專利名稱：具有連續(xù)磁導的磁頭的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種磁頭，該磁頭具有一個以磁信息介質相對于磁頭可作相對移動的第一方向和以橫截于第一方向的第二方向延伸的端面，并包括一個磁頭結構，該磁頭結構具有一個其有效尺寸平行于第二方向延伸的傳感元件，和一個以第二方向和橫截于第一和第二方向的第三方向延伸的并到達端面的磁導，該磁導可與傳感元件磁耦合并且具有在第二方向上的第一尺寸和在第三方向上的第二尺寸。
本發(fā)明也涉及一種多道磁頭，該多道磁頭具有一個以磁信息介質相對于磁頭可作相對移動的第一方向和以橫截于第一方向的第二方向延伸的端面，并且包括一個磁頭結構，該磁頭結構具有傳感元件，該傳感元件以第一方向觀察是并置的，和磁導，該磁導以第二方向觀察是并置的并至少以第二方向和以橫截于第一和第二方向的第三方向延伸，且到達端面。
采用薄膜技術制造的磁頭已由NL-A8902884(PHN 13.144)所公知，該磁頭具有一個端面并包括具有多層結構的基片。該多層結構包括多個共面的軟磁層，這些軟磁層相互空間隔離并到達與磁記錄介質磁配合的端面內。多層結構也沒有與所述層，即磁阻或電感元件磁耦合的傳感元件。每個傳感元件具有一個有效部分，在該部分內在操作期間可檢測或感應磁化強度的變化。雖然用已知的磁頭可寫和/或讀的信息磁道較窄，但是因為已知磁頭設有相隔開的各導磁層構形而具有有限的磁道密度，所以，在寫時可達的磁跡密度和在讀時可允許的磁跡密度是有限的。因此，需要較復雜的構成技術來建立這些層和確定讀或寫磁道，迫使層之間給定最小距離。
本發(fā)明的目的是提供一種具有較窄的讀或寫磁道并以簡單方法實現(xiàn)的磁穩(wěn)定的磁頭。然后，當使用多道磁頭時設計一種高磁道密度。
根據(jù)本發(fā)明的磁頭，其特征在于，磁導在第二方向上具有一個比第三方向上小的相對磁導率，第一尺寸比第二尺寸大，并比傳感元件的有效尺寸要大。
本發(fā)明的一個方面是基于這樣一種認識，即具有精確規(guī)定讀或寫寬度的穩(wěn)定的磁頭在磁導中使用連續(xù)磁導并結合磁各向異性時可用相當簡單方法來實現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明的磁頭具有良好的信噪比，在相當程度上是由于所使用的磁導的磁穩(wěn)定性。在實際的實施方案中，第一尺寸優(yōu)選地至少約是第二尺寸的兩倍。
已經發(fā)現(xiàn)一種優(yōu)異限定的讀或寫磁道可以在第二方向上適用于較低磁導的磁導率，優(yōu)選地低于100，特別是以小于在第三方向上的磁導率至少10倍的磁導率。
根據(jù)本發(fā)明的磁頭的實際實施方案，其特征在于，磁導在第三方向上具有一個相對磁導率，它比在第二方向上的相對磁導率至少大25倍。
根據(jù)本發(fā)明的磁頭是一種薄膜磁頭，并可具有電感傳感元件或磁阻傳感元件，根據(jù)其用途，它可以是單個寫磁頭或讀磁頭?；蛘呖梢允勾蓬^為多道磁頭，即具有幾個離散磁道的磁頭。在每個實施中，磁頭可應用在視頻、數(shù)據(jù)、音頻或多媒體系統(tǒng)中。如寫磁頭、讀磁頭和如寫/讀磁頭，該磁頭適合于與磁信息或記錄介質，例如磁帶或磁盤相配合。根據(jù)本發(fā)明的磁頭也特別適合作為傳感器。
適合于磁導的材料是，例如，NiFe合金、非晶CoNbZr合金或諸如FeTaN合金或FeNbSiN合金之類的毫微晶狀鐵合金。已經發(fā)現(xiàn)所述的鐵合金，例如Fe76.8Ta10.2±0.2N13.0±1.0或Fe76.9Nb10.2±0.2Si2.2±0.3N10.9±1.0具有從甚低頻到甚高頻，即遠低于1KHz和遠高于10KHz的所要求的各向異性磁導率。
