專利名稱：具有電容器的半導(dǎo)體存儲器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有電容器的半導(dǎo)體存儲器件(Semiconductor MemoryDevice)，特別是關(guān)于一種動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random AccessMemory；DRAM)的存儲單元(Memory Cell)結(jié)構(gòu)，其包含一轉(zhuǎn)移晶體管(Transfer Transistor)和一樹型(tree-type)存儲電容器。


圖1是一DRAM元件的存儲單元的電路示意圖。如圖所示，一個存儲單元是由一轉(zhuǎn)移晶體管T和一存儲電容器C組成。轉(zhuǎn)移晶體管T的源極連接到一對應(yīng)的位線BL，漏極連接到存儲電容器C的一存儲電極6(storageelectrode)，而柵極則連接到一對應(yīng)的字線WL。存儲電容器C的一相對電極8(opposed electrode)連接到一恒定電壓源，而在存儲電極6和相對電極8之間則設(shè)置一介電膜層7。
在傳統(tǒng)DRAM的存儲電容量少于1M(mega＝百萬)位元時，在集成電路制造過程中，主要是利用在二維空間的電容器來實現(xiàn)，亦即泛稱的平板型電容器(planar type capacitor)。一平板型電容器需占用半導(dǎo)體基片的一相當(dāng)大的面積來存儲電荷，故并不適合應(yīng)用于高度的集成化。高度集成化的DRAM，例如大于4M位的存儲電容量者，需要利用三維空間的電容器來實現(xiàn)，例如所謂的堆疊型(stacked type)或溝槽型(trench type)電容器。
與平板型電容器比較，堆疊型或溝槽型電容器可以在存儲單元的尺寸已進一步縮小的情況下，仍能獲得相當(dāng)大的電容量，雖然如此，當(dāng)存儲器件再進入更高度的集成化時，例如具有64M位容量的DRAM，單純的三維空間電容器結(jié)構(gòu)已不再適用。
解決途徑之一是利用所謂的鰭型(fin type)堆疊電容器，鰭型堆疊電容器的相關(guān)技術(shù)可參考Ema等人的論文“3-Dimensional Stacked Capacitor Cell for16M and 64M DRAMs”，International Electron Devices Meeting，Meeting，pp.592-595，Dec.1988。鰭型堆疊電容器主要是其電極和介電膜層系由多個堆疊層，延伸成一水平鰭狀結(jié)構(gòu)，以便增加電極的表面積。DRAM的鰭型堆疊電容器的相關(guān)美國專利可以參考第5,071,783號、第5,126,810號、第5,196,365號、以及第5,206,787號。
另一種解決途徑是利用所謂的筒型(cylindrical type)堆疊電容器，筒型堆疊電容器的相關(guān)技術(shù)可參考Wakamiya等人的論文“Novel Stacked CapacitorCell for 64-Mb DRAM”，1989 Symposium on VLSI Technology Digest ofTechnical Papers，pp.69-70。筒型堆疊電容器主要是其電極和介質(zhì)薄膜層是延伸成一垂直筒狀結(jié)構(gòu)，以便增加電極的表面積。DRAM的筒型堆疊電容器的相關(guān)美國專利可以參考第5,077,688號。
隨著集成度的不斷增加，DRAM存儲單元的尺寸仍會再縮小。如本領(lǐng)域的技術(shù)人員已知，存儲單元尺寸縮小，存儲電容器的電容值也會減少，電容值的減少將導(dǎo)致因α射線入射所引起的軟誤差(soft error)機會增加。因此，該本領(lǐng)域的技術(shù)人員仍不斷在尋找新的存儲電容器結(jié)構(gòu)及其制造方法，希望在存儲電容器所占的平面尺寸被縮小的情況，仍能維持所要的電容值。
本發(fā)明的一主要目的就是在提供一種具有電容器的半導(dǎo)體存儲器件，其電容器具有一樹狀結(jié)構(gòu)，以增加電容器的存儲電極的表面積。
依照本發(fā)明之一特點，一種具有電容器的半導(dǎo)體存儲器件包括一基片、形成在基片上的一轉(zhuǎn)移晶體管，并包括漏極和源極區(qū)；以及一存儲電容器，電連接到轉(zhuǎn)移晶體管的漏極和源極區(qū)之一上。其中該存儲電容器包括一類樹干狀導(dǎo)電層，具有一底部，電連接到轉(zhuǎn)移晶體管的該漏極和源極區(qū)之一上，類樹干狀導(dǎo)電層又具有一向上延伸部，以一大致向上的方向從該底部延伸出。一類樹枝狀的上導(dǎo)電層電連接在類樹干狀導(dǎo)電層上方。至少一類樹枝狀的下導(dǎo)層具有一似L形的剖面，類樹枝狀的下導(dǎo)電層連接到類樹枝狀的上導(dǎo)電層的下表面上，類樹干狀導(dǎo)電層、類樹枝狀的上導(dǎo)電層、和類樹枝狀的下導(dǎo)電層構(gòu)成存儲電容器的一存儲電極。一介質(zhì)層形成在類樹干狀導(dǎo)電層、類樹枝狀的上導(dǎo)電層、和類樹枝狀的下導(dǎo)電層曝露出的表面上。一上導(dǎo)電層形成在介質(zhì)層上，以構(gòu)成存儲電容器的一相對電極。
依照本發(fā)明的一較佳實施例，存儲電容器包括二個大致平行的類樹枝狀下導(dǎo)電層，每一個均具有一似L形的剖面，且均連接到類樹枝狀的上導(dǎo)電層的下表面上。存儲電容器可進一步包括一第二類樹枝狀導(dǎo)電層，其具有末端連接在類樹干狀導(dǎo)電層的外表面上、以及一往外延伸部，以一大致水平的方向，從該末端往外延伸出，第二類樹枝狀導(dǎo)電層是位于類樹枝狀的下導(dǎo)電層的下方。類樹枝狀的下導(dǎo)電層可具有一似雙L形的剖面。
依照本發(fā)明的另一較佳實施例，類樹枝狀的上導(dǎo)電層包括一中央部分電連接類樹干導(dǎo)電層的上表面；以及一往外延伸部從中央部分往外延伸出。類樹枝狀的下導(dǎo)電層包一第一延伸部連接到類樹枝狀的上導(dǎo)電層的下表面上，且大致往下延伸；以及一第二延伸部大致從第一延伸部往外延伸。類樹枝狀的下導(dǎo)電層可包括一內(nèi)表面連接到類樹干狀導(dǎo)電層的外表面。
依照本發(fā)明的另一特點，一種具有電容器的半導(dǎo)體存儲器件包括一基片、一轉(zhuǎn)移晶體管，形成在基片上，并包括漏極和源極區(qū)；以及一存儲電容器，電連接到轉(zhuǎn)移晶體管的漏極和源極區(qū)之一上。其中該存儲電容器包括一類樹干狀導(dǎo)電層，具有一底部，電連接到轉(zhuǎn)移晶體管的該漏極和源極區(qū)之一上，類樹干狀導(dǎo)電層又具有一向上延伸部，以一大致向上的方向。從底部延伸出。一類樹枝狀的上導(dǎo)電層電連接到類樹干狀導(dǎo)電層上方。至少一類樹枝狀的下導(dǎo)電層包括至少一第一延伸段和一第二延伸段，第一延伸段的一末端連接到類樹枝狀的上導(dǎo)電層的下表面上；第二延伸段以一角度，從第一延伸段的另一末端延伸出。類樹干狀導(dǎo)電層、類樹枝狀的上導(dǎo)電、和類樹枝狀的下導(dǎo)電層構(gòu)成存儲電容器的一存儲電極。一介質(zhì)層形成在類樹干狀導(dǎo)電層、類樹枝狀的上導(dǎo)電層、和類樹枝狀的下導(dǎo)電層曝露出的表面上。一上導(dǎo)電層形成在介質(zhì)層上，以構(gòu)成存儲電容器的一相對電極。
依照本發(fā)明的又一較佳實施例，類樹狀的下導(dǎo)電層可進一步包括一第三延伸段大致從第二延伸段往下延伸出；以及一第四延伸段大致從第三延伸段往外延伸出。
依照本發(fā)明的又一特點，一種具有電容器的半導(dǎo)體存儲器件包括一基片；一轉(zhuǎn)移電晶體管，形成在基片上，并包括漏極和源極區(qū)；以及一存儲電容器，電連接到轉(zhuǎn)移晶體管的漏極和源極區(qū)之一上。其中存儲電容器包括一類樹干狀導(dǎo)電層，具有一底部，電連接到轉(zhuǎn)移晶體管的該漏極和源極區(qū)之一上，類樹干狀導(dǎo)電層又具有一柱形延伸部，以一大致向上的方向，從該底部延伸出。一類樹枝狀的上導(dǎo)電層連接到類樹干狀導(dǎo)電層上方。至少一類樹枝狀的下導(dǎo)電層具有一末端連接到類樹枝狀的上導(dǎo)電層的下表面上，類樹枝狀的下導(dǎo)電層又具有一向外延伸部，從該末端往外延伸出。類樹干狀導(dǎo)電層、類樹枝狀的上導(dǎo)電層、和類村枝狀的下導(dǎo)電層構(gòu)成存儲電容器的一存儲電層、和類樹枝狀的下導(dǎo)電導(dǎo)層暴露出的表面上。一上導(dǎo)電層形成在介電層上，以構(gòu)成儲存電容器的一相對電極。
依照本發(fā)明的再一較佳實施例，類樹枝狀下導(dǎo)電層的向外延伸部具有一多節(jié)彎折形狀的剖面。儲存電容器包括多個大致平行延伸的類樹枝狀下導(dǎo)電層，每一個類樹枝狀下導(dǎo)電層的一末端均連接在類樹枝狀上導(dǎo)電層的下表面上。
