專利名稱：磁頭滑塊和沒有磁頭滑塊的磁盤裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般地涉及具有磁頭的滑塊和設(shè)有滑塊的磁盤裝置，更具體地說(shuō)涉及在磁盤裝置開動(dòng)時(shí)浮起在磁記錄介質(zhì)表面之上的滑塊和設(shè)有滑塊的磁盤裝置。
按照接觸開始一停止(CSS)法操作的磁盤曾被廣泛采用，其中用到浮動(dòng)式磁頭。在CSS法中，當(dāng)磁盤裝置停止時(shí)具有磁頭的滑塊被放置在磁盤表面的CSS區(qū)域上，而當(dāng)磁盤裝置開動(dòng)時(shí)滑塊浮起在磁盤表面之上。通常，有一讀寫磁頭連結(jié)在滑塊上，滑塊被一懸臂支承著并隨著懸臂的移動(dòng)而在磁盤上移動(dòng)。
在開動(dòng)時(shí)具有磁頭的滑塊之所以能在磁盤表面之上浮起是因?yàn)楫?dāng)磁盤轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)在磁盤表面上有氣流發(fā)生，根據(jù)動(dòng)態(tài)空氣軸承的原理，所以磁頭滑塊能浮起。
在上述磁盤裝置中，裝置的尺寸正在逐漸變小，并且信息能以高密度記錄在磁盤上。因此滑塊的揚(yáng)起高度亦逐漸降低。但當(dāng)滑塊的揚(yáng)起高度降低時(shí)便會(huì)發(fā)生滑塊與磁盤表面上微小凸出物接觸以致受損的缺點(diǎn)。為了防止這個(gè)缺點(diǎn)，磁盤表面的粗糙度被降低以便防止滑塊與磁盤接觸。
但當(dāng)磁盤的表面粗糙度被降低時(shí)，由于在CSS區(qū)域內(nèi)滑塊與磁盤之間的接觸面積被擴(kuò)大，滑塊容易粘附在磁盤上。在這種情況下，又有另外一個(gè)缺點(diǎn)，即當(dāng)開始轉(zhuǎn)動(dòng)磁盤時(shí)，轉(zhuǎn)動(dòng)磁盤所需的電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)矩須增加并且支承磁頭的懸臂容易被損壞。
為了減少滑塊的粘附在磁盤上，在滑塊面向磁盤的空氣支承面(今后亦被稱為浮動(dòng)平面或軌道平面)上沒有多個(gè)墊片(今后亦被稱為凸部)借以減少滑塊和磁盤之間的接觸面積。這種技術(shù)，例如已在“未審定日本專利申請(qǐng)公報(bào)”563-37874號(hào)(1988)中被公開。
但在軌道平面上設(shè)有墊片的情況下，HGA(磁頭一萬(wàn)向接頭的組合件)的載荷就施加在墊片上，因此又有另外一個(gè)缺點(diǎn)，即由于墊片和磁盤之間的摩擦力，墊片容易損壞。而且還有另外一個(gè)缺點(diǎn)，即墊片阻礙磁頭不讓它靠近磁盤表面設(shè)置。
本發(fā)明的目的是要在適當(dāng)考慮這種傳統(tǒng)的設(shè)有墊片的磁頭滑塊和傳統(tǒng)的設(shè)有磁頭滑塊的磁盤裝置的上述缺點(diǎn)后提供一種具有磁頭的滑塊，其中在磁盤上的粘附被抑制，墊片在CSS(接觸開始-停止)區(qū)的磨損被抑制，并且在開動(dòng)時(shí)與磁盤的接觸也能可靠地防止。另外還要提供一種設(shè)有這種滑塊的磁盤裝置。
在本發(fā)明中，設(shè)在具有磁頭的滑塊的軌道平面上的墊片高度被設(shè)定在20到50nm的范圍內(nèi)。當(dāng)墊片高度被設(shè)定在該范圍內(nèi)時(shí)，考慮到覆蓋在磁盤表面(或磁記錄介質(zhì)表面)上的潤(rùn)滑劑的厚度和磁盤表面的粗糙度，在滑塊和磁盤之間的摩擦系數(shù)可降低到所希望的數(shù)值。
而且，當(dāng)有一墊片設(shè)在滑塊的一個(gè)側(cè)部的第一軌道平面上，而另一墊片設(shè)在滑塊另一個(gè)側(cè)部的第二軌道平面上時(shí)，從設(shè)在第一軌道平面上的墊片到第一軌道平面后端(或空氣流出端)的距離被設(shè)定為不同于從設(shè)在第二軌道平面上的墊片到第二軌道平面的空氣流出端的距離。因此當(dāng)滑塊浮起在磁盤之上同時(shí)又在垂直于磁盤旋轉(zhuǎn)方向的側(cè)向上傾斜時(shí)，在從設(shè)在第一(或第二)軌道平面的墊片到第一(或第二)軌道平面的空氣流出端的距離短于從設(shè)在第二(或第一)軌道平面上的墊片到第二(或第一)軌道平面的空氣流出端的距離的條件下，設(shè)在第一(或第二)軌道平面上的墊片離開磁盤的揚(yáng)起高度將低于設(shè)在第二(或第一)軌道平面上的墊片的揚(yáng)起高度，從而可防止第一(或第二)軌道平面的墊片與磁盤表面的接觸。在這種情況下，為了穩(wěn)定地將滑塊放置在磁盤上，最好使離開磁盤的揚(yáng)起高度比第一(或第二)軌道平面高的第二(或第一)軌道平面的墊片更靠近第二(或第一)軌道平面的空氣流出端。
而且，當(dāng)磁盤以定速旋轉(zhuǎn)時(shí)，磁盤在一特定位置上的圓周速率會(huì)隨著該特定位置遠(yuǎn)離磁盤旋轉(zhuǎn)中心的距離的增加而變高，所以隨著滑塊的遠(yuǎn)離磁盤的旋轉(zhuǎn)中心，在滑塊下而在磁盤表面上發(fā)生的氣流的速率也會(huì)變高。因此，由于滑塊在其前端(或空氣流入端)的揚(yáng)起高度隨著滑塊的遠(yuǎn)離磁盤的旋轉(zhuǎn)中心也會(huì)增加，設(shè)有第二(或第一)軌道平面上更為靠近其空氣流出端的墊片與磁盤表面接觸的可能性便會(huì)顯著減少。
