專利名稱：帶有不對(duì)稱引線的磁阻磁頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁阻(MR)磁頭，具體來(lái)說(shuō)涉及MR磁頭的電引線。
通常包括MR讀出元件和感應(yīng)寫入元件的MR磁頭越來(lái)越多地用于記錄和讀出存入磁介質(zhì)中的數(shù)據(jù)。MR磁頭的主要優(yōu)點(diǎn)是它們?cè)试S增大磁記錄系統(tǒng)的位密度。
在D.Hannon等人的文章“ALLICAT型磁阻磁頭的設(shè)計(jì)和性能”(1993年磁記錄會(huì)議匯編，MINNESOTA大學(xué)磁記錄總部，1993年9月13—15日，B2)中公開(kāi)了一種典型的MR磁頭，該MR磁頭示意地表示在本發(fā)明的

圖1中。圖1是一個(gè)常規(guī)的MR磁頭10的有效表面的底視圖，該圖是從磁介質(zhì)觀察得到的。MR元件11夾在磁屏蔽層12和磁屏蔽/寫入磁極層14之間。
雖然圖1中沒(méi)有表示出，但MR元件為三層結(jié)構(gòu)，即一個(gè)軟相鄰層、一個(gè)設(shè)在軟相鄰層之上的中介層、和一個(gè)設(shè)在絕緣層之上的MR膜。軟相鄰層由軟磁材料構(gòu)成，如坡莫合金、CoZrMo等。中個(gè)層由非磁性材料構(gòu)成，如Ti、SiO2等。MR膜由磁阻材料構(gòu)成，如NiFe。軟相鄰層經(jīng)縱向流過(guò)MR元件11的偏置電流在MR膜中提供橫向磁偏置。MR膜的縱向磁偏置是由硬偏置磁鐵層16、18提供的，層16、18緊靠著MR元件11的相對(duì)的兩端并且由導(dǎo)電和磁硬材料構(gòu)成，例如鈷合金(如CoPtCr)。
硬偏置磁鐵16、18和MR元件11都設(shè)在一個(gè)絕緣層20上，絕緣層20設(shè)在磁屏蔽層12上。磁屏蔽層12由磁軟但實(shí)際硬的材料構(gòu)成，如CoHfNb。引線層22、24分別設(shè)在硬偏置磁鐵層16、18上。引線層22、24由導(dǎo)電材料制成，并且分別經(jīng)硬偏置磁鐵層16、18電連接到MR元件11的相對(duì)的兩端。
絕緣層26設(shè)在引線層22、24以及MR元件11之上，由坡莫合金或其它合適材料構(gòu)成的磁屏蔽/寫入磁極層14設(shè)在絕緣層26之上。由坡莫合金或其它合適材料制成的寫入磁極層28設(shè)在磁屏蔽/寫入磁極層14之上，絕緣層30設(shè)在層14和層28之間。
磁屏蔽/寫入磁極層14和寫入磁極層28在后部(未示出)進(jìn)行磁偶合以形成感應(yīng)寫入元件的磁通通路。穿過(guò)磁屏蔽/寫入磁極層14和寫入磁極層28形成一個(gè)寫入線圈(未示出)。因此，當(dāng)給寫入線圈加上一個(gè)電流時(shí)，絕緣層30就形成一個(gè)寫入間隙，用于將信息寫到磁介質(zhì)上。根據(jù)所謂MR效應(yīng)使用MR元件11從磁介質(zhì)中讀出信息，其中MR膜根據(jù)它的磁化角來(lái)改變它的電阻。
寫入磁極層28有一個(gè)中心線32，中心線32偏離MR膜11的中心線34，以補(bǔ)償例如旋轉(zhuǎn)的傳動(dòng)裝置中的偏斜。常規(guī)的MR磁頭10是寬讀/窄寫型MR磁頭，即向磁介質(zhì)寫入的磁道比讀出的磁道寬些。發(fā)生這種情況的原因是寫入磁極層28的寬度大于MR元件11的寬度。
在MR磁頭中，例如在常規(guī)的MR磁頭10中，其中的寫入磁極層設(shè)在模制的引線層上，已確認(rèn)，在高記錄密度時(shí)存在交叉磁道響應(yīng)的非線性問(wèn)題。T.Anthony等人在文章“用于高密度記錄的雙條紋磁阻磁頭”(1993年磁記錄會(huì)議匯編，磁記錄總部，MINNESOTA大學(xué)，1993年9月13—15日，B3)中認(rèn)為這種非線性來(lái)源“彎曲位”，這些“彎曲位”作為在寫入磁極中產(chǎn)生的模制的引線的高低不平的分布狀態(tài)的結(jié)果被寫在磁介質(zhì)上。參照本發(fā)明的附圖1，每個(gè)引線層22、24在MR元件11上方抬起形成的臺(tái)階是在相繼沉積每個(gè)層(包括磁屏蔽/寫入磁極層14和寫入磁極層28)過(guò)程中作為隆起產(chǎn)生的。因?yàn)榇牌帘?寫入磁極層14和寫入磁極層28包括這些隆起，所以當(dāng)將數(shù)據(jù)寫在磁介質(zhì)上時(shí)，就在每個(gè)磁道的兩端產(chǎn)生了相位差，于是產(chǎn)生了“彎曲位”。