依照本發(fā)明的再一特點，一種具有電容器的半導(dǎo)體存儲器件包括一基片，一轉(zhuǎn)移晶體管，形成在基片上，并包括漏極和源極區(qū)；以及一存儲電容器，電連接到轉(zhuǎn)移晶體管的漏極和源極區(qū)之一上。其中存儲電容器包括一類樹干狀導(dǎo)電層，具有一底部，電連接到轉(zhuǎn)移晶體管的該漏極和源極區(qū)之一上，類樹干狀導(dǎo)電層又具有一向上延伸部，以一大致向上的方向，從該底部延伸出。至少一類樹枝狀導(dǎo)電層包括至少一第一延伸段一第二延伸段，和第三延伸段，第一延伸段連接到類樹干狀導(dǎo)電層的外表面上，第二延伸段以一第一角度，從第一延伸段延伸出，第三延伸段則以一第二角度，從第二延伸段延伸出。類樹干狀導(dǎo)電層和類樹枝狀導(dǎo)電層構(gòu)成該存儲電容器的一存儲電極。一介電層形成在類樹干狀導(dǎo)電層和類樹枝狀導(dǎo)電層曝露出的表面上。一上導(dǎo)電層形成在介電層上，以構(gòu)成存儲電容器的一相對電極。
依照本發(fā)明的再一較佳實施例，類樹干狀導(dǎo)電層的向上延伸部包括一中空的部分。類樹干狀導(dǎo)電層可具有一似U形的剖面。類樹干導(dǎo)電層可包括一下樹桿部電連接到轉(zhuǎn)移晶體管的該漏極和源極區(qū)之一上；以及一上樹桿部從下樹桿部的上表面延伸出，且具有一似T形的剖面。類樹枝狀導(dǎo)電層連接在上樹桿部的外表面上。
依照本發(fā)明的又一較佳實施例，類樹干狀導(dǎo)電層可包括一下樹桿部電連接到轉(zhuǎn)移晶體管的該漏極和源極區(qū)之一上；以及一上樹桿部從下樹桿部的上表面延伸出，且具有一似中空管狀的剖面。類樹枝狀導(dǎo)電層連接在上樹桿部的外表面上。
依照本發(fā)明的再一較佳實施例，類樹干狀導(dǎo)電層具有一似T形的剖面。第一延伸段大致從類樹干狀導(dǎo)電層的外表面往外延伸出，第二延伸段大致從第一延伸段往下延伸出，第三延伸段則大致從第二延伸段往外延伸出。
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉若干較佳實施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下圖1是一DRAM元件的一存儲單元的電路示意圖。
圖2A至2G是一系列剖面圖，用以解釋本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件制造方法的第一較佳實施例，以及本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件的第一較佳實施例。
圖3A至3D是一系列剖面圖，用以解釋本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件制造方法的第二較佳實施例，以及本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件的第二較佳實施例。
圖4A至4C是一系列剖面圖，用以解釋本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件制造方法的第三較佳實施例，以及本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲元件的第三較佳實施例。
圖5A至5C是一系列剖面圖，用以解釋本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件制造方法的第四較佳實施例，以及本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件的第四較佳實施例。
圖6A至6D是一系系列剖面圖，用以解釋本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件制造方法的第五較佳實施例，以及本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件的第五較佳實施例。
圖7A至7E是一系列剖面圖，用以解釋本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件制造方法的第六較佳實施例，以及本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件的第六較佳實施例。
圖8A至8E是一系列剖面圖，用以解釋本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件制造方法的第七較佳實施例，以及本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件的第七較佳實施例。
圖9A至9B是剖面圖，用以解釋本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件制造方法的第八較佳實施例，以及本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件的第八較佳實施例。
圖10A至10E是一系列剖面圖，用以解釋本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件制造方法的第九較佳實施例，以及本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件的第九較佳實施例。
圖11A至11B是剖面圖，用以解釋本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件制造方法的第十較佳實施例，以及本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件的第十較佳實施例。
圖12A至12C是一系列剖面圖，用以解釋本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件制造方法的第十一較佳實施例，以及本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件的第十一較佳實施例。
圖13A至13B是剖面圖，用以解釋本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件制造方法的第十三較佳實施例，以及本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件的第十二較佳實施例。
參照圖2A至2G，詳述本發(fā)明的一種具有樹型存儲電容器的半導(dǎo)體存儲器件的第一較佳實施例，半導(dǎo)體存儲器件的此一較佳實施例，是由本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件制造方法的第一較佳實施例所制造的。
參照圖2A，首先將一硅基片10的表面進行熱氧化處理，例如以硅的局部氧化(LOCOS)技術(shù)來完成，因而形成場氧化層12，其厚度例如約3000埃(angstroms)。接著，再將硅基片10進行熱氧化處理，以形成一柵極氧化層14，其厚度例如約150埃。然后，利用一CVD(化學(xué)汽相沉積)或LPCVD(低壓CVD)法，在硅基片10的整個表面上淀積一多晶硅層，其厚度例如約2000埃。為了提高多晶硅層的導(dǎo)電性，可將磷離子注入到多晶硅層中，較佳地，可再淀積一難熔金屬(refractory metal)層，然后施行退火(anneal)步驟，即形成金屬多晶硅化合物層(polycide)，以便提高其導(dǎo)電性。該難熔金屬可例如為鎢(Tungsten)，淀積厚度例如約2000埃。之后，利用傳統(tǒng)的光刻(photolithography)和蝕刻技術(shù)構(gòu)圖(pattern)金屬多晶硅化合物層，因而形成如圖2A所示的柵極(或稱元字線)WL1和WL4。接著，例如以砷離子注入到硅基片10中，以形成漏極區(qū)16a和16b、以及源極區(qū)18a和18b。在此步驟中，字元線WL1至WL4是作為掩模，而離子注入的劑量例如約1×105atoms/cm2，能量則約70KeV。
參照圖2B，接著，以CVD法淀積一平坦化的絕緣層20，其例如為BPSG(硼磷硅玻璃)，厚度約7000埃。然后，再以CVD法淀積一蝕刻保護層(etching protection layer)22，其例如為氮化硅層(silicon nitride)，厚度約1000埃。之后，利用傳統(tǒng)的光刻和蝕刻技術(shù)，依序蝕刻該蝕刻保護層22和平坦化絕緣層20，以形成存儲電極接觸孔(storage electrode contact holes)24a和24b，其分別由蝕刻保護層22的上表面延伸到漏極區(qū)16a和16b的表面，接著，淀積一層厚的多晶硅層，其厚度例如約7000埃。為了提高多晶硅層的導(dǎo)電性，可將例如砷離子注入到多晶硅層中。再利用傳統(tǒng)的光刻和蝕刻技術(shù)構(gòu)圖多晶硅層，因而形成如圖2B所示的柱狀多晶硅層(polysilicon pillar)26a；26b。柱狀多晶硅層26a；26b分別從漏極區(qū)16a和16b的表面經(jīng)由存儲電極接觸孔24a和24b大致往上延伸出，且其間形成凹口25。
