專利名稱：：矮形薄膜寫頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及薄膜寫頭，并更具體地涉及一種薄膜寫頭，這種薄膜寫頭上的窄道寬第二極尖可以和第二極靴同時成形和電鍍。一個薄膜寫頭具有在極尖區(qū)和在本底間隔上磁性相連的第一極靴和第二極靴。在極尖區(qū)上第一極靴和第二極靴備有由薄絕緣間隔層隔離的第一極尖和第二極尖。極尖區(qū)由磁頭表面以及磁頭表面和本底間隔之間的零喉度高度所定義。磁頭的本體部位于零喉度高度和本底間隔之間。磁頭的本體部上設(shè)有一層或多層扁平線圈和多個絕緣層。扁平線圈把磁通耦合到磁靴上和/或接收磁通。每層絕緣層在極尖區(qū)附近具有一個頂點，從這個頂點起始該絕緣層。各頂點位于零喉部高度或者在零喉部高度和本底間隔之間。在現(xiàn)有技術(shù)中第一極靴上的第一絕緣層的頂點位于零喉部高度并定義零喉部高度。在其頂點至其在第一極靴之上的最高處之間各絕緣層具有陡坡度的表面。該斜面是由加熱絕緣層的工藝工序所造成的。該加熱工藝逐出溶劑，使絕緣層收縮并造成從頂點到最高處的斜面。第二極靴具有一個擴張點，在擴張點上第二極靴加寬超過第二極尖的寬度以形成一個大的主體部。該擴張點位于零喉部高度和本底間隔之間。如果擴張點太靠向本底間隔，由于必須經(jīng)其傳送磁通的窄性材料的長度額外增加，磁通會從極靴上漏泄。但是，把擴張點太靠向零喉部高度，如后面更詳細(xì)說明那樣的，會妨礙同時制造第二極靴和高分辨率窄道寬第二極尖。第二極尖和第一極尖之間的間隔層的長度和第二極尖的形狀是薄膜寫頭中的最關(guān)鍵要素。磁頭表面上間隔層的長度決定磁頭的線密度，即磁頭在每直線英寸磁性介質(zhì)上能寫的多少個位數(shù)。第二極尖的寬度決定磁頭道寬，其確定磁性介質(zhì)每英寸寬度上可由磁頭寫上多少條磁道。這兩個因素的乘積為面密度。當(dāng)今日需存儲和處理大量的數(shù)據(jù)，諸如在高清晰度電視(HDTV)中，從而深深認(rèn)識到需要一種通過高分辨率、窄道寬的第二極尖而具備高面密度的薄膜寫頭。通過鏡象轉(zhuǎn)換工藝后再通過活性離子蝕刻法可以得到高分辨率第二極尖。通常鏡象轉(zhuǎn)換工藝用不受活性離子蝕刻的金屬模式掩蔽保護層的上表面。未被掩模覆蓋的地區(qū)為電鍍極尖的區(qū)域，該區(qū)域通過活性離子蝕刻法成形。金屬模式沉積工序和蝕刻工序成本極高。第二極尖也可以通過離子束蝕刻法獲得，在這種方法里用離子轟擊第二極尖以形成具有所需道寬的第二極尖。該工藝的成本也極高。在這兩種方法里，第二極尖都是單獨構(gòu)造的，然后通過普通的光刻法把第二極靴的剩余部分接合到第二極上。成本最低的制造第二極尖的工藝是用構(gòu)造第二極靴的相同工藝工序構(gòu)造第二極尖。這些工藝工序采用單個光致抗蝕層，該光致抗蝕層可被成形以在單步操作中一起電鍍整個第二極靴以及第二極尖。但是，用相同的工藝工序構(gòu)造第二極靴和第二極尖的現(xiàn)有技術(shù)方法不能提供高分辨率第二極尖。當(dāng)用常規(guī)的光刻法同時構(gòu)造第二極靴和第二極尖時，在磁頭的本體部和極尖區(qū)上旋轉(zhuǎn)涂敷一層光致抗蝕層。該光致抗蝕層位于極尖區(qū)的間隔層上面和本體區(qū)的絕緣層組的上面。在間隔層上的絕緣堆通常為7至8微米(μm)厚。而且隨著第一絕緣層向零喉部高度上的頂點過渡該絕緣堆具有明顯的坡度。當(dāng)抗蝕劑能涂敷成薄片時，抗蝕劑沿本體部和極尖區(qū)鋪展，使得極尖區(qū)的抗蝕劑明顯厚于磁頭本體部的抗蝕劑。磁頭本體部抗蝕劑的厚度由第二極尖的所需厚度所決定。例如，如果本體部第二極靴為4μm厚，則光致抗蝕層應(yīng)為4.5μm厚。當(dāng)常規(guī)的絕緣堆約為8μm時，這造成極尖區(qū)里的抗蝕劑層約為11μm厚。極尖區(qū)的這個厚度再加上極尖區(qū)附近的第一絕緣層的陡坡度造成很難通過相繼的光刻法工序構(gòu)造窄道寬第二極尖。