專利名稱：：磁記錄介質(zhì)、其制造方法和磁存儲(chǔ)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種用于計(jì)算機(jī)等的輔助存儲(chǔ)的磁存儲(chǔ)器、用于該磁存儲(chǔ)器的磁記錄介質(zhì)、以及制造該磁記錄介質(zhì)的方法。隨著信息社會(huì)的發(fā)展，每日所使用的信息量持續(xù)地增大。對(duì)用于高密度記錄和大存儲(chǔ)容量的磁存儲(chǔ)器的需要也因而變得越來越強(qiáng)。一種感應(yīng)頭—它利用了與隨著時(shí)間改變的磁通量有關(guān)的電壓改變—被用作傳統(tǒng)的磁頭。記錄和再現(xiàn)都是由一個(gè)頭進(jìn)行的。近來，一種具有用于記錄的頭和用于再現(xiàn)的頭的復(fù)合頭—其中具有較高靈敏度的一個(gè)MR(磁阻)頭被用作再現(xiàn)頭，迅速地得到了廣泛的采用。在這種MR頭中，采用了頭器件的電阻的改變—這種改變與從磁記錄介質(zhì)泄漏的磁通量的改變有關(guān)。正在開發(fā)的有一種高靈敏頭—它利用了在經(jīng)過非磁層層疊的多個(gè)磁層中發(fā)生的非常大的磁阻改變(巨磁阻效應(yīng)或自旋閥效應(yīng))。根據(jù)這種頭，采用了由于從介質(zhì)泄漏的磁場(chǎng)經(jīng)過非磁層造成的多個(gè)磁層的磁化的相對(duì)方向的改變而引起的電阻的改變。在當(dāng)前實(shí)際使用的磁記錄介質(zhì)中，以包含作為主組分的Co的合金—諸如Co-Cr-Pt、Co-Cr-Ta、Co-Ni-Cr等，被用于磁層。各種Co合金都具有六角密排(hcp)結(jié)構(gòu)—其中c軸方向是磁化的易磁化軸，從而使得Co合金的c軸成為縱軸方向即(11.0)方向的晶體方向，對(duì)于用于逆轉(zhuǎn)磁層中的磁化和記錄的縱向磁記錄介質(zhì)來說，是所希望的。然而，(11.0)方向是不穩(wěn)定的，因而當(dāng)Co合金被直接形成在一個(gè)基底上時(shí)，通常得不到這種取向。有一種方法—其中具有體心立方(bcc)結(jié)構(gòu)的Cr(100)面與Co(11.0)面具有良好的晶格匹配這一事實(shí)得到了利用，在一個(gè)基底上首先形成(100)取向的Cr底覆層，且外延生長(zhǎng)一個(gè)Co合金磁膜，從而獲得使Co合金磁膜的c軸沿著面內(nèi)方向取向的(11.0)取向。另外，采用了一種方法，其中一個(gè)第二元素被加到Cr中，以改善Co合金磁膜與Cr底涂層之間的界面上的晶體晶格匹配性能且Cr底涂層中的晶格的間隔被加大了。Co(11.0)取向得到了進(jìn)一步的改善，且矯頑力能夠得到增大。有添加V、Ti等的例子。實(shí)現(xiàn)高記錄密度所需的另一因素，是噪聲的減小以及磁記錄介質(zhì)的矯頑力的增大。由于MR頭具有極其高的再現(xiàn)靈敏度，它適合于高密度記錄。然而，MR頭不僅對(duì)來自磁記錄介質(zhì)的再現(xiàn)信號(hào)靈敏，而且對(duì)于噪聲也靈敏。因此，在磁記錄介質(zhì)中，需要使噪聲減小的程度大于傳統(tǒng)技術(shù)中的減小程度。已知為了減小介質(zhì)噪聲，有效的方法是使磁膜等的晶粒細(xì)小而均勻。作為對(duì)磁盤介質(zhì)的一個(gè)重要要求，是抵抗震蕩性能的改善。特別地，近來一種磁盤設(shè)備被裝在一個(gè)諸如筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)等的袖珍信息裝置上，從而使耐震蕩性能的改善，從改善可靠性的角度看，是非常重要的主題。其表面得到加強(qiáng)的玻璃基底或晶體玻璃基底，被用來取代其表面上鍍有Ni-P的Al合金基底，從而改善了磁盤介質(zhì)的耐震蕩性能。由于玻璃基底的表面比傳統(tǒng)的鍍Ni-P的Al合金基底光滑，因而它對(duì)于減小磁頭與磁記錄介質(zhì)之間的可變間隔是有利的，并適合于獲得高記錄密度。然而，在采用玻璃基底的情況下，發(fā)生了與基底的粘合差、來自基底的雜質(zhì)離子或吸收到基底的表面上的氣體侵入Cr合金底涂層等問題。作為應(yīng)付措施，在玻璃基底與Cr合金底涂層之間形成了由各種金屬膜、合金膜、氧化膜中的任何一種。日本專利申請(qǐng)公開第62-293511、2-29923、5135343等是與上述有關(guān)的技術(shù)。如上所述，已知的是磁膜的晶粒尺寸的減小和均勻化對(duì)于介質(zhì)噪聲的減小是有效的。然而，當(dāng)通過把具有約900兆位/平方英寸的記錄密度的磁記錄介質(zhì)與根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的高靈敏MR頭相結(jié)合，而實(shí)驗(yàn)制造一種磁盤設(shè)備時(shí)，不能獲得可以得到每平方英寸1千兆位或更高的記錄密度的足夠電磁轉(zhuǎn)換特性。特別地，當(dāng)玻璃基底被用作磁記錄介質(zhì)的基底時(shí)，在高記錄密度區(qū)中導(dǎo)致了差的電磁轉(zhuǎn)換特性。對(duì)其原因進(jìn)行了分析，并發(fā)現(xiàn)在傳統(tǒng)技術(shù)中在玻璃基底直接形成或經(jīng)過各種金屬或合金形成的Cr合金底涂層沒有象在它被形成在鍍Ni-P的Al合金基底上時(shí)那樣強(qiáng)的(100)取向。除了Co合金磁膜的(11.0)以外的晶體平面與基底平行地生長(zhǎng)，且作為磁化的易磁化軸的c軸的平面內(nèi)取向是很小的。因此，矯頑力被減小了，且高密度記錄的再現(xiàn)輸出惡化了。在采用玻璃基底的情況下，磁膜中的晶粒比Al合金基底中的大，且晶粒的分布大20至30％。介質(zhì)噪聲因而被增大了，且電磁轉(zhuǎn)換特性惡化了。