在沉積隨后的一些層之前先將絕緣層26壓平，就可能解決這個(gè)問(wèn)題。但這一解決方案可能會(huì)帶來(lái)一些附加問(wèn)題。例如，擠壓絕緣層26引起的污染會(huì)明顯降低MR元件11的性能。此外，壓平步驟可能增加制造MR磁頭10的復(fù)雜性和成本費(fèi)用，這是不希望的。
眾所周知，將引線層22、24的高度減小相同的數(shù)值可減小“彎曲位”問(wèn)題。但高度的減小會(huì)增加引線層22、24的電阻，這也是不希望的。通過(guò)增加磁介質(zhì)遠(yuǎn)端的引線層22、24的后部的厚度，即在引線層22、24的后部包括一個(gè)臺(tái)階，可能減小電阻的最終增加，這也是公知的。盡管如此，這樣一個(gè)帶有臺(tái)階的引線結(jié)構(gòu)也不可能完全補(bǔ)償電阻的增加。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種能向磁盤、磁帶、或其它磁質(zhì)寫入信息并從中讀出信息的改進(jìn)的MR磁頭。
本發(fā)明的第二個(gè)目的是提供一種能將在高記錄密度時(shí)交叉磁道響應(yīng)的任何非線性減至最小的MR磁頭。
本發(fā)明的第三個(gè)目的是提供一種能將高記錄密度時(shí)交叉磁道響應(yīng)的任何非線性減至最小同時(shí)又不產(chǎn)生污染問(wèn)題的MR磁頭。
本發(fā)明的第四個(gè)目的是提供一種制造MR磁頭的方法，它能將寫入磁極中引線表面的高低不平的形狀的任何轉(zhuǎn)折重復(fù)減至最小。
本發(fā)明的第五個(gè)目的是提供一種引線最好連到一個(gè)單端前置放大電路的MR磁頭。
按本發(fā)明，MR磁頭有一個(gè)MR膜，MR膜電連接到兩個(gè)引線層上，每個(gè)引線層都具有一個(gè)不同的厚度。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，MR磁頭包括一個(gè)寫入磁極，寫入磁極在較薄的引線層上延伸并在MR膜上終止，因此寫入磁極不在較厚的引線層上延伸。
還是按本發(fā)明，MR磁頭包括一個(gè)MR膜，MR膜電連接到兩個(gè)引線層上，每個(gè)引線層都有一個(gè)不同的電阻。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，較薄的引線層連到一個(gè)單端前置放大電路，較厚的引線層連接到地或連接到一個(gè)參考電壓。
下面，參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明，其中
圖1是一個(gè)常規(guī)的MR磁頭的底視圖；圖2是一個(gè)按照本發(fā)明的MR磁頭的底視圖；圖3是圖2所示的MR磁頭的一個(gè)剖面圖；圖4是使用差分結(jié)構(gòu)的圖2所示的MR磁頭的示意圖；圖5是使用了一個(gè)單端結(jié)構(gòu)的圖2所示的MR磁頭的示意圖；圖6是在該單端結(jié)構(gòu)中沿信號(hào)通路的各個(gè)電阻的示意圖；以及圖7是使用圖2所示的MR磁頭的一個(gè)直接存取存儲(chǔ)設(shè)備的頂視圖。
在所有這些附圖中，相似的標(biāo)號(hào)表示相似的元件。
現(xiàn)在參照?qǐng)D2和圖3，其中表示按本發(fā)明的一個(gè)磁阻(“MR”)磁頭，一般用標(biāo)號(hào)50表示，用于向相對(duì)于MR磁頭50移動(dòng)的磁介質(zhì)50(僅在圖3中表示)的磁道寫入二進(jìn)制位和從該磁頭讀出二進(jìn)制位。磁道可能和旋轉(zhuǎn)磁盤、磁帶、或其它磁介質(zhì)相關(guān)。