在一種制造高分辨率寫頭的可行加工工藝中光致抗蝕層對極尖帶寬的尺寸比應(yīng)為4比1的數(shù)量級。因此，光致抗蝕劑的厚度不應(yīng)超過第二極尖所需帶寬的四倍。在沉積光致抗蝕層之后，通過對光致抗蝕層的一個或多個區(qū)域感光來成形，經(jīng)過相繼的溶解被感光光致抗蝕層工序這個或這幾個區(qū)域被消去。由于極尖區(qū)光致抗蝕劑的厚度，為了穿透光致抗蝕劑的全部厚度，成形光線的強度必須很高。當(dāng)光的強度高時，用來成形微細(xì)特性的窄狹縫在狹縫邊緣產(chǎn)生光的折射分量，它將在光照射光致抗蝕劑時造成光的散射。這將造成低分辨率。但是，更嚴(yán)重的問題在于從零喉部高度后面的陡絕緣層上對極尖區(qū)的光的反射。在一種夸大的情況下假設(shè)第二極尖的擴張點和零喉部高度處于相同平面。被成形的光致抗蝕層從零喉部高度開始擴張并且迅速地以第二極靴的全寬度向本底間隔加寬。這樣在極尖區(qū)后面立即暴露絕緣層非常寬闊的斜面部分。當(dāng)光照射到這些區(qū)域時光以入射角從絕緣層的斜面部分大量地反射到不希望反射到的極尖區(qū)上。其結(jié)果是反射光對極尖區(qū)的光致抗蝕層造成刻痕，很明顯地降低第二極尖的分辨率。對這種類型的成形結(jié)果進行電鍍產(chǎn)生一種具有不規(guī)則側(cè)壁和低劣線性寬度的第二極尖。解決反射問題的一個辦法是把擴張點進一步移離零喉部高度以便靠近本底間隔。如果把擴張點移得足夠遠(yuǎn)，反射光不會到達極尖區(qū)。光只不過會反射到零喉部高度之后的極靴的狹窄部分上，在這部分上所出現(xiàn)的刻痕不會對第二極尖造成明顯的損害。但是，向后移動擴張點增大了該狹窄部分的長度，當(dāng)磁通從第二極尖區(qū)的寬闊部分向第二極尖傳導(dǎo)時必須通過該狹窄部分，從而在狹窄部分上產(chǎn)生磁通漏泄，這會降低磁頭的性能。本發(fā)明的一個目的是在同一的光刻成形工藝過程中制造第二極靴和高密度第二極尖。另一個目的是不經(jīng)過影像轉(zhuǎn)換工藝、活性離子蝕刻工藝或離子束工藝來制造高密度薄膜寫頭。再一個目的是提供一種緊湊的高密度薄膜寫頭。還有一個目的是克服當(dāng)采用光刻工藝同時構(gòu)造第二極靴和第二極尖時所出現(xiàn)的極尖區(qū)刻痕問題。還有一個目的是提供一種能以低成本構(gòu)造的更有效的高密度薄膜寫頭。還有一個目的是提供一種薄膜寫頭，其具有高分辨率第二極尖，其擴張點靠近零喉部高度以及其磁頭高度低于現(xiàn)有技術(shù)中的磁頭高度。本發(fā)明的其它目的、優(yōu)點和特性將隨連同附圖一起閱讀下述詳盡說明獲得更清晰的理解。本發(fā)明采用常規(guī)光致抗蝕劑成形工藝以同時構(gòu)造第二極靴和窄道寬高分辨率第二極尖。這主要是通過利用除第一絕緣層之外的某一絕緣層定義零喉部高度實現(xiàn)的。在我的發(fā)明的一種最佳實施方案里，第二絕緣層的頂點被固定并定義零喉部高度。在這種布局下我發(fā)現(xiàn)適當(dāng)定位第一絕緣層會大大地提高磁頭的質(zhì)量。現(xiàn)可把第一絕緣層向后移向本底間隔，從而在光刻工藝期間其斜面部分不再把光反射到極尖區(qū)。通過把第一絕緣層的頂點定為距離零喉部高度約為5μm，可以達到這個目標(biāo)。其次，第一絕緣層可以造得要比現(xiàn)有技術(shù)的第一絕緣層薄得多。按照本發(fā)明第一絕緣層的厚度從現(xiàn)有技術(shù)的約為1.8μm減至約0.5μm。這種減小大大有助于磁頭本體部較矮的構(gòu)形。第三絕緣層可以在磁頭上更遠(yuǎn)地后移，從而它不再影響第二極尖的成形。因為極尖區(qū)光致抗蝕劑的厚度約為現(xiàn)有技術(shù)中厚度的一半，光刻期間光照強度可被減小。由于第二絕緣層的斜面是唯一靠近極尖區(qū)的斜面，在照射光致抗蝕劑的期間只有很少的光從這個斜面上反射到極尖區(qū)上。