即使在玻璃基底與底涂層之間形成了如日本專利申請(qǐng)公開第4-153910中公布的細(xì)晶體膜或非晶膜，磁膜中的晶粒的尺寸有時(shí)會(huì)減小到一定的程度，但沒有得到足夠的減小。它對(duì)于晶粒分布的減小不是有效的，因而不能獲得有利的電磁轉(zhuǎn)換特性。本發(fā)明的第一個(gè)目的是提供一種具有低噪聲電平的磁記錄介質(zhì)—其中磁膜的取向得到了改善且磁膜中的晶粒是細(xì)而均勻的。本發(fā)明的第二個(gè)目的是提供用于制造這種磁記錄介質(zhì)的方法。本發(fā)明的第三個(gè)目的是提供具有高記錄密度的磁存儲(chǔ)器。為了實(shí)現(xiàn)第一個(gè)目的，根據(jù)本發(fā)明的一種磁記錄介質(zhì)，在一個(gè)基底上直接或經(jīng)過一個(gè)第三底涂層淀積了一個(gè)第一底涂層，在該第一底涂層上直接淀積了一個(gè)第二底涂層，且在該第二底涂層上淀積了一個(gè)磁膜。在第一與第二底涂層的界面上散布有具有大量的氧的團(tuán)。為了實(shí)現(xiàn)上述的第二個(gè)目的，根據(jù)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)制造方法，在一個(gè)基底上直接或經(jīng)過一個(gè)第三底涂層而形成有一個(gè)第一底涂層，且該第一底涂層暴露在包括氧的環(huán)境中使PO2·t(其中PO2·t是該環(huán)境中的氧分壓強(qiáng)且t是基底在該環(huán)境中暴露的時(shí)間)處于1×10-6(乇·秒)至1×10-2(乇·秒)的時(shí)間，且在暴露于該環(huán)境的第一底涂層上直接形成了第二底涂層，且在該第二底涂層上形成了一個(gè)磁膜。為了實(shí)現(xiàn)第三個(gè)目的，本發(fā)明的磁存儲(chǔ)器包括上述的磁記錄介質(zhì)；一個(gè)磁頭，它由與磁記錄介質(zhì)的面相應(yīng)地設(shè)置的一個(gè)記錄部分和一個(gè)再現(xiàn)部分組成；一個(gè)驅(qū)動(dòng)單元，用于改變磁記錄介質(zhì)和磁頭的相對(duì)位置；一個(gè)磁頭驅(qū)動(dòng)單元，用于把該磁頭定位到一個(gè)所希望的位置；以及，記錄和再現(xiàn)信號(hào)處理系統(tǒng)，用于把信號(hào)輸入到該磁頭并再現(xiàn)從該磁頭輸出的信號(hào)。較好地是第一底涂層用由兩或更多種元素組成的合金制成。在其中該合金中包含以不同方式氧化的元素且第一底涂層在具有一定的氧分壓強(qiáng)的環(huán)境中暴露了一定的時(shí)間的情況下，這是以如下方式估計(jì)的。沒有形成在平面中其表面為連續(xù)的均勻氧化膜，而是使具有大量的氧的團(tuán)被局部地形成在富含容易被氧化的一種元素的一個(gè)區(qū)域中并成為第二底涂層的核心。在這些團(tuán)上生長(zhǎng)的第二底涂層的晶粒是細(xì)小而均勻的，且磁膜的平均晶粒尺寸得到減小且晶粒直徑得到了均勻化。本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)在減小介質(zhì)噪聲、增大矯頑力等等上是有效果的。根據(jù)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)制造方法，上述的磁記錄介質(zhì)能夠容易地制成。本發(fā)明的采用這種磁記錄介質(zhì)的磁存儲(chǔ)器具有高記錄密度。在磁盤的制造過程中提供氧化步驟可從美國(guó)專利第4,552,820知道。本發(fā)明中進(jìn)行氧化的目的是減小再現(xiàn)輸出的調(diào)制。這種調(diào)制是由于晶體結(jié)構(gòu)在生產(chǎn)線內(nèi)型的濺射設(shè)備(在該傳送即沿著一個(gè)方向移動(dòng)基底的同時(shí)淀積膜的方法)中出現(xiàn)的各向異性而引起的再現(xiàn)輸出的波動(dòng)。由于靜止面對(duì)型(在使基底與目標(biāo)彼此靜止面對(duì)的情況下淀積膜的方法)的濺射設(shè)備是目前所主要采用的，這種問題可以忽略。即使在生產(chǎn)線內(nèi)型濺射設(shè)備中，由于底涂層的膜厚度和磁層的厚度隨著記錄密度增大而減小，調(diào)制的問題較小。本發(fā)明是為了通過使晶體的取向均勻而減小噪聲且不同于上述美國(guó)專利。根據(jù)上述美國(guó)專利，通過在淀積作為一個(gè)底涂層的Cr層之前氧化一個(gè)Ni-V層，Cr的晶粒尺寸被增大了，從而減小了調(diào)制。相反地，根據(jù)本發(fā)明，團(tuán)是通過在形成Cr合金底涂層之前的一個(gè)步驟中進(jìn)行氧化而描述的，且Cr合金底涂層的晶粒尺寸得到了減小，從而實(shí)現(xiàn)了噪聲的降低。通過以下結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述和其他目的和特征能夠變得更為顯而易見。圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的磁記錄介質(zhì)的示意橫截面圖；圖2是本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的層形成裝置的一個(gè)例子；圖3顯示了激活量與磁矩的積與形成本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的多底涂層時(shí)的條件之間的關(guān)系；圖4是形成在本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的第一底涂層上的團(tuán)的TEM照片的示意圖；圖5顯示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的磁記錄介質(zhì)的X射線衍射圖案和根據(jù)一個(gè)比較例的磁記錄介質(zhì)；圖6是根據(jù)本發(fā)明的磁存儲(chǔ)器的一個(gè)實(shí)施例的平面示意圖和一個(gè)示意橫截面圖；且圖7是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的磁記錄介質(zhì)的示意橫截面圖。