實(shí)踐中，MR磁頭50是使用傳統(tǒng)的真空沉積技術(shù)制作的，例如化學(xué)蒸汽沉積、離子蒸汽沉積、濺射方法、無(wú)電涂敷和電鍍技術(shù)。MR磁頭50包括一個(gè)夾在磁屏蔽層12和磁屏蔽/寫入磁極層54之間的MR元件11。
雖然為清楚起見(jiàn)圖中沒(méi)有表示出來(lái)，但MR元件11最好為常規(guī)的三層結(jié)構(gòu)，如一個(gè)軟相鄰層、一個(gè)中介膜(設(shè)在軟相鄰層之上)、和一個(gè)MR薄膜(設(shè)在中介膜之上)。軟相鄰層由軟磁性材料制成，如坡莫合金、CoZrMo(鈷鋯鉬)、等等。中介膜由非磁性材料制成，如鈦(Ti)、二氧化硅(SiO2)，等等。MR膜由磁阻材料制成，如NiFe。
MF膜在T方向的優(yōu)選厚度是0.005到0.03微米。例如MR膜的厚度可為0.03微米，而中介層的厚度為0.01微米并且軟相鄰層的厚度為0.02微米。MR元件11的三層中的每一層在W方向的寬度為0.3至4微米，在H方向的高度(僅在圖3中表示出)為0.3至4微米。雖然MR元件11是作為一個(gè)三層結(jié)構(gòu)說(shuō)明的，但MR元件11也可以為任何其它的常規(guī)結(jié)構(gòu)。
MR元件11的三層依次設(shè)在一個(gè)絕緣層20上，絕緣層20又設(shè)在磁屏蔽層12上。磁屏蔽層12由磁軟但實(shí)際硬的材料(如Co-HfNb)制成，并且在T方向的厚度約為0.5至2.5微米。磁屏蔽/寫入磁極層54由坡莫合金或其它適宜材料制成，并且在T方向的厚度約為0.5至3.5微米。
硬偏置磁鐵層16、18設(shè)在絕緣層20上，和MR元件11的相對(duì)的兩個(gè)側(cè)面緊挨著。硬偏置磁鐵層16、18由諸如鈷合金(如CoPtCr)之類的導(dǎo)電并且是磁硬材料制成，并且有大約和MR元件11厚度相同的厚度。硬偏置磁鐵層16、18提供MR元件11的MR膜的縱向磁偏置。也可以通過(guò)任何其它常規(guī)偏置技術(shù)(如交換偏置)按其它方式提供MR膜的縱向磁偏置。硬偏置磁鐵層16、18在H方向的高度約等于MR元件11的高度。
引線層56設(shè)在硬偏置磁鐵層16和絕緣層20的上面。類似地，引線層58設(shè)在硬偏置磁鐵層18和絕緣層20之上。引線層56、58分別具有端部60、62，這些端部60、62的位置靠近磁介質(zhì)52。引線層56的端部60在T方向比引線層58的端部62薄。引線層56、58分別通過(guò)硬偏置磁鐵層16、18電連接到MR元件11。于是，當(dāng)引線層56、58通過(guò)MR元件11驅(qū)動(dòng)一個(gè)偏置電流時(shí)，磁通沿圍繞MR元件11的MR膜和軟相鄰層并穿過(guò)MR膜和軟相鄰層的一個(gè)圓進(jìn)行流動(dòng)，于是在MR膜中產(chǎn)生橫向磁偏置。
引線層56和引線層58可分別單獨(dú)沉積形成。另外，還可同時(shí)沉積引線層56、以及引線層58的下部，接著再沉積引線層58的其余部分。
在MR元件11、引線層56、58、以及絕緣層20上沉積一個(gè)絕緣層64。在絕緣層64上沉積磁屏蔽/寫入磁極層54。磁屏蔽層12和磁屏蔽/寫入磁極層54之間在T方向的間隔最好是0.1到1微米，而MR元件11處在該間隔的一半的位置。
引線層56至少在端部60附近的T方向厚度小于引線層58在端62附近的T方向厚度。引線層56在端部60附近的厚度最好小于0.1微米。引線層56在端部60附近的厚度小于引線層58在端部62附近的厚度的二分之一則更好。例如，引線層56的端部60的厚度可以為0.05微米，而引線層58的端部62的厚度是0.1微米。引線層56和58例如由Ta(鉭)、W(鎢)、等材料構(gòu)成，這種材料能在電阻率、抗腐蝕性能、和搭接行為之間提供良好的折衷。
為了把引線層56相對(duì)于引線層58的最終的較大的電阻減至最小，如果必要，可使引線層56的后部(即，端部60的遠(yuǎn)端)比引線層56的端部60更厚些。引線層56的這個(gè)較厚的部分從臺(tái)階72處開(kāi)始，如圖3中的部分剖面線所示。引線層56的后部的厚度例如可以和引線層58的端62的厚度相同，因此允許引線層56的后部和引線層58的端部62同時(shí)進(jìn)行沉積。