因此在本發(fā)明中，滑塊的外形是根據(jù)這樣的條件來(lái)確定的，即隨著滑塊的遠(yuǎn)離磁盤的旋轉(zhuǎn)中心，使設(shè)有連結(jié)上任何讀寫操作用的磁頭(今后被稱為電磁轉(zhuǎn)換器件)的一個(gè)軌道平面的揚(yáng)起高度降低。作為滑塊外形的一個(gè)例子，每一軌道平面靠近電磁轉(zhuǎn)換器件的部分的軌道平面的寬度應(yīng)設(shè)定得比每一軌道平面遠(yuǎn)離電磁轉(zhuǎn)換器件的部分窄。
而且，設(shè)在軌道平面上的每一墊片的寬度取決于每一軌道平面的寬度。因此，當(dāng)每一墊片在軌道平面的長(zhǎng)度方向上延伸以便充分地?cái)U(kuò)大每一墊片的大小時(shí)，在每一墊片與磁盤表面之間的接觸面積便可充分地?cái)U(kuò)大而可防止墊片的磨損。
而且在本發(fā)明中，從連結(jié)在滑塊上的電磁轉(zhuǎn)換器件的揚(yáng)起高度減去設(shè)在滑塊上的凸部(或墊片)的揚(yáng)起高度所得到的值被設(shè)定為從磁盤外周的負(fù)值變化到磁盤內(nèi)周的正值。這樣，滑塊的凸部便可在電磁轉(zhuǎn)換器件與磁盤接觸之前優(yōu)先地在磁盤的內(nèi)周與磁盤接觸，因此可以防止電磁轉(zhuǎn)換器件與磁盤的接觸。
下面對(duì)附圖進(jìn)行簡(jiǎn)要說(shuō)明

圖1A為按照本發(fā)明的第一實(shí)施例的一塊用來(lái)制成一個(gè)具有磁頭的滑塊的晶片的斜視圖；圖1B為分割圖1所示的晶片得出的條狀體的斜視圖；圖1C為沿圖1B的I-I切取的剖視圖，示出具有多層結(jié)構(gòu)的一連串薄膜在條狀體的表面上形成的情況；圖2為一斜視圖示出有多根圖1B所示的條狀體被設(shè)置在夾持器內(nèi)的情況；圖3A到3H為側(cè)視圖示出按照本發(fā)明的第一實(shí)施例的具有磁頭的滑塊的圖案形成過(guò)程；圖4A為按照本發(fā)明的第一實(shí)施例的具有磁頭的滑塊的頂視圖；圖4B為圖4A中沿II-II線切取的剖視圖；圖5示出按照本發(fā)明的第一實(shí)施例的具有磁頭的滑塊的墊片高度與磁盤表面上摩擦系數(shù)兩者之間的關(guān)系；圖6A和6B為剖視圖示出按照本發(fā)明的第一實(shí)施例的在晶片和具有磁頭的滑塊之間的另一個(gè)層結(jié)構(gòu)；圖7為按照本發(fā)明的第一實(shí)施例的裝著具有磁頭的滑塊的磁盤裝置的內(nèi)部平面視圖；圖8A和8B為按照本發(fā)明的第二實(shí)施例的具有磁關(guān)的滑塊的平面視圖；圖9A為按照本發(fā)明的第三實(shí)施例的具有磁頭的滑塊的平面視圖；圖9B為一側(cè)視圖示出圖9A所示的磁頭滑塊的浮動(dòng)狀態(tài)；圖9C為一前視圖示在圖9A所示的磁頭滑塊的浮動(dòng)狀態(tài)；圖10示出按照本發(fā)明第四實(shí)施例的磁頭滑塊的揚(yáng)起高度與滑塊在磁盤徑向上的位置兩者之間的關(guān)系；圖11示出當(dāng)滑塊被彎曲或扭曲時(shí)與磁盤接觸的磁頭滑塊的接觸情況；圖12A和12B為按照本發(fā)明的第五實(shí)施例的具有磁頭的滑塊的平面視圖；圖13A為按照本發(fā)明的第六實(shí)施例的具有磁頭的滑塊的平面視圖；圖13B為按照本發(fā)明的第六實(shí)施例的磁頭滑塊的側(cè)視圖；圖14A為一側(cè)視圖示出按照本發(fā)明的第六實(shí)施例的磁頭滑塊的浮動(dòng)狀態(tài)；圖14B示出磁頭滑塊對(duì)磁盤的相對(duì)速度與磁頭滑塊的揚(yáng)起高度兩者之間的關(guān)系；圖15A為按照本發(fā)明第六實(shí)施例的修改型的具有磁頭的滑塊的平面視圖；及圖15B為按照本發(fā)明第六實(shí)施例的修改型的具有磁頭的滑塊的側(cè)視圖。
按照本發(fā)明的具有磁頭的滑塊和設(shè)有滑塊的磁盤裝置的較優(yōu)實(shí)施例將結(jié)合附圖予以說(shuō)明。(第一實(shí)施例)現(xiàn)在說(shuō)明按照本發(fā)明的第一實(shí)施例的有磁頭連結(jié)在其上的滑塊的制造過(guò)程。
如圖1A所示，首先在由氧化鋁碳化鈦(Al2O3TiC)、鐵氧體或鈦酸鈣制成的晶片的主平面上沿縱向和橫向形成許多電磁轉(zhuǎn)換器件2。每一電磁轉(zhuǎn)換器件2，舉例說(shuō)，為一磁阻效應(yīng)器件或電感器件。
隨后用一小切割鋸沿著圖1A中的虛線將晶片1切開，便可得到多個(gè)條狀體3，每一條狀體都具有多個(gè)排列成一行的電磁轉(zhuǎn)換器件2。由于在后面的過(guò)程內(nèi)，每一條狀體3還要分割成多個(gè)各自具有一個(gè)磁頭的滑塊，因此在每一個(gè)滑塊的空氣流入端預(yù)先制出一個(gè)斜度。在這種情況下，每一滑塊的浮動(dòng)平面3a被設(shè)置在每一條狀體3的一側(cè)，其上暴露著電磁轉(zhuǎn)換器件2的一個(gè)磁極。