參照圖2C，接著以CVD法依序淀積一絕緣層28、一多晶硅層30、和一絕緣層32。絕緣層28和32例如為二氧化硅，絕緣層28和多晶硅層30的厚度均例如約1000埃，而絕緣層32的厚度應(yīng)至少足以填滿柱狀多晶硅層26a；26b之間的凹口25，在此較佳實施例中，絕緣層32的厚度例如約7000埃。為了提高多晶硅層30的導(dǎo)電性，可將例如砷離子注入到多晶硅層30中。
參照圖2D，接著利用化學(xué)機械式拋光(chemical mechanical polish；CMP)技術(shù)，拋光圖2C結(jié)構(gòu)的表面，至少直到柱狀多晶硅層26a和26b上方的部分露出為止。
參照圖2E，接著沉積一多晶硅層34，其厚度例如約1000埃。為了提高多晶硅層34的導(dǎo)電性，可將例如砷離子注入到多晶硅層34中，然后，利用傳統(tǒng)的光刻和蝕刻技術(shù)，依序蝕刻多晶硅層34、絕緣層32、和多晶硅層30，以界定出各存儲單元的存儲電容器的存儲電極，亦即藉此步驟將多晶硅層34和30切割成若干區(qū)段34a；34b和20a；30b。
參照圖2F，接著以濕式蝕刻法，并以蝕刻保護層22為蝕刻終點，將暴露出的二氧化硅層去除，亦即去除絕緣層32和28。藉此步驟即完成動態(tài)隨機存取存儲器的存儲電容器的存儲電極，其如圖所示是由類樹干狀的多晶硅層26a；26b、類樹枝狀的上多晶硅層34a、34b、以及具有似L形剖面的類樹枝狀的下多硅層30a；30b所一起構(gòu)成。類樹干狀的多晶硅層26a；26b連接到DRAM的轉(zhuǎn)移晶體管的漏極區(qū)16a；16b。類樹枝狀的上多晶硅層34a；34b連接且延伸于類樹干狀多晶硅層26a；26b的上方。類樹枝狀的下多晶硅層30a；30b則從類樹枝枝狀的上多晶硅層34a；34b的下表面，先以約垂直方向往下延伸一段距離后，再以約水平方向延伸，由于本發(fā)明的存儲電極的形狀非常特殊，故在本說明書中乃以“樹型存儲電極”稱之，因而制成的電容器則稱為“樹型存儲電容器”。
參照圖2G，接著在存儲電極26a，30a，34a；和26b，30b，34b的表面上分別形成一介電膜層36a；36b。介電膜層36a；36b例如可為二氧化硅層、氮化硅層、NO(氮化硅/二氧化硅)結(jié)構(gòu)、ONO(二氧化硅/氮化硅/二氧化硅)結(jié)構(gòu)、或任何類似者。然后，在介電膜層36a和36b的表面上，形成由多晶硅制成的相對電極38。相對電極的工藝過程可由下列步驟完成以CVD法淀積一多晶硅層，其厚度例如為1000埃；再摻入例如N型雜質(zhì)，以提高其導(dǎo)電性；最后以傳統(tǒng)光刻和蝕刻技術(shù)構(gòu)圖多晶硅層，完成DRAM各存儲單元的存儲電容器。
雖然圖2G未顯示，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)了解，圖2G的結(jié)構(gòu)可依傳統(tǒng)工藝過程制作位線、焊墊(bonding pad)、互連導(dǎo)線(interconnection)、純化層(passivation)、以及封裝等等，以完成DRAM集成電路。由于這些工藝過程與本發(fā)明的特征無關(guān)，故在此不多作贅述。
在此較佳實施例中，存儲電極只具有一層似L形剖面的類樹枝狀電極層。然而，本發(fā)明并不限于此，存儲電極似L形剖面的類樹枝狀電極層的層數(shù)可為二層、三層、或更多。下一個較佳實施例即將描述具有二層似L形剖面的類樹枝狀電極層的存儲電極。
參照圖3A至3D，詳述本發(fā)明的一種具有樹型存儲電容器的半導(dǎo)體存儲器件的第二較佳實施例，半導(dǎo)體存儲器件的此一較佳實施例，是由本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件制造方法的第二較佳實施例所制造的。
本較佳實施例以圖2B所示的較佳實施例的結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)，再以不同的工藝過程制作不同結(jié)構(gòu)的DRAM存儲電極。在圖3A至3D中，與圖2B相似的部分以相同的標(biāo)號表示。
參照圖2B和3A，接著以CVD法交替淀積絕緣層和多晶硅層，亦即如圖3A所示依序淀積一絕緣層40、一多晶硅層42、一絕緣層44、一多晶硅層46、和一絕緣層48。絕緣層40、44和48例如為二氧化硅，絕緣層40；44和多晶硅層42；46的厚度均例如約1000埃，而絕緣層48的厚度則例如約7000埃。為了提高多晶硅層的導(dǎo)電性，可將例如砷離子注入到多晶硅層中。
參照圖3B，接著利用CMP技術(shù)，拋光圖3A結(jié)構(gòu)的表面，至少直到柱狀多晶硅層26a和26b上方的部分露出為止。
參照圖3C，接著淀積一多晶硅層50，其厚度例如約1000埃。為了提高多晶硅層50的導(dǎo)電性，可將例如砷離子注入到多晶硅層50中。然后，利用傳統(tǒng)的光刻和蝕刻技術(shù)，依序蝕刻多晶硅層50、絕緣層48、多晶硅層46、絕緣層44、和多晶硅層42，以界定出各存儲單元的存儲電容器的存儲電極。亦即藉此步驟將多晶硅層42、46和50切割成若干區(qū)段42a；42b、46a；46b和50a；50b。
接著以濕式蝕刻法，并以蝕刻保護層22為蝕刻終點，將暴露出的二氧化硅層去除，亦即去除絕緣層40、44和48。藉此步驟即完成動態(tài)隨機存取存儲器的儲存電容器的存儲電極，其如圖3C所示由類樹干狀的多晶硅層26a；26b、類樹枝狀的上晶硅層50a，50b、以及具有似L形剖面的類樹干狀的二層下多晶硅層42a，46a；42b，46b所一起構(gòu)成。類樹干狀的多晶硅層26a；26b連接到DRAM轉(zhuǎn)移晶體管的漏極區(qū)16a；16b。類樹枝狀的上多晶硅層50a；50b連接且延伸于類樹干狀多晶硅層26a；26b的上方。類樹枝狀的二層下多晶硅層42a，46a；42b，46b則分別從類樹枝狀的上多晶硅層34a；34b的下表面，先以約垂直方向往下延伸一段距離后，再以約水平方向延伸。
參照圖3D，接著在存儲電極26a，42a，46a，50a；和26b，42b，46b，50b的表面上分別形成一介電膜層52a；52b。然后，在介電膜層52a和52b的表面上，形成由多晶硅制成的相對電極54。相對電極的工藝過程可由下列步驟完成以CVD法淀積一多晶硅層，其厚度例如為1000埃；再摻入例如N型雜質(zhì)，以提高其導(dǎo)電性；最后以傳統(tǒng)光刻和蝕刻技術(shù)構(gòu)圖多晶硅層，完成DRAM各存儲單元的存儲電容器。
在上述第一和第二較佳實施例中，存儲電極最下方一層的類樹枝狀電極層之下表面與蝕刻保護層22之間有一距離，并不直接接觸。然而，本發(fā)明并不限于此，下一個較佳實施例即將描述最下方一層的類樹枝狀電極層之下表面與蝕刻保護層22直接接觸的存儲電極結(jié)構(gòu)。
參照圖4A至4C，詳述本發(fā)明的一種具有樹型存儲電容器的半導(dǎo)體存儲器件的第三較佳實施例，半導(dǎo)體存儲器件的此一較佳實施例，由本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件制造方法的第三較佳實施例所制造的。
本較佳實施例以圖2B所示的較佳實施例的結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)，再以不同的工藝過程制作不同結(jié)構(gòu)的DRAM存儲電極。在圖4A至4C中，與圖2B相似的部分以相同的標(biāo)號表示。
參照圖2B和4A，接著以CVD法依序淀積一多晶硅層56、一絕緣層58、一多晶硅層60、和一絕緣層62。
參照圖4B，接著利用CMP技術(shù)，拋光圖4A結(jié)構(gòu)的表面，至少直到位在柱狀多晶硅層26a和26b上方的最下面一層的多晶硅層56露出為止?；蛘撸部芍钡街鶢疃嗑Ч鑼?6a和26b上方的部分露出為止。
參照圖4C，接著淀積一多晶硅層64后，利用傳統(tǒng)的光刻和蝕刻技術(shù)，界定出各存儲單元的存儲電容器的存儲電極。亦即藉此步驟將多晶硅層56、60和64切割成若干區(qū)段56a；56b、60a；60b和64a；64b。