圖1是根據(jù)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的代表實(shí)施例的示意橫截面圖。在用加強(qiáng)玻璃制成的基底40的兩面上，分別按照以下順序依次疊置有第一底涂層41、41’，第二底涂層42、42’，磁膜43、43’，保護(hù)膜44、44’，以及潤(rùn)滑膜45、45’。圖2是示意圖，顯示了用于制造圖1的磁記錄介質(zhì)的單盤處理型濺射設(shè)備的一個(gè)例子。在實(shí)際的濺射設(shè)備中，一個(gè)主腔29被設(shè)置在中心，且一個(gè)準(zhǔn)備腔21、一個(gè)第一底涂層形成腔22、一個(gè)加熱腔23、一個(gè)氧化腔24、一個(gè)第二底涂層形成腔25、一個(gè)磁層形成腔26、保護(hù)膜形成腔27a、27b、27c、27d和取出腔28在主腔29周圍被設(shè)置成圓形。用于把基底在一個(gè)腔中進(jìn)行了處理之后送進(jìn)到下一個(gè)腔中的操作，是相對(duì)于各個(gè)腔而同時(shí)進(jìn)行的。即，可以在該濺射設(shè)備中同時(shí)處理多個(gè)基底，且這些基底能夠被依次地送到這些腔。由于較好地是以低速形成保護(hù)膜，所以設(shè)置了四個(gè)保護(hù)膜形成腔27a、27b、27c和27d，且在每一個(gè)腔中形成所希望厚度的1/4。在該濺射設(shè)備中，用加強(qiáng)玻璃制成的基底20首先被引入準(zhǔn)備腔21，且準(zhǔn)備腔21被抽真空，且基底20經(jīng)過主腔29而被依次傳送到這些腔，并以如下方式得到處理。例如，在室溫下形成了作為第一底涂層的60原子％Co-30原子％Cr-10原子％Zr的合金，且該合金被加熱到270℃，且隨后在氧化腔24中被暴露于氬與氧的混合氣。此時(shí)，混合氣的混合比且暴露于混合氣環(huán)境的時(shí)間以可變的方式得到了改變。由例如75原子％Cr-15原子％Ti的合金制成的第二底涂層和由例如75原子％Co-19原子％Cr-6原子％Pt合金制成的磁層得到依次疊置。在此期間，溫度被保持在或略微低于270℃。另外，形成了作為保護(hù)層的厚度為10至30nm的碳。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)混合氣的混合比和對(duì)混合氣的暴露時(shí)間被改變時(shí)，如圖3所示，激活體積v與顯示出與介質(zhì)噪聲的線性相關(guān)性的磁矩Isb的積(v·Isb)相對(duì)于該環(huán)境的氧分壓強(qiáng)PO2與對(duì)該環(huán)境的暴露時(shí)間t的積(PO2·t)是非常小的，v·Isb在“JournalofMagnetismandMagneticMaterials”，Vol。145，pp.255至260(1995)中得到了描述。v·Isb是與磁化逆轉(zhuǎn)的最小單位相對(duì)應(yīng)的量，且v·Isb越小，介質(zhì)噪聲就越小。由于v·Isb是物理量，介質(zhì)噪聲能夠得到客觀的比較，而不論記錄和再現(xiàn)條件如何。當(dāng)v·Isb為最小時(shí)，PO2·t按照第一或第二底涂層的合金的組份和組成比值而變化。根據(jù)各種實(shí)驗(yàn)，當(dāng)PO2·t從1×10-6(乇·秒)至1×10-2(乇·秒)時(shí)，有減小介質(zhì)噪聲的效果。特別地，在其中在第一底涂層中包括了Co的情況下，當(dāng)PO2·t從1×10-6(乇·秒)至1×10-3(乇·秒)時(shí)，它是有效的。即，通過采用TEM(透射電子顯微鏡)證實(shí)，第二底涂層的晶粒尺寸在其中v·Isb減小的PO2·t區(qū)中得到了減小。另外，在保護(hù)層上，淀積了厚度在1至10nm量級(jí)的吸收全氟烴基聚醚等形成的潤(rùn)滑膜，從而獲得了能夠進(jìn)行高密度記錄的可靠的磁記錄介質(zhì)。當(dāng)在形成第一底涂層41、41’之前進(jìn)行加熱處理時(shí)，能夠獲得類似的效果。還可以在室溫下進(jìn)行直到氧化的處理，隨后溫度被提高到270℃，并形成第二底涂層。加熱處理是改善底涂層的結(jié)晶度、增強(qiáng)磁膜的矯頑力、并減小噪聲的通常方法。通常地，加熱處理是在約200至300℃的溫度進(jìn)行的。當(dāng)其中加有氫的碳膜、用碳化硅、碳化鎢等化合物制成的膜或該化合物與碳的復(fù)合膜被用作各個(gè)保護(hù)層44、44’時(shí)，較好地是抗滑動(dòng)性和抗腐蝕性得到了改善。在形成了保護(hù)層之后，當(dāng)通過利用一個(gè)精細(xì)的掩膜等而進(jìn)行等離子體蝕刻時(shí)，在表面上形成了微小的粗糙，利用化合物或混合物的目標(biāo)而在保護(hù)層的表面上形成了不同程度的突出部，或者通過加熱處理而在表面上形成粗糙，頭與介質(zhì)的接觸面積能夠得到減小。較好地是，由于頭在CSS(頭接觸啟動(dòng)和停止)操作時(shí)粘到介質(zhì)表面上而引起的問題能夠得到避免。在基底40也采用鍍Ni-P的Al合金基底的情況下，以與采用玻璃基底的情況下相類似的方式，保持了使磁層中的晶粒細(xì)小的效果。另外，在采用Al合金基底作為基底40的情況下，如圖7所示，較好地是在基底40與第一底涂層41、41’之間分別形成了用Ni-P等制成的基底面底涂層40-1、40-1’。類似地，在基底40也采用玻璃基底的情況下，較好地是在基底40與第一底涂層41、41’之間分別形成通常采用的由各種金屬層、合金膜、以及氧化膜制成的基底面底涂層。