隨后，如圖1C所示，應(yīng)用薄膜形成技術(shù)如陰極濺鍍、化學(xué)氣相沉積或氣相沉積在每一條狀體3的浮動(dòng)平面3a和電磁轉(zhuǎn)換器件2上形成一個(gè)厚度為5nm的中間薄膜4。隨后，再用薄膜形成技術(shù)如陰極濺鍍、化學(xué)氣相沉積或汽相沉積在中間薄膜4上形成一層由類似金剛石的碳(今后被稱為DLC)制成的厚度為10nm的保護(hù)膜5。保持膜5用來(lái)保護(hù)浮動(dòng)平面3a和電磁轉(zhuǎn)換器件2。而中間薄膜4用來(lái)改善條狀體3在保護(hù)膜5上的粘附。因此，當(dāng)條狀體在保護(hù)膜5上的粘附良好時(shí)，中間薄膜4可不需要。
隨后，一個(gè)厚度為2到5nm的硅膜6和一個(gè)厚度為20到50nm的DLC膜7依次添加在保護(hù)膜5上。在后面的過(guò)程中，DLC膜將形成圖案并制出多個(gè)墊片。而當(dāng)DLC膜7被形成圖案時(shí)硅膜的作用是作為腐蝕阻擋膜使用。
隨后，如圖2所示，多根條狀體3被放置并固定在夾持器8上。在這種情況下，每一條狀體3的其上排列著多個(gè)電磁轉(zhuǎn)換器件2的表面被指向側(cè)邊的方向，而每一滑塊的服動(dòng)平面3a被指向上面的方向。夾持器8的內(nèi)部結(jié)構(gòu)可阻止條狀體3的自由移動(dòng)。而從中間薄膜4到DLC膜7的多層結(jié)構(gòu)在圖2中被省略以便使條狀體3在夾持體8內(nèi)的布置清晰。
隨后，如圖3A所示，用“薄層鋪覆器”(薄層鋪覆工具)將第一薄膜抗蝕層鋪覆在DLC膜7上。隨后，第一薄膜抗蝕層9被曝光并顯像，這樣第一薄膜抗蝕層9就被留在墊片形成區(qū)如圖3B所示。形成圖案的第一薄膜抗蝕層9的平面形狀并不限于圓形、橢圓形或拋物線形，只要滑塊在空氣中浮起時(shí)氣流不被形成圖案的第一薄膜抗蝕層9干擾即可。形成圖案的第一薄膜抗蝕層9被用作第一掩膜。標(biāo)號(hào)10指出薄層鋪覆器的一個(gè)滾輪。
隨后，排列在夾持器8內(nèi)的條狀體3被放入到一個(gè)起反應(yīng)的離子侵蝕(RIE)裝置內(nèi)，DLC膜7上未被形成圖案的第一薄膜抗蝕層9覆蓋的部分就被RIE裝置內(nèi)發(fā)生的氧等離子體侵蝕掉。因此，DLC膜7上就形成圖案，并在多層4、5和6上形成多個(gè)墊片7a如圖3C所示。每一墊片的高度等于DLC膜7的薄膜厚度。
在這個(gè)形成圖案的過(guò)程中，由于硅膜6被氧等離子體侵蝕時(shí)侵蝕速率極低或?yàn)榱?，因此DLC膜7的侵蝕易于被控制。而且，設(shè)置在硅膜6下面的保護(hù)膜5不被侵蝕，致使浮動(dòng)平面3和電磁轉(zhuǎn)換器件2都被保護(hù)膜5覆蓋著。在這種情況下，最好能控制侵蝕時(shí)間。而且，最好侵蝕操作完成的時(shí)間能根據(jù)侵蝕操作中發(fā)生的等離子體光的波長(zhǎng)的變化來(lái)斷定。
隨后，如圖3D所示，再一次使用薄層鋪覆器將第二薄膜抗蝕層鋪覆在每一條狀體3上，這樣硅膜6和墊片7a就都被第二薄膜抗蝕層11覆蓋著。
隨后，第二薄膜抗蝕層被曝光并顯像，并且如圖3E所示，部分浮動(dòng)平面3a被去除，而形成軌道形的浮動(dòng)平面3a的其他部分被保留。因?yàn)槊恳浑姶呸D(zhuǎn)換器件2都在浮動(dòng)平面3a的一個(gè)軌道狀區(qū)的鄰近，所以電磁轉(zhuǎn)換器件2也被第二薄膜抗蝕層11覆蓋著。
因此，在每一條狀體3上有多個(gè)部分分別被用作一個(gè)滑塊的負(fù)區(qū)，還有多個(gè)部分分別被用作滑塊之間的界區(qū)，這些部分沒有被第二薄膜抗蝕層覆蓋。
隨后，形成帶狀的第二薄膜抗蝕層11被用作第二掩模，硅膜6、保護(hù)膜5、中間薄膜4和條狀體3都被用離子銑侵蝕，這樣就形成多個(gè)凹部12。因此，如圖3F所示，在每一個(gè)滑塊的一個(gè)負(fù)區(qū)和每一個(gè)滑塊間的周邊區(qū)內(nèi)安排有一個(gè)凹部12。
隨后，如圖3G所示，用丙酮將第一和第二薄膜抗蝕層9和11沖洗并去除。當(dāng)?shù)谝槐∧た刮g層9在此之前沒有被去除，那么抗蝕層的沖洗就可一次完成，這樣滑塊的生產(chǎn)率就可不致減少。
隨后，每一條狀體3的在其滑塊間的每一個(gè)邊界部被切開，便可從每一個(gè)條狀體3上得到多個(gè)滑塊13。其中一個(gè)滑塊13在圖3H中示出。
作為一個(gè)例子，用上述過(guò)程制出的帶磁頭的滑塊有一如圖4A所示的底部形狀。在圖4A中的標(biāo)號(hào)3a為帶斜度的平面。
在該滑塊13中，各自形成軌道狀的第一浮動(dòng)區(qū)3a1和第二浮動(dòng)區(qū)3a2被分開安排在底面的兩側(cè)，并且每一浮動(dòng)區(qū)3a1和3a2都是在中部收縮。因此，當(dāng)磁盤旋轉(zhuǎn)時(shí)便產(chǎn)生一個(gè)浮動(dòng)力將放置在磁盤上的滑塊浮起使它升入空中。另外，還有一個(gè)形成島狀的第三浮動(dòng)區(qū)3a3被安排在浮動(dòng)區(qū)3a1和3a2之間靠近空氣流入端。每一浮動(dòng)區(qū)如3a1、3a2和3a3都被稱為軌道平面。
而且，被第一、第二和第三浮動(dòng)區(qū)3a1、3a2和3a3圍繞的凹部12為負(fù)區(qū)。
由于當(dāng)滑塊浮起時(shí)，負(fù)區(qū)被設(shè)定在負(fù)壓下，因此當(dāng)滑塊浮起時(shí)滑塊13在其后端(或空氣流出端)的揚(yáng)起高度低于在其前端或空氣流入端的揚(yáng)起高度。