因?yàn)橐€層56的端部60比引線層58的端部更薄些，從MR元件11到引線層56的端部60的構(gòu)形臺(tái)階比從MR元件11到引線層58的端部62的構(gòu)形臺(tái)階更淺些。在引線層56的端部60上隨后沉積的那些層中再重新構(gòu)成這些較淺的臺(tái)階。
在磁屏蔽/寫入磁極層54上沉積絕緣層66，并在絕緣層66上沉積一個(gè)寫入磁極層68。絕緣層20、64和66可由絕緣材料構(gòu)成，如Al2O3、SiO2、以及類似的材料。絕緣層66在磁屏蔽/寫入磁極層54和寫入磁極層68之間形成一個(gè)寫入間隙，并且絕緣層66在T方向的厚度最好為0.3至0.6微米。
寫入磁極層68例如由坡莫合金構(gòu)成，并且在T方向的厚度最好為0.5至4微米，并且在W方向的寬度最好為0.5至6微米。寫入磁極層68的中心線70最好偏離MR元件11的中心線34，以便例如對(duì)一個(gè)旋轉(zhuǎn)式傳動(dòng)裝置(未示出)的偏斜進(jìn)行補(bǔ)償。還有，寫入磁極層68最好比MR元件11更寬些，因此該MR磁頭50是寬寫/窄讀型的MR磁頭。
更為優(yōu)選的是，寫入磁極層68在引線層56的端部60上延伸并在MR元件11上終止，但不在引線層58的端部62上延伸。
圖4是使用本發(fā)明的MR磁頭50的一個(gè)差分前置放大電路。使用MR磁頭的差分前置放大電路在本領(lǐng)域中是公知的，因此這里只作簡(jiǎn)單討論。恒定直流Jb提供給MR磁頭50。使用電容器82、84、和電阻器86、88將MR磁頭50交流偶合到一個(gè)常規(guī)的差分放大器90，即從由流過(guò)MR磁頭50的恒定電流Ib產(chǎn)生的信號(hào)S1和S2中除掉大的直流電壓分量。差分放大器90提供放大的輸出Vs使用該輸出Vs測(cè)量MR元件11的電阻變化。另外，在一個(gè)本領(lǐng)域中公知的電路結(jié)構(gòu)中，可向MR磁頭50提供一個(gè)恒定的直流電壓Vb并通過(guò)一個(gè)電流敏感的差分前置放大器測(cè)量電流的變化。
按此結(jié)構(gòu)，本發(fā)明允許大幅度降低引線層58的電阻，不會(huì)引起通過(guò)寫入磁極層68把“彎曲位”寫入磁介質(zhì)52的現(xiàn)象，這是很有益處的。事實(shí)上，本發(fā)明已考慮了引線層58的電阻的降低，這種電阻的降低完全補(bǔ)償了引線層58的電阻的任何可能的增加。引線層58變厚在磁屏蔽/寫入磁極層54中產(chǎn)生較大的隆起，這種較大的隆起不會(huì)使彎曲位寫入磁介質(zhì)52中，這是因?yàn)閷懭雽挾葞缀跬耆怯蓪懭氪艠O層68的寬度決定的，并且磁屏蔽/寫入磁極層54中的較大的隆起位于寫入磁極層68的寬度的外部。
圖5是一個(gè)和單端前置放大電路一道使用的本發(fā)明的MR磁頭50的示意圖。使用MR磁頭的單端前置放大電路在本領(lǐng)域中是眾所用知的，因此這里只進(jìn)行簡(jiǎn)單的討論。在Klassen的美國(guó)專利No.4,712,144和Klein等人的美國(guó)專利No.5,122,915中公開(kāi)了這種常規(guī)的單端前置放大電路的實(shí)例。從International BusinessMachine Corporation可購(gòu)到的型號(hào)為IBM H2344—A4(IBM是該公司的一個(gè)注冊(cè)商標(biāo))的直接存取存儲(chǔ)設(shè)備(DASD)中可得到常規(guī)單端前置放大電路的另一個(gè)實(shí)例。因?yàn)閱味饲爸梅糯箅娐吠ǔ］^為簡(jiǎn)單，并且比差分前置放大電路消耗的功率更少，所以單端前置放大電路是優(yōu)選的。