圖4是示意圖，顯示了形成各個(gè)第一底涂層41、41’的團(tuán)。該圖顯示了利用透射電子顯微鏡(TEM)看到的形成在一個(gè)基底上的團(tuán)的樣品的結(jié)構(gòu)，該基底是通過在玻璃基底上形成作為第一底涂層的一個(gè)單層而獲得的，而該層是由68原子％Co-24原子％Cr-8原子％W合金而構(gòu)成的。這些團(tuán)是如圖4顯示的細(xì)小的晶粒，并以幾nm的間隔均勻地散布。氧化物形成的標(biāo)準(zhǔn)自由能被用作元素的氧化度的指標(biāo)。較好地是第一底涂層的合金形成包括兩或更多種的元素—其中在250℃的氧化物形成標(biāo)準(zhǔn)自由能ΔG°大于150(kJ/molO2)(在其中已有有兩或更多種氧化物的情況下(例如，F(xiàn)e具有氧化物Fe2O3、Fe3O4等)，選擇最低的ΔG°)。更好地是包括兩或更多種元素—其中該差為180(kJ/molO2)或更大。最好的是包括其中該差為200(kJ/molO2)或更大的兩或更多種元素。雖然該差沒有上限，通常有約1000種組合。當(dāng)其氧化物形成標(biāo)準(zhǔn)自由能ΔG°為-700(kJ/molO2)或更低的元素被包含在該合金中時(shí)，可以通過提供少量的氧，而獲得該效果。表1顯示了在250℃下的各種元素、相應(yīng)的氧化物、以及形成標(biāo)準(zhǔn)自由能ΔG°。ΔG°是從Coughlin顯示的ΔG°與溫度之間的關(guān)系圖讀出的值。這在“Refiningofnonferrousmetals”(newsystemmetalneweditionrefiningmetalversion)，TheJapanInstituteofMetalsPublisher，1964，pp.291至292中得到了描述。表1</tables></tables>作為用于第一底涂層的合金，從對(duì)基底的粘合保護(hù)膜的角度看，包括Cr和從由Mo、Ti、Zr和Al組成的組中選出的至少一種元素的合金是較好的。另外，當(dāng)包含Co和從由Cr、Si、V、Ta、Ti、Zr、Al、和W組成的組中選出的至少一種元素的合金被用作第一底涂層時(shí)，該合金容易變成非晶或細(xì)小晶體，且組構(gòu)變得密集。因而當(dāng)采用玻璃基底時(shí)，由于該合金被用作防止諸如堿元素等從玻璃進(jìn)入該層的散射阻擋，這是有效的。另外，把包含Ni和從由Cr、Si、V、Ta、Ti、Zr、Al、和W組成的組中選出的至少一種元素的合金用于第一底涂層時(shí)，這也是有效的，因?yàn)樵摵辖鹑菀鬃兂煞蔷Щ蚣?xì)小晶體。“非晶”表示的是觀測(cè)不到X射線衍射的清晰峰，或觀測(cè)不到清晰的電子束衍射的衍射點(diǎn)和衍射環(huán)并觀測(cè)到了光暈形狀的衍射環(huán)。細(xì)小晶體是由晶粒構(gòu)成的—每一個(gè)晶粒都具有比磁層的晶粒小的尺寸并最好是具有8nm或更小的平均直徑。由于在用于第一底涂層的合金中具有最小氧化物形成標(biāo)準(zhǔn)自由能ΔG°的元素的百分比含量與核心的數(shù)目有關(guān)，約5原子％至50原子％的百分比含量是較好的，因?yàn)樗鼘?duì)于減小第二底涂層的晶粒尺寸是有效的。更好的是它在5原子％至30原子％的范圍中。在第一底涂層41、41’與基底40之間，可以設(shè)置第三底涂層。例如，玻璃基底被用作基底40，傳統(tǒng)技術(shù)中的各種金屬層、合金層、氧化層等可被用作第三底涂層。對(duì)于第二底涂層42、42’，較好地是利用具有bcc結(jié)構(gòu)的合金—諸如與Co合金磁層具有良好的晶格匹配的Cr合金。例如，可采用Cr和Cr合金即CrTi、CrV、CrMo等。較好地是第一底涂層的厚度在從20至50nm的范圍，且第二底涂層的厚度在從10至50nm的范圍。作為磁層43、43’，較好地是采用其中磁各向異性向著平面內(nèi)取向的磁層。對(duì)于這種磁層，可采用包含作為主組分的Co的合金，例如Co-Cr-Pt、Co-Cr-Pt-Ta、Co-Cr-Pt-Ti、Co-Cr-Ta、Co-Ni-Cr等。然而，為了獲得較高的矯頑力，較好地是采用包括Pt的Co合金。另外，該磁層也可以用其中用包含非磁中間層的多個(gè)層構(gòu)成。作為磁層的磁特性，較好地是通過向膜平面內(nèi)施加磁場(chǎng)而量度的矯頑力被置于1.8千奧斯特或更高，且通過向該膜平面內(nèi)施加磁場(chǎng)而量度的殘留磁通量密度Br與膜厚度t的積Br·t在20至140高斯微米的范圍。在記錄密度為1千兆位/平方英寸的范圍中，能夠獲得較好的記錄和再現(xiàn)特性。如果矯頑力小于1.8千奧斯特，則情況是不好的，因?yàn)楦哂涗浢芏?200kFCI或更高)時(shí)的輸出被減小了。FCI(通量逆轉(zhuǎn)/英寸)表示記錄密度的一個(gè)單位。當(dāng)Br·t大于140高斯微米時(shí)，高記錄密度時(shí)的再現(xiàn)輸出減小，且當(dāng)它小于20高斯微米時(shí)，情況是不好的—因?yàn)榈陀涗浢芏葧r(shí)的再現(xiàn)輸出小。當(dāng)磁膜由具有非磁中間層的多個(gè)層構(gòu)成時(shí)，在Br·t的計(jì)算中的磁膜的膜厚度t為這些磁層的總厚度。下面描述本發(fā)明的實(shí)施例1在實(shí)施例1中，2.5英寸的化學(xué)加強(qiáng)的鈉鈣玻璃被用作基底40。用60原子％Co-30原子％Cr-10原子％Zr合金制成的、每一個(gè)厚度為25nm的第一底涂層41、41’，用85原子％Cr-15原子％Ti合金制成的、每一個(gè)厚度20nm的第二底涂層42，用75原子％Co-19原子％Cr-6原子％Pt合金制成的、每一個(gè)厚度20nm的磁膜43、43’、以及每一個(gè)厚度10nm的碳保護(hù)層44、44’，分別被依次形成在基底40的面上。