另外，至少要各有一個(gè)墊片7a安排在第一和第二軌道平面3a1和3a2的后端附近，和一個(gè)墊片7a安排在第三軌道平面3a3上。每一個(gè)墊片7a的高度都被制成20到50nm，情況如下。
在圖5中，當(dāng)墊片7a的高度小于25nm時(shí)，在墊片7a和磁盤14表面之間的摩擦系數(shù)將增加，因此有可能電動(dòng)機(jī)的軸會(huì)轉(zhuǎn)不動(dòng)。因此，小于25nm的墊片高度是不可取的。而且，當(dāng)安排在第一和第二軌道平面3a1和3a2的空氣流出端附近的墊片7a及緊靠電磁轉(zhuǎn)換器件2設(shè)置的墊片7a的高度超過(guò)50nm時(shí)，前兩墊片7a的揚(yáng)起高度會(huì)低于后一墊片的揚(yáng)起高度，致使該兩墊片容易與磁盤14表面的微小凸出物接觸。因此，墊片7a的高度超過(guò)50nm也是不可取的。
如圖5所示，當(dāng)墊片高度為25nm時(shí)摩擦系數(shù)就比較低了，約為3。而摩擦系數(shù)等于或小于1是我們所希望的，這需要將墊片高度設(shè)定到等于或大于27nm才能做到。但當(dāng)磁盤14的表面粗糙度和覆蓋在磁盤14上的潤(rùn)滑劑的薄膜厚度被設(shè)定在合適的數(shù)值時(shí)，可將摩擦系數(shù)設(shè)定到小于1的數(shù)值的墊片高度的下限為20nm。
墊片7a是在DLC膜7形成圖案時(shí)得到的，在其上安排著墊片7a的軌道平面3a并不與磁盤14接觸。因此，如圖6A所示，可安排單層的硅膜、碳化硅膜或氧化硅膜作為保護(hù)膜5來(lái)覆蓋軌道平面3和電磁轉(zhuǎn)換器件2。這樣，硅膜、碳化硅膜或氧化硅膜就可起到一定的作用來(lái)改善構(gòu)成墊片7a的DLC膜7在晶片1上的粘附，這時(shí)硅膜6和中間薄膜4可被省略。
在這種薄膜結(jié)構(gòu)中，如圖6B所示，軌道平面3a被一層由硅、碳化硅或氧化硅制成的保護(hù)膜5a覆蓋，而由DLC膜7制成的墊片7a則被安排在保護(hù)膜5a上。硅膜、碳化硅膜或氧化硅膜的薄膜厚度，舉例說(shuō)，被設(shè)定為約5nm。這樣，由于在墊片7a和軌道平面3a之間只有一層薄膜，形成薄膜的時(shí)間便可縮短，滑塊的生產(chǎn)率便可提高。
如圖7所示，其上裝著電磁轉(zhuǎn)換元件2的滑塊13被連結(jié)到磁盤裝置15內(nèi)的一個(gè)懸臂(或彈簧臂)16的頂端，并且滑塊13是通過(guò)懸臂的操作而在磁盤14之上運(yùn)動(dòng)的。(第二實(shí)施例)在第一實(shí)施例的方法中，采用薄層鋪覆器鋪覆兩個(gè)薄膜抗蝕層，這時(shí)墊片7a的直徑的上限便受到軌道平面3a的寬度的限制。當(dāng)由于墊片7a直徑的縮小致使墊片7a的面積縮小時(shí)，墊片7a很快便會(huì)由于磁盤14和墊片7a之間的摩擦而被磨損。
為了擴(kuò)大墊片7a的面積，如圖8A和8B所示，最好將沿著第一或第二軌道平面3a1或3a2的縱長(zhǎng)方向延長(zhǎng)的墊片7b和7c安排在第一或第二軌道平面3a1或3a2上。在圖8A中，一個(gè)放寬的墊片7b被安排在第二軌道平面3a2后端的附近而遠(yuǎn)離電磁轉(zhuǎn)換器件2。在圖8B中，一對(duì)放寬的墊片7b和7c被安排在第一和第二軌道平面3a1和3a2后端的附近。而且，在第一和第二軌道平面3a1和3a2前端的附近還各安排一個(gè)墊片7d。
從滑塊13的后端到墊片7b或7c的距離與在第一實(shí)施例中的那個(gè)距離不同，關(guān)于這個(gè)距離的細(xì)節(jié)將在下面按照下一實(shí)施例來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。(第三實(shí)施例)當(dāng)按照第一實(shí)施例的滑塊浮起到空中時(shí)，為了使電磁轉(zhuǎn)換器件2接近磁盤14，可采用具有下列結(jié)構(gòu)的滑塊。圖9A到9C示出一個(gè)按照第三實(shí)施例的滑塊和該滑塊浮起到空中的情況。圖9A中所示的構(gòu)造零件如與圖4所示零件相同則用與圖4相同的標(biāo)號(hào)指出。
當(dāng)圖9A所示的滑塊20浮起到空中時(shí)，如圖9B所示，滑塊20在其后端的揚(yáng)起高度低于在其前端的揚(yáng)起高度。在這種情況下，如圖9C所示，當(dāng)滑塊20的外形這樣設(shè)定，使靠近電磁轉(zhuǎn)換器件2的第一軌道平面21的揚(yáng)起高度低于遠(yuǎn)離電磁轉(zhuǎn)換器件2的第二軌道平面22的揚(yáng)起高度，這樣滑塊20在第一軌道平面21后端的揚(yáng)起高度便成為最低的。因此，即使裝在第一軌道平面后端的電磁轉(zhuǎn)換器件2緊密地接近磁盤14，也可防止軌道平面21或22與磁盤14的表面接觸。因此，該滑塊20的外形可適于讀寫以高密度記錄的信息。
為了使第一軌道平面21上的滑塊20的揚(yáng)起高度與第二軌道平面22上的滑塊20的揚(yáng)起高度不同，該滑塊20的外形是按照這樣一個(gè)條件確定的，即從第一軌道平面21的中部到后端的區(qū)域的寬度小于第二軌道平面22的相應(yīng)寬度。在這種外形下，由于第一軌道平面21的揚(yáng)起高度比第二軌道平面22大，安排在第二軌道平面22上的墊片7a和7b與磁盤14接觸的可能性便可減少。但由于有一特殊區(qū)域被放置在第一軌道平面21的后端而緊密地接近磁盤14，需要防止安排在該特殊區(qū)域鄰近的墊片7e與磁盤14的表面14接觸。