一般來(lái)說(shuō)，給常規(guī)的單端前置放大電路92提供一個(gè)正的電壓(V+)，如圖5所示。由單端前置放大電路92向MR磁頭50的一個(gè)引線提供一個(gè)恒定的平均直流電流Ib。MR磁頭50的另一個(gè)引線接地(如圖5所示)，或者接到一個(gè)參考電壓。雖然加到MR磁頭50的這個(gè)直流平均電流保持不變，但通過(guò)MR元件11的電阻的變化還要產(chǎn)生一個(gè)交變電流。這個(gè)交流電流被單端前置放大電路92放大，產(chǎn)生一個(gè)放大的輸出電壓V0。另外，在一個(gè)本領(lǐng)域中公知的不同的單端電路中，可向MR磁頭50提供一個(gè)恒定的直流電流Ib，并通過(guò)一個(gè)電壓靈敏放置放大器測(cè)量電壓的變化。
雖然從簡(jiǎn)單化和功率消耗觀點(diǎn)出發(fā)，單端前置放大電路是優(yōu)選的，但單端前置放大電路可能存在噪聲問(wèn)題。如下面將要討論的，本發(fā)明通過(guò)設(shè)計(jì)MR磁頭使引線層58(即較粗的引線)接地或接參考電壓并使引線層56(即較細(xì)的引線)接單端前置放大電路，就可能減小這個(gè)噪聲問(wèn)題。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在單端前置放大電路中噪聲的主要來(lái)源是磁介質(zhì)向MR磁頭的微小電容偶合以及從MR磁頭的引線到一個(gè)傳動(dòng)裝置和一個(gè)保持MR磁頭的懸體的微小電容。產(chǎn)生這種情況的原因是這些部件中的每一個(gè)部件的“地”相對(duì)于單端前置放大電路的“地”來(lái)說(shuō)都不是一個(gè)真正的“地”。
圖6是沿從單端前置放大電路92、經(jīng)MR磁頭50、到地的信號(hào)通路的各個(gè)電阻的示意圖。這些電阻包括單端前置放大電路的輸入電阻R輸入、引線層56的電阻R引線56、MR元件11的電阻RMR、以及引線層58的電阻R引線58。MR元件11在其電阻的中心處(RRM/2)經(jīng)電容偶合C噪聲檢測(cè)噪聲電流I噪聲?？傒斎雮?cè)電阻RT1由下述方程給出RT1＝R輸入＋R引線56＋RMR/2(1)總接地側(cè)電阻RT2由下述方程給出RT2＝R引線58＋RMK/2 (2)并聯(lián)電阻 輸入噪聲電流I輸入噪聲由下述方程給出 對(duì)照例常規(guī)MR磁頭的每一個(gè)引線都有相同的厚度(如，100nm左右)和相同的電阻(如4Ω左右)。一般來(lái)說(shuō)，一個(gè)MR元件的電阻約20Ω.單端輸入前置放大電路的輸入電阻約2.5Ω。求解上述方程(1)至(4)，其中R輸入＝2.5Ω，R引線56＝R引線58＝4Ω，RMR＝20Ω，從而得到輸入噪聲電流J輸入噪聲＝0.460×I噪聲。
例1在例1中，將引線層58的厚度增加到約200nm，從而相對(duì)于對(duì)照例將接地的引線層58的電阻減小到約2Ω。并且，將引線層56的厚度減小到約67nm，從而相對(duì)于對(duì)照例將引線層56(接單端前置放大器92)的電阻增加到約6Ω。求解上述方程(1)—(4)，其中R輸入＝2.5Ω，R引線56＝6Ω，R引線58＝2Ω，并且RMR＝20Ω，則得到的輸入噪聲電流I輸入噪聲＝0.393×I噪聲。因此，例1將輸入噪聲電流I輸入噪聲減小了14％。
但在例1中保持和對(duì)照例相同的總電阻RT1＋RT2＝30.5Ω，并保持和對(duì)照例相同的信號(hào)電平。因而，在例1中保持該信號(hào)電平，但由于引線層56較薄卻減小了由“彎曲位”引起的相位誤差，并且把對(duì)MR磁頭50拾取的環(huán)境噪聲的靈敏度降低了14％。
例2在例2中，把接地的引線層58的厚度增加到約200nm，即為對(duì)照例中引線層58的厚度的一半，從而把引線層58的電阻增加到2Ω左右。接單端前置放大器92的引線層56的電阻為4Ω，和對(duì)照例中的情況一樣。求解上述方程(1)—(4)，其中R輸入＝2.5Ω，R引線56＝4Ω，R引線58＝2Ω，并且RMR＝20Ω，則得到的輸入噪聲電流I輸入噪聲＝0.421×I噪聲。因此，例2將輸入噪聲電流I輸入噪聲減小了8％。