接著以濕式蝕刻法，并以蝕刻保護層22為蝕刻終點，將暴露出的二氧化硅層去除，亦即去除絕緣層58和62。藉此步驟即完成動態(tài)隨機存取存儲器的存儲電容器的存儲電極，其如圖4C所示由類樹干狀的多晶硅層26a；26b、類樹枝狀的上多晶硅層64a；64b、以及具有似L形剖面的類樹枝狀的二層下多晶硅層56a，60a；56b， 60b所一起構(gòu)成。類樹干狀的多晶硅層26a；26b連接到DRAM的轉(zhuǎn)移晶體管的漏極區(qū)16a；16b。類樹枝狀的上多晶硅層64a；64b連接且延伸于類樹干狀多晶硅層26a；26b的上方，類樹枝狀的二層下多晶硅層56a，60a；56b，60b則分別從類樹枝狀的上多晶硅層64a，64b的下表面，先以約垂直方向往下延伸一段距離后，再以約水平方向延伸。類樹枝狀的下多晶硅層中較靠近類樹干狀多晶硅層26a；26b者(亦即56a和56b)，其內(nèi)表面與類樹干狀多晶硅層26a；26b直接接觸，且下表面與蝕刻保護層22直接接觸，因而形成與上兩個較佳實施例不同的結(jié)構(gòu)。
下面第四較佳實施例也將描述最下方一層的類樹枝狀電極層的下表面與蝕刻保護層22直接接觸的存儲電極結(jié)構(gòu)。第四較佳實施例以不同于第三較佳實施例的制造方法，完成相近的結(jié)構(gòu)。
參照圖5A至5C，詳述本發(fā)明的一種具有樹型存儲電容器的半導(dǎo)體存儲元件的第四較佳實施例，半導(dǎo)體存儲器件的此一較佳實施例，由本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件制造方法的第四較佳實施例所制造的。
本較佳實施例以圖2B所示的較佳實施例的結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)，再以不同的工藝過程制作不同結(jié)構(gòu)的DRAM存儲電極。在圖5A至5C中，與圖2B相似的部分以相同的標(biāo)號表示。
參照圖2B和5A，接著在柱狀多晶硅層26a和26b的側(cè)壁上，分別形成邊墻隔層(insulating spacers)66a和66b。邊墻隔離層66a和66b例如為二氧化硅層，且可以下列步驟完成以CVD法淀積一二氧化硅層，其厚度例如為1000埃；接著再回蝕刻(etch back)，即可形成邊墻隔離層。然后，以CVD法依序淀積一多晶硅層68、一絕緣層70、一多晶硅層72、和一絕緣層74。
參照圖5B，接著利用CMP技術(shù)，拋光圖5A結(jié)構(gòu)的表面，至少直到位在柱狀多晶硅層26a和26b上方的最下面一層的多晶硅層68露出為止。或者，也可直到柱狀多晶硅層26a和26b上方的部分露出為止。
參照圖5C，接著淀積一多晶硅層76后，利用傳統(tǒng)的光刻和蝕刻技術(shù)，界定出各存儲單元的存儲電容器的存儲電極。亦即藉此步驟將多晶硅層68、72和76切割成若干區(qū)段68a；68b、72a；72b和76a；76b。
接著以濕式蝕刻法，并以蝕刻保護層22為蝕刻終點，將暴露出的二氧化硅層去除，亦即去除絕緣層70和74。藉此步驟即完成動態(tài)隨機存取存儲器的存儲電容器的存儲電極，其如圖5C所示由類樹干狀的多晶硅層26a；26b、類樹枝狀的上多晶硅層76a；76b、以及具有似L形剖面的類樹枝狀的二層下多晶硅層68a，72a；68b，72b所一起構(gòu)成。類樹干狀的多晶硅層26a；26b連接到DRAM的轉(zhuǎn)移晶體管的漏極區(qū)16a；16b。類樹枝狀的上多晶硅層76a；76b連接且延伸于類樹干狀多晶硅層26a；26b的上方，類樹枝狀的二層下多晶硅層68a，72a；68b，72b則分別從類樹枝狀的上多晶硅層76a，76b的下表面，先以約垂直方向往下延伸一段距離后，再以約水平方向延伸。類樹枝狀的下多晶硅層中較靠近類樹干狀多晶硅層26a；26b的(亦即72a和72b)，其內(nèi)表面與類樹干狀多晶硅層26a；26b的外表面隔著邊墻隔離層66a；66b，而下表面則與蝕刻保護層22直接接觸，因而形成與上述較佳實施例不同的結(jié)構(gòu)。
下面第五較佳實施例以不同的制造方法，形成最下方一層的類樹枝狀電極層之內(nèi)表面與類樹干狀多晶硅層的外表面直接接觸，但下表面則與蝕刻保護層不直接接觸的不同存儲電極結(jié)構(gòu)。
參照圖6A至6D，詳述本發(fā)明的一種具有樹型存儲電容器的半導(dǎo)體存儲器件的第五較佳實施例，半導(dǎo)體存儲器件的此一較佳實施例，由本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件制造方法的第五較佳實施例所制造的。
本較佳實施例以圖2A所示的較佳實施例的結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)，再以不同的工藝過程制作不同結(jié)構(gòu)的DRAM存儲電極。在圖6A至6D中，與圖2B相似的部分以相同的標(biāo)號表示。
參照圖2A和6A，接著以CVD法淀積一平坦化的絕緣層80，其例如為BPSG。再以CVD法淀積一蝕刻保護層82，其例如為氮化硅層。然后以CVD法淀積一絕緣層84，其例如為二氧化硅，厚度例如約1000埃。接著，利用傳統(tǒng)的光刻和蝕刻技術(shù)，依序蝕刻二氧化硅層84、蝕刻保護層82和平坦化絕緣層80，以形成存儲電極接觸孔85a和85b，其分別由二氧化硅層84的上表面延伸到漏極區(qū)16a和16b的表面。接著，淀積一層厚的多晶硅層，其厚度例如約7000埃。為了提高多晶硅層的導(dǎo)電性，可將例如砷離子注入到多晶硅層中。再利用傳統(tǒng)的光刻和蝕刻技術(shù)構(gòu)圖多晶硅層，因而形成如圖6A所示的柱狀多晶硅層86a；86b。柱狀多晶硅層86a；86b分別從漏極區(qū)16a和16b的表面由存儲電極接觸孔85a和85b大致往上延伸出。
參照圖6B，接著以CVD法依序淀積一多晶硅層88、一絕緣層90、一多晶硅層92、和一絕緣層94。
參照圖6C，接著利用CMP技術(shù)，拋光圖6B結(jié)構(gòu)的表面，直到柱狀多晶硅層86a和86b上方的部分露出為止?；蛘?，也可只到位在柱狀多晶硅層86a和86b上方的最下面一層的多晶硅層88部分露出為止。
參照圖6D，接著淀積一多晶硅層96后，利用傳統(tǒng)的光刻和蝕刻技術(shù)，界定出各存儲單元的存儲電容器的存儲電極。亦即藉此步驟將多晶硅層88、92和96切割成若干區(qū)段88a；88b、92a；92b和96a；96b。
接著以濕式蝕刻法，并以蝕刻保護層82為蝕刻終點，將暴露出的二氧化硅層去除，亦即去除絕緣層94、90和88。藉此步驟即完成動態(tài)隨機存取存儲器的存儲電容器的存儲電極，其如圖6D所示由類樹干狀的多晶硅層86a；86b、類樹枝狀的上多晶硅層96a；96b、以及具有似L形剖面的類樹枝狀的二層下多晶硅層88a，92a；88b，92b所一起構(gòu)成。類樹干狀的多晶硅層86a；86b連接到DRAM的轉(zhuǎn)移晶體管的漏極區(qū)16a；16b。類樹枝狀的上多晶硅層96a；96b連接且延伸于類樹干狀多晶硅層86a；86b的上方，類樹枝狀的二層下多晶硅層88a，92a；88b，92b則分別從類樹枝狀的上多晶硅層96a，96b的下表面，先以約垂直方向往下延伸一段距離后，再以約水平方向延伸。類樹枝狀的下多晶硅層中較靠近類樹干狀多晶硅層86a；86b(亦即88a和88b)，其內(nèi)表面與類樹干狀多晶硅層86a；86b的外表面相連接，而下表面則與蝕刻保護層82保持一距離，因而形成與上述較佳實施例不同的存儲電極結(jié)構(gòu)。
在上述第一至第五較佳實施例中，存儲電極的類樹枝狀電極層系呈L形剖面的兩節(jié)式彎折構(gòu)件。然而，本發(fā)明并不限于此，類樹枝狀電極層因彎折而構(gòu)成的節(jié)數(shù)目，可以為三節(jié)、四節(jié)、或更多。下一個較佳實施例即將描述類樹枝狀電極層具有四節(jié)結(jié)構(gòu)的存儲電極。
參照圖7A至7E，詳述本發(fā)明的一種具有樹型存儲電容器的半導(dǎo)體存儲器件的第六較佳實施例，半導(dǎo)體存儲器件的此一較佳實施例，系由本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件制造方法的第六較佳實施例所制造的。
本較佳實施例以圖2A所示的較佳實施例的結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)，再以不同的工藝過程制作不同結(jié)構(gòu)的DRAM存儲電極。在圖7A至7E中，與圖2B相似的部分以相同的標(biāo)號表示。
參照圖7A和2A，接著以CVD法淀積一平坦化的絕緣層98，其例如為BPSG。然后，再以CVD法淀積一蝕刻保護層100，其例如為氮化硅層。然后利用傳統(tǒng)的光刻和蝕刻技術(shù)，依序蝕刻該蝕刻保護層100和平坦化絕緣層98，以形成存儲電極接觸孔102a和102b，其分別由蝕刻保護層100的上表面延伸到漏極區(qū)16a和16b的表面。接著，淀積一層厚的多晶硅層，其厚度例如約7000埃。為了提高多晶硅層的導(dǎo)電性，可將例如砷離子注入到多晶硅層中。再利用傳統(tǒng)的光刻技術(shù)形成一光刻膠層106，并以各向?qū)晕g刻曝露出的多晶硅層，因而形成如圖所示的凸起多晶硅層104a；104b。凸起多晶硅層104a；104b分別從漏極區(qū)16a和16b的表面由存儲電極接觸孔102a和102b大致往上延伸出。