為了防止墊片7e與磁盤14的表面接觸，有一個(gè)想法是降低墊片7e的高度。但正如在第一實(shí)施例中說(shuō)明過(guò)的，將墊片7e的高度設(shè)定為一個(gè)小于20nm的值是不可取的。因此，如圖9A所示，當(dāng)從安排在第一軌道平面21上的墊片7e到第一軌道平面21的后端的距離被設(shè)定為長(zhǎng)于從安排在第二軌道平面22上的墊片7a到第二軌道平面22的后端的距離時(shí)，即使第一軌道平面21的后端緊密地接近磁盤14，安排在第一軌道平面21上的墊片7e與磁盤14的表面的接觸也可防止。在這種情況下，墊片7a、7b、7d和7e的安排是按照這樣一個(gè)條件確定的，即當(dāng)磁盤14不轉(zhuǎn)時(shí)，滑塊20可穩(wěn)定地放置在磁盤14的表面上。因此，即使從墊片7e到第一軌道平面21后端的距離比從墊片7a到第二軌道平面22后端的距離大，任何容易發(fā)生的故障還是可以防止的。
從而當(dāng)磁盤14旋轉(zhuǎn)時(shí)能夠防止滑塊20與磁盤14的表面發(fā)生任何接觸。(第四實(shí)施例)滑塊兩側(cè)的揚(yáng)起高度隨著從滑塊所在的位置到磁盤14的旋轉(zhuǎn)中心的距離而變。這是因?yàn)?，即使磁盤以定速旋轉(zhuǎn)，磁盤14在某一特定位置上的圓周速率卻是隨著從磁盤14的旋轉(zhuǎn)中心到該特定位置的距離而變的。
而且，當(dāng)滑塊接近磁盤的外周時(shí)，由于滑塊在其前端(或空氣流入端)的揚(yáng)起高度已經(jīng)被提高，因此滑塊的后端(或空氣流出端)與磁盤接觸的可能性便會(huì)顯著減小。從而，如圖10所示，具有特殊浮動(dòng)特征的滑塊可被應(yīng)用，其特征是，滑塊在第一軌道平面21的空氣流出端的揚(yáng)起高度幾乎與它在第二軌道平面22的空氣流出端的揚(yáng)起高度相同。
那就是，如圖9B和9C所示，滑塊20的外形按照這樣的條件設(shè)計(jì)，好當(dāng)骨塊20接近磁盤14的旋轉(zhuǎn)中心時(shí)，滑塊20在第一軌道平面21上靠近電磁轉(zhuǎn)換器件2的后端的揚(yáng)起高度小于它在第二軌道平面22上遠(yuǎn)離電磁轉(zhuǎn)換器件2的后端的揚(yáng)起高度。而且，當(dāng)滑塊20遠(yuǎn)離磁盤14的旋轉(zhuǎn)中心時(shí)，滑塊20在第二軌道平面22的后端的揚(yáng)起高度被降低并接近滑塊20在第一軌道平面上后端的揚(yáng)起高度。
在設(shè)計(jì)滑塊20的外形時(shí)為了滿足上述條件，第一軌道平面21被安排在滑塊20的相對(duì)于磁盤14的旋轉(zhuǎn)中心的外側(cè)，而第二軌道平面22則被安排在滑塊20的內(nèi)側(cè)，第一軌道平面21的一個(gè)部分的第一寬度被設(shè)定為小于第二軌道平面22相應(yīng)部分的寬度，并且第一寬度對(duì)第二寬度的比率被調(diào)節(jié)好。這樣便可得到滿足上述條件的滑塊20的外形設(shè)計(jì)。具體地說(shuō)，第一軌道平面21的一部分與滑塊20后端離開的距離被設(shè)定為小于第二軌道平面22的一部分的相應(yīng)距離。
當(dāng)滑塊20被設(shè)計(jì)成滿足圖10所示的浮動(dòng)特征而滑塊20浮起到空中時(shí)，滑塊20的滾動(dòng)可被防止，滑塊20能穩(wěn)定地浮起到空中，電磁轉(zhuǎn)換器件2的揚(yáng)起高度可維持在一低值。(第五實(shí)施例)
當(dāng)磁頭滑塊縮小時(shí)，在滑塊制造過(guò)程中發(fā)生在滑塊內(nèi)的翹曲和扭曲不可被忽視。例如當(dāng)圖4所示的滑塊13的翹曲度為15nm，扭曲度為1.5nm而墊片7a的高度為30nm如圖11所示時(shí)，除了其上的墊片7a設(shè)在滑塊13的空氣流入端附近的軌道平面3a3以外，軌道平面3a1和3a2都很容易和磁盤14的表面接觸。由于軌道平面3a1和3a2與磁盤14表面的接觸和對(duì)磁盤14的粘附不時(shí)發(fā)生并增多，需要設(shè)法防止軌道平面3a1和3a2與磁盤14的接觸。
為了防止這種接觸，如圖12A所示，不僅在第三軌道平面3a3上將墊片7a設(shè)在滑塊13的空氣流入端附近，而且還在第一和第二軌道平面3a1和3a2上將一對(duì)墊片23設(shè)在滑塊13的前端(或空氣流入端)附近。當(dāng)在滑塊13的前端設(shè)有墊片23而磁盤14不轉(zhuǎn)時(shí)，由于滑塊13被四個(gè)或更多的墊片支承在磁盤14上，即使在滑塊13內(nèi)發(fā)生翹曲或扭曲，軌道平面3a1和3a2與磁盤14表面的接觸在磁盤14不轉(zhuǎn)的情況下亦可防止。
而且，在滑塊的制造過(guò)程中當(dāng)發(fā)生在滑塊13內(nèi)的翹曲度或扭曲度變大時(shí)可以擴(kuò)寬每一個(gè)墊片23的面積。在這種情況下，墊片23便能容易地與磁盤14接觸。
另外，即使在滑塊13內(nèi)發(fā)生翹曲或扭曲，由于有多個(gè)墊片例如為四個(gè)或更多的設(shè)在CSS區(qū)內(nèi)的墊片7a和23沒有與磁盤14接觸，因此具有能防止多個(gè)墊片粘附到磁盤14上的優(yōu)點(diǎn)。