該磁導率可以用已知方法在平的薄膜上，例如，在盤形基片上測得。例如，當使用在易磁化軸和難磁化軸方向的自感應測量時，各向異性的程度優(yōu)選地可在高頻上確定，其中磁疇壁的運動被足夠地限制。
如果提供一種磁阻傳感元件，根據(jù)本發(fā)明的磁頭是優(yōu)選的，其特征在于，磁導第三方向上是間斷的，用于形成由磁阻元件跨接的一個縫隙。
根據(jù)本發(fā)明的磁頭的一個實際實施方案，其特征在于，磁導的第一尺寸比傳感元件的有效尺寸至少大40％。經統(tǒng)計，發(fā)現(xiàn)用作讀磁頭時磁頭穩(wěn)定性比已知讀磁頭要好得多。
本發(fā)明也涉及一種磁頭，其特征在于，設有該類型的幾個磁導，在第一方向觀察，它們是并置的，每個磁導與傳感元件磁配合。
在本專利申請中所描述的作用和優(yōu)點也可應用到根據(jù)本發(fā)明的這種磁頭。每個磁導在第三方向上具有的磁場或相對磁導率優(yōu)選地比在第二方向上磁場或相對磁導率至少大10倍。
根據(jù)本發(fā)明的多道磁頭，其特征在于，磁導與至少幾個傳感元件磁耦合，并在第二方向上連續(xù)，至少一個磁導在第二方向上的相對磁導率比第三方向小。
本發(fā)明的一個方向是基于這樣一種認識，即當使用處于本技術領域的多道磁頭的適當磁各向異性時需要的許多獨立的分離的磁導可以用有限數(shù)的共用磁導替代。在出現(xiàn)在根據(jù)本發(fā)明的多道磁頭中的磁導中，各向異性保證了所需磁道相分離。由于磁導率在第三方向上，出現(xiàn)在各向異性的磁導中的磁通量被主要導向那個方向。因此，在第二方向上不必構成磁導，這樣因為所需的復雜制造步驟要比在已知磁頭制造期間需要的要少，所以帶來了技術的優(yōu)越性。
在根據(jù)本發(fā)明的多道磁頭中，其中每個磁導在第二方向上是連續(xù)的，公共非磁性傳感縫隙可延伸在兩個磁導之間，而所需的磁道隔離可由磁各向異性完整地建立。由于簡單的多層磁頭結構，其中幾乎沒有間隙，因此制造薄膜類型的多道磁頭需要一種簡單構造技術。
已經發(fā)現(xiàn)，可用的磁道分離磁導的磁導率較低的第二方向上是可行的，優(yōu)選地小于100，特別是以比在第三方向上的磁導率小10倍的磁導率的情況下。
由于在第二方向上的相對磁導率選擇得比在第三方向上的相對磁導率要小，確定磁道分離增加和較高的磁道密度是可能的。在實際實施方案中，磁導優(yōu)選地在第三方向上的相對磁導率比在第二方向上的相對磁導率大25倍。已經發(fā)現(xiàn)，由于在這個方向上磁導的小尺寸，在第一方向上的磁導率起較小的作用。此外，根據(jù)本發(fā)明的多道磁頭中使用各向異性的磁導的重要優(yōu)點在于，由于磁導在第二方向上是連續(xù)的，在磁導中出現(xiàn)磁疇壁不需要運動的危險較小，以致于具有足夠的磁穩(wěn)定性和不會產生任何或幾乎沒有巴克毫森噪聲。
根據(jù)本發(fā)明的多道磁頭可設有電感傳感元件和/或磁阻傳感元件，根據(jù)其用途，它可以是一個多道寫磁頭、一個多道讀磁頭、一個多道組合的寫/讀磁頭或一個伺服磁頭。在這些實施中，多道磁頭可應用在視頻、數(shù)據(jù)、音頻或多媒體系統(tǒng)。作為寫磁頭和讀磁頭，多道磁頭特別適合于與具有高磁跡密度的磁信息或記錄介質相配合，其中磁跡寬度是可以等于磁跡間距。作為寫磁頭，根據(jù)本發(fā)明的多道磁頭具有特別的優(yōu)點，可防止在相鄰磁跡上的磁通擴展，甚至在很高磁跡密度的情況下。
適用于磁導的材料是例如，NiFe合金、非晶CoNbZr合金或諸如FeTaN合金或FeNbSiN合金之類的毫微晶狀鐵合金。已經發(fā)現(xiàn)所述的鐵合金，例如Fe76.8Ta10.2±0.2N13.0±1.0或Fe76.9Nb10.2±0.2Si2.2±0.3N10.9±1.0具有從甚低頻到甚高頻，即遠低于1KHz和遠高于10MHz的所需各向異性磁導率。