此外，除第二絕緣層之外的所有其它的絕緣層都向后地靠近本底間隔定位，因此在極尖區(qū)不會出現(xiàn)厚的光致抗蝕層。這允許擴張點可比現(xiàn)有技術(shù)磁頭中大大靠近零喉部高度。按照本發(fā)明擴張點離零喉部高度可以大約為3μm。由于縮短了零喉部高度和擴張點之間窄的第二極靴材料的長度，這樣減小了磁通漏泄量。還發(fā)現(xiàn)能使第一絕緣層頂部上的各層大大變薄。發(fā)現(xiàn)線圈層可減小約20％，第二絕緣層可減小約三分之一，第三絕緣層可減小約25％以及第二極尖可減小約25％。根據(jù)本發(fā)明極尖區(qū)光致抗蝕區(qū)的高度可約為6.5μm，這樣現(xiàn)在有可能得到2Gb(吉伯)第二極尖的尺寸比。和現(xiàn)有技術(shù)中8μm的絕緣堆高度相比，按照本發(fā)明還能把絕緣堆的高度保持約為5μm。圖1是應(yīng)用于諸如磁盤機的磁性介質(zhì)驅(qū)動器里的本矮形薄膜寫頭的示意方塊圖。圖2是矮形寫頭的剖面?zhèn)纫晥D，矮形寫頭用于和MR讀頭相結(jié)合以構(gòu)成組合式MR磁頭。圖3是現(xiàn)有技術(shù)寫頭前部的剖面?zhèn)纫晥D。圖4和圖3類似，不同之處在于顯示了用于成形第二極靴和第二極尖的光致抗蝕層。圖5是一個示意立方圖，表示在現(xiàn)有技術(shù)磁頭的制造過程中絕緣層的斜面部分把光反射到極尖區(qū)。圖6是現(xiàn)有技術(shù)中的另一種磁頭，其中第三絕緣層定義零喉部高度。圖7和圖6類似，不同之處在于顯示了用于成形第二極靴和第二極尖的光致抗蝕層。圖8是本發(fā)明一種實施方案的剖面?zhèn)纫晥D，其中第二絕緣層的頂點定義零喉部高度。圖9是本發(fā)明另一種實施方案的截面?zhèn)纫晥D，其中第三絕緣層定義零喉部高度。圖10—圖14是示意圖，說明制造圖8所示本矮形寫頭所涉及的各種工序。圖15和圖9類似，不同之處在于顯示了用于成形第二極靴和第二極尖的光致抗蝕層。圖16是一個示意圖，說明現(xiàn)有技術(shù)的寫頭和本矮形寫頭之間外形的差異?，F(xiàn)參見附圖，其中相同的參照數(shù)字表示附圖中相同或類似的部分。在圖1中表示磁盤機20。磁盤機20包括支架和旋轉(zhuǎn)磁盤24的主軸22。主軸22由馬達26旋轉(zhuǎn)，馬達26由馬達控制器28控制。磁頭30，其可能是用于記錄和讀出的組合式MR磁頭，安裝在浮動塊32上。浮動塊32又由懸浮和致動器臂34支承。懸浮和致動器臂34定位浮動塊32，以使磁頭30相對于磁盤24的表面處于傳導(dǎo)關(guān)系。當(dāng)馬達26轉(zhuǎn)動盤24時浮動塊輕微地懸浮在盤表面之上的薄氣墊(空氣軸承)上，其數(shù)量級為0.075μm。此時磁頭30被用來把信息寫到盤24表面上的多個環(huán)形磁道上以及用來從磁道上讀出信息。信息信號以及把浮動塊移動到不同磁道上的控制信號由驅(qū)動電路36處理。圖2是本發(fā)明的組合式MR頭30前部的剖面?zhèn)纫晥D。組合式MR頭包括疊加在MR讀頭部分頂部上的寫頭部分。MR讀頭部分包括MR條40，其夾在第一和第二間隔層42和44之間，第一和第二間隔層42和44又夾在第一和第二屏蔽層46和48之間。在組合式MR頭里第二屏蔽層48用作為寫頭的第一極靴。在背負(fù)式MR頭(未示出)里寫頭部分的第一極靴是MR讀頭第二屏蔽層頂部上的一個獨立層。間隔層50夾在磁性上連接在本底間隔53處的第一極靴48和第二極靴52之間。極靴48和52的前端分別形成第一和第二極尖54和56，在傳導(dǎo)關(guān)系上間隔層50磁性上分隔第一和第二極尖54和56。第二極尖是寫頭的最關(guān)鍵部件，因為它是把磁通信號感應(yīng)到鄰近磁頭表面的運動磁性介質(zhì)上的最后一個極尖。從而它的寬度在確定磁頭的寬度性能上是非常重要的。