但在例2中，將對(duì)照例的總電陽(yáng)RT1＋RT2＝30.5Ω降低到例2中的總電阻RT1＋RT2＝28.8Ω，這還可將數(shù)據(jù)信號(hào)提高8％。圖此，相對(duì)于數(shù)據(jù)信號(hào)而言，輸入噪聲電流I輸入噪聲總共減小了16％。較小的源電阻還將輸入到單端前置放大電路92的熱噪聲減小了約3％。于是，在該例中，維持了由于“彎曲位”產(chǎn)生的相位誤差的大小，同時(shí)又實(shí)現(xiàn)了在提高信號(hào)和降低噪聲方面的改進(jìn)。
例1和例2兩者都減小了接地或接參考電壓的引線層58的電阻，同時(shí)又不會(huì)通過(guò)寫入磁極層68把彎曲位寫到磁介質(zhì)52上。引線層58變厚會(huì)在磁屏蔽/寫入磁極層54中產(chǎn)生較大的隆起，這種較大的隆起使彎曲位不會(huì)寫入磁介質(zhì)52，這是因?yàn)閷懭雽挾葞缀跬耆蓪懭氪艠O層68的寬度決定，并且磁屏蔽/寫入磁極層54中的較大的隆起位于寫入磁極層68的外部。
通過(guò)材料選擇、增加橫截面積(即厚度和寬度)、以及降低長(zhǎng)度這些方式的任意一個(gè)組合都可按其它方式降低引線層58的電阻。
圖7是一個(gè)直接存取存儲(chǔ)設(shè)備120(即，磁盤驅(qū)動(dòng)單元)的一個(gè)平面圖，其中使用了多個(gè)MR磁頭(圖7中只表示出一個(gè)MR磁頭)。直接存取存儲(chǔ)設(shè)備120包括一個(gè)旋轉(zhuǎn)的傳動(dòng)裝置122和一個(gè)外殼124，它封閉了具有兩個(gè)相對(duì)的磁表面(圖中僅示出了一個(gè)磁表面)130的一組磁盤(圖中僅示出一個(gè)磁盤)128。磁盤128具有一系列信息道132，信息道132在磁表面130上按同心圖案排列。磁盤128平行安裝以便能通過(guò)一個(gè)整體式的主軸及電機(jī)組件134同時(shí)轉(zhuǎn)動(dòng)。磁盤控制器(未示出)按可工作方式控制該整體式的主軸及電機(jī)組件134，以便例如沿如圖7中箭頭138所示的順時(shí)針(CW)方向以基本上恒定的速度轉(zhuǎn)動(dòng)磁盤128。
旋轉(zhuǎn)的傳動(dòng)裝置122包括多個(gè)傳動(dòng)桿144(圖中僅表示出一個(gè))，每個(gè)傳動(dòng)桿144相對(duì)于對(duì)應(yīng)的盤表面130支撐至少一個(gè)滑塊144。每個(gè)滑塊144包括一個(gè)氣浮支承表面(未示出)，并且在滑塊的一個(gè)側(cè)表面上安裝至少一個(gè)MR磁頭。支承桿142由一個(gè)傳動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)器(未示出)雙向可轉(zhuǎn)動(dòng)地驅(qū)動(dòng)，以便按圖7中箭頭148所示的自一個(gè)磁道132至另一個(gè)磁道132的一個(gè)弧形移動(dòng)MR磁頭50。支承桿142安裝在確定MR磁頭50的轉(zhuǎn)動(dòng)軸的一個(gè)樞軸150上。樞軸150包括一個(gè)軸承套152，用于靠近磁盤表面30的MR磁頭50的同時(shí)定位。
雖然表示并描述了本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施例，但對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)其它的一些變化都將是顯而易見(jiàn)的。因此，本發(fā)明不限于這些實(shí)施例，而是期望覆蓋所有落入由下面的權(quán)利要求書確定的本發(fā)明的范圍內(nèi)的這些變化。
權(quán)利要求
1.一種磁阻磁頭，包括一個(gè)絕緣層；一個(gè)設(shè)在所說(shuō)絕緣層上的磁阻膜；一個(gè)設(shè)在所說(shuō)絕緣層上并電連接到所說(shuō)磁阻膜的第一端的第一引線層，所說(shuō)第一引線層有一個(gè)靠近磁介質(zhì)定位的端部；以及一個(gè)設(shè)在所說(shuō)絕緣層上并電連接到所說(shuō)磁阻膜的第二端的第二引線層，所說(shuō)第二引線層有一個(gè)靠近所說(shuō)磁介質(zhì)定位的一個(gè)端部，所說(shuō)第二引線層的所說(shuō)端部的厚度大于所說(shuō)第一引線層的所說(shuō)端部一個(gè)預(yù)定的數(shù)量。