根據(jù)本發(fā)明的多道磁頭的一個實施方案，其特征在于，兩個磁導具有在第二方向上的相對磁導率，它比在第三方向上的小。在本實施方案中，前面所述的磁道分離被更好地限定。
根據(jù)本發(fā)明的多道磁頭的一個實施方案，其特征在于，至少一個磁導相對至少幾個傳感元件擴展。根據(jù)該實施方案，該磁導相對多個傳感元件整個或僅部分出現(xiàn)。相關磁導優(yōu)選地位于所有并置傳感元件對面或位于傳感元件的相干組對面。
根據(jù)本發(fā)明的多道磁頭的一個實施方案，其特征在于，設有在第二方向上延伸的導電帶和具有用于形成單個電感元件的抽頭。這種電感元件的構形是節(jié)省空間的并且采用已知的制造技術是可以實現(xiàn)的。該導電帶可用諸如銅或金之類的金屬制成。
根據(jù)本發(fā)明的多道磁頭的一個實施方案，其特征在于，設有在第二方向上延伸的軟磁帶和具有用于形成單個磁阻元件的抽頭。這種磁阻元件的構形是節(jié)省空間的并在采用已知的制造技術是可以實現(xiàn)的。該軟磁帶可用例如NiFe合金制成。該軟磁帶也可用構成自旋閥(spin-valve)型的大磁阻元件的NiFe、Cu和FeMn的一個多層制成。FeMn組成一個反鐵磁性層。另一方面，Ni氧化物用于最后所述的層。
本發(fā)明涉及一種裝置，該裝置使用磁頭或多道磁頭用于把信息存儲在諸如磁帶、磁盤或磁卡之類的磁信息或記錄介質上和或從其讀信息。
根據(jù)本發(fā)明的裝置設有根據(jù)本發(fā)明的磁頭或根據(jù)本發(fā)明的多道磁頭，并還設有用于相互置換磁頭、或多道磁頭和信息介質的設備。所述的磁頭可以是用于讀信息的磁阻類的，或用于寫和/或讀信息的電感型的。另外，可以是組合的磁阻/電感磁頭。
結合后面所述實施方案的說明，本發(fā)明的這些和其它方面將變得顯而易見。
附圖中

圖1是根據(jù)本發(fā)明的多道磁頭的第一實施方案的剖視圖，圖2是第一實施方案的平面圖，圖3是多道磁頭的第二實施方案的剖視圖，圖4是第二實施方案的平面圖，圖5是取圖3的V-V剖線的第二實施方案的剖視圖，圖6是多道磁頭的第三實施方案的剖視圖，圖7是第三實施方案的平面圖，圖8表示根據(jù)本發(fā)明的裝置的一個實施方案的示意圖，圖9表示適用于與圖8所示的裝置配合的盒式磁帶的一個實施方案的示意圖，圖10是根據(jù)本發(fā)明的磁頭，特別是單磁頭的一個實施方案的剖視圖，和圖11表示取圖10的XI-XI剖線的圖10所示的實施方案的剖視圖。
圖1和圖2所示的根據(jù)本發(fā)明的多道磁頭是一個薄膜磁頭，并具有一個與磁信息介質，即在本實施方案中的磁帶3配合的端面1。端面1以兩個方向延伸，其第一方向X相應于磁帶3的移動方向，和第二方向Y垂直于第一方向X。多道磁頭具有一個磁頭結構，該磁頭結構具有Al2O3/TIC的非磁性基片5和本實施方案中的薄膜結構。該薄膜結構包括一個多個電感傳感元件7，從第一方向觀察是并置的，或從Y方向觀察是一個置于另一個后面。在本實施方案中，傳感元件7構成一個導電金帶9的一部分，該導電金帶9以第二方向Y延伸并具有用于形成單個可控制或可測量傳感元件的抽頭9a。薄膜結構還包括兩個連續(xù)磁導11和13，該磁導11和13延伸在磁頭面內并形成位于磁導11和13之間的傳感元件7的磁路。磁導11和13具有這種磁各向異性，即在垂直于方向X和y的方向Z上的其磁導率μz是比在第二方向Y上的其磁導率μy大100倍或更大。由于使用各向異性，每個磁導11和13可認為是一組組合的磁導，其數(shù)目對應于傳感元件7的數(shù)目而且各向異性保證了所需磁道分離。在本實施方案中，磁導11和13是由FeTaN合金構成，其中出現(xiàn)的各向異性是通過在所述材料的淀積期間采用適當磁場獲得的。如果使用NiFe合金，而不是FeTaN合金，所述的倍數(shù)最小為25倍。