參照圖7B，接著以光刻膠浸蝕(photoresist erosion)技術(shù)去除光刻膠層106一厚度，而形成較薄較小的光刻膠層106a藉引又曝露出凸起多晶硅層104a和104b的一部分上表面。
參照圖7C，接著，再以各向異性蝕刻凸起多晶硅層104a和104b暴露出的上表面部分及殘留的多晶硅層，至蝕刻保護層100露為此，以便形成具有階梯狀的柱狀多晶硅層104c和104d結(jié)構(gòu)。最后去光刻膠。
參照圖7D，接著，依上面針對圖2C和2D所述的類似步驟進行，以完成如圖7D所示的結(jié)構(gòu)。亦即先以CVD法依序淀積一絕緣層108、一多晶硅層110、和一絕緣層112。接著利用化學(xué)機械式拋光技術(shù)，拋光其結(jié)構(gòu)的表面，至少直到柱狀多晶硅層104c和104d上方的表面露出為止。
參照圖7E，接著淀積一多晶體層114，其厚度例如約1000埃。為了提高多晶硅層114的導(dǎo)電性，可將例如砷離子注入到多晶硅層114中。然后，利用傳統(tǒng)的光刻和蝕刻技術(shù)，依序蝕刻多晶硅層114、絕緣層112、和多晶硅層110，以界定出各存儲單元的存儲電容器的存儲電極。亦即藉此步驟將多晶硅層114和110切割成若干區(qū)段114a；114b和110a；110b。
接著以濕式蝕刻法，并以蝕刻保護層100為蝕刻終點，將暴露出的二氧化硅層去除，亦即去除絕緣層112和108。藉此步驟即完成動態(tài)隨機存取存儲器的存儲電容器的存儲電極，其如圖7E所示由類樹干狀的多晶硅層104c；104d、類樹枝狀的上多晶硅層114a；114b、以及具有四節(jié)彎折形剖面(或雙L形剖面)的類樹枝狀的下多晶硅層110a；110b所一起構(gòu)成。類樹干狀的多晶硅層104c；104b連接到DRAM的轉(zhuǎn)移晶體管的漏極區(qū)16a；16b。類樹枝狀的上多晶硅層114a；114b連接且延伸于類樹干狀多晶硅層104c；104d的上方。類樹枝狀的下多晶硅層110a；110b則從類樹枝狀的上多晶硅層114a；114b的下表面，先以約垂直方向往下延伸一段距離后，再以約水平方向延伸另一段距離，接著又以約垂直方向往下延伸一段距離，最后以約水平方向延伸出。
依照本佳實施例的構(gòu)想，若要制作更多節(jié)的類樹枝狀多晶硅層結(jié)構(gòu)，可以圖7C和7B的結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)，再進行光刻膠浸蝕步驟和凸起多晶硅層的時間控制各向異性蝕刻步驟一次或多次，以形成更多階梯的柱狀多晶硅層結(jié)構(gòu)。
在上述第一至第六較實施例中，均是利用CMP技術(shù)將位在柱狀多晶硅層上方的其他多晶硅層予以切割。然而，本發(fā)明并不限于此，下一個較佳實施例即將描述利用傳統(tǒng)的光刻和蝕刻技術(shù)，將位在柱狀多晶硅層上方的其他多晶硅層進行切割的工藝過程，以及因而形成的不同存儲電極結(jié)構(gòu)。
參照圖8A至8E，詳述本發(fā)明的一種具有樹型存儲電容器的半導(dǎo)體存儲器件的第七較佳實施例，半導(dǎo)體存儲器件的此一較佳實施例，由本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件制造方法的第七較佳實施例所制造的。
本較佳實施例以圖2B所示的較佳實施例的結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)，再以不同的工藝過程制作不同結(jié)構(gòu)的DRAM存儲電極。在圖8A至8E中，與圖2B相似的部分以相同的標(biāo)號表示。
參照圖8A和2B，接著以CVD法交替淀積絕緣層和多晶硅層，亦即如圖8A所示依序淀積一絕緣層116、一多晶硅層118、一絕緣層120、一多晶硅層122、和一絕緣層124。絕緣層116、120和124例如為二氧化硅，所有絕緣層和多晶硅層的厚度均例如約1000埃。為了提高多晶硅層的導(dǎo)電性，可將例如砷離子注入到多晶硅層中。
參照圖8B，接著，利用傳統(tǒng)的光刻技術(shù)形成一光刻膠層126，并依序以各向異性蝕刻未被覆蓋的二氧化硅層124、多晶硅層122、二氧化硅層120、多晶硅層118、和二氧化硅層116，以使柱狀多晶硅層26a和26b的上表面露出。在此步驟中，形成接觸孔128a和128b，其是分別從絕緣層124的表面延伸到柱狀多晶硅層26a和26b的上表面。而且也使位在柱狀多晶硅層26a和26b上方的絕緣層116，120，124以及多晶硅層118，122被切割。最后去光刻膠。
參照圖8C，接著淀積一多晶硅層130，填滿接觸孔128a和128b。再利用傳統(tǒng)光刻和蝕刻技術(shù)構(gòu)圖多晶硅層130，以形成分別連接到柱狀多晶硅層26a和26b的上樹桿部分130a和130b。在此較佳實施例中，存儲電極的上樹桿部分130a和130b具有似T形的剖面。依照另一較佳實施例，也可以利用重填(refill)多晶硅層到接觸孔128a和128b中，以形成柱狀的上樹桿部分。此多晶硅層重填工藝過程可以CVD法淀積一多晶硅層再回蝕刻完成，依照又一較佳實施例，也可以淀積一多晶硅層，其不填滿接觸孔128a和128b，而只形成接觸孔的內(nèi)壁上。再以傳統(tǒng)的光刻和蝕刻技術(shù)圖多晶硅層，以形成具有似U形剖面的上樹桿部分。
參照圖8D，接著利用傳統(tǒng)的光刻和蝕刻技術(shù)，依序蝕刻絕緣層124、多晶硅層122、絕緣層120、和多晶硅層118，以界定出各存儲單元的存儲電容器的存儲電極。亦即藉此步驟將多晶硅層118和122切割成若干區(qū)段118a；118b和122a；122b。
參照圖8E，接著以濕式蝕刻法，并以蝕刻保護層22為蝕刻終點，將暴露出的二氧化硅層去除，亦即去除絕緣層124、120和116。藉此步驟即完成動態(tài)隨機存取存儲器的存儲電容器的存儲電極，如圖8E所示由類樹干狀的下多晶硅層26a；26b、類樹干狀的上多晶硅層130a；130b、以及具有三節(jié)彎折形剖面的二層類樹枝狀多晶硅層118a，122a；118b，122b一起構(gòu)成。類樹干狀的下多晶硅層26a；26b連接到DRAM的轉(zhuǎn)移晶體管的漏極區(qū)16a；16b。類樹干狀的上多晶硅層130a；130b連接于類樹干狀多晶硅層26a；26b的上方。二層類樹枝狀多晶硅層118a，122a；118b，122b則從類樹干狀的上多晶硅層130a；130b的外表面，先以約水平方向延伸出一段距離后，再以約垂直方向往下延伸一距離，最后以約水平方向往外延伸。
在下一個較佳實施例中，以不同的工藝過程形成不同結(jié)構(gòu)的存儲電極。該較佳實施例的存儲電極結(jié)構(gòu)非常類似上述第七較佳實施例結(jié)構(gòu)，唯一不同之處是其上樹桿部分為中空結(jié)構(gòu)。
參照圖9A至9B，詳述本發(fā)明的一種具有樹型存儲電容器的半導(dǎo)體存儲器件的第八較佳實施例，半導(dǎo)體存儲器件的此一較佳實施例，系由本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件制造方法的第八較佳實施例所制造的。
本較佳實施例以圖8B所示的較佳實施例的結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)，再以不同的工藝過程制作不同結(jié)構(gòu)的DRAM存儲電極。在圖9A至9B中，與圖8B相似的部分以相同的標(biāo)號表示。
參照圖9A和8B，接著以CVD法淀積一多晶硅層，再回蝕刻，以便在接觸孔128a和128b的內(nèi)壁上形成多晶硅層邊墻隔離層(side-wall spacer)132a和132b。多晶硅層邊墻隔離層132a和132b構(gòu)成上樹桿部分，分別連接到柱狀多晶硅層26a和26b的上表面，而且具有似U形的剖面，以增加存儲電極的表面積。
參照圖9B，接著利用傳統(tǒng)的光刻和蝕刻技術(shù)，依序蝕刻絕緣層124、多晶硅層122、絕緣層120、和多晶硅層118，以界定出各存儲單元的存儲電容器的存儲電極。亦即藉此步驟將多晶硅層118和122切割成若干區(qū)段118a；118b和122a；122b。