2.如權(quán)利要求1所述的磁阻磁頭，其特征在于所說(shuō)第一引線層的所說(shuō)端部的厚度小于或約為0.1微米。
3.如權(quán)利要求2所述的磁阻磁頭，其特征在于所說(shuō)第一引線層的所說(shuō)端部的所說(shuō)厚度小于或約為所說(shuō)第二引線層的所說(shuō)端部的所說(shuō)厚度的一半。
4.如權(quán)利要求1所述的磁阻磁頭，其特征在于所說(shuō)第一引線層有一個(gè)臺(tái)階部分，臺(tái)階部分的厚度大于所說(shuō)第一引線層的所說(shuō)端部的所說(shuō)厚度。
5.如權(quán)利要求1所述的磁阻磁頭，其特征在于進(jìn)一步還包括一個(gè)寫入磁極層，它在所說(shuō)第一引線層上延伸并在所說(shuō)磁阻膜上終止，因此所說(shuō)寫入磁極層不在所說(shuō)第二引線層的所說(shuō)端部上延伸。
6.如權(quán)利要求5所述的磁阻磁頭，其特征在于所說(shuō)第一引線層連接到一個(gè)單端前置放大電路。
7.如權(quán)利要求6所述的磁阻磁頭，其特征在于所說(shuō)第二引線層接地或接一個(gè)參考電壓。
8.如權(quán)利要求5所述的磁阻磁頭，其特征在于所說(shuō)第一和第二引線層都連接到一個(gè)差分前置放大器上。
9.一種磁阻磁頭，包括一個(gè)絕緣層；一個(gè)設(shè)在所說(shuō)絕緣層上的磁阻膜；一個(gè)設(shè)在所說(shuō)絕緣層上并電連接到所說(shuō)磁阻膜的第一端的第一引線層；所說(shuō)第一引線層有一個(gè)靠近磁介質(zhì)定位的端部；以及一個(gè)設(shè)在所說(shuō)絕緣層上并電連接到所說(shuō)磁阻膜的第二端的第二引線層，所說(shuō)第二引線層有一個(gè)靠近所說(shuō)磁介質(zhì)定位的端部，所說(shuō)第二引線層的所說(shuō)端部的電阻小于所說(shuō)第一引線層的所說(shuō)端部的電阻一個(gè)預(yù)定的數(shù)值。
10.如權(quán)利要求9所述的磁阻磁頭，其特征在于所說(shuō)第一引線層連接到一個(gè)單端前置放大電路。
11.如權(quán)利要求10的磁阻磁頭，其特征在于所說(shuō)第二引線層接地或接一個(gè)參考電壓。
12.如權(quán)利要求11的磁阻磁頭，其特征在于所說(shuō)第二引線層的所說(shuō)端部的厚度大于所說(shuō)第一引線層的所說(shuō)端部的厚度。
13.如權(quán)利要求12所述的磁阻磁頭，其特征在于所說(shuō)第一引線層的所說(shuō)端部的所說(shuō)厚度小于或約為0.1微米。
14.如權(quán)利要求13所述的磁阻磁頭，其特征在于所說(shuō)第一引線層的所說(shuō)端部的所說(shuō)厚度小于或約為所說(shuō)第二引線層的所說(shuō)端部的所說(shuō)厚度的一半。
15.如權(quán)利要求12所述的磁阻磁頭，其特征在于進(jìn)一步還包括一個(gè)寫入磁極層，它在所說(shuō)第一引線層上延伸并在所說(shuō)磁阻膜上終止，因此所說(shuō)寫入磁極層不在所說(shuō)第二引線層的所說(shuō)端部上延伸。
16.一種制造磁阻磁頭的方法，包括如下步驟(a)在一個(gè)絕緣層的第一部分上沉積一個(gè)磁阻膜；(b)在所說(shuō)絕緣層的第二部分上沉積一個(gè)第一引線層，使所說(shuō)第一引線層電連接到所說(shuō)磁阻膜的第一端，并使所說(shuō)第一引線層的一個(gè)端部靠近一個(gè)磁介質(zhì)定位；以及(c)在所說(shuō)絕緣膜的第三部分上沉積一個(gè)第二引線層，使所說(shuō)第二引線層電連接到所說(shuō)磁阻膜的第二端，并使所說(shuō)第二引線層的一個(gè)端部靠近所說(shuō)磁阻膜定位，所說(shuō)沉積第二引線層的步驟還包括一個(gè)分步驟使所說(shuō)第二引線層的所說(shuō)端部的厚度大于所說(shuō)第一引線層的所說(shuō)端部的厚度一個(gè)預(yù)定的數(shù)值。
