錄介質(zhì)，它包括a)一基片;b)一毗連所述基片的膨脹層，所述膨脹層在具有一寫(xiě)波長(zhǎng)的寫(xiě)光束照射而得到局部加熱下膨脹，且在其上形成一可檢測(cè)的凸緣;c)一記憶層，所述記憶層在所述寫(xiě)光束停止照射后保持所述可檢測(cè)的凸緣，且在具有一抹波長(zhǎng)的抹光束照射下消除所述凸緣;和d)一軟反射層，它在所述可檢測(cè)的凸緣的凸入下變形，使得在所述凸緣上的反射層變得足夠薄，以透射至少約10%的讀光束。
21.一種用于記錄和抹去數(shù)據(jù)的光記錄介質(zhì)，它包括a)一基片;b)一毗連所述基片的活性層，所述活性層在具有一寫(xiě)波長(zhǎng)的寫(xiě)光束照射而得到局部加熱下膨脹，且有所述寫(xiě)波長(zhǎng)光停止照射后在其上形成一可檢測(cè)的凸緣，所述活性層在具有一抹波長(zhǎng)的抹光束照射下回縮成一平面狀態(tài);和c)一軟反射層，它在所述可檢測(cè)的凸緣的凸入下變形，使得在所述凸緣上的反射層變得足夠薄，以透射至少約10%的讀光束。
22.一種用于記錄和抹去數(shù)據(jù)的光記錄介質(zhì)，它包括a)一基片;b)一毗連所述基片的膨脹層，所述膨脹層在具有一寫(xiě)波長(zhǎng)的寫(xiě)光束照射而得到局部加熱下膨脹，且在其上形成一可檢測(cè)的凸緣;c)一軟反射層，它在所述可檢測(cè)的凸緣的凸入下變形，使得在所述凸緣上的反射層變得足夠薄，以透射至少約10%的讀光束，所述反射層在所述寫(xiě)光束停止照射后保持所述可檢測(cè)的凸緣，且在具有一抹波長(zhǎng)的抹光束照射下消除所述凸緣。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的一種光記錄介質(zhì)，其特征在于，所述可檢測(cè)的凸緣完全穿透所述軟反射層。
24.根據(jù)權(quán)利要求20、21或22所述的一種記錄介質(zhì)，其特征在于，所述軟反射層包括一液體或蒸汽層。
25.根據(jù)權(quán)利要求20、21或22所述的一種記錄介質(zhì)，其特征在于，所述軟反射層包括一種從由水銀、鎵、銫、銣、鉍、鎵合金、銦合金、鉍合金和其混合物組成的組中選擇的材料。
26.根據(jù)權(quán)利要求20、21或22所述的一種記錄介質(zhì)，其特征在于，所述軟反射層包括一種從由鋁、銦、錫、金、鋁合金、銦合金、錫合金、金合金和其混合物組成的組中選擇的材料。
27.根據(jù)權(quán)利要求20、21或22所述的一種記錄介質(zhì)，其特征在于，所述軟反射層在所述凸緣上足夠薄，以透射至少約20%的所述讀光束。
28.根據(jù)權(quán)利要求20、21或22所述的一種記錄介質(zhì)，其特征在于，所述軟反射層在所述凸緣上足夠薄，以透射至少約30%的所述讀光束。
29.根據(jù)權(quán)利要求20、21或22所述的一種記錄介質(zhì)，其特征在于，所述反射層足以允許至少10%讀光束透射的厚度小于約1000 。
30.根據(jù)權(quán)利要求20、21或22所述的一種記錄介質(zhì)，其特征在于，所述反射層足以允許至少10%讀光束透射的厚度小于約800 。
31.根據(jù)權(quán)利要求20、21或22所述的一種記錄介質(zhì)，其特征在于，所述反射層足以允許至少10%讀光束透射的厚度小于約600 。
32.根據(jù)權(quán)利要求20、21或22所述的一種記錄介質(zhì)，其特征在于，所述反射層足以允許至少10%讀光束透射的厚度小于約500 。
33.根據(jù)權(quán)利要求3、8和20所述的一種記錄介質(zhì)，其特征在于，所述記憶層具有至少約400000磅/英寸2的揚(yáng)氏模量。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種光貯存介質(zhì)，在一較佳實(shí)施例中，一基片上具有一膨脹層，一記憶層與基片相對(duì)，一液體反射層毗連記憶層，且或毗連或相對(duì)膨脹層，反射層被保護(hù)層封住，本發(fā)明還揭示改進(jìn)的膨脹層和記憶層。
文檔編號(hào)G11B7/24GK1050787SQ9010389
公開(kāi)日1991年4月17日 申請(qǐng)日期1990年5月23日 優(yōu)先權(quán)日1989年5月25日
發(fā)明者布賴(lài)恩·K·克拉克, 舍里耶·L·約翰遜, 羅伯特·格拉 申請(qǐng)人:坦迪公司