接著以濕式蝕刻法，并以蝕刻保護層22為蝕刻終點，將暴露出的二氧化硅層去除，亦即去除絕緣層124、120和116。藉此步驟即完成動態(tài)隨機存取存儲器的存儲電容器的存儲電極，如圖9B所示是由類樹干狀的下多晶硅層26a；26b、類樹干狀的上多晶硅層132a；132b、以具有三節(jié)彎折形剖面的二層類樹枝狀多晶硅層118a，122a；118b，122b一起構(gòu)成，圖9B所示較佳實施例的存儲電極結(jié)構(gòu)與圖8E所示的唯一不同，僅在類樹干狀的上多晶硅層132a；132b和130a；130b的結(jié)構(gòu)不同。
在下一個較佳實施例中，以不同的工藝過程形成類似于圖8E所示較佳實施例的存儲電極結(jié)構(gòu)。
參照圖10A至10E，詳述本發(fā)明的一種具有樹型存儲電容器的半導(dǎo)體存儲器件的第九較佳實施例，半導(dǎo)體存儲器件的此一較佳實施例，由本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件制造方法的第九較佳實施例所制造的。
本較佳實施例以圖2A所示的較佳實施例的結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)，再以不同的工藝過程制作不同結(jié)構(gòu)的DRAM存儲電極。在圖10A至10E中，與圖2A相似的部分以相同的標(biāo)號表示。
參照圖10A和2A，接著，以CVD法淀積一平坦化的絕緣層150，其例如為BPSG。然后，再以CVD法淀積一蝕刻保護層152，其例如為氮化硅層。之后，淀積一厚的絕緣層，其例如為二氧化硅層，厚度約7000埃。再利用傳統(tǒng)的光刻和蝕刻技術(shù)構(gòu)圖絕緣層，因而形成如圖所示的柱狀絕緣層(insulating pillars)154a和154b。柱狀絕緣層154a和154b的位置大約是分別在漏極區(qū)16a和16b的上方。
參照圖10B，接著以CVD法依序淀積一絕緣層156、一多晶硅層158、和一絕緣層160。絕緣層156和160例如為二氧化硅，絕緣層156，160和多晶硅層158的厚度均例如約1000埃。為了提高多晶硅層158的導(dǎo)電性，可將砷離子注入到多晶硅層158中。
參照圖10C，接著利用傳統(tǒng)的光刻技術(shù)形成一光刻膠層162，并依序以各向異性蝕刻未被覆蓋的二氧化硅層160、多晶硅層158、二氧化硅層156、柱狀絕緣層154a；154b、蝕刻保護層152、平坦化絕緣層150、和柵極氧化層14，以形成存儲電極接觸孔164a和164b，其分別由絕緣層160的上表面延伸到漏極區(qū)16a和16b的表面。
參照圖10D，接著淀積一多晶硅層166，填滿存儲電極接觸孔164a和164b，再利用傳統(tǒng)光刻和蝕刻技術(shù)構(gòu)圖多晶硅層166，以形成分別連接到漏極區(qū)16a和16b的類樹干狀多晶硅層166a和166b。
參照圖10E，接著利用傳統(tǒng)的光刻和蝕刻技術(shù)，依序蝕刻絕緣層160和多晶硅層158，以界定出各存儲單元的存儲電容器的存儲電極。亦即藉此步驟將多晶硅層158切割成若干區(qū)段158a和158b。
接著以濕式蝕刻法，并以蝕刻保護層152為蝕刻終點，將暴露出的二氧化硅層去除，亦即去除絕緣層160、156和154a；154b。藉此步驟即完成動態(tài)隨機存取存儲體的存儲電容器的存儲電極，其如圖10E所示是由類樹干狀的多晶硅層166a；166b、以及具有三節(jié)彎折形剖面的類樹枝狀多晶硅層158a；158b一起構(gòu)成。圖10E所示較佳實施例的存儲電極結(jié)構(gòu)與圖8E所示非常類似，然兩者的工藝過程差異則很大。
在下一個較佳實施例中，是以不同的工藝過程形成不同結(jié)構(gòu)的存儲電極。該較佳實施例的存儲電極結(jié)構(gòu)非常類似上述的第九較佳實施例結(jié)構(gòu)，唯一不同之處是其類樹干狀多晶硅層為中空結(jié)構(gòu)，以增加存儲電極的表面積。
參照圖11A至11B，詳述本發(fā)明的一種具有樹型存儲電容器的半導(dǎo)體存儲器件的第十較佳實施例，半導(dǎo)體存儲器件的此一較佳實施例，是由本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件制造方法的第十較佳實施例所制造的。
本較佳實施例以圖10C所示的較佳實施例的結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)，再以不同的工藝過程制作不同結(jié)構(gòu)的DRAM存儲電極。在圖11A至11B中，與圖10C相似的部分以相同的標(biāo)號表示。
參照圖11A和10C，接著以CVD法淀積一多晶硅層168，使在存儲電極接觸孔164a和164b中，多晶硅只形成在存儲電極接觸孔164a和164b的內(nèi)壁上，但未填滿存儲電極接觸孔。之后，以傳統(tǒng)的光刻和蝕刻技術(shù)構(gòu)圖出各存儲單元存儲電極的類樹干狀多晶硅層168a；168b，如圖所示其具有似U形的剖面，以更增加存儲電極的表面積。
參照圖11B，接著利用傳統(tǒng)的光刻和蝕刻技術(shù)，依序蝕刻絕緣層160和多晶硅層158，以界定各存儲單元的存儲電容器的存儲電極。亦即藉此步驟將多晶硅層158切割成若干區(qū)段158a和158b。
接著以濕式蝕刻法，并以蝕刻保護層152為蝕刻終點，將暴露出的二氧化硅層去除，亦即去除絕緣層160、156和154a；154b。藉此步驟即完成動態(tài)隨機存取存儲器的存儲電容器的存儲電極，其如圖11B所示由具有似U形剖面的類樹干狀多晶硅層168a；168b、以及具有三節(jié)彎折形剖面的類樹枝狀多晶硅層158a；158b一起構(gòu)成。圖11B所示較佳實施例的存儲電極結(jié)構(gòu)與圖10E所示的唯一不同，僅在類樹干狀多晶硅層168a；168b和166a；166b的結(jié)構(gòu)不同。
在上述的第九和第十較佳實施例中，柱狀絕緣層的形狀還可以利用其他的手段來變化出各種形狀，以改變類樹枝狀多晶硅層的延伸形狀及延伸角度。例如要利用光刻膠浸蝕技術(shù)形成階梯狀的柱狀絕緣層?；蛟趫D10A的情況中，若以各向同性(isotropic)蝕刻，如濕式蝕刻，來代替各向異性(anisotropic)蝕刻方式，對該厚絕緣層施行蝕該，可得類三角形的絕緣層；或者同樣在圖10A的情況下，于柱狀絕緣層154a和154b形成之后，再形成邊墻隔離層在柱狀絕緣層154a和154b的側(cè)壁上，也可得另一種不同形狀的柱狀絕緣層。因此類樹枝狀多晶硅層可以有多種不同角度的延伸形狀。
同樣的，在其他的較佳實施例中柱狀多硅晶層的形狀也可以利用其他的手段來變化出各種形狀，以改變類樹枝狀多晶硅層的延伸形狀及延伸角度。例如在圖2B的情況中，若以各向同性(isotropic)蝕該，如等離子蝕刻，來代替各向異性(anisotropic)蝕該方式，對該厚多晶硅層施行蝕刻，可得類三角形的多晶硅層。
在上述第一至第十較佳實施例的任一例中，樹型存儲電極整體均大致為單一階層結(jié)構(gòu)。然而，本發(fā)明產(chǎn)并不限于此，本發(fā)明的樹型存儲電極可為二個階層、或更多階層的堆疊結(jié)構(gòu)。下一個較佳實施例即將描述二個階層的樹型存儲電極結(jié)構(gòu)。
參照圖12A至12C，詳述本發(fā)明的一種具有樹型存儲電容器的半導(dǎo)體存儲器件的第十一較佳實施例，半導(dǎo)體存儲器件的此一較佳實施例，由本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件制造方法的第十一較佳實施例所制造的。
本較佳實施例是以圖3B所示的較佳實施例的結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)，再以不同的工藝過程制作二階層結(jié)構(gòu)的DRAM存儲電極。在圖12A至12C中，與圖3B相似的部分是以相同的標(biāo)號表示。
參照圖12A和3B，在大致已形成下方階層的樹型存儲電極的基本結(jié)構(gòu)之后，接著依序淀積一多晶硅層170和一絕緣層171，絕緣層171例如為二氧化硅，且多晶硅層170和二氧化硅層171的厚度例如均為約1000埃。之后，利用傳統(tǒng)的光刻和蝕刻技術(shù)，蝕刻絕緣層171，以界定接觸孔174a和174b，其分別由絕緣層171的上表面延伸到多晶硅層170的上表面。接著，淀積一層厚的多晶硅層，其厚度例如約7000埃。為了提高多晶硅層的導(dǎo)電性，可將例如砷離子注入到多晶硅層中。再利用傳統(tǒng)的光刻和蝕刻技術(shù)構(gòu)圖多晶硅層，因而形成如圖12A所示的柱狀多晶硅層172a；172b。柱狀多晶硅層172a；172b分別從多晶硅層170的上表面經(jīng)由接觸孔174a和174b大致往上延伸出。藉此，柱狀多晶硅層172a和172b便與下方階層的存儲電極結(jié)構(gòu)電連接。