17.如權(quán)利要求16所述的制造磁阻磁頭的方法，其特征在于步驟(b)還包括如下一個(gè)分步驟(b1)在所說(shuō)第一引線層中形成一個(gè)臺(tái)階部分，所說(shuō)臺(tái)階部分的厚度大于所說(shuō)第一引線層的所說(shuō)端部的所說(shuō)厚度。
18.如權(quán)利要求17所述的制造磁阻磁頭的方法，其特征在于所說(shuō)第二引線層的所說(shuō)端部的所說(shuō)厚度大約等于所說(shuō)第一引線層的所說(shuō)臺(tái)階部分的所說(shuō)厚度。
19.如權(quán)利要求16所述的制造磁阻磁頭的方法，其特征在于還包括如下步驟(d)沉積一個(gè)寫入磁極層，它在所說(shuō)第一引線層上延伸并在所說(shuō)磁阻膜上終止，因此所說(shuō)寫入磁極層不在所說(shuō)第二引線層上延伸。
20.一種直接存取存儲(chǔ)設(shè)備，包括一個(gè)外殼；至少一個(gè)裝在所說(shuō)外殼中圍繞一個(gè)軸旋轉(zhuǎn)的磁盤；在所說(shuō)磁盤的至少一個(gè)表面上存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的多個(gè)磁道，所說(shuō)磁道按圍繞所說(shuō)軸的一個(gè)圖案排列；一個(gè)磁阻磁頭，所說(shuō)磁阻磁頭具有；一個(gè)絕緣層；一個(gè)設(shè)在所說(shuō)絕緣層上的磁阻膜；一個(gè)設(shè)在所說(shuō)絕緣層上并電連接到所說(shuō)磁阻膜的第一端的第一引線層，所說(shuō)第一引線層有一個(gè)靠近所說(shuō)磁盤的所說(shuō)表面定位的一個(gè)端部；以及一個(gè)設(shè)在所說(shuō)絕緣層上并電連接到所說(shuō)磁阻膜的第二端的第二引線層，所說(shuō)第二引線層有一個(gè)靠近所說(shuō)磁盤的所說(shuō)表面定位的一個(gè)端部，所說(shuō)第二引線層的所說(shuō)端部的厚度大于所說(shuō)第一引線層的所說(shuō)端部的厚度一個(gè)預(yù)定的數(shù)值；以及一個(gè)傳動(dòng)裝置，按可工作方式連接到所說(shuō)磁阻磁頭，用于相對(duì)所說(shuō)磁盤的所說(shuō)表面移動(dòng)所說(shuō)磁阻磁頭。
21.一種磁阻磁頭，包括一個(gè)磁阻膜；一個(gè)第一引線，電連接到所說(shuō)磁阻膜的第一端，所說(shuō)第一引線層有一個(gè)靠近磁介質(zhì)定位的端部；一個(gè)第二引線，電連接到所說(shuō)磁阻膜的第二端，所說(shuō)第二引線層有一個(gè)靠近所說(shuō)磁介質(zhì)定位的端部，所說(shuō)第二引線層的所說(shuō)端部的電阻小于所說(shuō)第一引線層的所說(shuō)端部的電阻一個(gè)預(yù)定的數(shù)值；以及一個(gè)單端前置放大電路，所說(shuō)第一引線電連接到所說(shuō)單端前置放大電路。
全文摘要
一種MR磁頭，包括一個(gè)電連接到兩個(gè)引線層的MR膜，這兩個(gè)引線層就厚度和電阻而論，至少有一個(gè)量是不對(duì)稱的。按本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，MR磁頭包括一個(gè)寫入磁極，寫入磁極在較薄的引線層上延伸并在MR膜上終止，因此寫入磁極不在較厚的引線層上延伸。在本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，較薄的引線層連到一個(gè)單端前置放大電路，較厚的引線層接地或接一個(gè)參考電壓。
文檔編號(hào)G11B5/48GK1114448SQ9510479
公開(kāi)日1996年1月3日 申請(qǐng)日期1995年5月4日 優(yōu)先權(quán)日1994年5月31日
發(fā)明者厄爾·艾伯特·坎寧安 申請(qǐng)人:國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司