專利名稱：：高密度光盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及用來利用激光重放記錄的信息的光記錄介質(zhì)，更詳細地說，涉及能密集地記錄和重放信息的一種高密度記錄介質(zhì)。近來，主要作為聲頻和視頻記錄介質(zhì)的高密度光盤的研究工作一直在積極進行。作為高圖像質(zhì)量和高聲音質(zhì)量的信息傳輸介質(zhì)的代表性的例子的數(shù)字視盤(DVD)系統(tǒng)，帶來了把數(shù)字視頻信息和聲頻信息結(jié)合起來的多媒體時代的概念。DVD系統(tǒng)的誕生除了是視頻和聲頻信息數(shù)字化的技術(shù)革新之外，作為取代那些模擬視頻系統(tǒng)的盒式磁帶錄像機和激光盤的需求，它有著巨大的商業(yè)市場前景。因此，需要有一種能增加記錄容量的高密度基片的制作方法，以適應(yīng)下一代多媒體市場。轉(zhuǎn)讓給與本發(fā)明一樣的受轉(zhuǎn)讓人的韓國專利申請第95-1802號中公開了一種制作高密度基片的技術(shù)。在上述專利申請第95-1802號中，在基片1的下部相繼形成半透明層2和保護層4B，基片1在其兩面形成有凹槽和凹坑。在基片1的上部相繼形成反射層3和保護層4A。但是，如果在光束的入射方向有塵?；蛭畚?，上述光盤基片在重放過程中可能產(chǎn)生錯誤，這是因為一個光點被散射了。此外，由于信息面暴露在外部，使用光盤時可能損壞信息面，必然會影響耐用性。本發(fā)明的一個目的是提供一種能增加記錄容量并確保耐用性的高密度光盤。本發(fā)明的另一個目的是提供一種能簡化作業(yè)并提高產(chǎn)量的高密度光盤。體現(xiàn)本發(fā)明的高密度光盤包括在第一個基片的兩個信息記錄面上分別形成的反射層，以及在第二個和第三個基片中的每個基片的一個信息記錄面上分別形成的半透明層。第二個和第三個基片被分別粘合到第一個基片的兩側(cè)。下面將參照附圖更具體地說明本發(fā)明，其中圖1是傳統(tǒng)光盤的截面圖；以及圖2是根據(jù)本發(fā)明的光盤的截面圖。在下面的說明中，不再詳細描述眾所周知的功能和結(jié)構(gòu)，它們可能以不必要的細節(jié)使本發(fā)明模糊不清。為了制作一片典型的光盤，需要一系列工藝過程，即母盤制作過程，壓模制作過程，盤片成型過程，反射層和保護層的形成過程，后處理過程，等等。母盤制作過程就是通過用光刻法在覆蓋在玻璃母板上的光刻膠上面形成微小的凹坑來制作玻璃母盤。壓模制作過程就是用鍍金法把在玻璃母盤上形成的微小凹坑轉(zhuǎn)移到壓模上。盤片成型過程就是利用壓模大量地復制光盤基片。作為盤片成型過程，有壓塑法，注模法，光聚法(2P)等等。反射層和保護層形成過程就是形成反射層和保護層。反射層一般通過真空沉積或陰極濺鍍等等形成。保護層通常用旋轉(zhuǎn)法形成。在本發(fā)明的一個最佳實施方案中，與一般的盤片成型過程(例如，注模法)不同，盤片是通過將兩個記錄有信息的壓模固定到制模機的兩個表面上制成的。之后，就在一個基片的兩面產(chǎn)生記錄信息的凹坑。在形成反射層和保護層時，把一個靶放在濺鍍設(shè)備的工作室的兩個面上，以便在一個基片的兩個面上同時形成反射層。在壓模制作過程中，例如，把道間距設(shè)置在0.6微米。此外，圖1所示的基片結(jié)構(gòu)得到改進。也就是說，如圖2所示，用紫外線粘接法(UVbonding)把每個厚度為0.6毫米的基片分別粘到具有兩個信息記錄面的0.6毫米或1.2毫米的基片上部和下部。所以有四個信息面。圖2是根據(jù)本發(fā)明的光盤的截面圖。參看圖2，在已經(jīng)形成凹坑的基片10的兩個表面上，相繼形成鋁反射層12A和12B，紫外線粘接層14A和14B，半透明層16A和16B，以及僅僅在其一面形成凹坑的基片18A和18B。