由Intevac公司生產(chǎn)的單盤處理型濺射設(shè)備mdp250A被用作層形成設(shè)備，且這些層是每個(gè)為10秒的節(jié)拍形成的。節(jié)拍指的是其中基底被從前一腔送到某一腔、在該腔中得到處理、并被送到濺射設(shè)備中的下一個(gè)腔的時(shí)間間隔。該濺射設(shè)備的腔結(jié)構(gòu)如圖2所示。在淀積這些膜時(shí)的氬氣壓強(qiáng)被固定在6毫乇。層形成操作期間主腔29中的氧分壓強(qiáng)約為1×10-8(乇)。第一底涂層41、41’在其中基底4沒有被加熱的狀態(tài)下在第一底涂層形成腔22中被淀積出來，在加熱腔23中被一個(gè)燈加熱器加熱到270℃，并在氧化腔24中在其中99％Ar-1％O2的混合氣體的壓強(qiáng)為5毫乇(氣體流量為10sccm)的環(huán)境下暴露3秒，且在第二底涂層形成腔25中這些層被依次淀積在處理過的第一底涂層41、41’上，在此情況下磁層形成腔26、保護(hù)膜形成腔27a、27b、27c和27d對(duì)應(yīng)于5毫乇×0.01×3秒＝1.5×10-4(乇·秒)。在形成了碳保護(hù)膜之后，通過用碳氟化合物材料稀釋全氟烴基聚醚材料而獲得的材料，作為潤(rùn)滑膜45、45’而被施加。比較例1涉及在與實(shí)施例1相同的條件下制成的磁記錄介質(zhì)，只是混合氣沒有被引入氧化腔24。實(shí)施例1的磁記錄介質(zhì)的矯頑力為2170奧斯特—這比比較例1的磁記錄介質(zhì)的高約300奧斯特。實(shí)施例1的殘留磁通量密度Br與磁膜厚度t的積Br·t為89高斯微米。實(shí)施例1的磁記錄介質(zhì)的v·Isb為1.05×1015(emu)—這是比較例1的磁記錄介質(zhì)的2.24×10-15(emu)的47％，因而介質(zhì)噪聲被減小到了比較例1的幾乎一半。實(shí)施例1和比較例1的估算記錄密度區(qū)中的再現(xiàn)輸出幾乎相同。介質(zhì)的S/N比的改善量與介質(zhì)噪聲的減小相對(duì)應(yīng)。當(dāng)把實(shí)施例1和比較例1的磁記錄介質(zhì)實(shí)際插入一個(gè)磁盤設(shè)備，并在道記錄密度為161kBPI(位/英寸)且道密度為9.3kTPI(道/英寸)的條件下估算MR頭的記錄和再現(xiàn)特性時(shí)，實(shí)施例1的磁記錄介質(zhì)的S/N比較比較例1的高1.8倍，并充分地滿足了平面記錄密度1.6千兆位/平方英寸的標(biāo)準(zhǔn)。另一方面，比較例1的介質(zhì)的S/N比不夠，且不能滿足該設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)。用Co-Cr-Zr合金制成的第一底涂層被淀積在玻璃基底上并具有25nm的厚度，并在與實(shí)施例1相同的條件下在氧化腔中得到處理。當(dāng)利用TEM(透射電子顯微鏡)檢驗(yàn)Co-Cr-Zr合金膜的結(jié)構(gòu)時(shí)，在TEM圖象中觀測(cè)到了與第一底涂層表面上的局部氧化相對(duì)應(yīng)的微小的陰影反射團(tuán)。每一個(gè)團(tuán)的直徑為幾nm，且這些團(tuán)是以幾nm的間距幾乎均勻地形成的。圖4中示意地顯示了這種TEM圖象。當(dāng)對(duì)實(shí)施例1和比較例1的磁記錄介質(zhì)的X射線衍射進(jìn)行測(cè)量時(shí)，獲得了圖5顯示的衍射圖案。當(dāng)在相同的條件下在玻璃基底上形成厚度50nm的Co-Cr-Zr合金制成的單個(gè)第一底涂層且對(duì)X射線衍射進(jìn)行測(cè)量時(shí)，沒有觀測(cè)到清晰的衍射峰。在比較例1的磁記錄介質(zhì)的衍射圖案中，第二底涂層的體心(bcc)結(jié)構(gòu)的CrTi(110)峰與磁膜的六角密排(hcp)結(jié)構(gòu)的CoCrPt(00.2)峰相重疊，且兩者都不能識(shí)別。然而，在任何情況下，第二底涂層的(100)取向都不象實(shí)施例1的第一磁記錄介質(zhì)中那樣強(qiáng)，并具有有不同取向的多個(gè)晶粒的混合相。因此，在該磁膜的Co-Cr-Pt合金晶體中，晶體的取向是可變的且在Co-Cr-Pt磁膜中看到了多個(gè)衍射峰。另一方面，在實(shí)施例1的磁記錄介質(zhì)中，由于在第一底涂層的Co-Cr-Zr合金單層中如上所述地沒有顯示出衍射峰，所以在該圖中的衍射峰是Co-Cr-Pt磁膜的hcp結(jié)構(gòu)的CoCrPt(11.0)峰和第二底涂層的bcc結(jié)構(gòu)的CrTi(200)峰。由此應(yīng)該理解的是，形成在非晶結(jié)構(gòu)的Co-Cr-Zr合金層上的第二底涂層的Cr-Ti合金具有(100)取向，且由于外延生長(zhǎng)而使第二底涂層的Co-Cr-Pt磁膜具有(11.0)取向。作為Co-Cr-Pt合金的磁化易磁化軸的c軸的平面內(nèi)方向的分量被增大，且能夠獲得較好的磁特性。當(dāng)利用TEM觀測(cè)磁膜時(shí)，實(shí)施例1的Co-Cr-Pt合金的平均晶粒尺寸為10.8nm，其小于比較例1的16.2nm。當(dāng)測(cè)量Co-Cr-Zr合金單層的磁化時(shí)，沒有獲得清晰的磁滯曲線。因此，可以認(rèn)為該合金層是非磁的。下面描述本發(fā)明的實(shí)施例2制作出具有與實(shí)施例1中的類似的膜結(jié)構(gòu)的磁記錄介質(zhì)。2.5英寸的化學(xué)加強(qiáng)鋁硅酸鹽玻璃被用作基底40。在該基底的表面上形成每一個(gè)厚度為40nm的、用62原子％Co-30原子％Cr-8原子％Ta合金制成的第一底涂層。依次形成每一個(gè)厚度為25nm的用80原子％Cr-20原子％Ti合金制成的第二底涂層、每一個(gè)厚度為23nm的用72原子％Co-18原子％Cr-2原子％Ta-8原子％Pt合金制成的磁膜、以及每一個(gè)厚度為10nm的碳保護(hù)層。