參照圖12B，接著以上述針對圖3A和3B所描述的類似工藝過程完成圖12B的結(jié)構(gòu)。亦即以CVD法交替淀積絕緣層(176，180，184)和多晶硅層(178，182)，然后利用CMP技術(shù)，拋光整個結(jié)構(gòu)的表面，至少直到柱狀多晶硅層172a和172b上方的部分露出為止。
參照圖12C，接著以上述針對圖3C所描述的類似工藝過程完成圖12C的結(jié)構(gòu)。亦即淀積一多晶硅層188，其厚度例如約1000埃。然后，利用傳統(tǒng)的光刻和蝕刻技術(shù)，依序蝕刻多晶硅層188、絕緣層184、多晶硅層182、絕緣層180、多晶硅層178、絕緣層176和171、多晶硅層170、絕緣層48、多晶硅層46、絕緣層44、和多晶硅層42，以界定出各存儲單元的存儲電容器的二階層結(jié)構(gòu)存儲電極。亦即藉此步驟將多晶硅層188、182、178、170、46和42切割成若干區(qū)段188a、188b、182a、182b、178a、178b、170a、170b、46a、46b、42a和42b。
接著以濕式蝕刻法，并以蝕刻保護層22為蝕刻終點，將暴露出的二氧化硅層全部去除，亦即去除絕緣層184、180、176、171、48、44和40。藉此步驟即完成動態(tài)隨機存取存儲器的存儲電容器的存儲電極，其如圖12C所示是由二個類似于圖3C所示的樹型存儲電極結(jié)構(gòu)層所一起組成。很明顯的，本較佳實施例可大幅增加存儲電極的表面積。
在上述第一至第八較佳實施例，以及第十一較佳實施例的任一例中，均是形成柱狀多晶硅層的底部直接連接到轉(zhuǎn)移晶體管的漏極區(qū)。然而，本發(fā)明并不限于此，本發(fā)明的柱狀多晶硅層也可經(jīng)由另一導(dǎo)電層，間接連接到轉(zhuǎn)移晶體管的漏極區(qū)。下一個較佳實施例即將描述柱狀多晶硅層是由另一導(dǎo)電層，間接連接到轉(zhuǎn)移晶體管漏極區(qū)的結(jié)構(gòu)。
參照圖13A至13B，詳述本發(fā)明的一種具有樹型存儲電容器的半導(dǎo)體存儲器件的第十二較佳實施例，半導(dǎo)體存儲器件的此一較佳實施例，是由本發(fā)明的一種半導(dǎo)體存儲器件制造方法的第十二較佳實施例所制造的。
本較佳實施例是以圖2A所示的較佳實施例的結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)，再以不同的工藝過程制作似T形的下多晶硅層、和柱形的上多晶硅層，兩者一起構(gòu)成存儲電極的類樹干狀導(dǎo)電層，在圖13A至13B中，與圖2A相似的部分是以相同的標(biāo)號表示。
參照圖13A和2A，接著，以CVD法淀積一平坦化的絕緣層190。其例如為BPSG。然后，再以CVD法淀積一蝕刻保護層192，其例如為氮化硅層，之后，利用傳統(tǒng)的光刻和蝕刻技術(shù)，依序蝕刻該蝕刻保護層192和平坦化絕緣層190，以形成存儲電極接觸孔194a和194b，其分別由蝕刻保護層192的上表面延伸到漏極區(qū)16a和16b的表面，接著，淀積一層多晶硅層，為了提高多晶硅層的導(dǎo)電性，可將例如砷離子注入到多晶硅層中。再利用傳統(tǒng)的光刻和蝕刻技術(shù)構(gòu)圖多晶硅層，以形成如圖13A所示具有似T形剖面的多晶硅層196a和196b，用以當(dāng)作DRAM存儲電極的類樹干狀下導(dǎo)電層，其分別從漏極區(qū)16a和16b的表面經(jīng)由存儲電極接觸孔194a和194b大致往上和往外延伸出。依照本發(fā)明，此多晶硅層也可以先不構(gòu)圖，等到后續(xù)要界定出各存儲單元的存儲電容的存儲電極時再一起構(gòu)圖。
參照圖13B，接著，淀積一絕緣層198，其例如為二氧化硅。然后，利用傳統(tǒng)的光刻和蝕刻技術(shù)形成孔(Windows)200a和200b，露出多晶硅層196a和196b的一部分上表面。之后，淀積一層厚的多晶硅層，其厚度例如約7000埃。為了提高多晶硅層的導(dǎo)電性，可將例如砷離子注入到多晶硅層中。再利用傳統(tǒng)的光刻和蝕刻技術(shù)構(gòu)圖多晶硅層，因而形成如圖13B所示的柱狀多晶硅層202a、202b柱狀多晶硅層200a；200b分別從多晶硅層196a和196b的上表面經(jīng)由孔200a和200b大致往上延伸出，用以當(dāng)作DRAM存儲電極的類樹干狀上導(dǎo)電層。
接著，可利用上述第一至第八較佳實施例、以及第十一較佳實施例中的任一例的工藝過程構(gòu)想，完成不同的樹型電容器結(jié)構(gòu)。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)可了解，上述本發(fā)明各個較佳實施例的構(gòu)想特征，除了可以單獨應(yīng)用之外，亦可混合應(yīng)用，而再完成非常多種不同結(jié)構(gòu)的存儲電極和存儲電容器。這些存儲電極和存儲電容器的結(jié)構(gòu)都應(yīng)用在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
應(yīng)注意雖然在圖中轉(zhuǎn)移晶體管的漏極均為硅基片表面的擴散區(qū)結(jié)構(gòu)，然本發(fā)明并不限于此，任何適當(dāng)?shù)穆O結(jié)構(gòu)均可應(yīng)用于本發(fā)明，例如溝槽式(trench)漏極即為一例。
再者，也應(yīng)注意圖中各構(gòu)件部分的形狀、尺寸、和延伸的角度，僅為圖示方便所作的示意表示，其與實際情況或有差異，故不應(yīng)用以限制本發(fā)明。
雖然本發(fā)明已以若干較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種具有電容器的半導(dǎo)體存儲器件包括一基片；一轉(zhuǎn)移晶體管，形成在該基片上，并包括漏極和源極區(qū)；以及一存儲電容器，電連接到該轉(zhuǎn)移晶體管的漏極和源極區(qū)之一上，該存儲電容器包括一類樹干狀導(dǎo)電層，具有一底部，電連接到該轉(zhuǎn)移晶體管的該漏極和源極區(qū)之一上，該類樹干狀導(dǎo)電層又具有向上延伸部，以一大致向上的方向，從該底部延伸出，一類樹枝狀的上導(dǎo)電層，電連接在該類樹干狀導(dǎo)電層上方，至少一類樹枝狀的下導(dǎo)電層，具有一似L形的剖面，該類樹枝狀的下導(dǎo)電層連接到該類樹枝狀的上導(dǎo)電層之下表面上，該類樹干狀導(dǎo)電層、類樹枝狀的上導(dǎo)電層、和類樹枝狀的下導(dǎo)電層構(gòu)成該存儲電容器的一存儲電極，一介電層，形成在該類樹干狀導(dǎo)層、類樹枝狀的上導(dǎo)電層、和類樹枝狀的下導(dǎo)電層暴露出的表面上，以及一上導(dǎo)電層，形成在該介電層上，以構(gòu)成該存儲電容器的一相對電極。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中存儲電容器包括二個大致平行的類樹枝狀下導(dǎo)電層，每一個均具有一似L形的剖面，且均連接到該類樹枝狀的上導(dǎo)電層之下表面上。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中該存儲電容器還包括一第二類樹枝狀導(dǎo)電層，其具有一末端連接在該類樹干狀導(dǎo)電層的外表面上、以及一往外延伸部，以一大致水平的方向從該末端往外延伸出。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中該第二類樹枝狀導(dǎo)電層位于該類樹枝狀的下導(dǎo)電層的下方。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中該類樹枝狀的下導(dǎo)電層具有一似雙L形的剖面。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中該類樹枝狀的上導(dǎo)電層包括一中央部分電連接在該類樹干狀導(dǎo)電層的上表面；以及一往外延伸部從該中央部分往外延伸出。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中該類樹枝狀的下導(dǎo)電層包括一第一延伸部連接到該類樹枝狀的上導(dǎo)電層之下表面上，且大致往下延伸；以及一第二延伸部大致從該第一延伸部往外延伸。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中該類樹枝狀的下導(dǎo)電層包括一內(nèi)表面連接到該類樹干狀導(dǎo)電層的外表面。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中該類樹干狀導(dǎo)電層更包括一向外延伸部，以一大致水平的方向，從該向上延伸部往外延伸出。