但安排在第一和第二軌道平面3a1和3a2上的多個(gè)墊片7a和23都通過(guò)磁盤14的CSS區(qū)域內(nèi)的同一路線，存在著下列缺點(diǎn)。即設(shè)在滑塊13前端附近的墊片23在通過(guò)一條路線后將敷在磁盤14上的潤(rùn)滑劑推向一側(cè)，而設(shè)在滑塊13后端(或空氣流出端)附近的墊片7a又通過(guò)潤(rùn)滑劑已被推向一介的同一路線。因此，由于沒有將潤(rùn)滑效果賦予設(shè)在滑塊13后端附近的墊片7a，墊片7a容易被磁盤14磨損。
為了防止這個(gè)缺點(diǎn)，如圖12B所示，在考慮到滑塊13的偏滑角以后將多個(gè)墊片7a和23這樣設(shè)置在第一和第二軌道平面3a1和3a2上使墊片7a和23通過(guò)磁盤14的CSS區(qū)域內(nèi)的不同路線。(第六實(shí)施例)
在具有浮動(dòng)式滑塊的磁盤裝置中，上述墊片被安排在滑塊上以便防止滑塊的粘附在磁盤14的表面上。但缺點(diǎn)是當(dāng)滑塊的揚(yáng)起高度被降低而將磁盤14的表面粗糙度減小以便防止滑塊與磁盤表面的微小凸出物接觸時(shí)，墊片常易粘附在磁盤14的表面上。因此，下面將說(shuō)明滑塊的外形應(yīng)這樣確定，使電磁轉(zhuǎn)換器件2與磁盤14表面的接觸得以防止而可不需減小磁盤14的表面粗糙度。
圖13A為按照本發(fā)明的第六實(shí)施例的帶磁頭的滑塊的平面圖，圖13B為其側(cè)視圖，圖14A為按照本發(fā)明的第六實(shí)施例的磁頭滑塊的浮動(dòng)狀態(tài)的側(cè)視圖，而圖14B則示出磁頭滑塊對(duì)磁盤的相對(duì)速度與磁頭滑塊的揚(yáng)起高度之間的關(guān)系。
第一導(dǎo)軌平面31和第二軌道平面32被安排到滑塊30的兩側(cè)以便與磁盤14對(duì)置。有一對(duì)傾斜平面31a和32a被安排在第一和第二軌道平面31和32的前端(或空氣流入端)附近，還有一對(duì)墊片33和34則被安排在第一和第二軌道平面31和32的后端(或空氣流出端)附近。而且有一電磁轉(zhuǎn)換器件35被安排在第一軌道平面31的后端?；瑝K30被連結(jié)在圖7所示磁盤裝置內(nèi)的懸臂16的頂端，而滑塊30是通過(guò)一股由于磁盤旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的空氣流才被升起的。
由于傾斜平面31a和32a被安排在第一和第二軌道平面31和32的前端，如圖14A所示，隨著第一和第二軌道平面31和32對(duì)磁盤14的相對(duì)速度V的增加，滑塊30便進(jìn)入浮動(dòng)狀態(tài)，滑塊30在其前端的揚(yáng)起高度便開始大于滑塊30在其后端的揚(yáng)起高度。即隨著相對(duì)速度V的增加，第一和第二軌道平面31和32的傾斜角(或傾角)θ也就增加。
而且，由于以定速旋轉(zhuǎn)的磁盤14在其特定位置上的圓周速率是隨著從磁盤14的旋轉(zhuǎn)中心到該特定位置的距離的增加而提高的。因此，隨著滑塊30的向著磁盤14的外側(cè)的移動(dòng)，滑塊30的第一和第二軌道平面31和32的傾角便會(huì)增加。而且，隨著傾角θ的增加，電磁轉(zhuǎn)換器件35從磁盤14離開的揚(yáng)起高度Ht會(huì)增加，被安排在第一和第二軌道平面31和32的后端的墊片33和34的揚(yáng)起高度HP也會(huì)增加。
在這種情況下，與揚(yáng)起高度HP相比，電磁轉(zhuǎn)換器件35的揚(yáng)起高度Ht是隨著相對(duì)速度V的增加而緩慢地增加的。這里，雖然滑塊30一般是這樣設(shè)計(jì)的，使電磁轉(zhuǎn)換器件35在即使相對(duì)速度會(huì)發(fā)生變動(dòng)的情況下也使其揚(yáng)起高度Ht維持在一定值，但實(shí)際上如圖14B所示，電磁轉(zhuǎn)換器件35的揚(yáng)起高度Ht是隨著相對(duì)速度V的增加而稍有增加的。而且，由于墊片33和34的位置比電磁轉(zhuǎn)換器件35更接近滑塊30的前端，因此墊片33和34的揚(yáng)起高度Hp要比揚(yáng)起高度Ht增加得更快。
如上所述，當(dāng)滑塊的設(shè)計(jì)是要以高密度在磁盤上記錄信息時(shí)，需要將虬磁轉(zhuǎn)換器件35的揚(yáng)起高度維持在一低值，因此需要可靠地防止電磁轉(zhuǎn)換器件35與磁盤14表面的接觸。
因此，如圖14B所示，當(dāng)滑塊30是在磁盤14的區(qū)域B內(nèi)浮起時(shí)，在該區(qū)域內(nèi)電磁轉(zhuǎn)換器件35的揚(yáng)起高度Ht等于或小于約為30nm的基準(zhǔn)值，其時(shí)滑塊30的設(shè)計(jì)是使墊片33和34的揚(yáng)起高度Hp等于電磁轉(zhuǎn)換器件35的揚(yáng)起高度Ht。在這種情況下，當(dāng)由于磁盤14的表面粗糙度而產(chǎn)生的微小凸出物出現(xiàn)在磁盤14的B區(qū)域內(nèi)時(shí)，由于被放置在電磁轉(zhuǎn)換器件35稍前面的墊片33和34優(yōu)先與微小凸出物14a接觸，因此可防止電磁轉(zhuǎn)換器件35與微小凸出物14a接觸，從而可防止電磁轉(zhuǎn)換器件35的遭受損壞。