與實(shí)施例1中的相同的單盤處理型濺射設(shè)備被用作層形成設(shè)備，且這些層是以每節(jié)拍9秒而形成的。在層形成時(shí)的氬(Ar)氣壓強(qiáng)被固定在6毫乇。在層形成操作期間主腔中的氧分壓強(qiáng)約5×10-9(乇)。第一底涂層在基底沒有被加熱的狀態(tài)下在第一底涂層形成腔中得到淀積，在加熱腔中被燈加熱器加熱到250℃，并在氧化腔中在其中采用了98mol％Ar-2mol％O2的混合氣且氣體壓強(qiáng)為4毫乇(氣體流量為8sccm)的環(huán)境中被暴露了3秒，且這些層得到依次淀積。在此例中PO2·t對(duì)應(yīng)于4毫乇×0.02×3秒＝2.4×10-4(乇·秒)。在形成了碳保護(hù)膜之后，加上了與實(shí)施例1的類似的潤(rùn)滑膜。比較例2與在與實(shí)施例2相同只是混合氣沒有被引入氧化腔的條件下制成的磁記錄介質(zhì)有關(guān)。實(shí)施例2的磁記錄介質(zhì)的矯頑力為2640奧斯特—這比比較例2的磁記錄介質(zhì)的高約200奧斯特。殘留磁通量密度Br與磁膜厚度t的積Br·t為89高斯微米。實(shí)施例2的磁記錄介質(zhì)的v·Isb為0.98×10-15(emu)—這是比較例2的磁記錄介質(zhì)的1.81×10-15(emu)的54％，因而介質(zhì)噪聲被減小到了比較例2的幾乎一半。實(shí)施例2和比較例2的估算記錄密度區(qū)中的再現(xiàn)輸出幾乎相同。介質(zhì)的S/N比的改善量與介質(zhì)噪聲的減小相對(duì)應(yīng)。當(dāng)把實(shí)施例2和比較例2的磁記錄介質(zhì)實(shí)際插入一個(gè)磁盤設(shè)備，并在道記錄密度為210kBPI且道密度為9.6kTPI的條件下估算MR頭的記錄和再現(xiàn)特性時(shí)，實(shí)施例2的磁記錄介質(zhì)的S/N比較比較例2的高1.3倍，并充分地滿足了平面記錄密度2.0千兆位/平方英寸的標(biāo)準(zhǔn)。另一方面，比較例2的介質(zhì)的S/N比不夠，且不能滿足該設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)。下面介紹本發(fā)明的實(shí)施例3制作出具有與實(shí)施例1中的類似的膜結(jié)構(gòu)的磁記錄介質(zhì)。2.5英寸的化學(xué)加強(qiáng)鋁硅酸鹽玻璃被用作基底40。在該基底的表面上形成每一個(gè)厚度為30nm的、用85原子％Cr-15原子％Zr合金制成的第一底涂層。依次形成每一個(gè)厚度為25nm的用80原子％Cr-15原子％Ti-5原子％B合金制成的第二底涂層、每一個(gè)厚度為22nm的用72原子％Co-19原子％Cr-1原子％Ti-8原子％Pt合金制成的磁膜、以及每一個(gè)厚度為10nm的碳保護(hù)層。與實(shí)施例1中的相同的單盤處理型濺射設(shè)備被用作層形成設(shè)備，且這些層是以每節(jié)拍8秒而形成的。在層形成時(shí)的氬(Ar)氣壓強(qiáng)被固定在5毫乇。在層形成操作期間主腔中的氧分壓強(qiáng)約3×10-9(乇)。第一底涂層在基底沒有被加熱的狀態(tài)下在第一底涂層形成腔中得到淀積，在加熱腔中被燈加熱器加熱到240℃，并在氧化腔中在其中采用了79mol％Ar-21mol％O2的混合氣體且氣體壓強(qiáng)為3毫乇(氣體流量為6sccm)的環(huán)境中被暴露了2秒，且這些層得到依次淀積。在此例中PO2·t對(duì)應(yīng)于3毫乇×0.21×2秒＝1.3×10-4(乇·秒)。在形成了碳保護(hù)膜之后，加上了與實(shí)施例1的類似的潤(rùn)滑膜。比較例3與在與實(shí)施例3相同只是混合氣沒有被引入氧化腔的條件下制成的磁記錄介質(zhì)有關(guān)。實(shí)施例3的磁記錄介質(zhì)的矯頑力為2680奧斯特—這比比較例3的磁記錄介質(zhì)的高約200奧斯特。殘留磁通量密度Br與磁膜厚度t的積Br·t為69高斯微米。實(shí)施例3的磁記錄介質(zhì)的v·Isb為0.89×10-15(emu)—這是比較例3的磁記錄介質(zhì)的1.44×10-15(emu)的60％，因而介質(zhì)噪聲被減小到了比較例3的幾乎40％。實(shí)施例3和比較例3的估算記錄密度區(qū)中的再現(xiàn)輸出幾乎相同。介質(zhì)的S/N比的改善量與介質(zhì)噪聲的減小相對(duì)應(yīng)。當(dāng)把實(shí)施例3和比較例3的磁記錄介質(zhì)實(shí)際插入一個(gè)磁盤設(shè)備，并在道記錄密度為225kBPI且道密度為9.8kTPI的條件下估算MR頭的記錄和再現(xiàn)特性時(shí)，實(shí)施例3的磁記錄介質(zhì)的S/N比較比較例3的高1.4倍，并充分地滿足了平面記錄密度2.2千兆位/平方英寸的標(biāo)準(zhǔn)。另一方面，比較例3的介質(zhì)的S/N比不夠，且不能滿足該設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)。下面介紹本發(fā)明的實(shí)施例4制成具有與實(shí)施例1中的磁記錄介質(zhì)類似的膜結(jié)構(gòu)的磁記錄介質(zhì)。在用具有95mm的外徑、25mm的內(nèi)徑、以及0.8mm的厚度并用96重量％Al-4重量％Mg制成的基底的兩面上，淀積13μm厚的、88重量％Ni-12重量％P的覆層。該基底的表面借助研磨機(jī)進(jìn)行拋光，從而使表面中心線的平均粗糙度Ra為2nm，并對(duì)其進(jìn)行清洗和干燥。在此之后，通過在有研磨顆粒存在的情況下，在轉(zhuǎn)動(dòng)基底的同時(shí)利用帶拋光機(jī)(例如在日本專利申請(qǐng)公開第62-262227中公布的)借助接觸輥來將研磨帶壓在兩個(gè)盤面上，從而在基底表面上形成幾乎沿著圓周方向的組構(gòu)。