線圈層58和第二絕緣層60夾在第一和第三絕緣層62和64之間，而第一和第二絕緣層62和64又夾在第一和第二極靴48和52之間。第二絕緣層60的前端頭或頂點65被定位并且規(guī)定零喉部高度(ZTH)。在零喉部高度之前的所有各層的前端形成磁頭表面66，它即磁盤機里所謂的空氣軸承表面(ABS)。通過精研磁頭的前沿構(gòu)造該空氣軸承表面。極尖區(qū)位于磁頭表面66和零喉部高度之間，磁頭具有位于零喉部高度和本底間隔之間的本體區(qū)。第一、第二和第三絕緣層62、60和64位于本體區(qū)里的第一極靴的上面，并通常稱為絕緣堆。每一層絕緣層具有一個頂點，該絕緣層開始于該頂點，而且各絕緣層從頂點延伸到本底間隔。圖3是現(xiàn)有技術(shù)的薄膜磁寫頭70的前部。該寫頭可以僅是一個感應(yīng)磁頭，或可以是組合式MR磁頭的寫頭部分，或可以是背負(fù)式MR磁頭的寫頭部分?，F(xiàn)有技術(shù)的磁頭中通常第一絕緣層62的頂點72定義零喉部高度。第一絕緣層62從它的頂點向上傾斜到一個平展部分，在平展部分上構(gòu)造線圈58和第二絕緣層70。第二絕緣層60從它的頂點向上傾斜到一個一般是平展的部分，在這個部分上構(gòu)造第三絕緣層64。第三絕緣層64從它的頂點74向上傾斜到一個一般是平展的部分上。第三絕緣層把第二絕緣層里由線圈層58所形成的波紋平面化掉。在構(gòu)造第二極靴52時，由于形成重復(fù)第一、第二和第三絕緣層各斜面部分的依次相連的斜面部分，第二極靴52具有高的外形。第二極靴具有一個擴張點76，擴張點大約位于零喉部高度后面的10μm處。擴張點是這樣一個位置，在這個位置上第二極靴52從等于第二極尖寬度的窄寬度開始向第二極靴的大的擴張部分張開。大頂點角α和第一、第二和第三絕緣層的大斜率部分對構(gòu)造窄寬度第二極尖56造成了問題。如圖4所示，當(dāng)把光致抗蝕劑旋轉(zhuǎn)涂敷到部分完成的磁頭的頂部，以使光致抗蝕劑沿絕緣堆的沿極尖區(qū)鋪展時，問題出現(xiàn)了。鋪到極尖區(qū)的光致抗蝕劑通常為12μm厚，而絕緣堆上的光致抗蝕劑通常為4.5μm厚。當(dāng)為光成形目的把光照射到厚抗蝕劑層時損失了分辨率。為了照射全部厚度的光致抗蝕層光必須是強的。當(dāng)強光通過用于成形的窄狹縫時，光在狹縫的邊緣上折射，造成低劣的影像。在構(gòu)造第二極尖過程中造成低劣分辨率的更嚴(yán)重問題是由于光照射工序期間從第一、第二和第三絕緣層的斜面部分的頂部上反射光造成的。為說明這個問題的嚴(yán)重，圖5是一個夸大的例子，圖中把擴張點82直接放在零喉部高度(第一絕緣層62的頂點72)之上。當(dāng)光穿越擴張點82后面區(qū)域上的光致抗蝕劑時，光按入射角穿過各絕緣層的斜表面84、86和88。這造成把光直接反射到極尖區(qū)里。該反射光穿過第二極尖預(yù)定側(cè)壁之外的極尖區(qū)里的光致抗蝕劑時。這稱之為刻痕并對極尖成形造成低劣形成的光致抗蝕劑壁。其后果是當(dāng)電鍍極尖時，極尖帶有低劣確定的直線寬度和低劣的分辨率。為了克服這個問題，現(xiàn)有技術(shù)把擴張點從零喉部高度向后有效地移動一個距離，諸如10μm，如圖3中所示。按照這種布局，在緊靠著極尖區(qū)的后面，各絕緣層的斜面部分上只有很窄的區(qū)域(和第二極尖相同的寬度)受到光的照射。從而，進行光照射工序時實際上沒有光從絕緣層的斜面部分上反射來刻痕極尖區(qū)。該方法的問題在于當(dāng)磁通從磁軛點流向零喉部高度時必須經(jīng)過該很窄的部分，這會造成明顯的磁通漏泄。最理想的是如果把擴張點放在約離零喉部高度3μm的位置上從而可把磁通漏泄減為最小。在圖6中示出現(xiàn)有技術(shù)的另一種磁頭90。在這種磁頭里第三絕緣層64的頂點74定位在零喉部高度以構(gòu)成零喉部高度。在該實施例中，在構(gòu)成第一絕緣層、線圈層和第二絕緣層之后構(gòu)成第三絕緣層64。