例如，濺射可作為淀積方法使用。應該注意，由于在第一方向X上磁導11和13的小的厚度，在該方向上磁導率起較小作用。也應注意，磁導11和13限制鄰接端面1的非磁性傳感縫隙15。同樣地，隔離層出現(xiàn)在導電金帶9和磁導11和13之間，傳感縫隙15由SiO2，Al2O3或另一種非磁性材料構成。
圖3和4所示的根據(jù)本發(fā)明的多道磁頭是一個YMR磁頭，其中磁軛由第一磁導111、第二磁導113a、113b和磁阻型的傳感元件107構成。多道磁頭具有一個端面101，該端面101以對應于在操作期間沿磁頭移動的磁帶的縱方向和在這個方向上磁帶103相對于磁頭移動的第一方向X，和以對應于磁帶103的橫向方向的、垂直于第一方向X的第二方向Y延伸。與磁導113a、113b相同，提供在非磁性基片105上的磁導111在第二方向Y是連續(xù)的。然而，磁導113a、113b在垂直于方向X和y的方向Z是連續(xù)的，該第三方向對應于磁帶103的厚度方向，而非磁性材料的間隔或縫隙114延伸在兩個磁導113a和113b之間。該縫隙114是用以第二方向Y延伸的、例如NiFe合金的軟磁帶109跨接的。該軟磁帶109設有抽頭109a，用于構成單個可測量的磁組元件107。
在本實施方案中，磁導111和113a、113b由FeNbSiN合金制成并且兩者在方向Z的相對磁導率μrz比在第二方向Y的相對磁導率μry大許多倍，即100到1000倍。另一種方案，可使用例如，NiZn鐵氧體的軟磁基片，代替非磁性基片105和磁導111。
在圖5中，顯示了操作中的圖3和4所示的根據(jù)本發(fā)明的磁頭。其中存儲音頻、視頻和/或數(shù)據(jù)信息的多個磁跡103a出現(xiàn)在磁帶1上。由幾個磁導103a引入的磁通經各向異性的磁導113a、113b，特別是磁導件113a引導到磁阻元件107，由于存在各向異性，該磁通主要以Z方向流動。圖5表示產生在磁導113a的稍發(fā)散的磁導圖案115的示意圖。所實現(xiàn)的發(fā)散程度和磁道分離的質量是基于在磁導率μrz和磁導率μry之間的差值。μrz相對于μry越大，則發(fā)散就越小和磁道分離就越輪廓清晰。由此，可實現(xiàn)高磁道密度，以致于能掃描緊密并置的磁跡。
圖6和7所示的根據(jù)本發(fā)明的多道磁頭是一個縫隙內傳感器磁頭(SIG磁頭)。與正交系統(tǒng)的軸有關，磁頭面201以第一方向X和第二方向Y延伸，方向X對應于磁信息介質相對于多道磁頭作相對移動的方向。多道磁頭包括一個具有起磁導作用的磁基片205、磁導213和傳感元件，特別是延伸在基片205和磁導213之間的磁阻傳感器207的磁頭結構。傳感元件207、基片205以及磁導213鄰接磁頭面201。諸如石英之類的絕緣材料202出現(xiàn)在基片205和磁導213之間、在基片205和傳感元件207之間，和在傳感元件207和磁導213之間。在本實施方案中，基片205和磁導213是由非晶CoNbZr合金制成并以方向Y沿幾個傳感元件207連續(xù)延伸。在與所述系統(tǒng)的軸有關的第三方向Z中，磁基片205和磁導213具有一個相對磁導率μrz，比在方向Y的相對磁導率μry大許多倍，至少100倍。傳感元件207可以是獨立元件或，如在本實施方案中，諸如NiFe之類的磁阻材料的一個帶209的集成元件。該帶209具有抽頭209a，用于單個測量傳感元件207。
本發(fā)明不限于所示的多道磁頭。所使用的方法可連續(xù)地應用在各種類型的多道磁頭，特別是讀磁頭、寫磁頭和讀/寫磁頭，與磁道的數(shù)目無關。