進(jìn)一步地，附著在基底上的臟物，例如拋光劑等等，得到清洗，并進(jìn)行干燥。在如上處理的基底的兩個(gè)表面上，分別依次形成第一底涂層，其每一個(gè)具有20nm的厚度，并由60原子％Co-30原子％Cr-10原子％Ta合金制成；第二底涂層，其每一個(gè)具有20nm的厚度，并由85原子％Cr-20原子％Ti合金制成；磁膜，其每一個(gè)具有20nm的厚度，并由72原子％Co-20原子％Cr-8原子％Pt合金制成；以及，碳保護(hù)層，其每一個(gè)具有10nm的厚度。與實(shí)施例1中的相同的單盤處理型濺射設(shè)備被用作層形成設(shè)備，且這些層是以每節(jié)拍8秒而形成的。在層形成時(shí)的氬(Ar)氣壓強(qiáng)被固定在5毫乇。在層形成操作期間主腔中的氧分壓強(qiáng)約1×10-9(乇)。第一底涂層在基底沒有被加熱的狀態(tài)下在第一底涂層形成腔中得到淀積，在加熱腔中被燈加熱器加熱到270℃，并在氧化腔中在其中98mol％Ar-2mol％O2的混合氣的氣體壓強(qiáng)為4毫乇(氣體流量為8sccm)的環(huán)境中被暴露了3秒，且這些層得到依次淀積。在此例中PO2·t對(duì)應(yīng)于4毫乇×0.02×3秒＝2.4×10-4(乇·秒)。在形成了碳保護(hù)膜之后，加上了與實(shí)施例1的類似的潤(rùn)滑膜，其是通過用碳氟化合物材料稀釋全氟烴基聚醚而得到的。在其中與用在本發(fā)明的實(shí)施例中的層形成設(shè)備相比所達(dá)到的真空度低且氧分壓強(qiáng)大的層形成設(shè)備中，或者在其中從第一底涂層形成直到第二底涂層形成的時(shí)間長(zhǎng)的層形成設(shè)備—象能夠同時(shí)在多個(gè)基底上形成層的設(shè)備—中，不需要象在這些實(shí)施例中那樣提供氧化腔，但能夠?qū)С鼋柚趸募?xì)小核心并能夠獲得與前述實(shí)施例的效果類似的效果。下面介紹本發(fā)明的實(shí)施例5制作出具有與實(shí)施例1中的類似的膜結(jié)構(gòu)的磁記錄介質(zhì)。2.5英寸的化學(xué)加強(qiáng)鋁硅酸鹽玻璃被用作基底40。在該基底的表面上依次形成第一底涂層，其每一個(gè)厚度為25nm，并用60原子％Co-30原子％Cr-10原子％Zr合金制成第二底涂層，其每一個(gè)厚度為20nm，并用85原子％Cr-15原子％Ti合金制成磁膜，其每一個(gè)的厚度為20nm，用75原子％Co-19原子％Cr-6原子％Pt合金制成；以及，碳保護(hù)層，其每一個(gè)厚度為10nm。用于在由一個(gè)托架所保持的多個(gè)基底上同時(shí)形成層的設(shè)備，被用作層形成設(shè)備，且層是以60秒的節(jié)拍進(jìn)行的。在層形成時(shí)的氬(Ar)氣壓強(qiáng)被固定在6毫乇。在層形成操作期間主腔中的氧分壓強(qiáng)約1×10-8(乇)。第一底涂層在基底沒有被加熱的狀態(tài)下在第一底涂層形成腔中得到淀積，在加熱腔中被燈加熱器加熱到270℃，且這些層被依次形成。相對(duì)于PO2·t這對(duì)應(yīng)于2×10-6(乇·秒)。在形成了碳保護(hù)膜之后，通過用碳氟化合物材料稀釋全氟烴基聚醚而獲得的一種材料，作為潤(rùn)滑膜，而得到施加。表2</tables>當(dāng)在沒有第二底涂層的情況下，在由具有非晶結(jié)構(gòu)或類似非晶結(jié)構(gòu)的一種細(xì)小晶體結(jié)構(gòu)的并在氧化環(huán)境中暴露過的Co合金制成的第一底涂層上直接形成磁膜時(shí)，磁膜呈現(xiàn)出強(qiáng)(00.1)取向。這種取向是這樣的，即磁膜的Co合金晶體的c軸向著膜平面的縱向方向取向。雖然該介質(zhì)不能被用作平面內(nèi)磁記錄介質(zhì)，但它適合于記錄沿著膜平面的垂直方向的磁化的縱向磁記錄介質(zhì)。圖6是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的磁盤設(shè)備的示意平面圖和沿著A-A’線取的示意橫截面圖。該磁盤設(shè)備包括盤驅(qū)動(dòng)裝置65，用于沿著一個(gè)記錄方向驅(qū)動(dòng)一個(gè)磁記錄介質(zhì)64；一個(gè)磁頭61，它與磁記錄介質(zhì)64的面相對(duì)應(yīng)地設(shè)置并由一個(gè)記錄部分和一個(gè)再現(xiàn)部分組成；一個(gè)磁頭驅(qū)動(dòng)裝置62，用于把磁頭61定位到一個(gè)所希望的位置；以及，讀出和寫入信號(hào)處理器63，用于把信號(hào)輸入到磁頭中并再現(xiàn)來自該磁頭的再現(xiàn)信號(hào)。通過由一個(gè)MR頭構(gòu)成磁頭的再現(xiàn)部分，能夠在高記錄密度下獲得充分的信號(hào)強(qiáng)度，從而能夠?qū)崿F(xiàn)具有每平方英寸1千兆位或更高的記錄密度的非?？煽康拇疟P設(shè)備。當(dāng)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)被用作該磁盤設(shè)備中時(shí)，夾著MR頭的磁阻檢測(cè)器部分的兩個(gè)屏蔽層之間的間隔較好地是0.35μm或更窄。當(dāng)這些屏蔽層之間的間隔比0.35μm寬時(shí)，分辨率下降且信號(hào)的相位起伏增大。另外，MR頭是由一種磁阻檢測(cè)器—該檢測(cè)器包括其中磁化方向被一個(gè)外部磁場(chǎng)所相對(duì)改變的多個(gè)導(dǎo)磁層從而造成了大的磁阻改變—和設(shè)置在導(dǎo)磁層之間導(dǎo)電非磁層構(gòu)成的。通過利用巨磁阻效應(yīng)或自旋閥效應(yīng)，信號(hào)強(qiáng)度能夠得到進(jìn)一步的提高。