按照這種布局第三絕緣層掩蓋第二絕緣層60的波紋，從而在電鍍第二極尖時不會把該波紋復(fù)制到第二極尖上。但是，這種結(jié)構(gòu)具有類似于圖3所示現(xiàn)有技術(shù)磁頭的高外形。當(dāng)旋轉(zhuǎn)涂敷光致抗蝕層時，如圖7中所示，光致抗蝕劑沿極尖區(qū)鋪開，使該區(qū)上的光致抗蝕劑很厚、這造成和上面圖3所示現(xiàn)有技術(shù)磁頭中論及到的相同的折射和反射問題。圖3所示現(xiàn)有技術(shù)磁頭各層的典型厚度如下寫間隔50為0.4μm，第一絕緣層62為1.8μm，第二絕緣層60為4.3μm，線圈層58為3.5μm，第三絕緣層64為0.8μm以及第二極靴52為5μm。圖8說明根據(jù)本發(fā)明的矮形寫頭100。第一絕緣層62不用來定義零喉部高度。第一絕緣層的頂點72從零喉部高度朝本底間隔向后移動約5μm。扁平式線圈層58則被構(gòu)造在第一絕緣層62的頂部上，且第一個線圈從距離零喉部高度約15μm的地方開始。再把第二絕緣層60構(gòu)造在線圈層58的頂部上，并把第二絕緣層的頂點65定位在零喉部高度以定義零喉部高度。這種布局的一個優(yōu)點在于第一絕緣層62可保持為相對地薄，和現(xiàn)有技術(shù)第一絕緣層1.8μm厚度相比為0.5μm數(shù)量級。這明顯地降低了絕緣堆的厚度。為平面化構(gòu)造第二極靴52的結(jié)構(gòu)，第三絕緣層64構(gòu)造在第二絕緣層60的頂部上。第三絕緣層的頂點74可以約在零喉部高度后面的10μm處。因為在極尖區(qū)后面高外形的絕緣堆已被降為最小，擴張點75向前移，約在零喉部高度之后的3μm處。由于本發(fā)明中擴張點向前移動，和現(xiàn)有技術(shù)線圈層3.5μm的厚度相比，線圈層58的厚度可約為2.8μm，磁通漏泄也變小了。從而，和現(xiàn)有技術(shù)4.3μm的第二絕緣層相比，第二絕緣層可大約為2.5μm。頂點角α也大大減小。因為磁通不需要經(jīng)過擴張點和零喉部高度間的長距離，第二極靴可變薄。和現(xiàn)有技術(shù)4至5μm的極靴相比，第二極靴52可大約為3μm。根據(jù)本發(fā)明絕緣堆的高度可保持在約為5μm。下述題目為“層定位圖”、“層離零喉部高度的位置”和“層厚度”的圖表中說明本發(fā)明中各層的推薦的和最佳的位置和厚度。層離零喉部高度(ZTH)的位置<tablesid="table1"num="001"><tablewidth="537">層推薦最佳I13.0μm以上至離線圈2μm5.0μm線圈10-以上15.0μmI2(8-13)-00I30-(8-13)10.0μm擴張點3μm-以上3μm-以上</table></tables>層厚度<p>如下面將解釋的那樣，由于本發(fā)明的層的厚度和特別由于各絕緣層的定位可以制造帶有非常窄道寬的第二極尖。替代地，第三絕緣層64的頂點74可按照本發(fā)明用以定義零喉部高度，如圖9中的磁頭110所示。第一絕緣層62可被放在離零喉部高度大約為5μm，第二絕緣層60可被放在離零喉部高度大約為12μm。線圈區(qū)中各層的厚度可大體上和圖8所示磁頭100的厚度相同并如圖表中所示。磁頭110具有矮的外形，類似于矮形磁頭100。在圖10—14中說明本發(fā)明的方法。在圖10中約在零喉部高度之后5μm處在間隔層50的頂部上構(gòu)造厚約0.5μm的第一絕緣層62。在圖11中約在零喉部高度之后的15μm處在第一絕緣層62的頂部上構(gòu)造厚約為2.6至3μm的線圈層58。在圖12中在線圈層58、第一絕緣層62和間隔層50的上面構(gòu)造厚約為2.5μm的第二絕緣層60，并把第二絕緣層的頂點定位定義為零喉部高度。從該圖可以看出，與圖3和圖5中所示現(xiàn)有技術(shù)寫頭各絕緣層所造成的混合斜面部分84、86和88相比較，第二絕緣層60的斜面部分86從其頂點65開始延續(xù)一短的距離。