圖8所示的根據(jù)本發(fā)明的裝置適用于寫和/或讀磁帶603，在本實施方案中，出現(xiàn)在圖9所示的盒式磁帶601中。該裝置具有一個帶有機架503的外殼501。外殼501尤其接納用于驅動主動輪507的驅動電機505和根據(jù)本發(fā)明的多道磁頭511，在本實施方案中多道磁頭固定在副機架509，其副機架通過驅動電機503可沿導向軸515移動。該裝置還具有一個引導件517，用于使磁帶601裝入外殼501和從其取出。盒式磁帶601可被用于，例如以數(shù)字形式存儲信息。盒式磁帶具有兩個卷帶軸605和607，在兩軸之間出現(xiàn)一部分磁帶603。出現(xiàn)在兩卷帶軸之間的部分磁帶603在本實施方案中沿兩個固定的導帶輪609和611并沿主導軸613移動。在盒式磁帶601中設有沿主導軸613、卷帶軸605和607、和兩個導帶柱617主619移動的環(huán)行傳動帶615。在操作狀態(tài)中，其中盒式磁帶601與根據(jù)本發(fā)明的裝置501相配合，磁頭511嚙合盒式磁帶中的凹槽621并與磁帶603接觸。同時，驅動輪507經從一個卷帶軸到另一個卷帶軸縱向移動的磁帶與主導軸613接觸。
雖然所示的裝置原則上是數(shù)據(jù)存儲裝置，但是根據(jù)本發(fā)明的裝置不限于此。該裝置的另一種方案可以是一個音頻和/或視頻裝置。然而，信息介質不僅可以是磁帶而且也可以是磁盤或磁卡。
圖10和11所示的根據(jù)本發(fā)明的磁頭通過薄膜技術的方法制成并具有與磁信息介質，例如磁帶703相配合的端面701。端面701以兩個方向延伸，第一方向X對應于磁帶703的移動方向和第二方向Y垂直于第一方向X并對應于磁帶703的橫向方向。磁頭具有一個磁頭結構，在本實施方案中，具有在其上提供一個薄膜結構的例如Al2O3/TiC的非磁性基片705。薄膜結構包括一個磁阻元件707和一個包括兩個磁導711和713a、713b的磁軛。例如石英的電絕緣非磁性絕緣層710提供在磁導711和磁導713a、713b之間，磁導711具有非磁性基片705，其中一個絕緣層可出現(xiàn)或不出現(xiàn)在基片705和磁導711之間。如果需要的話，該磁頭可不用磁導711進行實施。這時，例如，當基片705用諸如鐵氧體之類的磁性材料，例如NiZn鐵氧體制成并起磁導的作用。磁導713a、713b在垂直于方向X和Y的方向Z上是間斷的，其方向Z對應于端面701上的法線方向，而用非磁性材料，例如石英填充的縫隙714出現(xiàn)在兩個磁導713a、713b之間?？p隙714是由絕緣層712和以前所述的磁阻元件707跨接。元件707由例如，NiFe合金的薄層709構成，該層709在端部709a連接到輸電線和返回層709b。延伸在兩端部709a之間的層709的部分形成具有有效尺寸l的磁阻元件707的有效部分。
磁導711或713a、713b之一，但最好是兩個711和713a、713b在第三方向Z的相對磁導率μrz比在第二方向Y的相對磁導率μry大許多倍，例如100到1000倍，而且其尺寸比在第二方向Y的磁阻元件707的有效尺寸大得多，同時，磁導出現(xiàn)在元件707的兩側。在本實施方案中，在第二方向Y的所述尺寸比有效尺寸l至少大40％。由于該方法，就可用簡單方法實現(xiàn)一個具有傳感縫隙窄而穩(wěn)定的磁頭。該方法也可用于具有如圖10和11所示類型并排延伸的幾個磁頭的磁頭組。該方法也可用于其中磁阻元件鄰接如圖1所示的磁頭面的磁頭。
根據(jù)本發(fā)明的磁頭和圖10和11所示的變型特別適合于與具有小磁跡寬度，例如，大約小于30微米的磁跡寬度的信息磁跡的介質相配合，因為該磁導或多個磁導的尺寸在第二方向上總是比在第三方向上的尺寸大，因此，對磁頭的磁穩(wěn)定性起到有利的作用。所示的磁頭適合于例如圖8所示的裝置。在該圖中所示的多道磁頭511是用根據(jù)本發(fā)明以上所述的磁頭來代替的。
權利要求