10.一種具有電容器的半導(dǎo)體存儲器件包括一基片；一轉(zhuǎn)移晶體管，形成在該基片上，并包括漏極和源極區(qū)；以及一存儲電容器，電連接到該轉(zhuǎn)移晶體管的漏極和源極區(qū)之一上，該存儲電容器包括一類樹干狀導(dǎo)電層，具有一底部，電連接到該轉(zhuǎn)移晶體管的該漏極和源極區(qū)之一上，該類樹干狀導(dǎo)電層又具有一向上延伸部，以一大致向上的方向，從該底部延伸出，一類樹枝狀的上導(dǎo)電層，電連接在該類樹干狀的導(dǎo)電層上方，至少一類樹枝狀的下導(dǎo)電層，包括至少一第一延伸段和一第二延伸段，該第一延伸段的一末端連接到該類樹枝狀的上導(dǎo)電層之下表面上，該第二延伸段以一角度，從該第一延伸段的另一末端延伸出，該類樹干狀導(dǎo)電層、類樹枝狀的上導(dǎo)電層、和類樹枝狀的下導(dǎo)電層構(gòu)成該存儲電容器的一存儲電極。一介電層，形成在該類樹干狀導(dǎo)層、類樹枝狀的上導(dǎo)電層、和類樹枝狀的下導(dǎo)電層暴露出的表面上，以及一上導(dǎo)電層，形成在該介電層上，以構(gòu)成該存儲電容器的一相對電極。
11.如權(quán)利要求10所述之半導(dǎo)體存儲器件，其中該存儲電容器包括二個大致平行的類樹枝狀下導(dǎo)電層，每一個均連接到該類樹枝狀的上導(dǎo)電層之下表面上。
12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中該存儲電容器還包括一第二類樹枝狀導(dǎo)電層，其具有一末端連接在該類樹干狀導(dǎo)電層的外表面上、以及一往外延伸部從該末端往外延伸出。
13.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中該第二類樹枝狀導(dǎo)電層系位在該類樹枝狀的下導(dǎo)電層的下方且大致以水平方向延伸。
14.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中該類樹枝狀的下導(dǎo)電層具有一似雙L形的剖面。
15.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中該類樹枝狀的上導(dǎo)電層包括一中央部分電連接在該類樹干狀導(dǎo)電層的上表面；以及一往外延伸部從該中央部分往外延伸出。
16.如權(quán)利要求15所述的半電體存儲器件，其中該類樹枝狀下導(dǎo)電層的第一延伸段是大致從該類樹枝狀的上導(dǎo)電層往下延伸，且該第二延伸段則大致從該第一延伸部往外延伸。
17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中該類樹枝狀的下導(dǎo)電層還包括一第三延伸段大致從該第二延伸段往下延伸出；以及一第四延伸段大致從該第三延伸往外延伸出。
18.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中該類樹枝狀的下導(dǎo)電層包括一內(nèi)表面連接到該類樹干狀導(dǎo)電層的外表面。
19.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中該類樹干狀導(dǎo)電層包括一向外延伸部，以一大致水平的方向從該向上延伸部往外延伸出。
20.一種具有電容器的半導(dǎo)體存儲器件包括一基片；一轉(zhuǎn)移晶體管，形成在該基片上，并包括漏極和源極區(qū)；以及一存儲電容器，電連接到該轉(zhuǎn)移晶體管的漏極和源極區(qū)之一上，該存儲電容器包括一類樹干狀導(dǎo)電層，具有一底部，電連接到該轉(zhuǎn)移晶體管的該漏極和源極區(qū)之一上，該類樹干狀導(dǎo)電層又具有一柱形延伸部，以一大致向上的方向，從該底部延伸出，一類樹枝狀的上導(dǎo)電層，電連接在該類樹干狀導(dǎo)電層上方，至少一類樹枝狀的下導(dǎo)電層，具有一末端連接到該類樹枝狀的上導(dǎo)電層之下表面上，該類樹枝狀的下導(dǎo)電層又具有一向外延伸部，從該末端往外延伸出，該類樹干狀導(dǎo)電層、類樹枝狀的上導(dǎo)電層、和類樹枝狀的下導(dǎo)電層構(gòu)成該存儲電容器的一存儲電極。一介電層，形成在該類樹干狀導(dǎo)電層、類樹枝狀的上導(dǎo)電層、和類樹枝狀的下導(dǎo)電層暴露出的表面上，以及一上導(dǎo)電層，形成在該介電層上，以構(gòu)成該存儲電容器的一相對電極。
21.如權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中該類樹枝狀下導(dǎo)電層的該向外延伸部具有一多節(jié)彎折形狀的剖面。
22.如權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中該存儲電容器包括多個大致平行延伸的類樹枝狀下導(dǎo)電層，每一個類樹枝狀下導(dǎo)電層的一末端均連接在該類樹枝狀上導(dǎo)電層的下表面上。
23.一種具有電容器的半導(dǎo)體存儲器件包括一基片；一轉(zhuǎn)移晶體管，形成在該基片上，并包括漏極和源極區(qū)；以及一存儲電容器，電連接到該轉(zhuǎn)移晶體管的漏極和源極區(qū)之一上，該存儲電容器包括一類樹干狀導(dǎo)電層，具有一底部，電連接到該轉(zhuǎn)移晶體管的該漏極和源極區(qū)之一上，該類樹干狀導(dǎo)電層又具有一向上延伸部，以一大致向上的方向，從該底部延伸出，至少一類樹枝狀的導(dǎo)電層，包括至少一第一延伸段、一第二延伸段和一第三延伸段，該第一延伸段連接到該類樹干狀的導(dǎo)電層之外表面上，該第二延伸段以一第一角度，從該第一延伸段延伸出，該第三延伸段則以一第二角度，從該第二延伸段延伸出，該類樹干狀導(dǎo)電層和類樹枝狀導(dǎo)電層構(gòu)成該存儲電容器的一存儲電極。一介電層，形成在該類樹干狀導(dǎo)電層和類樹枝狀的導(dǎo)電層暴露出的表面上，以及一上導(dǎo)電層，形成該介電層上，以構(gòu)成該存儲電容器的一相對電極。
24.如權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中該類樹干狀導(dǎo)電層的該向上延伸部包括一中空部分。
25.如權(quán)利要求24所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中該類樹干狀導(dǎo)電層具有一似U形的剖面。
26.如權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中該類樹干狀導(dǎo)電層包括一下樹桿部電連接到該轉(zhuǎn)移晶體管的該漏極和源極區(qū)之一上；以及一上樹桿部從該下樹桿部的上表面延伸出，且具有一似T形的剖面。
27.如權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中該類樹枝狀導(dǎo)電層是連接在該上樹枝部的外表面上。
28.如權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中該類樹干導(dǎo)電層包括一下樹桿部電連接到該轉(zhuǎn)移晶體管的該漏極和源極區(qū)之一上；以及一上樹桿部從該下樹桿部的上表面延伸出，且具有一似中空狀的剖面。
29.如權(quán)利要求28所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中該類樹枝狀導(dǎo)電層是連接在該上樹桿部的外表面上。
30.如權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中該類樹干狀導(dǎo)電層具有一似T形的剖面。
31.如權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中該第一延伸段大致從該類樹干狀導(dǎo)電層之外表面往外延伸出，該第二延伸段大致從該第一延伸段往下延伸出，該第三延伸段則大致從該第二延伸段往外延伸出。
全文摘要
具有電容器的半導(dǎo)體存儲器件包括:基片;轉(zhuǎn)移晶體管形成在基片上;存儲電容器連接到轉(zhuǎn)移晶體管漏極上。存儲電容器包括柱狀類樹干狀導(dǎo)電層,到轉(zhuǎn)移晶體管漏極度區(qū)上。類樹枝狀的上導(dǎo)電層在類樹干狀導(dǎo)電層上方。類樹枝狀的下導(dǎo)電層連到類樹枝狀的上導(dǎo)電層下表面上。類樹干狀導(dǎo)電層、類樹枝狀的上導(dǎo)電層、和類樹枝狀的下導(dǎo)電層構(gòu)成存儲電容器的存儲電極。一上導(dǎo)電層形成在一介電層上,以構(gòu)成存儲電容器的一相對電極。
文檔編號G11C11/34GK1177837SQ9611287
公開日1998年4月1日 申請日期1996年9月26日 優(yōu)先權(quán)日1996年9月26日
發(fā)明者趙芳慶 申請人:聯(lián)華電子股份有限公司