在第二絕緣層的頂部上構(gòu)造厚約為1μm的第三絕緣層64，并使第三絕緣層的頂點74位于零喉部高度之后的大約10μm處。這三個絕緣層構(gòu)成一個大約為5μm的低外形絕緣堆高度。在圖14中把光致抗蝕劑旋轉(zhuǎn)涂敷到所有各層的頂部上，從而造成在磁頭本體上光致抗蝕層的厚度約為3.5μm而在極尖區(qū)光致抗蝕層的厚度約為6.5μm。本發(fā)明的極尖區(qū)中光致抗蝕劑6.5μm的厚度大大低于現(xiàn)有技術(shù)的極尖區(qū)中光致抗蝕劑11μm的厚度?，F(xiàn)在可把擴張點76放在零喉部高度之后的大約3μm處，從而磁頭具有最小的磁通漏泄因此更為有效。于是，當(dāng)為了成形用光照射光致抗蝕層時，因為被照斜面部分80的寬度和被照的極尖區(qū)的寬度相同，從第二絕緣層的斜面部分86上向極尖區(qū)只反射非常少的光。在光刻處理后在圖14中同時電鍍第二極靴和第二極尖。在把光致抗蝕劑成形層排除掉之后極靴和極尖的形狀如圖8所示。極尖具有很好形成的壁和優(yōu)良的直線寬度。因為在極尖區(qū)光致抗蝕層的厚度僅約為6.5μm，采用前面提及的所需的為4的尺寸比，可以構(gòu)造2Gb寫頭。圖15表示用來構(gòu)造圖9所示矮形磁頭的光致抗蝕層的布局。在這種磁頭里第三絕緣層64的頂點74定義零喉部高度。極尖區(qū)里光致抗蝕層的厚度約為6.5μm，和圖14中所示的厚度相同。由于這種低的外形，可為這種磁頭構(gòu)造好的第二極尖。如圖16中所示，本薄膜寫頭的絕緣堆120大大低于現(xiàn)有技術(shù)中薄膜寫頭的絕緣堆130。從而，本矮形寫頭比現(xiàn)有技術(shù)的寫頭重量更輕、結(jié)構(gòu)更緊湊。根據(jù)本發(fā)明利用常規(guī)的光刻方法，同時構(gòu)造第二極靴和非常高分辨率、高密度的第二極尖、本發(fā)明允許擴張點優(yōu)化地靠近零喉部高度，從而磁通漏泄為最小并且提高了磁頭的性能。很清楚，基于本說明普通熟練的技術(shù)人員容易提出其它實施方式和修改。例如，在本發(fā)明的廣義概念上，絕緣堆可以僅由兩層絕緣層組成，其中一層絕緣層用來定義零喉部高度，另一層絕緣層使它的頂點向著本底間隔的方向至少離開零喉部高度3μm。從而，本發(fā)明只受到下述權(quán)利要求書的限制，包括上述說明和相應(yīng)附圖中的所有實施例和修改方案。權(quán)利要求1.一種矮形薄膜寫頭，包括磁頭表面、本底間隔和位于磁頭表面和本底間隔之間的零喉部高度；位于磁頭表面和零喉部高度之間的極尖區(qū)和位于零喉部高度和本底間隔之間的本體區(qū)；位于極尖區(qū)和本體區(qū)里的第一和第二極靴；在本體區(qū)里覆蓋第一極靴的多個絕緣層，各絕緣層具有一個頂點，各絕緣層從其頂點開始并向本底間隔延伸；絕緣層的第一層為最靠近第一極靴的絕緣層，其頂點位于從零喉部高度到本底間隔至少3μm的地方；以及另一絕緣層的頂點位于和定義零喉部高度。2.一種包括如權(quán)利要求1中所述的寫頭的磁性介質(zhì)驅(qū)動器，該驅(qū)動器特征在于包括機殼；安裝在機殼上支持磁頭的支架；安裝在機殼上的介質(zhì)運動裝置，用于在一種傳送關(guān)系下運動磁性介質(zhì)以通過磁頭；和該支架相連的定位裝置，用于把磁頭移動到相對于運動磁性介質(zhì)的多個位置上，從而相對于磁性介質(zhì)上的多個磁道處理信號；以及和磁頭相連的控制裝置、磁介質(zhì)運動裝置和定位裝置，用于控制和處理有關(guān)磁頭的信號，控制磁介質(zhì)的運動和磁頭的位置。3.如權(quán)利要求1中所述的寫頭，其特征包括所述多個絕緣層包括第二和第三絕緣層；所述另一絕緣層的頂點為第二絕緣層的頂點。4.如權(quán)利要求3中所述的寫頭，其特征在于第一絕緣層具有0.5±20％μm的厚度。5.如權(quán)利要求3中所述的寫頭，其特征在于包括第一、第二和第三絕緣層構(gòu)成一個絕緣堆；該絕緣堆的總厚度為5±10％μm。