1.一種磁頭，該磁頭具有一個以磁信息介質相對于磁頭可作相對運動的第一方向和橫截于第一方向的第二方向延伸的端面，和包括一個磁頭結構，該磁頭結構具有一個其有效尺寸平行于第二方向延伸的傳感元件，和一個以第二方向和垂直于第一和第二方向的第三方向延伸并到達端面的磁導，該磁導可與傳感元件磁耦合并在第一方向上具有第一尺寸和在第三方向上具有第二尺寸，其特征在于，磁導在第二方向上具有的相對磁導率比在第三方向上的要小，第一尺寸比第二尺寸大且比傳感元件的有效尺寸也大。
2.根據(jù)權利要求1的一種磁頭，其特征在于，第一尺寸比第二尺寸至少約大2倍。
3.根據(jù)權利要求1或2的一種磁頭，其特征在于，磁導在第三方向上具有的相對磁導率比在第二方向上的相對磁導率至少大25倍。
4.根據(jù)權利要求1、2或3的一種磁頭，其特征在于，傳感元件是一個電感元件。
5.根據(jù)權利要求1、2、或3的一種磁頭，其特征在于，傳感元件是一個磁阻元件。
6.根據(jù)權利要求5的一種磁頭，其特征在于，磁導在第三方向上是間斷的，用于形成由磁阻元件跨接的縫隙。
7.根據(jù)前面權利要求的任一個所述的一種磁頭，其特征在于，磁導的第一尺寸至少比傳感元件的有效尺寸大40％。
8.根據(jù)權利要求1到7的任一個所述的一種磁頭，其特征在于，設有幾個磁導，從第一方向觀察是并置的，每個磁導實施為權利要求1到7的任一個所述的磁導，并與傳感元件磁配合。
9.一種多道磁頭，該磁頭具有一個磁信息介質相對于磁頭可作相對移動的第一方向，和橫截于第一方向的第二方向，并包括一個磁頭結構，該磁頭結構具有傳感元件，在第一方向上觀察是并置的，和磁導，在第二方向上是并置的，并以第二方向和以橫截于第一和第二方向的第三方向延伸，并達到端面，其特征在于，磁導可與至少幾個傳感元件磁耦合并在第二方向上是連續(xù)的，至少一個磁導具有一個相對磁導率在第二方向上比第三方向上小。
10.根據(jù)權利要求9的一種多道磁頭，其特征在于，兩個磁導具有的相對磁導率在第二方向上比第三方向上小。
11.根據(jù)權利要求9或10的一種多道磁頭，其特征在于，至少一個磁導相對至少幾個傳感元件延伸。
12.根據(jù)權利要求9、10、11的一種多道磁頭，其特征在于，在第三方向上的相對磁導率比在第二方向上的相對磁導率大25倍。
13.根據(jù)權利要求9、10、11、或12的一種多道磁頭，其特征在于，傳感元件是電感元件。
14.根據(jù)權利要求13的一種多道磁頭，其特征在于，設有一個在第二方向上延伸的并具有用于形成單個電感元件的抽頭的導電帶。
15.根據(jù)權利要求9、10、11或12的一種多道磁頭，其特征在于，傳感元件是磁阻元件。
16.根據(jù)權利要求15的一種多道磁頭，其特征在于，設有一個在第二方向上延伸的和具有用于單個磁阻元件的抽頭的軟磁帶。
17.一種用于把信息記錄在磁信息介質和/或從其讀信息的裝置，該裝置包括根據(jù)前面權利要求1到8的任一個所述的磁頭或根據(jù)前面權利要求9到16的任一個所述的多道磁頭，和用于相互置換磁頭，或多道磁頭，和信息介質的裝置。
全文摘要
多道磁頭具有以磁信息介質相對于磁頭可作相對移動的第一方向(X)和以橫截于第一方向的第二方向(Y)延伸的端面(101)。以第一方向觀察,磁頭結構包括并置的傳感元件(107),和以第二方向和橫截于第一方向(X)和第二方向(Y)的第三方向(Z)延伸并到達端面的磁導(113a、113b)。在第二方向上是連續(xù)的磁導相對傳感元件被設置并具有一個在第二方向上比在第三方向上小的相對磁導率(μ
文檔編號G11B5/39GK1194710SQ97190568
公開日1998年9月30日 申請日期1997年3月14日 優(yōu)先權日1997年3月14日
發(fā)明者J·J·M·瑞羅克, G·H·J·索梅爾斯, H·W·范克斯特倫 申請人:菲利浦電子有限公司