反之，當(dāng)滑塊30是在磁盤14的區(qū)域B內(nèi)浮起而電磁轉(zhuǎn)換器件35的揚(yáng)起高度Ht高于基準(zhǔn)值h0時(shí)。由于電磁轉(zhuǎn)換器件35與磁盤14在區(qū)域A內(nèi)出現(xiàn)的微小凸出物接觸的可能性極低，因此允許墊片33和34的揚(yáng)起高度Hp高于電磁轉(zhuǎn)換器件35的揚(yáng)起高度Ht。而且，隨著滑塊30的走近磁盤14的外圓周致使相對(duì)速度增加，滑塊30的前側(cè)也會(huì)升高。因此滑塊30可容易地被設(shè)計(jì)，只要當(dāng)滑塊30在磁盤14的區(qū)域A內(nèi)浮起時(shí)，將墊片33和34的揚(yáng)起高度Hp設(shè)定為高于電磁轉(zhuǎn)換器件35的揚(yáng)起高度Ht即可。
總之，在磁盤裝置正常運(yùn)轉(zhuǎn)的時(shí)間內(nèi)當(dāng)磁盤14以實(shí)際的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)時(shí)按照查找操作，滑塊從磁盤14的內(nèi)周移動(dòng)到外周，并且當(dāng)滑塊30被放置在磁盤14的區(qū)域B內(nèi)時(shí)，揚(yáng)起高度Hp和Ht滿足Hp≤Ht的關(guān)系。在這種情況下，當(dāng)揚(yáng)起高度Hp和Ht之差Ht-Hp過(guò)大時(shí)，由于揚(yáng)起高度Ht的增加，信息不能以高密度記錄在磁盤14上，并且墊片33和34容易與磁盤的凸部(或微小凸出物)接觸。因此Ht-Hp之差不宜過(guò)大，并且最好Ht-Hp之差等于或小于30nm。Ht-Hp之差的最大值等于當(dāng)磁盤區(qū)動(dòng)停止時(shí)在電磁轉(zhuǎn)換器件35與墊片33和34中每一個(gè)墊片的底部之間的距離。
而且，在磁盤14的區(qū)域A內(nèi)，雖然揚(yáng)起高度Hp和Ht的關(guān)系不受限制，但最好Hp＞Ht的關(guān)系能使電磁轉(zhuǎn)換器件35在一低的高度上浮動(dòng)。
可以通過(guò)調(diào)節(jié)下列這些項(xiàng)來(lái)改變揚(yáng)起高度墊片33和34中每一墊片的厚度、磁盤14的轉(zhuǎn)速、滑塊30的負(fù)區(qū)的大小、軌道平面31和32的面積、及傾斜平面31a和32a的面積。
墊片33和34被安排在滑塊30上是假定用墊片33和34與磁盤14的微小凸出物接觸。因此，最好墊片33和34是由具有較高硬度的陶瓷型材料制成以免墊片33和34被磨損。例如碳類材料如金剛石碳或非晶碳可被安排在墊片33和34的表面上，這樣墊片33和34可得到約為2500的硬度。而且，硼化物、碳化物或氮化物也可用來(lái)安排在墊片33和34的表面上。
另外，在磁盤裝置中常用潤(rùn)滑膜覆蓋在磁盤14的表面上。當(dāng)將由具有苯環(huán)的碳氟化合物材料制成的潤(rùn)滑劑用來(lái)形成潤(rùn)滑膜時(shí)，墊片33和34的表面可用碳類薄膜覆蓋或者墊片33和34可由碳類材料制成，這樣潤(rùn)滑劑便可容易地連結(jié)在墊片33和34的表面上。另外，當(dāng)將由具有氫組群的碳氟化合物材料制成的液體潤(rùn)滑劑用來(lái)形成潤(rùn)滑膜時(shí)，墊片33和34的表面可用氧化物材料(如Al2O3或SiO2)覆蓋或者墊片33和34可由氧化物材料制成，使?jié)櫽蛣┤菀走B結(jié)到墊片33和34的表面上。
當(dāng)有潤(rùn)滑劑連結(jié)到墊片33和34的表面上時(shí)，墊片33和34便可得到較好的潤(rùn)滑狀態(tài)，在磁盤14與一對(duì)墊片33和34之間的摩阻力將減少。因此，即使墊片33和34與磁盤14(或磁記錄介質(zhì))的表面接觸，并且墊片33和34受到磁盤14的磨損，墊片33和34的損壞亦可減少。
由于用于電磁轉(zhuǎn)換器件35的磁性材料的硬度范圍為從100到800，電磁轉(zhuǎn)換器件35常用硬度約為2000的氧化鋁覆蓋以資保護(hù)。但面向磁盤的電磁轉(zhuǎn)換器件35的表面一般不用氧化鋁覆蓋。
在上面的說(shuō)明中，當(dāng)墊片33和34被安排在滑塊30的第一和第二軌道平面上時(shí)，墊片33和34的揚(yáng)起高度Hp須仔細(xì)考慮。但墊片33和34并不一定要限制安排在第一和第二軌道平面31和32上。即墊片33和34也可安排在一個(gè)面向磁盤14的特定表面上，而該特定表面并不設(shè)在軌道平面33和34中的任一個(gè)上。在這種情況下，當(dāng)圖14B所示的揚(yáng)起高度Hp和Ht的關(guān)系能被滿足時(shí)，電磁轉(zhuǎn)換器件35也能得到保護(hù)。
在上面的實(shí)施例中，采用一個(gè)或多個(gè)墊片來(lái)防止電磁轉(zhuǎn)換器件2或35與磁盤14接觸。但本發(fā)明并不僅限于墊片。即也可采用一個(gè)或多個(gè)凸部代替墊片來(lái)起到防止電磁轉(zhuǎn)換器件2或35與磁盤緊密貼近的作用。
權(quán)利要求
1.一種磁頭滑塊，該滑塊具有用來(lái)產(chǎn)生浮動(dòng)力的兩個(gè)軌道平面；安排在每一軌道上靠近空氣流入端的第一墊片，條件是第一墊片的高度范圍從20到50nm；安排在每一軌道上靠近空氣流出端的第二墊片，條件是第二墊片的高度范圍從20到50nm；至少在一個(gè)軌道平面的空氣流出端安排的區(qū)域以便用來(lái)連結(jié)電磁轉(zhuǎn)換器件。