6.如權(quán)利要求3中所述的寫頭，其特征在于第一絕緣層的頂點大體上距離零喉部高度5μm。7.如權(quán)利要求6中所述的寫頭，其特征在于第二極具有離零喉部高度為3μm或更遠(yuǎn)的擴張點。8.如權(quán)利要求7中所述的寫頭，其特征在于線圈層的開端距離零喉部高度為10μm或更遠(yuǎn)。9.如權(quán)利要求8中所述的寫頭，其特征在于包括擴張點大體上距離零喉部高度3μm；以及線圈層的開端大體上距離零喉部高度15μm。10.如權(quán)利要求9中所述的寫頭，其特征在于第一絕緣層具有0.5±10％μm的厚度。11.如權(quán)利要求10中所述的寫頭，其特征在于包括第一、第二和第三絕緣層構(gòu)成一個絕緣堆；該絕緣堆的總厚度為0.5±10％μm。12.一種包括如權(quán)利要求11中所述的寫頭的磁性介質(zhì)驅(qū)動器，該驅(qū)動器特征在于包括機殼；安裝在機殼上支持磁頭的支架；安裝在機殼上的介質(zhì)運動裝置，用于在傳感關(guān)系下運動磁性介質(zhì)以通過磁頭；和該支架相連的定位裝置，用于把磁頭移動到相對于運動磁性介質(zhì)的多個位置上，從而相對于磁性介質(zhì)上的多個磁道處理信號；以及和磁頭相連的控制裝置、磁性介質(zhì)運動裝置和定位裝置，用于控制和處理有關(guān)磁頭的信號，控制磁性介質(zhì)的運動和磁頭的位置。13.如權(quán)利要求3中所述的寫頭，其特征在于包括第一絕緣層實際上位于具有部分第二絕緣層的一個公共平面上。14.如權(quán)利要求13中所述的寫頭，其特征在于包括把擴張點置于零喉部高度和第一絕緣層頂點之間的一個區(qū)間上。15.如權(quán)利要求13中所述的寫頭，其特征在于包括把第三絕緣層的頂點放在第一絕緣層頂點和本底間隔之間的一個區(qū)間上。16.如權(quán)利要求15中所述的寫頭，其特征在于包括線圈層位于磁頭本體里的第一絕緣層的上面；以及該線圈層開始于第三絕緣層頂點和本底間隔之間的一個區(qū)間上。17.一種包含如權(quán)利要求16中所述寫頭的磁性介質(zhì)驅(qū)動器，該驅(qū)動器特征在于包括機殼；安裝在機殼上支持磁頭的支架；安裝在機殼上的介質(zhì)運動裝置，用于在某種傳感關(guān)系下運動磁性介質(zhì)以通過磁頭；和該支架相連的定位裝置，用于把磁頭移動到相對于運動磁性介質(zhì)的多個位置上，從而相對于磁性介質(zhì)上的多個磁道處理信號；以及和磁頭相連的控制裝置、磁性介質(zhì)運動裝置和定位裝置，用于控制和處理磁頭的信號，控制磁性介質(zhì)的運動和磁頭的位置。18.如權(quán)利要求16中所述的寫頭，其特征在于第一絕緣層的頂點大體上距離零喉部高度5μm。19.如權(quán)利要求18中所述的寫頭，其特征在于第二極具有一個距離零喉部高度為3μm或更遠(yuǎn)的擴張點。20.如權(quán)利要求19中所述的寫頭，其特征在于線圈層的開端距離零喉部高度為10μm或更遠(yuǎn)。21.如權(quán)利要求20中所述的寫頭，其特征包括擴張點大體上距離零喉部高度為3μm；以及線圈層的開端大體上距離零喉部高度為15μm。22.如權(quán)利要求21中所述的寫頭，其特征在于第一絕緣層具有0.5±10μm的厚度。23.如權(quán)利要求22中所述的寫頭，其特征包括第一、第二和第三絕緣層構(gòu)成一個絕緣堆；該絕緣堆的總厚度為5±10％μm。24.一種包括如權(quán)利要求23中所述的寫頭的磁性介質(zhì)驅(qū)動器，該驅(qū)動器特征在于包括機殼；安裝在機殼上支持磁頭的支架；安裝在機殼上的介質(zhì)運動裝置，用于在一種傳感關(guān)系下運動磁性介質(zhì)以通過磁頭；和該支架相連的定位裝置，用于把磁頭移動到相對于運動磁性介質(zhì)的多個位置上，從而相對于磁性介質(zhì)上的多個磁道處理信號；以及和磁頭相連的控制裝置、磁性介質(zhì)運動裝置和定位裝置，用于控制和處理有關(guān)磁頭的信號，控制磁性介質(zhì)的運動和磁頭的位置。