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)具有每平方英寸2千兆位的記錄密度的非常可靠的磁存儲(chǔ)器。1996年11月5日遞交的日本專利申請(qǐng)第8-292451的整個(gè)公開—包括其說明書、權(quán)利要求書、附圖和摘要，在此都被作為參考文獻(xiàn)。權(quán)利要求1.一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，包括以下步驟在一個(gè)基底的表面上形成第一底涂層；使該第一底涂層在包括氧的環(huán)境中暴露一段時(shí)間—其間PO2·t(PO2是該環(huán)境中的氧分壓強(qiáng)且t是對(duì)該環(huán)境的暴露時(shí)間)從1×10-6(乇·秒)至1×10-2(乇·秒)；分別在暴露于該環(huán)境的第一底涂層上形成第二底涂層；以及在第二底涂層上分別形成磁膜。2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中第一底涂層是用一種合金制成的，且該合金包括至少兩種元素—其中在250℃的溫度下這些元素的氧化物形成標(biāo)準(zhǔn)自由能ΔG°之差為150(kJ/molO2)或更大(當(dāng)已有兩種以上的氧化物時(shí)，ΔG°處于最低值)。3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中第一底涂層是直接形成在基底上的。4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中第一底涂層被分別形成在形成于基底的表面上的基底表面底涂層上。5.一種磁記錄介質(zhì)，包括一個(gè)基底；形成在該基底上的一個(gè)第一底涂層；直接形成在該第一底涂層上的一個(gè)第二底涂層；以及形成在該第二底涂層上的一個(gè)磁膜，其中在第一與第二底涂層的界面上散布有具有大量的氧的團(tuán)。6.一種磁記錄介質(zhì)，包括一個(gè)基底；由形成在該基底上的非晶合金制成的第一底涂層；直接形成在該第一底涂層上的一個(gè)第二底涂層；以及形成在第二底涂層上的磁膜，其中在第一與第二底涂層的界面上散布有具有大量氧的團(tuán)。7.根據(jù)權(quán)利要求5或6的介質(zhì)，其中該基底是玻璃基底。8.根據(jù)權(quán)利要求5或6的介質(zhì)，其中基底是用鋁合金制成的基底。9.根據(jù)權(quán)利要求5或6的介質(zhì)，其中第一底涂層被直接形成在基底上。10.根據(jù)權(quán)利要求5或6的介質(zhì)，其中第一底涂層被直接形成在一個(gè)基底表面底涂層上，而該底涂層形成在基底表面上。11.一種磁存儲(chǔ)器，包括一個(gè)磁記錄介質(zhì)，它具有一個(gè)基底，形成在該基底上的一個(gè)第一底涂層，直接形成在第一底涂層上的一個(gè)第二底涂層，以及形成在第二底涂層上的一個(gè)磁膜，其中在第一與第二底涂層的界面上散布有具有大量的氧的團(tuán)；由一個(gè)記錄部分和一個(gè)再現(xiàn)部分組成的一個(gè)磁頭，它與磁記錄介質(zhì)的面相對(duì)應(yīng)地設(shè)置；一個(gè)驅(qū)動(dòng)單元，用于改變磁記錄介質(zhì)與磁頭的相對(duì)位置；一個(gè)磁頭驅(qū)動(dòng)單元，用于把磁頭定位到所希望的位置；以及一個(gè)讀出和寫入信號(hào)處理器，用于把信號(hào)輸入到該磁頭并再現(xiàn)從該磁頭輸出的信號(hào)。12.一種磁存儲(chǔ)器，包括一個(gè)磁記錄介質(zhì)，它包括一個(gè)基底，形成在該基底上的由非晶合金制成的一個(gè)第一底涂層，直接形成在該第一底涂層上的一個(gè)第二底涂層，以及形成在該第二底涂層上的一個(gè)磁膜，其中在第一與第二底涂層的界面上散布有具有大量氧的團(tuán)；由一個(gè)記錄部分和一個(gè)再現(xiàn)部分組成的一個(gè)磁頭，它與磁記錄介質(zhì)的面相對(duì)應(yīng)地設(shè)置；一個(gè)驅(qū)動(dòng)單元，用于改變磁記錄介質(zhì)與磁頭的相對(duì)位置；一個(gè)磁頭驅(qū)動(dòng)單元，用于把磁頭定位到所希望的位置；以及一個(gè)讀出和寫入信號(hào)處理器，用于把信號(hào)輸入到該磁頭并再現(xiàn)從該磁頭輸出的信號(hào)。13.根據(jù)權(quán)利要求11或12的存儲(chǔ)器，其中磁記錄介質(zhì)的基底是玻璃基底。14.根據(jù)權(quán)利要求11或12的存儲(chǔ)器，其中磁記錄介質(zhì)的第一底涂層是直接形成在基底上的。15.根據(jù)權(quán)利要求11或12的存儲(chǔ)器，其中磁記錄介質(zhì)的第一底涂層是形成在一個(gè)基底面底涂層上的，而該基底面底涂層形成在基底的表面上。全文摘要一種磁記錄介質(zhì),它具有:第一底涂層41、41’,它們直接或通過基底面底涂層而形成在基底40上;第二底涂層42、42’,它們直接形成在第一底涂層41、41’上;磁膜43、43’,它們被形成在第二底涂層42、42’上;以及,保護(hù)膜44、44’,它們被形成磁膜43、43’上。具有大量的氧的團(tuán)散布在第一和第二底涂層的界面上。較好地,第一底涂層用包括兩種元素的合金制成—這兩種元素的氧化物形成標(biāo)準(zhǔn)自由能ΔG°之差在250℃的溫度下是很大的。文檔編號(hào)G11B5/66GK1181575SQ97122430公開日1998年5月13日申請(qǐng)日期1997年11月5日優(yōu)先權(quán)日1996年11月5日發(fā)明者松田好文,石川晃,屋久四男,細(xì)江讓,神邊哲也,阪本浩二申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立制作所