2.按照權(quán)利要求1的磁頭滑塊，其特征為，第一墊片和第二墊片的高度范圍各為25到50nm。
3.按照權(quán)利要求1的磁頭滑塊，其特征為，第一墊片和第二墊片的高度范圍各為27到50mm。
4.按照權(quán)利要求1的磁關(guān)滑塊，其特征為，第一墊片和第二墊片各有一個(gè)在空氣流動(dòng)方向延伸的平面形狀。
5.一種磁頭滑塊，該滑塊具有一個(gè)滑塊體；用來(lái)產(chǎn)生浮動(dòng)力而被安排在滑塊體一側(cè)的第一軌道平面；安排在第一軌道平面上靠近空氣流出端的第一墊片；用來(lái)與第一軌道平面協(xié)作產(chǎn)生浮動(dòng)力而被安排在滑塊體另一側(cè)的第二軌道平面；安排在第二軌道平面上靠近空氣流出端的第二墊片，條件是從第二墊片到第二軌道平面的空氣流出端的距離不同于從第一墊片到第一軌道平面的空氣流出端的距離；安排在第一軌道平面的空氣流出端的區(qū)域以便用來(lái)連結(jié)電磁轉(zhuǎn)換器件。
6.按照權(quán)利要求5的磁頭滑塊，其特征為，確定第一軌道平面形狀的條件是使滑塊在第一軌道平面的空氣流入端的揚(yáng)起高度低于在第二軌道平面的空氣流入端的揚(yáng)起高度，并且從第一墊片到第一軌道平面的空氣流出端的距離短于從第二墊片到第二軌道平面的空氣流出端的距離。
7.按照權(quán)利要求6的磁頭滑塊，其特征為，第一軌道平面在其第一位置的寬度窄于第二軌道平面在其第二位置的寬度的條件是，從第一位置到第一軌道平面的空氣流出端的距離與從第二位置到第二軌道平面的空氣流出端的距離相同。
8.按照權(quán)利要求6的磁頭滑塊，其特征為，確定第一軌道平面的形狀和第二軌道平面的形狀的條件是，當(dāng)空氣流入速率增加時(shí)，滑塊在第一軌道平面的空氣流入端的揚(yáng)起高度和滑塊在第二軌道平面的空氣流入端的揚(yáng)起高度都被提高，并且滑塊在第一軌道平面的空氣流出端的揚(yáng)起高度與滑塊在第二軌道平面的空氣流出端的揚(yáng)起高度之差被減小。
9.按照權(quán)利要求5的磁頭滑塊，其特征為，第一墊片或第二墊片具有一個(gè)沿著空氣流動(dòng)方向延長(zhǎng)的平面形狀。
10.按照權(quán)利要求5的磁頭滑塊，其特征為，安排在第一軌道平面上的第一墊片的平面形狀為一圓形的平面形狀，而安排在第二軌道平面上的第二墊片的平面形狀為一在第二軌道平面的縱長(zhǎng)方向上延伸的平面形狀。
11.一種磁盤裝置，該裝置具有一個(gè)磁盤；一個(gè)在其面向磁盤的表面上安排著凸部的滑塊，一個(gè)被安排在一個(gè)空氣流出端的電磁轉(zhuǎn)換器件，將凸部離開磁盤的揚(yáng)起高度從電磁轉(zhuǎn)換器件離開磁盤的揚(yáng)起高度中減去所得的值，當(dāng)滑塊在磁盤的外周部之上浮起時(shí)該值為負(fù)，而當(dāng)滑塊在磁盤的內(nèi)周部之上浮起時(shí)該值為正；及一個(gè)用來(lái)支承滑塊的彈簧臂。
12.一種磁盤裝置，該裝置具有一個(gè)具有軌道平面用來(lái)產(chǎn)生浮動(dòng)力的磁頭滑塊，設(shè)在軌道平面靠近空氣流入端的第一墊片和設(shè)在軌道平面靠近空氣流出端的第二墊片，條件是第一墊片和第二墊片的高度各為20到50nm；一個(gè)連結(jié)在磁頭滑塊軌道平面的空氣流出端的電磁轉(zhuǎn)換器件；一個(gè)用來(lái)支承磁頭滑塊的彈簧臂；及一個(gè)面向磁頭滑塊軌道平面的磁盤。
13.一種磁盤裝置，該裝置具有(a)一個(gè)磁頭滑塊，該滑塊具有(1)一個(gè)滑塊體；(2)設(shè)在滑塊體一側(cè)的第一軌道平面；(3)安排在第一軌道平面上靠近空氣流出端的第一墊片；(4)設(shè)在滑塊體另一側(cè)的第二軌道平面；(5)安排在第二軌道平面上靠近空氣流出端的第二墊片，條件是從第二墊片到第二軌道平面的空氣流出端的距離不同于從第一墊片到第一軌道平面的空氣流出端的距離；(b)一個(gè)與磁頭滑塊第二軌道平面的空氣流出端連結(jié)的電磁轉(zhuǎn)換器件；(c)一個(gè)用來(lái)支承磁頭滑塊的彈簧臂；及(d)一個(gè)面向磁頭滑塊的第一和第二軌道平面的磁盤。
全文摘要
一種具有多個(gè)軌道平面可讓空氣在一組軌道平面與一個(gè)以定速旋轉(zhuǎn)的磁盤之間的區(qū)域內(nèi)流動(dòng)通過(guò)從而產(chǎn)生浮動(dòng)力的磁頭滑塊,由于該浮動(dòng)力,滑塊便浮起到空中。而且,該滑塊具有安排在一個(gè)軌道平面上靠近空氣流入端的第一墊片和安排在同一個(gè)或另一個(gè)軌道平面上靠近空氣流出端的第二墊片,第一墊片和第二墊片的高度各為20到50nm。因此,在墊片和磁盤之間的摩擦系數(shù)能被減少,而墊片的磨損能被防止。
文檔編號(hào)G11B5/72GK1170191SQ9711079
公開日1998年1月14日 申請(qǐng)日期1997年4月23日 優(yōu)先權(quán)日1996年4月26日
發(fā)明者山本尚之, 笠松祥治, 豐口卓, 橫徹, 古石亮介 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社