與一般的模壓法不同，具有在其兩面形成的記錄信息的凹坑的基片10是通過把兩個壓模固定到金屬模的兩面并壓制壓模來制作的。具有僅僅在其一面形成的記錄信息的凹坑的基片18A和18B是通過把壓模固定到金屬模的一面并壓制壓模來制作的。在基片10的兩面分別形成鋁或鋁-鈦反射層12A和12B。在用一般模壓方法制作的基片18A和18B的每一個基片的形成凹坑的面上分別產(chǎn)生SiN、SiC或Au半透明層16A和16B。在制作好基片10以及基片18A和18B之后，用紫外線粘接法把兩個基片18A和18B粘接到基片10的兩個表面上。用紫外線粘接法形成的紫外線粘接層14A和14B的每一個的厚度最好是30-40微米。為了從圖2的光盤上重放信息，635納米的紅色激光束透過基片18A照射，從而讀出上面基片18A的信息。利用穿過半透明層16A和紫外線粘接層14A的紅色激光束重放光盤上層的信息。光盤上層的信息是靠反射率的不同而讀出的。SiN半透明層16A的反射率是30％，而鋁反射層12A的反射率是90％。在半透明層16A的信息層的情況下由光盤上層的光學頭所檢測到的反射率是30％，在反射層12A的信息層的情況下是44％。光盤下層的信息由安裝在那里的另外的光學頭重放。下面的表1表示與圖1的傳統(tǒng)光盤相比圖2中本發(fā)明的光盤的容量。表1</tables>如上面的表1所示，傳統(tǒng)光盤在道間距為0.74微米的情況下，每個盤片的記錄容量為9.4千兆字節(jié)(GB)，而本發(fā)明的光盤在道間距為0.6微米的情況下，具有每個盤片30GB的記錄容量。如前面所述，由于有四個信息層，可得到一般DVD兩倍的記錄容量。DVD系統(tǒng)有復雜的工藝制作過程，因為需要通過光聚作用制作雙層。但是，本發(fā)明的光盤沒有光聚作用，簡化了作業(yè)并能提高產(chǎn)量。此外，通過把0.6毫米的基片粘結(jié)到具有兩個信息記錄面的基片的上下部分，能提高耐用性。應(yīng)該理解，本發(fā)明并不局限于在此公開的特定的實施例，作為試圖實現(xiàn)本發(fā)明的最佳方式，本發(fā)明不限于在這個詳細說明中所描述的具體實施例，而只限于所附加的權(quán)利要求書中所確定的內(nèi)容。權(quán)利要求1.一種高密度光盤，包括在第一個基片的兩個信息記錄面上分別形成的反射層；以及在第二個和第三個基片中的每個基片的一個信息記錄面上分別形成的半透明層；其中所述第二個和第三個基片分別粘接到所述第一個基片的兩面。2.如權(quán)利要求1中所述的一種高密度光盤，其特征在于，所述的基片用紫外線粘接方法(UVbonding)粘接。3.如權(quán)利要求1或2中所述的一種高密度光盤，其特征在于，一個粘接層的厚度為30-40微米。4.如權(quán)利要求3中所述的一種高密度光盤，其特征在于，所述半透明層的每一層的材料是碳化硅(SiC)或氮化硅(SiN)。5.如權(quán)利要求3中所述的一種高密度光盤，其特征在于，所述的每一個反射層的材料是鋁。6.如權(quán)利要求3中所述的一種高密度光盤，其特征在于，所述的每一個反射層的材料是鋁-鈦。7.如權(quán)利要求1中所述的一種高密度光盤，其特征在于，所述第一個基片是在把兩個壓模固定到制模機的兩個面上后模壓而成的，每個壓模有一個信息記錄面。全文摘要一種高密度光盤,包括在第一個基片的兩個信息記錄面上分別形成的反射層,以及在第二個和第三個基片中的每個基片的一個信息記錄面上分別形成的半透明層。第二個和第三個基片分別粘接到第一個基片的兩側(cè)。文檔編號G11B7/26GK1197270SQ97122648公開日1998年10月28日申請日期1997年11月26日優(yōu)先權(quán)日1997年4月18日發(fā)明者盧明道,吉炳龍申請人:三星電子株式會社