25.一種制造矮形寫頭的方法，包括下述步驟構(gòu)造具有極尖區(qū)和本體區(qū)的第一極靴，極尖區(qū)位于磁頭表面和零喉部高度之間，本體區(qū)位于零喉部高度和本底間隔之間；在第一極靴上面的本體區(qū)里構(gòu)造第一絕緣層，把第一絕緣層的頂點置于至少距離零喉部高度3μm朝向本底間隔；以及在本體部分里第一絕緣層的上面構(gòu)造另一個絕緣層，使所述另一絕緣層的頂點位于零喉部高度并定義零喉部高度。26.如權(quán)利要求25中所述的方法，其特征在于所述另一層絕緣層為在第一絕緣層的頂部上所構(gòu)造的第二絕緣層。27.如權(quán)利要求26中所述的方法，其特征在于包括步驟構(gòu)造厚度大體上為0.5±20％μm的第一絕緣層。28.如權(quán)利要求26中所述的方法，其特征在于包括步驟大體上在距離零喉部高度5μm處構(gòu)造第一絕緣層的頂點。29.如權(quán)利要求28中所述的方法，其特征在于包括步驟距離零喉部高度3μm或更遠(yuǎn)構(gòu)造第二極靴的擴張點。30.如權(quán)利要求29中所述的方法，其特征在于包括步驟距離零喉部高度10μm或更遠(yuǎn)構(gòu)造線圈的開端。31.如權(quán)利要求30中所述的方法，其特征在于包括下述步驟大體上距離零喉部高度3μm構(gòu)造第二極靴的擴張點；以及大體上距離零喉部高度15μm構(gòu)造線圈層的開端。32.如權(quán)利要求31中所述的方法，其特征在于包括步驟構(gòu)造大體上厚度為0.5±20％μm的第一絕緣層。33.如權(quán)利要求26中所述的方法，其特征在于包括步驟在和第一絕緣層共同的一個平面里構(gòu)造所述第二絕緣層的一部分。34.如權(quán)利要求33中所述的方法，其特征在于包括步驟構(gòu)造第二極靴，使其擴張點位于零喉部高度和第一絕緣層頂點之間的一個區(qū)間上。35.如權(quán)利要求34中所述的方法，其特征在于包括步驟在第二絕緣層的頂部上構(gòu)造第三絕緣層，該第三絕緣層具有一個頂點，其位于第一絕緣層頂點和本底間隔之間的一個區(qū)間上。36.如權(quán)利要求35中所述的方法，其特征在于包括步驟在第三絕緣層頂點和本底間隔之間構(gòu)造線圈層。37.如權(quán)利要求36中所述的方法，其特征在于包括步驟大體上距離零喉部高度5μm構(gòu)造第一絕緣層的頂點。38.如權(quán)利要求37中所述的方法，其特征在于包括步驟距離零喉部高度3μm或更遠(yuǎn)構(gòu)造第二極靴的擴張點。39.如權(quán)利要求38中所述的方法，其特征在于包括步驟距離零喉部高度10μm或更遠(yuǎn)構(gòu)造線圈的開端。40.如權(quán)利要求39中所述的方法，其特征在于包括下述步驟大體上距離零喉部高度3μm構(gòu)造第二極靴的擴張點；以及大體上距離零喉部高度15μm構(gòu)造線圈層的開端。41.如權(quán)利要求40中所述的方法，其特征在于包括步驟構(gòu)造厚度大體上為0.5±20％μm的第一絕緣層。全文摘要提供一種矮形薄膜寫頭，其具有第一極靴和第二極靴，第一和第二極靴在極尖區(qū)里和在本底間隔上磁性相連。極尖區(qū)位于磁頭表面和零喉部高度之間。磁頭具有位于零喉部高度和本底間隔之間的本體區(qū)。多個絕緣層位于本體區(qū)里第一極靴的上面。各絕緣層具有一個該絕緣層從該處開始的頂點，并且各絕緣層從其頂點延伸到本底間隔。通常多個絕緣層包括第一、第二和第三絕緣層。文檔編號G11B5/31GK1118495SQ9510964公開日1996年3月13日申請日期1995年7月27日優(yōu)先權(quán)日1994年8月25日發(fā)明者雨果·艾博托·埃米里奧·桑提尼申請人:國際商業(yè)機器公司